JPS59211262A - 放射線像検出器およびそれを用いた放射線像検出方法 - Google Patents
放射線像検出器およびそれを用いた放射線像検出方法Info
- Publication number
- JPS59211262A JPS59211262A JP58086225A JP8622583A JPS59211262A JP S59211262 A JPS59211262 A JP S59211262A JP 58086225 A JP58086225 A JP 58086225A JP 8622583 A JP8622583 A JP 8622583A JP S59211262 A JPS59211262 A JP S59211262A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- radiation image
- phosphor
- phosphor layer
- image detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 26
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 72
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 6
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UAHZTKVCYHJBJQ-UHFFFAOYSA-N [P].S=O Chemical compound [P].S=O UAHZTKVCYHJBJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001618 alkaline earth metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 4
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 etc.] Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 101150079361 fet5 gene Proteins 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 2
- IBIRZFNPWYRWOG-UHFFFAOYSA-N phosphane;phosphoric acid Chemical compound P.OP(O)(O)=O IBIRZFNPWYRWOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 2
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- JCLFHZLOKITRCE-UHFFFAOYSA-N 4-pentoxyphenol Chemical compound CCCCCOC1=CC=C(O)C=C1 JCLFHZLOKITRCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 229910004829 CaWO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002307 Dextran Polymers 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 229920000084 Gum arabic Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 241000978776 Senegalia senegal Species 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 239000000205 acacia gum Substances 0.000 description 1
- 235000010489 acacia gum Nutrition 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910000316 alkaline earth metal phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 description 1
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000164 yttrium(III) phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02322—Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、放射線像検出器およびそれを用いた放射線像
検出方法に関するものである。さらに詳しくは、本発明
は、蛍光体と感光素子との組合わせを利用する放射線像
検出器およびそれを用いた放射線像検出方法に関するも
のである。
検出方法に関するものである。さらに詳しくは、本発明
は、蛍光体と感光素子との組合わせを利用する放射線像
検出器およびそれを用いた放射線像検出方法に関するも
のである。
従来において、医療診断を目的とするX線撮影等の医療
用放射線撮影、物質の非破壊検査を目的とする工業用放
射線撮影などの種々の分野における放、射線撮影におい
て、被写体の放射線像を得る方法としては、増感紙(増
感スクリーン)と放射線写真フィルムとを組み合わせた
いわゆる放射線写真法が利用されている。この方法によ
れば、被写体を透過したX線などの放射線が増感紙に入
射すると、増感紙に含まれる蛍光体はこの放射線エネル
ギーを吸収して蛍光(瞬時発光)を発する。
用放射線撮影、物質の非破壊検査を目的とする工業用放
射線撮影などの種々の分野における放、射線撮影におい
て、被写体の放射線像を得る方法としては、増感紙(増
感スクリーン)と放射線写真フィルムとを組み合わせた
いわゆる放射線写真法が利用されている。この方法によ
れば、被写体を透過したX線などの放射線が増感紙に入
射すると、増感紙に含まれる蛍光体はこの放射線エネル
ギーを吸収して蛍光(瞬時発光)を発する。
この発光により、増感紙に密着させるように重ね合わさ
れた放射線写真フィルムが感光し、放射線写真フィルム
上には放射線画像が形成される。こ上に可視化された画
像として得られている。
れた放射線写真フィルムが感光し、放射線写真フィルム
