JPH05208000A - エネルギーサブトラクション画像作成装置 - Google Patents
エネルギーサブトラクション画像作成装置Info
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- JPH05208000A JPH05208000A JP4016295A JP1629592A JPH05208000A JP H05208000 A JPH05208000 A JP H05208000A JP 4016295 A JP4016295 A JP 4016295A JP 1629592 A JP1629592 A JP 1629592A JP H05208000 A JPH05208000 A JP H05208000A
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Landscapes
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Closed-Circuit Television Systems (AREA)
- Image Analysis (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 エネルギーサブトラクション画像作成装置に
おいて、撮影時に即時にエネルギーサブトラクション画
像を得る。 【構成】 Ｘ線源３２から放射されたＸ線３３は被写体
３４を透過して第１積層体３１Ａに到達する。ここで被
写体３４のＸ線画像が第１積層体３１Ａに含まれる蛍光
体層に受像され画像信号ＳA に変換される。次にこの第
１積層体３１Ａを透過したＸ線は第２積層体３１Ｂに到
達し、被写体３４のＸ線画像が受像されると即時に画像
信号ＳB に変換される。得られた画像信号ＳA ，ＳB は
それぞれ対数変換器３５，３６によりデジタル画像信号
log ＳA ，log ＳB に変換され、サブトラクション演算
器３７に入力される。このサブトラクション演算器３７
では、対応する画素間でデジタル画像信号log ＳA より
デジタル画像信号log ＳBが指し引かれて抽出したい特
定の構造物の画像信号が得られる。
おいて、撮影時に即時にエネルギーサブトラクション画
像を得る。 【構成】 Ｘ線源３２から放射されたＸ線３３は被写体
３４を透過して第１積層体３１Ａに到達する。ここで被
写体３４のＸ線画像が第１積層体３１Ａに含まれる蛍光
体層に受像され画像信号ＳA に変換される。次にこの第
１積層体３１Ａを透過したＸ線は第２積層体３１Ｂに到
達し、被写体３４のＸ線画像が受像されると即時に画像
信号ＳB に変換される。得られた画像信号ＳA ，ＳB は
それぞれ対数変換器３５，３６によりデジタル画像信号
log ＳA ，log ＳB に変換され、サブトラクション演算
器３７に入力される。このサブトラクション演算器３７
では、対応する画素間でデジタル画像信号log ＳA より
デジタル画像信号log ＳBが指し引かれて抽出したい特
定の構造物の画像信号が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はエネルギーサブトラクシ
ョン画像作成装置に関し、さらに詳しくは、蛍光体と感
光素子との組合せまたは蓄積性蛍光体と感光素子との組
合せ２組からそれぞれサブトラクションすべき２つの放
射線画像を得、これらの対応する画素間で減算を行ない
エネルギーサブトラクション画像を得るエネルギーサブ
トラクション画像作成装置に関するものである。
ョン画像作成装置に関し、さらに詳しくは、蛍光体と感
光素子との組合せまたは蓄積性蛍光体と感光素子との組
合せ２組からそれぞれサブトラクションすべき２つの放
射線画像を得、これらの対応する画素間で減算を行ない
エネルギーサブトラクション画像を得るエネルギーサブ
トラクション画像作成装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、医療診断を目的とするＸ線撮
影等の医療用放射線撮影、物質の非破壊検査を目的とす
る工業用放射線撮影などの種々の分野における放射線撮
影において、被写体の放射線画像を得る方法としては、
増感スクリーンと放射線写真フイルムとを組み合わせた
いわゆる放射線写真法が利用されている。この方法によ
れば、被写体を透過したＸ線などの放射線が増感スクリ
ーンに入射すると、増感スクリーンに含まれる蛍光体は
この放射線エネルギーを吸収して蛍光（瞬時発光）を発
する。この発光により、増感スクリーンに密着させるよ
うに重ね合わされた放射線写真フイルム上には放射線画
像が形成される。このようにして放射線画像は直接に、
放射線フイルムに可視化された画像として得られてい
る。
影等の医療用放射線撮影、物質の非破壊検査を目的とす
る工業用放射線撮影などの種々の分野における放射線撮
影において、被写体の放射線画像を得る方法としては、
増感スクリーンと放射線写真フイルムとを組み合わせた
いわゆる放射線写真法が利用されている。この方法によ
れば、被写体を透過したＸ線などの放射線が増感スクリ
ーンに入射すると、増感スクリーンに含まれる蛍光体は
この放射線エネルギーを吸収して蛍光（瞬時発光）を発
する。この発光により、増感スクリーンに密着させるよ
うに重ね合わされた放射線写真フイルム上には放射線画
像が形成される。このようにして放射線画像は直接に、
放射線フイルムに可視化された画像として得られてい
る。
【０００３】また、上記従来の放射線写真法にかわる方
法の１つとして、例えば、米国特許第3,859,527 号明細
書および特開昭55-12145号公報等に記載されているよう
な蓄積性蛍光体を利用する放射線画像変換方法が知られ
ている。この方法は、被写体を透過した放射線、あるい
は被写体から発せられた放射線を蓄積性蛍光体に吸収さ
せ、その後にこの蛍光体を可視光等の励起光を照射する
ことにより、蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギ
ーを蛍光（輝尽発光）として放出させ、この蛍光を検出
することからなるものである。
法の１つとして、例えば、米国特許第3,859,527 号明細
書および特開昭55-12145号公報等に記載されているよう
な蓄積性蛍光体を利用する放射線画像変換方法が知られ
ている。この方法は、被写体を透過した放射線、あるい
は被写体から発せられた放射線を蓄積性蛍光体に吸収さ
せ、その後にこの蛍光体を可視光等の励起光を照射する
ことにより、蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギ
ーを蛍光（輝尽発光）として放出させ、この蛍光を検出
することからなるものである。
【０００４】これまでのところ、上記放射線画像変換方
法において放射線画像の検出は、蓄積性蛍光体が含有さ
れた蓄積性蛍光体シートを用いて、この蓄積性蛍光体シ
ートに蓄積された放射線のエネルギー像を放射線画像読
取装置によって光電的に読み取ることが行なわれてい
る。この放射線画像読取装置においては、通常、特開昭
56-11395号公報などに開示されているように、光検出器
として光電子増倍管が用いられており、この光電子増倍
管の先端には、蓄積性蛍光体シートの表面から放出され
る蛍光を集光して光検出器に導くための光ガイドが設け
られている。
法において放射線画像の検出は、蓄積性蛍光体が含有さ
れた蓄積性蛍光体シートを用いて、この蓄積性蛍光体シ
ートに蓄積された放射線のエネルギー像を放射線画像読
取装置によって光電的に読み取ることが行なわれてい
る。この放射線画像読取装置においては、通常、特開昭
56-11395号公報などに開示されているように、光検出器
として光電子増倍管が用いられており、この光電子増倍
管の先端には、蓄積性蛍光体シートの表面から放出され
る蛍光を集光して光検出器に導くための光ガイドが設け
られている。
【０００５】すなわち、被写体を透過した放射線、ある
いは被写体から発せられた放射線は蓄積性蛍光体シート
の蛍光体層に吸収されて、シート上には被写体あるいは
被写体の放射線画像が放射線エネルギーの蓄積像として
形成される。次にこのシートに形成された蓄積像は、放
射線画像読取装置において、可視光等の励起光で励起す
ることにより輝尽発光として放射される。放射された発
光光は、光ガイト内を導かれたのち、光電子増倍管によ
り光電的に読み取られて電気信号に変換され、得られた
電気信号から被写体もしくは被写体の放射線画像を画像
化することができる。
いは被写体から発せられた放射線は蓄積性蛍光体シート
の蛍光体層に吸収されて、シート上には被写体あるいは
被写体の放射線画像が放射線エネルギーの蓄積像として
形成される。次にこのシートに形成された蓄積像は、放
射線画像読取装置において、可視光等の励起光で励起す
ることにより輝尽発光として放射される。放射された発
光光は、光ガイト内を導かれたのち、光電子増倍管によ
り光電的に読み取られて電気信号に変換され、得られた
電気信号から被写体もしくは被写体の放射線画像を画像
化することができる。
【０００６】上記放射線画像変換方法によれば、従来の
放射線写真法を利用した場合に比較して、はるかに少な
い被爆量で情報量の豊富な放射線画像を得ることができ
る。したがって、この放射線画像変換方法は、特に医療
診断を目的とするＸ線撮影などの直接医療用放射線撮影
において利用価値の高いものである。
放射線写真法を利用した場合に比較して、はるかに少な
い被爆量で情報量の豊富な放射線画像を得ることができ
る。したがって、この放射線画像変換方法は、特に医療
