JP5767929B2 - 固体撮像装置及び携帯情報端末装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、固体撮像装置及び携帯情報端末装置に関する。

ＣＭＯＳイメージセンサにおいては、画素となる複数の光電変換素子が半導体基板の上面にアレイ状に形成される。また、光電変換素子によって変換された電荷を読み出すためのトランジスタ及び配線層も光電変換素子が形成された上面に形成される。よって、光が入射された場合に、半導体基板の上面に対する光電変換素子が光を受ける割合（開口率）は、１００％を大きく下回る。このように、トランジスタ及び配線層を光電変換素子と同じ面に形成している固体撮像装置には、入射光の利用効率が低いという問題があった。

開口率を大幅に増大させる技術として、光電変換素子を、トランジスタ及び配線層が形成された上面の反対側の裏面に形成し、裏面から光を入射させる裏面照射型構造がある。

特開２００５−０２００２４号公報

本発明の実施形態は、高集積化を図ることができる固体撮像装置及び携帯情報端末装置を提供する。

実施形態に係る固体撮像装置は、複数の画素が２次元的に配置された第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有する撮像基板であって、前記複数の画素のそれぞれは入射した光を電荷に変換して蓄積する光電変換素子を含む、撮像基板と、前記撮像基板の前記第１面側に設けられ、２次元的に配置された複数のマイクロレンズを含むマイクロレンズアレイ基板と、を備える。前記複数の画素は、第１〜第６の画素を含む。前記複数のマイクロレンズは、互いに最近接した第１〜第３のマイクロレンズを含む。前記第１面は、前記第１のマイクロレンズで集光された光が入射する第１の領域と、前記第２のマイクロレンズで集光された光が入射する第２の領域と、前記第３のマイクロレンズで集光された光が入射する第３の領域と、前記第１〜第３の領域に囲まれた第４の領域であって、前記第１〜第３のマイクロレンズで集光されたそれぞれの光が入射しない第４の領域と、を含む。前記第１の画素は、前記第１の領域に配置される。前記第３の画素は、前記第２の領域に配置される。前記第５の画素は、前記第３の領域に配置される。前記第２の画素、前記第４の画素及び前記第６の画素は、前記第４の領域に配置される。前記撮像基板は、前記第２面に設けられ前記第２の画素と重なるＡＤ変換回路を含む。前記第１の画素の前記光電変換素子によって蓄積された電荷は、前記ＡＤ変換回路によってデジタル信号に変換される。

また、実施形態に係る携帯情報端末装置は、前記固体撮像装置を備える。

第１の実施形態に係る固体撮像装置を例示する光学モデル図である。 第１の実施形態における撮像基板を例示する断面図である。 第１の実施形態における半導体基板を例示する図であり、（ａ）は、上面図であり、（ｂ）は、下面図である。 （ａ）は、第１の実施形態におけるマイクロレンズアレイ基板を例示する平面図であり、（ｂ）は、第１の実施形態における撮像基板を例示する上面図である。 （ａ）は、第１の実施形態において、マイクロレンズ毎に結像された画像を例示する図であり、（ｂ）は、これらの画像を画像処理して得られた２次元画像を例示する図である。 （ａ）は、第１の実施形態の第１の変形例におけるマイクロレンズアレイ基板を例示する平面図であり、（ｂ）は、第１の実施形態の第１の変形例における撮像基板を例示する上面図である。 第１の実施形態の第２の変形例における撮像基板を例示する上面図である。 第１の実施形態の第３の変形例における半導体基板を例示する図であり、（ａ）は、上面図であり、（ｂ）は、下面図である。 第２の実施形態に係る携帯情報端末装置を例示する平面図である。

