CN112789524B - 放射线检测器、放射线图像摄影装置及制造方法 - Google Patents

放射线检测器、放射线图像摄影装置及制造方法 Download PDF

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Abstract

一种放射线检测器，其具备：基板，在挠性基材的像素区域包括传感器部层，所述传感器部层具有积蓄对应于从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素；转换层，设置于所述基材的设置有所述像素区域的面侧，且将所述放射线转换为光；及固定部件，设置得比所述转换层更靠所述基板侧，且将所述传感器部层固定于所述基材。

Description

放射线检测器、放射线图像摄影装置及制造方法
技术领域
本发明涉及一种放射线检测器、放射线图像摄影装置及制造方法。
背景技术
存在一种以医疗诊断为目的而进行放射线摄影的放射线图像摄影装置。这些放射线图像摄影装置中使用用于检测透射被摄体的放射线而生成放射线图像的放射线检测器。
作为这种放射线检测器，存在如下放射线检测器：其具备：闪烁器等转换层，将放射线转换为光；及基板，在基材的像素区域设置有具有积蓄对应于被转换层转换的光而产生的电荷的多个像素的传感器部层(例如，参考日本特开2000-131444号公报、日本特开2007-192807号公报、日本特开2004-172375号公报。)。
作为这些放射线检测器的基板的基材，已知使用挠性基材。通过使用挠性基材，例如能够轻型化放射线图像摄影装置(放射线检测器)，并且，有时容易拍摄被摄体。
发明内容
发明要解决的技术课题
在使用在具有将光转换为电信号的光电转换元件的挠性基板上形成闪烁器等转换层而制作的放射线检测器的情况下，存在如下问题。即，与玻璃基板相比，聚酰亚胺(PI：PolyImide)等挠性基板的导热率低且比热高，因此在放射线检测器的工序中，在热施加于挠性基板的情况下，存在不易散热这一问题。并且，在实际上使用放射线图像摄影装置的情况下，存在如下问题：热容易滞留在挠性基板上，温度趋于容易上升。
若挠性基板的温度上升，则会产生热膨胀，挠性基板发生翘曲，其结果，有时会导致具有积蓄对应于从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素的传感器部层从基材剥离。
本发明的目的在于提供一种能够抑制放射线检测器中的传感器部层发生从基材上的剥离的放射线检测器、放射线图像摄影装置及制造方法。
用于解决技术课题的手段
本发明的第1方式的放射线检测器具备：基板，在挠性基材的像素区域包括传感器部层，该传感器部层具有积蓄对应于从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素；转换层，设置于基材的设置有像素区域的面侧，且将放射线转换为光；及固定部件，设置得比转换层更靠基板侧，且将传感器部层固定于基材。
本发明的第2方式的放射线检测器在第1方式的放射线检测器中，固定部件构成为包含树脂。
本发明的第3方式的放射线检测器在第1方式的放射线检测器或第2方式的放射线检测器中，固定部件在传感器部层的端部将传感器部层固定于基材。
本发明的第4方式的放射线检测器在第3方式的放射线检测器中，固定部件通过覆盖从传感器部层的转换层侧的面的至少一部分经由传感器部层的端面至基材的传感器部层侧的面的至少一部分为止的区域而将传感器部层固定于基材。
本发明的第5方式的放射线检测器在第4方式的放射线检测器中，固定部件通过覆盖从传感器部层的转换层侧的面的整个面经由传感器部层的端面至基材的传感器部层侧的面的至少一部分为止的区域而将传感器部层固定于基材。
本发明的第6方式的放射线检测器在第5方式的放射线检测器中，基材及固定部件包含相同的材料。
本发明的第7方式的放射线检测器在第5方式的放射线检测器或第6方式的放射线检测器中，基材的热膨胀系数CTEflex与固定部件的热膨胀系数CTEsur之比为0.5≤CTEsur/CTEflex≤4。
本发明的第8方式的放射线检测器在第1方式至第7方式中任一方式的放射线检测器中，基材包含聚酰亚胺。
本发明的第9方式的放射线检测器在第8方式的放射线检测器中，基材通过涂布而形成。
本发明的第10方式的放射线检测器在第8方式的放射线检测器或第9方式的放射线检测器中，固定部件包含聚酰亚胺或Parylene(注册商标)。
本发明的第11方式的放射线检测器在第1方式至第10方式中任一方式的放射线检测器中，还具备覆盖转换层的密封层，固定部件的材质不同于密封层的材质。
本发明的第12方式的放射线检测器在第1方式至第11方式中任一方式的放射线检测器中，转换层是通过直接蒸镀而形成CsI柱状晶体的层，该放射线检测器在柱状晶体的前端部侧还具备刚性高于基材的加固基板。
本发明的第13方式的放射线检测器在第12方式的放射线检测器中，加固基板包含具有屈服点的材料。
本发明的第14方式的放射线检测器在第12方式的放射线检测器或第13方式的放射线检测器中，加固基板设置于宽于设置有转换层的区域的区域。
本发明的第15方式的放射线检测器在第12方式至第14方式中任一方式的放射线检测器中，在基板的与设置有像素区域的面对置的面还具备刚性高于基材的强化部件。
并且，本发明的第16方式的放射线图像摄影装置具备：第1方式至第15方式中任一方式的放射线检测器；控制部，输出用于读取积蓄于多个像素的电荷的控制信号；及电路部，通过挠性布线与放射线检测器电连接，且根据控制信号从多个像素读取电荷。
并且，本发明的第17方式的制造方法为放射线检测器的制造方法，在该放射线检测器的制造方法中，隔着剥离层在支撑体设置挠性基材，形成在基材的像素区域设置有传感器部层的基板，其中，该传感器部层具有积蓄对应于从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素，形成将传感器部层固定于基材的固定部件，在基材的设置有像素区域的面侧形成将放射线转换为光的转换层，在转换层的与和基板侧的面对置的一侧的面相反的一侧的面贴合刚性高于基材的加固基板，从支撑体剥离设置有转换层及加固基板的基板。
发明效果
根据本发明，能够抑制放射线检测器中的传感器部层发生从基材上的剥离。
附图说明
图1是表示第1实施方式的放射线检测器中的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)基板的结构的一例的结构图。
图2是用于说明实施方式的基材的一例的剖视图。