診断を目的とするＸ線撮影などの直接医療用放射線撮影
において利用価値の高いものである。
【０００７】また、近年、医療分野において、Ｘ線画像
のデジタルサブトラクションが提案されている。このデ
ジタルサブトラクションとは異なった条件で撮影した２
つのＸ線画像を光電的に読み出してデジタル画像信号を
得た後、これらのデジタル画像信号に各画像の対応する
画素間における減算処理を施し、Ｘ線画像中の特定の構
造物の画像を形成するための信号を得る方法であり、こ
のようにして得た信号を用いて特定構造物のみが抽出さ
れたＸ線画像を再生することを可能にするものである。
のデジタルサブトラクションが提案されている。このデ
ジタルサブトラクションとは異なった条件で撮影した２
つのＸ線画像を光電的に読み出してデジタル画像信号を
得た後、これらのデジタル画像信号に各画像の対応する
画素間における減算処理を施し、Ｘ線画像中の特定の構
造物の画像を形成するための信号を得る方法であり、こ
のようにして得た信号を用いて特定構造物のみが抽出さ
れたＸ線画像を再生することを可能にするものである。
【０００８】このサブトラクション処理には、基本的に
次の２つの方法がある。即ち、造影剤注入により特定の
構造物が強調されたＸ線画像から造影剤が注入されてい
ないＸ線画像を引算（サブトラクト）することによって
特定の構造物を抽出する所謂時間差サブトラクション処
理方法と、同一の被写体に対して相違なるエネルギー分
布を有するＸ線を照射せしめ、これによって特定の構造
物が特有のＸ線エネルギー吸収特性を有することから生
じる特定の構造物の画像を２つのＸ線画像間に存在せし
め、この後この２つのＸ線画像間で適当な重みづけをし
た上で引算（サブトラクト）を行ない特定の構造物の画
像を抽出するエネルギーサブトラクション処理方法であ
る。
次の２つの方法がある。即ち、造影剤注入により特定の
構造物が強調されたＸ線画像から造影剤が注入されてい
ないＸ線画像を引算（サブトラクト）することによって
特定の構造物を抽出する所謂時間差サブトラクション処
理方法と、同一の被写体に対して相違なるエネルギー分
布を有するＸ線を照射せしめ、これによって特定の構造
物が特有のＸ線エネルギー吸収特性を有することから生
じる特定の構造物の画像を２つのＸ線画像間に存在せし
め、この後この２つのＸ線画像間で適当な重みづけをし
た上で引算（サブトラクト）を行ない特定の構造物の画
像を抽出するエネルギーサブトラクション処理方法であ
る。
【０００９】このサブトラクション処理は医療用のＸ線
写真の画像処理において診断上きわめて有効な方法であ
るため、大いに注目され、電子工学技術を駆使したその
研究、開発が盛んに進められている。例えば、特公平3-
62411 号公報には、２枚以上の蓄積性蛍光体シートに異
なった条件で同一の被写体を透過した放射線を照射する
ことにより、少なくとも一部の画像情報が異なる放射線
画像を蓄積記録させ、これらの蓄積性蛍光体シートに励
起光を走査して放射線画像を輝尽発光光に変換し、この
輝尽発光光の発光量を光電的に読み出してデジタル画像
信号に変換し、各画像の対応する画素間でこのデジタル
画像信号の減算を行なって放射線画像の特定構造物の画
像を形成する信号を得る方法が開示されている。
写真の画像処理において診断上きわめて有効な方法であ
るため、大いに注目され、電子工学技術を駆使したその
研究、開発が盛んに進められている。例えば、特公平3-
62411 号公報には、２枚以上の蓄積性蛍光体シートに異
なった条件で同一の被写体を透過した放射線を照射する
ことにより、少なくとも一部の画像情報が異なる放射線
画像を蓄積記録させ、これらの蓄積性蛍光体シートに励
起光を走査して放射線画像を輝尽発光光に変換し、この
輝尽発光光の発光量を光電的に読み出してデジタル画像
信号に変換し、各画像の対応する画素間でこのデジタル
画像信号の減算を行なって放射線画像の特定構造物の画
像を形成する信号を得る方法が開示されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、放射線
画像のサブトラクション処理方法における蓄積性蛍光体
シートの読み出しは、レーザー光などのビーム径の小さ
な光を蓄積性蛍光体シートに時系列的に照射して、すな
わちレーザー光で走査（主走査あるいは副走査）して、
この時蓄積性蛍光体シートから放出される輝尽発光光を
光電子増倍管などの光検出器を用いて検出し、電気信号
に変換することにより行なわれており、この読出しには
相当の時間（数十秒）を要している。
画像のサブトラクション処理方法における蓄積性蛍光体
シートの読み出しは、レーザー光などのビーム径の小さ
な光を蓄積性蛍光体シートに時系列的に照射して、すな
わちレーザー光で走査（主走査あるいは副走査）して、
この時蓄積性蛍光体シートから放出される輝尽発光光を
光電子増倍管などの光検出器を用いて検出し、電気信号
に変換することにより行なわれており、この読出しには
相当の時間（数十秒）を要している。
【００１１】また、この画像処理方法はサブトラクショ
ン画像を得る方法であるので２つの画像を得るために２
枚以上の蓄積性蛍光体シートを読み出さなければなら
ず、上述したように時間がかかるだけでなく、これらの
蓄積性蛍光体シートの装填作業等の手間がかかることと
なる。
ン画像を得る方法であるので２つの画像を得るために２
枚以上の蓄積性蛍光体シートを読み出さなければなら
ず、上述したように時間がかかるだけでなく、これらの
蓄積性蛍光体シートの装填作業等の手間がかかることと
なる。
【００１２】さらに、この蓄積性蛍光体シートの読出し
においては、通常、励起光の照射下で蓄積性蛍光体シー
トの移送（主走査あるいは副走査）が行なわれているた
め、この読出しの走査機構が煩雑なものとなり、この走
査により励起した輝尽発光光を効率よく検出するために
光電子増倍管と組み合わせて光ガイドなどを用いた場合
には、この読取装置はさらに複雑なものとなり、操作上
の問題が生じやすい。
においては、通常、励起光の照射下で蓄積性蛍光体シー
トの移送（主走査あるいは副走査）が行なわれているた
め、この読出しの走査機構が煩雑なものとなり、この走
査により励起した輝尽発光光を効率よく検出するために
光電子増倍管と組み合わせて光ガイドなどを用いた場合
には、この読取装置はさらに複雑なものとなり、操作上
の問題が生じやすい。
【００１３】したがって本発明は、上記事情に鑑み、感
光素子と、蛍光体または蓄積性蛍光体を利用した、エネ
ルギーサブトラクション画像を得るためのエネルギーサ
ブトラクション画像作成装置において、手間のかかる読
取りの操作を必要とせずに、即時にサブトラクションす
べき２つの画像信号を得、これらの画像信号の対応する
画素間で減算を行ない前記特定構造物のエネルギーサブ
トラクション画像を得ることのできるエネルギーサブト
ラクション画像作成装置を提供することを目的とするも
のである。
光素子と、蛍光体または蓄積性蛍光体を利用した、エネ
ルギーサブトラクション画像を得るためのエネルギーサ
ブトラクション画像作成装置において、手間のかかる読
取りの操作を必要とせずに、即時にサブトラクションす
べき２つの画像信号を得、これらの画像信号の対応する
画素間で減算を行ない前記特定構造物のエネルギーサブ
トラクション画像を得ることのできるエネルギーサブト
ラクション画像作成装置を提供することを目的とするも
のである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の第１のエネルギ
ーサブトラクション画像作成装置は、規則的に２次元的
に配列された多数の感光素子からなる光検知部材と、該
光検知部材の上に設けられた蛍光体層とからなる積層体
２組が積層されてなり、放射線エネルギー吸収特性が他
とは異なる特定構造物を含む被写体を透過した放射線が
照射されることにより、該被写体のサブトラクションす
べき２つの放射線画像を前記２組の積層体の各前記蛍光
体層が受像し、この受像した２つの放射線画像を前記光
検知部材によりそれぞれ２つの画像信号に変換する放射
線画像検出器、およびこの放射線画像検出器が読み取っ
た、前記２つの画像信号を対応する画素間で減算して前
記特定構造物の画像を形成する差信号を得るサブトラク
ション演算手段を備えてなることを特徴とするものであ
る。
ーサブトラクション画像作成装置は、規則的に２次元的
に配列された多数の感光素子からなる光検知部材と、該
光検知部材の上に設けられた蛍光体層とからなる積層体
２組が積層されてなり、放射線エネルギー吸収特性が他
とは異なる特定構造物を含む被写体を透過した放射線が
照射されることにより、該被写体のサブトラクションす
べき２つの放射線画像を前記２組の積層体の各前記蛍光
体層が受像し、この受像した２つの放射線画像を前記光
検知部材によりそれぞれ２つの画像信号に変換する放射
線画像検出器、およびこの放射線画像検出器が読み取っ
た、前記２つの画像信号を対応する画素間で減算して前
記特定構造物の画像を形成する差信号を得るサブトラク
ション演算手段を備えてなることを特徴とするものであ
る。
【００１５】また、本発明の第２の放射線画像検出器
は、規則的に２次元的に配列された多数の感光素子から
なる光検知部材と、該光検知部材と対面して設けられた
蓄積性蛍光体層と、該蓄積性蛍光体層の表面に接して設
けられ、該蓄積性蛍光体層に蓄積記録された放射線像を
励起する励起光および該放射線像を消去する消去光を該
蓄積性蛍光体層に伝達する光伝達手段と、該光伝達手段
と前記光検知部材との間に介在された、前記励起光を遮