上には放射線画像が形成される。こ上に可視化された画
像として得られている。
また、所望の濃度およびコントラスト、あるいは大きさ
を有する放射線画像を得るためには、上記のようにして
得られた可視画像を光ビームで走査する方法などにより
その画像情報を読み取って光電変換したのち、得られた
電気信号に適当な画像処理を施し、目的に応じた画像の
再生ができることが知られている。
を有する放射線画像を得るためには、上記のようにして
得られた可視画像を光ビームで走査する方法などにより
その画像情報を読み取って光電変換したのち、得られた
電気信号に適当な画像処理を施し、目的に応じた画像の
再生ができることが知られている。
上述のように、従来の放射線写真法は、各種の放射線撮
影において広く利用されている方法ではあるが、得られ
る感度および画質(鮮鋭度および粒状性など)はできる
限り高いことが望まれている。
影において広く利用されている方法ではあるが、得られ
る感度および画質(鮮鋭度および粒状性など)はできる
限り高いことが望まれている。
また、上記の放射線写真法においては、放射線像を直接
に可視化することが必須要件となっており、従って、用
いる放射線写真フィルムと増感紙とはその感度領域の一
致するものを組合わせて用いる必要がある。
に可視化することが必須要件となっており、従って、用
いる放射線写真フィルムと増感紙とはその感度領域の一
致するものを組合わせて用いる必要がある。
さらに、上記のように放射線画像に画像処理を行なって
目的に応じた濃度およびコントラストを有するように調
整したり、あるいは得られた放射線画像の拡大・縮小処
理を行なうためには、得られた放射線画像を一度電気信
号に変換しなければならなく、従って、そのための画像
読取装置を用意して読取り操作を行なう必要があり、操
作が煩雑なものとなっている。
目的に応じた濃度およびコントラストを有するように調
整したり、あるいは得られた放射線画像の拡大・縮小処
理を行なうためには、得られた放射線画像を一度電気信
号に変換しなければならなく、従って、そのための画像
読取装置を用意して読取り操作を行なう必要があり、操
作が煩雑なものとなっている。
本発明者は、従来の放射線写真法における上記のような
問題点の解決を目的として鋭意研究を行なった結果、多
数の感光素子が規則的に二次元的に配列されてなる光検
知部材上に蛍光体層が設けられた放射線像検出器を用い
て、被写体の放射線像についての画像情報を直接に電気
信号として得ることにより、前記の問題点の解決あるい
欠点の低減力(実現することを見出し本発明に到達した
。
問題点の解決を目的として鋭意研究を行なった結果、多
数の感光素子が規則的に二次元的に配列されてなる光検
知部材上に蛍光体層が設けられた放射線像検出器を用い
て、被写体の放射線像についての画像情報を直接に電気
信号として得ることにより、前記の問題点の解決あるい
欠点の低減力(実現することを見出し本発明に到達した
。
すなわち、本発明は、
1)規則的に二次元的に配列された多数の感光素子から
なる光検知部材、および、 2)該光検知部材の上に設けられた蛍光体層、る。
なる光検知部材、および、 2)該光検知部材の上に設けられた蛍光体層、る。
また、本発明は、被写体を透過した放射線を、規則的に
二次元的に配列された多数の感光素子からなる光検知部
材と蛍光体層とが積層されてなる放射線像検出器の蛍光
体層に入射させ、次いでこの放射線による励起によって
該蛍光体層から発せられる蛍光を該感光素子により光電
的に読み取ることからなる放射線像検出方法をも提供す
るものである。
二次元的に配列された多数の感光素子からなる光検知部
材と蛍光体層とが積層されてなる放射線像検出器の蛍光
体層に入射させ、次いでこの放射線による励起によって
該蛍光体層から発せられる蛍光を該感光素子により光電
的に読み取ることからなる放射線像検出方法をも提供す
るものである。
従って、本発明は、被写体を透過したX線などの放射線
を放射線像検出器の蛍光体層に入射させることにより、
この放射線のエネルギーを蛍光体層中の蛍光体に吸収さ
せて蛍光体から発せられる蛍光(瞬時発光)を、該放射
線像検出器の多数の感光素子からなる光検知部材で受光
して電気信号に変換することにより、被写体の放射線透
過像に関する画像情報を直接に電気信号として得ること
ができるものである。
を放射線像検出器の蛍光体層に入射させることにより、
この放射線のエネルギーを蛍光体層中の蛍光体に吸収さ
せて蛍光体から発せられる蛍光(瞬時発光)を、該放射
線像検出器の多数の感光素子からなる光検知部材で受光
して電気信号に変換することにより、被写体の放射線透
過像に関する画像情報を直接に電気信号として得ること
ができるものである。
本発明によれば、得られた放射線画像情報を有する電気
信号は、適当な記録装備な用いることにより、従来のよ
うな放射線フィルム上での画像化のみならず、CRT等
における表示、感熱記録材料上への記録など所望の形態
で画像化することができる。また、同時に上記放射線画
像情報は、磁気テープなどを用いることにより別の形態
で記録保存することが可能となる。
信号は、適当な記録装備な用いることにより、従来のよ
うな放射線フィルム上での画像化のみならず、CRT等
における表示、感熱記録材料上への記録など所望の形態
で画像化することができる。また、同時に上記放射線画
像情報は、磁気テープなどを用いることにより別の形態
で記録保存することが可能となる。
また、得られた電気信号を増幅することにより、被写体
に照射される放射線の強度、撮影条件、被写体の状態お
よび蛍光体の感度のバラツキなどによって得られる電気
信号のレベルが異なっても、これらの因子の変動に影響
されない画像情報を得ることができる。すなわち、本発
明によれば、電気信号の出力を調整することによって、
従来のような増感紙および/または放射線フィルムの感
度を向上させる手段をとることなく、被写体に照射され
る放射線量を従来より低減させることが可能であり、特
に被写体が人体である場合には有用な方法と言える。
に照射される放射線の強度、撮影条件、被写体の状態お
よび蛍光体の感度のバラツキなどによって得られる電気
信号のレベルが異なっても、これらの因子の変動に影響
されない画像情報を得ることができる。すなわち、本発
明によれば、電気信号の出力を調整することによって、
従来のような増感紙および/または放射線フィルムの感
度を向上させる手段をとることなく、被写体に照射され
る放射線量を従来より低減させることが可能であり、特
に被写体が人体である場合には有用な方法と言える。
さらに、本発明においては、必要に応じて、得られた電
