JP2002164529A - 固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子およびその製造方法Info
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- JP2002164529A JP2002164529A JP2000360440A JP2000360440A JP2002164529A JP 2002164529 A JP2002164529 A JP 2002164529A JP 2000360440 A JP2000360440 A JP 2000360440A JP 2000360440 A JP2000360440 A JP 2000360440A JP 2002164529 A JP2002164529 A JP 2002164529A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素領域が小型化している状況下であって
も、電荷蓄積容量の減少を補うことができ、感度低下を
抑制できる固体撮像素子を提供する。 【解決手段】 固体撮像素子を構成する画素領域の形成
にあたって、あるエネルギーでのＮ型不純物のイオン注
入によって第一電荷蓄積部２を形成し、その第一電荷蓄
積部２の形成時よりも高エネルギーでのＮ型不純物のイ
オン注入によって第二電荷蓄積部３を形成し、前記画素
領域にて前記第一電荷蓄積部２と前記第二電荷蓄積部３
とを積層させる。
も、電荷蓄積容量の減少を補うことができ、感度低下を
抑制できる固体撮像素子を提供する。 【解決手段】 固体撮像素子を構成する画素領域の形成
にあたって、あるエネルギーでのＮ型不純物のイオン注
入によって第一電荷蓄積部２を形成し、その第一電荷蓄
積部２の形成時よりも高エネルギーでのＮ型不純物のイ
オン注入によって第二電荷蓄積部３を形成し、前記画素
領域にて前記第一電荷蓄積部２と前記第二電荷蓄積部３
とを積層させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、撮像デバイスとし
て用いられる固体撮像素子およびその製造方法に関す
る。
て用いられる固体撮像素子およびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、固体撮像素子としては、複数の
センサ部（画素）がマトリックス状に二次元配列された
ＣＣＤ（Charge Coupled Device）型撮像素子（以下
「ＣＣＤ撮像素子」という）が広く知られている。これ
は、センサ部が、Ｎ型Ｓｉ基板に形成したＰ+ＮＰＮ接
合（埋め込み型）ダイオードの画素構造となっているも
のである。
センサ部（画素）がマトリックス状に二次元配列された
ＣＣＤ（Charge Coupled Device）型撮像素子（以下
「ＣＣＤ撮像素子」という）が広く知られている。これ
は、センサ部が、Ｎ型Ｓｉ基板に形成したＰ+ＮＰＮ接
合（埋め込み型）ダイオードの画素構造となっているも
のである。
【０００３】詳しくは、図４に示すように、二次元配列
の水平方向断面において、図中左側からチャネルストッ
プ１１、垂直転送部１２および垂直転送部バリア１３、
読み出しゲート部１４、センサ部１５の順に、これらが
Ｓｉ基板の表面付近に連続的に形成されている。そし
て、センサ部１５は、Ｎ型Ｓｉ基板２０上に、オーバー
フローバリアを形成するＰ型ウェル２１と、入射光を光
電変換して得られる電荷を蓄積するＮ型層（電荷蓄積
部）２２と、基板表面側に位置する表面Ｐ＋層２３と
が、順に積層されてなる画素構造を有している。また、
垂直転送部１２および読み出しゲート部１４の上方に
は、ポリシリコン（Poly-Si）からなる電極３０が形成
され、垂直転送部１２および読み出しゲート部１４のポ
テンシャルを制御することによって、電荷蓄積部２２に
蓄積された電荷の読み出しおよび転送を行うようになっ
ている。
の水平方向断面において、図中左側からチャネルストッ
プ１１、垂直転送部１２および垂直転送部バリア１３、
読み出しゲート部１４、センサ部１５の順に、これらが
Ｓｉ基板の表面付近に連続的に形成されている。そし
て、センサ部１５は、Ｎ型Ｓｉ基板２０上に、オーバー
フローバリアを形成するＰ型ウェル２１と、入射光を光
電変換して得られる電荷を蓄積するＮ型層（電荷蓄積
部）２２と、基板表面側に位置する表面Ｐ＋層２３と
が、順に積層されてなる画素構造を有している。また、
垂直転送部１２および読み出しゲート部１４の上方に
は、ポリシリコン（Poly-Si）からなる電極３０が形成
され、垂直転送部１２および読み出しゲート部１４のポ
テンシャルを制御することによって、電荷蓄積部２２に
蓄積された電荷の読み出しおよび転送を行うようになっ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、ＣＣ
Ｄ撮像素子に対しては、小型化や多画素化等が強く求め
られており、これに伴ってセンサ部１５もその表面積
（画素領域）が小型化する傾向にある。画素領域の小型
化は、当然に電荷蓄積部２２における電荷の蓄積容量の
減少を招くので、ＣＣＤ撮像素子の感度低下が必然的に
起こってしまうことになる。
Ｄ撮像素子に対しては、小型化や多画素化等が強く求め
られており、これに伴ってセンサ部１５もその表面積
（画素領域）が小型化する傾向にある。画素領域の小型
化は、当然に電荷蓄積部２２における電荷の蓄積容量の
減少を招くので、ＣＣＤ撮像素子の感度低下が必然的に
起こってしまうことになる。
【０００５】このような感度低下に対しては、電荷蓄積
部２２を深くして、基板深さ方向におけるオーバーフロ
ーバリアの位置をより深くすることで、電荷蓄積部２２
での電荷蓄積容量の減少を補うことが有効であると考え
られる。電荷蓄積部２２の深さを増大するためには、そ
