JP2006032385A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】共通ウエルの画素配列エリアの周辺に設けられたウエルコンタクトから拡散してくる暗電流を抑制して、周辺画素の特性を改善すること。
【解決手段】入射光を電気信号に変換するための光電変換素子を有する画素を二次元的に有する固体撮像装置において、第1導電型の半導体基板内に形成された第2導電型の共通ウエル領域内に、前記光電変換素子となる第1導電型の半導体受光領域が設けられ、前記共通ウエルに基準電圧を供給するためのウエルコンタクトが、前記共通ウエル領域の画素配列エリアの周辺と内側に設けられており、前記共通ウエル領域の画素配列エリアと前記画素配列エリアの周辺に囲うように設けられているウエルコンタクトの間に、逆バイアスとなる電圧が印加された第1導電型の領域が前記画素配列エリアを囲うように設けられていることを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】入射光を電気信号に変換するための光電変換素子を有する画素を二次元的に有する固体撮像装置において、第1導電型の半導体基板内に形成された第2導電型の共通ウエル領域内に、前記光電変換素子となる第1導電型の半導体受光領域が設けられ、前記共通ウエルに基準電圧を供給するためのウエルコンタクトが、前記共通ウエル領域の画素配列エリアの周辺と内側に設けられており、前記共通ウエル領域の画素配列エリアと前記画素配列エリアの周辺に囲うように設けられているウエルコンタクトの間に、逆バイアスとなる電圧が印加された第1導電型の領域が前記画素配列エリアを囲うように設けられていることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、入射光を電気信号に変換する光電変換素子を複数備えた固体撮像装置に関するものである。
近年、パーソナルコンピューターの急速な普及により、画像入力機器としての電子スチルカメラの需要が拡大している。
上記電子スチルカメラの画質を決定する要素は幾つかあるが、その中でも固体撮像装置の画素数は撮影像の解像度を決定する大きな要素である。そのため、最近は1000万画素以上の多くの画素数を持った電子スチルカメラも幾つか商品化されている。
このように1000万画素以上もの画素が同一平面に二次元状に配列されている固体撮像装置では画素ごとの電位のずれにより、出力信号に大きなシェーディングが発生してしまう。
このため、特許文献1に開示された固体撮像装置では、光電変換素子と増幅用トランジスタとを含む画素が共通ウエル内に設けられており、前記共通ウエルに基準電圧を供給するためのコンタクトが、前記共通ウエルの画素配列エリアの周辺及び各画素に設けられていることにより画素領域内のウエル電位の分布を抑制することが可能となり、シェーディングを低減している。
しかしながら、上記従来例では共通ウエルの画素配列エリアの周辺に設けられたウエルコンタクトから拡散してくる暗電流により、周辺の画素の特性(SN比)が悪化していた。以下、図を用いて詳細に説明する。
図6は従来の固体撮像装置を模式的に示す平面図である。
フォトダイオード7、MOSトランジスタ等が作られているウエル1、光電変換素子であるフォトダイオード7が二次元的に配列されている画素配列領域2、ウエルに基準電圧を供給するためのウエルコンタクト3が図6のように配置されている。
図7は従来例の平面図である図6のC−D間における模式的な断面図である。
図6では図が複雑になるため省略したが、素子間には素子分離領域6が存在し、又、ウエルコンタクト3にはGNDの電圧が印加されている。
従来例では、ウエルコンタクト3から拡散してくる暗電流がフォトダイオード7に流れ込むことにより、周辺の画素の特性(SN比)が悪化していた。
簡単にウエルコンタクト3から暗電流が拡散してくるメカニズムを説明する。
P型半導体とN型半導体を接合したPN接合を利用したフォトダイオードでは、PN接合に逆バイアスを掛けて空乏層を広げ、接合容量に発生した光電子を集める。
又、逆バイアスを掛けたPN接合には生成電流と拡散電流が流れる。
ここでは重要となる拡散電流のみを説明する。
拡散電流は、PN接合から電極となるウエルコンタクトまでの距離がキャリアの拡散長よりも長いときはキャリアの拡散長で決まり、PN接合から電極となるウエルコンタクトまでの距離がキャリアの拡散長よりも短いときはウエルコンタクトまでの距離で決まる。
固体撮像装置ではウエルコンタクトからPN接合までの距離が数10umと短いので、拡散電流はウエルコンタクトから供給される電流で決まる。よって、従来例ではウエルコンタクトからフォトダイオードへ拡散してくる暗電流が問題となる。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、共通ウエルの画素配列エリアの周辺に設けられたウエルコンタクトから拡散してくる暗電流を抑制して、周辺画素の特性を改善することを目的としている。
