CN209992682U - 放射线检测器以及放射线图像摄影装置 - Google Patents

放射线检测器以及放射线图像摄影装置 Download PDF

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Abstract

本实用新型提供一种放射线检测器以及放射线图像摄影装置。放射线检测器具备：基板，在可挠性的基材的像素区域形成有对根据从放射线变换后的光而产生的电荷进行蓄积的多个像素；变换层，设置在所述基材的设置有所述像素区域的面，将所述放射线变换为光；和增强基板，设置在所述变换层中的与所述基板侧的面对置的一侧的面，包含具有屈服点的材料，刚性比所述基材高。

Description

放射线检测器以及放射线图像摄影装置
技术领域
本公开涉及放射线检测器以及放射线图像摄影装置。
背景技术
以往，已知有进行以医疗诊断为目的的放射线摄影的放射线图像摄影装置。在这样的放射线图像摄影装置中，利用了用于检测透过了被摄体的放射线并生成放射线图像的放射线检测器(例如，参照日本特开 2009-133837号公报以及日本特开2012-177624号公报)。
作为这种放射线检测器，有具备将放射线变换为光的闪烁器等变换层、和在基材的像素区域设有多个像素的基板的放射线检测器，其中，所述多个像素对根据由变换层变换后的光而产生的电荷进行蓄积。作为这样的放射线检测器的基板的基材，已知利用了可挠性基材的基材。通过利用可挠性基材，例如能够使放射线图像摄影装置(放射线检测器)轻量化，此外存在被摄体的摄影变得容易的情况。
但是，在放射线图像摄影装置的制造工序的中途等，存在放射线检测器以单体来处理的情况。在以单体来处理放射线检测器的情况下，由于可挠性的基板的挠曲等的影响，变换层有可能会从基板剥离。
但是，在日本特开2009-133837号公报所记载的技术中，在变换层中的与基板侧的面对置的一侧的面，设置有覆盖变换层的电磁屏蔽层。此外，在日本特开2012-177624号公报所记载的技术中，在变换层中的与基板侧的面对置的一侧的面，设置有支承变换层的支承体。然而，在日本特开 2009-133837号公报以及日本特开2012-177624号所记载的技术中，并未考虑放射线检测器以单体来处理的情况。因而，在日本特开2009-133837 号公报中的电磁屏蔽层、日本特开2012-177624号公报中的支承体，在放射线检测器以单体来处理的情况下，有可能无法抑制变换层从基板剥离。
实用新型内容
实用新型要解决的课题
本公开提供一种放射线检测器、放射线图像摄影装置以及制造方法，与不考虑在变换层中的与基板侧的面对置的一侧的面设置的增强基板的材质的情况相比，能够抑制放射线检测器单体中的变换层的破坏。
用于解决课题的手段
本公开的第1形态为放射线检测器，具备：基板，在可挠性的基材的像素区域形成有对根据从放射线变换后的光而产生的电荷进行蓄积的多个像素；变换层，设置在基材的设置有像素区域的面，将放射线变换为光；和增强基板，设置在变换层中的与基板侧的面对置的一侧的面，包含具有屈服点的材料，刚性比基材高。
本公开的第2形态的放射线检测器在第1形态的放射线检测器中，增强基板设置在比设置有变换层的区域更大的区域。
本公开的第3形态的放射线检测器在第1形态的放射线检测器或者第 2形态的放射线检测器中，基板在形成有多个像素的面的外周的区域，具有与将多个像素中蓄积的电荷读出的电路部连接的可挠性的布线的另一端所连接的连接区域，增强基板设置在覆盖连接区域的至少一部分以及变换层的区域。
本公开的第4形态的放射线检测器在第1形态至第3形态中的任一形态的放射线检测器中，在基板的与形成有多个像素的面对置的面，还具备刚性比基材高的增强构件。
本公开的第5形态的放射线检测器在第1形态至第4形态中的任一形态的放射线检测器中，还具备设置在基板与变换层之间的缓冲层。
本公开的第6形态的放射线检测器在第1形态至第5形态中的任一形态的放射线检测器中，增强基板的弯曲弹性模量为1000MPa以上且 2500MPa以下。
本公开的第7形态的放射线检测器在第1形态至第6形态中的任一形态的放射线检测器中，具有屈服点的材料为聚碳酸酯以及聚对苯二甲酸乙二醇酯的至少一种。
本公开的第8形态的放射线检测器在第1形态至第7形态中的任一形态的放射线检测器中，增强基板的热膨胀系数相对于变换层的热膨胀系数之比为0.5以上且2以下。
本公开的第9形态的放射线检测器在第1形态至第8形态中的任一形态的放射线检测器中，增强基板的热膨胀系数为30ppm/K以上且80ppm/K 以下。
本公开的第10形态的放射线检测器在第1形态至第9形态中的任一形态的放射线检测器中，变换层包含CsI的柱状晶体。
本公开的第11形态的放射线检测器在第1形态至第10形态中的任一形态的放射线检测器中，多个像素通过直接形成法形成在像素区域。
此外，本公开的第12形态的放射线图像摄影装置具备：第1形态至第11形态中的任一形态的放射线检测器；控制部，输出用于将多个像素中蓄积的电荷读出的控制信号；和电路部，通过可挠性的布线而与放射线检测器电连接，根据控制信号从多个像素读出电荷。
此外，本公开的第13形态为放射线检测器的制造方法，包括：在与放射线检测器相应的大小的增强基板涂敷粘结层的工序；在支承体隔着剥离层设置可挠性的基材，形成在基材的像素区域设置有对根据从放射线变换后的光而产生的电荷进行蓄积的多个像素的基板的工序；在基材的设置有像素区域的面形成将放射线变换为光的变换层的工序；在变换层的与和基板侧的面对置的一侧的面相反侧的面，粘贴包含具有屈服点的材料且刚性比基材高的增强基板的工序；和将设置有变换层以及增强基板的基板从支承体剥离的工序。
本公开的第14形态的制造方法在第13形态的制造方法中，在粘贴增强基板的工序之前，还包括在基板连接与将多个像素中蓄积的电荷读出的电路部连接的可挠性的布线的一端的工序。
实用新型效果
根据本公开，与不考虑在变换层中的与基板侧的面对置的一侧的面设置的增强基板的材质的情况相比，能够抑制放射线检测器单体中的变换层的破坏。
附图说明
图1是表示第1示例的实施方式的放射线检测器中的TFT(Thin Film Transistor；薄膜晶体管)基板的结构的一例的结构图。
图2是用于说明示例的实施方式的基材的一例的剖视图。
图3是从设置有变换层的一侧观察第1示例的实施方式的放射线检测器的一例的俯视图。
图4是图3所示的放射线检测器的A-A线剖视图。
图5是从TFT基板的第1面的一侧观察第1示例的实施方式的放射线检测器的一例的俯视图。
图6是说明第1示例的实施方式的放射线检测器的制造方法的一例的说明图。
图7是说明第1示例的实施方式的放射线检测器的制造方法的一例的说明图。
图8是第2示例的实施方式的放射线检测器的一例的剖视图。
图9是示例的实施方式的放射线检测器的另一例的剖视图。
图10是关于示例的实施方式的放射线检测器的另一例的一像素部分的剖视图。
图11是表示应用了示例的实施方式的放射线检测器的放射线图像摄影装置的一例的剖面的剖视图。
图12是表示应用了示例的实施方式的放射线检测器的放射线图像摄影装置的另一例的剖面的剖视图。
图13是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图14是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图15是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图16是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图17是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图18是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图19是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图20是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图21是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图22是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图23是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图24是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图25是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图26是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图27是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图28是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图29是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图30是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图31是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图32是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图33是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图34是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图35是表示公开的技术的示例的实施方式的增强构件的构造的一例的俯视图。
图36是表示公开的技术的示例的实施方式的增强构件的构造的一例的立体图。
图37是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图38是表示公开的技术的示例的实施方式的增强构件的构造的一例的俯视图。