蔽するフィルタとからなる積層体２組が積層されてな
り、放射線エネルギー吸収特性が他とは異なる特定構造
物を含む被写体を透過した放射線が照射されることによ
り、該被写体のサブトラクションすべき２つの放射線像
を前記２組の積層体の各前記蓄積性蛍光体層が受像し、
この受像した２つの放射線画像を前記光検知部材により
それぞれ２つの画像信号に変換する放射線画像検出器、
およびこの放射線像検出器が読み取った、前記２つの画
像信号を対応する画素間で減算して前記特定構造物の画
像を形成する差信号を得るサブトラクション演算手段を
備えてなることを特徴とするものである。
は、規則的に２次元的に配列された多数の感光素子から
なる光検知部材と、該光検知部材と対面して設けられた
蓄積性蛍光体層と、該蓄積性蛍光体層の表面に接して設
けられ、該蓄積性蛍光体層に蓄積記録された放射線像を
励起する励起光および該放射線像を消去する消去光を該
蓄積性蛍光体層に伝達する光伝達手段と、該光伝達手段
と前記光検知部材との間に介在された、前記励起光を遮
蔽するフィルタとからなる積層体２組が積層されてな
り、放射線エネルギー吸収特性が他とは異なる特定構造
物を含む被写体を透過した放射線が照射されることによ
り、該被写体のサブトラクションすべき２つの放射線像
を前記２組の積層体の各前記蓄積性蛍光体層が受像し、
この受像した２つの放射線画像を前記光検知部材により
それぞれ２つの画像信号に変換する放射線画像検出器、
およびこの放射線像検出器が読み取った、前記２つの画
像信号を対応する画素間で減算して前記特定構造物の画
像を形成する差信号を得るサブトラクション演算手段を
備えてなることを特徴とするものである。
【００１６】上記本発明の１つによれば、被写体を透過
したＸ線などの放射線を放射線画像検出器の２組の積層
体のそれぞれの蛍光体層に入射させることにより、この
放射線のエネルギーを各蛍光体層中の蛍光体に吸収させ
て蛍光体から発せられる蛍光（瞬時発光）を、該放射線
画像検出器の多数の感光素子からなる光検知部材でそれ
ぞれ受光して画像信号に変換することにより、被写体の
放射線透過像に関する２つの画像情報を同時に直接電気
信号として得ることができる。このようにして得た画像
信号は、サブトラクション演算手段に入力され、対応す
る画素間で減算されて前記特定構造物の画像を形成する
差信号を即時に得ることができる。
したＸ線などの放射線を放射線画像検出器の２組の積層
体のそれぞれの蛍光体層に入射させることにより、この
放射線のエネルギーを各蛍光体層中の蛍光体に吸収させ
て蛍光体から発せられる蛍光（瞬時発光）を、該放射線
画像検出器の多数の感光素子からなる光検知部材でそれ
ぞれ受光して画像信号に変換することにより、被写体の
放射線透過像に関する２つの画像情報を同時に直接電気
信号として得ることができる。このようにして得た画像
信号は、サブトラクション演算手段に入力され、対応す
る画素間で減算されて前記特定構造物の画像を形成する
差信号を即時に得ることができる。
【００１７】そして本発明のもう１つによれば、被写体
を透過したＸ線などの放射線を放射線画像検出器の２組
の積層体のそれぞれの蓄積性蛍光体層に入射させること
により、この放射線のエネルギーを各蓄積性蛍光体層中
の蓄積性蛍光体に吸収させ、これらの蓄積性蛍光体に励
起光を照射させて蓄積性蛍光体から発せられる蛍光（輝
尽発光）を、該放射線画像検出器の多数の感光素子から
なる光検知部材でそれぞれ受光して画像信号に変換する
ことにより、被写体の放射線透過像に関する２つの画像
情報を同時に直接電気信号として得ることができる。こ
のようにして得た画像信号は、サブトラクション演算手
段に入力され、対応する画素間で減算されて前記特定構
造物の画像を形成する差信号を即時に得ることができ
る。
を透過したＸ線などの放射線を放射線画像検出器の２組
の積層体のそれぞれの蓄積性蛍光体層に入射させること
により、この放射線のエネルギーを各蓄積性蛍光体層中
の蓄積性蛍光体に吸収させ、これらの蓄積性蛍光体に励
起光を照射させて蓄積性蛍光体から発せられる蛍光（輝
尽発光）を、該放射線画像検出器の多数の感光素子から
なる光検知部材でそれぞれ受光して画像信号に変換する
ことにより、被写体の放射線透過像に関する２つの画像
情報を同時に直接電気信号として得ることができる。こ
のようにして得た画像信号は、サブトラクション演算手
段に入力され、対応する画素間で減算されて前記特定構
造物の画像を形成する差信号を即時に得ることができ
る。
【００１８】さらに、この積層体に光ガイドを通じて消
去光を照射することにより、蓄積性蛍光体層に蓄積記録
された画像を消去することができる。
去光を照射することにより、蓄積性蛍光体層に蓄積記録
された画像を消去することができる。
【００１９】ここで、上記２つの放射線画像検出器から
得られるサブトラクションすべき２つの画像において、
両者の差異を明確にするために蛍光体層または蓄積性蛍
光体層として、被写体からより遠い位置に置かれた蛍光
体層または蓄積性蛍光体層に被写体により近い位置に置
かれた蛍光体層または蓄積性蛍光体層よりも前記特定構
造物に対応する部分において放射線の低エネルギー成分
がより吸収された画像情報が受像されるものを使用する
ことが好ましい。この具体例として、例えば特公平2-27
6997号公報は、被写体により近い位置に置かれた蓄積性
蛍光体層にはＳr ＦＸ：Ｚ系蛍光体（但しＸは、Ｃl ，
Ｂr およびＩのうち少なくとも一種のハロゲンであり、
ＺはＥu およびＣe のうちの少なくとも一種の希土類元
素である）からなるものを、被写体からより遠い位置に
置かれた蓄積性蛍光体層にはＢaＦＸ：Ｚ系蛍光体（但
しＸは、Ｃl ，Ｂr およびＩのうち少なくとも一種のハ
ロゲンであり、ＺはＥu およびＣe のうちの少なくとも
一種の希土類元素である）およびＬn ＯＸ：Ｃe 系蛍光
体（但し、Ｌn はＬa およびＧd のうちの少なくとも一
種の希土類元素であり、ＸはＣl ，Ｂr およびＩのうち
少なくとも一種のハロゲンである）の少なくとも一種か
らなるものを使用するエネルギー・サブトラクション方
法を開示している。このＳr ＦＸ：Ｚ系蛍光体はＢa Ｆ
Ｘ：Ｚ系蛍光体およびＬn ＯＸ：Ｃe 系蛍光体に比べて
放射線の低エネルギー吸収特性が高く、上述のように各
蓄積性蛍光体層を配することにより、両蓄積性蛍光体層
に前記特定構造物の画像をそれぞれ異なった状態で記録
することができるものである。
得られるサブトラクションすべき２つの画像において、
両者の差異を明確にするために蛍光体層または蓄積性蛍
光体層として、被写体からより遠い位置に置かれた蛍光
体層または蓄積性蛍光体層に被写体により近い位置に置
かれた蛍光体層または蓄積性蛍光体層よりも前記特定構
造物に対応する部分において放射線の低エネルギー成分
がより吸収された画像情報が受像されるものを使用する
ことが好ましい。この具体例として、例えば特公平2-27
6997号公報は、被写体により近い位置に置かれた蓄積性
蛍光体層にはＳr ＦＸ：Ｚ系蛍光体（但しＸは、Ｃl ，
Ｂr およびＩのうち少なくとも一種のハロゲンであり、
ＺはＥu およびＣe のうちの少なくとも一種の希土類元
素である）からなるものを、被写体からより遠い位置に
置かれた蓄積性蛍光体層にはＢaＦＸ：Ｚ系蛍光体（但
しＸは、Ｃl ，Ｂr およびＩのうち少なくとも一種のハ
ロゲンであり、ＺはＥu およびＣe のうちの少なくとも
一種の希土類元素である）およびＬn ＯＸ：Ｃe 系蛍光
体（但し、Ｌn はＬa およびＧd のうちの少なくとも一
種の希土類元素であり、ＸはＣl ，Ｂr およびＩのうち
少なくとも一種のハロゲンである）の少なくとも一種か
らなるものを使用するエネルギー・サブトラクション方
法を開示している。このＳr ＦＸ：Ｚ系蛍光体はＢa Ｆ
Ｘ：Ｚ系蛍光体およびＬn ＯＸ：Ｃe 系蛍光体に比べて
放射線の低エネルギー吸収特性が高く、上述のように各
蓄積性蛍光体層を配することにより、両蓄積性蛍光体層
に前記特定構造物の画像をそれぞれ異なった状態で記録
することができるものである。
【００２０】なお、前記エネルギー・サブトラクション
方法に用いられるＳr ＦＸ：Ｚ系蛍光体およびＢa Ｆ
Ｘ：Ｚ系蛍光体におけるＳr ＦＸおよびＢa ＦＸという
表記は、Ｓr あるいはＢa とＦとＸ（但しＸはＣl ，Ｂ
r ，Ｉのうちの少なくとも一種のハロゲンである）とが
Ｐb ＦＣl 型の結晶構造を持つ母体結晶を構成している
ことを意味するものであり、これら３つの元素が常に
１：１：１の原子比で蛍光体中に含有されていることを
意味するものではない。また同様に、Ｌn ＯＸ：Ｃe 系
蛍光体におけるＬn ＯＸという表記は、希土類元素Ｌn
と酸素ＯとハロゲンＸがＰb ＦＣl 型の結晶構造を持つ
母体結晶を構成していることを示しているのであり、三
つの元素が常に１：１：１の原子比で蛍光体中に含有さ
れていることを示しているものではない。
方法に用いられるＳr ＦＸ：Ｚ系蛍光体およびＢa Ｆ
Ｘ：Ｚ系蛍光体におけるＳr ＦＸおよびＢa ＦＸという
表記は、Ｓr あるいはＢa とＦとＸ（但しＸはＣl ，Ｂ
r ，Ｉのうちの少なくとも一種のハロゲンである）とが
Ｐb ＦＣl 型の結晶構造を持つ母体結晶を構成している
ことを意味するものであり、これら３つの元素が常に
１：１：１の原子比で蛍光体中に含有されていることを
意味するものではない。また同様に、Ｌn ＯＸ：Ｃe 系
蛍光体におけるＬn ＯＸという表記は、希土類元素Ｌn
と酸素ＯとハロゲンＸがＰb ＦＣl 型の結晶構造を持つ
母体結晶を構成していることを示しているのであり、三
