WO2018173894A1 - 放射線検出器及び放射線画像撮影装置 - Google Patents

放射線検出器及び放射線画像撮影装置 Download PDF

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WO2018173894A1
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protective film
radiation detector
base material
pixels
conversion layer
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PCT/JP2018/010049
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信一 牛倉
赤松　圭一
岩切　直人
中津川　晴康
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富士フイルム株式会社
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    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2006—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using a combination of a scintillator and photodetector which measures the means radiation intensity
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    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
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    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies

Definitions

  • the present invention relates to a radiation detector and a radiation image capturing apparatus.
  • a radiographic imaging apparatus that performs radiography for the purpose of medical diagnosis.
  • a radiation detector for detecting radiation transmitted through a subject and generating a radiographic image is used.
  • the radiation detector includes a conversion layer such as a scintillator that converts radiation into light, and a sensor substrate provided with a plurality of pixels that store charges generated according to the light converted in the conversion layer.
  • a radiation detector one using a flexible base material for a sensor substrate is known (see, for example, JP 2010-85266 A).
  • a radiographic imaging device radiographic imaging device
  • photographing of a subject can be facilitated.
  • a method called a coating method and a method called a laminating method are known.
  • a flexible base material is formed on a support such as a glass substrate by coating, and a sensor substrate and a conversion layer are further formed. Thereafter, the sensor substrate on which the conversion layer is formed is peeled off from the support by laser peeling.
  • the lamination method a sheet serving as a flexible base material is bonded to a support such as a glass substrate, and a sensor substrate and a conversion layer are further formed. Thereafter, the sensor substrate on which the conversion layer is formed is peeled off from the support by mechanical peeling.
  • both the coating method and the laminating method include a step of peeling the sensor substrate from the support in the manufacturing process, there are cases where it is difficult to peel the sensor substrate from the support.
  • the sensor substrate is covered with a protective film having moisture resistance in order to protect the base material or the conversion layer of the sensor substrate.
  • a protective film having moisture resistance in order to protect the base material or the conversion layer of the sensor substrate.
  • this indication makes peeling from a support of a sensor substrate easy, and is flexible.
  • a radiation detector and a radiographic imaging apparatus capable of suppressing a decrease in moisture resistance of a substrate.
  • the radiation detector includes a flexible substrate and a plurality of charges that are provided on the first surface of the substrate and accumulate charges generated according to light converted from the radiation.
  • a sensor substrate including a layer in which pixels are formed; a conversion layer that is provided on the opposite side of the substrate in the layer in which pixels are formed and that converts radiation into light; and a first surface of the substrate including an end portion
  • a first protective film that is provided on the side and covers at least the entire conversion layer, and a second protective film that covers at least the second surface opposite to the first surface.
  • the second protective film further covers at least an end portion of the first protective film.
  • the radiation detector according to the third aspect of the present disclosure is the radiation detector according to the first aspect, in which the second protective film covers both the first surface and the second surface.
  • the fourth radiation detector of the present disclosure is the radiation detector according to the first aspect. At least a region other than the region covered with the first protective film and a region other than the region covered with the second protective film is provided. A third protective film is further provided.
  • the radiation detector according to the fifth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to the first aspect, further including a third protective film that covers at least an end portion of the first protective film and an end portion of the second protective film. Prepare.
  • the radiation detector according to the sixth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to fourth aspects, wherein the side surface of the first protective film and the side surface of the substrate are It is the same.
  • the radiation detector according to the seventh aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to sixth aspects.
  • the first protective film is more flexible than the second protective film. high.
  • the radiation detector according to the eighth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to the seventh aspect, wherein the material of the first protective film is different from the material of the second protective film.
  • the density of the first protective film is lower than the density of the second protective film.
  • the radiation detector according to the tenth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the seventh to ninth aspects, wherein the thickness of the first protective film is greater than the thickness of the second protective film. Is also thin.
  • the charge is read from a plurality of pixels connected to the sensor substrate.
  • a first cable connected to the driving unit, and a signal processing unit that receives an electric signal corresponding to the electric charges read from the plurality of pixels, and generates and outputs image data corresponding to the input electric signal
  • At least one of the second cables to be connected is further provided, and at least one of the cables is covered with the second protective film.