图39是表示公开的技术的示例的实施方式的增强构件的构造的一例的俯视图。
图40是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图41是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图42是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图43是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图44是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图45A是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图45B是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图45C是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图46是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
图47是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线图像摄影装置的结构的一例的剖视图。
图48是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线图像摄影装置的结构的一例的剖视图。
图49是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线图像摄影装置的结构的一例的剖视图。
图50是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线图像摄影装置的结构的一例的剖视图。
图51是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线图像摄影装置的结构的一例的剖视图。
图52是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线图像摄影装置的结构的一例的剖视图。
图53是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线图像摄影装置的结构的一例的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图来详细地说明本实用新型的示例的实施方式。另外，本示例的实施方式并不限定本实用新型。
[第1示例的实施方式]
本示例的实施方式的放射线检测器具有检测透过了被摄体的放射线并输出表示被摄体的放射线图像的图像信息的功能。本示例的实施方式的放射线检测器具备：TFT(Thin Film Transistor；薄膜晶体管)基板、和将放射线变换为光的变换层(参照图4、放射线检测器10的TFT基板12 以及变换层14)。
首先，参照图1来说明本示例的实施方式的放射线检测器中的TFT 基板12的结构的一例。另外，本示例的实施方式的TFT基板12是在基材11的像素区域35形成有包含多个像素30的像素阵列31的基板。因此，以下，将“像素区域35”这一表现作为与“像素阵列31”相同含义来使用。本示例的实施方式的TFT基板12为公开的技术的基板的一例。
基材11为树脂制且具有可挠性。基材11例如为包含聚酰亚胺等塑料的树脂片等。基材11的厚度只要是根据材质的硬度以及TFT基板12的大小等可得到希望的可挠性的厚度即可。例如，在基材11为树脂片的情况下，厚度为5μm～125μm即可，如果厚度为20μm～50μm，则更优选。
另外，基材11具有能承受制造后述详情的像素30的特性，在本示例的实施方式中，具有能承受制造非晶硅TFT(a-Si TFT)的特性。作为这样的基材11具有的特性，300℃～400℃下的热膨胀系数优选为与硅(Si) 晶片相同程度(例如，±5ppm/K)，具体而言，优选为20ppm/K以下。此外，作为基材11的热收缩率，在厚度为25μm的状态下，400℃下的MD(Machine Direction；纵向)方向的热收缩率优选为0.5％以下。此外，基材11的弹性模量优选的是，在300℃～400℃间的温度区域，不具有一般的聚酰亚胺所具有的转变点，500℃下的弹性模量为1GPa以上。
此外，如图2所示，本示例的实施方式的基材11优选在与设置变换层14的一侧相反的一侧的面，具有包含平均粒径为0.05μm以上且2.5μm 以下的无机的微粒11P的微粒层11L。作为具有这种特性的树脂片的具体例，可列举XENOMAX(注册商标)。
另外，关于在本示例的实施方式中叙述的厚度，利用测微计进行了测定。关于热膨胀系数，依据JIS K7197：1991进行了测定。另外，在测定中，从基材11的主面，各15度地改变角度来切取试验片，对切取出的各试验片测定热膨胀系数，将最高的值设为基材11的热膨胀系数。在热膨胀系数的测定中，分别关于MD(Machine Direction；纵向)方向以及TD(Transverse Direction；横向)方向，在-50℃～450℃下以10℃间隔来进行，将(ppm/℃)换算成(ppm/K)。在热膨胀系数的测定中，利用MAC Science公司制TMA4000S装置，将样本长度设为10mm，将样本宽度设为2mm，将初始载重设为34.5g/mm2，将升温速度设为5℃/min，以及将气氛设为氩。关于弹性模量，依据JIS K 7171：2016进行了测定。另外，在测定中，从基材11的主面，各15度地改变角度来切取试验片，对切取出的各试验片进行拉伸试验，将最高的值设为基材11的弹性模量。
像素30分别包括：根据变换层变换后的光产生电荷并蓄积的传感器部34、以及将由传感器部34蓄积的电荷读出的开关元件32。在本示例的实施方式中，作为一例，将薄膜晶体管(TFT)用作开关元件32。因而，以下，将开关元件32称为“TFT32”。
多个像素30在TFT基板12的像素区域35中，在一方向(与图1的横向对应的扫描布线方向，以下也称为“行方向”)以及相对于行方向的交叉方向(与图1的纵向对应的信号布线方向，以下也称为“列方向”) 上呈二维状配置。在图1中，简化示出了像素30的排列，但例如像素30 在行方向以及列方向上配置1024个×1024个。
此外，在放射线检测器10中，相互交叉地设置有：用于对TFT32的开关状态(接通以及断开)进行控制的多个扫描布线38、和按照像素30 的每列配备的将传感器部34中蓄积的电荷读出的多个信号布线36。多个扫描布线38各自分别经由设置于TFT基板12的连接区域43(参照图4 以及图5)而与放射线检测器10的外部的驱动部103(参照图5)连接，由此流动从驱动部103输出的对TFT32的开关状态进行控制的控制信号。此外，多个信号布线36各自分别经由设置于TFT基板12的连接区域43 (参照图4以及图5)而与放射线检测器10的外部的信号处理部104(参照图5)连接，由此从各像素30读出的电荷输出至信号处理部104。
此外，在各像素30的传感器部34，为了向各像素30施加偏置电压，在信号布线36的布线方向上设置有共用布线39。共用布线39经由设置于TFT基板12的焊盘(省略图示)而与放射线检测器10的外部的偏置电源连接，由此从偏置电源向各像素30施加偏置电压。
在本示例的实施方式的放射线检测器10中，在TFT基板12上形成有变换层。图3是从形成有变换层14的一侧观察本示例的实施方式的放射线检测器10的俯视图。此外，图4是图3中的放射线检测器10的A-A 线剖视图。另外，以下，在放射线检测器10的构造中称为“上”的情况下，表示在以TFT基板12侧为基准的位置关系中为上。例如，变换层 14设置在TFT基板12上。
如图3以及图4所示，本示例的实施方式的变换层14设置在TFT基板12的第1面12A中的包含像素区域35的一部分的区域上。这样，本示例的实施方式的变换层14未设置在TFT基板12的第1面12A的外周部的区域上。本示例的实施方式的第1面12A为本公开的设置有像素区域的面的一例。
在本示例的实施方式中，作为变换层14的一例，利用了包含CsI(碘化铯)的闪烁器。作为这样的闪烁器，例如优选包含X射线照射时的发光光谱为400nm～700nm的CsI：Tl(添加有铊的碘化铯)、CsI：Na(添加有钠的碘化铯)。另外，CsI：Tl的可见光区域中的发光峰值波长为 565nm。
在本示例的实施方式的放射线检测器10中，变换层14在TFT基板 12上直接通过真空蒸渡法、溅射法、以及CVD(Chemical Vapor Deposition；化学气相沉积)法等气相沉积法形成为长条状的柱状晶体(省略图示)。作为变换层14的形成方法，例如可列举如下的真空蒸渡法，即，在作为变换层14使用了CsI：Tl的情况下，在真空度为0.01Pa～10Pa的环境下，通过电阻加热式的坩埚等的加热手段对CsI：Tl进行加热而使其气化，将 TFT基板12的温度设为室温(20℃)～300℃，使CsI：Tl沉积在TFT 基板12上。作为变换层14的厚度，优选100μm～800μm。
在本示例的实施方式中，作为一例，如图4所示，在TFT基板12与变换层14之间设置有缓冲层13。缓冲层13具有缓冲变换层14的热膨胀系数与基材11的热膨胀系数之差的功能。另外，可以与本示例的实施方式的放射线检测器10不同，设为不设置缓冲层13的结构，但变换层14 的热膨胀系数与基材11的热膨胀系数之差越大则越优选设置缓冲层13。例如，在对于基材11而使用上述XENOMAX(注册商标)的情况下，与其他材质相比，与变换层14的热膨胀系数之差变大，因此优选如图4所示的放射线检测器10那样设置缓冲层13。作为缓冲层13，利用PI (PolyImide：聚酰亚胺)膜、派瑞林(注册商标)膜。