つの元素が常に１：１：１の原子比で蛍光体中に含有さ
れていることを示しているものではない。
【００２１】さらに、Ｓr ＦＸ：Ｚ系蛍光体およびＢa
ＦＸ：Ｚ系蛍光体の母体をそれぞれ構成するアルカリ土
類金属Ｓr およびＢa は、それが主成分である限りその
一部が下記のような金属によって置換されていてもよ
い。
ＦＸ：Ｚ系蛍光体の母体をそれぞれ構成するアルカリ土
類金属Ｓr およびＢa は、それが主成分である限りその
一部が下記のような金属によって置換されていてもよ
い。
【００２２】(1) 特開昭56-116777 号、特開昭57-23673
号、特開昭57-23675号公報等に記載されているようにＢ
a ，Ｂe ，Ｍg ，Ｃa ，Ｓr ，Ｚn およびＣd のうちの
少なくとも１種、(2) 特開昭58-206678 号公報に記載さ
れているようにＬi ，Ｎa ，Ｋ，Ｒb およびＣs のうち
の少なくとも１種のアルカリ金属とＳc ，Ｙ，Ｌa ，Ｃ
e ，Ｐr，Ｎd ，Ｐm ，Ｓm ，Ｃd ，Ｔb ，Ｄy ，Ｈo
，Ｅr ，Ｔm ，Ｙb ，Ｌu ，Ａl，Ｇa ，Ｉn およびＴ
l のうちの少なくとも１種の３価金属との組合せ。
号、特開昭57-23675号公報等に記載されているようにＢ
a ，Ｂe ，Ｍg ，Ｃa ，Ｓr ，Ｚn およびＣd のうちの
少なくとも１種、(2) 特開昭58-206678 号公報に記載さ
れているようにＬi ，Ｎa ，Ｋ，Ｒb およびＣs のうち
の少なくとも１種のアルカリ金属とＳc ，Ｙ，Ｌa ，Ｃ
e ，Ｐr，Ｎd ，Ｐm ，Ｓm ，Ｃd ，Ｔb ，Ｄy ，Ｈo
，Ｅr ，Ｔm ，Ｙb ，Ｌu ，Ａl，Ｇa ，Ｉn およびＴ
l のうちの少なくとも１種の３価金属との組合せ。
【００２３】さらにまた、Ｓr ＦＸ：Ｚ系蛍光体および
Ｂa ＦＸ：Ｚ系蛍光体は、下記のような添加物を含んで
いてもよい。
Ｂa ＦＸ：Ｚ系蛍光体は、下記のような添加物を含んで
いてもよい。
【００２４】(1) 特開昭55-160078 号公報に記載されて
いるようにＢe Ｏ，Ｍg Ｏ，Ｃa Ｏ，Ｓr Ｏ，Ｂa Ｏ，
Ｚn Ｏ，Ａl 2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｌa 2 Ｏ3 ，Ｉn 2 Ｏ
3 ，Ｓi Ｏ2 ，Ｔi Ｏ2 ，Ｚr Ｏ2 ，Ｇe Ｏ2 ，Ｓn Ｏ
2 ，Ｎb 2 Ｏ5 ，Ｔa 2 Ｏ5およびＴh Ｏ2 のうちの少
なくとも１種の金属酸化物、(2) 特開昭56-116777 号公
報に記載されているようにＺr およびＳc のうちの少な
くとも１種、(3) 特開昭57-23673号公報に記載されてい
るようにＢ、(4) 特開昭57-23675号公報に記載されてい
るようにＡs およびＳi のうちの少なくとも１種、(5)
開昭59-27980号公報に記載されているようにテトラフル
オロホウ酸化合物の焼成物、(6) 特開昭59-47289号公報
に記載されているように、ヘキサフルオロケイ酸、ヘキ
サフルオロチタン酸およびヘキサフルオロジルコニウム
酸の１価もしくは２価金属の塩からなるヘキサフルオロ
化合物群より選ばれる少なくとも１種の化合物の焼成
物、(7) 特開昭59-56479号公報に記載されているように
Ｎa Ｘ（但し、ＸはＣl ，Ｂr およびＩのうちの少なく
とも１種）、(8) 特開昭59-56480号公報に記載されてい
るように、Ｖ，Ｃr ，Ｍn ，Ｆe ，Ｃo およびＮi より
選ばれる少なくとも１種の遷移金属、(9) 特開昭59-752
00号に記載されているように、ＭI Ｘ′，ＭIIＸ″2 お
よびＭIII Ｘ″′3 より選ばれる少なくとも１種の金属
ハロゲン化物（但し、ＭI はＬi ，Ｎa ，Ｋ，Ｒb およ
びＣs からなる群より選ばれる少なくとも１種のアルカ
リ金属であり、ＭIIはＢe およびＭg からなる群より選
ばれる少なくとも１種の２価金属であり、ＭIII はＡl
，Ｇa ，Ｉn およびＴl からなる群より選ばれる少な
くとも１種の３価金属であり、Ｘ′，Ｘ″およびＸ″′
はＦ，Ｃl ，ＢrおよびＩからなる群より選ばれる少な
くとも１種のハロゲンである）。
いるようにＢe Ｏ，Ｍg Ｏ，Ｃa Ｏ，Ｓr Ｏ，Ｂa Ｏ，
Ｚn Ｏ，Ａl 2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｌa 2 Ｏ3 ，Ｉn 2 Ｏ
3 ，Ｓi Ｏ2 ，Ｔi Ｏ2 ，Ｚr Ｏ2 ，Ｇe Ｏ2 ，Ｓn Ｏ
2 ，Ｎb 2 Ｏ5 ，Ｔa 2 Ｏ5およびＴh Ｏ2 のうちの少
なくとも１種の金属酸化物、(2) 特開昭56-116777 号公
報に記載されているようにＺr およびＳc のうちの少な
くとも１種、(3) 特開昭57-23673号公報に記載されてい
るようにＢ、(4) 特開昭57-23675号公報に記載されてい
るようにＡs およびＳi のうちの少なくとも１種、(5)
開昭59-27980号公報に記載されているようにテトラフル
オロホウ酸化合物の焼成物、(6) 特開昭59-47289号公報
に記載されているように、ヘキサフルオロケイ酸、ヘキ
サフルオロチタン酸およびヘキサフルオロジルコニウム
酸の１価もしくは２価金属の塩からなるヘキサフルオロ
化合物群より選ばれる少なくとも１種の化合物の焼成
物、(7) 特開昭59-56479号公報に記載されているように
Ｎa Ｘ（但し、ＸはＣl ，Ｂr およびＩのうちの少なく
とも１種）、(8) 特開昭59-56480号公報に記載されてい
るように、Ｖ，Ｃr ，Ｍn ，Ｆe ，Ｃo およびＮi より
選ばれる少なくとも１種の遷移金属、(9) 特開昭59-752
00号に記載されているように、ＭI Ｘ′，ＭIIＸ″2 お
よびＭIII Ｘ″′3 より選ばれる少なくとも１種の金属
ハロゲン化物（但し、ＭI はＬi ，Ｎa ，Ｋ，Ｒb およ
びＣs からなる群より選ばれる少なくとも１種のアルカ
リ金属であり、ＭIIはＢe およびＭg からなる群より選
ばれる少なくとも１種の２価金属であり、ＭIII はＡl
，Ｇa ，Ｉn およびＴl からなる群より選ばれる少な
くとも１種の３価金属であり、Ｘ′，Ｘ″およびＸ″′
はＦ，Ｃl ，ＢrおよびＩからなる群より選ばれる少な
くとも１種のハロゲンである）。
【００２５】また、サブトラクションすべき２つの画像
において、両者の差異をより明確にするために、それぞ
れ前記２組の積層体の間に銅板などの低エネルギー成分
吸収物質からなる放射線エネルギー分離フィルタを配す
ることが好ましい。この配置により、放射線エネルギー
分離フィルタの前方に配された蛍光体層または蓄積性蛍
光体層には放射線の低エネルギー成分を含む低圧画像が
記録または蓄積記録され、後方に配置された蛍光体層ま
たは蓄積性蛍光体層には、放射線エネルギー分離フィル
タにより放射線の低エネルギー成分が吸収された高圧画
像が記録または蓄積記録される。
において、両者の差異をより明確にするために、それぞ
れ前記２組の積層体の間に銅板などの低エネルギー成分
吸収物質からなる放射線エネルギー分離フィルタを配す
ることが好ましい。この配置により、放射線エネルギー
分離フィルタの前方に配された蛍光体層または蓄積性蛍
光体層には放射線の低エネルギー成分を含む低圧画像が
記録または蓄積記録され、後方に配置された蛍光体層ま
たは蓄積性蛍光体層には、放射線エネルギー分離フィル
タにより放射線の低エネルギー成分が吸収された高圧画
像が記録または蓄積記録される。
【００２６】本発明によるエネルギーサブトラクション
画像作成装置の放射線画像検出器により得られた放射線
画像（高圧画像および低圧画像）の画像情報を有する画
像信号は、サブトラクション演算手段として適当なもの
を用いて重みづけをしてサブトラクションを行うことに
より、従来のような放射線フイルム上での画像化のみな
らず、ＣＲＴ等における表示、感熱記録材料上への記録
など所望の形態で画像化し、エネルギーサブトラクショ
ン画像を得ることができる。また、同時に上記放射線画
像情報は、磁気テープなどを用いることにより別の形態
で記録保存することが可能となる。
画像作成装置の放射線画像検出器により得られた放射線
画像（高圧画像および低圧画像）の画像情報を有する画
像信号は、サブトラクション演算手段として適当なもの
を用いて重みづけをしてサブトラクションを行うことに
より、従来のような放射線フイルム上での画像化のみな
らず、ＣＲＴ等における表示、感熱記録材料上への記録
など所望の形態で画像化し、エネルギーサブトラクショ
ン画像を得ることができる。また、同時に上記放射線画
像情報は、磁気テープなどを用いることにより別の形態
で記録保存することが可能となる。
【００２７】本発明の放射線画像検出器は、基本的には
規則的に二次元的に配列された多数の感光素子からなる
光検知部材と、この上に設けられた蛍光体層または蓄積
性蛍光体層とからなるものである。
規則的に二次元的に配列された多数の感光素子からなる
光検知部材と、この上に設けられた蛍光体層または蓄積
性蛍光体層とからなるものである。
【００２８】本発明で用いた光検知部材は、特開昭59-2
11262 号に開示されている光検知部材と同様であるが、
そこに用いられる固体撮像素子はＭＯＳ（Metal Oxide
Semiconductor ）に限定されない。この光検知部材は、
多数の感光素子が水平方向に規則的に配列されて平面を
形成しているものである。光検知部材に用いられる感光
素子は、蛍光体層または蓄積性蛍光体層から放射される
蛍光を受光するための受光部と、受光部で光電変換され
て得られる電荷を電気信号として時系列的に出力するた
めの転送部とからなり、感光素子としてはアモルファス