気信号に好適な画像処理を施すことができ、これにより
観察読影性能が特に優れた可視画像を得ることも可能と
なる。
気信号に好適な画像処理を施すことができ、これにより
観察読影性能が特に優れた可視画像を得ることも可能と
なる。
そして、本発明によれば、従来の放射線写真法における
ように、画像化するための放射線写真フィルム等の写真
感光材料を省略することが可能となり、また写真感光材
料の感度領域をそれと重ね合わせて用いられる放射線増
感紙の感度領域と一致させるなどの必要がなくなるもの
である。
ように、画像化するための放射線写真フィルム等の写真
感光材料を省略することが可能となり、また写真感光材
料の感度領域をそれと重ね合わせて用いられる放射線増
感紙の感度領域と一致させるなどの必要がなくなるもの
である。
以下に本発明の詳細な説明する。
本発明の放射線像検出器は、基本的には規則的に二次元
的に配列された多数の感光素子からなる光検知部材と、
この上に設けられた蛍光体層とからなるものである。
的に配列された多数の感光素子からなる光検知部材と、
この上に設けられた蛍光体層とからなるものである。
光検知部材は、多数の感光素子が水平方向に規則的に配
列されて平面を形成しているものである。光検知部材に
用いられる感光素子は、蛍光体層から放射される蛍光を
受光するための受光部と、受光部で光電変換されて得ら
れる電荷を電気信号として時系列的に出力させるための
転送部とからなり、感光素子としてはアモルファス半導
体などを用いた公知の固体撮像素子を利用することがで
きる。
列されて平面を形成しているものである。光検知部材に
用いられる感光素子は、蛍光体層から放射される蛍光を
受光するための受光部と、受光部で光電変換されて得ら
れる電荷を電気信号として時系列的に出力させるための
転送部とからなり、感光素子としてはアモルファス半導
体などを用いた公知の固体撮像素子を利用することがで
きる。
そのような固体撮像素子の例としては、MOS(Met
al 0xide Sem1conducter )
、 CCD (Charged Coupled De
vice) 、 B B D (Bucket Bri
gadeDevice ) 、 CI D (Char
ge l5olated Device)などのセンサ
が挙げられる。これらのうちで特に好ましいものはMO
Sである。また、この固体撮像素子に使用される光導電
材料の例としては、アモル77スシリコン(a−S +
)、ZnO,CdSなどが挙げられる。
al 0xide Sem1conducter )
、 CCD (Charged Coupled De
vice) 、 B B D (Bucket Bri
gadeDevice ) 、 CI D (Char
ge l5olated Device)などのセンサ
が挙げられる。これらのうちで特に好ましいものはMO
Sである。また、この固体撮像素子に使用される光導電
材料の例としては、アモル77スシリコン(a−S +
)、ZnO,CdSなどが挙げられる。
この光検知部材の上には絶縁層を介して蛍光体層が設け
られる。絶縁層の材料としては、たとえばガラス、透明
高分子物質などの光透過性であってかつ絶縁性物質が挙
げられる。
られる。絶縁層の材料としては、たとえばガラス、透明
高分子物質などの光透過性であってかつ絶縁性物質が挙
げられる。
蛍光体層は、通常は蛍光体粒子を分散状態で含有支持す
る結合剤からなる層である。
る結合剤からなる層である。
蛍光体としては、従来の放射線写真法の増感紙に用いら
れている各種の放射線増感用蛍光体を使用することがで
きる。たとえば、本発明において使用するのが好ましい
蛍光体としては、次のような物質を挙げることができる
。
れている各種の放射線増感用蛍光体を使用することがで
きる。たとえば、本発明において使用するのが好ましい
蛍光体としては、次のような物質を挙げることができる
。
タングステン酸塩系蛍光体(Cago a 、 M g
WO4、CaWO4:Pb等)、テルビウム賦活希土類
酸硫化物系蛍光体[Y2O2S:Tb、G d 202
S : T b 、 L a 202 S : T
b、(Y、Gd)202S:Tb、(Y、Gd)202
S:Tb、Tm等]、テルビウム賦活希土類燐酸塩系蛍
光体(YPO4: Tb、GdPO4: Tb、LaP
O4:Tb等)、テルビウム賦活希土類オキシハロゲン
化物系蛍光体(LaOBr:Tb、La0B r :
Tb 、Tm、La0CJ1 : Tb、La0CJ1
:Tb、Tm、、Gd0Br:Tb、Gd0C1:Tb
等)、ツリウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体
(LaOB r : Tm、La0Cl : Tm等)
、硫酸バリウム系蛍光体[BaSO4: Pb、BaS
O4:Eu”、(Ba、S r)SO2: Eu2+等
]、二価ノユーロピウム賦活アルカリ土類金属燐酸塩系
蛍光体[Ba3(POa)2 : Eu2+、(Ba、
Sr)3(P04)2:Eu2+等]、二価のユーロピ
ウム賦活アルカリ土類金属弗化/\ロゲン化物系蛍光体
[BaFC,Q : Eu2+、BaFBr:Eu2+
、BaFCu:Eu”、Tb、BaFBr:Eu2+。
WO4、CaWO4:Pb等)、テルビウム賦活希土類
酸硫化物系蛍光体[Y2O2S:Tb、G d 202
S : T b 、 L a 202 S : T
b、(Y、Gd)202S:Tb、(Y、Gd)202
S:Tb、Tm等]、テルビウム賦活希土類燐酸塩系蛍
光体(YPO4: Tb、GdPO4: Tb、LaP
O4:Tb等)、テルビウム賦活希土類オキシハロゲン
化物系蛍光体(LaOBr:Tb、La0B r :
Tb 、Tm、La0CJ1 : Tb、La0CJ1
:Tb、Tm、、Gd0Br:Tb、Gd0C1:Tb
等)、ツリウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体
(LaOB r : Tm、La0Cl : Tm等)
、硫酸バリウム系蛍光体[BaSO4: Pb、BaS
O4:Eu”、(Ba、S r)SO2: Eu2+等
]、二価ノユーロピウム賦活アルカリ土類金属燐酸塩系
蛍光体[Ba3(POa)2 : Eu2+、(Ba、
Sr)3(P04)2:Eu2+等]、二価のユーロピ
ウム賦活アルカリ土類金属弗化/\ロゲン化物系蛍光体
[BaFC,Q : Eu2+、BaFBr:Eu2+
、BaFCu:Eu”、Tb、BaFBr:Eu2+。
Tb、BaF2*BaCu2eKC文:Eu2+、Ba
F2eBaC,u2sxBaSO4*KCu:Eu2+
、(Ba、Mg)F2eBaCi2*KC文:Eu2+