保护层22具有保护变换层14不受湿气等水分影响的功能。作为保护层22的材料，例如可列举有机膜，具体而言，可列举PET(Polyethylene terephthalate：聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PPS(PolyPhenylene Sulfide：聚苯硫醚)、OPP(Oriented PolyPropylene：双轴取向聚丙烯薄膜)、PEN (PolyEthylene Naphthalate：聚萘二甲酸乙二醇酯)、PI等的单层膜或者层叠膜。此外，作为保护层22，可以使用通过在PET等的绝缘性的片材(薄膜)粘合铝箔等而层叠了铝的Alpet(注册商标)的片材。
在作为层叠有TFT基板12、缓冲层13、变换层14以及保护层22的层叠体19的变换层14侧的面的第1面19A，通过粘结层48设置有增强基板40。
增强基板40与基材11相比刚性高，相对于在与变换层14所对置的面垂直的方向施加的力的尺寸变化(变形)，小于相对于在与TFT基板 12的第1面12A垂直的方向施加的力的尺寸变化。此外，本示例的实施方式的增强基板40的厚度比基材11的厚度厚。另外，这里提及的刚性意味着也包含增强基板40以及基材11的厚度在内的增强基板40以及基材 11的弯曲难度，刚性越高则表示越难以弯曲。
此外，本示例的实施方式的增强基板40为包含具有屈服点的材料的基板。另外，在本示例的实施方式中，“屈服点”是指在拉伸材料的情况下应力暂时急剧下降的现象，在表示应力与应变的关系的曲线上是指表示屈服的点。作为具有屈服点的树脂，一般而言，可列举硬且粘性强的树脂、以及软且粘性强且中等程度的强度的树脂。作为硬且粘性强的树脂，例如可列举PC(Polycarbonate：聚碳酸酯)、以及聚酰胺的至少一种。此外，作为软且粘性强且中等程度的强度的树脂，例如可列举高密度聚乙烯、以及聚丙烯的至少一种。
此外，本示例的实施方式的增强基板40优选弯曲弹性模量为 1000MPa以上且2500MPa以下。弯曲弹性模量的测定方法例如基于依据 JIS K 7171：2016。若弯曲弹性模量变得更低，则为了刚性必须加厚增强基板40的厚度。因而，从抑制厚度的观点出发，增强基板40更优选弯曲弹性模量为2000MPa以上且2500MPa以下。
此外，本示例的实施方式的增强基板40的热膨胀系数(CTE： Coefficient ofThermal Expansion，热膨胀系数)优选接近变换层14的材料的热膨胀系数，更优选的是，增强基板40的热膨胀系数相对于变换层 14的热膨胀系数之比优选为0.5以上且2以下。例如，在变换层14将CsI ：Tl作为材料的情况下，热膨胀系数为50ppm/K。在该情况下，作为增强基板40的材料，可列举热膨胀系数为60ppm/K～80ppm/K的聚氯乙烯 (PVC：PolyvinylChloride)、热膨胀系数为70ppm/K～80ppm/K的丙烯酸、热膨胀系数为65～70ppm/K的PET、热膨胀系数为65ppm/K的PC、以及热膨胀系数为45ppm/K～70ppm/K的特氟隆等。进而，若考虑上述的弯曲弹性模量，则作为增强基板40的材料，更优选为包含PET以及 PC的至少一方的材料。
如图3以及图4所示，本示例的实施方式的增强基板40设置在TFT 基板12的第1面12A中的、比设置有变换层14的区域更大的区域。因而，如图3以及图4所示，增强基板40的端部突出到比变换层14的外周部更靠外侧(TFT基板12的外周部侧)。
如图4所示，在TFT基板12的外周部设置有连接区域43。在连接区域43连接有后述详情的柔性线缆112。柔性线缆112与驱动部103以及信号处理部104(均参照图5)的至少一方连接。本示例的实施方式的驱动部103以及信号处理部104为本公开的电路部的一例。在图5中示出从TFT基板12的第1面12A的侧观察本示例的实施方式的放射线检测器 10连接有驱动部103以及信号处理部104的状态的一例的俯视图。
如图5所示的一例那样，在TFT基板12的连接区域43电连接柔性线缆112。另外，在本示例的实施方式中，包含柔性线缆112在内称为“线缆”的部件有关的连接只要不特别提及，就意味着电连接。另外，柔性线缆112包含由导体构成的信号线(省略图示)，该信号线与连接区域43 连接从而被电连接。本示例的实施方式的柔性线缆112为本公开的可挠性的布线的一例。此外，以下称为“线缆”的情况下，是指柔性(具有可挠性)的。
在TFT基板12的连接区域43(43A)，热压接了多个(在图5中为四个)柔性线缆112的一端。柔性线缆112具有将驱动部103和扫描布线 38(参照图1)连接的功能。柔性线缆112中包含的多个信号线(省略图示)经由连接区域43而与TFT基板12的扫描布线38(参照图1)连接。
另一方面，柔性线缆112的另一端被热压接于在驱动基板202的外周的区域设置的连接区域243(243A)。柔性线缆112中包含的多个信号线 (省略图示)经由连接区域243而与搭载于驱动基板202的电路以及元件等的驱动部件250连接。
在图5中，作为一例，示出九个驱动部件250(250A～250I)搭载于驱动基板202的状态。如图5所示，本示例的实施方式的驱动部件250 沿着与挠曲方向Y交叉的方向即交叉方向X配置，挠曲方向Y为沿着 TFT基板12的与连接区域43(43A)对应的边的方向。
本示例的实施方式的驱动基板202为可挠性的PCB(Printed Circuit Board；印刷电路板)基板，是所谓的柔性基板。搭载于驱动基板202的驱动部件250是主要用于数字信号的处理的部件(以下称为“数字系统部件”)。作为驱动部件250的具体例，可列举数字缓冲器、旁路电容器、上拉/下拉电阻、阻尼电阻、以及EMC(Electro Magnetic Compatibility；电磁兼容性)对策芯片部件等。另外，驱动基板202不一定非要为柔性基板，也可以设为后述的不可挠性的刚硬基板。
数字系统部件与后述的模拟系统部件相比，具有面积(大小)比较小的趋势。此外，数字系统部件与模拟系统部件相比，具有不易较大程度受到电干扰、换言之噪声的影响的趋势。因而，在本示例的实施方式中，将在TFT基板12挠曲的情况下伴随着TFT基板12的挠曲而挠曲的一侧的基板设为搭载了驱动部件250的驱动基板202。
此外，在与驱动基板202连接的柔性线缆112搭载有驱动电路部212。驱动电路部212与柔性线缆112中包含的多个信号线(省略图示)连接。
在本示例的实施方式中，由搭载于驱动基板202的驱动部件250和驱动电路部212来实现驱动部103。驱动电路部212是包括实现驱动部103 的各种电路以及元件之中的与搭载于驱动基板202的驱动部件250不同的电路在内的IC(Integrated Circuit；集成电路)。
这样，在本示例的实施方式的放射线检测器10中，通过柔性线缆112 而TFT基板12和驱动基板202电连接，从而与驱动部103和扫描布线 38分别连接。
另一方面，在TFT基板12的连接区域43(43B)，热压接了多个(在图5中为四个)柔性线缆112的一端。柔性线缆112中包含的多个信号线 (省略图示)经由连接区域43而与信号布线36(参照图1)连接。柔性线缆112具有将信号处理部104和信号布线36(参照图1)连接的功能。
另一方面，柔性线缆112的另一端与在信号处理基板304的连接区域 243(243B)设置的连接器330电连接。柔性线缆112中包含的多个信号线(省略图示)经由连接器330而与搭载于信号处理基板304的电路以及元件等的信号处理部件350连接。例如，作为连接器330，可列举ZIF(Zero Insertion Force；无插拔力)构造的连接器、Non-ZIF构造的连接器。在图 5中，作为一例，示出9个信号处理部件350(350A～350I)搭载于信号处理基板304的状态。如图5所示，本示例的实施方式的信号处理部件 350沿着交叉方向X配置，该交叉方向X为沿着TFT基板12的连接区域 43(43B)的方向。
另外，本示例的实施方式的信号处理基板304为不可挠性的PCB基板，是所谓的刚硬基板。因而，信号处理基板304的厚度比驱动基板202 的厚度厚。此外，刚性比驱动基板202高。
搭载于信号处理基板304的信号处理部件350为主要用于模拟信号的处理的部件(以下称为“模拟系统部件”)。作为信号处理部件350的具体例，可列举运算放大器、模拟数字转换器(ADC)、数字模拟转换器(DAC)、电源IC等。此外，本示例的实施方式的信号处理部件350也包含部件尺寸比较大的电源周围的线圈、以及平滑用大容量电容器。
如上所述，模拟系统部件与数字系统部件相比，具有面积(大小)比较大的趋势。此外，模拟系统部件与数字系统部件相比，具有容易受到电干扰、换言之噪声的影响的趋势。因而，在本示例的实施方式中，将即便在TFT基板12挠曲的情况下也不挠曲(不受挠曲影响的)一侧的基板设为搭载了信号处理部件350的信号处理基板304。
此外，在与信号处理基板304连接的柔性线缆112搭载有信号处理电路部314。信号处理电路部314与柔性线缆112中包含的多个信号线(省略图示)连接。
在本示例的实施方式中，由搭载于信号处理基板304的信号处理部件 350和信号处理电路部314来实现信号处理部104。信号处理电路部314 是包含实现信号处理部104的各种电路以及元件之中的与搭载于信号处理基板304的信号处理部件350不同的电路在内的IC。
这样，在本示例的实施方式的放射线检测器10中，通过柔性线缆112 而TFT基板12和信号处理基板304电连接，从而与信号处理部104和信号布线36分别连接。
此外，如图4所示的一例那样，本示例的实施方式的放射线检测器 10在增强基板40与TFT基板12的第1面12A之间夹着柔性线缆112、防湿剂44以及粘结层45地设置有对变换层14的侧面进行密封的隔离件 46。
设置隔离件46的方法未被特别限定，例如，可以预先在增强基板40 的端部的粘结层48贴附隔离件46，将设置有隔离件46的状态的增强基板40贴附至设置有层叠体19、柔性线缆112、防湿剂44以及粘结层45 的状态的TFT基板12，从而将隔离件46设置在TFT基板12与增强基板 40之间。另外，隔离件46的宽度(与层叠体19的层叠方向交叉的方向) 并不限定于图4所示的例子。例如，与图4所示的例子相比，也可以将隔离件46的宽度扩展至接近变换层14的位置。此外，隔离件46也可以在 TFT基板12的第1面12A上利用树脂、陶瓷等填缝来形成。
此外，在本示例的实施方式的TFT基板12侧的第2面12B，设置有具有进行保护使得不会受到湿气等水分影响的功能的保护膜42。作为保护膜42的材料，例如可列举与保护层22同样的材料。