  • a radiation detector is connected to a driving unit that reads out charges from a plurality of pixels in the radiation detector according to any one of the first to tenth aspects.
  • the first cable and the second cable connected to a signal processing unit that receives an electrical signal corresponding to the electric charges read from the plurality of pixels and generates and outputs image data corresponding to the input electrical signal.
  • a connecting portion to which at least one cable is connected is provided on the outer peripheral portion of the base material, and the first protective film covers the first surface around the connecting portion.
  • the radiation detector according to the thirteenth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first aspect to the twelfth aspect, wherein the conversion layer includes CsI.
  • the radiographic imaging device of the fourteenth aspect of the present disclosure reads out the charges accumulated in a plurality of pixels and the radiation detector according to any one of the first to thirteenth aspects of the present disclosure.
  • a control unit that outputs a control signal
  • a drive unit that outputs a drive signal for reading out charges from a plurality of pixels according to the control signal, and an electric signal according to the charges read from the plurality of pixels
  • a signal processing unit that generates and outputs image data corresponding to the input electric signal.
  • the radiographic imaging device of the fifteenth aspect of the present disclosure is the radiographic imaging device of the fourteenth aspect, in which the base material, the layer in which the plurality of pixels are formed, and the conversion layer are arranged in the stacking direction.
  • the control unit and the radiation detector are provided side by side in a direction intersecting with.
  • the radiographic imaging device of the sixteenth aspect of the present disclosure is the radiographic imaging device of the fourteenth aspect, further comprising a power supply unit that supplies power to at least one of the control unit, the driving unit, and the signal processing unit.
  • a power supply unit, a control unit, and a radiation detector are arranged side by side in a direction that intersects the stacking direction in which the base material, the layer in which the plurality of pixels are formed, and the conversion layer are arranged. Also good.
  • the sensor substrate in the manufacturing process of the radiation detector including the sensor substrate having the flexible base material manufactured using the support, the sensor substrate can be easily peeled from the support and flexible. Deterioration of moisture resistance of the conductive substrate can be suppressed.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the radiation detector shown in FIG. 2 along the line AA. It is explanatory drawing explaining the manufacturing method of the radiation detector shown in FIG.2 and FIG.3. It is sectional drawing of another example of the radiation detector of 1st Embodiment. It is sectional drawing which shows an example of the state by which the radiation detector was provided in the housing
  • FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line AA of the sensor substrate before peeling from the support shown in FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of an example of a radiation detector in which a region provided with a first protective film is different from the radiation detector of the first to fourth embodiments.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of another example of a radiation detector in which the radiation detectors of the first to fourth embodiments are different from each other in a region where the first protective film is provided.
  • the radiographic image capturing apparatus has a function of capturing a radiographic image of an imaging target by detecting radiation transmitted through the subject that is an imaging target and outputting image information representing the radiographic image of the subject.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating an example of a main configuration of an electric system in the radiographic image capturing apparatus of the present embodiment.
  • the radiographic imaging apparatus 1 of this embodiment includes a radiation detector 10, a control unit 100, a drive unit 102, a signal processing unit 104, an image memory 106, and a power supply unit 108.
  • the radiation detector 10 includes a sensor substrate 12 (see FIG. 3) and a conversion layer (see FIG. 3) 30 that converts radiation into light.
  • the sensor substrate 12 includes a flexible base material 14 and a plurality of pixels 16 provided on the first surface 14 ⁇ / b> A of the base material 14.
  • the plurality of pixels 16 may be simply referred to as “pixels 16”.
  • each pixel 16 of the present embodiment includes a sensor unit 22 that generates and accumulates charges according to light converted by the conversion layer, and a switching element 20 that reads the charges accumulated in the sensor unit 22.
  • a thin film transistor TFT: Thin Film Transistor
  • the switching element 20 is referred to as “TFT 20”.
  • the sensor unit 22 and the TFT 20 are formed, and a layer in which the pixels 16 are formed on the first surface 14A of the base material 14 is provided as a flattened layer.
  • the layer in which the pixel 16 is formed may also be referred to as “pixel 16” for convenience of explanation.