等]、沃化物系蛍光体(CsI:Na、CsI :Tl
、NaI、KI :T1等)、硫化物系蛍光体[ZnS
:Ag、(’Zn、Cd)S : 、A g、(Zn
、Cd)S : Cu、(Zn。
F2eBaC,u2sxBaSO4*KCu:Eu2+
、(Ba、Mg)F2eBaCi2*KC文:Eu2+
等]、沃化物系蛍光体(CsI:Na、CsI :Tl
、NaI、KI :T1等)、硫化物系蛍光体[ZnS
:Ag、(’Zn、Cd)S : 、A g、(Zn
、Cd)S : Cu、(Zn。
Cd)S : Cu、AM等]、燐酸ノ\フニウム系蛍
光体(Hf P 207: Cu等)。
光体(Hf P 207: Cu等)。
なお1本発明に用いる蛍光体は、これらのものに限られ
るものではなく、放射線の照射により発光を示す蛍光体
であればいかなるものであってもよい。
るものではなく、放射線の照射により発光を示す蛍光体
であればいかなるものであってもよい。
ただし、本発明に用いる蛍光体は、組合わせて用いる感
光素子の受光部に使用される光導電材料の光吸収波長領
域と重なるような発光波長領域を有することが必要であ
る。すなわち、本発明に用いる蛍光体および光導電材料
は、蛍光の発光波長領域の少なくとも一部と光導電材料
の光吸収波長領域の少なくとも一部とが重なるように選
択しなければならない。たとえば、光導電材料としてα
−3iを使用する場合には、蛍光体としては600nm
伺近に発光波長を有する蛍光体が好ましい。また、蛍光
体として二価のユーロピウム賦活アルカリ土類金属弗化
ハロゲン化物系蛍光体(発光のピーク波長は約390n
mである)を使用する場合には、光導電材料としてはZ
nSおよびCdSが好ましい。
光素子の受光部に使用される光導電材料の光吸収波長領
域と重なるような発光波長領域を有することが必要であ
る。すなわち、本発明に用いる蛍光体および光導電材料
は、蛍光の発光波長領域の少なくとも一部と光導電材料
の光吸収波長領域の少なくとも一部とが重なるように選
択しなければならない。たとえば、光導電材料としてα
−3iを使用する場合には、蛍光体としては600nm
伺近に発光波長を有する蛍光体が好ましい。また、蛍光
体として二価のユーロピウム賦活アルカリ土類金属弗化
ハロゲン化物系蛍光体(発光のピーク波長は約390n
mである)を使用する場合には、光導電材料としてはZ
nSおよびCdSが好ましい。
蛍光体層の結合剤の例としてはゼラチン等の蛋白質、デ
キストラン等のポリサッカライド、またはアラビアゴム
のような天然高分子物質;および、ポリビニルブチラー
ル、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロ
ース、塩化ビニリデン・塩化ビニルコポリマー、ポリメ
チルメタクリレート、塩化ビニル・酢酸ビニルコポリマ
ー、ポリウレタン、セルロースアセテートブチレート、
ポリビニルアルコール、線状ポリエステルなどような合
成高分子物質などにより代表される結合剤を挙げること
ができる。
キストラン等のポリサッカライド、またはアラビアゴム
のような天然高分子物質;および、ポリビニルブチラー
ル、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロ
ース、塩化ビニリデン・塩化ビニルコポリマー、ポリメ
チルメタクリレート、塩化ビニル・酢酸ビニルコポリマ
ー、ポリウレタン、セルロースアセテートブチレート、
ポリビニルアルコール、線状ポリエステルなどような合
成高分子物質などにより代表される結合剤を挙げること
ができる。
蛍光体層は、たとえば、次のような方法により絶縁層上
に形成することができる。
に形成することができる。
まず上記の蛍光体粒子と結合剤とを適当な溶剤(たとえ
ば、低級アルコール、ケトン、エステル、エーテル)に
加え、これを充分に混合して、結合剤溶液中に蛍光体粒
子が均一に分散した塗布液を調製する。
ば、低級アルコール、ケトン、エステル、エーテル)に
加え、これを充分に混合して、結合剤溶液中に蛍光体粒
子が均一に分散した塗布液を調製する。
塗布液における結合剤と蛍光体粒子との混合比は、目的
とする放射線像検出器の特性、感光素子の種類、蛍光体
粒子の種類などによって異なるが、一般には結合剤と蛍
光体粒子との混合比は、l:1乃至1:100(重量比
)の範囲から選ばれ、そして特にl:8乃至1:40(
重量比)の範囲から選ぶことが好ましい。
とする放射線像検出器の特性、感光素子の種類、蛍光体
粒子の種類などによって異なるが、一般には結合剤と蛍
光体粒子との混合比は、l:1乃至1:100(重量比
)の範囲から選ばれ、そして特にl:8乃至1:40(
重量比)の範囲から選ぶことが好ましい。
なお、塗布液には、該塗布液中における蛍光体粒子の分
散性を向上させるための分散剤、また、形成後の蛍光体
層中における結合剤と蛍光体粒子との間の結合力を向上
させるための可塑剤などの種々の添加剤が混合されてい
てもよい。
散性を向上させるための分散剤、また、形成後の蛍光体
層中における結合剤と蛍光体粒子との間の結合力を向上
させるための可塑剤などの種々の添加剤が混合されてい
てもよい。
上記のようにして調製された蛍光体粒子と結合剤を含有
する塗布液を、次に絶縁層の表面に均一に塗布すること
により塗布液の塗膜を形成する。
する塗布液を、次に絶縁層の表面に均一に塗布すること
により塗布液の塗膜を形成する。
この塗布操作は、通常の塗布手段、たとえば、ドクター
ブレード、ロールコータ−、ナイフコーターなどを用い
ることにより行なうことができる。
ブレード、ロールコータ−、ナイフコーターなどを用い
ることにより行なうことができる。
ついで、形成された塗膜を徐々に加熱することにより乾
燥して、絶縁層上への蛍光体層の形成を完了する。蛍光
体層の層厚は、目的とする放射線像検出器の特性、蛍光
体粒子の種類、結合剤と蛍光体粒子との混合比などによ
って異なるが、通常は207tm乃至1mmとする。た
だし、この層厚は、50乃°至500 gmとするのが
好ましい。
燥して、絶縁層上への蛍光体層の形成を完了する。蛍光
体層の層厚は、目的とする放射線像検出器の特性、蛍光
体粒子の種類、結合剤と蛍光体粒子との混合比などによ
って異なるが、通常は207tm乃至1mmとする。た
だし、この層厚は、50乃°至500 gmとするのが
好ましい。
なお、蛍光体層は、必ずしも上記のように絶縁層上に塗
布液を直接塗布して形成する必要はなく、たとえば、別
に、ガラス板、金属板、プラスチックシートなどのシー
ト上に塗布液を塗布し乾燥することにより蛍光体層を形
成したのち、これを絶縁層上に押圧す′るか、あるいは
接着剤を用いるなどして絶縁層と蛍光体層とを接合して
もよい。