（第１の実施形態）
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
先ず、第１の実施形態について説明する。
図１は、第１の実施形態に係る固体撮像装置を例示する光学モデル図である。
図２は、第１の実施形態における撮像基板を例示する断面図である。
図３は、第１の実施形態における半導体基板を例示する図であり、（ａ）は、上面図であり、（ｂ）は、下面図である。
図４（ａ）は、第１の実施形態におけるマイクロレンズアレイ基板を例示する平面図であり、（ｂ）は、第１の実施形態における撮像基板を例示する上面図である。
図５（ａ）は、第１の実施形態において、マイクロレンズ毎に結像された画像を例示する図であり、（ｂ）は、これらの画像を画像処理して得られた２次元画像を例示する図である。

図１に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置１には、板状の撮像基板１０が設けられている。
撮像基板１０の上面１１側には、マイクロレンズアレイ基板１３が設けられている。マイクロレンズアレイ基板１３は、撮像基板１０に対して平行に配置されている。また、マイクロレンズアレイ基板１３は、透明基板、例えば石英板を用いて形成されている。マイクロレンズアレイ基板１３には、複数のマイクロレンズ１４がマイクロレンズアレイ基板１３の一方の面１５に平行な面内において２次元的に配置されている。

マイクロレンズアレイ基板１３における撮像基板１０と反対側には、結像レンズ１６が設けられている。結像レンズ１６は収差補正のため、複数のレンズの組合せで構成させていても良い。結像レンズ１６は、その光軸１７がマイクロレンズアレイ基板１３の一方の面１５及び撮像基板１０の上面１１を垂直に通過するように配置されている。結像レンズ１６の結像面３５は、撮像基板１０より下方に設定されている。また、結像レンズ１６を透過して集光した光による各マイクロレンズ１４の結像面３６は、撮像基板１０の上面１１に設定されている。

図２に示すように、撮像基板１０は、例えばシリコン（Ｓｉ）からなる半導体基板１８に設けられている。また、撮像基板１０には、複数の画素１９が撮像基板１０の上面１１に平行な面内において２次元的に形成されている。複数の画素１９は上面２０及び裏面２１を同じ方向に向けて配置されている。
複数の画素１９の上面２０によって、撮像基板１０の上面１１が形成されている。複数の画素１９の裏面２１によって、撮像基板１０の裏面１２が形成されている。

撮像基板１０を構成する半導体基板１８において、画素１９の上面２０側に相当する部分には、入射した光を電荷に変換して蓄積する光電変換素子２２、例えば、フォトダイオード４１が形成されている。フォトダイオード４１の側面には、素子分離層のｐ形の不純物領域４２が形成されている。フォトダイオード４１上には、ｐ^＋層の不純物領域４３が形成されている。

光電変換素子２２上には、反射防止層２３が設けられている。反射防止層２３上には、カラーフィルタ２４が設けられている。各画素１９には、カラーフィルタ２４上に集光レンズ２５が設けられている。

また、画素１９の裏面２１側に相当する半導体基板１８の下面にはｎ形のウェル４４が形成されている。ｎ形のウェル４４から下方には、転送トランジスタ２６が形成されている。また、ｎウェル４４から下方には、読出しトランジスタ２７またはＡＤ変換回路２８が設けられている。半導体基板１８の下方には、多層配線層２９が形成されている。
多層配線層２９の下方には、支持基板３０が設けられている。支持基板３０は、多層配線層２９を挟んで半導体基板１８を下面から支持している。これらｐ、ｎの極性は、逆転した構成であっても良い。

図３（ａ）に示すように、光電変換素子２２はマトリックス状に配列された画素１９のそれぞれに形成されている。
一方、図３（ｂ）に示すように、転送トランジスタ２６、読出しトランジスタ２７及びＡＤ変換回路２８は、２行２列に配列された４つの画素１９を基本ユニットとして配置されている。すなわち、これらの４つの画素１９のうち、１つの画素１９の裏面上には、読出しトランジスタ２７が形成されている。読出しトランジスタ２７が形成された画素１９以外の３つの画素１９の裏面２１に渡って、１つのＬ字形のＡＤ変換回路２８が形成されている。各画素１９に一つの転送トランジスタ２６が形成されている。転送トランジスタ２６は、２行２列に配置された４つの画素１９が形成する基本ユニットの４つの角部に配置されている。上記の基本ユニットは、２行２列に限るものではなく、Ｎ，Ｍを自然数としたＮ行Ｍ列を基本ユニットとした場合も同等の構成が可能である。