图3是从设置有转换层的一侧观察第1实施方式的放射线检测器的一例的平面图。
图4是图3所示的放射线检测器的A-A线剖视图。
图5是表示图3所示的放射线检测器的主要部分结构的剖视图。
图6是从TFT基板的第1面侧观察第1实施方式的放射线检测器的一例的平面图。
图7是说明第1实施方式的放射线检测器的制造方法的一例的说明图。
图8是说明第1实施方式的放射线检测器的制造方法的一例的说明图。
图9是第2实施方式的放射线检测器的一例的剖视图。
图10是第3实施方式的放射线检测器的一例的剖视图。
图11是第3实施方式的放射线检测器的另一例的平面图。
图12是第3实施方式的放射线检测器的另一例的平面图。
图13是实施方式的放射线检测器的另一例的剖视图。
图14是针对实施方式的放射线检测器的另一例的一像素部分的剖视图。
图15是表示适用实施方式的放射线检测器的放射线图像摄影装置的一例的剖面的剖视图。
图16是表示适用实施方式的放射线检测器的放射线图像摄影装置的另一例的剖面的剖视图。
具体实施方式
以下，参考附图对本发明的实施方式进行详细说明。另外，本实施方式的意图并不在于进行限定。
[第1实施方式]
本实施方式的放射线检测器具有检测透射被摄体的放射线而输出表示被摄体的放射线图像的图像信息的功能。本实施方式的放射线检测器具备TFT(Thin FilmTransistor)基板和将放射线转换为光的转换层(参考图4的放射线检测器10的TFT基板12及转换层14)。
参考图1对本实施方式的放射线检测器中的TFT基板12的结构的一例进行说明。本实施方式的TFT基板12为在基材11的像素区域35上形成有包括多个像素30的传感器部层50的基板。本实施方式的TFT基板12为基板的一例。
基材11为树脂制且具有挠性。另外，在本实施方式中，作为一例，如下所示形成基材11。
首先，通过棒涂机在厚度0.7mm的无碱玻璃基板(Corning Incorporated 制EAGLE2000)的表面上涂布聚酰亚胺前体溶液以使热固化后的薄膜的厚度成为20μm，并在130℃下干燥10分钟而形成聚酰亚胺前体涂层。
接着，在氮气流下，经2小时从100℃升温至360℃之后，在360℃下进行2小时热处理，使聚酰亚胺前体热固化而酰亚胺化。由此，能够获得具有玻璃基板和聚酰亚胺薄膜层的层叠体。所得的层叠体的聚酰亚胺薄膜能够容易用手从玻璃基板剥离。另外，该基材11的形成方法例如还记载于日本特开2014-218056号公报中，因此省略进一步说明。
基材11的形成方法并不限于该方式，作为基材11，可以通过旋涂法、喷墨法、柔版印刷法等涂布方法将包含聚酰亚胺等塑料的树脂涂布于规定的支撑体上而形成。以下，将通过涂布涂布型聚酰亚胺树脂而得的基材称为“涂布型聚酰亚胺基材”。并且，作为基材11，例如可以使用包含聚酰亚胺等塑料的树脂片等而代替涂布上述树脂而得基材。
基材11的厚度只要为可根据材质的硬度及TFT基板12的大小等而获得所期望的挠性的厚度即可。例如，基材11只要厚度为5μm～125μm即可，更优选厚度为20μm～50μm。
另外，基材11具有能够承受详细内容将后述的像素30的制造的特性，在本实施方式中，具有能够承受非晶硅TFT(a-Si TFT)的制造的特性。作为这种基材11所具有的特性，优选在300℃～400℃下的热膨胀系数与硅(Si)晶片相同程度(例如，±5ppm/K)，详细而言，优选20ppm/K以下。并且，作为基材11的热收缩率，优选在厚度为25μm的状态下400℃下的MD(Machine Direction，纵向)方向上的热收缩率为0.5％以下。并且，基材11的弹性模量优选在300℃～400℃之间的温度区域内不具有通常的聚酰亚胺所具有的转移点，500℃下的弹性模量为1GPa以上。
并且，作为本实施方式的基材11，在使用树脂片的情况下，如图2所示，优选在与设置有转换层14的一侧相反的一侧的面上具有包括平均粒径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机微粒子11P的微粒子层11L。作为具有这些特性的树脂片的例子，可举出XENOMAX(注册商标)。
另外，在本实施方式中叙述的厚度、热膨胀系数、弹性模量及平均粒径等的测量方法中适用了日本特开2010-076438号公报中记载的评价方法。例如，热膨胀系数的测量方法是在下述条件下对MD方向及TD(Transverse Direction，横向)方向上的伸缩率进行测量，以90℃～100℃、100℃～110℃、……的10℃间隔测量伸缩率及温度，将该测量进行至400℃，并将作为100℃至350℃的所有测量值的平均值而导出的热膨胀系数(ppm/℃)换算为(ppm/K)。关于热膨胀系数的测量条件，使用了MAC Science公司制TMA4000S装置，样本长度设为10mm，样本宽度设为2mm，初始荷重设为34.5g/mm2，升温开始温度设为25℃，升温结束温度设为400℃，升温速度设为5℃/min，且环境设为氩气。
各像素30包括对应于由转换层14转换的光而产生电荷并将其积蓄的传感器部34及读取通过传感器部34积蓄的电荷的开关元件32。本实施方式中，作为一例，将薄膜晶体管(TFT)用作开关元件32。因此，以下将开关元件32称为“TFT32”。
多个像素30是在TFT基板12的像素区域35沿一方向(与图1的横向对应的扫描布线方向，以下也称为“行方向”)及与行方向交叉的方向(与图1的纵向对应的信号布线方向，以下也称为“列方向”)二维状配置。图1中，简化示出了像素30的排列，例如像素30在行方向和列方向上配置有1024个×1024个。
并且，放射线检测器10中彼此交叉设置有用于控制TFT32的开关状态(导通及关断)的多个扫描布线38和针对像素30的每一列设置的读取积蓄于传感器部34中的电荷的多个信号布线36。多个扫描布线38的每一个分别经由设置于TFT基板12上的连接区域43(参考图4及图6)与放射线检测器10的外部的驱动部103(参考图6)连接，由此从驱动部103输出的控制TFT32的开关状态的控制信号流经多个扫描布线38的每一个。并且，多个信号布线36的每一个分别经由设置于TFT基板12上的连接区域43(参考图4及图6)与放射线检测器10的外部的信号处理部104(参考图6)连接，由此从各像素30读取的电荷输出至信号处理部104。
并且，为了对各像素30施加偏压，各像素30的传感器部34中，在信号布线36的布线方向上设置有共用布线39。共用布线39经由设置于TFT基板12上的焊盘与放射线检测器10的外部的偏压电源连接，由此从偏压电源对各像素30施加偏压。