布液を直接塗布して形成する必要はなく、たとえば、別
に、ガラス板、金属板、プラスチックシートなどのシー
ト上に塗布液を塗布し乾燥することにより蛍光体層を形
成したのち、これを絶縁層上に押圧す′るか、あるいは
接着剤を用いるなどして絶縁層と蛍光体層とを接合して
もよい。
また、蛍光体層は、必ずしも結合剤中に蓄光体粒子を分
散させて形成される必要はなく、たとえば、蛍光体粒子
を真空蒸着などにより絶縁層上に蒸着させることによっ
て形成されていてもよい。
散させて形成される必要はなく、たとえば、蛍光体粒子
を真空蒸着などにより絶縁層上に蒸着させることによっ
て形成されていてもよい。
この蛍光体層の上には、蛍光体層を物理的な衝撃および
化学的な変質から保護するための透明な保護膜が設けら
れていることが好ましい。この保護膜は、たとえば、酢
酸セルロース、ニトロセルロー、スなどのセルロース誘
導体;あるいはポリメチルメタクリレート、ポリビニル
ブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート
、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル・酢酸ビニルコポリマー
、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、塩化ビ
ニリデン、ポリアミドなどの合成高分子物質から形成さ
れるものである。保護膜の膜厚は、約3乃至20gmと
するのが望ましい。
化学的な変質から保護するための透明な保護膜が設けら
れていることが好ましい。この保護膜は、たとえば、酢
酸セルロース、ニトロセルロー、スなどのセルロース誘
導体;あるいはポリメチルメタクリレート、ポリビニル
ブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート
、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル・酢酸ビニルコポリマー
、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、塩化ビ
ニリデン、ポリアミドなどの合成高分子物質から形成さ
れるものである。保護膜の膜厚は、約3乃至20gmと
するのが望ましい。
このようにして得られる放射線像検出器の一実施態様を
第1図に概略的に示す。
第1図に概略的に示す。
第1図(a)は、光検知部材とこの光検知部材上に設け
られた蛍光体層とからなる放射線像検出器の一画素につ
いての縦断面図である。
られた蛍光体層とからなる放射線像検出器の一画素につ
いての縦断面図である。
第1図(a)において、放射線像検出器は順に感光素子
l、絶縁層2および蛍光体層3から構成されている。感
光素子1は受光部であるフォトダイオード4と転送部で
あるMOS : F E T (Metal 0xid
e Sem1conducter : Field E
ffect TransisLot) 5とからなる。
l、絶縁層2および蛍光体層3から構成されている。感
光素子1は受光部であるフォトダイオード4と転送部で
あるMOS : F E T (Metal 0xid
e Sem1conducter : Field E
ffect TransisLot) 5とからなる。
フォトダイオード4は、順にアースであるアルミニウム
等の金属層6、p型α−5i:H層7、i型α−5t
:H層8および二酸化スズ(Sn02)の透明電極層9
からなる。
等の金属層6、p型α−5i:H層7、i型α−5t
:H層8および二酸化スズ(Sn02)の透明電極層9
からなる。
またMO3: FET5は、両端に設けられたアルミニ
ウム等の金属層10.11と、これら金属層の内側に順
に設けられたα−5i:H層12、シリコン(S i
02)の絶縁体層13およびアルミニウム等の転送電極
14とからなる。この金属層11はドレインであり、転
送レジスタに接続されている。一方、転送電極14はゲ
ートであり、走査パルス発生器に接続されている。
ウム等の金属層10.11と、これら金属層の内側に順
に設けられたα−5i:H層12、シリコン(S i
02)の絶縁体層13およびアルミニウム等の転送電極
14とからなる。この金属層11はドレインであり、転
送レジスタに接続されている。一方、転送電極14はゲ
ートであり、走査パルス発生器に接続されている。
第1図(b)は、第1図(a、)に対応する感光素子の
配線を含む概略説明図である。すなわち、一画素の感光
素子は、受光部15と転送部16とからなり、転送部1
6は転送レジスタおよび走査パルス発生器に連結してい
る。
配線を含む概略説明図である。すなわち、一画素の感光
素子は、受光部15と転送部16とからなり、転送部1
6は転送レジスタおよび走査パルス発生器に連結してい
る。
上記第1図においては、受光部の面積ができる限り大き
いことが望ましい。なお、上記第1図(a)に示される
態様は、一実施態様を示すものであり、本発明の放射線
像検出器は、上記の態様に限定されるものではない。
いことが望ましい。なお、上記第1図(a)に示される
態様は、一実施態様を示すものであり、本発明の放射線
像検出器は、上記の態様に限定されるものではない。
次にこ、光検知部材上に蛍光体層の設けられた放射線像
検出器を用いた本発明に従う放射線像検出方法について
、上記第1図(a)に示した放射線像検出器の部分縦断
面図、および第2図に示した放射線像検出器の全体の回
路図の例を参照しながら説明する。
検出器を用いた本発明に従う放射線像検出方法について
、上記第1図(a)に示した放射線像検出器の部分縦断
面図、および第2図に示した放射線像検出器の全体の回
路図の例を参照しながら説明する。
第2図は、本発明の放射線像検出器の光検知部材の概略
的な回路図である。一画素21は第1図(a)および(
b)に対応しており、受光部22と転送部23とから構
成される。各転送部はそれぞれ走査パルス発生器24お
よび転送レジスタ25に接続されている。転送レジスタ
25には出力端子26が設けられている。
的な回路図である。一画素21は第1図(a)および(
b)に対応しており、受光部22と転送部23とから構
成される。各転送部はそれぞれ走査パルス発生器24お
よび転送レジスタ25に接続されている。転送レジスタ
25には出力端子26が設けられている。
まず、被写体を放射線発生装置と放射線像検出器との間
に配置し、被写体を透過した放射線を放射線像検出器の
蛍光体層側に入射させる。すなわち、被写体の放射線透
過像に相当して強弱を有する放射線が、第1図(a)の
下方から入射する。
に配置し、被写体を透過した放射線を放射線像検出器の