の電荷蓄積部２２を形成する際におけるＮ型不純物のイ
オン注入エネルギーをより高くすればよい。つまり、Ｎ
型不純物のイオン注入を高エネルギーで行うほど、オー
バーフローバリアの位置もより深くなる。
部２２を深くして、基板深さ方向におけるオーバーフロ
ーバリアの位置をより深くすることで、電荷蓄積部２２
での電荷蓄積容量の減少を補うことが有効であると考え
られる。電荷蓄積部２２の深さを増大するためには、そ
の電荷蓄積部２２を形成する際におけるＮ型不純物のイ
オン注入エネルギーをより高くすればよい。つまり、Ｎ
型不純物のイオン注入を高エネルギーで行うほど、オー
バーフローバリアの位置もより深くなる。
【０００６】しかしながら、画素領域が小型化している
状況下では、電荷蓄積部２２が深くなるにつれて、その
電荷蓄積部２２が周辺のＰ型不純物領域（Ｐ型ウェル２
１）からの変調を受け易くなる。そのため、電荷蓄積部
２２における空乏領域の基板方向への広がりが抑えられ
てしまい、必ずしも電荷蓄積容量の減少を補えるとはい
えないおそれがある。つまり、単にＮ型不純物のイオン
注入を高エネルギーで行っても、Ｐ型不純物領域からの
変調によって、オーバーフローバリアの位置よりも浅い
位置に擬似的なオーバーフローバリアができてしまい、
結果として電荷蓄積容量の増加が図れないことが考えら
れる。
状況下では、電荷蓄積部２２が深くなるにつれて、その
電荷蓄積部２２が周辺のＰ型不純物領域（Ｐ型ウェル２
１）からの変調を受け易くなる。そのため、電荷蓄積部
２２における空乏領域の基板方向への広がりが抑えられ
てしまい、必ずしも電荷蓄積容量の減少を補えるとはい
えないおそれがある。つまり、単にＮ型不純物のイオン
注入を高エネルギーで行っても、Ｐ型不純物領域からの
変調によって、オーバーフローバリアの位置よりも浅い
位置に擬似的なオーバーフローバリアができてしまい、
結果として電荷蓄積容量の増加が図れないことが考えら
れる。
【０００７】そこで、本発明は、画素領域が小型化して
いる状況下であっても、電荷蓄積容量の減少を補うこと
ができ、感度低下を抑制することが可能となる固体撮像
素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
いる状況下であっても、電荷蓄積容量の減少を補うこと
ができ、感度低下を抑制することが可能となる固体撮像
素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために案出された固体撮像素子である。すなわ
ち、半導体基板を用いた固体撮像素子であって、あるエ
ネルギーでのＮ型不純物のイオン注入によって形成され
た第一電荷蓄積部と、前記第一電荷蓄積部の形成時より
も高エネルギーでのＮ型不純物のイオン注入によって形
成された第二電荷蓄積部とが、積層されてなる画素構造
を備えたことを特徴とするものである。
成するために案出された固体撮像素子である。すなわ
ち、半導体基板を用いた固体撮像素子であって、あるエ
ネルギーでのＮ型不純物のイオン注入によって形成され
た第一電荷蓄積部と、前記第一電荷蓄積部の形成時より
も高エネルギーでのＮ型不純物のイオン注入によって形
成された第二電荷蓄積部とが、積層されてなる画素構造
を備えたことを特徴とするものである。
【０００９】また、本発明は、上記目的を達成するため
に案出された固体撮像素子の製造方法である。すなわ
ち、半導体基板を用いた固体撮像素子の製造方法であっ
て、当該固体撮像素子を構成する画素領域を形成するの
にあたって、あるエネルギーでのＮ型不純物のイオン注
入によって第一電荷蓄積部を形成し、前記第一電荷蓄積
部の形成時よりも高エネルギーでのＮ型不純物のイオン
注入によって第二電荷蓄積部を形成し、前記画素領域に
て前記第一電荷蓄積部と前記第二電荷蓄積部とを積層さ
せることを特徴とする。
に案出された固体撮像素子の製造方法である。すなわ
ち、半導体基板を用いた固体撮像素子の製造方法であっ
て、当該固体撮像素子を構成する画素領域を形成するの
にあたって、あるエネルギーでのＮ型不純物のイオン注
入によって第一電荷蓄積部を形成し、前記第一電荷蓄積
部の形成時よりも高エネルギーでのＮ型不純物のイオン
注入によって第二電荷蓄積部を形成し、前記画素領域に
て前記第一電荷蓄積部と前記第二電荷蓄積部とを積層さ
せることを特徴とする。
【００１０】上記構成の固体撮像素子および上記手順の
製造方法によれば、第一電荷蓄積部と第二電荷蓄積部と
が積層されてなる画素構造によって、電荷蓄積容量が第
二電荷蓄積部の分だけ増加することになる。しかも、そ
の積層構造は、互いに異なるエネルギーでのＮ型不純物
のイオン注入によって形成されているため、単層の場合
に比べてＰ型不純物領域からの変調等を受け難くなり、
空乏領域の基板方向への広がりが抑えられてしまうとい
ったこともなく、確実に電荷蓄積容量の増加が図れるよ
うになる。
製造方法によれば、第一電荷蓄積部と第二電荷蓄積部と
が積層されてなる画素構造によって、電荷蓄積容量が第
二電荷蓄積部の分だけ増加することになる。しかも、そ
の積層構造は、互いに異なるエネルギーでのＮ型不純物
のイオン注入によって形成されているため、単層の場合
に比べてＰ型不純物領域からの変調等を受け難くなり、
空乏領域の基板方向への広がりが抑えられてしまうとい
ったこともなく、確実に電荷蓄積容量の増加が図れるよ
うになる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明に係る
固体撮像素子およびその製造方法について、本発明をＣ
ＣＤ撮像素子に適用した場合を例に挙げて説明する。図
１は本発明に係る固体撮像素子の一例の概略構成を示す
断面図であり、図２はその固体撮像素子のセンサ部にお
ける不純物プロファイルを示す説明図であり、図３はセ