本实施方式的放射线检测器10中，在TFT基板12上形成有转换层14。图3是从形成有转换层14的一侧观察本实施方式的放射线检测器10的平面图。并且，图4是图3中的放射线检测器10的A-A线剖视图。进而，图5是表示图3所示的放射线检测器的主要部分结构的剖视图。另外，以下，在放射线检测器10的结构中称为“上”的情况下，表示在以TFT基板12侧为基准的位置关系中位于上方。例如，转换层14设置于TFT基板12上。
如图3及图4所示，本实施方式的转换层14设置于TFT基板12的第1面12A上的包括像素区域35的一部分区域上。如此，本实施方式的转换层14未设置于TFT基板12的第1面12A的外周部的区域上。本实施方式的第1面12A为本发明的设置有像素区域的面的一例。
本实施方式中，作为转换层14的一例，使用了包含CsI(碘化铯)的闪烁器。作为这些闪烁器，例如优选包含照射X射线时的发光光谱为400nm～700nm的CsI：Tl(添加有铊的碘化铯)或CsI：Na(添加有钠的碘化铯)。另外，CsI：Tl的可见光区域内的发光峰值波长为565nm。
在本实施方式的放射线检测器10中，转换层14通过真空蒸镀法、溅射法及CVD(Chemical Vapor Deposit ion，化学气相沉积)法等气相沉积法在TFT基板12上形成为长条状的柱状晶体。作为转换层14的形成方法，例如可举出真空蒸镀法，其在作为转换层14使用CsI：Tl的情况下，在真空度0.01Pa～10Pa的环境下通过电阻加热式坩埚等加热机构对CsI：Tl进行加热而使其气化，并使TFT基板12的温度成为室温(20℃)～300℃而使CsI：Tl沉积于TFT基板12上。作为转换层14的厚度，优选为100μm～800μm。
在本实施方式的放射线检测器10中，为了实现轻型化，基材11使用了包含聚酰亚胺等塑料的树脂，而并非玻璃。因此，在放射线检测器10的温度上升的情况下，与使用玻璃的情况相比，TFT基板12的热膨胀增加，TFT基板12发生较大的翘曲，其结果，传感器部层50有可能从基材11剥离。该问题在基材11为涂布型聚酰亚胺基材的情况下尤为显著，此时，与使用玻璃的基材相比，热膨胀系数成为10倍左右，其结果，传感器部层50从基材11剥离的可能性增加。
因此，在本实施方式中，作为一例，如图4及图5所示，在TFT基板12与转换层14之间设置有将传感器部层50固定于基材11上的固定层13。固定层13还具有缓冲转换层14的热膨胀系数与基材11的热膨胀系数的差的功能。转换层14的热膨胀系数与基材11的热膨胀系数的差越大，设置固定层13越具意义。例如，在将XENOMAX(注册商标)用作基材11的情况下，与其他材质相比，与转换层14的热膨胀系数的差大，因此如图4及图5所示的放射线检测器10般设置固定层13的意义大。
在本实施方式中，固定层13包含与基材11相同的材料。详细而言，在将涂布型聚酰亚胺基材用作基材11的情况下，作为固定层13，使用通过涂布涂布型聚酰亚胺树脂而得的固定层。如此，在本实施方式中，作为固定层13，使用了包含与基材11相同的材料的固定层，因此能够减小固定层13与基材11各自的热膨胀系数的差，其结果，能够抑制TFT基板12发生翘曲。但是，并不限于该方式，作为固定层13，也可以使用Parylene(注册商标)膜。本实施方式的固定层13为固定部件的一例。
在本实施方式中，固定层13将传感器部层50在其端部固定于基材11。更详细而言，如图4及图5所示，在本实施方式中，固定层13通过覆盖从传感器部层50的转换层14侧的面的整个面经由传感器部层50的端面至基材11的传感器部层50侧的面的一部分为止的区域而将传感器部层50固定于基材11。
另外，在图4及图5所示的例子中，设成了固定层13的基材11侧的端部覆盖至基材11的传感器部层50侧的面的一部分为止，但并不限于该方式，也可以设成固定层13覆盖基材11的上表面的除传感器部层50的区域以外的所有区域。
在将聚酰亚胺用作固定层13的情况下，通过在传感器部层50上利用旋涂法、喷墨法、柔版印刷法等涂布方法赋予聚酰亚胺而形成固定层13。此时，由于进行了着色，因此为了使通过转换层14产生的光透射并供光二极管吸收，聚酰亚胺优选不太厚，固定层13的厚度优选为0.05～0.2μm左右，更优选为0.1μm左右。
相对于此，在将Parylene(注册商标)膜用作固定层13的情况下，通过在传感器部层50上利用真空成膜法赋予Parylene(注册商标)而形成固定层13。详细而言，将形成至传感器部层50的TFT基板12放入真空腔室，在规定的真空度下对Parylene(注册商标)原料进行加热而使其蒸发，在TFT基板12上形成Parylene(注册商标)膜。此时，固定层13的厚度优选为0.5～10μ m左右。另外，关于不想形成Parylene(注册商标)膜的区域，只要适当进行遮盖而对应即可。
在本实施方式中，基材1 1的热膨胀系数CTEflex(CTE：Coefficient of ThermalExpansion)与固定层13的热膨胀系数CTEsur之比(以下，称为“CTE比”。)设为由以下式(1)表示的范围的值。
[数1]
在将涂布型聚酰亚胺树脂用作固定层13的情况下，聚酰亚胺的热膨胀系数CTE大致成为18～38PPM/度的范围，因此CTE比大致成为0.5以上且2以下的范围。
相对于此，在将Parylene(注册商标)用作固定层13的情况下，Parylene(注册商标)的热膨胀系数CTE大致成为35～69PPM/度的范围，CTE比大致成为0.5以上且4以下的范围。
如图4所示，转换层14被保护层22覆盖。保护层22具有从湿气等水分保护转换层14的功能。作为保护层22的材料，例如可举出有机膜，详细而言，可举出基于聚对苯二甲酸乙二酯(PET：Polyethylene terephthalate)、聚苯硫醚(PPS：PolyPhenylene Sulfide)、双轴拉伸聚丙烯薄膜(OPP：Oriented PolyPropylene)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN：PolyEthyleneNaphthalate)等的单层膜或层叠膜。并且，作为保护层22，可以使用在PET等绝缘性薄片(薄膜)上粘接铝箔等而层叠有铝的Alpet(注册商标)薄片。在本实施方式中，将固定层13设为不同于保护层22的材质。
由TFT基板12、固定层13、转换层14及保护层22层叠而成的层叠体19的转换层14侧的面即第1面19A上通过粘合层48设置有加固基板40。