作为本示例的实施方式的放射线检测器10的制造方法的一例，可列举以下的方法。参照图6以及图7来说明本示例的实施方式的放射线检测器10的制造方法的一例。
预先准备在设为与放射线检测器10相符的希望的大小的增强基板40 涂敷粘结层48并在粘结层48设置了隔离件46的状态的基板。
另一方面，如图6所示，在厚度比基材11厚的玻璃基板等的支承体 400，隔着剥离层(省略图示)而形成基材11。在通过层压法来形成基材 11的情况下，使成为基材11的片材粘贴在支承体400上。基材11中的 TFT基板12的第2面12B所对应的面与剥离层(省略图示)相接。
进而，在基材11的像素区域35形成多个像素30。另外，在本示例的实施方式中，作为一例，在基材11的像素区域35隔着利用了SiN等的底涂层(省略图示)而形成多个像素30。
进而，在像素区域35上形成变换层14。在本示例的实施方式中，首先，在TFT基板12的第1面12A中的设置变换层14的区域形成缓冲层 13。然后，在TFT基板12上，更具体而言在缓冲层13上，直接通过真空蒸渡法、溅射法、以及CVD(Chemical Vapor Deposition；化学气相沉积)法等气相沉积法形成作为柱状晶体的CsI的变换层14。在该情况下，变换层14中的与像素30相接的一侧成为柱状晶体的生长方向基点侧。
另外，这样，在TFT基板12上直接通过气相沉积法设置了CsI的变换层14的情况下，在变换层14的与和TFT基板12相接的一侧相反的一侧的面，例如可以设置有具有对由变换层14变换后的光进行反射的功能的反射层(省略图示)。反射层可以直接设置于变换层14，也可以隔着密接层等来设置。作为反射层的材料，优选利用有机系的材料，例如，优选将白PET、TiO2、Al2O3、发泡白PET、聚酯系高反射片材、以及镜面反射铝等的至少一种用作材料。尤其是，从反射率的观点出发，优选将白 PET用作材料。另外，聚酯系高反射片材是具有将薄的聚酯的片材重叠多个的多层构造的片材(薄膜)。
此外，在作为变换层14而利用CsI的闪烁器的情况下，也能够利用与本示例的实施方式不同的方法在TFT基板12形成变换层14。例如，可以准备在铝板等通过气相沉积法蒸渡CsI的板，通过粘结性的片材等使 CsI的不与铝板相接的一侧和TFT基板12的像素30粘贴，从而在TFT 基板12形成变换层14。在该情况下，优选将也包含铝板的状态的变换层 14整体由保护膜覆盖了的状态的层与TFT基板12的像素区域35粘贴。另外，在该情况下，变换层14中的与像素区域35相接的一侧成为柱状晶体的生长方向的前端侧。
此外，与本示例的实施方式的放射线检测器10不同，作为变换层14，可以取代CsI而利用GOS(Gd2O2S：Tb)等。在该情况下，例如，准备使GOS分散于树脂等粘合剂的片材通过粘结层等粘贴于由白PET等形成的支承体的物体，GOS的未粘贴支承体的一侧和TFT基板12的像素区域35通过粘结性的片材等来粘贴，从而能够在TFT基板12形成变换层 14。另外，对于变换层14利用CsI的情况与利用GOS的情况相比，从放射线向可见光的变换效率变高。
进而，在TFT基板12的连接区域43(43A以及43B)热压接柔性线缆112，使柔性线缆112中包含的多个信号线(省略图示)与TFT基板 12的连接区域43(43A以及43B)电连接。
进而，在驱动基板202的连接区域243(243A)热压接柔性线缆112，使柔性线缆112中包含的多个信号线(省略图示)与搭载于驱动基板202 的驱动部件250电连接。
而且，使预先准备的设置有隔离件46的增强基板40粘贴于形成有变换层14并连接有柔性线缆112的TFT基板12，由此对变换层14进行密封。另外，在进行上述的粘贴的情况下，虽然在大气压下或者减压下(真空下)进行，但为了在粘贴期间抑制空气等进入而优选在减压下进行。
然后，如图7所示，将放射线检测器10从支承体400剥离。在通过机械剥离来进行剥离的情况下，在图7所示的一例中，以TFT基板12中的与连接有柔性线缆112的边对置的边为剥离的起点，从成为起点的边朝向连接有柔性线缆112的边，逐渐将TFT基板12从支承体400沿着图7 所示的箭头D方向剥掉，由此进行机械剥离，可获得连接有柔性线缆112 的状态的放射线检测器10。
另外，设为剥离的起点的边优选为在俯视TFT基板12的情况下的、与最长的边交叉的边。换言之，沿着通过剥离而发生挠曲的挠曲方向Y 的边优选为最长的边。在本示例的实施方式中，驱动基板202被柔性线缆112连接的边长于信号处理基板304侧被柔性线缆112连接的边。因而，将剥离的起点设为与设置有连接区域43(43B)的边对置的边。
在本示例的实施方式中，进而，在从支承体400剥离了TFT基板12 之后，将放射线检测器10的柔性线缆112和信号处理基板304的连接器 330电连接。这样一来，在本示例的实施方式中，制造出在图3～图5示出一例的放射线检测器10。
另外，并不限定于本示例的实施方式，也可以在使放射线检测器10 的柔性线缆112和信号处理基板304的连接器330电连接之后再进行上述机械剥离。
在进行机械剥离时，在本示例的实施方式的放射线图像摄影装置1 中，如图6以及图7所示，由于驱动基板202为柔性的基板，因此驱动基板202也根据TFT基板12的挠曲而挠曲。
在此，在从支承体400剥离TFT基板12的情况下，由于基材11具有可挠性，因此TFT基板12容易挠曲。在TFT基板12较大程度挠曲的情况下，TFT基板12也较大程度挠曲，结果变换层14有可能会从TFT 基板12剥离。尤其是，变换层14的端部变得容易从TFT基板12剥离。此外，并不限定于从支承体400剥离TFT基板12的情况，在放射线图像摄影装置1的制造工序的中途等的放射线检测器10以单体来处理的情况下，TFT基板12挠曲，从而变换层14有可能会从TFT基板12剥离。相对于此，在本示例的实施方式的放射线检测器10中，包含具有屈服点的材料且刚性比基材11高的增强基板40设置于与TFT基板12的第1面12A 对置的一侧的面即第1面19A。因而，根据本示例的实施方式的放射线检测器10，能够抑制TFT基板12较大程度挠曲，能够抑制变换层14从TFT 基板12剥离。
[第2示例的实施方式]
接下来，对第2示例的实施方式进行说明。在图8中示出本示例的实施方式的放射线检测器10的一例的剖视图。
如图8所示，在本示例的实施方式的放射线检测器10中，在TFT基板12侧的第2面12B设置有增强构件41。在本示例的实施方式的放射线检测器10中，如图8所示，在TFT基板12与增强构件41之间，与上述示例的实施方式同样地设置有保护膜42。
增强构件41与增强基板40同样地，与基材11相比刚性高，相对于在与第1面12A垂直的方向施加的力的尺寸变化(变形)，小于相对于在与基材11中的第1面12B垂直的方向施加的力的尺寸变化。此外，本示例的实施方式的增强构件41的厚度比基材11的厚度厚，比增强基板40 的厚度薄。作为本示例的实施方式的增强构件41的材料，优选为热可塑性的树脂，能够使用与增强基板40同样的材料。另外，这里提及的刚性也意味着还包含增强构件41以及基材11的厚度在内的增强构件41以及基材11的弯曲难度，刚性越高则表示越难以弯曲。
本示例的实施方式的放射线检测器10例如通过与在第1示例的实施方式中上述的放射线检测器10的制造方法同样的制造方法，在设置有层叠体19的TFT基板12粘贴设置有隔离件46的增强基板40之后，从支承体400剥离TFT基板12。然后，在TFT基板12的第2面12B通过涂敷等设置保护膜42以及增强构件41，从而能够制造本示例的实施方式的放射线检测器10。
在本示例的实施方式的放射线检测器10中，在TFT基板12的、与形成有多个像素30的第1面12A对置的第2面12B，设置有刚性比基材 11高的增强构件41。因而，与上述各示例的实施方式的放射线检测器10 相比，还能够抑制TFT基板12较大程度挠曲，能够抑制变换层14从TFT 基板12剥离。
此外，例如，在变换层14的热膨胀系数与增强基板40的热膨胀系数之差比较大的情况下，TFT基板12变得容易翘曲。相对于此，在本示例的实施方式的放射线检测器10中，由增强基板40和增强构件41夹着TFT 基板12，因此能够抑制由热膨胀系数的差等导致的TFT基板12翘曲。
如以上说明的那样，上述各示例的实施方式的放射线检测器10具备： TFT基板12，在可挠性的基材11的像素区域35形成有对根据从放射线变换后的光而产生的电荷进行蓄积的多个像素30；变换层14，设置在基材11的设置有像素区域35的面即第1面12A，将放射线变换为光；和增强基板40，设置在变换层14中的与TFT基板12侧的面对置的一侧的面即第1面19A，包含具有屈服点的材料，刚性比基材11高。
在上述各示例的实施方式的放射线检测器10中，由于包含具有屈服点的材料且刚性比基材11高的增强基板40设置在变换层14上，因此能够抑制TFT基板12较大程度挠曲。因此，根据上述各示例的实施方式的放射线检测器10，在以单体来处理放射线检测器10的情况下，能够抑制变换层14从TFT基板12剥离。
另外，增强基板40的大小并不限定于上述各示例的实施方式。例如，如图9所示的一例那样，增强基板40以及粘结层48的端部(外周)和保护层22的端部(外周)可以为同样的位置。另外，优选比变换层14对 TFT基板12的第1面12A进行覆盖的区域大的区域由增强基板40覆盖，更优选比对变换层14的整个上表面进行覆盖的区域大的区域由增强基板 40覆盖。
此外，如图10所示的一例那样，优选在基材11与像素30尤其是像素30的TFT32的栅极电极80之间设置有无机材料所形成的层90。在图 10所示的一例中，作为该情况下的无机材料，可列举SiNx、SiOx等。TFT32 的漏极电极81和源极电极82形成在相同层，在形成有漏极电极81以及源极电极的层与基材11之间形成了栅极电极80。此外，在基材11与栅极电极80之间设置有无机材料所形成的层90。
此外，在上述各示例的实施方式中，对如图1所示那样像素30呈矩阵状二维排列的形态进行了说明，但并不限于此，例如，可以为一维排列，也可以为蜂窝排列。此外，像素的形状也不被限定，可以为矩形，也可以为六边形等多边形。进而，像素阵列31(像素区域35)的形状也不被限定是不言而喻的。