蛍光体層側に入射させる。すなわち、被写体の放射線透
過像に相当して強弱を有する放射線が、第1図(a)の
下方から入射する。
入射した放射線は蛍光体層3に吸収され、蛍光体層3中
の蛍光体粒子は蛍光を発する。次に、この蛍光は光検知
部材である感光素子lのフォトダイオード4で受光され
、フォトダイオード4において信号電荷が発生する。こ
のようにして、放射線像検出器の各画素において蛍光の
発光輝度、すなわち入射した放射線の強度に比例した信
号電荷が発生する。
の蛍光体粒子は蛍光を発する。次に、この蛍光は光検知
部材である感光素子lのフォトダイオード4で受光され
、フォトダイオード4において信号電荷が発生する。こ
のようにして、放射線像検出器の各画素において蛍光の
発光輝度、すなわち入射した放射線の強度に比例した信
号電荷が発生する。
次に、第2図に示した回路図において、走査パルス発生
器24から最上列の各画素に転送パルスを送ると、最上
列の各転送部のスイッチはr入1状態(第1図(L)に
おいて転送電極14に電圧がかかり、金属層10と11
の間を電流が流れる状態)となる。すなわち、第1図の
フォトダイオード4で発生した信号電荷は、MOS :
FET5を通じて転送される。従って、最上列の各画
素の信号電荷は転送レジスタ25に同時に送られる。
器24から最上列の各画素に転送パルスを送ると、最上
列の各転送部のスイッチはr入1状態(第1図(L)に
おいて転送電極14に電圧がかかり、金属層10と11
の間を電流が流れる状態)となる。すなわち、第1図の
フォトダイオード4で発生した信号電荷は、MOS :
FET5を通じて転送される。従って、最上列の各画
素の信号電荷は転送レジスタ25に同時に送られる。
転送レジスタ25の出力端子26からは一画素ずつの電
気信号が時系列的に取り出されるにのようにして、第2
図の最上列から最下列へと順次、各列に走査パルス発生
器24から転送パルスが送られ、各列の各画素からの電
気信号が出力端子26から時系列的に出力される。
気信号が時系列的に取り出されるにのようにして、第2
図の最上列から最下列へと順次、各列に走査パルス発生
器24から転送パルスが送られ、各列の各画素からの電
気信号が出力端子26から時系列的に出力される。
\
次いで、出力された電気信号は増幅器で増幅され、画像
再生装置により画像として再生される。
再生装置により画像として再生される。
ここにおいて得られた電気信号には、所望により、空間
周波数処理、階調処理、加算平均処理、縮小処理、拡大
処理などの画像処理が行なわれてもよい。そして、得ら
れた画像は記録媒体によって記録されてもよいし、画像
表示装置によって表示されてもよい。記録媒体としては
、たとえば、写真感光材料上をレーザー光等で走査して
光学的に記録するもの、および熱線を用いて感熱記録材
料上に記録するものなどを用いることができる。また、
画像表示装置としては、CRT等に電子的に表示するも
の、CRT等に表示された放射線画像をビデオ・プリン
ター等に記録するものなど種々の原理に基づいた表示装
置を用いることができる。また、この被写体の放射線画
像情報は磁気テープ等に記録保存されてもよい。
周波数処理、階調処理、加算平均処理、縮小処理、拡大
処理などの画像処理が行なわれてもよい。そして、得ら
れた画像は記録媒体によって記録されてもよいし、画像
表示装置によって表示されてもよい。記録媒体としては
、たとえば、写真感光材料上をレーザー光等で走査して
光学的に記録するもの、および熱線を用いて感熱記録材
料上に記録するものなどを用いることができる。また、
画像表示装置としては、CRT等に電子的に表示するも
の、CRT等に表示された放射線画像をビデオ・プリン
ター等に記録するものなど種々の原理に基づいた表示装
置を用いることができる。また、この被写体の放射線画
像情報は磁気テープ等に記録保存されてもよい。
なお、本発明の放射線像検出器に用いられる感光素子と
しては、たとえば一画素が約200BmX2007Lm
の大きさのものを使用することができる。本発明の放射
線像検出器を、たとえば、従来の放射線増感紙程度の大
きさく 430 m m X 354 m m )とし
た場合には、2150X1750画素から構成される。
しては、たとえば一画素が約200BmX2007Lm
の大きさのものを使用することができる。本発明の放射
線像検出器を、たとえば、従来の放射線増感紙程度の大
きさく 430 m m X 354 m m )とし
た場合には、2150X1750画素から構成される。
ただし、本発明の放射線像検出器およびそれに含まれる
感光素子は、上記の大きさに限定されるものではない。
感光素子は、上記の大きさに限定されるものではない。
このような大面積を形成する均一な感光素子の材料とし
ては、α−3tが好ましい。また、上記のような構造と
大きさを有する放射線像検出器において、走査パルス発
生器からのパルス出力としては、たとえば3kHz程度
が好ましい。
ては、α−3tが好ましい。また、上記のような構造と
大きさを有する放射線像検出器において、走査パルス発
生器からのパルス出力としては、たとえば3kHz程度
が好ましい。
放射線撮影において、本発明の放射線像検出器を用いる
ことにより、従来のような感度領域の一致する放射線増
感紙と放射線写真フィルムとを重ね合わせるなどの操作
を必要とせず、また本発明の放射線像検出方法によれば
、放射線の検出が全てソリッドステート化されるため、
上記のような操作および方法において生じる画像への悪
影響を解消することができる。
ことにより、従来のような感度領域の一致する放射線増
感紙と放射線写真フィルムとを重ね合わせるなどの操作
を必要とせず、また本発明の放射線像検出方法によれば
、放射線の検出が全てソリッドステート化されるため、
上記のような操作および方法において生じる画像への悪
影響を解消することができる。
第1図(a)および(b)は、それぞれ本発明の放射線
像検出器の実施態様を示す概略的な部分縦断面図および
部分説明図である。 l:感光素子、2:絶縁層、3:蛍光体層、4:フォト
ダイオード、5 :MOS : FET、6:金属層、
7:p型α−3t :H層、8:i型α−3t:H層、
9:透明電極層、10.11:金属層、12:α−3i
:H層、13:絶縁体層、14:転送電極、15:受光
部、16:転送部第2図は、本発明の放射線像検出器の
実施態様を示す概略的な回路図である。 21ニ一画素、22:受光部、23:転送部24:走査
パルス発生器、25:転送レジスタ、26:出力端子 特許出願人 富士写真フィルム株式会社代理人 弁
理士 柳川泰男
像検出器の実施態様を示す概略的な部分縦断面図および