半導体などを用いた公知の固体撮像素子を利用すること
ができる。
11262 号に開示されている光検知部材と同様であるが、
そこに用いられる固体撮像素子はＭＯＳ（Metal Oxide
Semiconductor ）に限定されない。この光検知部材は、
多数の感光素子が水平方向に規則的に配列されて平面を
形成しているものである。光検知部材に用いられる感光
素子は、蛍光体層または蓄積性蛍光体層から放射される
蛍光を受光するための受光部と、受光部で光電変換され
て得られる電荷を電気信号として時系列的に出力するた
めの転送部とからなり、感光素子としてはアモルファス
半導体などを用いた公知の固体撮像素子を利用すること
ができる。
【００２９】そのような固体撮像素子の例としては、Ｍ
ＯＳ（Metal Oxide Semiconductor),CCD(Charsed Coupl
de Device），ＢＢＤ（Bucket Brigade Device ），Ｃ
ＩＤ（Charge Isolated Device）などのセンサが挙げら
れる。これらのうちで特に好ましいものはＭＯＳであ
る。また、この固体撮像素子に使用される光導電材料の
例としては、アアモルファスシリコン（α−Ｓｉ），Ｚ
ｎＯ，ＣｄＳなどが挙げられる。
ＯＳ（Metal Oxide Semiconductor),CCD(Charsed Coupl
de Device），ＢＢＤ（Bucket Brigade Device ），Ｃ
ＩＤ（Charge Isolated Device）などのセンサが挙げら
れる。これらのうちで特に好ましいものはＭＯＳであ
る。また、この固体撮像素子に使用される光導電材料の
例としては、アアモルファスシリコン（α−Ｓｉ），Ｚ
ｎＯ，ＣｄＳなどが挙げられる。
【００３０】この光検知部材の上には絶縁層を介して蛍
光体層が設けられる。絶縁層の材料としては、例えば、
ガラス、透明高分子物質などの光透過性であってかつ絶
縁性物質が挙げられる。
光体層が設けられる。絶縁層の材料としては、例えば、
ガラス、透明高分子物質などの光透過性であってかつ絶
縁性物質が挙げられる。
【００３１】蛍光体層は、通常は蛍光体粒子を分散状態
で含有支持する結合剤からなる層である。
で含有支持する結合剤からなる層である。
【００３２】また蓄積性蛍光体層は、通常は輝尽性発光
を示す蛍光体粒子を分散状態で含有支持する結合剤から
なる層である。
を示す蛍光体粒子を分散状態で含有支持する結合剤から
なる層である。
【００３３】ただし、本発明に用いる蛍光体または蓄積
性蛍光体は組み合わせて用いる感光素子の受光部に使用
される光導電材料の光吸収波長領域と重なるような発光
波長領域を有することが必要である。すなわち、本発明
に用いる蛍光体または蓄積性蛍光体および光導電材料
は、発光波長領域の少なくとも一部と光導電材料の光吸
収領域の少なくとも一部とが重なるように選択しなけれ
ばならない。例えば、光導電材料としてα−Ｓｉを使用
する場合には、蛍光体として５００ｎｍ付近に発光波長
を有する蛍光体が好ましい。また、蛍光体として二価の
ユーロピウム付活アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物
系蛍光体（発光のピーク波長は約３９０ｎｍである）を
使用する場合には光導電材料としてはＺｎＳおよびＣｄ
Ｓが好ましい。
性蛍光体は組み合わせて用いる感光素子の受光部に使用
される光導電材料の光吸収波長領域と重なるような発光
波長領域を有することが必要である。すなわち、本発明
に用いる蛍光体または蓄積性蛍光体および光導電材料
は、発光波長領域の少なくとも一部と光導電材料の光吸
収領域の少なくとも一部とが重なるように選択しなけれ
ばならない。例えば、光導電材料としてα−Ｓｉを使用
する場合には、蛍光体として５００ｎｍ付近に発光波長
を有する蛍光体が好ましい。また、蛍光体として二価の
ユーロピウム付活アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物
系蛍光体（発光のピーク波長は約３９０ｎｍである）を
使用する場合には光導電材料としてはＺｎＳおよびＣｄ
Ｓが好ましい。
【００３４】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００３５】図１および図２に本発明の第１のエネルギ
ーサブトラクション画像作成装置に用いられる放射線画
像検出器を概略的に示す。
ーサブトラクション画像作成装置に用いられる放射線画
像検出器を概略的に示す。
【００３６】図１は、光検知部材とこの光検知部材上に
設けられた蛍光体層とからなる積層体２組が、両者間に
銅板および絶縁層を介して配された放射線画像検出器の
１画素についての縦断面図である。
設けられた蛍光体層とからなる積層体２組が、両者間に
銅板および絶縁層を介して配された放射線画像検出器の
１画素についての縦断面図である。
【００３７】図１において、放射線画像検出器は、上か
ら順に感光素子１、絶縁層２、および蛍光体層３から構
成されてなる積層体２組が銅板１５および該銅板１５に
接して設けられた絶縁層２′を介してなるように構成さ
れている。感光素子１は受光部であるフォトダイオード
４と転送部であるＭＯＳＦＥＴ５とからなる。フォトダ
イオード４は、上から順にアースであるアルミニウム等
の金属層６、ｐ型α−Ｓｉ：Ｈ層７、ｉ型α−Ｓｉ：Ｈ
層８および二酸化スズ（ＳｎＯ2 ）の透明電極層９から
なる。またＭＯＳＦＥＴ５は、両端に設けられたアルミ
ニウム等の金属層１０，１１と、これら金属層の内側に
順に設けられたα−Ｓｉ：Ｈ層１２、シリコン（ＳｉＯ
2 ）の絶縁体層１３およびアルミニウム等の転送電極１
４とからなる。この金属層１１はドレインであり、転送
レジスタに接続されている。一方、転送電極１４はゲー
トであり、走査パルス発生器に接続されている。
ら順に感光素子１、絶縁層２、および蛍光体層３から構
成されてなる積層体２組が銅板１５および該銅板１５に
接して設けられた絶縁層２′を介してなるように構成さ
れている。感光素子１は受光部であるフォトダイオード
４と転送部であるＭＯＳＦＥＴ５とからなる。フォトダ
イオード４は、上から順にアースであるアルミニウム等
の金属層６、ｐ型α−Ｓｉ：Ｈ層７、ｉ型α−Ｓｉ：Ｈ
層８および二酸化スズ（ＳｎＯ2 ）の透明電極層９から
なる。またＭＯＳＦＥＴ５は、両端に設けられたアルミ
ニウム等の金属層１０，１１と、これら金属層の内側に
順に設けられたα−Ｓｉ：Ｈ層１２、シリコン（ＳｉＯ
2 ）の絶縁体層１３およびアルミニウム等の転送電極１
４とからなる。この金属層１１はドレインであり、転送
レジスタに接続されている。一方、転送電極１４はゲー
トであり、走査パルス発生器に接続されている。
【００３８】図２は図１に示す感光素子の配線を示す概
略説明図である。すなわち、一画素の感光素子は、受光
部１６と転送部１７とからなり、転送部１７は転送レジ
スタおよび走査パルス発生器に接続している。
略説明図である。すなわち、一画素の感光素子は、受光
部１６と転送部１７とからなり、転送部１７は転送レジ
スタおよび走査パルス発生器に接続している。
【００３９】図１においては、受光部の面積ができる限
り大きいことが望ましい。なお、図１に示される具体的
形態は、一実施例を示すものであり、本発明に用いられ
る放射線画像検出器は、上記形態に限定されるものでは
ない。
り大きいことが望ましい。なお、図１に示される具体的
形態は、一実施例を示すものであり、本発明に用いられ
る放射線画像検出器は、上記形態に限定されるものでは
ない。
【００４０】次に、光検知部材上に蛍光体層の設けられ
た放射線画像検出器を用いた本発明の作用について、上
記図１に示した放射線画像検出器の部分断面図、および
図３に示した放射線画像検出器の全体の回路図の例を参
照しながら説明する。
た放射線画像検出器を用いた本発明の作用について、上
記図１に示した放射線画像検出器の部分断面図、および
図３に示した放射線画像検出器の全体の回路図の例を参
照しながら説明する。
【００４１】図３は、本発明に用いられる放射線画像検
出器の光検知部材の概略的な回路図である。一画素２１
は図１および図２に示す単位構造に対応しており、受光
部２２と転送部２３とから構成さされる。各転送部２３
はそれぞれ走査パルス発生器２４および転送レジスタ２
５に接続されている。転送レジスタ２５には出力端子２
６が設けられている。
出器の光検知部材の概略的な回路図である。一画素２１
は図１および図２に示す単位構造に対応しており、受光
部２２と転送部２３とから構成さされる。各転送部２３
はそれぞれ走査パルス発生器２４および転送レジスタ２
５に接続されている。転送レジスタ２５には出力端子２
６が設けられている。
【００４２】まず、被写体を透過した放射線を放射線画
像検出器の蛍光体層側に入射させる。すなわち、被写体
の放射線透過像に相当して強弱を有する放射線が、図１
の下方から入射する。入射した放射線は２つの蛍光体層
３にそれぞれ吸収され、各蛍光体層３中の蛍光体粒子は
蛍光を発する。次に、これらの蛍光は光検知部材である
感光素子１の各フォトダイオード４でそれぞれ受光さ
れ、これらのフォトダイオード４において２つの信号電
荷が発生する。このようにして、放射線画像検出器の各
画素において蛍光の発光輝度、すなわち入射した放射線
の輝度に比例した高圧画像および低圧画像を示す信号電
荷が発生する。
像検出器の蛍光体層側に入射させる。すなわち、被写体
の放射線透過像に相当して強弱を有する放射線が、図１
の下方から入射する。入射した放射線は２つの蛍光体層