図４（ａ）に示すように、マイクロレンズアレイ基板１３を光軸１７が延びる方向から見ると、各マイクロレンズ１４の形状は円形である。光軸１７が延びる方向から見て、複数のマイクロレンズ１４の配列は、六方最密配列となっている。すなわち、各マイクロレンズ１４は、他の６つのマイクロレンズ１４と接している。
１個のマイクロレンズ１４の大きさは、１個の画素１９よりも大きい。マイクロレンズ１４の円の大きさと、画素１９の大きさとを比較すると、例えば、１個のマイクロレンズ１４の大きさは、その円の中に、数十から数百個の画素１９が入る大きさである。

図４（ｂ）に示すように、撮像基板１０の上面１１において、円形の各マイクロレンズ１４を透過して集光した光が入射する領域３１の形状は、円形となる。また、領域３１の配列は、マイクロレンズアレイ基板１３におけるマイクロレンズ１４の配列が反映されて、六方最密配列となる。各領域３１は、各マイクロレンズ１４に対応づけられている。領域３１に配置された画素１９の集合体を画素ブロック４８という。

撮像基板１０の上面１１には、各マイクロレンズ１４を透過して集光した光によって照射されない領域３３がある。すなわち、領域３３に配置された画素１９には、各マイクロレンズ１４を透過して集光した光が入射しない。
このように、マイクロレンズアレイ基板１３を透過して集光した光は、撮像基板１０の上面において、領域３１と領域３３とを形成する。
したがって、マイクロレンズアレイ基板１３は、遮光部材となる。すなわち、マイクロレンズアレイ基板１３の上方から光が照射された場合に、マイクロレンズアレイ基板１３によって、遮光される領域３３と、遮光されない領域３１とが区別される。

互いに隣接する３つの領域３１の円形４５ａ、円形４５ｂ及び円形４５ｃの中心４６ａ、中心４６ｂ及び中心４６ｃを頂点とする三角形を三角形４７とする。
円形４５ａと三角形４７とが重なる領域における画素１９の集合体を画素ブロック４８ａという。円形４５ｂと三角形４７とが重なる領域における画素１９の集合体を画素ブロック４８ｂという。円形４５ｃと三角形４７とが重なる領域における画素１９の集合体を画素ブロック４８ｃという。画素ブロック４８ａ〜４８ｃに属する画素１９は、遮光されない画素１９である。
一方、三角形４７の内部の領域であって、円形４５ａ〜４５ｃに属さない領域における画素１９の集合体を画素ブロック４９という。画素ブロック４９に属する画素１９は、遮光される画素１９である。

次に、本実施形態に係る固体撮像装置１の動作について説明する。
被写体３６からの光を、結像レンズ１６を透過させることによって集光し、マイクロレンズアレイ基板１３に入射させる。マイクロレンズアレイ基板１３に入射した光のうち、マイクロレンズ１４に到達した光を、それぞれのマイクロレンズ１４を透過させてマイクロレンズ１４ごとに集光し、撮像基板１０の上面１１において、マイクロレンズ１４ごとに結像させる。

本実施形態において、三角形４７の内部の領域における画素ブロック４８ａ、４８ｂ及び４８ｃに属する画素１９の光電変換素子２２によって蓄積させた電荷を、画素ブロック４８ａ、４８ｂ及び４８ｃに属する画素１９の裏面２１に形成した読出しトランジスタ２７によって読出し、読出した電荷を転送トランジスタ２６によりアナログ信号として、遮光される領域３３の画素ブロック４９に属する画素１９の裏面に形成されたＡＤ変換回路２８に転送する。そして、画素ブロック４９に属する画素１９の裏面に形成されたＡＤ変換回路２８が、各画素ブロック４８ａ〜４８ｃにおいて読出しトランジスタ２７によって読み出された電荷に対応するアナログ信号を、デジタル信号に変換する。画素ブロック４８ａ、４８ｂ及び４８ｃに属する画素１９の裏面に形成されたＡＤ変換回路２８は動作させない。
このように、三角形４７の内部に配置された複数の画素１９を１つの単位として、光電変換素子２２によって蓄積された電荷を、ＡＤ変換回路２８によってデジタル信号に変換する。
その後、各画素ブロック４８ａ〜４８ｃ毎にＡＤ変換されたデジタル信号を、画像処理する。