加固基板40的刚性高于基材11，且相对于沿垂直方向施加于与转换层14对置的面的力的尺寸变化(变形)小于相对于沿垂直方向施加于TFT基板12的第1面12A的力的尺寸变化。并且，本实施方式的加固基板40的厚度厚于基材11的厚度。另外，在此所说的刚性表示包括加固基板40及基材11的厚度在内的加固基板40及基材11的弯曲难度，刚性越高表示越难弯曲。
并且，本实施方式的加固基板40为包含具有屈服点的材料的基板。另外，在本实施方式中，“屈服点”是指，在拉伸材料的情况下，压力急剧地下降一段时间的现象，且是指在表示压力与应变之间的关系的曲线上表示降伏的点。作为具有屈服点的树脂，通常可举出硬且粘性强的树脂及柔软、粘性强且具有中等程度的强度的树脂。作为硬且粘性强的树脂，例如可举出聚碳酸酯(PC：Polycarbonate)及聚酰胺。并且，作为柔软、粘性强且具有中等程度的强度的树脂，例如可举出高密度聚乙烯及聚丙烯。
并且，本实施方式的加固基板40的弯曲弹性模量优选为1000MPa以上且2500MPa以下。弯曲弹性模量的测量方法例如基于JIS基准。若弯曲弹性模量较低，则为了刚性需要增加加固基板40的厚度。因此，从抑制厚度的观点考虑，加固基板40的弯曲弹性模量更优选为2000MPa以上且2500MPa以下。
并且，本实施方式的加固基板40的热膨胀系数优选接近于转换层14的材料的热膨胀系数，更优选为加固基板40的热膨胀系数与转换层14的热膨胀系数之比为0.5以上且2以下。例如，在转换层14以CsI：Tl为材料的情况下，热膨胀系数为50ppm/K。此时，作为加固基板40的材料可举出热膨胀系数为60ppm/K～80ppm/K的聚氯乙烯(PVC：PolyvinylChloride)、热膨胀系数为70ppm/K～80ppm/K的压克力、热膨胀系数为65～70ppm/K的PET、热膨胀系数为65ppm/K的PC及热膨胀系数为45ppm/K～70ppm/K的特氟龙(注册商标)等。进而，若考虑上述弯曲弹性模量，则作为加固基板40的材料，更优选为包含PET及PC中的至少一种的材料。
另外，可以通过利用追加加固基板覆盖加固基板40而进一步加强加固基板40，追加加固基板例如可以为碳板等刚性板。在通过追加加固基板覆盖转换层14的整个面的情况下，若追加加固基板的材质为X射线吸收量少的碳等，则也能够在表面读取方式(ISS：Irradiation Side Sampling方式)及背面读取方式(PSS：Penetration Side Sampling方式)中的任一方式中抑制X射线损失。在此，X射线损失是指，到达转换层14的X射线因所照射的X射线被追加加固基板吸收而减少。追加加固基板具有大于加固基板40的弯曲弹性模量的弯曲弹性模量。
追加强化部件的弯曲弹性模量例如优选为8000MPa以上。并且，作为追加强化部件的弯曲弹性模量的上限，优选为60000MPa以下。另外，碳的弯曲弹性模量为8000MPa～50000MPa左右，从弯曲弹性模量的观点考虑，碳也适合作为追加强化部件。
如图3及图4所示，本实施方式的加固基板40设置于宽于TFT基板12的第1面12A上的设置有转换层14的区域的区域。因此，如图3及图4所示，加固基板40的端部比转换层14的外周部更向外侧(TFT基板12的外周部侧)突出。
如图4所示，TFT基板12的外周部上设置有连接区域43。连接区域43上连接有详细内容将在后面叙述的柔性电缆112。柔性电缆112与驱动部103及信号处理部104(均参考图6)中的任一个连接。本实施方式的驱动部103及信号处理部104为本发明的电路部的一例。在图6中，作为在本实施方式的放射线检测器10上连接有驱动部103及信号处理部104的状态的一例，示出从TFT基板12的第1面12A的侧观察时的平面图。
如图6所示的一例，TFT基板12的连接区域43上电连接有柔性电缆112。另外，在本实施方式中，若无特别说明，则包括柔性电缆112在内，关于称为“电缆”的组件的连接表示电连接。柔性电缆112包括作为导体的信号线，通过该信号线与连接区域43连接而被电连接。本实施方式的柔性电缆112为挠性布线的一例。
TFT基板12的连接区域43(43A)上热压接有多个(在图6中，为4个)柔性电缆112的一端。柔性电缆112具有连接驱动部103与扫描布线38(参考图1)的功能。柔性电缆112中包含的多个信号线经由连接区域43与TFT基板12的扫描布线38(参考图1)连接。
另一方面，柔性电缆112的另一端与设置于驱动基板202的外周的区域的连接区域243(243A)热压接。柔性电缆112中包含的多个信号线经由连接区域243与装载于驱动基板202的电路及元件等即驱动组件250连接。
在图6中，作为一例，示出了9个驱动组件250(250A～250I)装载于驱动基板202的状态。如图6所示，本实施方式的驱动组件250沿与挠曲方向Y交叉的方向即交叉方向X配置，该挠曲方向Y为沿与TFT基板12的连接区域43(43A)对应的边的方向。
本实施方式的驱动基板202为挠性PCB(Printed Circuit Board，印刷电路板)基板即柔性基板。装载于驱动基板202的驱动组件250主要为用于数字信号的处理的组件(以下，称为“数字组件”)。作为驱动组件250的例子，可举出数字缓冲器、旁路电容器、上拉/下拉电阻、阻尼电阻及EMC(Electro Magnetic Compatibility，电磁兼容性)对策芯片组件等。另外，驱动基板202可以不一定为挠性基板，也可以为后述的非挠性的刚性基板。
数字组件趋于面积(大小)相对小于后述的模拟组件。并且，与模拟组件相比，数字组件趋于不太容易受电干扰(例如，噪声)的影响。因此，在本实施方式中，在TFT基板12挠曲的情况下，将随着TFT基板12的挠曲而挠曲的一侧的基板设为装载有驱动组件250的驱动基板202。
并且，与驱动基板202连接的柔性电缆112上装载有驱动电路部212。驱动电路部212与柔性电缆112中包含的多个信号线连接。
在本实施方式中，由装载于驱动基板202的驱动组件250和驱动电路部212实现驱动部103。驱动电路部212为包括实现驱动部103的各种电路及元件中不同于装载于驱动基板202的驱动组件250的电路的IC(Integrated Circuit，集成电路)。
如此，在本实施方式的放射线检测器10中，通过柔性电缆112，TFT基板12与驱动基板202电连接，由此驱动部103与各扫描布线38连接。