上記目的を達成するため、本発明は、入射光を電気信号に変換するための光電変換素子を有する画素を二次元的に有する固体撮像装置において、第1導電型の半導体基板内に形成された第2導電型の共通ウエル領域内に、前記光電変換素子となる第1導電型の半導体受光領域が設けられ、前記共通ウエルに基準電圧を供給するためのウエルコンタクトが、前記共通ウエル領域の画素配列エリアの周辺と内側に設けられており、前記共通ウエル領域の画素配列エリアと前記画素配列エリアの周辺に囲うように設けられているウエルコンタクトの間に、逆バイアスとなる電圧が印加された第1導電型の領域が前記画素配列エリアを囲うように設けられていることを特徴とする。
本発明によれば、共通ウエルの画素配列エリアの周辺に設けられたウエルコンタクトから拡散してくる暗電流を抑制して、周辺画素の特性を改善することができる。
以下に本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に述べる。
<実施の形態1>
図1は本発明における実施の形態1に係る固体撮像装置を模式的に示す平面図である。
図1は本発明における実施の形態1に係る固体撮像装置を模式的に示す平面図である。
フォトダイオード7、MOSトランジスタ等が作られているウエル1、光電変換素子であるフォトダイオード7が二次元的に配列されている画素配列領域2、ウエルに基準電圧を供給するためのウエルコンタクト3、ウエルコンタクト3からの暗電流4を吸い込むための暗電流吸い込み領域8が図1のように配置されている。
図2は本実施の形態の平面図である図1のA−B間における模式的な断面図である。
図1では図が複雑になるため省略したが、素子間には素子分離領域6が存在し、又、ウエルコンタクト3にはGNDの電圧が印加され、暗電流吸い込み領域8には5Vが印加されている。
暗電流吸い込み領域8が、前記画素配列エリアを囲うように設けられていることを特徴としている。
上記構成を採ることで、ウエルコンタクト3から拡散してくる暗電流4が暗電流吸い込み領域8に流れ込み、周辺のフォトダイオード7に流れ込みにくくなるので、周辺のフォトダイオード7の特性が改善する。
<実施の形態2>
図1は本発明における実施の形態2の固体撮像装置を模式的に示す平面図である。
図1は本発明における実施の形態2の固体撮像装置を模式的に示す平面図である。
図3は実施の形態2の平面図である図1のA−B間における模式的な断面図である。図中の数字は繰り返しになるので説明を省略する。
暗電流吸い込み領域8が前記画素配列エリアを囲うように設けられていること、暗電流吸い込み領域8がフォトダイオード7よりも深くまで設けられていることを特徴としている。
上記構成を採ることで、ウエルコンタクト3から拡散してくる暗電流4のウエルの深いところを拡散する成分までもが暗電流吸い込み領域8に流れ込み、周辺のフォトダイオード7により流れ込みにくくなるので、周辺のフォトダイオード7の特性がより改善する。
<実施の形態3>
図1は本発明における実施の形態3の固体撮像装置を模式的に示す平面図である。
図1は本発明における実施の形態3の固体撮像装置を模式的に示す平面図である。
図4は実施の形態3の平面図である図1のA−B間における模式的な断面図である。図中の数字は繰り返しになるので説明を省略する。
暗電流吸い込み領域8が前記画素配列エリアを囲うように設けられていること、ウエル1の不純物濃度が半導体基板主表面から基板内部に向かって濃くなっており、基板内部で濃度のピークを持つことを特徴としている。
上記構成を採ることで、不純物濃度勾配による電界により、ウエルコンタクト3から拡散してくる暗電流4が浅いところを拡散するようになり、暗電流吸い込み領域8に流れ込み易くなり、周辺のフォトダイオード7により流れ込みにくくなるので、周辺のフォトダイオード7の特性がより改善する。
<実施の形態4>
図1は本発明における実施の形態4の固体撮像装置を模式的に示す平面図である。
図1は本発明における実施の形態4の固体撮像装置を模式的に示す平面図である。
図5は実施の形態4の平面図である図1のA−B間における模式的な断面図である。図中の数字は繰り返しになるので説明を省略する。
暗電流吸い込み領域8が前記画素配列エリアを囲うように設けられていること、暗電流吸い込み領域8がフォトダイオード7よりも深くまで設けられていること、ウエル1の不純物濃度が半導体基板主表面から基板内部に向かって濃くなっており、基板内部で濃度のピークを持つことを特徴としている。
上記構成を採ることで、不純物濃度勾配による電界により、ウエルコンタクト3から拡散してくる暗電流4が浅いところを拡散するようになり、又、暗電流吸い込み領域8がフォトダイオード7よりも深くまで設けられていることにより、ウエルコンタクト3から拡散してくる暗電流4が暗電流吸い込み領域8にほぼ流れ込み、周辺のフォトダイオード7にほぼ流れ込まなくなるので、周辺のフォトダイオード7の特性が更に改善する。