図５（ａ）に示すように、各マイクロレンズ１４に対応した領域３１ごとに、被写体３６の像が形成される。各領域３１毎に形成された像は、マイクロレンズ１４の配置された位置の違いに起因して、少しずつ異なっている。このように、マイクロレンズ１４の数だけ、相互間に視差が生じた複数の像が取得される。

多数のマイクロレンズ１５から得られた視差が生じた画像群を画像処理することで、三角測量の原理により、被写体３６と固体撮像装置１との間の距離の推定を行う。
また、図５（ｂ）に示すように、多数のマイクロレンズ１５から得られた視差が生じた画像群のつなぎ合わせの画像処理を行うことによって２次元画像とする。

次に、本実施形態に係る固体撮像装置１の効果について説明する。
本実施形態に係る固体撮像装置１によれば、光電変換素子２２を、光の入射面である画素１９の上面２０に形成し、転送トランジスタ２６、読出しトランジスタ２７及びＡＤ変換回路２８を、光の入射面の反対側の裏面２１に形成している。よって、撮像基板１０の上面１１に対する光電変換素子２２が光を受ける割合、すなわち、開口率を向上させることができる。

マイクロレンズ１４を六方最密配列で配置した場合には、撮像基板１０の上面１１における遮光される領域３３が占める割合を、９．３％まで低下させることができる。
これにより、固体撮像装置１を高集積化することができる。
遮蔽される画素１９の裏面２１に形成されたＡＤ変換回路２８を動作させるので、光電変換素子２２を透過した光によって、ＡＤ変換回路２８が誤作動することがない。

また、画素ブロック４８ａ〜４８ｃ毎に並列に電荷を読み出してＡＤ変換するので画像処理を高速化することができる。よって、ＡＤ変換の遅延から生じるロータリーシャッター問題が発生しない。
マイクロレンズアレイ基板１３を結像レンズ１６と撮像基板１０との間に設けることによって、結像面３５を結像レンズ１６に近い結像面３６まで近づけることができる。この結果、固体撮像装置１を小型化することができる。

（第１の実施形態の第１の変形例）
次に、第１の実施形態の第１の変形例について説明する。
図６（ａ）は、第１の実施形態の第１の変形例におけるマイクロレンズアレイ基板を例示する平面図であり、（ｂ）は、第１の実施形態の第１の変形例における撮像基板を例示する上面図である。

図６（ａ）に示すように、本変形例においては、マイクロレンズアレイ基板１３におけるマイクロレンズ１４が正方配列となっている。正方配列とは、マイクロレンズアレイ基板１３の一方の面１５に平行な面内における１つの方向及び１つの方向と直交する他の方向にマイクロレンズ１４が配置された配列をいう。さらに、各マイクロレンズ１４は、４個のマイクロレンズ１４で囲まれ、各マイクロレンズ１４は、各マイクロレンズ１４を囲む４個のマイクロレンズ１４と接するように配置された配列をいう。

図６（ｂ）に示すように、領域３１の配置は、マイクロレンズアレイ基板１３におけるマイクロレンズ１４の配置が反映されて、正方配列となる。
一つの領域３１の円形４５ａの中心を中心４６ａとし、１つの方向に隣接する円形４５ｂの中心を中心４６ｂとし、他の方向に隣接する円形４５ｃの中心を中心４６ｃとし、中心４６ｂ及び中心４６ｃを結ぶ線分に対して、円形４５ａと対称の位置にある円形を円形４５ｄとし、円形４５ｄの中心を中心４６ｄとしたときに、中心４６ａ、中心４６ｂ、中心４６ｃ及び中心４６ｄによって四角形５７が形成される。