另一方面，TFT基板12的连接区域43(43B)上热压接有多个(在图6中，为4个)柔性电缆112的一端。柔性电缆112中包含的多个信号线经由连接区域43与信号布线36(参考图1)连接。柔性电缆112具有连接信号处理部104与信号布线36(参考图1)的功能。
另一方面，柔性电缆112的另一端与设置于信号处理基板304的连接区域243(243B)的连接器330电连接。柔性电缆112中包含的多个信号线经由连接器330与装载于信号处理基板304的电路及元件等即信号处理组件350连接。作为连接器330，例如可举出ZIF(Zero Insertion Force，零插力)结构的连接器或Non-ZIF结构的连接器。在图6中，作为一例，示出了9个信号处理组件350(350A～350I)装载于信号处理基板304的状态。如图6所示，本实施方式的信号处理组件350沿交叉方向X而配置，该交叉方向X为沿TFT基板12的连接区域43(43B)的方向。
另外，本实施方式的信号处理基板304为非挠性PCB基板即刚性基板。因此，信号处理基板304的厚度厚于驱动基板202的厚度。并且，信号处理基板304刚性高于驱动基板202。
装载于信号处理基板304的信号处理组件350主要为用于模拟信号的处理的组件(以下，称为“模拟组件”)。作为信号处理组件350的例子，可举出运算放大器、模拟数字转换器(ADC)、数字模拟转换器(DAC)、电源IC等。并且，本实施方式的信号处理组件350还包括组件尺寸较大的电源周边的线圈及平滑用大容量电容器。
如上所述，模拟组件趋于面积(大小)相对大于数字组件。并且，与数字组件相比，模拟组件趋于容易受电干扰(例如，噪声)的影响。因此，在本实施方式中，在TFT基板12挠曲的情况下，将未挠曲的(不受挠曲的影响的)一侧的基板设为装载有信号处理组件350的信号处理基板304。
并且，与信号处理基板304连接的柔性电缆112上装载有信号处理电路部314。信号处理电路部314与柔性电缆112中包含的多个信号线连接。
在本实施方式中，由装载于信号处理基板304的信号处理组件350和信号处理电路部314实现信号处理部104。信号处理电路部314为包括实现信号处理部104的各种电路及元件中不同于装载于信号处理基板304的信号处理组件350的电路的IC。
如此，在本实施方式的放射线检测器10中，通过柔性电缆112，TFT基板12与信号处理基板304电连接，由此信号处理部104与各信号布线36连接。
并且，如图4所示的一例，本实施方式的放射线检测器10在加固基板40与TFT基板12的第1面12A之间隔着柔性电缆112、防湿剂44及粘合层45设置有密封转换层14的侧面的间隔物46。
设置间隔物46的方法并无特别限定，例如可以在加固基板40的端部的粘合层48上贴附间隔物46，并将设置有间隔物46的状态的加固基板40贴附于设置有层叠体19、柔性电缆112、防湿剂44及粘合层45的状态的TFT基板12，由此将间隔物46设置于TFT基板12与加固基板40之间。另外，间隔物46的宽度(与层叠体19的层叠方向交叉的方向的宽度)并不限定于图4所示的例子。例如，可以将间隔物46的宽度扩展至比图4所示的例子更靠近转换层14的位置。并且，间隔物46也可以在TFT基板12的第1面12A上利用树脂或陶瓷等填缝而形成。
并且，本实施方式的TFT基板12的第2面12B上设置有具有防止湿气等水分的功能的保护膜42。作为保护膜42的材料，例如可举出与保护层22相同的材料。
作为本实施方式的放射线检测器10的制造方法的一例，可举出以下方法。参考图4、图7及图8对本实施方式的放射线检测器10的制造方法的一例进行说明。另外，在图8中，示出了与驱动基板202连接的柔性电缆112为6个的情况。
预先准备在制作成与放射线检测器10的大小匹配的所期望的大小的加固基板40上涂布粘合层48并在粘合层48上设置间隔物46的状态物。
另一方面，如图7所示，隔着剥离层在厚度厚于基材11的玻璃基板等支撑体400上形成基材11。与基材11中的TFT基板12的第2面12B对应的面与剥离层接触。
进而，如图4所示，在基材11的像素区域35上形成包含多个像素30的传感器部层50。另外，在本实施方式中，作为一例，经由使用SiN等的底涂层在基材11的像素区域35上形成传感器部层50。
进而，在传感器部层50上形成转换层14。在本实施方式中，首先，在从TFT基板12的第1面12A上的传感器部层50的转换层14侧的面的整个面经由传感器部层50的端面至基材11的传感器部层50侧的面的一部分为止的区域形成固定层13。之后，通过真空蒸镀法、溅射法及CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法等气相沉积法在TFT基板12上(更详细而言，在固定层13上)直接形成CsI转换层14作为柱状晶体。此时，转换层14的与像素30接触的一侧成为柱状晶体的生长方向基点侧。
另外，如此，在通过气相沉积法固定层13上直接设置CsI转换层14的情况下，转换层14的与和固定层13接触的一侧相反的一侧的面上，例如可以设置有具有反射通过转换层14转换的光的功能的反射层。反射层可以直接设置于转换层14，也可以隔着粘合层等设置。作为反射层的材料，优选使用有机系材料，例如，优选将白PET、TiO2、Al2O3、发泡白PET、聚酯系高反射薄片及镜面反射铝等中的至少一个用作材料。尤其，从反射率的观点考虑，优选将白PET用作材料。另外，聚酯系高反射薄片是指，具有重叠多个较薄的聚酯薄片而成的多层结构的薄片(薄膜)。
并且，在将CsI闪烁器用作转换层14的情况下，还能够通过不同于本实施方式的方法在TFT基板12(固定层13)上形成转换层14。例如可以准备通过气相沉积法在铝板等上蒸镀CsI而成物，并通过粘合性薄片等贴合CsI的未与铝板接触的一侧和TFT基板12(固定层13)，由此在TFT基板12(固定层13)上形成转换层14。此时，优选将通过保护膜覆盖还包括铝板的状态的转换层14整体的状态物与TFT基板12(固定层13)进行贴合。另外，此时，转换层14的与固定层13接触的一侧成为柱状晶体的生长方向的前端侧。
并且，也可以与本实施方式的放射线检测器10不同地，使用GOS(Gd2O2S：Tb)等作为转换层14而代替CsI。此时，例如准备通过粘合层等在由白PET等形成的支撑体上贴合使GOS分散于树脂等粘合剂中而得的薄片而成物，通过粘合性薄片等贴合GOS的未贴合支撑体的一侧和TFT基板12(固定层13)，由此能够在TFT基板12上形成转换层14。另外，与使用GOS的情况相比，在转换层14中使用CsI的情况下，从放射线向可见光的转换效率高。