  • the pixel 16 is provided in the active area 15 of the sensor substrate 12 in one direction (scanning wiring direction corresponding to the horizontal direction in FIG. 1, hereinafter also referred to as “row direction”) and the direction intersecting the row direction (corresponding to the vertical direction in FIG. 1). Are arranged two-dimensionally along the signal wiring direction (hereinafter also referred to as “column direction”).
  • the arrangement of the pixels 16 is shown in a simplified manner. For example, 1024 ⁇ 1024 pixels 16 are arranged in the row direction and the column direction.
  • the radiation detector 10 includes a plurality of scanning wirings 26 for controlling the switching state (ON and OFF) of the TFT 20 provided for each row of the pixels 16, and for each column of the pixels 16.
  • a plurality of signal wirings 24 from which charges accumulated in the sensor unit 22 are read out are provided so as to cross each other.
  • Each of the plurality of scanning wirings 26 is connected to the driving unit 102 via a pad (not shown).
  • a control unit 100 which will be described later, is connected to the drive unit 102, and a drive signal is output in accordance with a control signal output from the control unit 100.
  • a drive signal that is output from the driving unit 102 and drives the TFT 20 to control the switching state flows to each of the plurality of scanning wirings.
  • each of the plurality of signal wirings 24 is connected to the signal processing unit 104 via a pad (not shown), so that the charge read from each pixel 16 is converted into an electric signal. Is output.
  • the signal processing unit 104 generates and outputs image data corresponding to the input electrical signal.
  • the signal processing unit 104 is connected to a control unit 100 described later, and the image data output from the signal processing unit 104 is sequentially output to the control unit 100.
  • An image memory 106 is connected to the control unit 100, and image data sequentially output from the signal processing unit 104 is sequentially stored in the image memory 106 under the control of the control unit 100.
  • the image memory 106 has a storage capacity capable of storing a predetermined number of image data, and image data obtained by imaging is sequentially stored in the image memory 106 every time a radiographic image is captured.
  • the control unit 100 includes a CPU (Central Processing Unit) 100A, a memory 100B including a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory), and a nonvolatile storage unit 100C such as a flash memory.
  • a CPU Central Processing Unit
  • a memory 100B including a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory)
  • a nonvolatile storage unit 100C such as a flash memory.
  • An example of the control unit 100 is a microcomputer.
  • the control unit 100 controls the overall operation of the radiation image capturing apparatus 1.
  • a common wiring 28 is provided in the wiring direction of the signal wiring 24 in order to apply a bias voltage to each pixel 16.
  • the common wiring 28 is connected to a bias power supply (not shown) outside the sensor substrate 12 via a pad (not shown), whereby a bias voltage is applied to each pixel 16 from the bias power supply.
  • the power supply unit 108 supplies power to various elements and circuits such as the control unit 100, the drive unit 102, the signal processing unit 104, the image memory 106, and the power supply unit 108.
  • various elements and circuits such as the control unit 100, the drive unit 102, the signal processing unit 104, the image memory 106, and the power supply unit 108.
  • FIG. 1 in order to avoid complications, illustration of wiring connecting the power supply unit 108 to various elements and various circuits is omitted.
  • FIG. 2 is a plan view of the radiation detector 10 of the present embodiment as viewed from the first surface 14A side.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA of the radiation detector 10 in FIG.
  • the radiation detector 10 of the present embodiment includes a sensor substrate 12 including a base material 14 and pixels 16, a conversion layer 30, a first protective film 32, and a second protective film 34.
  • the base material 14, the pixel 16, and the conversion layer 30 are provided in this order.
  • the direction in which the base material 14, the pixel 16, and the conversion layer 30 are arranged is referred to as a stacking direction.
  • the substrate 14 is a resin sheet having flexibility, for example, including a plastic such as polyimide.
  • a specific example of the base material 14 is XENOMAX (registered trademark).
  • the base material 14 should just have desired flexibility, and is not limited to a resin sheet.
  • the base material 14 may be a glass substrate having a relatively small thickness.
  • the thickness of the base material 14 is a thickness that provides desired flexibility depending on the hardness of the material and the size of the sensor substrate 12 (area of the first surface 14A or the second surface 14B). Good.
  • the thickness may be 5 ⁇ m to 125 ⁇ m.
  • the thickness is 0.1 mm or less because the thickness is 0.1 mm or less. If it is.