此外，变换层14的形状等也不限定于上述各示例的实施方式。在上述各示例的实施方式中，对变换层14的形状与像素阵列31(像素区域35) 的形状同样为矩形状的形态进行了说明，但变换层14的形状也可以不是与像素阵列31(像素区域35)同样的形状。此外，像素阵列31(像素区域35)的形状可以不是矩形状，例如为其他的多边形，也可以为圆形。
另外，在上述的放射线检测器10的制造方法中，对通过机械剥离从支承体400剥离TFT基板12的工序进行了说明，但剥离方法并不限定于说明过的方式。例如，也可以设为如下的进行所谓激光剥离的方式，即，从支承体400的形成有TFT基板12的相反侧的面照射激光，进行TFT 基板12的剥离。即便是该情况，根据放射线检测器10，在将TFT基板 12从支承体400剥离之后，在放射线检测器10以单体来处理的情况下，也能够抑制变换层14从TFT基板12剥离。
另外，上述各示例的实施方式的放射线检测器10可应用于从TFT基板12侧照射放射线的ISS(Irradiation Side Sampling；放射侧取样)方式的放射线图像摄影装置，也可以应用于从变换层14侧照射放射线的PSS (Penetration Side Sampling；穿透侧取样)方式的放射线图像摄影装置。
在图11中，示出在ISS方式的放射线图像摄影装置1应用了第1示例的实施方式的放射线检测器10的状态的一例的剖视图。
如图11所示，在壳体120内，放射线检测器10、电源部108以及控制基板110沿着与放射线的入射方向交叉的方向排列设置。放射线检测器 10被设置为像素阵列31的未设置变换层14的一侧与被照射透过了被摄体的放射线的壳体120的摄影面120A侧对置。
壳体120优选为轻量，放射线R尤其是X射线的吸收率低，并且为高刚性，优选由弹性模量充分高的材料构成。作为壳体120的材料，优选使用弯曲弹性模量为10000MPa以上的材料。作为壳体120的材料，能够合适地使用具有20000～60000MPa程度的弯曲弹性模量的碳或者CFRP (Carbon Fiber Reinforced Plastics；碳纤维增强塑料)。
在放射线图像摄影装置1所执行的放射线图像的摄影中，在壳体120 的摄影面120A施加来自被摄体的载重。在壳体120的刚性不足的情况下，由于来自被摄体的载重而TFT基板12产生挠曲，有可能产生像素30损伤等的不良状况。通过在由具有10000MPa以上的弯曲弹性模量的材料构成的壳体120内部容纳放射线检测器10，能够抑制来自被摄体的载重导致的TFT基板12的挠曲。
控制基板110是形成有对与从像素阵列31的像素30读出的电荷相应的图像数据进行存储的图像存储器380、控制从像素30读出电荷等的控制部382等的基板，通过包含多个信号布线的柔性线缆112而与像素阵列 31的像素30电连接。另外，在图11所示的放射线图像摄影装置1中，设为通过控制部382的控制来对像素30的TFT32的开关状态进行控制的驱动部103、以及生成并输出与从像素30读出的电荷相应的图像数据的信号处理部104被设置在柔性线缆112上的所谓的COF(Chip on Film；膜上芯片)，但也可以是驱动部103以及信号处理部104的至少一方形成于控制基板110。
此外，控制基板110通过电源线114而与向形成于控制基板110的图像存储器380、控制部382等供给电源的电源部108连接。
在图11所示的放射线图像摄影装置1的壳体120内，在透过了放射线检测器10的放射线射出的一侧，还设置有片材116。作为片材116，例如可列举铜制的片材。铜制的片材不易由于入射放射线而产生2次放射线，由此，具有防止向后方即变换层14侧的散射的功能。另外，片材116 优选至少覆盖变换层14的放射线射出的一侧的整个面，此外优选覆盖变换层14整体。
此外，在图11所示的放射线图像摄影装置1的壳体120内，在放射线入射的一侧(摄影面120A侧)，还设置有保护层117。作为保护层117，能够应用通过在绝缘性的片材(薄膜)粘合铝箔等而层叠了铝的Alpet(注册商标)的片材、派瑞林(注册商标)膜、以及聚对苯二甲酸乙二醇酯等的绝缘性的片材等的防湿膜。保护层117具有对于像素阵列31的防湿功能以及防带电功能。因而，保护层117优选至少覆盖像素阵列31的放射线入射的一侧的整个面，优选覆盖放射线入射的一侧的TFT基板12的整个面。
另外，在图11中，示出将电源部108以及控制基板110双方设置在放射线检测器10的一侧、具体而言矩形状的像素阵列31的一边的侧的方式，但设置电源部108以及控制基板110的位置并不限定于图11所示的方式。例如，可以使电源部108以及控制基板110分散设置在像素阵列 31的对置的两边的各个边，也可以分散设置在相邻的两边的各个边。
此外，在图12中，示出在ISS方式的放射线图像摄影装置1应用了第1示例的实施方式的放射线检测器10的状态的另一例的剖视图。
如图12所示，在壳体120内，电源部108以及控制基板110沿着与放射线的入射方向交叉的方向排列设置，放射线检测器10和电源部108 以及控制基板110沿着放射线的入射方向排列设置。
此外，在图12所示的放射线图像摄影装置1中，在控制基板110以及电源部108与片材116之间，设置有对放射线检测器10以及控制基板 110进行支承的基座118。对于基座118，例如使用碳等。
除此之外，上述各示例的实施方式中说明过的放射线检测器10等的结构、制造方法等为一例，能够在不脱离本实用新型主旨的范围内根据状况变更是不言而喻的。
[其他示例的实施方式]
首先，参照图13～图34对增强基板40的其他示例的实施方式进行说明。
另外，在利用气相沉积法形成了变换层14的情况下，如图13～图34 所示，变换层14形成为具有朝向其外缘而厚度逐渐变薄的倾斜。以下，将在忽视制造误差及测定误差时厚度可视作大致一定的、变换层14的中央区域称为中央部14A。此外，将相对于变换层14的中央部14A的平均厚度具有例如90％以下的厚度的、变换层14的外周区域称为周缘部14B。即，变换层14在周缘部14B具有相对于TFT基板12倾斜的倾斜面。
如图13～图34所示，在变换层14与增强基板40之间，可以设置有粘结层60、反射层62、粘合层64、保护层22以及粘结层48。
粘结层60覆盖包括变换层14的中央部14A以及周缘部14B的变换层14的整个表面。粘结层60具有将反射层62固定在变换层14上的功能。粘结层60优选具有透光性。作为粘结层60的材料，例如能够使用丙烯酸系粘结剂、热熔系粘结剂以及硅酮系粘合剂。作为丙烯酸系粘结剂，例如可列举聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸树脂丙烯酸酯、以及环氧丙烯酸酯等。作为热熔系粘结剂，例如可列举EVA(乙烯·乙酸乙烯酯共聚物树脂)、EAA (乙烯和丙烯酸的共聚物树脂)、EEA(乙烯-丙烯酸乙酯共聚物树脂)、以及EMMA(乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物)等的热可塑性塑料。粘结层 60的厚度优选为2μm以上且7μm以下。通过将粘结层60的厚度设为2μm 以上，从而能够充分地发挥将反射层62固定在变换层14上的效果。进而，能够抑制在变换层14与反射层62之间形成空气层的风险。若在变换层 14与反射层62之间形成空气层，则有可能发生从变换层14发出的光在空气层与变换层14之间以及在空气层与反射层62之间反复反射的多重反射。此外，通过将粘结层60的厚度设为7μm以下，从而能够抑制MTF(Modulation Transfer Function；调制传递函数)以及DQE(Detective QuantumEfficiency；探测量子效应)的下降。
反射层62覆盖粘结层60的整个表面。反射层62具有对由变换层14 变换后的光进行反射的功能。优选反射层62由有机系材料构成。作为反射层62的材料，例如能够使用白PET、TiO2、Al2O3、发泡白PET、聚酯系高反射片材、以及镜面反射铝等。反射层62的厚度优选为10μm以上且40μm以下。
粘合层64覆盖反射层62的整个表面。粘合层64的端部延伸至TFT 基板12的表面。即，粘合层64在其端部与TFT基板12粘合。粘合层 64具有将反射层62以及保护层22固定在变换层14的功能。作为粘合层 64的材料，能够使用与粘结层60的材料相同的材料，但优选粘合层64 具有的粘合力比粘结层60具有的粘合力大。
保护层22覆盖粘合层64的整个表面。即，保护层22被设置为覆盖变换层14的整体并且其端部覆盖TFT基板12的一部分的状态。保护层 22作为防止水分向变换层14的浸入的防湿膜来发挥功能。作为保护层22 的材料，例如能够使用包含PET、PPS、OPP、PEN、PI等有机材料的有机膜。此外，作为保护层22，可以使用Alpet(注册商标)的片材。
增强基板40经由粘结层48而设置在保护层22的表面。作为粘结层 48的材料，例如能够使用与粘结层60以及粘结层48的材料相同的材料。
在图13所示的例子中，增强基板40延伸至变换层14的中央部14A 以及周缘部14B所对应的区域，增强基板40的外周部以沿着变换层14 的周缘部14B中的倾斜的方式折弯。增强基板40在变换层14的中央部 14A所对应的区域以及周缘部14B所对应的区域的双方经由粘结层48而粘合于保护层22。在图13所示的例子中，增强基板40的端部配置在变换层14的周缘部14B所对应的区域。
如图14所示，增强基板40可以仅设置在变换层14的中央部14A所对应的区域。在该情况下，增强基板40在变换层14的中央部14A所对应的区域中经由粘结层48而粘合于保护层22。
如图15所示，在增强基板40延伸至变换层14的中央部14A以及周缘部14B所对应的区域的情况下，增强基板40可以不具有沿着变换层14 的外周部中的倾斜的折弯部。在该情况下，增强基板40在变换层14的中央部14A所对应的区域中经由粘结层48而粘合于保护层22。在变换层 14的周缘部14B所对应的区域中，在变换层14(保护层22)与增强基板 40之间，形成与变换层14的周缘部14B中的倾斜相应的空间。
在此，在TFT基板12的外周部的连接区域设置的端子113连接柔性线缆112。TFT基板12经由柔性线缆112而与控制基板(参照控制基板 110、图47等)连接。在TFT基板12发生了挠曲的情况下，有可能导致柔性线缆112从TFT基板12剥离或者发生位置偏离。在该情况下，需要重新进行柔性线缆112与TFT基板12的连接的作业。将该重新进行柔性线缆112与TFT基板12的连接的作业称作返工。如图13～图15所示，通过将增强基板40的端部配置在比变换层14的端部更靠内侧，从而与增强基板40延伸至连接区域的附近的情况相比，能够容易地进行返工。