円形４５ａと四角形５７とが重なる領域における画素１９の集合体を画素ブロック４８ａという。円形４５ｂと四角形５７とが重なる領域における画素１９の集合体を画素ブロック４８ｂという。円形４５ｃと四角形５７とが重なる領域における画素１９の集合体を画素ブロック４８ｃという。円形４５ｄと四角形５７とが重なる領域における画素１９の集合体を画素ブロック４８ｄという。画素ブロック４８ａ〜４８ｄに属する画素１９は、遮光されない画素１９である。

一方、四角形５７の内部の領域であって、円形４５ａ〜４５ｄに属さない領域における画素１９の集合体を画素ブロック４９という。画素ブロック４９に属する画素１９は、遮光される画素１９である。
画素ブロック４９に属する画素１９の裏面に形成されたＡＤ変換回路２８は、各画素ブロック４８ａ〜４８ｄにおいて読出しトランジスタ２７によって読み出された電荷をデジタル信号に変換する。
このように、四角形５７の内部に配置された複数の画素１９を１つの単位として、光電変換素子２２によって蓄積された電荷を、ＡＤ変換回路２８によってデジタル信号に変換する。

本変形例においては、撮像基板１０の上面１１における遮光される領域３３が占める割合は、２１．５％となる。動作させるＡＤ変換回路２８を含む画素１９の割合を高めることができる。よって、高速処理を可能とする。
本変形例における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。

（第１の実施形態の第２の変形例）
図７は、第１の実施形態の第２の変形例における撮像基板を例示する上面図である。
本変形例においては、マイクロレンズアレイ基板１３におけるマイクロレンズ１４は、前述の第１の実施形態の第１の変形例と同様に正方配列となっている。
したがって、図６に示すように、領域３１の配置は、マイクロレンズアレイ基板１３におけるマイクロレンズ１４の配置が反映されて、正方配列となる。
円形４５ａと円形４５ｂとの接点を接点５０とし、円形４５ａと円形４５ｃとの接点を接点５１とし、接点５０と接点５１とを結ぶ線分に対して中心４６ａと対称の位置にある点を点５２としたときに、中心４６ａ、接点５０、接点５１及び点５２によって四角形６７が形成される。

円形４５ａと四角形６７とが重なる領域における画素１９の集合体を画素ブロック４８ａという。画素ブロック４８ａに属する画素１９は、遮光されない画素１９である。
一方、四角形６７の内部の領域であって、円形４５ａに属さない領域における画素１９の集合体を画素ブロック４９という。画素ブロック４９に属する画素１９は、遮光される画素１９である。
画素ブロック４９に属する画素１９の裏面に形成されたＡＤ変換回路２８は、画素ブロック４８ａにおいて読出しトランジスタによって読み出された電荷をデジタル信号に変換する。
このように、四角形６７の内部に配置された複数の画素１９を１つの単位として、光電変換素子２２によって蓄積された電荷を、ＡＤ変換回路２８によってデジタル信号に変換する。
本変形例における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。

（第１の実施形態の第３の変形例）
図８は、第１の実施形態の第３の変形例における半導体基板を例示する図であり、（ａ）は、上面図を示し、（ｂ）は、下面図を示す。
図８（ａ）に示すように、光電変換素子２２はマトリックス状に配列された画素１９のそれぞれに形成されている。