部分説明図である。 l:感光素子、2:絶縁層、3:蛍光体層、4:フォト
ダイオード、5 :MOS : FET、6:金属層、
7:p型α−3t :H層、8:i型α−3t:H層、
9:透明電極層、10.11:金属層、12:α−3i
:H層、13:絶縁体層、14:転送電極、15:受光
部、16:転送部第2図は、本発明の放射線像検出器の
実施態様を示す概略的な回路図である。 21ニ一画素、22:受光部、23:転送部24:走査
パルス発生器、25:転送レジスタ、26:出力端子 特許出願人 富士写真フィルム株式会社代理人 弁
理士 柳川泰男
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、l)規則的に二次元的に配列された多数の感光素子
からなる光検知部材、および、2)該光検知部材の上に
設けられた蛍光体層、からなる放射線像検出器。 2゜上記感光素子が受光部と転送部とからなり、かつ該
受光部がフォトダイオードであり、該転送部がMOS)
ラジスタであることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の放射線像検出器。 3゜上記蛍光体層が、テルビウム賦活希土類酸硫化物系
蛍光体を含有していることを特徴とする特許請求の範囲
第1項もしくは第2項記載の放射線像検出器。 4゜上記蛍光体層が、二価のユーロピウム賦活アルカリ
土類金属弗°イヒ/\ロゲン化物系蛍光体を含有してい
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項もしくは第2
項記載の放射線像検出器。 5゜被写体を透過した放射線を、規則的に二次元的に配
列され°た多数の感光素子からなる光検知部材と蛍光体
層とが積層されてなる放射線像検出器の蛍光体層に入射
させ、次いでこの放射線による励起によって該蛍光体層
から発せられる蛍光を該感光素子により光電的に読み取
ることからなる放射線像検出方法。 6゜上記感光素子が受光部と転送部とからなり、かつ該
受光部がフォトダイオードであり、該転送部がMOS)
ラジスタであることを特徴とする特許請求の範囲第5項
記載の放射線像検出方法。 7゜上記蛍光体層が、テルビウム賦活希土類酸硫化物系
蛍光体を含有するものであることを特徴とする特許請求
の範囲第5項もしくは第6項記載の放射線像検出方法。 8゜上記蛍光体層が、二価のユーロピウム賦活アルカリ
土類金属弗化ハロゲン化物系蛍光体を含有するものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第5−項もしくは第
6項記載の放射線像検出方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58086225A JPS59211262A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 放射線像検出器およびそれを用いた放射線像検出方法 |
EP84105523A EP0126417A3 (en) | 1983-05-16 | 1984-05-15 | Radiation image detector and method for detecting radiation image using said radiation image detector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58086225A JPS59211262A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 放射線像検出器およびそれを用いた放射線像検出方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59211262A true JPS59211262A (ja) | 1984-11-30 |
Family
ID=13880844
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58086225A Pending JPS59211262A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 放射線像検出器およびそれを用いた放射線像検出方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0126417A3 (ja) |
JP (1) | JPS59211262A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6478185A (en) * | 1987-09-21 | 1989-03-23 | Hitachi Ltd | Radiation detecting element |
JPH02164067A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Fujitsu Ltd | X線画像センサ |
US8735886B2 (en) | 2011-12-01 | 2014-05-27 | Mitsubishi Electric Corporation | Image detector |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2630260B1 (fr) * | 1988-04-19 | 1991-11-29 | Thomson Csf | Photodetecteur en silicium amorphe a rendement quantique ameliore |
EP0360886A1 (de) * | 1988-09-26 | 1990-04-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Röntgendetektor |
WO1990009681A1 (en) * | 1989-02-08 | 1990-08-23 | B.V. Optische Industrie 'de Oude Delft' | Particle detector |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5169382A (ja) * | 1974-12-13 | 1976-06-15 | Hitachi Ltd | |
JPS51120186A (en) * | 1975-04-14 | 1976-10-21 | Hitachi Ltd | Radiation solid photographing device |