如图16～图19所示，增强基板40也可以被设置为其端部配置在比变换层14的端部更靠外侧，并且与延伸至TFT基板12上的粘合层64以及保护层22的端部一致。另外，无需使得增强基板40的端部的位置与粘合层64以及保护层22的端部的位置完全一致。
在图16所示的例子中，增强基板40在变换层14的中央部14A所对应的区域中经由粘结层48而粘合于保护层22，在变换层14的周缘部14B 所对应的区域，以及进一步在其外侧的区域，在变换层14(保护层22) 与增强基板40之间，形成有与变换层14的周缘部14B中的倾斜相应的空间。
在图17所示的例子中，在变换层14的周缘部14B所对应的区域，以及进一步在其外侧的区域，在形成于变换层14(保护层22)与增强基板40之间的空间设置有填充材料70。填充材料70的材料未被特别限定，例如能够使用树脂。另外，在图17所示的例子中，为了将增强基板40 固定于填充材料70，粘结层48设置在增强基板40与填充材料70之间的整个区域。
形成填充材料70的方法未被特别限定。例如，也可以在由粘结层60、反射层62、粘合层64以及保护层22覆盖的变换层14上，依次形成了粘结层48以及增强基板40之后，在形成于变换层14(保护层22)与增强基板40之间的空间，注入具有流动性的填充材料70，并使填充材料70 固化。此外，例如，也可以在TFT基板12上依次形成了变换层14、粘结层60、反射层62、粘合层64以及保护层22之后，形成填充材料70，将粘结层48以及增强基板40依次形成为对由粘结层60、反射层62、粘合层64以及保护层22覆盖的变换层14以及填充材料70进行覆盖的状态。
这样，通过将填充材料70填充在形成于变换层14(保护层22)与增强基板40之间的空间，从而与图16所示的方式相比，能够抑制增强基板 40从变换层14(保护层22)剥离。进而，变换层14成为被增强基板40 以及填充材料70的双方固定在TFT基板12的构造，因此能够抑制变换层14从TFT基板12剥离。
在图18所示的例子中，增强基板40的外周部以沿着变换层14的周缘部14B中的倾斜的方式折弯，并且还对粘合层64以及保护层22覆盖在TFT基板12上的部分进行覆盖。此外，增强基板40的端部与粘合层64以及保护层22的端部一致。另外，无需使得增强基板40的端部的位置与粘合层64以及保护层22的端部的位置完全一致。
增强基板40、粘结层48、保护层22、以及粘合层64的端部被密封构件72密封。密封构件72优选设置在从TFT基板12的表面到增强基板 40的表面的区域、且不覆盖像素区域35的区域。作为密封构件72的材料，能够使用树脂，尤其优选热可塑性树脂。具体而言，能够将丙烯酸糊、以及聚氨酯系的糊等用作密封构件72。增强基板40与保护层22相比刚性高，在增强基板40的折弯部作用要消除折弯的恢复力，由此保护层22 有可能剥离。通过由密封构件72密封增强基板40、粘结层48、保护层 22以及粘合层64的端部，从而能够抑制保护层22的剥离。
在图19所示的例子中，与图17所示的方式同样地，在变换层14的周缘部14B所对应的区域，以及进一步在其外侧的区域，在形成于变换层14(保护层22)与增强基板40之间的空间设置有填充材料70。此外，在变换层14的端部所对应的区域，在增强基板40的表面进一步经由粘结层48A而层叠有另一增强基板40A。更具体而言，增强基板40A设置在跨越变换层14的端部(外缘、边缘)的区域。增强基板40A也可以由与增强基板40相同的材料构成。在放射线检测器10中，在变换层14的端部，TFT基板12的挠曲量比较大。在变换层14的端部所对应的区域，通过形成由增强基板40以及40A构成的层叠构造，从而能够促进对变换层14的端部处的TFT基板12的挠曲进行抑制的效果。
如图16～图19所示，在被设置为增强基板40的端部配置在比变换层14的端部更靠外侧且与粘合层64以及保护层22的端部一致的状态的情况下，与增强基板40延伸至连接区域的附近的情况相比，也能够容易地进行返工。
此外，如图20～图23所示，增强基板40也可以被设置为其端部位于比延伸至TFT基板12上的粘合层64以及保护层22的端部更靠外侧、且比TFT基板12的端部更靠内侧的状态。
在图20所示的例子中，增强基板40在变换层14的中央部14A所对应的区域，经由粘结层48而粘合于保护层22，在变换层14的周缘部14B 所对应的区域，以及进一步在其外侧的区域，在变换层14(保护层22) 与增强基板40之间、以及TFT基板12与增强基板40之间，形成有与变换层14的周缘部14B中的倾斜相应的空间。
在图21所示的例子中，增强基板40的端部被隔离件46支承。即，隔离件46的一端与TFT基板12的第1面12A连接，隔离件46的另一端经由粘合层47而与增强基板40的端部连接。通过由隔离件46支承在与 TFT基板12之间形成空间并且延伸的增强基板40的端部，从而能够抑制增强基板40的剥离。此外，能够使增强基板40带来的挠曲抑制效果作用至TFT基板12的端部附近。另外，也可以取代设置隔离件46或者在设置隔离件46的基础上，还仿效图17所示的例子，将填充材料填充在形成于变换层14(保护层22)与增强基板40之间、以及TFT基板12与增强基板40之间的空间。
在图22所示的例子中，增强基板40的外周部以沿着变换层14的周缘部14B中的倾斜的方式折弯，并且还对粘合层64以及保护层22覆盖在TFT基板12上的部分以及其外侧的TFT基板12上进行覆盖。即，粘合层64以及保护层22的端部被增强基板40密封。增强基板40的延伸至 TFT基板12上的部分经由粘结层48而粘合于TFT基板12。这样，通过由增强基板40覆盖粘合层64以及保护层22的端部，从而能够抑制保护层22的剥离。另外，也可以仿效图18所记载的例子，利用密封构件72 来密封增强基板40的端部。
在图23所示的例子中，在增强基板40的端部被隔离件46支承的方式中，在增强基板40的表面的与变换层14的端部对应的区域，进一步经由粘结层48A而层叠有另一增强基板40A。更具体而言，增强基板40A 设置在跨越变换层14的端部(外缘、边缘)的区域。增强基板40A可以由与增强基板40相同的材料构成。在放射线检测器10中，变换层14的端部处的TFT基板12的挠曲量比较大。在变换层14的端部所对应的区域，通过形成由增强基板40以及40A构成的层叠构造，从而能够促进对变换层14的端部处的TFT基板12的挠曲进行抑制的效果。另外，也可以取代设置隔离件46，而仿效图17所示的例子，将填充材料70填充在形成于变换层14(保护层22)与增强基板40之间、以及TFT基板12与增强基板40之间的空间。
如图24～图28所示，增强基板40也可以被设置为其端部与TFT基板12的端部一致。另外，无需使得增强基板40的端部的位置与TFT基板12的端部的位置完全一致。
在图24所示的例子中，增强基板40在变换层14的中央部14A所对应的区域，经由粘结层48而粘合于保护层22，在变换层14的周缘部14B 所对应的区域，以及进一步在其外侧的区域，在变换层14(保护层22) 与增强基板40之间、以及TFT基板12与增强基板40之间，形成有与变换层14的周缘部14B中的倾斜相应的空间。
在图25所示的例子中，增强基板40的端部被隔离件46支承。即，隔离件46的一端与在TFT基板12的端部设置的柔性线缆112连接，隔离件46的另一端经由粘合层47而与增强基板40的端部连接。通过由隔离件46支承在与TFT基板12之间形成空间且延伸的增强基板40的端部，从而能够抑制增强基板40的剥离。此外，能够使增强基板40带来的挠曲抑制效果作用至TFT基板12的端部附近。
在图26所示的例子中，在形成于变换层14(保护层22)与增强基板 40之间、以及TFT基板12与增强基板40之间的空间，填充有填充材料 70。在本示例的实施方式中，柔性线缆112和端子113的连接部被填充材料70覆盖。这样，在形成于变换层14(保护层22)与增强基板40之间、以及TFT基板12与增强基板40之间的空间填充有填充材料70，从而与图24所示的方式相比，能够抑制增强基板40从变换层14(保护层22) 的剥离。进而，变换层14成为被增强基板40以及填充材料70的双方固定在TFT基板12的构造，因此能够抑制变换层14从TFT基板12的剥离。此外，柔性线缆112和端子113的连接部被填充材料70覆盖，从而能够抑制柔性线缆112的剥离。
在图27所示的例子中，增强基板40的外周部以沿着变换层14的周缘部14B中的倾斜的方式折弯，并且还对粘合层64以及保护层22覆盖在TFT基板12上的部分、其外侧的基板上、以及端子113和柔性线缆112 的连接部进行覆盖。增强基板40的延伸至TFT基板12上以及柔性线缆 112上的部分分别经由粘结层48而粘合于TFT基板12以及柔性线缆112。柔性线缆112和端子113的连接部被挠曲增强基板40覆盖，从而能够抑制柔性线缆112的剥离。此外，由于假定在柔性线缆112的另一端连接搭载了电子部件的控制基板，因此在柔性线缆112和端子113的连接部有可能在TFT基板12发生比较大的挠曲。柔性线缆112和端子113的连接部被增强基板40覆盖，从而能够抑制该部分中的TFT基板12的挠曲。
在图28所示的例子中，在形成于变换层14(保护层22)与增强基板 40之间、以及TFT基板12与增强基板40之间的空间填充有填充材料70。此外，在变换层14的端部所对应的区域，在增强基板40的表面，进一步经由粘结层48A而层叠有另一挠曲增强基板40A。更具体而言，增强基板40A设置在跨越变换层14的端部(外缘、边缘)的区域。增强基板40A 可以由与增强基板40相同的材料构成。在放射线检测器10中，在变换层 14的端部，TFT基板12的挠曲量比较大。在变换层14的端部所对应的区域，通过形成由增强基板40以及40A构成的层叠构造，从而能够促进对变换层14的端部处的TFT基板12的挠曲进行抑制的效果。
此外，如图29～图33所示，增强基板40也可以被设置为其端部位于比TFT基板12的端部更靠外侧。