进而，在TFT基板12的连接区域43(43A及43B)热压接柔性电缆112，使柔性电缆112中包含的多个信号线与TFT基板12的连接区域43(43A及43B)电连接。
进而，在驱动基板202的连接区域243(243A)热压接柔性电缆112，使柔性电缆112中包含的多个信号线与装载于驱动基板202的驱动组件250电连接。
然后，将预先准备的设置有间隔物46的加固基板40贴合于形成有转换层14且与柔性电缆112连接的TFT基板12，由此密封转换层14。另外，在进行上述贴合的情况下，会在大气压下或减压下(真空下)进行，但为了抑制空气等进入所贴合的部位之间，优选在减压下进行。
之后，如图8所示，从支撑体400剥离放射线检测器10。在通过机械剥离进行剥离的情况下，在图8所示的一例中，以TFT基板12的与连接有柔性电缆112的边对置的边为剥离的起点，从成为起点的边朝向连接有柔性电缆112的边向图8所示的箭头D方向逐渐从支撑体400剥离TFT基板12，由此进行机械剥离，获得连接有柔性电缆112的状态的放射线检测器10。
另外，作为剥离的起点的边优选为俯视TFT基板12时的与最长边交叉的边。即，沿因剥离而产生挠曲的挠曲方向Y的边优选为最长边。在本实施方式中，驱动基板202通过柔性电缆112连接的边长于信号处理基板304通过柔性电缆112连接的边。因此，以与设置有连接区域43(43B)的边对置的边作为剥离的起点。
在本实施方式中，在从支撑体400剥离TFT基板12之后，进一步电连接放射线检测器10的柔性电缆112与信号处理基板304的连接器330。如此，在本实施方式中，制造在图3～图5中示出一例的放射线检测器10。
另外，放射线检测器10的制造方法并不限定于本实施方式，也可以在使放射线检测器10的柔性电缆112与信号处理基板304的连接器330电连接之后，进行上述机械剥离。
在进行机械剥离时，在本实施方式的放射线图像摄影装置1(参考后述的图15)中，如图8所示，驱动基板202为挠性基板，因此驱动基板202也随着TFT基板12的挠曲而挠曲。
在此，在从支撑体400剥离TFT基板12的情况下，基材11具有挠性，因此TFT基板12容易挠曲。在TFT基板12较大地挠曲的情况下，转换层14也较大地挠曲，其结果，有转换层14从TFT基板12剥离的忧虑。尤其，转换层14的端部容易从TFT基板12剥离。
并且，并不限于从支撑体400剥离TFT基板12的情况，在放射线图像摄影装置1的工序的中途等单独处理放射线检测器10的情况下，也会因TFT基板12挠曲，有转换层14从TFT基板12剥离的忧虑。相对于此，在本实施方式的放射线检测器10中，包含具有屈服点的材料且刚性高于基材11的加固基板40设置于与TFT基板12的第1面12A对置的一侧的面即第1面19A。因此，根据本实施方式的放射线检测器10，能够抑制TFT基板12较大地挠曲，能够抑制转换层14从TFT基板12剥离。
并且，如上所述，与玻璃基板相比，聚酰亚胺等挠性基板的导热率低且比热高，因此在放射线检测器10的工序中，在热施加于挠性基板的情况下，不易散热。并且，在使用内置有放射线检测器10的放射线图像摄影装置1的情况下，热容易滞留在挠性基板上，温度趋于容易上升。若挠性基板的温度上升，则会产生热膨胀，挠性基板发生翘曲，其结果，有时传感器部层50会从基材11剥离。
相对于此，在本实施方式的放射线检测器10中，通过固定层13将传感器部层50固定于基材11。因此，在本实施方式的放射线检测器10中，能够抑制传感器部层50从基材11上的剥离的发生。
并且，在本实施方式的放射线检测器10中，固定层13设为包含树脂，因此与由金属等构成固定层13的情况相比，能够轻型化放射线检测器10。
尤其，在本实施方式的放射线检测器10中，固定层13在传感器部层50的端部将传感器部层50固定于基材11，因此与将传感器部层50的底面部直接固定于基材11的情况相比，能够高效地进行固定。
进而，在本实施方式的放射线检测器10中，固定层13通过覆盖从传感器部层50的转换层14侧的面的整个面经由传感器部层50的端面至基材11的传感器部层50侧的面为止的区域而将传感器部层50固定于基材11。因此，与固定层13仅覆盖传感器部层50的转换层14侧的面的一部分区域的情况相比，能够将传感器部层50更牢固地固定于基材11。
[第2实施方式]
接着，对第2实施方式进行说明。在图9中示出本实施方式的放射线检测器10的一例的剖视图。
如图9所示，在本实施方式的放射线检测器10中，TFT基板12侧的第2面12B上设置有强化部件41。在本实施方式的放射线检测器10中，如图9所示，与上述实施方式相同地，在TFT基板12与强化部件41之间设置有保护膜42。
与加固基板40相同地，强化部件41的刚性高于基材11，相对于沿垂直方向施加于第1面12A的力的尺寸变化(变形)小于相对于沿垂直方向施加于基材11的第2面12B的力的尺寸变化。并且，本实施方式的强化部件41的厚度厚于基材11的厚度，且薄于加固基板40的厚度。作为本实施方式的强化部件41的材料，优选热塑性的树脂，能够使用与加固基板40相同的材料。另外，在此所说的刚性也表示包括强化部件41及基材11的厚度在内的强化部件41及基材11的弯曲难度，刚性越高表示越难弯曲。与加固基板40相同地，强化部件41的弯曲弹性模量也优选为1000MPa以上且2500MPa以下。
另外，可以通过追加强化部件进一步加强强化部件41，追加强化部件例如可以为碳板等刚性板。在通过追加强化部件覆盖转换层14的整个面的情况下，只要追加强化部件的材质为X射线吸收量少的碳等，则也能够在表面读取方式及背面读取方式中的任一方式中抑制X射线损失。在此，X射线损失是指，到达转换层14的X射线因所照射的X射线被追加强化部件吸收而减少。追加强化部件具有大于强化部件41的弯曲弹性模量的弯曲弹性模量。追加强化部件的弯曲弹性模量例如优选为8000MPa以上。并且，作为追加强化部件的弯曲弹性模量的上限，优选为60000MPa以下。另外，碳的弯曲弹性模量为8000MPa～50000MPa左右，从弯曲弹性模量的观点考虑，碳也适合作为追加强化部件。
本实施方式的放射线检测器10例如在通过与在第1实施方式中既述的放射线检测器10的制造方法相同的制造方法而在设置有层叠体19的TFT基板12上贴合设置有间隔物46的加固基板40之后，从支撑体400剥离TFT基板12。之后，通过涂布等在TFT基板12的第2面12B上设置保护膜42及强化部件41，由此能够制造本实施方式的放射线检测器10。