  • the plurality of pixels 16 are provided in a partial region inside the first surface 14 ⁇ / b> A of the base material 14. That is, in the sensor substrate 12 of the present embodiment, the pixels 16 are not provided on the outer peripheral portion of the first surface 14 ⁇ / b> A of the base material 14. In this embodiment, the area where the pixels 16 are provided on the first surface 14 ⁇ / b> A of the base material 14 is defined as the active area 15.
  • the conversion layer 30 covers the active area 15.
  • a scintillator including CsI cesium iodide
  • CsI cesium iodide
  • Examples of such a scintillator include CsI: Tl (cesium iodide to which thallium is added) and CsI: Na (cesium iodide to which sodium is added) whose emission spectrum upon X-ray irradiation is 400 nm to 700 nm. It is preferable to include. Note that the emission peak wavelength in the visible light region of CsI: Tl is 565 nm.
  • the radiation detector 10 of this embodiment is provided with the 1st protective film 32 on the 1st surface 14A side of the base material 14 including an edge part, and is a conversion layer. 30, specifically, covers the surface of the conversion layer 30 (the surface not in contact with the pixel 16) and the region extending from the side surface to the pixel 16.
  • the material of the first protective film 32 examples include polyethylene, PET (Polyethylene terephthalate), soft vinyl chloride, aluminum thin film, polypropylene, ABS (Acrylonitrile Butadiene Styrene) resin, PBT (Polybutylene terephthalate), PPE (Polyphenylene ether), styrene, Examples include acrylic, polyacetal, nylon, and polycarbonate.
  • the first protective film 32 for example, aluminum is laminated by bonding an aluminum foil to a parylene (registered trademark) film, an insulating sheet such as PET, and an insulating sheet (film). A moisture-proof film such as an Alpet (registered trademark) sheet is used.
  • the radiation detector 10 of this embodiment has the 2nd protective film 34 the whole base material 14, specifically, the 2nd surface 14B of the base material 14, The region from the side surface 14C of the base material 14 and the end of the first surface 14A of the base material 14 to the pixel 16 (first protective film 32) is covered.
  • Examples of the material of the second protective film 34 include polyethylene, PET, soft vinyl chloride, aluminum thin film, polypropylene, ABS resin, PBT, PPE, styrene, acrylic, polyacetal, nylon, and polycarbonate.
  • Specific examples of the second protective film 34 include, for example, an insulating sheet such as a parylene film, PET, and an Alpet sheet obtained by laminating aluminum by bonding an aluminum foil to an insulating sheet (film).
  • a moisture barrier film such as is used.
  • the base material 14 is formed on a support 200 such as a glass substrate that is thicker than the base material 14 via a release layer 202.
  • a support 200 such as a glass substrate that is thicker than the base material 14 via a release layer 202.
  • seat used as the base material 14 is bonded together on the support body 200.
  • FIG. The second surface 14 ⁇ / b> B of the substrate 14 is in contact with the release layer 202.
  • the pixels 16 are formed on the first surface 14A of the substrate 14.
  • the pixels 16 are formed on the first surface 14A of the base material 14 via an undercoat layer (not shown) using SiN or the like.
  • the conversion layer 30 is formed on the pixel 16.
  • the CsI conversion layer 30 is formed as a columnar crystal directly on the sensor substrate 12 by a vapor deposition method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • a vapor deposition method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • the side in contact with the pixel 16 in the conversion layer 30 is the base point side in the columnar crystal growth direction.
  • the conversion layer 30 may have, for example, a conversion layer on the surface opposite to the side in contact with the sensor substrate 12.
  • a reflective layer (not shown) having a function of reflecting the light converted at 30 may be provided.
  • the reflective layer may be provided directly on the conversion layer 30 or may be provided via an adhesive layer or the like.
  • the material of the reflective layer is preferably an organic material, such as white PET (Polyethylene Terephthalate), TiO 2 , Al 2 O 3 , foamed white PET, polyester-based highly reflective sheet, and specular reflective aluminum. What used at least 1 of these as a material is preferable. In particular, from the viewpoint of reflectance, those using white PET as a material are preferable.
  • White PET is obtained by adding a white pigment such as TiO 2 or barium sulfate to PET.