３にそれぞれ吸収され、各蛍光体層３中の蛍光体粒子は
蛍光を発する。次に、これらの蛍光は光検知部材である
感光素子１の各フォトダイオード４でそれぞれ受光さ
れ、これらのフォトダイオード４において２つの信号電
荷が発生する。このようにして、放射線画像検出器の各
画素において蛍光の発光輝度、すなわち入射した放射線
の輝度に比例した高圧画像および低圧画像を示す信号電
荷が発生する。
【００４３】次に、図３に示した回路図において、走査
パルス発生器２４から最上列の各画素に転送パルスを送
ると、最上列の各転送部のスイッチはＯＮ状態（図１に
おいて転送電極１４に電圧がかかり、金属層１０と１１
の間を電流が流れる状態）となる。すなわち、図１のフ
ォトダイオード４で発生した２つの信号電荷は、各ＭＯ
ＳＦＥＴ５を通じて転送される。したがって、最上列の
各画素の信号電荷は転送レジスタ２５に同時に送られ
る。転送レジスタ２５の出力端子２６からは一画素ずつ
の画像信号が時系列的に取り出される。
パルス発生器２４から最上列の各画素に転送パルスを送
ると、最上列の各転送部のスイッチはＯＮ状態（図１に
おいて転送電極１４に電圧がかかり、金属層１０と１１
の間を電流が流れる状態）となる。すなわち、図１のフ
ォトダイオード４で発生した２つの信号電荷は、各ＭＯ
ＳＦＥＴ５を通じて転送される。したがって、最上列の
各画素の信号電荷は転送レジスタ２５に同時に送られ
る。転送レジスタ２５の出力端子２６からは一画素ずつ
の画像信号が時系列的に取り出される。
【００４４】このようにして、図３の最上列から最下列
へと順次、各列に走査パルス発生器２４から転送パルス
が送られ、各列の各画素からの画像信号が出力端子２６
から時系列的に出力される。
へと順次、各列に走査パルス発生器２４から転送パルス
が送られ、各列の各画素からの画像信号が出力端子２６
から時系列的に出力される。
【００４５】次に、図４に本発明による第２のエネルギ
ーサブトラクション画像作成装置の放射線画像検出器を
概略的に示す。
ーサブトラクション画像作成装置の放射線画像検出器を
概略的に示す。
【００４６】図４は、光検知部材とこの光検知部材上に
設けられた蓄積性蛍光体層とからなる積層体２組が、間
に銅板および絶縁層を介して配された放射線画像検出器
の１画素を示す縦断面図である。
設けられた蓄積性蛍光体層とからなる積層体２組が、間
に銅板および絶縁層を介して配された放射線画像検出器
の１画素を示す縦断面図である。
【００４７】図４において、放射線画像検出器は、順に
感光素子１、絶縁層２、フィルタ２０、導光性シート１
９、および蓄積性蛍光体層１８から構成されてなる積層
体２組が銅板１５および該銅板１５に接して設けられた
絶縁層２′を介してなるように構成されている。感光素
子１は上述した第一の放射線画像検出器における感光素
子１と同一であるので説明は省略する。
感光素子１、絶縁層２、フィルタ２０、導光性シート１
９、および蓄積性蛍光体層１８から構成されてなる積層
体２組が銅板１５および該銅板１５に接して設けられた
絶縁層２′を介してなるように構成されている。感光素
子１は上述した第一の放射線画像検出器における感光素
子１と同一であるので説明は省略する。
【００４８】また、この感光素子の配線は先に説明した
図２と同一であるので省略する。
図２と同一であるので省略する。
【００４９】図４においては、受光部の面積ができる限
り大きいことが望ましい。なお、図４に示される具体的
形態は、一実施例を示すものであり、本発明に用いられ
る放射線画像検出器は、上記形態に限定されるものでは
ない。
り大きいことが望ましい。なお、図４に示される具体的
形態は、一実施例を示すものであり、本発明に用いられ
る放射線画像検出器は、上記形態に限定されるものでは
ない。
【００５０】次に、光検知部材上に光ガイドおよびフィ
ルタを介して蓄積性蛍光体層の設けられた放射線画像検
出器を用いた本発明の作用について、上記図４に示した
放射線画像検出器の部分断面図を参照しながら説明す
る。なお、この放射線画像検出器の全体の回路図は、図
３に示した放射線画像検出器の全体の回路図の例と同様
のものであり、一画素２１は図４および図２に対応して
いる。
ルタを介して蓄積性蛍光体層の設けられた放射線画像検
出器を用いた本発明の作用について、上記図４に示した
放射線画像検出器の部分断面図を参照しながら説明す
る。なお、この放射線画像検出器の全体の回路図は、図
３に示した放射線画像検出器の全体の回路図の例と同様
のものであり、一画素２１は図４および図２に対応して
いる。
【００５１】まず、被写体を透過した放射線を放射線画
像検出器の蓄積性蛍光体層側に入射させる。すなわち、
被写体の放射線透過像に相当して強弱を有する放射線
が、図４の下方から入射する。入射した放射線は２つの
蓄積性蛍光体層１８に蓄積される。これらの蓄積性蛍光
体層１８に、例えばレーザ光などの励起光を光ガイド１
９を通じて照射すると、各蓄積性蛍光体層１８中の蓄積
性蛍光体粒子は蛍光を発する。このとき、光ガイド１９
と感光素子１の間には光ガイド１９から発せられる励起
光を遮蔽するフィルタ２０が配されているので、この感
光素子１は、励起光を検知せずに蓄積性蛍光体層１８が
発する蛍光のみを検知する。次に、これらの蛍光は光検
知部材である感光素子１の各フォトダイオード４で受光
され、フォトダイオード４において２つの信号電荷が発
生する。このようにして、放射線画像検出器の各画素に
おいて蛍光の発光輝度、すなわち入射した放射線の輝度
に比例した２つの信号電荷が発生する。なお、次回の使
用に備えて、前記光ガイド１９を用いて白色光などの消
去光を前記蓄積性蛍光体層１８に照射して蓄積した放射
線透過像を消去することが好ましい。
像検出器の蓄積性蛍光体層側に入射させる。すなわち、
被写体の放射線透過像に相当して強弱を有する放射線
が、図４の下方から入射する。入射した放射線は２つの
蓄積性蛍光体層１８に蓄積される。これらの蓄積性蛍光
体層１８に、例えばレーザ光などの励起光を光ガイド１
９を通じて照射すると、各蓄積性蛍光体層１８中の蓄積
性蛍光体粒子は蛍光を発する。このとき、光ガイド１９
と感光素子１の間には光ガイド１９から発せられる励起
光を遮蔽するフィルタ２０が配されているので、この感
光素子１は、励起光を検知せずに蓄積性蛍光体層１８が
発する蛍光のみを検知する。次に、これらの蛍光は光検
知部材である感光素子１の各フォトダイオード４で受光
され、フォトダイオード４において２つの信号電荷が発
生する。このようにして、放射線画像検出器の各画素に
おいて蛍光の発光輝度、すなわち入射した放射線の輝度
に比例した２つの信号電荷が発生する。なお、次回の使
用に備えて、前記光ガイド１９を用いて白色光などの消
去光を前記蓄積性蛍光体層１８に照射して蓄積した放射
線透過像を消去することが好ましい。
【００５２】ここで用いる励起光は、前記フィルタ２０
によって遮蔽されるものであればいかなるものでもよ
く、また、消去光は、前記蓄積性蛍光体層１８が蓄積し
た放射線透過像を消去するものであればいかなるもので
もよく、レーザ光および白色光に限定されるものではな
い。
によって遮蔽されるものであればいかなるものでもよ
く、また、消去光は、前記蓄積性蛍光体層１８が蓄積し
た放射線透過像を消去するものであればいかなるもので
もよく、レーザ光および白色光に限定されるものではな
い。
【００５３】また、上記２つの放射線画像検出器から得
られるサブトラクションすべき２つの画像において、両
者の差異を明確にするために蛍光体層または蓄積性蛍光
体層として、被写体からより遠い位置に置かれた蛍光体
層または蓄積性蛍光体層に被写体により近い位置に置か
れた蛍光体層または蓄積性蛍光体層よりも前記特定構造
物に対応する部分において放射線の低エネルギー成分が
より吸収された画像情報が受像されるものを使用するこ
とが好ましい。さらに両者の差異をより明確にするため
に、それぞれ前記２組の積層体の間に低エネルギー成分
吸収物質からなる放射線エネルギー分離フィルタとして
銅板１５を配しているので、銅板１５の前方に配された
蛍光体層３または蓄積性蛍光体層１８には放射線の低エ
ネルギー成分を含む低圧画像が記録または蓄積記録さ
れ、後方に配置された蛍光体層３または蓄積性蛍光体層
１３には、銅板１５により放射線の低エネルギー成分が
吸収された高圧画像が記録または蓄積記録される。
られるサブトラクションすべき２つの画像において、両
者の差異を明確にするために蛍光体層または蓄積性蛍光
体層として、被写体からより遠い位置に置かれた蛍光体
層または蓄積性蛍光体層に被写体により近い位置に置か
れた蛍光体層または蓄積性蛍光体層よりも前記特定構造
物に対応する部分において放射線の低エネルギー成分が
より吸収された画像情報が受像されるものを使用するこ
とが好ましい。さらに両者の差異をより明確にするため
に、それぞれ前記２組の積層体の間に低エネルギー成分
吸収物質からなる放射線エネルギー分離フィルタとして
銅板１５を配しているので、銅板１５の前方に配された
蛍光体層３または蓄積性蛍光体層１８には放射線の低エ
ネルギー成分を含む低圧画像が記録または蓄積記録さ
れ、後方に配置された蛍光体層３または蓄積性蛍光体層
１３には、銅板１５により放射線の低エネルギー成分が
吸収された高圧画像が記録または蓄積記録される。
【００５４】上述した本発明の２つの放射線画像検出器
により得られた画像信号には、所望により、空間周波数
処理、階調処理、加算平均処理、縮小処理、拡大処理な
どの画像処理が行なわれてもよい。
により得られた画像信号には、所望により、空間周波数
処理、階調処理、加算平均処理、縮小処理、拡大処理な