在本实施方式的放射线检测器10中，TFT基板12的与形成有传感器部层50的第1面12A对置的第2面12B上设置有刚性高于基材11的强化部件41。因此，与第1实施方式的放射线检测器10相比，能够进一步抑制TFT基板12较大地挠曲，能够抑制转换层14及传感器部层50从TFT基板12剥离。
并且，例如，在转换层14的热膨胀系数与加固基板40的热膨胀系数的差相对大的情况下，TFT基板12容易翘曲。相对于此，在本实施方式的放射线检测器10中，通过加固基板40和强化部件41夹住TFT基板12，能够抑制TFT基板12因热膨胀系数的差等而翘曲。
[第3实施方式]
在上述各实施方式中，对作为本发明的固定部件的固定层13覆盖传感器部层50的转换层14侧的面的整个面的方式进行了例示，但本发明的固定部件并不限于该方式。例如，作为固定部件，也可以设为如下方式：通过覆盖从传感器部层50的转换层14侧的面的一部分经由传感器部层50的端面至基材11的传感器部层50侧的面的一部分为止的区域而将传感器部层50固定于基材11。
在图10中示出本实施方式的放射线检测器10的一例的剖视图。另外，图10中的与图4相同的构成要件上标注与图4相同的符号并省略其说明。
如图10所示，本实施方式的放射线检测器10仅在代替第1实施方式的放射线检测器10中的固定层13而设为关于传感器部层50的转换层14侧的面仅覆盖传感器部层50的外周部附近的固定部件13B这一方面不同。
在本实施方式的放射线检测器10中，如图10所示，固定部件13B以比转换层14的外周部更靠外侧的位置为传感器部层50的转换层14侧的面的端部的位置。因此，本实施方式的转换层14直接形成于传感器部层50的上表面。但是，并不限于该方式，固定部件13B也可以设为以比转换层14的外周部更靠内侧的位置为传感器部层50的转换层14侧的面的端部的位置的方式。另外，该方式中的固定部件13B的形成方法与上述各实施方式的固定层13相同，因此在此省略说明。
在图11及图12中示出了本第3实施方式的固定部件13B的变形例。另外，图11及图12是从加固基板40侧观察放射线检测器10时的平面图。并且，在图11及图12中，为了避免复杂，仅示出了放射线检测器10的主要部分(基材11、固定部件13C(13D)、传感器部层50、转换层14)。
图11所示的例子为固定部件13C仅单独地固定俯视下矩形的传感器部层50的4角点的每一个的方式。并且，在图12所示的例子中，固定部件13D以遍及俯视下矩形的传感器部层50的各对角间的方式设置成俯视下X状。另外，固定部件13C及固定部件13D的基材11侧的端部的位置与上述各实施方式的固定层13相同。该方式中的固定部件13C(13D)的形成方法也与上述各实施方式的固定层13相同，因此在此省略说明。
在第3实施方式、图11、图12所示的方式中，固定部件通过覆盖从传感器部层50的转换层14侧的面的一部分经由传感器部层50的端面至基材11的传感器部层50侧的面为止的区域而将传感器部层50固定于基材11。因此，与固定层13覆盖传感器部层50的转换层14侧的面的整个面的情况相比，能够提高通过放射线检测器10而得的放射线图像的画质。
另外，加固基板40的大小并不限定于上述各实施方式。例如，如图13所示的一例，加固基板40及粘合层48的端部(外周)与保护层22的端部(外周)也可以为相同的位置。另外，优选通过加固基板40覆盖宽于转换层14覆盖TFT基板12的第1面12A的区域的区域，更优选通过加固基板40覆盖宽于覆盖转换层14的上表面整体的区域的区域。
并且，如图14所示的一例，优选基材11与像素30尤其像素30的TFT32的栅极电极80之间设置有由无机材料构成的层90。作为图14所示的一例的情况的无机材料，可举出SiNx或SiOx等。TFT32的漏极电极81和源极电极82形成于相同的层，形成有漏极电极81及源极电极82的层与基材11之间形成有栅极电极80。并且，基材11与栅极电极80之间设置有由无机材料构成的层90。
并且，如图1所示，上述各实施方式中，对像素30二维排列成矩阵状的方式进行了说明，但并不限定于此，例如也可以为一维排列，还可以为蜂窝排列。并且，像素的形状也无限定，可以为矩形，也可以为六边形等多边形。进而，传感器部层50的形状也无限定。
并且，转换层14的形状等也不限定于上述各实施方式。在上述各实施方式中，对转换层14的形状与传感器部层50的形状相同地为矩形的方式进行了说明，但转换层14的形状也可以为不同于传感器部层50的形状。并且，传感器部层50的形状例如可以为其他多边形，也可以为圆形，而非矩形。
并且，在上述放射线检测器10的制造方法中，对通过机械剥离从支撑体400剥离TFT基板12的工序进行了说明，但剥离方法并不限定于所说明的方式。例如，也可以设为如下方式：进行从支撑体400的形成有TFT基板12的相反侧的面照射激光而进行TFT基板12的剥离的所谓激光剥离。即使在该情况下，根据放射线检测器10，在从支撑体400剥离TFT基板12之后单独处理放射线检测器10的情况下，也能够抑制转换层14及传感器部层50从TFT基板12剥离。
另外，上述各实施方式的放射线检测器10可以适用于从TFT基板12侧照射放射线的表面读取方式的放射线图像摄影装置，也可以适用于从转换层14侧照射放射线的背面读取方式的放射线图像摄影装置。
在图15中示出将第1实施方式的放射线检测器10适用于表面读取方式的放射线图像摄影装置1的状态的一例的剖视图。
如图15所示，在框体120内沿与放射线的入射方向交叉的方向排列设置有放射线检测器10、电源部10g及控制基板110。放射线检测器10设置成传感器部层50的未设置转换层14的一侧与透射被摄体的放射线所照射的框体120的摄影面120A侧对置。
控制基板110为形成有存储与从传感器部层50的像素30读取的电荷对应的图像数据的图像存储器380或控制从像素30的电荷读取等的控制部382等的基板，其通过包括多个信号布线的柔性电缆112与传感器部层50的像素30电连接。另外，在图15所示的放射线图像摄影装置1中，设为通过控制部382的控制而控制像素30的TFT32的开关状态的驱动部103及生成并输出与从像素30读取的电荷对应的图像数据的信号处理部104设置在柔性电缆112上的所谓COF(Chip On Film，薄膜覆晶)，但也可以在控制基板110上形成有驱动部103及信号处理部104中的至少一个。