一方、図８（ｂ）に示すように、各画素１９の裏面２１の中央部に転送トランジスタ２６が形成されている。２行２列に配列された４つの画素１９を基本ユニットとして配置されている。これらの基本ユニットの中央部に、４つの画素１９にまたがるように、読出しトランジスタ２７が形成されている。４つの画素１９の集合体の裏面における周辺領域に沿って、ＡＤ変換回路２８が形成されている。本変形例における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。上記の基本ユニットは、２行２列に限るものではなく、Ｎ，Ｍを自然数としたＮ行Ｍ列を基本ユニットとした場合も同等の構成が可能である。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。
図９は、第２の実施形態に係る携帯情報端末装置を例示する平面図である。
図９に示すように、本実施形態に係る携帯情報端末装置２には、固体撮像装置１が設けられている。
固体撮像装置１は、例えば、前述の第１の実施形態に係る固体撮像装置１である。固体撮像装置１の結像レンズ１６は、携帯情報端末装置２の一つの面３８に配置されている。
携帯情報端末装置２には、固体撮像装置１に接続された記憶装置３７が設けられている。

次に、本実施形態に係る携帯情報端末装置２の動作について説明する。
携帯情報端末装置２における固体撮像装置１の結像レンズ１５の光軸１７を被写体３６に向ける。そして、固体撮像装置１を動作させて被写体３６を撮像する。撮像した画像を記憶装置３７に記録させる。また、撮像した画像を表示部（図示せず）に表示させる。
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態に係る携帯情報端末装置２は、固体撮像装置１を搭載することにより高集積化を実現している。

以上説明した実施形態によれば、高集積化を図ることができる固体撮像装置及び携帯情報端末装置を提供することができる。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。

１：固体撮像装置、２、携帯情報端末装置、１０：撮像基板、１１：上面、１２：裏面、１３：マイクロレンズアレイ基板、１４：マイクロレンズ、１５：面、１６：結像レンズ、１７：光軸、１８：半導体基板、１９：画素、２０：上面、２１：裏面、２２：光電変換素子、２３：反射防止層、２４：カラーフィルタ、２５：集光レンズ、２６：転送トランジスタ、２７：読出しトランジスタ、２８：ＡＤ変換回路、２９：多層配線層、３０：支持基板、３１：領域、３３：領域、３４：遮光部材、３５：結像面、３６：被写体、３７：記憶装置、３８：面、４１：フォトダイオード、４２：不純物領域、４３：不純物領域、４４：ウェル、４５ａ：円形、４５ｂ：円形、４５ｃ：円形、４５ｄ：円形、４６ａ：中心、４６ｂ：中心、４６ｃ：中心、４６ｄ：中心、４７：三角形、４８：画素ブロック、４８ａ：画素ブロック、４８ｂ：画素ブロック、４８ｃ：画素ブロック、４８ｄ：画素ブロック、４９：画素ブロック、５０：接点、５１：接点、５２：点、５７：四角形、６７：四角形

Claims (10)