  • the polyester-based highly reflective sheet is a sheet (film) having a multilayer structure in which a plurality of thin polyester sheets are stacked.
  • the foamed white PET is white PET whose surface is porous.
  • the conversion layer 30 can be formed on the sensor substrate 12 by a method different from the present embodiment. For example, an aluminum plate or the like obtained by vapor-depositing CsI by vapor deposition is prepared, and the side of the CsI that is not in contact with the aluminum plate is bonded to the pixel 16 of the sensor substrate 12 with an adhesive sheet or the like. Accordingly, the conversion layer 30 may be formed on the sensor substrate 12.
  • GOS Ga 2 O 2 S: Tb
  • the conversion layer 30 instead of CsI.
  • a sheet in which GOS is dispersed in a binder such as a resin is prepared by bonding a support formed of white PET or the like with an adhesive layer or the like, and the GOS support is not bonded.
  • the conversion layer 30 can be formed on the sensor substrate 12 by bonding the side and the pixel 16 of the sensor substrate 12 with an adhesive sheet or the like.
  • the first protective film 32 is applied to the entire conversion layer 30, specifically, the surface of the conversion layer 30 (with the pixels 16 and 16) on the sensor substrate 12 provided with the conversion layer 30. 4 and the region extending from the side surface to the pixel 16, the state shown in FIG. 4 is obtained.
  • the sensor substrate 12 provided with the conversion layer 30 and the first protective film 32 is peeled from the support 200.
  • any one of the four sides of the sensor substrate 12 (base material 14) is set as a starting point of peeling, and the sensor substrate 12 is gradually peeled from the support 200 from the starting side toward the opposite side. And mechanical peeling.
  • the sensor substrate 12 when different from the radiation detector 10 of the present embodiment, that is, unlike the case shown in FIG. 4, when the formed first protective film 32 covers the region on the support 200, the sensor substrate 12 is peeled off.
  • the first protective film 32 covering the support 200 may be difficult to peel off.
  • the side of the sensor substrate 12 (base material 14) that is the starting point of peeling is covered with the first protective film 32 up to the support 200, the peeling becomes difficult.
  • the end of the first protective film 32 may be peeled off from the sensor substrate 12 as the sensor substrate 12 is peeled off. If the 1st protective film 32 peels from the edge part of the sensor board
  • the first protective film 32 covers the surface and side surfaces of the conversion layer 30 and the side surfaces of the pixels 16.
  • the first surface 14A and the side surface 14C of 14 are not covered. Therefore, the first protective film 32 does not cover the region on the support 200.
  • the side of the sensor substrate 12 (base material 14) that is the starting point of the separation of the sensor substrate 12 is not covered with the first protective film 32. Peeling can be easily performed. Moreover, since it can suppress that the edge part of the 1st protective film 32 peels from the sensor board
  • the second protective film 34 is applied to the entire surface of the base material 14, specifically, the base material 14 on the second surface 14B of the base material 14. 2B, the side surface 14C of the base material 14, and the region from the end of the first surface 14A of the base material 14 to the pixel 16 (first protective film 32). And the radiation detector 10 of this embodiment shown in FIG. 3 is manufactured.
  • a parylene film may be formed by vapor deposition, or, for example, a sheet-like protective film may be used to form the second protective film 34.
  • the second surface 14B, the side surface 14C of the base material 14, and the first surface 14A from the end of the base material 14 to the pixel 16 (first protective film 32) may be covered.
  • first protective film 32 first protective film
  • the entire region to be covered with the second protective film 34 may be covered with a single sheet.
  • the base material 14 should be covered with a plurality of sheets, such as by sandwiching the base material 14 with a sheet from each of the first surface 14A side and the second surface 14B side, so that it should be covered with the second protective film 34 The above area may be covered.
  • the second protective film 34 on the second surface 14B of the base material 14, it is possible to suppress moisture from entering from the second surface 14B of the base material 14, and thus the sensor substrate 12 is provided. It can suppress that the moisture proof property falls.
  • the second protective film 34 is not limited to the form shown in FIG. 2 and FIG. 3, and for example, at least the second surface 14 ⁇ / b> B of the base material 14 as in the radiation detector 10 shown in FIG. 5. If it covers, it can suppress that a water
  • the first protective film 32 is provided before the sensor substrate 12 is peeled from the support 200.