ンサ部の基板深さ方向における不純物濃度のプロファイ
ルを示す説明図である。なお、各図中において、従来の
もの（図４参照）と略同一の構成要素については、同一
の符号を与えて、その詳細な説明を省くものとする。
固体撮像素子およびその製造方法について、本発明をＣ
ＣＤ撮像素子に適用した場合を例に挙げて説明する。図
１は本発明に係る固体撮像素子の一例の概略構成を示す
断面図であり、図２はその固体撮像素子のセンサ部にお
ける不純物プロファイルを示す説明図であり、図３はセ
ンサ部の基板深さ方向における不純物濃度のプロファイ
ルを示す説明図である。なお、各図中において、従来の
もの（図４参照）と略同一の構成要素については、同一
の符号を与えて、その詳細な説明を省くものとする。
【００１２】図１に示すように、本実施形態で説明する
ＣＣＤ撮像素子も、従来のものと略同様に、二次元配列
の水平方向断面において、図中左側からチャネルストッ
プ１１、垂直転送部１２および垂直転送部バリア１３、
読み出しゲート部１４、センサ部１の順に、これらがＳ
ｉ基板の表面付近に連続的に形成されている。さらに、
垂直転送部１２および読み出しゲート部１４の上方に
は、Poly-Si電極３０が形成されている。
ＣＣＤ撮像素子も、従来のものと略同様に、二次元配列
の水平方向断面において、図中左側からチャネルストッ
プ１１、垂直転送部１２および垂直転送部バリア１３、
読み出しゲート部１４、センサ部１の順に、これらがＳ
ｉ基板の表面付近に連続的に形成されている。さらに、
垂直転送部１２および読み出しゲート部１４の上方に
は、Poly-Si電極３０が形成されている。
【００１３】ただし、センサ部１は、従来のものとは異
なり、第一電荷蓄積部２と第二電荷蓄積部３とが積層さ
れてなる画素構造となっている。すなわち、センサ部１
は、Ｎ型Ｓｉ基板２０上に、Ｐ型ウェル２１、第二電荷
蓄積部３、第一電荷蓄積部２、表面Ｐ＋層２３が、順に
積層されてなる画素構造を有している。
なり、第一電荷蓄積部２と第二電荷蓄積部３とが積層さ
れてなる画素構造となっている。すなわち、センサ部１
は、Ｎ型Ｓｉ基板２０上に、Ｐ型ウェル２１、第二電荷
蓄積部３、第一電荷蓄積部２、表面Ｐ＋層２３が、順に
積層されてなる画素構造を有している。
【００１４】このうち、第一電荷蓄積部２は、従来の電
荷蓄積部２２（図４参照）に相当するもので、あるエネ
ルギーでのＮ型不純物のイオン注入によって形成され、
入射光を光電変換して得られる電荷を蓄積するようにな
っている。
荷蓄積部２２（図４参照）に相当するもので、あるエネ
ルギーでのＮ型不純物のイオン注入によって形成され、
入射光を光電変換して得られる電荷を蓄積するようにな
っている。
【００１５】一方、第二電荷蓄積部３は、第一電荷蓄積
部２と同様に、入射光を光電変換して得られる電荷を蓄
積するものであるが、第一電荷蓄積部２の形成時よりも
高エネルギーでのＮ型不純物のイオン注入によって形成
されたものである。これにより、第二電荷蓄積部３は、
第一電荷蓄積部２よりも基板深さ方向（図中矢印参照）
の深い位置に形成されることになる。
部２と同様に、入射光を光電変換して得られる電荷を蓄
積するものであるが、第一電荷蓄積部２の形成時よりも
高エネルギーでのＮ型不純物のイオン注入によって形成
されたものである。これにより、第二電荷蓄積部３は、
第一電荷蓄積部２よりも基板深さ方向（図中矢印参照）
の深い位置に形成されることになる。
【００１６】さらに、第二電荷蓄積部３は、複数の層、
例えば上層３ａ、中層３ｂおよび下層３ｃといった三層
から構成されている。これら上層３ａ、中層３ｂおよび
下層３ｃは、それぞれが互いに異なるエネルギーでの複
数回のＮ型不純物のイオン注入によって形成されたもの
である。
例えば上層３ａ、中層３ｂおよび下層３ｃといった三層
から構成されている。これら上層３ａ、中層３ｂおよび
下層３ｃは、それぞれが互いに異なるエネルギーでの複
数回のＮ型不純物のイオン注入によって形成されたもの
である。
【００１７】つまり、センサ部１の形成時には、Ｎ型Ｓ
ｉ基板２０に対して、先ず、あるエネルギーでＮ型不純
物のイオン注入を行って第一電荷蓄積部２を形成し、次
いで第一電荷蓄積部２の形成時よりも高エネルギーでＮ
型不純物のイオン注入を行って第二電荷蓄積部３の上層
３ａを形成し、さらに上層３ａの形成時よりも高エネル
ギーでＮ型不純物のイオン注入を行って第二電荷蓄積部
３の中層３ｂを形成し、その後中層３ｂの形成時よりも
高エネルギーでＮ型不純物のイオン注入を行って第二電
荷蓄積部３の下層３ｃを形成する。なお、第二電荷蓄積
部３（上層３ａ、中層３ｂおよび下層３ｃ）を形成する
ためのイオン注入にあたっては、詳細を後述するよう
に、第一電荷蓄積部２の形成時と異なるマスクパターン
を用いるものとする。
ｉ基板２０に対して、先ず、あるエネルギーでＮ型不純
物のイオン注入を行って第一電荷蓄積部２を形成し、次
いで第一電荷蓄積部２の形成時よりも高エネルギーでＮ
型不純物のイオン注入を行って第二電荷蓄積部３の上層
３ａを形成し、さらに上層３ａの形成時よりも高エネル
ギーでＮ型不純物のイオン注入を行って第二電荷蓄積部
３の中層３ｂを形成し、その後中層３ｂの形成時よりも
高エネルギーでＮ型不純物のイオン注入を行って第二電
荷蓄積部３の下層３ｃを形成する。なお、第二電荷蓄積
部３（上層３ａ、中層３ｂおよび下層３ｃ）を形成する
ためのイオン注入にあたっては、詳細を後述するよう
に、第一電荷蓄積部２の形成時と異なるマスクパターン
を用いるものとする。
【００１８】このように、本実施形態のＣＣＤ撮像素子
では、第一電荷蓄積部２と第二電荷蓄積部３とが積層さ
れてなる画素構造によって、電荷蓄積容量が第二電荷蓄
積部３の分だけ増加することになる。しかも、第一電荷
蓄積部２と第二電荷蓄積部３とからなる積層構造は、互
いに異なるエネルギーでのＮ型不純物のイオン注入によ