どの画像処理が行なわれてもよい。
【００５５】図５は本発明のエネルギーサブトラクショ
ン画像作成装置の一実施例を示す概略図である。この装
置において放射線画像検出器として、図１，２および３
に示した蛍光体層を利用するものを用いる。
ン画像作成装置の一実施例を示す概略図である。この装
置において放射線画像検出器として、図１，２および３
に示した蛍光体層を利用するものを用いる。
【００５６】図５において、Ｘ線３３を照射するＸ線源
３２に対向し間に被写体３４を介して放射線画像検出器
３１が配されている。この放射線画像検出器３１は、被
写体３４側に配された第１検出部３１Ａとその後部に配
された第２検出部３１Ｂからなる。この第１積層体３１
Ａと第２積層体３１Ｂの出力側はそれぞれ、増幅器とＡ
／Ｄ変換器を含む対数変換器３５，３６に接続され、さ
らに対数変換器３５，３６の出力側はサブトラクション
演算器３７に接続されている。
３２に対向し間に被写体３４を介して放射線画像検出器
３１が配されている。この放射線画像検出器３１は、被
写体３４側に配された第１検出部３１Ａとその後部に配
された第２検出部３１Ｂからなる。この第１積層体３１
Ａと第２積層体３１Ｂの出力側はそれぞれ、増幅器とＡ
／Ｄ変換器を含む対数変換器３５，３６に接続され、さ
らに対数変換器３５，３６の出力側はサブトラクション
演算器３７に接続されている。
【００５７】Ｘ線源３２からＸ線３３が放射されると、
このＸ線３３は放射線エネルギー吸収特性が他とは異な
る特定の構造物を含む被写体３４を透過して放射線画像
検出器３１の第１積層体３１Ａに到達する。ここで被写
体３４のＸ線画像が第１積層体３１Ａに含まれる蛍光体
層に受像されると即時に画像信号ＳA に変換されるが、
この第１積層体３１Ａの蛍光体層は放射線の低エネルギ
ー成分をより多く吸収する蛍光体からなっているので、
第１蛍光体層３１Ａを透過したＸ線は低エネルギー成分
が低減し、高エネルギー成分が強調された状態になって
いる。次にこの第１積層体３１Ａを透過したＸ線は第２
積層体３１Ｂに到達し、この第２積層体３１Ｂに含まれ
る蛍光体に放射線の低エネルギー成分に係わる画像情報
が低減した被写体３４のＸ線画像が受像されると即時に
画像信号ＳB に変換される。このようにして被写体３４
の特定の構造物に対応する部分において画像情報が異な
る２つのＸ線画像の画像信号ＳA ，ＳB が得られる。得
られた画像信号ＳA ，ＳBはそれぞれ対数変換器３５，
３６によりデジタル画像信号log ＳA ，log ＳB に変換
され、サブトラクション演算器３７に入力される。この
サブトラクション演算器３７では、対応する画素間でデ
ジタル画像信号log ＳA よりデジタル画像信号log ＳB
が指し引かれて抽出したい特定の構造物の画像信号が得
られる。この際デジタル画像信号log ＳA およびlog Ｓ
B それぞれに適当な重み係数が乗じられるが、２つの重
み係数は両画像の消去すべき部分の階調が一致するよう
に選ばれるのが好ましい。なお、ここでデジタル画像信
号が定数値として扱われるのは、画像データの帯域圧縮
がなされ、かつ不必要な画像情報の完全除去が可能とな
るからであり、対数値に変換しない原画像信号により同
様のことを行なうことも可能である。ここでは図１に示
した放射線画像検出器を使用した第１のエネルギーサブ
トラクション画像作成装置について説明したが、図４に
示した放射線画像検出器を使用した第２のエネルギーサ
ブトラクション画像作成装置の構成および作用も放射線
画像検出器が異なるだけで、それ以外の構成および作用
は同一であるので説明は省略する。
このＸ線３３は放射線エネルギー吸収特性が他とは異な
る特定の構造物を含む被写体３４を透過して放射線画像
検出器３１の第１積層体３１Ａに到達する。ここで被写
体３４のＸ線画像が第１積層体３１Ａに含まれる蛍光体
層に受像されると即時に画像信号ＳA に変換されるが、
この第１積層体３１Ａの蛍光体層は放射線の低エネルギ
ー成分をより多く吸収する蛍光体からなっているので、
第１蛍光体層３１Ａを透過したＸ線は低エネルギー成分
が低減し、高エネルギー成分が強調された状態になって
いる。次にこの第１積層体３１Ａを透過したＸ線は第２
積層体３１Ｂに到達し、この第２積層体３１Ｂに含まれ
る蛍光体に放射線の低エネルギー成分に係わる画像情報
が低減した被写体３４のＸ線画像が受像されると即時に
画像信号ＳB に変換される。このようにして被写体３４
の特定の構造物に対応する部分において画像情報が異な
る２つのＸ線画像の画像信号ＳA ，ＳB が得られる。得
られた画像信号ＳA ，ＳBはそれぞれ対数変換器３５，
３６によりデジタル画像信号log ＳA ，log ＳB に変換
され、サブトラクション演算器３７に入力される。この
サブトラクション演算器３７では、対応する画素間でデ
ジタル画像信号log ＳA よりデジタル画像信号log ＳB
が指し引かれて抽出したい特定の構造物の画像信号が得
られる。この際デジタル画像信号log ＳA およびlog Ｓ
B それぞれに適当な重み係数が乗じられるが、２つの重
み係数は両画像の消去すべき部分の階調が一致するよう
に選ばれるのが好ましい。なお、ここでデジタル画像信
号が定数値として扱われるのは、画像データの帯域圧縮
がなされ、かつ不必要な画像情報の完全除去が可能とな
るからであり、対数値に変換しない原画像信号により同
様のことを行なうことも可能である。ここでは図１に示
した放射線画像検出器を使用した第１のエネルギーサブ
トラクション画像作成装置について説明したが、図４に
示した放射線画像検出器を使用した第２のエネルギーサ
ブトラクション画像作成装置の構成および作用も放射線
画像検出器が異なるだけで、それ以外の構成および作用
は同一であるので説明は省略する。
【００５８】このようにして、サブトラクション処理を
行なうことにより得られた信号は、必要に応じて空間周
波数処理、階調処理、加算平均処理等の画像処理が施さ
れた後、記録媒体によって記録されてもよいし、画像表
示装置によって表示されてもよい。記録媒体としては、
例えば、写真感光材料上をレーザー光で走査して光学的
に記録するもの、および熱線を用いて感熱記録材料上に
記録するものなどを用いることができる。また、画像表
示装置としては、ＣＲＴ等に電子的に表示するもの、Ｃ
ＲＴ等に表示された放射線画像をビデオ・プリンター等
に記録するものなど様々の原理に基づいた表示装置を用
いることができる。また、この被写体の放射線画像情報
は磁気テープ等に記録保存されてもよい。
行なうことにより得られた信号は、必要に応じて空間周
波数処理、階調処理、加算平均処理等の画像処理が施さ
れた後、記録媒体によって記録されてもよいし、画像表
示装置によって表示されてもよい。記録媒体としては、
例えば、写真感光材料上をレーザー光で走査して光学的
に記録するもの、および熱線を用いて感熱記録材料上に
記録するものなどを用いることができる。また、画像表
示装置としては、ＣＲＴ等に電子的に表示するもの、Ｃ
ＲＴ等に表示された放射線画像をビデオ・プリンター等
に記録するものなど様々の原理に基づいた表示装置を用
いることができる。また、この被写体の放射線画像情報
は磁気テープ等に記録保存されてもよい。
【００５９】なお、本発明に用いられる放射線画像検出
器に用いられる感光素子としては、例えば、一画素が約
２００μｍ×２００μｍの大きさのものを使用すること
ができる。本発明の放射線画像検出器を、例えば、従来
の放射線増感スクリーンの大きさ（４３０ｍｍ×３５４
ｍｍ）とした場合には、２１５０×１７５０画素から構
成される。ただし、本発明に用いられる放射線画像検出
器およびそれに含まれる感光素子は、上記の大きさに限
定されるものではない。このような大面積を形成する均
一な感光素子の材料としては、α−Ｓｉが好ましい。ま
た、上記のような構造と大きさを有する放射線画像検出
器において、走査パルス発生器からのパルス出力として
は、例えば３ｋＨｚ程度が好ましい。
器に用いられる感光素子としては、例えば、一画素が約
２００μｍ×２００μｍの大きさのものを使用すること
ができる。本発明の放射線画像検出器を、例えば、従来
の放射線増感スクリーンの大きさ（４３０ｍｍ×３５４
ｍｍ）とした場合には、２１５０×１７５０画素から構
成される。ただし、本発明に用いられる放射線画像検出
器およびそれに含まれる感光素子は、上記の大きさに限
定されるものではない。このような大面積を形成する均
一な感光素子の材料としては、α−Ｓｉが好ましい。ま
た、上記のような構造と大きさを有する放射線画像検出
器において、走査パルス発生器からのパルス出力として
は、例えば３ｋＨｚ程度が好ましい。
【００６０】
【発明の効果】放射線撮影において、本発明のエネルギ
ーサブトラクション画像作成装置を用いることにより、
従来のような感度領域の一致する放射線増感スクリーン
と放射線写真フイルムとの重ね合わせやこのフイルムの
現像、また蓄積性蛍光体層からの放射線画像の読み出し
などの手間のかかる操作を必要とせずに、サブトラクシ
ョンすべき２つの画像信号を瞬時に得、これらの２つの
画像信号の対応する画素間で減算を行ない前記特定構造
物のエネルギーサブトラクション画像を得ることができ
る。
ーサブトラクション画像作成装置を用いることにより、
従来のような感度領域の一致する放射線増感スクリーン
と放射線写真フイルムとの重ね合わせやこのフイルムの
現像、また蓄積性蛍光体層からの放射線画像の読み出し
などの手間のかかる操作を必要とせずに、サブトラクシ
ョンすべき２つの画像信号を瞬時に得、これらの２つの