  • the sensor substrate 12 bends.
  • the second protective film 34 is provided after the sensor substrate 12 is peeled from the support 200. For this reason, as described above, the second protective film 34 does not need to consider the influence of bending when the sensor substrate 12 is peeled off from the support 200, and by reducing the flexibility, the radiation detector 10 as a whole. It is possible to improve the impact resistance.
  • the first protective film 32 is high in flexibility, and in the radiation detector 10 of the present embodiment, the flexibility of the first protective film 32 is higher than the flexibility of the second protective film 34.
  • the material of the first protective film 32 is more general than the material of the second protective film 34.
  • it may be formed of a material that is considered to be highly flexible.
  • Specific examples of the material of the first protective film 32 in this case include polyethylene, soft vinyl chloride, and aluminum, and specific examples of the material of the second protective film 34 include polypropylene.
  • the thinner the film the higher the flexibility.
  • the thickness of the first protective film 32 may be smaller than the thickness of the second protective film 34.
  • the film provided by vapor deposition is more flexible, so the first protection
  • the film 32 may be provided by vapor deposition, and the second protective film 34 may be provided by attaching a sheet-like film.
  • the radiation detector 10 is provided in a casing that transmits radiation and has waterproofness, antibacterial properties, and sealing properties.
  • FIG. 6 shows an example of a state in which the radiation detector 10 is provided in the housing 120 when the radiation image capturing apparatus 1 of the present embodiment is applied to the surface reading method (ISS: Irradiation Side Side Sampling).
  • ISS Irradiation Side Side Sampling
  • the radiation detector 10, the power supply unit 108, and the control board 110 are provided in the housing 120 side by side in a direction intersecting with the stacking direction.
  • the radiation detector 10 is provided so that the second surface 14 ⁇ / b> B of the base material 14 faces the imaging surface 120 ⁇ / b> A side of the housing 120 to which the radiation transmitted through the subject is irradiated.
  • the control board 110 is a board on which the image memory 106 and the control unit 100 are formed, and is electrically connected to the pixels 16 of the sensor board 12 by a flexible cable 112 including a plurality of signal wirings.
  • the driving unit 102 and the signal processing unit 104 are provided on the flexible cable 112, which is a so-called COF (Chip On On Film).
  • COF Chip On On Film
  • at least one of the driving unit 102 and the signal processing unit 104 is controlled. It may be formed on the substrate 110.
  • control board 110 and the power supply unit 108 are connected by a power supply line 114.
  • a sheet 116 is further provided on the side from which the radiation transmitted through the radiation detector 10 is emitted.
  • An example of the sheet 116 is a copper sheet.
  • the copper sheet is unlikely to generate secondary radiation by incident radiation, and thus has a function of preventing scattering to the rear, that is, the conversion layer 30 side.
  • the sheet 116 covers at least the entire surface of the conversion layer 30 on the side from which radiation is emitted, preferably covers the entire conversion layer 30, and more preferably covers the entire protective film 32.
  • the thickness of the sheet 116 may be selected according to the flexibility and weight of the entire radiographic imaging apparatus 1. For example, when the sheet 116 is a copper sheet, the thickness is about 0.1 mm or more.
  • seat 116 is a copper sheet
  • the radiographic image capturing apparatus 1 shown in FIG. 6 can capture a radiographic image in a state where the radiation detector 10 is bent in the out-of-plane direction of the second surface 14B of the base material 14. For example, it is possible to capture a radiographic image while maintaining the radiation detector 10 in a bent state in accordance with the imaging region of the subject.
  • FIG. 6 shows a configuration in which both the power supply unit 108 and the control board 110 are provided on one side of the radiation detector 10, specifically, on one side of the rectangular radiation detector 10.
  • the position where the power supply unit 108 and the control board 110 are provided is not limited to the form shown in FIG.
  • the power supply unit 108 and the control board 110 may be distributed on each of the two opposing sides of the radiation detector 10 or may be distributed on each of the two adjacent sides.
  • the power supply unit 108 and the control board 110 are configured as one component (substrate).