って形成されているため、単層の場合に比べてＰ型不純
物領域（Ｐ型ウェル２１）からの変調等を受け難くな
り、空乏領域の基板方向への広がりが抑えられてしまう
といったこともない。
では、第一電荷蓄積部２と第二電荷蓄積部３とが積層さ
れてなる画素構造によって、電荷蓄積容量が第二電荷蓄
積部３の分だけ増加することになる。しかも、第一電荷
蓄積部２と第二電荷蓄積部３とからなる積層構造は、互
いに異なるエネルギーでのＮ型不純物のイオン注入によ
って形成されているため、単層の場合に比べてＰ型不純
物領域（Ｐ型ウェル２１）からの変調等を受け難くな
り、空乏領域の基板方向への広がりが抑えられてしまう
といったこともない。
【００１９】具体的には、例えば図２に示すように、第
一電荷蓄積部２と第二電荷蓄積部３とからなる積層構造
によって、その第二電荷蓄積部３の分だけ基板深さ方向
におけるオーバーフローバリアの位置が深くなる。
一電荷蓄積部２と第二電荷蓄積部３とからなる積層構造
によって、その第二電荷蓄積部３の分だけ基板深さ方向
におけるオーバーフローバリアの位置が深くなる。
【００２０】ただし、オーバーフローバリアの位置を深
くする（図中右側方向へ移動させる）だけであれば、従
来のように電荷蓄積部２２（図４参照）が単層の場合で
あっても、オーバーフローバリアを形成する際のＰ型不
純物のイオン注入エネルギーを高くすることで実現可能
である。ところが、かかる場合には、Ｐ型不純物領域か
らの変調によって、図中波線で示すように、オーバーフ
ローバリアの位置よりも浅い位置に擬似的なオーバーフ
ローバリアができてしまい、感度として見込める深さが
浅くなってしまうことから（図中Ｂ参照）、電荷蓄積容
量の増加が図れなくなってしまう。
くする（図中右側方向へ移動させる）だけであれば、従
来のように電荷蓄積部２２（図４参照）が単層の場合で
あっても、オーバーフローバリアを形成する際のＰ型不
純物のイオン注入エネルギーを高くすることで実現可能
である。ところが、かかる場合には、Ｐ型不純物領域か
らの変調によって、図中波線で示すように、オーバーフ
ローバリアの位置よりも浅い位置に擬似的なオーバーフ
ローバリアができてしまい、感度として見込める深さが
浅くなってしまうことから（図中Ｂ参照）、電荷蓄積容
量の増加が図れなくなってしまう。
【００２１】これに対して、第一電荷蓄積部２と第二電
荷蓄積部３とからなる積層構造とした場合、すなわちあ
るイオン注入エネルギーにより第一電荷蓄積部２を形成
した後、さらに高いイオン注入エネルギーにより第二電
荷蓄積部３を形成した場合には、その段階的なイオン注
入（追加Ｎ型不純物）によって擬似的なオーバーフロー
バリアを除去することができる。つまり、第一電荷蓄積
部２と第二電荷蓄積部３とからなる積層構造とすれば、
空乏領域の基板方向への広がりが抑えられることなく、
オーバーフローバリアの位置（実際に感度として見込め
る深さ）を深くすることができるので（図中Ａ参照）、
確実に電荷蓄積容量の増加が図れるようになる。
荷蓄積部３とからなる積層構造とした場合、すなわちあ
るイオン注入エネルギーにより第一電荷蓄積部２を形成
した後、さらに高いイオン注入エネルギーにより第二電
荷蓄積部３を形成した場合には、その段階的なイオン注
入（追加Ｎ型不純物）によって擬似的なオーバーフロー
バリアを除去することができる。つまり、第一電荷蓄積
部２と第二電荷蓄積部３とからなる積層構造とすれば、
空乏領域の基板方向への広がりが抑えられることなく、
オーバーフローバリアの位置（実際に感度として見込め
る深さ）を深くすることができるので（図中Ａ参照）、
確実に電荷蓄積容量の増加が図れるようになる。
【００２２】特に、上述したように第二電荷蓄積部３が
例えば上層３ａ、中層３ｂおよび下層３ｃといった複数
の層から構成されており、それぞれが互いに異なるイオ
ン注入エネルギーにより形成されたものであれば、より
一層電荷蓄積容量の増加を図る上で好適なものとなる。
これは、第二電荷蓄積部３を構成する各層を形成する際
のイオン注入エネルギーに応じて、基板深さ方向におけ
る擬似的なオーバーフローバリアの除去位置を制御でき
るからである。すなわち、上層３ａ、中層３ｂ、下層３
ｃといった各層を段階的に形成することで、基板深さ方
向の広い範囲にわたって擬似的なオーバーフローバリア
を除去できるようになり、結果としてオーバーフローバ
リアの位置を確実に深くすることができるからである。
例えば上層３ａ、中層３ｂおよび下層３ｃといった複数
の層から構成されており、それぞれが互いに異なるイオ
ン注入エネルギーにより形成されたものであれば、より
一層電荷蓄積容量の増加を図る上で好適なものとなる。
これは、第二電荷蓄積部３を構成する各層を形成する際
のイオン注入エネルギーに応じて、基板深さ方向におけ
る擬似的なオーバーフローバリアの除去位置を制御でき
るからである。すなわち、上層３ａ、中層３ｂ、下層３
ｃといった各層を段階的に形成することで、基板深さ方
向の広い範囲にわたって擬似的なオーバーフローバリア
を除去できるようになり、結果としてオーバーフローバ
リアの位置を確実に深くすることができるからである。
【００２３】したがって、本実施形態のＣＣＤ撮像素子
では、空乏領域の基板方向への広がりが抑えられること
なく、オーバーフローバリアの位置を深くできることか
ら、画素領域が小型化している状況下であっても、電荷
蓄積容量の減少を補うことができ、画素領域の小型化に
伴う感度低下を抑制することが可能となる。その上、基
板深さ方向に空乏領域を拡大することにより、当該深さ
方向の基板の深いところで光電変換された電子（長波長
成分、図中ｅ-参照）をセンサ部１に蓄積することがで
きるため、可視光の長波長成分感度の増加にも有効であ
ると考えられる。さらには、スミア成分の原因にもなる