在图29所示的例子中，增强基板40在变换层14的中央部14A所对应的区域，经由粘结层48而粘合于保护层22，在变换层14的周缘部14B 所对应的区域，以及进一步在其外侧的区域，在变换层14(保护层22) 与增强基板40之间、以及TFT基板12与增强基板40之间，形成有与变换层14的周缘部14B中的倾斜相应的空间。
在图30所示的例子中，增强基板40的端部被隔离件46支承。即，隔离件46的一端与在TFT基板12的端部设置的柔性线缆112连接，隔离件46的另一端经由粘合层47而与增强基板40的端部连接。通过由隔离件46支承在与TFT基板12之间形成空间且延伸的增强基板40的端部，从而能够抑制增强基板40的剥离。此外，能够使增强基板40带来的挠曲抑制效果作用至TFT基板12的端部附近。
在图31所示的例子中，在形成于变换层14(保护层22)与增强基板 40之间、以及TFT基板12与增强基板40之间的空间，填充有填充材料 70。在本示例的实施方式中，柔性线缆112和端子113的连接部被填充材料70覆盖。这样，在形成于变换层14(保护层22)与增强基板40之间、以及TFT基板12与增强基板40之间的空间填充有填充材料70，从而与图29所示的方式相比，能够抑制增强基板40从变换层14(保护层22) 的剥离。进而，变换层14成为被增强基板40以及填充材料70的双方固定在TFT基板12的构造，因此能够抑制变换层14从TFT基板12的剥离。此外，柔性线缆112和端子113的连接部被填充材料70覆盖，从而能够抑制柔性线缆112的剥离。
在图32所示的例子中，增强基板40的外周部以沿着变换层14的周缘部14B中的倾斜的方式折弯，并且还对粘合层64以及保护层22覆盖在TFT基板12上的部分、其外侧的基板上、以及端子113和柔性线缆112 的连接部进行覆盖。增强基板40的延伸至TFT基板12上以及柔性线缆 112上的部分分别经由粘结层48而粘合于TFT基板12以及柔性线缆112。柔性线缆112和端子113的连接部被增强基板40覆盖，从而能够抑制柔性线缆112的剥离。此外，由于假定在柔性线缆112的另一端连接搭载了电子部件的控制基板，因此在柔性线缆112和端子113的连接部有可能在 TFT基板12发生比较大的挠曲。柔性线缆112和端子113的连接部被增强基板40覆盖，从而能够抑制该部分中的TFT基板12的挠曲。
在图33所示的例子中，在形成于变换层14(保护层22)与增强基板 40之间、以及TFT基板12与增强基板40之间的空间，填充有填充材料 70。此外，在变换层14的端部所对应的区域，在增强基板40的表面，进一步经由粘结层48A而层叠有另一增强基板40A。更具体而言，增强基板40A设置在跨越变换层14的端部(外缘、边缘)的区域。增强基板40A 可以由与增强基板40相同的材料构成。在放射线检测器10中，在变换层 14的端部，TFT基板12的挠曲量比较大。在变换层14的端部所对应的区域，通过形成由增强基板40以及40A构成的层叠构造，从而能够促进对变换层14的端部处的TFT基板12的挠曲进行抑制的效果。
如上述，在放射线检测器10的制造工序中，在玻璃基板等的支承体 400贴附具有可挠性的TFT基板12，并在TFT基板12上层叠了变换层 14之后，将支承体400从TFT基板12剥离。此时，在具有可挠性的TFT 基板12发生挠曲，由此形成在TFT基板12上的像素30有可能损伤。在将支承体400从TFT基板12剥离之前，预先以如图13～图33所示例的那样的方式在变换层14上层叠增强基板40，从而能够抑制在将支承体400 从TFT基板12剥离时发生的TFT基板12的挠曲，能够降低像素30损伤的风险。
此外，增强基板40并不限于单一的层(单层)，也可以由多层来构成。例如，在图34所示的例子中，放射线检测器10示出增强基板40设为从接近变换层14的一方依次层叠有第1增强基板40B、第2增强基板40C、以及第3增强基板40D的3层的多层膜的方式。
在将增强基板40设为多层的情况下，优选增强基板40中包含的各层具有不同的功能。例如，在图34所示的一例中，也可以将第1增强基板 40B以及第3增强基板40D设为具有非导电性的防带电功能的层，将第2 增强基板40C设为导电性的层，由此使增强基板40具有电磁屏蔽功能。作为该情况下的第1增强基板40B以及第3增强基板40D，例如可列举使用了防带电涂料“Colcoat”(商品名：Colcoat公司制)的膜等的防带电膜。此外，作为第2增强基板40C，例如可列举导电性片材、Cu等的导电性的网眼片材等。
例如，在放射线检测器10的读取方式为ISS方式的情况下，有时在变换层14侧设置控制基板110、电源部108等(参照图52)，但在这样增强基板40具有防带电功能的情况下，能够屏蔽来自控制基板110、电源部108的电磁噪声。
此外，图35是表示增强基板40的构造的一例的俯视图。增强基板 40可以在其主面具有多个贯通孔40H。贯通孔40H的大小以及间距被规定为可在增强基板40中得到希望的刚性。
增强基板40通过具有多个贯通孔40H，从而能够使导入至增强基板 40和变换层14的接合面的空气从贯通孔40H排出。由此，能够抑制增强基板40和变换层14的接合面处的气泡的产生。
不存在使导入至增强基板40和变换层14的接合面的空气排出的单元的情况下，有可能会在上述接合面产生气泡。例如，若由于放射线图像摄影装置1工作时的热而使得在上述接合面产生的气泡膨胀，则增强基板 40和变换层14的密接性下降。由此，有可能导致未充分发挥增强基板40 带来的挠曲抑制效果。如图35所示，通过利用具有多个贯通孔40H的增强基板40，从而如上述那样能够抑制增强基板40和变换层14的接合面处的气泡的产生，因此能够维持增强基板40和变换层14的密接性，能够维持增强基板40带来的挠曲抑制效果。
图36是表示增强基板40的构造的另一例的立体图。在图36所示的例子中，增强基板40在与变换层14的接合面具有凹凸构造。该凹凸构造如图36所示也可以构成为包含相互平行配置的多个沟槽63。增强基板40 例如像图37所示，具有基于多个沟槽63的凹凸构造的面与被反射层62 覆盖的变换层14接合。这样，增强基板40通过在与变换层14的接合面具有凹凸构造，从而能够使导入至增强基板40和变换层14的接合部的空气从沟槽63排出。由此，与图35所示的方式同样地，能够抑制增强基板 40和变换层14的接合面处的气泡的产生。由此，能够维持增强基板40 和变换层14的密接性，能够维持增强基板40带来的挠曲抑制效果。
图38以及图39分别是表示增强基板40的构造的另一例的俯视图。如图38以及图39所示，增强基板40可以被分断为多个断片49。增强基板40如图38所示可以被分断为多个断片49(图中495～4911)在一个方向上排列。此外，增强基板40如图39所示也可以被分断为多个断片49(图中491～494)在纵向以及横向上排列。
增强基板40的面积越大，越容易在增强基板40和变换层14的接合面产生气泡。如图38以及图39所示，通过将增强基板40分断为多个断片49，从而能够抑制增强基板40和变换层14的接合面处的气泡的产生。由此，能够维持增强基板40和变换层14的密接性，能够维持增强基板 40带来的挠曲抑制效果。
此外，也可以在增强构件41的与和TFT基板12(第2面12B)相接的一侧相反的一侧设置增强构件51。图40～图44分别是表示增强构件 51的设置方式的例子的剖视图。
在图40～图44所示的例子中，在增强构件41的与TFT基板12侧的面相反侧的面，经由粘合层52而层叠有增强构件51。增强构件51可以由与增强基板40相同的材料构成。在将放射线检测器10作为ISS方式来利用的情况下，为了尽量减小增强构件51和像素区域35重叠的部分的面积，优选增强构件51仅设置在TFT基板12的外周部。即，增强构件51如图40～图44所示可以是在与像素区域35对应的部分具有开口61 的环状。这样，通过在TFT基板12的外周部形成由增强构件41以及增强构件51构成的层叠构造，从而能够增强比较容易发生挠曲的TFT基板 12的外周部的刚性。
在图40～图42所示的例子中，增强构件51设置在跨越变换层14的端部(外缘、边缘)的区域。在放射线检测器10中，在变换层14的端部， TFT基板12的挠曲量比较大。在变换层14的端部所对应的区域，通过形成由增强构件41以及增强构件51构成的层叠构造，从而能够促进对变换层14的端部处的TFT基板12的挠曲进行抑制的效果。
在将放射线检测器10作为ISS方式来利用的情况下，如图40所示，增强构件51的一部分与像素区域35重叠的情况下，由于增强构件51的材质，有可能会给图像带来影响。因此，在增强构件51的一部分与像素区域35重叠的情况下，作为增强构件51的材料优选使用塑料。
如图41以及图42所示，增强构件51跨越变换层14的端部(外缘、边缘)且不与像素区域35重叠的方式(即，增强构件51的开口61的端部配置在像素区域35的外侧的方式)最优选。在图41所示的例子中，增强构件51的开口61的端部的位置和像素区域35的端部的位置大体一致。在图42所示的例子中，增强构件51的开口61的端部配置在像素区域35 的端部与变换层14的端部之间。
此外，增强构件51的开口61的端部的位置如图43所示可以与变换层14的端部的位置大体一致，此外，如图44所示也可以配置在比变换层 14的端部更靠外侧。在该情况下，由于增强构件51成为跨越变换层14 的端部(外缘、边缘)的构造，因此对变换层14的端部处的TFT基板 12的挠曲进行抑制的效果有可能下降。然而，在柔性线缆112和端子113 的连接部存在的TFT基板12的外周部，形成由增强构件41以及增强构件51构成的层叠构造，因此对柔性线缆112和端子113的连接部处的TFT 基板12的挠曲进行抑制的效果被维持。
此外，在上述各示例的实施方式的放射线检测器10中，对TFT基板 12(基材11)和增强构件41的大小相同的方式进行了说明，但TFT基板 12和增强构件41的大小可以不同。
例如，在将放射线检测器10应用于放射线图像摄影装置1的情况下，有时将放射线检测器10固定于收纳放射线检测器10的壳体120(参照图 11等)等来利用。在这种情况下，例如，如图45A所示的一例那样，可以将增强构件41设得比TFT基板12大，设置片状物等，利用片状物等的部分来进行放射线检测器10的固定。例如，也可以设为如下的方式，即，在增强构件41的片状物部分设置孔，利用将孔进行贯通的螺钉而与壳体120(参照图11等)固定。