以上説明した各実施の形態は、半導体の導電型を逆転させても可能であり、例えばウエル1をn型とする場合には、基準電圧はPN接合を逆バイアスにするために、正電圧となる。
1 ウエル
2 画素配列領域
3 ウエルコンタクト
4 暗電流
5 半導体基板
6 素子分離領域
7 フォトダイオード
8 暗電流吸い込み領域
2 画素配列領域
3 ウエルコンタクト
4 暗電流
5 半導体基板
6 素子分離領域
7 フォトダイオード
8 暗電流吸い込み領域
Claims (4)
- 入射光を電気信号に変換するための光電変換素子を有する画素を二次元的に有する固体撮像装置において、
第1導電型の半導体基板内に形成された第2導電型の共通ウエル領域内に、前記光電変換素子となる第1導電型の半導体受光領域が設けられ、前記共通ウエルに基準電圧を供給するためのウエルコンタクトが、前記共通ウエル領域の画素配列エリアの周辺と内側に設けられており、前記共通ウエル領域の画素配列エリアと前記画素配列エリアの周辺に囲うように設けられているウエルコンタクトの間に、逆バイアスとなる電圧が印加された第1導電型の領域が前記画素配列エリアを囲うように設けられていることを特徴とする固体撮像装置。 - 入射光を電気信号に変換するための光電変換素子を有する画素を二次元的に有する固体撮像装置において、
第1導電型の半導体基板内に形成された第2導電型の共通ウエル領域内に、前記光電変換素子となる第1導電型の半導体受光領域が設けられ、前記共通ウエルに基準電圧を供給するためのウエルコンタクトが、前記共通ウエル領域の画素配列エリアの周辺と内側に設けられており、前記共通ウエル領域の画素配列エリアと前記画素配列エリアの周辺に囲うように設けられているウエルコンタクトの間に、逆バイアスとなる電圧が印加された第1導電型の領域が前記画素配列エリアを囲うように設けられており、前記逆バイアスとなる電圧が印加された第1導電型の領域は、前記光電変換素子となる第1導電型の半導体受光領域よりも深くまで設けられていることを特徴とする固体撮像装置。 - 入射光を電気信号に変換するための光電変換素子を有する画素を二次元的に有する固体撮像装置において、
第1導電型の半導体基板内に形成された第2導電型の共通ウエル領域内に、前記光電変換素子となる第1導電型の半導体受光領域が設けられ、前記共通ウエルに基準電圧を供給するためのウエルコンタクトが、前記共通ウエル領域の画素配列エリアの周辺と内側に設けられており、前記共通ウエル領域の画素配列エリアと前記画素配列エリアの周辺に囲うように設けられているウエルコンタクトの間に、逆バイアスとなる電圧が印加された第1導電型の領域が前記画素配列エリアを囲うように設けられており、前記共通ウエルの不純物濃度が半導体基板主表面から基板内部に向かって濃くなっており、基板内部で濃度のピークを持つことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記共通ウエルの不純物濃度が半導体基板主表面から基板内部に向かって濃くなっており、基板内部で濃度のピークを持つことを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004204437A JP2006032385A (ja) | 2004-07-12 | 2004-07-12 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004204437A JP2006032385A (ja) | 2004-07-12 | 2004-07-12 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006032385A true JP2006032385A (ja) | 2006-02-02 |
Family
ID=35898410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004204437A Withdrawn JP2006032385A (ja) | 2004-07-12 | 2004-07-12 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2006032385A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2004
- 2004-07-12 JP JP2004204437A patent/JP2006032385A/ja not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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