JP2013048132A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 クロスストーク防止層DNW9をホトダイオードPD形成部及び、画素−周辺回路間に設ける。
【効果】 画素−画素間または画素領域−周辺回路領域間のクロストークを低減し、光感度を向上させる。
【選択図】 図1
Description
図2は、本発明をCMOSセンサを用いたオートフォーカスセンサに適用した場合の全体構成図である。図2では、センサデバイス200とその周辺回路とを模式的に描いている。また図2に示した各画素領域は、そのホトダイオードの平面形状により代表させて示している。センサデバイス200には、被写体の明るさを測定する測光画素領域18と、ピント位置を測定する測距画素領域19が2次元に配置されている。測光画素領域18及び測距画素領域19のホトダイオードにはクロストーク防止層9が設けられている。詳細は図1を用いて説明するが、これが本実施例の特徴である。また、測距画素からなる2つのアレイ、すなわち基準センサアレイ25と参照センサアレイ26がある。図3により説明したように、基準センサアレイ25と参照センサアレイ26の出力から位相差検出を行うため、それぞれのセンサアレイを走査するシフトレジスタ回路20a,20b、それぞれのセンサアレイからの信号を増幅するカラム信号処理回路23a,23b及び、カラム信号処理回路23からの出力を増幅して外部に出力する出力回路24を有している。また、周辺回路として他にも、測光画素領域18の信号を処理する測光信号処理回路21、オートフォーカスセンサを制御する制御回路22を有している。
Claims (15)
- 画素領域と上記画素領域に隣接し、論理回路が形成される論理回路領域とを有する固体撮像装置であって、
上記画素領域と上記論理回路領域とが形成される第1導電型の半導体層と、
上記半導体層上に形成され、上記半導体層より高濃度の第1導電型の第1半導体領域と、
上記画素領域の素子と上記論理回路領域の素子とを分離する素子分離領域とを有し、
上記画素領域には上記第1半導体領域上に第2導電型のホトダイオードが形成され、
上記第2導電型のホトダイオードの領域において、上記ホトダイオードから上記第1半導体領域を超えて上記半導体層に延在する第2導電型の第2半導体領域が形成される固体撮像装置。 - 請求項1において、
上記素子分離領域において、上記素子分離領域を形成する酸化膜から上記第1半導体領域を超えて上記半導体層に延在する第2導電型の第3半導体領域が形成される固体撮像装置。 - 請求項2において、
上記半導体層上に形成される第2導電型の第4半導体領域を有し、
上記第3半導体領域は上記第4半導体領域より正の電位が給電される固体撮像装置。 - 請求項1において、
上記第2半導体領域は、上記半導体層に形成され、上記ホトダイオードの内周に沿ってリング状に形成される第1部分と、上記第1部分上にドット状に形成される複数の第2部分とを有する固体撮像装置。 - 請求項1において、
上記第2半導体領域は、上記半導体層に形成され、上記ホトダイオードの内周に沿ってリング状に形成される第1部分と、上記第1部分上にライン状に形成される複数の第2部分とを有する固体撮像装置。 - 請求項1において、
上記第2半導体領域は、上記半導体層に形成され、上記ホトダイオードの平面形状に応じた平面形状を有して形成される第1部分と、上記第1部分上にドット状に形成される複数の第2部分とを有し、上記複数の第2部分は上記第1部分上に全面的に配置される固体撮像装置。 - 請求項1において、
上記第2半導体領域は、上記半導体層に形成され、上記ホトダイオードの平面形状に応じた平面形状を有して形成される第1部分と、上記第1部分上にライン状に形成される複数の第2部分とを有し、上記複数の第2部分は上記第1部分上に全面的に配置される固体撮像装置。 - 第1の画素と第2の画素とを有する固体撮像装置であって、
第1導電型の半導体層と、
上記半導体層上に形成され、上記半導体層より高濃度の第1導電型の第1半導体領域と、
上記第1半導体領域上に形成される第1の画素の第2導電型の第1ホトダイオードと、
上記第1半導体領域上に形成される第2の画素の第2導電型の第2ホトダイオードとを有し、
上記第1ホトダイオードの領域において、上記1ホトダイオードから上記第1半導体領域を超えて上記半導体層に延在する第2導電型の第2半導体領域が形成され、上記第2ホトダイオードの領域において上記2ホトダイオードから上記第1半導体領域を超えて上記半導体層に延在する第2導電型の第3半導体領域が形成される固体撮像装置。 - 請求項8において、
上記第1のホトダイオードと上記第2のホトダイオードとの間には、上記第1の画素または上記第2の画素を構成する回路が形成される画素回路形成領域が設けられ、
上記画素回路形成領域において、上記第1半導体領域下に第2導電型の第4半導体領域が設けられる固体撮像装置。 - 請求項9において、
上記第1の画素と上記第2の画素が設けられる画素領域に隣接し、論理回路が形成される論理回路領域と、
上記画素領域の素子と上記論理回路領域の素子とを分離する素子分離領域とを有し、
上記素子分離領域において、上記素子分離領域を形成する酸化膜から上記第1半導体領域を超えて上記半導体層に延在する第2導電型の第5半導体領域が形成される固体撮像装置。 - 請求項10において、
上記半導体層上に形成される第2導電型の第6半導体領域を有し、
上記第5半導体領域は上記第6半導体領域より正の電位が給電される固体撮像装置。 - 請求項8において、
上記第2半導体領域及び上記第3半導体領域はそれぞれ、上記半導体層に形成され、上記ホトダイオードの内周に沿ってリング状に形成される第1部分と、上記第1部分上にドット状に形成される複数の第2部分とを有する固体撮像装置。 - 請求項8において、
上記第2半導体領域及び上記第3半導体領域はそれぞれ、上記半導体層に形成され、上記ホトダイオードの内周に沿ってリング状に形成される第1部分と、上記第1部分上にライン状に形成される複数の第2部分とを有する固体撮像装置。 - 請求項8において、
上記第2半導体領域及び上記第3半導体領域はそれぞれ、上記半導体層に形成され、上記ホトダイオードの平面形状に応じた平面形状を有して形成される第1部分と、上記第1部分上にドット状に形成される複数の第2部分とを有し、上記複数の第2部分は上記第1部分上に全面的に配置される固体撮像装置。 - 請求項8において、
上記第2半導体領域及び上記第3半導体領域はそれぞれ、上記半導体層に形成され、上記ホトダイオードの平面形状に応じた平面形状を有して形成される第1部分と、上記第1部分上にライン状に形成される複数の第2部分とを有し、上記複数の第2部分は上記第1部分上に全面的に配置される固体撮像装置。
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