画像信号の対応する画素間で減算を行ない前記特定構造
物のエネルギーサブトラクション画像を得ることができ
る。
【図１】本発明の第１のエネルギーサブトラクション画
像作成装置の放射線画像検出器の一実施例を示す部分縦
断面図
像作成装置の放射線画像検出器の一実施例を示す部分縦
断面図
【図２】本発明に用いられる放射線画像検出器の一実施
例を示す部分説明図
例を示す部分説明図
【図３】本発明に用いられる放射線画像検出器の一実施
例を示す概略回路図
例を示す概略回路図
【図４】本発明の第２のエネルギーサブトラクション画
像作成装置の放射線画像検出器の一実施例を示す部分縦
断面図
像作成装置の放射線画像検出器の一実施例を示す部分縦
断面図
【図５】本発明の第１のエネルギーサブトラクション画
像作成装置の一例を示す概略図
像作成装置の一例を示す概略図
１ 感光素子 ２，２′ 絶縁層 ３ 蛍光体層 ４ フォトダイオード ５ ＭＯＳＦＥＴ ６，１０，１１ 金属層 ７ ｐ型α−Ｓｉ：Ｈ層 ８ ｉ型α−Ｓｉ：Ｈ層 ９ 透明電極層 １２ α−Ｓｉ：Ｈ層 １３ 絶縁体層 １４ 転送電極 １５ 銅板 １６，２２ 受光部 １７，２３ 転送部 １８ 蓄積性蛍光体層 １９ 光ガイド ２０ フィルタ ２１ 一画素 ２４ 走査パルス発生器 ２５ 転送レジスタ ２６ 出力端子 ３０エネルギーサブトラクション画像作成装置 ３１ 放射線画像検出器 ３２ Ｘ線源 ３３ Ｘ線 ３４ 被写体 ３５，３６ 対数変換器 ３７ サブトラクション演算器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０６Ｆ 15/62 ３９０ Ａ 9287−5Ｌ Ｇ２１Ｋ 4/00 Ｌ 8805−2Ｇ Ｈ０４Ｎ 7/18 Ｌ 7337−5Ｃ
Claims (3)
- 【請求項１】 規則的に２次元的に配列された多数の感
光素子からなる光検知部材と、該光検知部材の上に設け
られた蛍光体層とからなる積層体２組が積層されてな
り、放射線エネルギー吸収特性が他とは異なる特定構造
物を含む被写体を透過した放射線が照射されることによ
り、該被写体のサブトラクションすべき２つの放射線画
像を前記２組の積層体の各前記蛍光体層が受像し、この
受像した２つの放射線画像を前記光検知部材によりそれ
ぞれ２つの画像信号に変換する放射線画像検出器、およ
びこの放射線画像検出器が読み取った、前記２つの画像
信号を対応する画素間で減算して前記特定構造物の画像
を形成する差信号を得るサブトラクション演算手段を備
えてなるエネルギーサブトラクション画像作成装置。 - 【請求項２】 規則的に２次元的に配列された多数の感
光素子からなる光検知部材と、該光検知部材と対面して
設けられた蓄積性蛍光体層と、該蓄積性蛍光体層の表面
に接して設けられ、該蓄積性蛍光体層に蓄積記録された
放射線像を励起する励起光および該放射線像を消去する
消去光を該蓄積性蛍光体層に伝達する光伝達手段と、該
光伝達手段と前記光検知部材との間に介在された、前記
励起光を遮蔽するフィルタとからなる積層体２組が積層
されてなり、放射線エネルギー吸収特性が他とは異なる
特定構造物を含む被写体を透過した放射線が照射される
ことにより、該被写体のサブトラクションすべき２つの
放射線像を前記２組の積層体の各前記蓄積性蛍光体層が
受像し、この受像した２つの放射線画像を前記光検知部
材によりそれぞれ２つの画像信号に変換する放射線画像
検出器、およびこの放射線像検出器が読み取った、前記
２つの画像信号を対応する画素間で減算して前記特定構
造物の画像を形成する差信号を得るサブトラクション演
算手段を備えてなるエネルギーサブトラクション画像作
成装置。 - 【請求項３】 前記２組の積層体の間に放射線エネルギ
ー分離フィルタを配したことを特徴とする請求項１また
は２記載のエネルギーサブトラクション画像作成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4016295A JPH05208000A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | エネルギーサブトラクション画像作成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4016295A JPH05208000A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | エネルギーサブトラクション画像作成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05208000A true JPH05208000A (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=11912557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4016295A Withdrawn JPH05208000A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | エネルギーサブトラクション画像作成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05208000A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001133554A (ja) * | 1999-11-01 | 2001-05-18 | Toshiba Corp | 放射線検出器及び放射線診断装置 |
| JP2007082663A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Natl Inst Of Radiological Sciences | 多色ｘ線測定装置及び方法 |
| JP2008538966A (ja) * | 2005-04-26 | 2008-11-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | スペクトルｃｔのための検出器アレイ |
| EP3226038A1 (en) | 2016-03-28 | 2017-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detection apparatus and radiation imaging system |
| JP2017176258A (ja) * | 2016-03-28 | 2017-10-05 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線撮像システム |
| JP2018072153A (ja) * | 2016-10-28 | 2018-05-10 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線撮像システム |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP4016295A patent/JPH05208000A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001133554A (ja) * | 1999-11-01 | 2001-05-18 | Toshiba Corp | 放射線検出器及び放射線診断装置 |
| JP2008538966A (ja) * | 2005-04-26 | 2008-11-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | スペクトルｃｔのための検出器アレイ |
| US8391439B2 (en) | 2005-04-26 | 2013-03-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Detector array for spectral CT |
| JP2007082663A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Natl Inst Of Radiological Sciences | 多色ｘ線測定装置及び方法 |
| EP3226038A1 (en) | 2016-03-28 | 2017-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detection apparatus and radiation imaging system |
| JP2017176258A (ja) * | 2016-03-28 | 2017-10-05 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線撮像システム |
| US10012741B2 (en) | 2016-03-28 | 2018-07-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detection apparatus and radiation imaging system |
| JP2018072153A (ja) * | 2016-10-28 | 2018-05-10 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線撮像システム |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |