CN113167914B - 放射线检测器、放射线图像摄影装置及制造方法 - Google Patents

放射线检测器、放射线图像摄影装置及制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种放射线检测器、放射线图像摄影装置及制造方法，其中，所述放射线检测器具备：TFT基板，在可挠性基材的第1面的像素区域形成有蓄积根据从放射线转换的光产生的电荷的多个像素，并且在第1面的端子区域设置有用于电连接柔性电缆的端子；转换层，设置于基材的第1面中的端子区域外且将放射线转换成光；第1补强基板，设置于转换层中的TFT基板侧的面的相反侧的面上且刚性高于基材；及第2补强基板，设置于基材的第1面的相反侧的第2面且覆盖大于第1补强基板的面，所述放射线检测器能够抑制在基板上产生缺陷且再加工性优异。

Description

放射线检测器、放射线图像摄影装置及制造方法
技术领域
本发明涉及一种放射线检测器、放射线图像摄影装置及制造方法。
背景技术
以往，已知一种以医疗诊断为目的而进行放射线摄影的放射线图像摄影装置。在这些放射线图像摄影装置中使用用于检测透射了被摄体的放射线而生成放射线图像的放射线检测器(例如，参考日本特开2009-133837号公报及日本特开2012-220659号公报)。
作为这种放射线检测器，存在如下，其具备：闪烁器等转换层，将放射线转换成光；及基板，在基材的像素区域设置有蓄积根据由转换层转换的光产生的电荷的多个像素。作为这种放射线检测器的基板的基材，已知有使用了可挠性基材，可挠性基材中连接有用于读取蓄积于像素的电荷的电缆。通过使用可挠性基材，例如能够使放射线图像摄影装置(放射线检测器)轻型化，并且有时容易拍摄被摄体。
发明内容
发明要解决的技术课题
在使用了可挠性基材的放射线图像摄影装置的工序的中途等中，受可挠性基材挠曲的影响而导致转换层从基板剥离或者像素损坏等，存在放射线检测器的基板上产生缺陷的忧虑。
在日本特开2009-133837号公报中所记载的技术中，在转换层中的与基板侧的面对置的一侧的面上设置有覆盖转换层的电磁屏蔽层。并且，在日本特开2012-220659号公报中所记载的技术中，在转换层中的与基板侧的面对置的一侧的面上设置有支撑转换层的支撑体。然而，在日本特开2009-133837号公报及日本特开2012-220659号公报中所记载的技术中，未考虑到放射线检测器的基材挠曲的情况，也未考虑到由于基材挠曲而在基板上产生缺陷的情况。因此，在日本特开2009-133837号公报中的电磁屏蔽层或日本特开2012-220659号公报中的支撑体中，存在无法充分地抑制因使用了可挠性基材的影响而产生的基板的缺陷的忧虑。
并且，有时由于与基材连接的电缆的连接不良等而需要对电缆进行再加工。在基板的转换层侧设置了补强基板的状态下，进行再加工时补强基板成为障碍，有时再加工性降低。
本发明提供一种能够抑制在基板上产生缺陷且再加工性优异的放射线检测器、放射线图像摄影装置及制造方法。
用于解决技术课题的手段
本发明的第1方式的放射线检测器具备：基板，在可挠性基材的第1面的像素区域形成有蓄积根据从放射线转换的光产生的电荷的多个像素，并且在第1面的端子区域设置有用于电连接电缆的端子；转换层，设置于基材的第1面中的端子区域外且将放射线转换成光；第1补强基板，设置于转换层中的基板侧的面的相反侧的面且刚性高于基材；及第2补强基板，设置于基材的第1面的相反侧的第2面且覆盖大于第1补强基板的面，
本发明的第2方式的放射线检测器在第1方式的放射线检测器中，端子区域包括由第1补强基板覆盖的第1区域及没有被第1补强基板覆盖的第2区域。
本发明的第3方式的放射线检测器在第2方式的放射线检测器中，第1区域小于第2区域。
本发明的第4方式的放射线检测器在第2方式或第3方式的放射线检测器中，第1区域中的基材的内部侧的一端部至基材的外缘侧的另一端部的长度为端子区域中的基材的内部侧的一端部至基材的外缘侧的另一端部的长度的1/4以下。
本发明的第5方式的放射线检测器在第1方式的放射线检测器中，第1补强基板在与端子区域对应的位置设置有切口部。
本发明的第6方式的放射线检测器在第1方式至第3方式中的任一方式的放射线检测器中，第2补强基板的刚性高于基材。
本发明的第7方式的放射线检测器在第1方式至第3方式中的任一方式的放射线检测器中，第1补强基板及第2补强基板中的至少一者为使用了弯曲弹性模量为1000MPa以上且2500MPa以下的材料的补强基板。
本发明的第8方式的放射线检测器在第1方式至第3方式中的任一方式的放射线检测器中，第1补强基板及第2补强基板中的至少一者包含具有降伏点(Yield point)的材料。
本发明的第9方式的放射线检测器在第8方式的放射线检测器中，具有降伏点的材料为聚碳酸酯及聚对苯二甲酸丁二醇酯中的至少一个。
本发明的第10方式的放射线检测器在第1方式至第3方式中的任一方式的放射线检测器中，第1补强基板的热膨胀系数相对于转换层的热膨胀系数的比为0.5以上且2以下。
本发明的第11方式的放射线检测器在第1方式至第3方式中的任一方式的放射线检测器中，第1补强基板的热膨胀系数为30ppm/K以上且80ppm/K以下。
本发明的第12方式的放射线检测器在第1方式至第3方式中的任一方式的放射线检测器中，基材的第2面的大小大于第2补强基板的与第2面对置的面的大小。
本发明的第13方式的放射线检测器在第1方式至第3方式中的任一方式的放射线检测器中，第2补强基板具有在层叠于基板的层叠方向上层叠的多个层且多个层的一部分的大小大于第2面的大小。
本发明的第14方式的放射线检测器在第1方式至第3方式中的任一方式的放射线检测器中，基材的第2面的大小小于第2补强基板的与第2面对置的面的大小。
本发明的第15方式的放射线检测器在第1方式至第3方式中的任一方式的放射线检测器中，基材的端部的至少一部分位于比第2补强基板的端部更靠外部的位置。
本发明的第16方式的放射线检测器在第1方式至第3方式中的任一方式的放射线检测器中，还具备设置于基板与转换层之间且缓冲转换层的热膨胀系数与基板的热膨胀系数的差的缓冲层。
本发明的第17方式的放射线检测器在第1方式至第3方式中的任一方式的放射线检测器中，基材为树脂制，并且具有包含平均粒径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机的微粒的微粒层。
本发明的第18方式的放射线检测器在第17方式的放射线检测器中，基材在第2面侧具有微粒层。
本发明的第19方式的放射线检测器在第17方式的放射线检测器中，微粒包含原子序数大于构成基材的元素且原子序数为30以下的元素。
本发明的第20方式的放射线检测器在第1方式至第3方式中的任一方式的放射线检测器中，基材在300℃～400℃下的热膨胀系数为20ppm/K以下。
本发明的第21方式的放射线检测器在第1方式至第3方式中的任一方式的放射线检测器中，在厚度为25μm的状态下，基材满足400℃下的热收缩率为0.5％以下及500℃下的弹性模量为1GPa以上中的至少一者。
本发明的第22方式的放射线检测器在第1方式至第3方式中的任一方式的放射线检测器中，转换层包含CsI的柱状晶体。
并且，本发明的第23方式的放射线图像摄影装置具备：第1方式至第3方式中的任一方式的放射线检测器；控制部，输出用于读取蓄积于多个像素的电荷的控制信号；及电路部，通过电缆与放射线检测器电连接且根据控制信号从多个像素读取电荷。
本发明的第24方式的放射线图像摄影装置在第23方式的放射线图像摄影装置中，还具备具有放射线所照射的照射面且以放射线检测器中的基板及转换层中基板与照射面对置的状态容纳放射线检测器的框体。
并且，本发明的第25方式的制造方法为放射线检测器的制造方法，该方法包括：在支撑体设置可挠性基材来形成在基材的第1面的像素区域设置有蓄积根据从放射线转换的光产生的电荷的多个像素的基板的工序；在基材的第1面的端子区域外形成将放射线转换成光的转换层的工序；在转换层的与基板侧的面对置的一侧的面的相反侧的面设置刚性高于基材的第1补强基板的工序；从支撑体剥离设置有转换层及第1补强基板的基板的工序；及在从支撑体剥离的基板中的基材的第1面的相反侧的第2面设置覆盖大于第1补强基板的面的第2补强基板的工序。
发明效果
根据本发明能够抑制在基板上产生缺陷且再加工性优异。
附图说明
图1是表示第1实施方式的放射线检测器中的TFT(Thin Film Transistor，薄膜电晶体)基板的构成的一例的构成图。
图2是从设置有转换层的一侧观察第1实施方式的放射线检测器的一例的俯视图。
图3是图2所示的放射线检测器的A-A线剖视图。
图4A是用于说明基材的一例的剖视图。
图4B是用于说明由于透射了被摄体的放射线而在具有微粒层的基材内产生的后方散射线的说明图。
图4C是用于说明由于透射了被摄体的放射线而在不具有微粒层的基材内产生的后方散射线的说明图。
图5是从TFT基板的第1面侧观察第1实施方式的放射线检测器的一例的俯视图。
图6A是说明第1实施方式的放射线检测器的制造方法的工序的一例的图。
图6B是说明图6A所示的工序的下一工序的一例的图。
图6C是说明图6B所示的工序的下一工序的一例的图。
图6D是说明图6C所示的工序的下一工序的一例的图。
图6E是说明图6D所示的工序的下一工序的一例的图。
图7是从设置有转换层的一侧观察第2实施方式的放射线检测器的一例的俯视图。
图8是图7所示的放射线检测器的A-A线剖视图。
图9是从设置有转换层的一侧观察第3实施方式的放射线检测器的一例的俯视图。
图10A是图9所示的放射线检测器的A-A线剖视图。
图10B是图9所示的放射线检测器的B-B线剖视图。
图11A是在第3实施方式的放射线检测器中设置了间隔物的情况下的一例的A-A线剖视图。
图11B是在第3实施方式的放射线检测器中设置了间隔物的情况下的一例的B-B线剖视图。
图12是表示实施方式的放射线检测器的另一例的剖视图。
图13A是表示在实施方式的放射线检测器中第2补强基板的大小不同的方式的一例的剖视图。
图13B是表示在实施方式的放射线检测器中由多个层构成第2补强基板的一例的剖视图。
图13C是表示在实施方式的放射线检测器中由多个层构成第2补强基板的另一例的剖视图。
图14是表示在实施方式的放射线检测器中第2补强基板的大小不同的方式的另一例的剖视图。
图15是针对实施方式的放射线检测器的另一例的一像素部分的剖视图。
图16是表示适用实施方式的放射线检测器的放射线图像摄影装置的一例的截面的剖视图。
图17是表示适用实施方式的放射线检测器的放射线图像摄影装置的另一例的截面的剖视图。
图18是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图19是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图20是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图21是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图22是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图23是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图24A是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图24B是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图25是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图26是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图27是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图28A是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图28B是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图29是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图30是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图31是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图32是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图33A是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图33B是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图34是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图35是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图36是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图37是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图38A是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图38B是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图39是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图40是表示公开的技术的实施方式的第1补强基板的结构的一例的俯视图。
图41是表示公开的技术的实施方式的第1补强基板的结构的一例的立体图。
图42是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图43是表示公开的技术的实施方式的第1补强基板的结构的一例的俯视图。
图44是表示公开的技术的实施方式的第1补强基板的结构的一例的俯视图。
图45是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图46是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图47是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图48是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图49是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图50是表示公开的技术的实施方式的放射线检测器的构成的一例的剖视图。
图51是表示公开的技术的实施方式的放射线图像摄影装置的构成的一例的剖视图。
图52是表示公开的技术的实施方式的放射线图像摄影装置的构成的一例的剖视图。
图53是表示公开的技术的实施方式的放射线图像摄影装置的构成的一例的剖视图。
图54是表示公开的技术的实施方式的放射线图像摄影装置的构成的一例的剖视图。
图55是表示公开的技术的实施方式的放射线图像摄影装置的构成的一例的剖视图。
图56是表示公开的技术的实施方式的放射线图像摄影装置的构成的一例的剖视图。
图57是表示公开的技术的实施方式的放射线图像摄影装置的构成的一例的剖视图。
具体实施方式
以下，参考附图对本发明的实施方式进行详细说明。另外，本实施方式并不限定本发明。
[第1实施方式]
本实施方式的放射线检测器具有检测透射了被摄体的放射线并输出表示被摄体的放射线图像的图像信息的功能。本实施方式的放射线检测器具备TFT(Thin FilmTransistor)基板及将放射线转换成光的转换层(参考图4的放射线检测器10的TFT基板12及转换层14)。
首先，参考图1对本实施方式的放射线检测器中的TFT基板12的构成的一例进行说明。另外，本实施方式的TFT基板12为在基材11的像素区域35上形成有包含多个像素30的像素阵列31的基板。因此，以下将“像素区域35”的表述用作与“像素阵列31”相同含义。本实施方式的TFT基板12为公开的技术的基板的一例。
各个像素30包括传感器部34及开关元件32。传感器部34根据由转换层转换的光产生电荷并蓄积。开关元件32读取在传感器部34中蓄积的电荷。本实施方式中，作为一例，将薄膜电晶体TFT)用作开关元件32。因此，以下将开关元件32称为“TFT32”。
多个像素30在TFT基板12的像素区域35上沿一个方向(与图1的横向对应的扫描配线方向，以下也称为“行方向”)及与行方向交叉的方向(与图1的纵向对应的信号配线方向，以下也称为“列方向”)二维状配置。图1中，简化示出了像素30的排列，例如像素30在行方向及列方向上配置有1024个×1024个。
并且，放射线检测器10中彼此交叉地设置有用于控制TFT32的开关状态(导通及关断)的多个扫描配线38和针对像素30的每一列设置的读取蓄积于传感器部34中的电荷的多个信号配线36。多个扫描配线38的每一个分别经由柔性电缆112(参考图3及图5)与放射线检测器10的外部的驱动部103(参考图5)连接，由此从驱动部103输出的控制TFT32的开关状态的控制信号流动。并且，多个信号配线36的每一个分别经由柔性电缆112(参考图3及图5)与放射线检测器10的外部的信号处理部104(参考图5)连接，由此从各像素30读取的电荷输出至信号处理部104。
并且，为了对各像素30施加偏压，各像素30的传感器部34中，在信号配线36的配线方向上设置有共用配线39。共用配线39经由设置于TFT基板12上的端子(省略图示)与放射线检测器10的外部的偏压电源连接，由此从偏压电源对各像素30施加偏压。
进而，对本实施方式的放射线检测器10进行详细说明。图2是从基材11的第1面11A侧观察本实施方式的放射线检测器10的俯视图。并且，图3是图2中的放射线检测器10的A-A线剖视图。
在基材11的第1面11A上设置有像素区域35及端子区域111，该像素区域35上设置有上述像素30。
基材11为具有可挠性且包含例如PI(PolyImide：聚酰亚胺)等塑料的树脂片。基材11的厚度只要为可根据材质的硬度及TFT基板12的大小(第1面11A或第2面11B的面积)等而获得所期望的可挠性的厚度即可。作为具有可挠性的例子，是指在矩形的基材11为单体的情况下，固定了基材11的一边的状态下，在从所固定的边远离10cm的位置基材11以基于基材11的自重的重力垂下2mm以上(变得低于所固定的边的高度)。作为基材11为树脂片的情况的具体例，只要厚度为5μm～125μm即可，更优选厚度为20μm～50μm。
另外，基材11具有能够承受像素30的制造的特性，在本实施方式中，具有能够承受非晶硅TFT(a-Si TFT)的制造的特性。作为这种基材11所具有的特性，优选在300℃～400℃下的热膨胀系数(CTE：CoefficienTof Thermal Expansion)为与非晶硅(a-Si)晶片相同程度(例如，±5ppm/K)。具体而言，优选为基材11在30℃～400℃下的热膨胀系数为20ppm/K以下。并且，作为基材11的热收缩率，优选在厚度为25μm的状态下400℃下的热收缩率为0.5％以下。并且，基材11的弹性模量优选在300℃～400℃之间的温度区域内不具有通常的PI所具有的转移点，在500℃下的弹性模量为1GPa以上。
并且，如图4A及图4B所示，本实施方式的基材11优选具有包含平均粒径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机的微粒11p的微粒层11L。另外，图4B表示将本实施方式的放射线检测器10适用于从TFT基板12侧照射放射线R的[SS(Irradiation Side Sampling：照射侧取样)方式的放射线检测器中的情况的例子。
如图4B及图4C所示，在基材11中，由于透射了被摄体S的放射线R而产生后方散射线Rb。在基材11为PI等树脂制的情况下为有机物，因此构成有机物的原子序数相对小的C、H、O及N等原子由于康普顿效应而后方散射线Rb变多。
如图4B所示，与基材11不具有微粒层11L的情况(参考图4C)相比，在基材11具有包含吸收基材11内所产生的后方散射线Rb的微粒11P的微粒层11L的情况下，抑制透射基材11并向后方散射的后方散射线Rb，因此优选。
作为这种微粒11p，优选包含自身的后方散射线Rb的产生量少且吸收后方散射线Rb而透射了被摄体S的放射线R的吸收少的原子的无机物。另外，后方散射线Rb的抑制与放射线R的透射性处于权衡关系。从抑制后方散射线Rb的观点考虑，微粒11P优选包含原子序数大于构成基材11的树脂的C、H、O及N等的元素。另一方面，原子序数越大，吸收后方散射线Rb的能力变得越高，但是若原子序数超过30，则放射线R的吸收量增加而到达转换层14的放射线R的线量显著减少，因此不优选。因此，在为树脂性基材11的情况下，微粒11P优选使用原子序数大于构成基材11的有机物的原子且原子序数为30以下的无机物。作为这种微粒11P的具体例，可举出原子序数为14的Si的氧化物即SiO2、原子序数为12的Mg的氧化物即MgO、原子序数为13的Al的氧化物即Al2O3及原子序数为22的Ti的氧化物即TiO2等。
作为具有这些特性的树脂片的具体例，可举出XENOMAX(注册商标)。
另外，使用测微器(micrometer)测定了本实施方式中的上述厚度。根据JISK7197：1991测定了热膨胀系数。另外，关于测定，从基材11的主面每15度改变一次角度来切取试验片，测定所切取的各试验片的热膨胀系数并将最高值设为基材11的热膨胀系数。分别在MD(Machine Direction：纵向)方向及TD(Transverse Direction：横向)方向上，在-50℃～450℃下以10℃间隔进行热膨胀系数的测定，并将(ppm/℃)换算成(ppm/K)。关于热膨胀系数的测量，使用了MAC Science公司制TMA4000S装置，将样本长度设为10mm、将样本宽度设为2mm、将初始负载设为34.5g/mm2、将升温速度设为5℃/min及将环境设为氩气。根据JIS K7171：2016测定了弹性模量。另外，关于测定，从基材11的主面每15度改变一次角度来切取试验片，对所切取的各试验片进行拉伸试验并将最高值设为基材11的弹性模量。
另外，由于微粒层11L中包含的微粒11P，有时在基材11的面上产生凹凸。如此在基材11的面上产生了凹凸的状态下，有时难以形成像素30。因此，如图4B所示，优选为基材11在形成像素30的第1面11A的相反侧的第2面11B上具有微粒层11L。换句话说，优选为基材11在设置有转换层14的第1面11A的相反侧的第2面11B上具有微粒层11L。
并且，为了充分吸收基材11内所产生的后方散射线Rb，优选在基材11中靠近被摄体S的一侧的面上具有微粒层11L。如图4B所示，在ISS方式的放射线检测器10中，优选在第2面11B上具有微粒层11L。
如此在ISS方式的放射线检测器10中，基材11在第2面11B上具有微粒层11L，由此能够高精度地形成像素30，并且能够有效地抑制后方散射线Rb。
另外，作为具有所期望的可挠性的基材11，并不限定于树脂片等树脂制。例如，基材11可以为厚度相对薄的玻璃基板等。作为基材11为玻璃基板的情况的具体例，通常一边为43cm左右的尺寸时，若厚度为0.3mm以下则具有可挠性，因此只要为厚度为0.3mm以下，则可以为所期望的玻璃基板。
如图2及图3所示，在本实施方式的像素区域35上设置有转换层14。转换层14设置于基材11的第1面11A中的包括像素区域35的一部分的区域上。如此，本实施方式的转换层14未设置于基材11的第1面11A的外周部的区域上。另外，在此，在放射线检测器10的结构中称为“上”的情况下，表示在以TFT基板12侧为基准的位置关系中位于上方。例如，转换层14设置于TFT基板12上。
在本实施方式中，作为转换层14的一例，使用了包括CsI(碘化铯)的闪烁器。作为这些闪烁器，优选例如包含照射X射线时的发光光谱为400nm～700nm的CsI:T1(添加有铊的碘化铯)或CsI:Na(添加有钠的碘化铯)。另外，CsI:Tl的可见光区域内的发光峰值波长为565nm。
在本实施方式的放射线检测器10中，转换层14通过真空蒸镀法、溅射法及CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法等气相沉积法在TFT基板12上直接形成为长条状的柱状晶体(省略图示)。作为转换层14的形成方法，例如可举出真空蒸镀法，其在使用CsI:T1作为转换层14的情况下，在真空度0.01Pa～10Pa的环境下通过电阻加热式坩埚等加热机构对CsI:Tl进行加热而使其气化，并使TFT基板12的温度成为室温(20℃)～300℃而使CsI:Tl沉积于TFT基板12上。作为转换层14的厚度，优选为100μm～800μm。
在本实施方式中，作为一例，如图3所示，在TFT基板12与转换层14之间设置有缓冲层13。缓冲层13具有缓冲转换层14的热膨胀系数与基材11的热膨胀系数的差的功能。另外，与本实施方式的放射线检测器10不同地，可以设为不设置缓冲层13的构成，但是转换层14的热膨胀系数与基材11的热膨胀系数的差越大，越优选设置缓冲层13。例如，在将上述XENOMAX(注册商标)用作基材11的情况下，与其他材质相比，与转换层14的热膨胀系数的差变大，因此优选如图3所示的放射线检测器10那样设置缓冲层13。作为缓冲层13，使用PI膜或聚对二甲苯(注册商标)膜等。
保护层22具有从湿气等水分保护转换层14的功能。作为保护层22的材料，例如可举出有机膜，具体而言，可举出基于PET(Polyethylene terephthalate：聚对苯二甲酸丁二醇酯)、PPS(PolyPhenylene Sulfide：聚苯硫醚)、OPP(Oriented PolyPropylene：双轴延伸的聚丙烯薄膜)、PEN(PolyEthylene Naphthalate：聚萘二甲酸乙二酯)及PI等的单层膜或层叠膜。并且，作为保护层22，可以使用树脂薄膜与金属薄膜的层叠膜。作为树脂薄膜与金属薄膜的层叠膜，例如可举出在PET等绝缘性薄片(薄膜)上接着铝箔等而层叠了铝的Alpet(注册商标)薄片。
在由TFT基板12、缓冲层13、转换层14及保护层22层叠而成的层叠体19的转换层14侧的面即第1面19A上通过粘接层48设置有第1补强基板40。
第1补强基板40的弯曲刚性高于基材11，且相对于沿垂直方向施加于与转换层14对置的面的力的尺寸变化(变形)小于相对于沿垂直方向施加于基材11的第1面11A的力的尺寸变化。并且，本实施方式的第1补强基板40的厚度厚于基材11的厚度。另外，在此所言的弯曲刚性是指弯曲难度，表示弯曲刚性越高越难以弯曲。
具体而言，本实施方式的第1补强基板40优选使用弯曲弹性模量为150MPa以上且2500MPa以下的材料。弯曲弹性模量的测量方法例如基于JIS K7171：2016基准。从抑制基材11的挠曲的观点考虑，优选第1补强基板40的弯曲刚性高于基材11。另外，若弯曲弹性模量降低则弯曲刚性也降低，为了获得所期望的弯曲刚性，需要加厚第1补强基板40的厚度，从而导致放射线检测器10整体的厚度增加。若考虑上述第1补强基板40的材料，则在要获得超过140000Pacm4的弯曲刚性的情况下，第1补强基板40的厚度存在相对变厚的倾向。因此，若获得适当的刚性且考虑放射线检测器10整体的厚度，则更优选用于第1补强基板40的材料的弯曲弹性模量为150MPa以上且2500MPa以下。并且，第1补强基板40的弯曲刚性优选为540Pacm4以上且140000Pacm4以下。
并且，本实施方式的第1补强基板40的热膨胀系数优选接近转换层14的材料的热膨胀系数。更优选第1补强基板40的热膨胀系数相对于转换层14的热膨胀系数的比(第1补强基板40的热膨胀系数/转换层14的热膨胀系数)为0.5以上且2以下。作为这种第1补强基板40的热膨胀系数优选为30ppm/K以上且80ppm/K以下。例如，在转换层14以CsI:T1为材料的情况下，转换层14的热膨胀系数为50ppm/K。此时，作为相对接近于转换层14的材料，可举出热膨胀系数为60ppm/K～80ppm/K的PVC(PolyvinylChloride：聚氯乙烯)、热膨胀系数为70ppm/K～80ppm/K的丙烯酸、热膨胀系数为65ppm/K～70ppm/K的PET、热膨胀系数为65ppm/K的PC(Polycarbonate：聚碳酸酯)及热膨胀系数为45ppm/K～70ppm/K的铁氟龙(注册商标)等。
进而，若考虑上述弯曲弹性模量，则作为第1补强基板40的材料更优选为包含PET及PC中的至少一个的材料。
从弹性的观点考虑，第1补强基板40优选包含具有降伏点的材料。另外，在本实施方式中，“降伏点”是指，在拉伸材料的情况下，应力突然急剧下降的现象，在表示应力与变形的关系的曲线上，应力未增加而变形增加的点，在进行材料的拉伸强度试验时的应力-变形曲线中的顶部。作为具有降伏点的树脂，通常可举出硬且粘性强的树脂及柔软、粘性强且具有中等程度的强度的树脂。作为硬且粘性强的树脂，例如可举出PC等。并且，作为柔软、粘性强且具有中等程度的强度的树脂，例如可举出聚丙烯等。
本实施方式的第1补强基板40为将塑料作为材料的基板。根据上述理由，成为第1补强基板40的材料的塑料优选为热塑性树脂，可举出PC、PET、苯乙烯、丙烯酸、聚醋酸酯、尼龙、聚丙烯、ABS(AcrylonitrileButadieneStyrene：丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)、工程塑料(engineering plastic)及聚苯醚中的至少一个。另外，第1补强基板40在这些之中优选为聚丙烯、ABS、工程塑料、PET及聚苯醚中的至少一个，更优选为苯乙烯、丙烯酸、聚醋酸酯及尼龙中的至少一个，进一步优选为PC及PET中的至少一个。
并且，如图2及图3所示，在本实施方式的放射线检测器10中，在基材11的第2面11B上设置有第2补强基板42。另外，在基材11的第2面11B与第2补强基板42之间可以设置有用于设置第2补强基板42的粘接层或具有防湿功能的保护膜等。
与第1补强基板40相同地，第2补强基板42的刚性高于基材11，相对于沿垂直方向施加于与第2面11B对置的面的力的尺寸变化(变形)小于相对于沿垂直方向施加于基材11中第1面11A的力的尺寸变化。并且，本实施方式的第2补强基板42的厚度厚于基材11的厚度且薄于第1补强基板40的厚度。例如，在将XENOMAX(注册商标)用作基材11的情况下，第1补强基板40的厚度优选为0.1mm左右，且第2补强基板42的厚度优选为0.2mm～0.25mm左右。
另外，第2补强基板42优选具有与第1补强基板40相同的特性。作为这种本实施方式的第2补强基板42的材料优选为热塑性树脂，能够使用与第1补强基板40相同的材料，但是第1补强基板40与第2补强基板42也可以使用不同的材料。另外，与本实施方式不同地，可以使第2补强基板42与第1补强基板40的特性等不同。例如，可以使第1补强基板40的刚性低于第2补强基板42，也可以设为与基材11相同程度。即使第2补强基板42的刚性为与基材11相同程度，通过设置了第2补强基板42而放射线检测器10整体的厚度也增加，因此确保放射线检测器10整体的刚性。
并且，如图2及图3所示，第2补强基板42设置于基材11的第2面11B的整体，第2补强基板42的大小大于第1补强基板40。即，由第2补强基板42覆盖基材11的面积大于由第1补强基板40覆盖层叠体19的面积。第1补强基板40未设置于端子区域111上，但是第2补强基板42也设置于与端子区域111对应的位置。
并且，如图2及图3所示，在基材11的端子区域111上设置有连接柔性电缆112的端子113。本实施方式中的端子区域111是指至少包括设置有端子113的区域。端子区域111的面积为端子113的面积以上。根据柔性电缆112的再加工的容易性来确定端子区域111的范围。具体而言，端子区域111的范围(端子区域111的面积)通过柔性电缆112和端子113的各个面积、在对柔性电缆112进行再加工的情况下的柔性电缆112与端子113的连接偏移及再加工的方法等来确定。另外，“再加工”是指，由于缺陷或位置偏移等而卸下与基材11(TFT基板12)连接的电缆或部件并重新进行连接的情况。端子113例如使用各向异性导电薄膜等。
另外，以下中将柔性电缆112连接于端子区域111的端子113上的情况简称为将柔性电缆112连接于端子区域111上。并且，在本实施方式中，包括柔性电缆112，关于称为“电缆”的部件的连接，若无特别说明则表示电连接。另外，柔性电缆112包括由导体构成的信号线(省略图示)，该信号线与端子113连接，由此与端子113电连接。以下中称为“电缆”的情况是指柔性(具有可挠性)电缆。
如上所述，柔性电缆112与驱动部103及信号处理部104(均参考图5)中的至少一者连接。图5中示出从基材11的第1面11A的一侧观察在本实施方式的放射线检测器10中通过柔性电缆112连接有驱动部103及信号处理部104的状态的一例的俯视图。本实施方式的驱动部103及信号处理部104为本发明的电路部的一例。
如图5所示的一例，在端子区域111(111A)的端子113(在图5中省略图示)上热压接合有多个(在图5中，4个)柔性电缆112的一端。柔性电缆112具有连接驱动部103与扫描配线38(参考图1)的功能。柔性电缆112中包括的多个信号线(省略图示)经由端子区域111(111A)与TFT基板12的扫描配线38(参考图1)连接。
另一方面，柔性电缆112的另一端与设置于驱动基板202的外周的区域的连接区域243(243A)热压接合。柔性电缆112中包括的多个信号线(省略图示)经由连接区域243与搭载于驱动基板202上的电路及元件等即驱动部件250连接。
在图5中，作为一例，示出了9个驱动部件250(250A～250I)搭载于驱动基板202上的状态。如图5所示，本实施方式的驱动部件250沿与挠曲方向Y交叉的方向即交叉方向X配置，该挠曲方向Y为沿与基材11的端子区域111(111A)对应的边的方向。例如，在驱动部件250具有长边及短边的情况下，驱动部件250配置成长边沿交叉方向X的状态。
本实施方式的驱动基板202为可挠性PCB(PrintedCircuitBoard，印刷电路板)基板，所谓的柔性基板。搭载于驱动基板202上的驱动部件250主要为用于进行数位信号的处理的部件(在本实施方式中，称为“数位部件”)。作为驱动部件250的具体例，可举出数位缓冲器、旁路电容器、上拉/下拉电阻、阻尼电阻及EMC(Electro MagneticCompatibility，电磁相容性)对策晶片部件等。另外，驱动基板202可以不一定为可挠性基板，也可以设为后述的非可挠性的刚性基板。
数位部件存在面积(大小)相对小于后述的类比部件的倾向。并且，与类比部件相比，数位部件存在不太容易受电干扰(换句话说，噪声)的影响的倾向。因此，在本实施方式中，在TFT基板12挠曲的情况下，将随着TFT基板12的挠曲而挠曲的一侧的基板设为搭载有驱动部件250的驱动基板202。
并且，在与驱动基板202连接的柔性电缆112上搭载有驱动电路部212。驱动电路部212与柔性电缆112中包括的多个信号线(省略图示)连接。
在本实施方式中，通过搭载于驱动基板202上的驱动部件250和驱动电路部212实现驱动部103。驱动电路部212为包括实现驱动部103的各种电路及元件中与搭载于驱动基板202上的驱动部件250不同的电路的IC(IntegratedCircuit，积体电路)。
如此，在本实施方式的放射线检测器10中，通过柔性电缆112，TFT基板12与驱动基板202电连接，由此驱动部103与各扫描配线38连接。
另一方面，在基材11的端子区域111(111B)上热压接合有多个(在图5中，4个)柔性电缆112的一端。柔性电缆112中包括的多个信号线(省略图示)经由端子区域111(111B)与信号配线36(参考图1)连接。柔性电缆112具有连接信号处理部104与信号配线36(参考图1)的功能。
另一方面，柔性电缆112的另一端与设置于信号处理基板304的连接区域243(243B)上的连接器330电连接。柔性电缆112中包括的多个信号线(省略图示)经由连接器330与搭载于信号处理基板304上的电路及元件等即信号处理部件350连接。作为连接豁330，例如可举出ZIF(ZeroInsertionForce，零插力)结构的连接器或Non-ZIF结构的连接器。在图5中，作为一例，示出了9个信号处理部件350(350A～350I)搭载于信号处理基板304上的状态。如图5所示，本实施方式的信号处理部件350沿交叉方向X而配置，该交叉方向X为沿设置有基材11的端子区域111(111B)的基材11的边的方向。例如，在信号处理部件350具有长边及短边的情况下，信号处理部件350配置成长边沿交叉方向X的状态。
另外，本实施方式的信号处理基板304无需一定使用柔性基板，可以为非可挠性的PCB基板，也可以为所谓的刚性基板。在将刚性基板用作信号处理基板304的情况下，信号处理基板304的厚度厚于驱动基板202的厚度。并且，信号处理基板304的刚性高于驱动基板202。
搭载于信号处理基板304上的信号处理部件350主要为用于进行类比信号的处理的部件(在本实施方式中，称为“类比部件”)。作为信号处理部件350的具体例，可举出运算放大器、类比数位转换器(ADC)、数位类比转换器(DAC)及电源IC等。并且，本实施方式的信号处理部件350还包括部件尺寸较大的电源周围的线圈及平滑用大容量电容器等。
如上所述，类比部件存在面积(大小)相对大于数位部件的倾向。并且，与数位部件相比，类比部件存在容易受电干扰(换句话说，噪声)的影响的倾向。因此，在本实施方式中，在TFT基板12挠曲的情况下，将未挠曲的(不受挠曲的影响的)一侧的基板设为搭载有信号处理部件350的信号处理基板304。
并且，与信号处理基板304连接的柔性电缆112上搭载有信号处理电路部314。信号处理电路部314中连接有柔性电缆112中包括的多个信号线(省略图示)。
在本实施方式中，通过搭载于信号处理基板304上的信号处理部件350和信号处理电路部314实现信号处理部104。信号处理电路部314为包括实现信号处理部104的各种电路及元件中与搭载于信号处理基板304的信号处理部件350不同的电路的IC。
如此，在本实施方式的放射线检测器10中，通过柔性电缆112，TFT基板12与信号处理基板304电连接，由此信号处理部104与各信号配线36连接。
作为本实施方式的放射线检测器10的制造方法的一例，可举出以下方法。参考图6A～图6E对本实施方式的放射线检测器10的制造方法的一例进行说明。
预先准备在制作成与放射线检测器10匹配的所期望的大小的第1补强基板40上涂布了粘接层48的状态。
另一方面，如图6A所示，经由剥离层(省略图示)在厚度厚于基材11的玻璃基板等支撑体400上形成基材11。在通过层压法形成基材11的情况下，在支撑体400上贴合作为基材11的薄片。与基材11的第2面11B对应的面成为支撑体400侧，并与剥离层(省略图示)接触。
进而，在基材11的像素区域35上形成多个像素30。另外，在本实施方式中，作为一例，经由使用了SiN等的底涂层(省略图示)在基材11的像素区域35上形成多个像素30。
进而，在像素区域35上形成转换层14。在本实施方式中，首先在基材11的第1面11A中的设置转换层14的区域形成缓冲层13。之后，通过真空沉积法、溅射法及CVD(ChemicalVapor Deposition，化学气相沉积)法等气相沉积法在TFT基板12上(更具体而言，在缓冲层13上)直接形成CsI转换层14作为柱状晶体。此时，转换层14的与像素30接触的一侧成为柱状晶体的生长方向基点侧。
另外，如此，通过气相沉积法在TFT基板12上直接设置了CsI转换层14的情况下，转换层14的与TFT基板12接触的一侧的相反侧的面上，例如可以设置有具有反射由转换层14转换的光的功能的反射层(省略图示)。反射层可以直接设置于转换层14，也可以经由粘合层等设置。作为反射层的材料，优选使用了有机系材料，优选例如，将白PET、TiO2、Al2O3、发泡白PET、聚酯系高反射薄片及镜面反射铝等中的至少一个用作材料。尤其，从反射率的观点考虑，优选将白PET用作材料。另外，聚酯系高反射薄片是指具有重叠多个较薄的聚酯薄片而成的多层结构的薄片(薄膜)。
并且，在将CsI闪烁器用作转换层14的情况下，还能够通过与本实施方式不同的方法在TFT基板12上形成转换层14。例如，可以准备通过气相沉积法在铝板等上沉积CsI而成，并通过粘接性薄片等贴合CsI的未与铝板接触的一侧和TFT基板12的像素30，由此在TFT基板12上形成转换层14。此时，优选将由保护膜覆盖还包括铝板的状态的转换层14整体的状态与TFT基板12的像素区域35进行贴合。另外，此时，转换层14中的与像素区域35接触的一侧成为柱状晶体的生长方向的前端侧。
并且，与本实施方式的放射线检测器10不同地，可以将GOS(Gd2O2S:Tb)等用作转换层14来代替CsI。此时，例如准备通过粘接层等在由白PET等形成的支撑体贴合使GOS分散于树脂等粘合剂中而得的薄片而成，通过粘接性薄片等贴合GOS的未贴合支撑体的一侧和TFT基板12的像素区域35，由此能够在TFT基板12上形成转换层14。另外，与使用GOS的情况相比，在转换层14中使用CsI的情况下，从放射线向可见光的转换效率变高。
进而，如图6B所示，在基材11的端子区域111的端子113上热压接合柔性电缆112，使柔性电缆112中包括的多个信号线(省略图示)与基材11的端子区域111电连接。
进而，在驱动基板202的连接区域243(243A)上热压接合柔性电缆112，使柔性电缆112中包括的多个信号线(省略图示)与搭载于驱动基板202上的驱动部件250电连接，从而成为图5所示的状态。
然后，如图6C所示，将预先准备的第1补强基板40贴合于形成有转换层14且与柔性电缆112连接的TFT基板12上，由此密封转换层14。另外，在进行上述贴合的情况下，会在大气压下或减压下(真空下)进行，但是为了抑制空气等进入所贴合的部位之间，优选在减压下进行。
之后，如图6D所示，从支撑体400剥离放射线检测器10。在通过机械剥离进行剥离的情况下，在图6D所示的一例中，将TFT基板12的基材11中的与连接有柔性电缆112的边对置的边设为剥离的起点。从成为起点的边朝向连接有柔性电缆112的边从支撑体400沿图6D所示的箭头D方向缓慢地剥离TFT基板12，由此进行机械剥离，从而可获得连接有柔性电缆112的状态的放射线检测器10。
另外，作为剥离的起点的边优选为俯视TFT基板12时的与最长边交叉的边。换句话说，沿由于剥离而产生挠曲的挠曲方向Y的边优选为TFT基板12中的最长边。在本实施方式中，驱动基板202通过柔性电缆112连接的边长于信号处理基板304侧通过柔性电缆112连接的边。因此，以与设置有端子区域111(111B)的边对置的边为剥离的起点。
在本实施方式中，在从支撑体400剥离TFT基板12之后，进一步电连接放射线检测器10的柔性电缆112与信号处理基板304的连接器330。
进而，如图6E所示，在基材11的第2面11B上贴合设置了双面胶带等粘接层的第2补强基板42，由此制造本实施方式的放射线检测器10。
另外，并不限定于本实施方式，例如，可以将使柔性电缆112与端子区域111连接的时刻设为在TFT基板12上设置了第1补强基板40之后。并且，例如，也可以在使放射线检测器10的柔性电缆112与信号处理基板304的连接器330电连接之后，进行上述机械剥离。
在进行上述机械剥离时，在本实施方式的放射线图像摄影装置1中，如图6D所示，驱动基板202为可挠性基板，因此驱动基板202也随着TFT基板12的挠曲而挠曲。
在此，在从支撑体400剥离TFT基板12的情况下，基材11具有可挠性，因此TFT基板12容易挠曲。在TFT基板12大幅度挠曲的情况下，存在TFT基板12上产生缺陷的忧虑。例如，存在转换层14从TFT基板12上剥离的忧虑，尤其，转换层14的端部变得容易从TFT基板12上剥离。并且，例如，TFT基板12大幅度挠曲的结果，存在像素30损坏的忧虑。
相对于此，在本实施方式的放射线检测器10中，刚性高于基材11的第1补强基板40设置于基材11的第1面11A。因此，根据本实施方式的放射线检测器10，在从支撑体400剥离TFT基板12的情况下，能够抑制TFT基板12大幅度挠曲，从而能够抑制TFT基板12上产生缺陷。
并且，并不限定于从支撑体400剥离TFT基板12的情况，在放射线图像摄影装置1的工序的中途等单独处理放射线检测器10的情况下，与上述相同地，由于挠曲TFT基板12，存在TFT基板12上产生缺陷的忧虑。相对于此，在本实施方式的放射线检测器10中，第1补强基板40设置于基材11的第1面11A，并且第2补强基板42设置于基材11的第2面11B。因此，根据本实施方式的放射线检测器10，即使在单独处理放射线检测器10的情况下，也能够抑制TFT基板12大幅度挠曲，从而能够抑制TFT基板12上产生缺陷。
并且，在本实施方式的放射线检测器10中，存在柔性电缆112从基材11的端子区域111剥离或者引起连接偏移的忧虑。尤其，将驱动基板202与柔性电缆112连接之后，为了从支撑体400剥离TFT基板12而挠曲TFT基板12的情况下，柔性电缆112容易从基材11的端子区域111剥离或者容易引起连接偏移。并且，并不限定于从支撑体400剥离TFT基板12的情况，在放射线图像摄影装置1的工序的中途等单独处理放射线检测器10的情况下，由于TFT基板12挠曲而存在转换层14从TFT基板12剥离的忧虑。并且，相同地，存在柔性电缆112从基材11的端子区域111剥离或者引起连接偏移的忧虑。在柔性电缆112从基材11的端子区域111剥离或者引起连接偏移的情况下，需要将柔性电缆112再加工至端子区域111上。
相对于此，在本实施方式的放射线检测器10中，如上述第1补强基板40的大小小于第2补强基板42，且第1补强基板40不覆盖端子区域111。因此，在将柔性电缆112再加工至端子区域111的情况下，本实施方式的放射线检测器10能够不被第1补强基板40阻挡而进行再加工。因此，本实施方式的放射线检测器10的再加工性优异。另外，在放射线检测器10中，第1补强基板40不覆盖端子区域111，但是第2补强基板42延伸至端子区域111的部分，因此能够确保端子区域111部分中的刚性。
[第2实施方式]
接着，对第2实施方式进行说明。图7是从基材11的第1面11A侧观察本实施方式的放射线检测器10的俯视图。并且，图8是图7中的放射线检测器10的A-A线剖视图。
如图7及图8所示，在本实施方式的放射线检测器10中，在第1补强基板40覆盖端子区域111的局部区域的方面，与第1实施方式的放射线检测器10(参考图2及图3)不同。
关于第1补强基板40的大小，具体而言，覆盖TFT基板12(基材11)的面积越大，在确保刚性的方面越优选，但是若覆盖端子区域111整体，则如上所述第1补强基板40成为障碍而损害柔性电缆112的再加工性。因此，本实施方式的放射线检测器10的第1补强基板40覆盖至端子区域111的一部分的区域。具体而言，如图7及图8所示，端子区域111具有由第1补强基板40覆盖的第1区域111C及没有被第1补强基板40覆盖的第2区域111D。
第1区域111C的大小(面积)变得越大，换句话说，由第1补强基板40覆盖的端子区域111的部分变得越大，损害再加工性的忧虑变高。考虑到再加工性的情况下，第1区域111C的大小优选小于第2区域111D。并且，第1区域111C中的基材11的内部侧的一端部至基材11的外缘侧的另一端部的长度h更优选为端子区域111中的基材11的内部侧的一端部至基材11的外缘侧的另一端部的长度H的1/4以下(h≤1/4×H)。
如此，在本实施方式的放射线检测器10中，也确保放射线检测器10的刚性且不损害再加工性，从而能够抑制TFT基板12上产生缺陷。
[第3实施方式]
接着，对第3实施方式进行说明。图9是从基材11的第1面11A侧观察本实施方式的放射线检测器10的俯视图。并且，图10A是图9中的放射线检测器10的A-A线剖视图，图10B是图9中的放射线检测器10的B-B线剖视图。
如图9、图10A及图10B所示，在本实施方式的放射线检测器10中，在第1补强基板40覆盖除了基材11(TFT基板12)的端子区域111以外的所有区域的方面，与第1实施方式的放射线检测器10(参考图2及图3)不同。如图9及图10A所示，第1补强基板40在与端子区域111对应的位置设置有切口部40A而未覆盖与端子区域111对应的区域。另一方面，如图9及图10B所示，第1补强基板40在未设置端子区域111的区域覆盖至基材11(TFT基板12)的端部(外缘)。
如此，在本实施方式的放射线检测器10中，在第1补强基板40的与端子区域111对应的区域设置切口部40A，由此端子区域111并列的基材11的边中的端子区域111与端子区域111之间的区域也由第1补强基板40覆盖。因此，由第1补强基板40覆盖TFT基板12(基材11)的面积变大，因此能够确保更高的刚性。并且，端子区域111没有被第1补强基板40覆盖，因此不会损害柔性电缆112的再加工性。
如此，在本实施方式的放射线检测器10中，也确保放射线检测器10的刚性且不损害再加工性，从而能够抑制TFT基板12上产生缺陷。
如以上所说明，上述各实施方式的放射线检测器10具备TFT基板12、转换层14、第1补强基板40及第2补强基板42。关于TFT基板12，在可挠性基材11的第1面11A的像素区域35上形成有蓄积根据从放射线R转换的光产生的电荷的多个像素30，并且在第1面11A的端子区域111上设置有用于电连接柔性电缆112的端子113。转换层14设置于基材11的第1面11A中的端子区域111外且将放射线R转换成光。第1补强基板40设置于转换层14中的TFT基板12侧的面的相反侧的面且刚性高于基材11。第2补强基板42设置于基材11的第1面11A的相反侧的第2面11B且覆盖大于第1补强基板40的面。
在上述各实施方式的放射线检测器10中，由刚性高于基材11的第1补强基板40及覆盖大于第1补强基板40的面的第2补强基板42夹住TFT基板12，因此抑制TFT基板12(基材11)的挠曲，从而能够确保放射线检测器10的刚性。因此，根据放射线检测器10，能够抑制由于TFT基板12挠曲而在TFT基板12上产生缺陷。
并且，在上述各实施方式的放射线检测器10中，第1补强基板40覆盖小于第2补强基板42的面，因此通过第1补强基板40而能够抑制端子区域111被覆盖。因此，根据放射线检测器10，能够抑制损害柔性电缆112等的再加工性。
因此，根据上述各实施方式的放射线检测器10，能够抑制TFT基板12上产生缺陷且再加工性优异。
另外，本发明的放射线检测器10并不限定于上述各实施方式中所说明的方式。例如，可以设置支撑第1补强基板40的端部等之间隔物等。图11A及图11B表示在上述第3实施方式的放射线检测器10中设置了间隔物49的情况下的一例的剖视图。图11A中设置有端子区域111，其与在第1补强基板40上设置有切口部40A的区域(图9中的A-A线剖视图)对应。并且，图11B与第1补强基板40设置至TFT基板12(基材11)的端部的区域(图9中的B-B线剖视图)对应。通过如此设置支撑第1补强基板40的端部之间隔物49，能够抑制第1补强基板40的端部挠曲。并且，能够通过间隔物49密封转换层14的侧面，因此防湿性得到提高，从而抑制转换层14的劣化。
与第1补强基板40相同地，若覆盖端子区域111，则间隔物49的再加工性也受损害。因此，如图11A所示，在设置支撑第1补强基板40之间隔物49的情况下，优选端子区域111不被间隔物49覆盖。换句话说，优选在端子区域111上不设置间隔物49。例如，如第2实施方式的放射线检测器10那样，即使在第1补强基板40延伸至端子区域111中的情况下，优选在端子区域111上不设置间隔物49。
并且，例如图12所示，优选由防湿绝缘膜109覆盖放射线检测器10的柔性电缆112的周边。在图12所示的例子中，在端子113上连接有柔性电缆112的状态下，防湿绝缘膜109从柔性电缆112上覆盖与基材11的端子区域111对应的区域整体。作为防湿绝缘膜109，例如能够利用FPD(FlaTPanelDisplay：平面显示器)用防湿绝缘材料即Tuffy(注册商标)等。
并且，在上述各实施方式的放射线检测器10中，对TFT基板12(基材11)与第2补强基板42的大小相同的方式进行了说明，但是TFT基板12与第2补强基板42的大小可以不同。
例如，将放射线检测器10适用于放射线图像摄影装置1的情况下，有时将放射线检测器10固定在容纳放射线检测器10的框体120(参考图16及图17)等上来进行使用。这种情况下，例如，如图13A所示的一例，可以使第2补强基板42大于TFT基板12，设置折板等，并使用折板等部分来进行放射线检测器10的固定。例如，也可以设为在第2补强基板42的折板部分中设置孔且使用贯穿孔的螺丝与框体120(参考图16及图17)进行固定的方式。
另外，使第2补强基板42大于TFT基板12的方式并不限定于图13A所示的方式。也可以设为由所层叠的多个层构成第2补强基板42且使一部分的层大于TFT基板12的方式。例如，如图13B所示，也可以将第2补强基板42设为具有与TFT基板12(基材11)相同程度的大小的第1层42A及大于TFT基板12的第2层42B的双层结构。例如，通过双面胶带或粘接层等(省略图示)贴合第1层42A与第2层42B。作为第1层42A，优选例如由与上述第2补强基板42相同的材质形成且具有与第2补强基板42相同的性质。并且，通过双面胶带或粘接层等(省略图示)将第2层42B贴合于基材11的第2面11B上。作为第2层42B，例如能够适用Alpet(注册商标)。并且，在由多个层构成第2补强基板42的情况下，与图13B所示的方式相反地，如图13C所示，也可以设为将第1层42A贴合于基材11的第2面11B的方式。
如上所述，在使用设置于第2补强基板42的折板等来将放射线检测器10固定于框体120(参考图16及图17)等的情况下，有时将折板部分以弯曲的状态进行固定。弯曲部分的厚度变得越薄，第2补强基板42的折板部分变得越容易弯曲，能够不影响放射线检测器10主体而仅弯曲折板部分。因此，在弯曲折板部分等的情况下，优选如图13B及图13C所示的一例，设为由所层叠的多个层构成第2补强基板42且使一部分的层大于TFT基板12的方式。
并且，如图14所示的例子，与上述图13A～图13C的放射线检测器10相反地，可以使第2补强基板42小于TFT基板12。TFT基板12的端部位于比第2补强基板42的端部更靠外部的位置，由此例如在将放射线检测器10容纳于框体120(参考图16及图17)等进行组装的情况下，变得容易确认TFT基板12的端部的位置，因此能够提高定位的精度。另外，并不限定于图14所示的方式，只要TFT基板12(基材11)的端部的至少一部分位于比第2补强基板42更靠外部的位置，则可以获得相同的效果，因此优选。
并且，如图15所示的一例，优选基材11与像素30尤其像素30的TFT32的闸极电极80之间设置有基于无机材料的层90。作为图15所示的一例的情况的无机材料，可举出SiNx或SiOx等。TFT32的汲极电极81和源极电极82形成于相同的层，形成有汲极电极81及源极电极82的层与基材11之间形成有闸极电极80。并且，基材11与闸极电极80之间设置有基于无机材料的层90。
并且，在上述各实施方式中，如图1所示，对像素30二维排列成矩阵状的方式进行了说明，但并不限定于此，例如也可以为一维排列，还可以为蜂窝排列。并且，像素30的形状也无限定，可以为矩形，也可以为六边形等多边形。进而，像素阵列31(像素区域35)的形状也无限定，这是不言而喻的。
并且，转换层14的形状等也不限定于上述各实施方式。在上述各实施方式中，对转换层14的形状与像素阵列31(像素区域35)的形状相同地为矩形的方式进行了说明，但转换层14的形状也可以为不同于像素阵列31(像素区域35)的形状。并且，像素阵列31(像素区域35)的形状例如可以为其他多边形，也可以为圆形，而非矩形。
另外，在上述放射线检测器10的制造方法中，对通过机械剥离从支撑体400剥离TFT基板12的工序进行了说明，但剥离方法并不限定于所说明的方式。例如，也可以设为如下方式：进行从支撑体400的形成有TFT基板12的面的相反侧的面照射激光而进行TFT基板12的剥离的所谓的激光剥离。即使在该情况下，根据放射线检测器10，在从支撑体400剥离TFT基板12之后单独处理放射线检测器10的情况下，电能够抑制转换层14从TFT基板12剥离。
另外，上述各实施方式的放射线检测器10可以适用于ISS方式的放射线图像摄影装置中，也可以适用于从转换层14侧照射放射线R的PSS(Penetration Side Sampling：穿透侧取样)方式的放射线图像摄影装置中。
在图16中示出将第1实施方式的放射线检测器10适用于ISS方式的放射线图像摄影装置1的状态的一例的剖视图。
如图16所示，在框体120内沿与放射线的入射方向交叉的方向排列设置有放射线检测器10、电源部108及控制基板110。放射线检测器10设置成像素阵列31的未设置转换层14的一侧与透射了被摄体的放射线所照射的框体120的摄影面120A侧对置。本实施方式的撮影面120A为本发明的照射面的一例。
控制基板110为形成有存储与从像素阵列31的像素30读取的电荷相应的图像数据的图像存储器380和控制来自像素30的电荷的读取等的控制部382等的基板。控制基板110通过包括多个信号配线的柔性电缆112与像素阵列31的像素30电连接。另外，在图16所示的放射线图像摄影装置1中，控制基板110设为通过控制部382的控制而控制像素30的TFT32的开关状态的驱动部103及生成并输出与从像素30读取的电荷相应的图像数据的信号处理部104设置在柔性电缆112上的所谓的COF(Chip On Film，薄膜覆晶)。另外，并不限定于本实施方式，在控制基板110上可以形成有驱动部103及信号处理部104中的至少一者。
并且，控制基板110通过电源线114与向形成于控制基板110的图像存储器380或控制部382等供给电源的电源部108连接。
优选框体120为轻型，放射线R的尤其X射线的吸收率低且为高刚性，优选由弹性模量充分高的材料构成。作为框体120的材料，优选使用弯曲弹性模量为10000MPa以上的材料。作为框体120的材料，能够优选使用具有20000～60000MPa程度的弯曲弹性模量的碳或CFRP(Carbon Fiber Reinforced Plastics：碳纤维强化塑料)。
在基于放射线图像摄影装置1的放射线图像的拍摄中，对框体120的撮影面120A施加来自被摄体的负载。在框体120的刚性不足的情况下，由于来自被摄体的负载而在TFT基板12上产生挠曲，有可能产生像素16损伤等缺陷。在由具有10000MPa以上的弯曲弹性模量的材料构成的框体120内部容纳有放射线检测器10，由此能够抑制由来自被摄体的负载引起的TFT基板12的挠曲。
在图16所示的放射线图像摄影装置1的框体120内，在射出透射了放射线检测器10的放射线的一侧还设置有薄片116。作为薄片116，例如可举出铜制薄片。铜制薄片由于所入射的放射线而难以产生二次放射线，因此具有防止向后方即转换层14侧散射的功能。另外，薄片116优选至少覆盖转换层14的射出放射线的一侧的面整体，并且覆盖转换层14整体。
并且，图16所示的放射线图像摄影装置1的框体120内，在放射线所入射的一侧(摄影面120A侧)还设置有保护层117。作为保护层117，能够适用Alpet(注册商标)薄片、Parylene(注册商标)膜及聚对苯二甲酸丁二醇酯等绝缘性薄片等防湿膜。保护层117对像素阵列31具有防湿功能及防静电功能。因此，保护层117优选至少覆盖像素阵列31的放射线所入射的一侧的面整体，优选覆盖放射线所入射的一侧的TFT基板12的面整体。
另外，在图16中示出了将电源部108及控制基板110这两者设置于放射线检测器10的一侧、具体而言设置于矩形的像素阵列31的一个边侧的方式，但设置电源部108及控制基板110的位置并不限定于图16所示的方式。例如，可以将电源部108及控制基板110分开设置于像素阵列31的2个对置的边的各边，也可以分开设置于相邻的2个边的各边。
并且，在图17中示出在ISS方式的放射线图像摄影装置1中适用第1实施方式的放射线检测器10的状态的另一例的剖视图。
如图17所示，在框体120内沿与放射线的入射方向交叉的方向排列设置有电源部108及控制基板110，沿放射线的入射方向排列设置有放射线检测器10和电源部108及控制基板110。
并且，在图17所示的放射线图像摄影装置1中，在控制基板110及电源部108与薄片116之间设置有支撑放射线检测器10及控制基板110的基台118。基台118例如使用碳等。
[其他实施方式]
首先，参考图18～图44对第1补强基板40的其他实施方式进行说明。另外，在使用气相沉积法形成了转换层14的情况下，如图18～图39所示，转换层14形成为具有厚度朝向其外缘逐渐变薄的倾斜度。以下，将在忽略制造误差及测定误差的情况下的厚度被视为大致恒定的转换层14的中央区域称为中央部14A。并且，将相对于转换层14的中央部14A的平均厚度例如具有90％以下的厚度的转换层14的外周区域称为周缘部14B。即，转换层14在周缘部14B中具有相对于TFT基板12倾斜的倾斜面。
如图18～图39所示，可以在转换层14与第1补强基板40之间设置有粘接层60、反射层62、接着层64、保护层65及粘接层48。
粘接层60覆盖包括转换层14的中央部14A及周缘部14B的转换层14的表面整体。粘接层60具有将反射层62固定于转换层14上的功能。粘接层60优选具有光透射性。作为粘接层60的材料，例如能够使用丙烯酸系粘接剂、热熔系粘接剂及硅酮系接着剂。作为丙烯酸系粘接剂，例如可举出胺基甲酸酯丙烯酸酯、丙烯酸树脂丙烯酸酯及环氧树脂丙烯酸酯等。作为热熔系粘接剂，例如可举出EVA(乙烯/乙烯酯共聚物树脂)、FA-A(乙烯与丙烯酸的共聚物树脂)、EEA(乙烯-丙烯酸乙酯共聚物树脂)及EMMA(乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物)等热塑性塑料。粘接层60的厚度优选为2μm以上且7μm以下。将粘接层60的厚度设为2μm以上，由此能够充分发挥将反射层62固定于转换层14上的效果。进而，能够抑制在转换层14与反射层62之间形成空气层的风险。若在转换层14与反射层62之间形成空气层，则从转换层14射出的光有可能在空气层与转换层14之间及空气层与反射层62之间重复反射而发生多重反射。并且，将粘接层60的厚度设为7μm以下，由此能够抑制MTF(Modulation Transfer Function：调制传递函数)及DQE(Detective Quantum Efficiency：探测量子效率)的降低。
反射层62覆盖粘接层60的表面整体。反射层62具有反射由转换层14转换的光的功能。反射层62优选由有机系材料构成。作为反射层62的材料，例如能够使用白PET、TiO2、Al2O3、发泡白PET、聚酯系高反射薄片及镜面反射铝等。反射层62的厚度优选为10μm以上且40μm以下。
接着层64覆盖反射层62的表面整体。接着层64的端部延伸至TFT基板12的表面。即，接着层64在其端部中接着至TFT基板12。接着层64具有将反射层62及保护层65固定于转换层14上的功能。作为接着层64的材料，能够使用与粘接层60的材料相同的材料，但是接着层64所具有的接着力优选大于粘接层60所具有的接着力。
保护层65具有相当于上述各实施方式的放射线检测器10中的保护层22的功能，且覆盖接着层64的表面整体。即，保护层65设置成覆盖转换层14的整体且其端部覆盖TFT基板12的一部分。保护层65作为防止水分浸入到转换层14的防湿膜而发挥功能。作为保护层65的材料，例如能够使用包含PET、PPS、OPP、PEN、PI等有机材料的有机膜。并且，作为保护层65，可以使用Alpet(注册商标)的薄片。
第1补强基板40经由粘接层48设置于保护层65的表面上。作为粘接层48的材料，例如能够使用与粘接层60及粘接层48的材料相同的材料。
在图18所示的例子中，第1补强基板40延伸至与转换层14的中央部14A及周缘部14B对应的区域，第1补强基板40的外周部沿转换层14的周缘部14B中的倾斜而弯曲。在与转换层14的中央部14A对应的区域及与周缘部14B对应的区域这两者中，第1补强基板40经由粘接层48与保护层65接着。在图18所示的例子中，第1补强基板40的端部配置于与转换层14的周缘部14B对应的区域。
如图19所示，第1补强基板40可以仅设置于与转换层14的中央部14A对应的区域。此时，在与转换层14的中央部14A对应的区域中，第1补强基板40经由粘接层48与保护层65接着。
如图20所示，在第1补强基板40延伸至与转换层14的中央部14A及周缘部14B对应的区域的情况下，第1补强基板40可以不具有沿转换层142的外周部中的倾斜而弯曲的弯曲部。此时，在与转换层14的中央部14A对应的区域中，第1补强基板40经由粘接层48与保护层65接着。在与转换层14的周缘部14B对应的区域中，在转换层14(保护层65)与第1补强基板40之间形成有与转换层14的周缘部14B中的倾斜相应的空间。
在此，在设置于TFT基板12的外周部的连接区域的端子113上连接有柔性电缆112。TFT基板12经由柔性电缆112与控制基板(参考控制基板110、图51等)连接。在TFT基板12上产生挠曲的情况下，有可能柔性电缆112从TFT基板12剥离或者产生位置偏移。此时，需要进行重新连接柔性电缆11.2与TFT基板12的作业。如上所述，重新连接该柔性电缆112与TFT基板12的作业被称作再加工。如图18～图20所示，将第1补强基板40的端部配置在比转换层14的端部更靠内侧的位置，由此相较于第1补强基板40延伸至连接区域的附近的情况，能够容易进行再加工。
如图21～图24B所示，第1补强基板40可以设置成其端部配置于比转换层14的端部更靠外侧的位置，且与延伸至TFT基板12上的接着层64及保护层65的端部对齐。另外，第1补强基板40的端部的位置与接着层64及保护层65的端部的位置无需完全一致。
在图21所示的例子中，在与转换层14的中央部14A对应的区域中，第1补强基板40经由粘接层48与保护层65接着。并且，在与转换层14的周缘部14B对应的区域及进一步其外侧的区域中，在转换层14(保护层65)与第1补强基板40之间形成有与转换层14的周缘部14B中的倾斜相应的空间。
在图22所示的例子中，在与转换层14的周缘部14B对应的区域及进一步其外侧的区域中，在转换层14(保护层65)与第1补强基板40之间所形成的空间内设置有填充材70。填充材70的材料并无特别限定，例如能够使用树脂。另外，在图22所示的例子中，为了将第1补强基板40固定于填充材70上，粘接层48设置在第1补强基板40与填充材70之间的整个区域。
形成填充材70的方法并无特别限定。例如，可以在由粘接层60、反射层62、接着层64及保护层65覆盖的转换层14上，依次形成了粘接层48及第1补强基板40之后，在转换层14(保护层65)与第1补强基板40之间所形成的空间内注入具有流动性的填充材70，并使填充材70硬化。并且，例如，可以在TFT基板12上依次形成转换层14、粘接层60、反射层62、接着层64及保护层65之后，形成填充材70，并在覆盖由粘接层60、反射层62、接着层64及保护层65覆盖的转换层14及填充材70的状态下，依次形成粘接层48及第1补强基板40。
如此，在转换层14(保护层65)与第1补强基板40之间所形成的空间内填充填充材70，由此相较于图21所示的方式，能够抑制第1补强基板40从转换层14(保护层65)剥离。进而，转换层14成为通过第1补强基板40及填充材70这两者固定于TFT基板12上的结构，因此能够抑制转换层14从TFT基板12剥离。
在图23所示的例子中，第1补强基板40的外周部沿转换层14的周缘部14B中的倾斜而弯曲，且还覆盖由接着层64及保护层65覆盖TFT基板12上的部分。并且，第1补强基板40的端部与接着层64及保护层65的端部对齐。另外，第1补强基板40的端部的位置与接着层64及保护层65的端部的位置无需完全一致。
第1补强基板40、粘接层48、保护层65及接着层64的端部由密封部件72密封。密封部件72优选设置于为从TFT基板12的表面至第1补强基板40的表面的区域且不覆盖像素区域35的区域。作为密封部件72的材料，能够使用树脂，尤其优选使用热塑性树脂。具体而言，能够将丙烯酸糊及胺基甲酸酯系的糊等用作密封部件72。第1补强基板40相较于保护层65刚性高，将要抵消弯曲的复原力作用于第1补强基板40的弯曲部，由此保护层65有可能剥离。第1补强基板40粘接层48、保护层65及接着层64的端部由密封部件72进行密封，由此能够抑制保护层65的剥离。
图24A及图24B为在与转换层14的端部对应的区域中在第1补强基板40的表面上层叠另一第1补强基板40B的方式。在图24A所示的例子中，与图22所示的方式相同地，在与转换层14的周缘部14B对应的区域及进一步其外侧的区域中，在转换层14(保护层65)与第1补强基板40之间所形成的空间内设置有填充材70。并且，在与转换层14的端部对应的区域中，在第1补强基板40的表面上经由粘接层48A层叠有另一第1补强基板40B。更具体而言，第1补强基板40B设置于横跨转换层14的端部(外缘、边缘)的区域。第1补强基板40B可以由与第1补强基板40相同的材料构成。
图24B为在图24A所示的方式的放射线检测器10中将第1补强基板40B从转换层14的端部延伸至中央部14A的方式的一例。另外，图24B所示的第1补强基板40B遍及第1补强基板40的整个面而设置。在第1补强基板40B的材料为碳等放射线的吸收少的材料的情况下，能够抑制在PSS方式及ISS方式的任一个中放射线R均被第1补强基板40B吸收而到达转换层14的放射线R减少。另外，在图24A及图24B中的任一情况下，第1补强基板40B的弯曲弹性模量优选均大于第1补强基板40及第2补强基板42的每一个。作为第1补强基板40B的弯曲弹性模量的优选具体例，可举出8000MPa以上。
放射线检测器10的转换层14的端部中，TFT基板12的挠曲量相对大。在图24A及图24B所示的放射线检测器10中，在与转换层14的端部对应的区域形成基于第1补强基板40及第1补强基板40B的层叠结构，由此能够促进抑制转换层14的端部中的TFT基板12的挠曲的效果。
如图21～图24B所示，即使在第1补强基板40的端部配置在比转换层14的端部更靠外侧的位置且设置成与接着层64及保护层65的端部对齐的状态的情况下，相较于第1补强基板40延伸至连接区域的附近的情况，也能够容易进行再加工。
并且，如图25～图28B所示，第1补强基板40可以设置成其端部位于比延伸至TFT基板12上的接着层64及保护层65的端部更靠外侧且比TFT基板12的端部更靠内侧的位置。
在图25所示的例子中，在与转换层14的中央部14A对应的区域中，第1补强基板40经由粘接层48与保护层65接着，在与转换层14的周缘部14B对应的区域及进一步其外侧的区域中，在转换层14(保护层65)与第1补强基板40之间及TFT基板12与第1补强基板40之间形成有与转换层14的周缘部14B中的倾斜相应的空间。
在图26所示的例子中，第1补强基板40的端部由间隔物49支撑。即，间隔物49的一端与TFT基板12的基材11的第1面11A连接，间隔物49的另一端经由接着层47与第1补强基板40的端部连接。将在与TFT基板12之间形成空间并延伸的第1补强基板40的端部由间隔物49支撑，由此能够抑制第1补强基板40的剥离。并且，能够使由第1补强基板40引起的挠曲抑制效果作用于TFT基板12的端部附近为止。另外，代替设置间隔物49或者除了设置间隔物49以外，根据图22所示的例子，可以在转换层14(保护层65)与第1补强基板40之间及TFT基板12与第1补强基板40之间所形成的空间内填充填充材。
在图27所示的例子中，第1补强基板40的外周部沿转换层14的周缘部14B中的倾斜而弯曲，且还覆盖由接着层64和保护层65覆盖TFT基板12上的部分及其外侧的TFT基板12上。即，接着层64及保护层65的端部由第1补强基板40密封。在第1补强基板40的TFT基板12上延伸的部分经由粘接层48与TFT基板12接着。如此，由第1补强基板40覆盖接着层64及保护层65的端部，由此能够抑制保护层65的剥离。另外，根据图23中所记载的例子，可以使用密封部件72密封第1补强基板40的端部。
图28A及图28B为在与转换层14的端部对应的区域中在第1补强基板40的表面上层叠另一第1补强基板40B的方式。在图28A所示的例子中，在第1补强基板40的端部由间隔物49支撑的方式中，在第1补强基板40的表面的与转换层14的端部对应的区域经由粘接层48A层叠有另一第1补强基板40B。更具体而言，第1补强基板40B设置于横跨转换层14的端部(外缘、边缘)的区域。第1补强基板40B可以由与第1补强基板40相同的材料构成。
图28B为在图28A所示的方式的放射线检测器10中将第1补强基板40B从转换层14的端部延伸至中央部14A的方式的一例。另外，图28B所示的第1补强基板40B遍及第1补强基板40的整个面而设置。在第1补强基板40B的材料为碳等放射线的吸收少的材料的情况下，能够抑制在PSS方式及ISS方式中的任一个中放射线R均被第1补强基板40B吸收而到达转换层14的放射线R减少。另外，在图28A及图28B中的任一情况下，第1补强基板40B的弯曲弹性模量优选均大于第1补强基板40及第2补强基板42的每一个。作为第1补强基板40B的弯曲弹性模量的优选具体例，可举出8000MPa以上。
放射线检测器10的转换层14的端部中的TFT基板12的挠曲量相对大。在28A及图28B所示的放射线检测器10中，在与转换层14的端部对应的区域形成基于第1补强基板40及第1补强基板40B的层叠结构，由此能够促进抑制转换层14的端部中的TFT基板12的挠曲的效果。另外，代替设置间隔物49，根据图22所示的例子，可以在转换层14(保护层65)与第1补强基板40之间及TFT基板12与第1补强基板40之间所形成的空间内填充填充材70。
另外，在除了与TFT基板12的端子区域111对应的区域以外，如图29～图33B所示，第1补强基板40可以设置成其端部与TFT基板12的端部对齐。另外，第1补强基板40的端部的位置与TFT基板12的端部的位置无需完全一致。
在图29所示的例子中，在与转换层14的中央部14A对应的区域中，第1补强基板40经由粘接层48与保护层65接着。在与转换层14的周缘部14B对应的区域及进一步其外侧的区域中，在转换层14(保护层65)与第1补强基板40之间及TFT基板12与第1补强基板40之间形成有与转换层14的周缘部14B中的倾斜相应的空间。
在图30所示的例子中，第1补强基板40的端部由间隔物49支撑。即，间隔物49的一端与设置于TFT基板12的端部上的柔性电缆112连接，间隔物49的另一端经由接着层47与第1补强基板40的端部连接。将在与TFT基板12之间形成空间并延伸的第1补强基板40的端部由间隔物49支撑，由此能够抑制第1补强基板40的剥离。并且，能够使由第1补强基板40引起的挠曲抑制效果作用于TFT基板12的端部附近为止。
在图31所示的例子中，在转换层14(保护层65)与第1补强基板40之间及TFT基板12与第1补强基板40之间所形成的空间内填充有填充材70。在本实施方式中，由填充材70覆盖柔性电缆112与端子113的连接部。如此，在转换层14(保护层65)与第1补强基板40之间及TFT基板12与第1补强基板40之间所形成的空间内填充填充材70，由此相较于图29所示的方式，能够抑制第1补强基板40从转换层14(保护层65)剥离。进而，转换层14成为通过第1补强基板40及填充材70这两者固定于TFT基板12上的结构，因此能够抑制转换层14从TFT基板12剥离。并且，由填充材70覆盖柔性电缆112与端子113的连接部，由此能够抑制柔性电缆112的剥离。
在图32所示的例子中，第1补强基板40的外周部沿转换层14的周缘部14B中的倾斜的状态而弯曲，且还覆盖由接着层64和保护层65覆盖TFT基板12上的部分、其外侧的基板上及端子113与柔性电缆112的连接部。在第1补强基板40的TFT基板12上及柔性电缆112上延伸的部分分别经由粘接层48与TFT基板12及柔性电缆112接着。由第1补强基板40覆盖柔性电缆112与端子113的连接部，由此能够抑制柔性电缆112的剥离。并且，假定柔性电缆112的另一端与搭载有电子部件的控制基板连接，因此在柔性电缆112与端子113的连接部中，TFT基板12上有可能产生相对大的挠曲。由第1补强基板40覆盖柔性电缆112与端子113的连接部，由此能够抑制该部分中的TFT基板12的挠曲。
图33A及图33B为在与转换层14的端部对应的区域中在第1补强基板40的表面上层叠另一第1补强基板40B的方式。在图33A所示的例子中，在转换层14(保护层65)与第1补强基板40之间及TFT基板12与第1补强基板40之间所形成的空间内填充有填充材70。并且，在与转换层14的端部对应的区域中，在第1补强基板40的表面上经由粘接层48A层叠有另一第1补强基板40B。更具体而言，第1补强基板40B设置于横跨转换层14的端部(外缘、边缘)的区域。第1补强基板40B可以由与第1补强基板40相同的材料构成。
图33B为在图33A所示的方式的放射线检测器10中将第1补强基板40B从转换层14的端部延伸至中央部14A的方式的一例。另外，图33B所示的第1补强基板40B遍及第1补强基板40的整个面而设置。在第1补强基板40B的材料为碳等放射线的吸收少的材料的情况下，能够抑制在PSS方式及ISS方式中的任一个中放射线R均被第1补强基板40B吸收而到达转换层14的放射线R减少。另外，在图33A及图33B中的任一情况下，第1补强基板40B的弯曲弹性模量优选均大于第1补强基板40及第2补强基板42的每一个。作为第1补强基板40B的弯曲弹性模量的优选具体例，可举出8000MPa以上。
放射线检测器10的转换层14的端部中，TFT基板12的挠曲量相对大。在图33A及图33B所示的放射线检测器10中，在与转换层14的端部对应的区域形成基于第1补强基板40及第1补强基板40B的层叠结构，由此能够促进抑制转换层14的端部中的TFT基板12的挠曲的效果。
并且，如图34～图38B所示，第1补强基板40可以设置成其端部位于比TFT基板12的端部更靠外侧的位置的状态。
在图34所示的例子中，在与转换层14的中央部14A对应的区域中，第1补强基板40经由粘接层48与保护层65接着，在与转换层14的周缘部14B对应的区域及进一步其外侧的区域中，在转换层14(保护层65)与第1补强基板40之间及TFT基板12与第1补强基板40之间形成有与转换层14的周缘部14B中的倾斜相应的空间。
在图35所示的例子中，第1补强基板40的端部由间隔物49支撑。即，间隔物49的一端与设置于TFT基板12的端部上的柔性电缆112连接，间隔物49的另一端经由接着层47与第1补强基板40的端部连接。将在与TFT基板12之间形成空间并延伸的第1补强基板40的端部由间隔物49支撑，由此能够抑制第1补强基板40的剥离。并且，能够使由第1补强基板40引起的挠曲抑制效果作用于TFT基板12的端部附近为止。
在图36所示的例子中，在转换层14(保护层65)与第1补强基板40之间及TFT基板12与第1补强基板40之间所形成的空间内填充有填充材70。在本实施方式中，由填充材70覆盖柔性电缆112与端子113的连接部。如此，在转换层14(保护层65)与第1补强基板40之间及TFT基板12与第1补强基板40之间所形成的空间内填充填充材70，由此相较于图34所示的方式，能够抑制第1补强基板40从转换层14(保护层65)剥离。进而，转换层14成为通过第1补强基板40及填充材70这两者固定于TFT基板12上的结构，因此能够抑制转换层14从TFT基板12剥离。并且，由填充材70覆盖柔性电缆112与端子113的连接部，由此能够抑制柔性电缆112的剥离。
在图37所示的例子中，第1补强基板40的外周部沿转换层14的周缘部14B中的倾斜的状态而弯曲，且还覆盖由接着层64和保护层65覆盖TFT基板12上的部分、其外侧的基板上及端子113与柔性电缆112的连接部。在第1补强基板40的TFT基板12上及柔性电缆112上延伸的部分分别经由粘接层48与TFT基板12及柔性电缆112接着。由第1补强基板40覆盖柔性电缆112与端子113的连接部，由此能够抑制柔性电缆112的剥离。并且，假定柔性电缆112的另一端与搭载有电子部件的控制基板连接，因此在柔性电缆112与端子113的连接部中，TFT基板12上有可能产生相对大的挠曲。由第1补强基板40覆盖柔性电缆112与端子113的连接部，由此能够抑制该部分中的TFT基板12的挠曲。
图38A及图38B为在与转换层14的端部对应的区域中在第1补强基板40的表面上层叠另一第1补强基板40B的方式。在图38A所示的例子中，在转换层14(保护层65)与第1补强基板40之间及TFT基板12与第1补强基板40之间所形成的空间内填充有填充材70。并且，在与转换层14的端部对应的区域中，在第1补强基板40的表面上经由粘接层48A层叠有另一第1补强基板40B。更具体而言，第1补强基板40B设置于横跨转换层14的端部(外缘、边缘)的区域。第1补强基板40B可以由与第1补强基板40相同的材料构成。
图38B为在图38A所示的方式的放射线检测器10中将第1补强基板40B从转换层14的端部延伸至中央部14A的方式的一例。另外，图38B所示的第1补强基板40B遍及第1补强基板40的整个面而设置。在第1补强基板40B的材料为碳等放射线的吸收少的材料的情况下，能够抑制在PSS方式及ISS方式中的任一个中放射线R均被第1补强基板40B吸收而到达转换层14的放射线R减少。另外，在图38A及图38B中的任一情况下，第1补强基板40B的弯曲弹性模量优选均大于第1补强基板40及第2补强基板42的每个。作为第1补强基板40B的弯曲弹性模量的优选具体例，可举出8000MPa以上。
放射线检测器10的转换层14的端部中，TFT基板12的挠曲量相对大。在图38A及图38B所示的放射线检测器10中，在与转换层14的端部对应的区域形成基于第1补强基板40及第1补强基板40B的层叠结构，由此能够促进抑制转换层14的端部中的TFT基板12的挠曲的效果。
如上所述，在放射线检测器10的工序中，在玻璃基板等支撑体400上贴附具有可挠性的TFT基板12，并在TFT基板12上层叠了转换层14之后，从TFT基板12剥离支撑体400。此时，在具有可挠性的TFT基板12上产生挠曲，由此有可能损伤TFT基板12上所形成的像素30。在从TFT基板12剥离支撑体200之前，以如图18～图38B所例示的那样的方式在转换层14上层叠第1补强基板40，由此能够抑制在从TFT基板12剥离支撑体时所产生的TFT基板12的挠曲，从而能够降低像素30损伤的风险。
并且，第1补强基板40并不限于单独的层(单层)，可以由多层构成。例如，在图39所示的例子中，示出将放射线检测器10的第1补强基板40设为从接近转换层14依次层叠了第1层第1补强基板40C、第2层第1补强基板40D及第3层第1补强基板40E而成的3层的多层膜的方式。
在将第1补强基板40设为多层的情况下，第1补强基板40中包括的各层优选具有不同的功能。例如，在图39所示的一例中，将第1层第1补强基板40C及第3层第1补强基板40E设为具有非导电性的抗静电功能的层，并将第2层第1补强基板40D设为导电性的层，由此可以对第1补强基板40赋予电磁屏蔽功能。作为该情况下的第1层第1补强基板40C及第3层第1补强基板40E，例如可举出使用了抗静电涂料“Colcoat”(商品名：ColcoatCo，.Ltd.制)的膜等抗静电膜。并且，作为第2层第1补强基板40D，例如可举出导电性薄片或Cu等导电性网片等。
例如，在放射线检测器10的读取方式为ISS方式的情况下，有时在转换层14侧设置有控制基板110或电源部108等(参考图56)，如此第1补强基板40具有抗静电功能时，能够屏蔽来自控制基板110或电源部108的电磁噪声。
并且，图40是表示第1补强基板40的结构的一例的俯视图。第1补强基板40可以在其主面上具有多个贯穿孔40H。贯穿孔40H的大小及间距确定成可以在第1补强基板40中获得所期望的刚性。
第1补强基板40具有多个贯穿孔40H，由此能够使导入到第1补强基板40与转换层14的接合面的空气从贯穿孔40H排出。由此，能够抑制第1补强基板40与转换层14的接合面中的气泡的产生。
在不存在排出导入到第1补强基板40与转换层14的接合面的空气的方法的情况下，上述接合面上有可能产生气泡。例如，若在上述接合面上出现的气泡由于放射线图像摄影装置1工作时的热而膨胀，则降低第1补强基板40与转换层14的密接性。由此，有可能无法充分地发挥基于第1补强基板40的挠曲抑制效果。如图40所示，使用具有多个贯穿孔40H的第1补强基板40，由此能够如上述抑制第1补强基板40与转换层14的接合面中的气泡的产生。因此，能够维持第1补强基板40与转换层14的密接性，从而能够维持第1补强基板40的挠曲抑制效果。
图41是表示第1补强基板40的结构的另一例的立体图。在图41所示的例子中，第1补强基板40在与转换层14的接合面上具有凹凸结构。如图41所示，该凹凸结构可以构成为包括多个相互平行配置的槽63。例如，如图42所示，第1补强基板40的具有基于多个槽63的凹凸结构的面与由反射层62覆盖的转换层14接合。如此，第1补强基板40在与转换层14的接合面上具有凹凸结构，由此能够使导入到第1补强基板40与转换层14的接合部的空气从槽63排出。由此，与图40所示的方式相同地，能够抑制第1补强基板40与转换层14的接合面中的气泡的产生。由此，能够维持第1补强基板40与转换层14的密接性，从而能够维持第1补强基板40的挠曲抑制效果。
图43及图44是分别表示第1补强基板40的结构的另一例的俯视图。如图43及图44所示，第1补强基板40可以分割为多个断片54。如图43所示，第1补强基板40也可以分割成多个断片54(555～5411)沿一个方向排列。并且，如图44所示，第1补强基板40可以分割成多个断片54(551～544)沿纵向及横向排列。
第1补强基板40的面积变得越大，越容易在第1补强基板40与转换层14的接合面产生气泡。如图43及图44所示，将第1补强基板40分割为多个断片54，由此能够抑制第1补强基板40与转换层14的接合面中的气泡的产生。由此，能够维持第1补强基板40与转换层14的密接性，从而能够维持第1补强基板40的挠曲抑制效果。
并且，可以在第2补强基板42的与TFT基板12(第2面11B)接触的一侧的相反侧设置补强部件52。图45～图50是分别表示补强部件52的设置方式的一例的剖视图。
在图45～图49所示的例子中，在第2补强基板42的TFT基板12侧的面的相反侧的面上经由接着层51层叠有补强部件52。补强部件52可以由与第1补强基板40相同的材料构成。在将放射线检测器10用作ISS方式的情况下，为了使补强部件52与像素区域35重叠的部分的面积极小化，补强部件52优选仅设置于TFT基板12的外周部。即，如图45～图49所示，补强部件52可以为在与像素区域35对应的部分中具有开口61的环状。如此，在TFT基板12的外周部形成基于第2补强基板42及补强部件52的层叠结构，由此能够加强相对容易产生挠曲的TFT基板12的外周部的刚性。
在图45～图47所示的例子中，补强部件52设置于横跨转换层14的端部(外缘、边缘)的区域。放射线检测器10的转换层14的端部中，TFT基板12的挠曲量相对大。在与转换层14的端部对应的区域形成基于第2补强基板42及补强部件52的层叠结构，由此能够促进抑制转换层14的端部中的TFT基板12的挠曲的效果。
在将放射线检测器10用作ISS方式的情况下，如图45所示，当补强部件52的一部分与像素区域35重叠时，根据补强部件52的材质而有可能影响图像。因此，在补强部件52的一部分与像素区域35重叠的情况下，优选将塑料用作补强部件52的材料。
如图46及图47所示，最优选补强部件52横跨转换层14的端部(外缘、边缘)且不与像素区域35重叠的方式(即，补强部件52的开口61的端部配置于像素区域35的外侧的方式)。在图46所示的例子中，补强部件52的开口61的端部的位置与像素区域35的端部的位置大致一致。在图47所示的例子中，补强部件52的开口61的端部配置于像素区域35的端部与转换层14的端部之间。
并且，关于补强部件52的开口61的端部的位置，可以如图48所示那样与转换层14的端部的位置大致一致，并且电可以如图49所示那样配置在比转换层14的端部更靠外侧的位置。此时，补强部件52不是横跨转换层14的端部(外缘、边缘)的结构，因此抑制转换层14的端部中的TFT基板12的挠曲的效果有可能降低。然而，在存在柔性电缆112与端子113的连接部的TFT基板12的外周部中形成基于第2补强基板42及补强部件52的层叠结构，由此维持抑制柔性电缆112与端子113的连接部中的TFT基板12的挠曲的效果。
另外，在补强部件52的材料为碳等放射线的吸收少的材料的情况下，能够抑制在PSS方式及ISS方式的任一个中放射线R均被第1补强基板40B吸收而到达转换层14的放射线R减少。因此，如图50所示，也可以将补强部件52设为不具有开口61的形状。换句话说，补强部件52可以覆盖像素区域35的至少一部分。另外，图50所示的补强部件52遍及第2补强基板42的整个面而设置。补强部件52的弯曲弹性模量优选大于第1补强基板40及第2补强基板42的每一个。作为补强部件52的弯曲弹性模量的优选具体例，可举出8000MPa以上。
进而，参考图51～图57对在框体120内容纳放射线检测器10的放射线图像摄影装置1的一例进行说明。图51～图57是分别表示放射线图像摄影装置1的另一构成例的图。
在图51所示的例子中，与上述图7所示的放射线图像摄影装置1相同地，示出ISS方式的放射线图像摄影装置1的一例。并且，在图52所示的例子中，示出PSS方式的放射线图像摄影装置1的一例。在图51及图52所示的例子中，例示出放射线检测器10、控制基板110及电源部108在图中沿横向并列设置的构成。
并且，在图51及图52所示的例子中，放射线检测器10与框体120的撮影面120A的内壁之间还设置有保护层117。换句话说，在放射线R所入射的一侧即撮影面120A侧还设置有保护层117。作为保护层117，能够适用Alpet(注册商标)薄片、Parylene(注册商标)膜及聚对苯二甲酸丁二醇酯等绝缘性薄片等防湿膜。保护层117针对像素区域35具有防湿功能及抗静电功能。因此，保护层117优选至少覆盖像素区域35的放射线R所入射的一侧的面整体，优选覆盖放射线R所入射的一侧的TFT基板12的面整体。
另外，在图51及图52中示出了将电源部108及控制基板110这两者设置于放射线检测器10的一侧、具体而言设置于矩形的像素区域35的一个边侧的方式，但设置电源部108及控制基板110的位置并不限定于图51及图52所示的方式。例如，可以将电源部108及控制基板110分开设置于像素区域35的2个对置的边的各边，也可以分开设置于相邻的2个边的各边。
并且，如图51及图52所示的例子，在将放射线检测器10、控制基板110及电源部108沿与层叠了TFT基板12及转换层14的方向(层叠方向P)交叉的方向并列配置的情况下，在分别设置有电源部108及控制基板110的框体120的部分与设置有放射线检测器10的框体120的部分中，框体120的厚度可以不同。
如图52所示的例子，电源部108及控制基板110的每一个的厚度厚于放射线检测器10的情况较多。这种情况下，如图53所示的例，设置有放射线检测器10的框体120的部分的厚度可以薄于分别设置有电源部108及控制基板110的框体120的部分的厚度。另外，在分别设置有电源部108及控制基板110的框体120的部分的厚度与设置有放射线检测器10的框体120的部分的厚度不同的情况下，若在两个部分的边界部中产生段差，则存在使与边界部120B接触的被检人感到不舒服等的忧虑。因此，这种情况下，优选边界部120B的方式设为具有倾斜度的状态。
由此，能够构成与放射线检测器10的厚度相应的极薄型便捷式电子匣。
并且，例如，此时，分别设置有电源部108及控制基板110的框体120的部分与设置有放射线检测器10的框体120的部分中框体120的材质可以不同。进而，例如，分别设置有电源部108及控制基板110的框体120的部分与设置有放射线检测器10的框体120的部分可以分开配置。
并且，如上所述，框体120优选放射线R的尤其X射线的吸收率低且为高刚性，优选由弹性模量充分高的材料构成，但是如图54所示的例子，也可以与框体120的撮影面120A对应的部分120C的放射线R的吸收率低且为高刚性，由弹性模量充分高的材料构成，而其他部分由与部分120C不同的材料、例如弹性模量低于部分120C的材料构成。
并且，如图55所示的例子，放射线检测器10与框体120的内壁面可以接触。此时，放射线检测器10与框体120的内壁面可以经由接着层接着，电可以只是简单地接触而不经由接着层。如此，通过放射线检测器10与框体120的内壁面接触，进一步确保放射线检测器10的刚性。
并且，在图56所示的例子中，与上述图8所示的放射线图像摄影装置1相同地，示出ISS方式的放射线图像摄影装置1的一例。并且，在图57所示的例子中，示出PSS方式的放射线图像摄影装置1的一例。在图56及图57所示的例子中，以夹住薄片116及基台118的方式设置有TFT基板12和控制基板110及电源部108。根据该构成，相较于放射线检测器10、控制基板110及电源部108在图中沿横向并列设置的情况(参考图51～图55)，能够缩小俯视放射线图像摄影装置1时的尺寸。
此外，上述各实施方式中说明的放射线检测器10等的构成和制造方法等为一例，能够在不脱离本发明的宗旨的范围内根据状况进行变更，这是不言而喻的。
2018年11月22日申请的日本专利申请2018-219700号的公开及2019年2月8日申请的日本专利申请2019-022127号的公开的其整体被作为参考而编入本说明书中。
本说明书中所记载的所有文献、专利申请及技术规格与具体且单独记载每个文献、专利申请及技术规格被作为参考而编入的情况相同程度地，作为参考而编入本说明书中。
符号说明
1-放射线图像摄影装置，10-放射线检测器，11-基材，11A-第1面，11B-第2面，11L-微粒层，11P-微粒，12-TFT基板，13-缓冲层，14-转换层，14A-中央部，14B-周缘部，19-层叠体，19A-第1面，22-保护层，30-像素，31-像素阵列，32-开关元件(TFT)，34-传感器部，35-像素区域，36-信号配线，38-扫描配线，39-共用配线，40、40B-第1补强基板，40A-切口部，40C，第1层第1补强基板，40D-第2层第1补强基板，40E-第3层第1补强基板，40H-贯穿孔，42-第2补强基板，42A-第1层，42B-第2层，47-接着层，48、48A-粘接层，49-间隔物，51-接着层，52-补强部件，541～5411-断片，60-粘接层，61-开口，62-反射层，63-槽，64-接着层，65-保护层，70-填充剂，72-密封部件，8()-闸极电极，81-汲极电极，82-源极电极，90-基于无机材料的层，103-驱动部，104-信号处理部，108-电源部，109-防湿绝缘膜，110-控制基板，111、111A、111B-端子区域，111C-第1区域，111D-第2区域，112-柔性电缆，113-端子，114-电源线，116-薄片，117-保护层，118-基台，120-框体，120A-撮影面，120B-边界部，120C-部分，202-驱动基板，212-驱动电路部，243、243A、243B-连接区域，250、250A～250I-驱动部件，304-信号处理基板，314-信号处理电路部，330-连接器，350、350A～350I-信号处理部件，380-图像存储器，382-控制部，400-支撑体，D-剥离方向，h、H-长度，R-放射线，Rb-后方散射线，S-被摄体，X-交叉方向，Y-挠曲方向。

Claims (23)

1.一种放射线检测器，其具备：
基板，在可挠性基材的第1面的像素区域形成有蓄积根据从放射线转换的光产生的电荷的多个像素，并且在所述第1面的端子区域设置有用于电连接电缆的端子；
转换层，设置于所述基材的所述第1面中的所述端子区域外且将所述放射线转换成光；
第1补强基板，设置于所述转换层中的所述基板侧的面的相反侧的面且刚性高于所述基材；及
第2补强基板，设置于所述基材的所述第1面的相反侧的第2面且覆盖大于所述第1补强基板的面，
所述端子区域包括由所述第1补强基板覆盖的第1区域及没有被所述第1补强基板覆盖的第2区域，
所述第1区域小于所述第2区域。
2.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述第1区域中的所述基材的内部侧的一端部至所述基材的外缘侧的另一端部的长度为所述端子区域中的所述基材的内部侧的一端部至所述基材的外缘侧的另一端部的长度的1/4以下。
3.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述第1补强基板在与所述端子区域对应的位置设置有切口部。
4.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述第2补强基板的刚性高于所述基材。
5.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述第1补强基板及所述第2补强基板中的至少一者为使用了弯曲弹性模量为1000MPa以上且2500MPa以下的材料的补强基板。
6.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述第1补强基板及所述第2补强基板中的至少一者包含具有降伏点的材料。
7.根据权利要求6所述的放射线检测器，其中，
具有所述降伏点的材料为聚碳酸酯及聚对苯二甲酸丁二醇酯中的至少一个。
8.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述第1补强基板的热膨胀系数相对于所述转换层的热膨胀系数的比为0.5以上且2以下。
9.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述第1补强基板的热膨胀系数为30ppm/K以上且80ppm/K以下。
10.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述基材的所述第2面的大小大于所述第2补强基板的与所述第2面对置的面的大小。
11.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述第2补强基板具有在层叠于所述基板的层叠方向上层叠的多个层且所述多个层的一部分的大小大于所述第2面的大小。
12.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述基材的所述第2面的大小小于所述第2补强基板的与所述第2面对置的面的大小。
13.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述基材的端部的至少一部分位于比所述第2补强基板的端部更靠外部的位置。
14.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述放射线检测器还具备设置于所述基板与所述转换层之间且缓冲所述转换层的热膨胀系数与所述基板的热膨胀系数的差的缓冲层。
15.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述基材为树脂制，并且具有包含平均粒径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机微粒的微粒层。
16.根据权利要求15所述的放射线检测器，其中，
所述基材在所述第2面侧具有所述微粒层。
17.根据权利要求15所述的放射线检测器，其中，
所述微粒包含原子序数大于构成所述基材的元素且原子序数为30以下的元素。
18.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述基材在300℃～400℃下的热膨胀系数为20ppm/K以下。
19.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
在厚度为25μm的状态下，所述基材满足400℃下的热收缩率为0.5％以下及500℃下的弹性模量为1GPa以上中的至少一者。
20.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述转换层包含CsI的柱状晶体。
21.一种放射线图像摄影装置，其具备：
权利要求1至3中任一项所述的放射线检测器；
控制部，输出用于读取蓄积于所述多个像素的电荷的控制信号；及
电路部，通过电缆与所述放射线检测器电连接且根据所述控制信号从所述多个像素读取电荷。
22.根据权利要求21所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述放射线图像摄影装置还具备具有放射线所照射的照射面且以所述放射线检测器中的基板及转换层中所述基板与所述照射面对置的状态容纳所述放射线检测器的框体。
23.一种放射线检测器的制造方法，所述方法包括：
在支撑体设置可挠性基材来形成在所述基材的第1面的像素区域设置有蓄积根据从放射线转换的光产生的电荷的多个像素的基板的工序；
在所述基材的所述第1面的端子区域外形成将所述放射线转换成光的转换层的工序；
在所述转换层的与所述基板侧的面对置的一侧的面的相反侧的面设置刚性高于所述基材的第1补强基板的工序；
从所述支撑体剥离设置有所述转换层及所述第1补强基板的所述基板的工序；及
在从所述支撑体剥离的所述基板中的所述基材的所述第1面的相反侧的第2面设置覆盖大于所述第1补强基板的面的第2补强基板的工序，
所述端子区域包括由所述第1补强基板覆盖的第1区域及没有被所述第1补强基板覆盖的第2区域，
所述第1区域小于所述第2区域。
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