另外，使增强构件41比TFT基板12大的方式并不限定于图45A所示的方式。也可以设为如下的方式，即，由层叠的多个层来构成增强构件 41，使一部分的层比TFT基板12大。例如，如图45B所示，也可以将增强构件41设为具有与TFT基板12(基材11)相同程度的大小的第1层 41A、以及比TFT基板12大的第2层41B的2层构造。第1层41A和第 2层41B通过双面胶、粘结层等(省略图示)粘贴。作为第1层41A，例如优选由与上述的增强构件41同样的材质形成，具有与增强构件41同样的性质。此外，第2层41B通过双面胶、粘结层等(省略图示)粘贴于基材11的第2面12B。作为第2层41B，例如能够应用Alpet(注册商标)。此外，在由多个层来构成增强构件41的情况下，与图45B所示的方式相反地，如图45C所示可以设为使第1层41A粘贴于基材11的第2面12B 的方式。
如上述，在利用设置于增强构件41的片状物等将放射线检测器10 固定至壳体120(参照图7等)等的情况下，有时以使片状物部分弯曲的状态来进行固定。厚度越薄，增强构件41的片状物部分越容易弯曲，不给放射线检测器10主体带来影响，能够仅使片状物部分弯曲。因而，在使片状物部分等弯曲的情况下，如图45B以及图45C所示的一例那样，优选设为由层叠的多个层来构成增强构件41，使一部分的层比TFT基板 12大的方式。
此外，如图46所示的例子那样，可以与上述图45A～图45C的放射线检测器10相反地使增强构件41比TFT基板12小。通过TFT基板12 的端部位于比增强构件41的端部更靠外部，从而例如在进行将放射线检测器10收纳于壳体120(参照图7等)等组装的情况下，容易确认TFT 基板12的端部的位置，因此能够提高定位的精度。另外，并不限定于图 46所示的方式，只要TFT基板12(基材11)的端部的至少一部分位于比增强构件41更靠外部就可获得同样的效果，因此优选。
进而，参照图47～图53对在壳体120内容纳了放射线检测器10的放射线图像摄影装置1的例子进行说明。图47～图53分别是表示放射线图像摄影装置1的其他结构例的图。
在图47所示的例子中，与上述图11所示的放射线图像摄影装置1 同样地表示ISS方式的放射线图像摄影装置1的一例。此外，在图48所示的例子中，表示PSS方式的放射线图像摄影装置1的一例。在图47以及图48所示的例子中，示例出放射线检测器10、控制基板110、以及电源部108在图中横向地并排设置的结构。
另外，在图47以及图48中，示出将电源部108以及控制基板110 双方设置在放射线检测器10的一侧、具体为矩形状的像素区域35的一边的一侧的方式，但设置电源部108以及控制基板110的位置并不限定于图 47以及图48所示的方式。例如，可以使电源部108以及控制基板110分散设置在像素区域35的对置的两边的各个边，也可以分散设置在相邻的两边的各个边。
此外，如图47以及图48所示的例子那样，在与层叠有TFT基板12 以及变换层14的方向交叉的方向上并排设置放射线检测器10、控制基板 110、以及电源部108的情况下，在分别设置有电源部108以及控制基板 110的壳体120的部分、和设置有放射线检测器10的壳体120的部分，壳体120的厚度可以不同。
如图48所示的例子那样，电源部108以及控制基板110各自比放射线检测器10厚的情况较多。在这种情况下，如图49所示的例子那样，也可以与分别设置有电源部108以及控制基板110的壳体120的部分的厚度相比，设置有放射线检测器10的壳体120的部分的厚度更薄。另外，这样，在分别设置有电源部108以及控制基板110的壳体120的部分、和设置有放射线检测器10的壳体120的部分使得厚度不同的情况下，若在两部分的边界部产生高低差，则有可能会给接触边界部120B的被检者带来不适感等，因此边界部120B的方式优选设为具有倾斜的状态。
由此，能够构成与放射线检测器10的厚度相应的极薄型的便携式电子卡带。
此外，例如，在该情况下，在分别设置有电源部108以及控制基板 110的壳体120的部分、和设置有放射线检测器10的壳体120的部分，壳体120的材质可以不同。进而，例如，分别设置有电源部108以及控制基板110的壳体120的部分、和设置有放射线检测器10的壳体120的部分可以作为分体来构成。
此外，如上述，壳体120优选放射线R尤其为X射线的吸收率低、且为高刚性，优选由弹性模量充分高的材料构成，但也可如图50所示的例子那样，关于壳体120的摄影面120A所对应的部分120C，放射线R 的吸收率低且为高刚性，由弹性模量充分高的材料构成，关于其他部分，由与部分120C不同的材料构成，例如由弹性模量比部分120C低的材料构成。
此外，如图51所示的例子那样，放射线检测器10和壳体120的内壁面可以相接。在该情况下，放射线检测器10和壳体120的内壁面可以经由粘合层来粘合，也可以不经由粘合层而仅仅简单接触。这样，放射线检测器10和壳体120的内壁面相接，从而可进一步确保放射线检测器10 的刚性。
此外，在图52所示的例子中，与上述图12所示的放射线图像摄影装置1同样地表示ISS方式的放射线图像摄影装置1的一例。此外，在图 53所示的例子中，表示PSS方式的放射线图像摄影装置1的一例。在图 52以及图53所示的例子中，夹着片材116以及基座118而设置有TFT 基板12和控制基板110以及电源部108。根据该结构，与放射线检测器 10、控制基板110以及电源部108在图中横向地并排设置的情况(参照图 47～图51)相比，能够减小放射线图像摄影装置1的俯视下的尺寸。
日本申请2018-051690、2018-219696、2019-022148、2018-182730、 2019-022149的公开其整体通过参照而援引于本说明书。
本说明书中记载的所有的文献、专利申请以及技术标准，与通过具体且单独地记述通过参照来援引各个文献、专利申请以及技术标准的情况同等程度地，通过参照援引于本说明书中。

Claims (20)

1.一种放射线检测器，具备：
基板，在可挠性的基材的像素区域形成有对根据从放射线变换后的光而产生的电荷进行蓄积的多个像素；
变换层，设置在所述基材的设置有所述像素区域的面，将所述放射线变换为光；和
增强基板，设置在所述变换层中的与所述基板侧的面对置的一侧的面，包含具有屈服点的材料，刚性比所述基材高。
2.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板设置在比设置有所述变换层的区域更大的区域。
3.根据权利要求1或2所述的放射线检测器，其中，
所述基板在形成有所述多个像素的面的外周的区域，具有与将所述多个像素中蓄积的电荷读出的电路部连接的可挠性的布线的另一端所连接的连接区域，
所述增强基板设置在覆盖所述连接区域的至少一部分以及所述变换层的区域。
4.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
在所述基板的与形成有所述多个像素的面对置的面，还具备刚性比所述基材高的增强构件。
5.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
还具备设置在所述基板与所述变换层之间的缓冲层。
6.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板的弯曲弹性模量为1000MPa以上且2500MPa以下。
7.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述具有屈服点的材料为聚碳酸酯以及聚对苯二甲酸乙二醇酯的至少一种。
8.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板的热膨胀系数相对于所述变换层的热膨胀系数之比为0.5以上且2以下。
9.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板的热膨胀系数为30ppm/K以上且80ppm/K以下。
10.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述变换层包含CsI的柱状晶体。
11.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述多个像素通过直接形成法形成在所述像素区域。
12.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板在与所述变换层的中央部以及周缘部对应的区域延伸。
13.根据权利要求12所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板以沿着所述变换层的周缘部中的倾斜的方式折弯。
14.根据权利要求2所述的放射线检测器，其中，
在所述增强基板与所述变换层之间形成有与所述变换层的周缘部中的倾斜相应的空间。
15.根据权利要求2所述的放射线检测器，其中，
在所述增强基板与所述变换层之间形成的空间填充有填充材料。
16.根据权利要求2所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板的端部被隔离件支承。
17.根据权利要求2所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板以沿着所述变换层的周缘部中的倾斜的方式折弯，
所述增强基板的端部被密封构件密封。
18.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
在所述基材的与所述变换层相反侧的面一侧具有增强构件。
19.根据权利要求1或18所述的放射线检测器，其中，
在所述基材的与所述变换层相反侧的面一侧进一步具有增强构件，进一步的所述增强构件设置在跨越所述变换层的端部的区域，并且设置在不与像素区域重叠的区域。
20.一种放射线图像摄影装置，具备：
权利要求1所述的放射线检测器；
控制部，输出用于将所述多个像素中蓄积的电荷读出的控制信号；和
电路部，通过可挠性的布线而与所述放射线检测器电连接，根据所述控制信号从所述多个像素读出电荷。
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