JP2009231399A - フォトセンサーアレイ基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ドレイン電極7を下層7aと上層7bから構成しておき、コンタクトホールCH1の開口後に上層7bを除去する。すなわち、フォトダイオード100は、下層7a上に形成される。
【選択図】 図2
Description
以下、本発明の実施の形態を示す図面に基づき具体的に説明する。図1は、本実施の形態にかかるフォトセンサーアレイ基板の平面図を示したものである。図2は、図1においてA−Aで示された個所における断面図である。
本実施の形態1に示したように、バイアス線15はフォトダイオード100上を横断するが、この構造においては、ドレイン電極7のパターン端部でバイアス線15の被覆性が低下するという問題がある。被覆性の低下に起因して、バイアス線15が断線する可能性もある。以下、この理由について図7を用いて説明する。図7は、図1においてB−Bで示した箇所の断面図である。
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁膜
4 半導体層
5 オーミックコンタクト層
6 ソース電極
7 ドレイン電極
7a 上層、7b 下層
7a 接続部分
8 第一のパッシベーション膜
9 Pドープしたアモルファスシリコン膜
10 アモルファスシリコン膜
11 Bドープしたアモルファスシリコン膜
12 透明電極
13 第二のパッシベーション膜
14 データ線
15 バイアス線
16 遮光層
17 第三のパッシベーション膜
18 第四のパッシベーション膜
20 配線の端部、21 導電パターン
22 端子引き出し電極、23 ショートリング配線
24 配線の端部
26、27 領域
CH1〜CH7 コンタクトホール
Claims (4)
- フォトダイオードと薄膜トランジスタをマトリクス状に配置したアクティブマトリクス型のTFTアレイ基板を備えたフォトセンサーアレイ基板であって、前記薄膜トランジスタは、ゲート電極を有する複数本のゲート配線、前記ゲート電極にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層、前記半導体層に接続するソース電極およびドレイン電極、を備えており、さらに、前記TFTアレイ基板は、前記ドレイン電極と電気的に一体の下部電極と、前記薄膜トランジスタと前記下部電極との上部に設けられたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜に開口されたコンタクトホールと、前記コンタクトホールを介して前記下部電極と接続するアモルファスシリコンからなるフォトダイオードと、を備えており、前記下部電極は2層以上の異種の層からなり、前記コンタクトホール内では少なくとも最上の1層が除去されていることを特徴とするフォトセンサーアレイ基板。
- 前記コンタクトホール上を横切るバイアス線をさらに備え、前記バイアス線が前記コンタクトホールを横切る領域においては、前記コンタクトホールが前記下部電極を内包することを特徴とする請求項1に記載のフォトセンサーアレイ基板。
- 前記パッシベーション膜よりも上層にシンチレーターが形成されており、少なくとも低ノイズアンプとA/Dコンバーターを有するデジタルボード、前記薄膜トランジスタを駆動するドライバーボード、および電荷を読み出す読み出しボードが接続されていることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載のフォトセンサーアレイ基板。
- X線を前記シンチレーターにより可視光に変換することによりX線撮像表示を行う機能を有することを特徴とする請求項3に記載のフォトセンサーアレイ基板。
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