1. 複数の画素が２次元的に配置された第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有する撮像基板であって、前記複数の画素のそれぞれは入射した光を電荷に変換して蓄積する光電変換素子を含む、撮像基板と、
   前記撮像基板の前記第１面側に設けられ、２次元的に配置された複数のマイクロレンズを含むマイクロレンズアレイ基板と、
   を備え、
   前記複数の画素は、第１〜第６の画素を含み、
   前記複数のマイクロレンズは、互いに最近接した第１〜第３のマイクロレンズを含み、
   前記第１面は、
   前記第１のマイクロレンズで集光された光が入射する第１の領域と、
   前記第２のマイクロレンズで集光された光が入射する第２の領域と、
   前記第３のマイクロレンズで集光された光が入射する第３の領域と、
   前記第１〜第３の領域に囲まれた第４の領域であって、前記第１〜第３のマイクロレンズで集光されたそれぞれの光が入射しない第４の領域と、
   を含み、
   前記第１の画素は、前記第１の領域に配置され、
   前記第３の画素は、前記第２の領域に配置され、
   前記第５の画素は、前記第３の領域に配置され、
   前記第２の画素、前記第４の画素及び前記第６の画素は、前記第４の領域に配置され、
   前記撮像基板は、前記第２面に設けられ前記第２の画素と重なるＡＤ変換回路を含み、
   前記第１の画素の前記光電変換素子によって蓄積された電荷は、前記ＡＤ変換回路によってデジタル信号に変換される固体撮像装置。
2. 前記撮像基板は、前記第２面に設けられ前記第１の画素と重なる別のＡＤ変換回路をさらに含む請求項１記載の固体撮像装置。
3. 前記複数のマイクロレンズは、六方最密配列で配置された請求項１または２に記載の固体撮像装置。
4. 前記第１の画素の前記光電変換素子によって蓄積された前記電荷、前記第３の画素の前記光電変換素子によって蓄積された電荷、及び、前記第５の画素の前記光電変換素子によって蓄積された電荷が、１つの単位として、デジタル信号に変換される請求項３記載の固体撮像装置。
5. 前記第１の画素、前記第３の画素及び前記第５の画素は、前記第１〜第３の領域のそれぞれの中心を結ぶ三角形の領域と重なる請求項４記載の固体撮像装置。
6. 複数の画素が２次元的に配置された第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有する撮像基板であって、前記複数の画素のそれぞれは入射した光を電荷に変換して蓄積する光電変換素子を含む、撮像基板と、
   前記撮像基板の前記第１面側に設けられ、２次元的に配置された複数のマイクロレンズを含むマイクロレンズアレイ基板と、
   を備え、
   前記複数の画素は、第１〜第８の画素を含み、
   前記複数のマイクロレンズは、互いに最近接した第１〜第４のマイクロレンズを含み、
   前記第１面は、
   前記第１のマイクロレンズで集光された光が入射する第１の領域と、
   前記第２のマイクロレンズで集光された光が入射する第２の領域と、
   前記第３のマイクロレンズで集光された光が入射する第３の領域と、
   前記第４のマイクロレンズで集光された光が入射する第４の領域と、
   前記第１〜第４の領域に囲まれた第５の領域であって、前記第１〜第４のマイクロレンズで集光されたそれぞれの光が入射しない第５の領域と、
   を含み、
   前記第１の画素は、前記第１の領域に配置され、
   前記第３の画素は、前記第２の領域に配置され、
   前記第５の画素は、前記第３の領域に配置され、
   前記第７の画素は、前記第４の領域に配置され、
   前記第２の画素、前記第４の画素、前記第６の画素及び前記第８の画素は、前記第５の領域に配置され、
   前記撮像基板は、前記第２面に設けられ前記第２の画素と重なるＡＤ変換回路を含み、
   前記第１の画素の前記光電変換素子によって蓄積された電荷は、前記ＡＤ変換回路によってデジタル信号に変換され、
   前記第１の画素の前記光電変換素子によって蓄積された前記電荷、前記第３の画素の前記光電変換素子によって蓄積された電荷、前記第５の画素の前記光電変換素子によって蓄積された電荷、及び、前記第７の画素の前記光電変換素子によって蓄積された電荷が、１つの単位として、デジタル信号に変換される固体撮像装置。
7. 前記複数のマイクロレンズは、正方配列で配置された請求項６記載の固体撮像装置。
8. 前記第１の画素、前記第３の画素、前記第５の画素及び前記第７の画素は、前記第１〜第４の領域のそれぞれの中心を頂点とする四角形の領域と重なる請求項６記載の固体撮像装置。
9. 前記第１の画素、前記第３の画素、前記第５の画素及び前記第７の画素は、第１〜第４の点を頂点とする四角形と重なり、
   前記第１の点は、前記第１の領域の第１の中心であり、
   前記第２の点は、前記第１の中心と、前記第２の領域の第２の中心と、を結ぶ線分の中点であり、
   前記第３の点は、前記第２の中心と、前記第３の領域の第３の中心と、を結ぶ線分の中点であり、
   前記第４の点は、前記第２の点及び前記第３の点を結ぶ線分に対して前記第１の点と対称の位置にある請求項６記載の固体撮像装置。
10. 請求項１〜９のいずれか１つに記載の固体撮像装置を備えた携帯情報端末装置。