JPS56138969A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Canon Inc | Photoelectric converter |
JPS57115880A (en) * | 1981-01-12 | 1982-07-19 | Fuji Xerox Co Ltd | Thin film image pickup device in two dimensions |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1501267A (en) * | 1975-04-04 | 1978-02-15 | Ciba Geigy Ag | X-ray screens |
FR2335056A1 (fr) * | 1975-09-12 | 1977-07-08 | Thomson Csf | Dispositif de visualisation d'information donnee sous forme d'energie rayonnee |
JPS6042837B2 (ja) * | 1978-07-12 | 1985-09-25 | 化成オプトニクス株式会社 | 螢光体 |
JPS6033340B2 (ja) * | 1979-02-19 | 1985-08-02 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置 |
US4288264A (en) * | 1979-11-21 | 1981-09-08 | Emi Limited | Detector construction |
-
1983
- 1983-05-16 JP JP58086225A patent/JPS59211262A/ja active Pending
-
1984
- 1984-05-15 EP EP84105523A patent/EP0126417A3/en not_active Ceased
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5169382A (ja) * | 1974-12-13 | 1976-06-15 | Hitachi Ltd | |
JPS51120186A (en) * | 1975-04-14 | 1976-10-21 | Hitachi Ltd | Radiation solid photographing device |
JPS56138969A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Canon Inc | Photoelectric converter |
JPS57115880A (en) * | 1981-01-12 | 1982-07-19 | Fuji Xerox Co Ltd | Thin film image pickup device in two dimensions |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6478185A (en) * | 1987-09-21 | 1989-03-23 | Hitachi Ltd | Radiation detecting element |
JPH02164067A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Fujitsu Ltd | X線画像センサ |
US8735886B2 (en) | 2011-12-01 | 2014-05-27 | Mitsubishi Electric Corporation | Image detector |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0126417A3 (en) | 1986-10-01 |
EP0126417A2 (en) | 1984-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4803359A (en) | Method for detecting radiation image | |
JP3494683B2 (ja) | 放射線検出システム、放射線検出器用カセッテおよび放射線画像撮影方法。 | |
JP3333278B2 (ja) | 放射線画像検出方法および放射線画像検出器 | |
US4362946A (en) | Distributed phosphor scintillator structures | |
US4590517A (en) | Subtraction processing method for radiation images | |
KR20090031728A (ko) | 방사선 촬영 장치 | |
JPH02164067A (ja) | X線画像センサ | |
JPS6226440B2 (ja) | ||
JPH0682858B2 (ja) | 放射線像検出方法 | |
JP3717530B2 (ja) | 放射線画像検出器 | |
JPS5915843A (ja) | 放射線構造解析方法 | |
JPS59211262A (ja) | 放射線像検出器およびそれを用いた放射線像検出方法 | |
US20050002490A1 (en) | Rare earth activated lutetium oxyorthosilicate phosphor for direct X-ray detection | |
JP3560624B2 (ja) | 画像信号読出方法および装置 | |
JPH02129600A (ja) | 放射線画像読取用螢光体板 | |
JPH05208000A (ja) | エネルギーサブトラクション画像作成装置 | |
JPH0471347B2 (ja) | ||
JPH0772258A (ja) | 放射線検出器 | |
JPS63189853A (ja) | 放射線画像の記録読取方法 | |
JP3251737B2 (ja) | 画像信号読出方法 | |
JPS60173540A (ja) | 放射線画像再生方法 | |
Sankaran | X-ray imaging: physics of recent innovations | |
JPH0247730B2 (ja) | ||
JPS5867242A (ja) | 放射線画像情報読取装置 | |
JPH0772253A (ja) | 放射線画像信号読出方法およびそれに用いられる放射線検出器 |