基板方向の深いところで発生した電子をセンサ部１に蓄
積できるため、スミアの低減にも有効であると考えられ
る。
では、空乏領域の基板方向への広がりが抑えられること
なく、オーバーフローバリアの位置を深くできることか
ら、画素領域が小型化している状況下であっても、電荷
蓄積容量の減少を補うことができ、画素領域の小型化に
伴う感度低下を抑制することが可能となる。その上、基
板深さ方向に空乏領域を拡大することにより、当該深さ
方向の基板の深いところで光電変換された電子（長波長
成分、図中ｅ-参照）をセンサ部１に蓄積することがで
きるため、可視光の長波長成分感度の増加にも有効であ
ると考えられる。さらには、スミア成分の原因にもなる
基板方向の深いところで発生した電子をセンサ部１に蓄
積できるため、スミアの低減にも有効であると考えられ
る。
【００２４】ところで、本実施形態のＣＣＤ撮像素子に
おいて、第二電荷蓄積部３を構成する上層３ａ、中層３
ｂおよび下層３ｃといった各層は、イオン注入エネルギ
ーのみならず、イオン注入されたＮ型不純物の濃度も互
いに異なっている。詳しくは、基板深さ方向で深いとこ
ろほど不純物濃度が薄くなっている。すなわち、第二電
荷蓄積部３を形成すべくＮ型不純物のイオン注入を行う
際には、上層３ａ、中層３ｂ、下層３ｃといった順に、
イオン注入するＮ型不純物の濃度を薄くする。
おいて、第二電荷蓄積部３を構成する上層３ａ、中層３
ｂおよび下層３ｃといった各層は、イオン注入エネルギ
ーのみならず、イオン注入されたＮ型不純物の濃度も互
いに異なっている。詳しくは、基板深さ方向で深いとこ
ろほど不純物濃度が薄くなっている。すなわち、第二電
荷蓄積部３を形成すべくＮ型不純物のイオン注入を行う
際には、上層３ａ、中層３ｂ、下層３ｃといった順に、
イオン注入するＮ型不純物の濃度を薄くする。
【００２５】これは、基板深さ方向に空乏領域を拡大す
るのにあたり、イオン注入するＮ型不純物濃度を基板深
さ方向で変えることにより、センサ部１分の不純物プロ
ファイルにおけるＮ型不純物濃度のピーク位置を、基板
深さ方向の浅い位置に形成して、読み出し電圧の増加を
抑制するためである。
るのにあたり、イオン注入するＮ型不純物濃度を基板深
さ方向で変えることにより、センサ部１分の不純物プロ
ファイルにおけるＮ型不純物濃度のピーク位置を、基板
深さ方向の浅い位置に形成して、読み出し電圧の増加を
抑制するためである。
【００２６】具体的には、上層３ａ、中層３ｂおよび下
層３ｃといった各層で不純物濃度を変えることで、例え
ば図３に示すように、図中波線で示すような従来のもの
に比べて、図中実線で示すようにプロファイルの傾きを
緩やかにする。このようにしないと、オーバーフローバ
リアの位置が基板深さ方向で深くなるにつれて、Ｎ型領
域のポテンシャル極小点ΦＳ（センサポテンシャル）の
位置も深くなってしまい、その結果電荷の読み出しに大
きな電圧が必要になってしまうからである。つまり、各
層で不純物濃度を変えて不純物プロファイルの傾きを緩
やかにすることで、読み出し電圧の増加を抑制し得るよ
うになるので、画素構造の積層化によって電荷蓄積容量
が増加した場合であっても、その増加に伴う弊害、すな
わちオーバーフローバリアの位置が深くなることによる
読み出し電圧の増加を、極力解消することができるよう
になる。
層３ｃといった各層で不純物濃度を変えることで、例え
ば図３に示すように、図中波線で示すような従来のもの
に比べて、図中実線で示すようにプロファイルの傾きを
緩やかにする。このようにしないと、オーバーフローバ
リアの位置が基板深さ方向で深くなるにつれて、Ｎ型領
域のポテンシャル極小点ΦＳ（センサポテンシャル）の
位置も深くなってしまい、その結果電荷の読み出しに大
きな電圧が必要になってしまうからである。つまり、各
層で不純物濃度を変えて不純物プロファイルの傾きを緩
やかにすることで、読み出し電圧の増加を抑制し得るよ
うになるので、画素構造の積層化によって電荷蓄積容量
が増加した場合であっても、その増加に伴う弊害、すな
わちオーバーフローバリアの位置が深くなることによる
読み出し電圧の増加を、極力解消することができるよう
になる。
【００２７】また、本実施形態のＣＣＤ撮像素子におい
て、第一電荷蓄積部２と第二電荷蓄積部３とは、イオン
注入エネルギーおよび不純物濃度のみならず、Ｎ型不純
物のイオン注入時に用いられるマスクパターンも異なっ
ている。詳しくは、図１からも明らかなように、第二電
荷蓄積部３については、第一電荷蓄積部２の形成時より
も狭い領域、すなわちセンサ部１の開口画素領域よりも
狭めた領域に対して、Ｎ型不純物のイオン注入を行うよ
うにする。
て、第一電荷蓄積部２と第二電荷蓄積部３とは、イオン
注入エネルギーおよび不純物濃度のみならず、Ｎ型不純
物のイオン注入時に用いられるマスクパターンも異なっ
ている。詳しくは、図１からも明らかなように、第二電
荷蓄積部３については、第一電荷蓄積部２の形成時より
も狭い領域、すなわちセンサ部１の開口画素領域よりも
狭めた領域に対して、Ｎ型不純物のイオン注入を行うよ
うにする。
【００２８】これは、第二電荷蓄積部３については、第
一電荷蓄積部２の形成時よりも高エネルギーでイオン注
入を行うが、高エネルギーで打たれたイオンは拡散し易
いことから、そのイオン注入を第一電荷蓄積部２の形成
時、すなわち開口画素領域と同等の面積に対して行う
と、センサ領域が開口画素領域より広がりを持ってしま
い、例えば垂直転送部１２よりも基板深さ方向の深いと
ころで、隣接する画素との間で蓄積電荷が混ざり合っ
て、いわゆる混色が起こるおそれが高くなるからであ
る。このことは、特に画素領域が小型化している状況下
において顕著となる。
一電荷蓄積部２の形成時よりも高エネルギーでイオン注
入を行うが、高エネルギーで打たれたイオンは拡散し易
いことから、そのイオン注入を第一電荷蓄積部２の形成
時、すなわち開口画素領域と同等の面積に対して行う
と、センサ領域が開口画素領域より広がりを持ってしま
い、例えば垂直転送部１２よりも基板深さ方向の深いと
ころで、隣接する画素との間で蓄積電荷が混ざり合っ
て、いわゆる混色が起こるおそれが高くなるからであ
る。このことは、特に画素領域が小型化している状況下
において顕著となる。
【００２９】したがって、本実施形態のＣＣＤ撮像素子
では、基板深さ方向の深いところで蓄積電荷が混ざり合
わないように、第二電荷蓄積部３の形成時に、第一電荷
蓄積部２の形成時、すなわち開口画素領域よりも狭めた
領域に対して高エネルギーでのイオン注入を行う。そう
することにより、センサ部１の空乏領域が基板深さ方向
に深く延び、高エネルギーで打たれたイオンが拡散によ
り平面方向に広がっても、電荷を蓄積したときに隣接す
る画素と電荷が混ざり合うことを抑えることができる。
では、基板深さ方向の深いところで蓄積電荷が混ざり合
わないように、第二電荷蓄積部３の形成時に、第一電荷
蓄積部２の形成時、すなわち開口画素領域よりも狭めた
領域に対して高エネルギーでのイオン注入を行う。そう
することにより、センサ部１の空乏領域が基板深さ方向
に深く延び、高エネルギーで打たれたイオンが拡散によ
り平面方向に広がっても、電荷を蓄積したときに隣接す
る画素と電荷が混ざり合うことを抑えることができる。
【００３０】第二電荷蓄積部３が例えば上層３ａ、中層
３ｂおよび下層３ｃといった複数の層から構成されてい
る場合には、各層毎にマスクパターンが異なるようにす
ることが考えられる。具体的には、基板深さ方向で深い
ところほど狭い領域に対してＮ型不純物のイオン注入を
行うようにする。すなわち、第二電荷蓄積部３を形成す
べくＮ型不純物のイオン注入を行う際には、上層３ａ、
中層３ｂ、下層３ｃといった順に、そのイオン注入を行
う領域を狭くする。
３ｂおよび下層３ｃといった複数の層から構成されてい
る場合には、各層毎にマスクパターンが異なるようにす
ることが考えられる。具体的には、基板深さ方向で深い
ところほど狭い領域に対してＮ型不純物のイオン注入を
行うようにする。すなわち、第二電荷蓄積部３を形成す
べくＮ型不純物のイオン注入を行う際には、上層３ａ、
中層３ｂ、下層３ｃといった順に、そのイオン注入を行
う領域を狭くする。
【００３１】このように、高いエネルギーを打つにつれ
てそのイオン注入面積を狭めるようにすれば、エネルギ
ーを変えて打つ各領域に対するコントロールによって、
センサ部１の空乏領域が基板深さ方向により深く延びて
も、隣接する画素との間で電荷が混ざり合うのを確実に
抑えることができる。したがって、センサ部１の空乏領
域を広げ、感度向上を図る上で、非常に好適なものとな
る。
てそのイオン注入面積を狭めるようにすれば、エネルギ
ーを変えて打つ各領域に対するコントロールによって、
センサ部１の空乏領域が基板深さ方向により深く延びて
も、隣接する画素との間で電荷が混ざり合うのを確実に
抑えることができる。したがって、センサ部１の空乏領
域を広げ、感度向上を図る上で、非常に好適なものとな
る。
【００３２】なお、本実施形態では、第二電荷蓄積部３
が上層３ａ、中層３ｂおよび下層３ｃといった複数の層
から構成されている場合を例に挙げて説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、第二電荷蓄積部３
が一つの層からなるものであってもよいことは勿論であ
る。また、第二電荷蓄積部３が複数の層からなる場合
も、本実施形態で説明したような三層構造に限定される
ものではない。すなわち、第二電荷蓄積部３を構成する
層数は、形成するセンサ部１の基板深さ方向の深さや除
去すべき擬似的なオーバーフローバリアの発生位置等に
応じて適宜決定すればよい。
が上層３ａ、中層３ｂおよび下層３ｃといった複数の層
から構成されている場合を例に挙げて説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、第二電荷蓄積部３
が一つの層からなるものであってもよいことは勿論であ
る。また、第二電荷蓄積部３が複数の層からなる場合
も、本実施形態で説明したような三層構造に限定される
ものではない。すなわち、第二電荷蓄積部３を構成する
層数は、形成するセンサ部１の基板深さ方向の深さや除
去すべき擬似的なオーバーフローバリアの発生位置等に
応じて適宜決定すればよい。
【００３３】さらに、第二電荷蓄積部３が複数の層から
なる場合には、本実施形態で説明したように、イオン注
入するＮ型不純物の濃度およびイオン注入面積が異なる
ようにすることが好ましいが、これらは必ずしも各層毎
に異なっていなくてもよい。つまり、Ｎ型不純物の濃度
およびイオン注入面積は、各層毎ではなく、複数層毎に
異なるようにしても良く、その場合であっても本実施形
態で説明したような効果を得ることができる。
なる場合には、本実施形態で説明したように、イオン注
入するＮ型不純物の濃度およびイオン注入面積が異なる
ようにすることが好ましいが、これらは必ずしも各層毎
に異なっていなくてもよい。つまり、Ｎ型不純物の濃度
およびイオン注入面積は、各層毎ではなく、複数層毎に
異なるようにしても良く、その場合であっても本実施形
態で説明したような効果を得ることができる。
【００３４】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明に係る固
体撮像素子およびその製造方法によれば、第一電荷蓄積
部と第二電荷蓄積部とが積層されてなる画素構造によっ
て、電荷蓄積容量が第二電荷蓄積部の分だけ増加するこ
とになる。しかも、その積層構造は、互いに異なるエネ
ルギーでのＮ型不純物のイオン注入によって形成されて
いるため、単層の場合に比べてＰ型不純物領域からの変
調等を受け難くなり、空乏領域の基板方向への広がりが
抑えられてしまうといったこともなく、確実に電荷蓄積
容量の増加が図れるようになる。したがって、固体撮像
素子の画素領域が小型化している状況下であっても、電
荷蓄積容量の減少を補うことができ、感度低下を抑制す
ることが可能となるので、特に小型化や多画素化等への
対応を実現する固体撮像素子に用いて非常に好適なもの
となる。
体撮像素子およびその製造方法によれば、第一電荷蓄積
部と第二電荷蓄積部とが積層されてなる画素構造によっ
て、電荷蓄積容量が第二電荷蓄積部の分だけ増加するこ
とになる。しかも、その積層構造は、互いに異なるエネ
ルギーでのＮ型不純物のイオン注入によって形成されて
いるため、単層の場合に比べてＰ型不純物領域からの変
調等を受け難くなり、空乏領域の基板方向への広がりが
抑えられてしまうといったこともなく、確実に電荷蓄積
容量の増加が図れるようになる。したがって、固体撮像
素子の画素領域が小型化している状況下であっても、電
荷蓄積容量の減少を補うことができ、感度低下を抑制す
ることが可能となるので、特に小型化や多画素化等への
対応を実現する固体撮像素子に用いて非常に好適なもの
となる。
【図１】本発明に係る固体撮像素子の一例の概略構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明に係る固体撮像素子のセンサ部における
不純物プロファイルの一例を示す説明図である。
不純物プロファイルの一例を示す説明図である。
【図３】本発明に係る固体撮像素子のセンサ部の基板方
向深さにおける不純物濃度のプロファイルの一例を示す
説明図である。
向深さにおける不純物濃度のプロファイルの一例を示す
説明図である。
【図４】従来の固体撮像素子の一例の概略構成を示す断
面図である。
面図である。
１…センサ部、２…第一電荷蓄積部、３…第二電荷蓄積
部、３ａ…上層、３ｂ…中層、３ｃ…下層
部、３ａ…上層、３ｂ…中層、３ｃ…下層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M118 AA01 AB01 BA10 CA03 CA18 CA19 FA06 FA13 FA26 FA33 FA47 5C024 CX41 CY47 GX03 GX07 GY20 HX01 HX41
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体基板を用いた固体撮像素子であっ
て、 あるエネルギーでのＮ型不純物のイオン注入によって形
成された第一電荷蓄積部と、 前記第一電荷蓄積部の形成時よりも高エネルギーでのＮ
型不純物のイオン注入によって形成された第二電荷蓄積
部とが、 積層されてなる画素構造を備えたことを特徴とする固体
撮像素子。 - 【請求項２】 前記第二電荷蓄積部は、複数の層から構
成されているとともに、各層が互いに異なるエネルギー
でのＮ型不純物のイオン注入によって形成されたもので
あることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。 - 【請求項３】 前記第二電荷蓄積部を構成する複数の層
は、イオン注入されたＮ型不純物の濃度が互いに異なっ
ていることを特徴とする請求項２記載の固体撮像素子。 - 【請求項４】 前記第二電荷蓄積部は、前記第一電荷蓄
積部の形成時よりも狭い面積に対するＮ型不純物のイオ
ン注入によって形成されたものであることを特徴とする
請求項１記載の固体撮像素子。 - 【請求項５】 前記第二電荷蓄積部は、Ｎ型不純物のイ
オン注入時のエネルギーが異なる複数の層から構成され
ているとともに、 前記複数の層は、イオン注入時のエネルギーが高い層ほ
ど当該イオン注入がより狭い面積に対して行われている
ことを特徴とする請求項４記載の固体撮像素子。 - 【請求項６】 半導体基板を用いた固体撮像素子の製造
方法であって、 当該固体撮像素子を構成する画素領域を形成するのにあ
たって、あるエネルギーでのＮ型不純物のイオン注入に
よって第一電荷蓄積部を形成し、 前記第一電荷蓄積部の形成時よりも高エネルギーでのＮ
型不純物のイオン注入によって第二電荷蓄積部を形成
し、 前記画素領域にて前記第一電荷蓄積部と前記第二電荷蓄
積部とを積層させることを特徴とする固体撮像素子の製
造方法。 - 【請求項７】 前記第二電荷蓄積部の形成にあたって、
互いに異なるエネルギーで複数回のＮ型不純物のイオン
注入を行うことを特徴とする請求項６記載の固体撮像素
子の製造方法。 - 【請求項８】 前記第二電荷蓄積部を形成するための複
数回のイオン注入は、イオン注入するＮ型不純物の濃度
が互いに異なっていることを特徴とする請求項７記載の
固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項９】 前記第二電荷蓄積部の形成にあたって、
前記第一電荷蓄積部の形成時よりも狭い面積に対してＮ
型不純物のイオン注入を行うことを特徴とする請求項６
記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項１０】 前記第二電荷蓄積部の形成にあたっ
て、互いに異なるエネルギーで複数回のＮ型不純物のイ
オン注入を行う前記複数回のイオン注入は、イオン注入
時のエネルギーが高いほど当該イオン注入をより狭い面
積に対して行うことを特徴とする請求項９記載の固体撮
像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000360440A JP2002164529A (ja) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000360440A JP2002164529A (ja) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002164529A true JP2002164529A (ja) | 2002-06-07 |
Family
ID=18832041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000360440A Pending JP2002164529A (ja) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002164529A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005167187A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-23 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2013048132A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
| US8618623B2 (en) | 2010-06-14 | 2013-12-31 | Sony Corporation | Solid-state image pickup device and method for manufacturing same, and image pickup apparatus |
| US9437764B2 (en) | 2013-06-13 | 2016-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and method for manufacturing photoelectric conversion device |
| WO2019202858A1 (ja) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および撮像素子の製造方法 |
| WO2020149226A1 (ja) * | 2019-01-16 | 2020-07-23 | ソニー株式会社 | 撮像装置組立体、３次元形状測定装置及び動き検出装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000164839A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
-
2000
- 2000-11-28 JP JP2000360440A patent/JP2002164529A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000164839A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005167187A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-23 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| US8618623B2 (en) | 2010-06-14 | 2013-12-31 | Sony Corporation | Solid-state image pickup device and method for manufacturing same, and image pickup apparatus |
| JP2013048132A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
| US9437764B2 (en) | 2013-06-13 | 2016-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and method for manufacturing photoelectric conversion device |
| WO2019202858A1 (ja) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および撮像素子の製造方法 |
| TWI806991B (zh) * | 2018-04-16 | 2023-07-01 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 攝像元件及攝像元件之製造方法 |
| US11916095B2 (en) | 2018-04-16 | 2024-02-27 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device and method of manufacturing imaging device |
| WO2020149226A1 (ja) * | 2019-01-16 | 2020-07-23 | ソニー株式会社 | 撮像装置組立体、３次元形状測定装置及び動き検出装置 |
| JP7362670B2 (ja) | 2019-01-16 | 2023-10-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置組立体、３次元形状測定装置及び動き検出装置 |
| US11895406B2 (en) | 2019-01-16 | 2024-02-06 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device assembly, three-dimensional shape measuring device, and motion detecting device |
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