并且，控制基板110通过电源线114与向形成于控制基板110的图像存储器380或控制部382等供电的电源部108连接。另外，控制部382包括硬体的处理器。处理器可以为通过从ROM(Read Only Memory，只读存储器)等存储器下载并执行控制程序而发挥功能的CPU(Central Processing Unit，中央处理器)等，也可以为预先设定有功能的ASIC(Application Specific Integrated Circuit，特殊应用集成电路)等。
图15所示的放射线图像摄影装置1的框体120内，在射出透射放射线检测器10的放射线的一侧还设置有薄片116。作为薄片116，例如可举出铜制薄片。铜制薄片使所入射的放射线导致的二次放射线不易产生，因此具有防止向后方即转换层14侧散射的功能。另外，薄片116优选至少覆盖转换层14的射出放射线的一侧的面整体，并且，更优选覆盖转换层14整体。
并且，图15所示的放射线图像摄影装置1的框体120内，在放射线所入射的一侧(摄影面120A侧)还设置有保护层117。作为保护层117，能够适用在绝缘性薄片(薄膜)上粘接铝箔等而层叠有铝的Alpet(注册商标)薄片、Parylene(注册商标)膜及聚对苯二甲酸乙二酯等绝缘性薄片等防湿膜。保护层117对传感器部层50具有防湿功能及防静电功能。因此，保护层117优选至少覆盖传感器部层50的放射线所入射的一侧的面整体，更优选覆盖放射线所入射的一侧的TFT基板12的面整体。
另外，在图15中示出了将电源部108及控制基板110这两者设置于放射线检测器10的一侧、详细而言设置于矩形的传感器部层50的一个边侧的方式，但设置电源部108及控制基板110的位置并不限定于图15所示的方式。例如，可以将电源部108及控制基板110分开设置于传感器部层50的2个对置的边的各边，也可以分开设置于相邻的2个边的各边。
并且，在图16中示出在表面读取方式的放射线图像摄影装置1中适用第1实施方式的放射线检测器10的状态的另一例的剖视图。
如图16所示，在框体120内沿与放射线的入射方向交叉的方向排列设置有电源部108及控制基板110，沿放射线的入射方向排列设置有放射线检测器10和电源部108及控制基板110。
并且，在图16所示的放射线图像摄影装置1中，在控制基板110及电源部108与薄片116之间设置有支撑放射线检测器10及控制基板110的基座118。基座118例如使用碳等。
此外，上述各实施方式中说明的放射线检测器10等的结构和制造方法等为一例，能够在不脱离本发明的宗旨的范围内根据状况进行变更。
本申请主张2018年9月27日申请的日本专利申请第2018-182729号的优先权，并且通过参考将其全文援用于本说明书中。

Claims (13)

1.一种放射线检测器，其具备：
基板，在挠性基材的像素区域包括传感器部层，所述传感器部层具有积蓄对应于从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素；
转换层，设置于所述基材的设置有所述像素区域的面侧，且将所述放射线转换为光；及
固定部件，设置得比所述转换层更靠所述基板侧，且将所述传感器部层固定于所述基材，
所述固定部件在所述传感器部层的端部将所述传感器部层固定于所述基材，
所述固定部件通过覆盖从所述传感器部层的所述转换层侧的面的至少一部分经由所述传感器部层的端面至所述基材的所述传感器部层侧的面的至少一部分为止的区域而将所述传感器部层固定于所述基材。
2.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述固定部件构成为包含树脂。
3.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述固定部件通过覆盖从所述传感器部层的所述转换层侧的面的整个面经由所述传感器部层的端面至所述基材的所述传感器部层侧的面的至少一部分为止的区域而将所述传感器部层固定于所述基材。
4.根据权利要求3所述的放射线检测器，其中，
所述基材及所述固定部件包含相同的材料。
5.根据权利要求3或4所述的放射线检测器，其中，
所述基材的热膨胀系数CTEflex与所述固定部件的热膨胀系数CTEsur之比为0.5≤CTEsur/CTEflex≤4。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的放射线检测器，其中，
所述固定部件包含聚酰亚胺或Parylene。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的放射线检测器，其中，
所述放射线检测器还具备覆盖所述转换层的密封层，
所述固定部件的材质不同于所述密封层的材质。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的放射线检测器，其中，
所述转换层是通过直接蒸镀而形成CsI柱状晶体的层，
所述放射线检测器在所述柱状晶体的前端部侧还具备刚性高于所述基材的加固基板。
9.根据权利要求8所述的放射线检测器，其中，
所述加固基板包含具有屈服点的材料。
10.根据权利要求8所述的放射线检测器，其中，
所述加固基板设置于比设置有所述转换层的区域宽的区域。
11.根据权利要求8所述的放射线检测器，其中，
在所述基板的与设置有所述像素区域的面对置的面还具备刚性高于所述基材的强化部件。
12.一种放射线图像摄影装置，其具备：
权利要求1至11中任一项所述的放射线检测器；
控制部，输出用于读取积蓄于所述多个像素的电荷的控制信号；及
电路部，通过挠性布线与所述放射线检测器电连接，且根据所述控制信号从所述多个像素读取电荷。
13.一种放射线检测器的制造方法，在该放射线检测器的制造方法中，
隔着剥离层在支撑体设置挠性基材，形成在所述基材的像素区域设置有传感器部层的基板，其中，所述传感器部层具有积蓄对应于从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素，
形成将所述传感器部层固定于所述基材的固定部件，
在所述基材的设置有所述像素区域的面侧形成将所述放射线转换为光的转换层，
在所述转换层的与和所述基板侧的面对置的一侧的面相反的一侧的面贴合刚性高于所述基材的加固基板，
从所述支撑体剥离设置有所述转换层及所述加固基板的所述基板，
所述固定部件在所述传感器部层的端部将所述传感器部层固定于所述基材，
所述固定部件通过覆盖从所述传感器部层的所述转换层侧的面的至少一部分经由所述传感器部层的端面至所述基材的所述传感器部层侧的面的至少一部分为止的区域而将所述传感器部层固定于所述基材。
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