  • the configuration is not limited to the form illustrated in FIG. 6, and the power supply unit 108 and the control board 110 are controlled.
  • the power supply unit 108 includes a first power supply unit and a second power supply unit (both not shown), and each of the first power supply unit and the second power supply unit is provided on each of two opposing sides of the radiation detector 10. You may disperse and provide.
  • the radiographic image capturing apparatus 1 (radiation detector 10) is bent to capture a radiographic image, the influence on the image due to the bending can be suppressed by performing image correction.
  • FIG. 7 shows another example of the state in which the radiation detector 10 is provided in the housing 120 when the radiation image capturing apparatus 1 of the present embodiment is applied to the ISS system.
  • a power supply unit 108 and a control board 110 are provided in the casing 120 in a direction crossing the stacking direction.
  • the radiation detector 10, the power supply part 108, and the control board 110 are They are provided side by side in the stacking direction.
  • a base 118 that supports the radiation detector 10 and the control board 110 is provided between the control board 110 and the power supply unit 108 and the sheet 116.
  • the base 118 for example, carbon or the like is used.
  • the radiation detector 10 is slightly bent in the out-of-plane direction of the second surface 14B of the base material 14, for example, the central portion is bent about 1 mm to 5 mm.
  • the control board 110, the power supply unit 108, and the radiation detector 10 are provided in the stacking direction, and the base 118 is provided. It does not bend as much as in the case of the radiographic imaging apparatus 1 shown in FIG.
  • the first protective film 32 covers the entire conversion layer 30, and the first protective film 32 is formed on the surface, side surfaces, and pixels 16 of the conversion layer 30. Although the side surface is covered, the first surface 14A and the side surface 14C of the substrate 14 are not covered. Therefore, according to the radiation detector 10 of the present embodiment, the side of the sensor substrate 12 (base material 14) that is the starting point of the separation of the sensor substrate 12 is not covered with the first protective film 32. Peeling from the support 200 can be easily performed. Moreover, since it can suppress that the edge part of the 1st protective film 32 peels from the sensor board
  • the second protective film 34 covers the entire base material 14. Therefore, since it can suppress that a water
  • FIG. 8 shows a cross-sectional view of an example of the radiation detector 10 of the present embodiment.
  • the second protective film 34 covers the sensor substrate 12 including the first protective film 32 that covers the conversion layer 30.
  • the entire protective film 32 that uses the layer 30 and the pixels 16 is covered. That is, the second protective film 34 covers both the first surface 14A and the second surface 14B.
  • Such a first protective film 32 includes, for example, a parylene film, and in this case, the first protective film 32 can be formed by vapor deposition.
  • the conversion layer 30 is doubly sealed by the first protective film 32 and the second protective film 34. Therefore, according to the radiation detector 10 of this embodiment, the moisture-proof performance with respect to the conversion layer 30 can be improved more.
  • CsI is weak against moisture, and there is a concern that the image quality of a radiographic image is deteriorated when moisture penetrates into the radiation detector 10. Therefore, when CsI is used for the conversion layer 30, it is preferable to further improve the moisture-proof performance for the conversion layer 30 as in the radiation detector 10 of the present embodiment.
  • the parylene film is less moisture-proof than the resin sheet, and thus, like the radiation detector 10 of the present embodiment. Double sealing is preferable.
  • the 2nd protective film 34 covers the boundary part 14D which is the boundary in which the pixel 16 in the 1st surface 14A of the base material 14 was formed, from the boundary part 14D to a base material It is possible to suppress moisture from entering the inside of 14. Therefore, according to the radiation detector 10 of this embodiment, it can suppress that moisture proof performance falls.
  • FIG. 9 shows a cross-sectional view of an example of the radiation detector 10 of the present embodiment.
  • the radiation detector 10 of this embodiment further includes a third protective film 36 in addition to the first protective film 32 and the second protective film 34.
  • the third protective film 36 includes an end portion of the first protective film 32 and an end portion of the second protective film 34 that are located at a boundary portion 14 ⁇ / b> D that is a boundary between the base material 14 and the pixel 16. Covering.
  • the third protective film 36 covers the end of the first protective film 32 and the end of the second protective film 34, so that the end of the first protective film 32 and the second protective film 32 are covered. It is possible to suppress moisture from entering the sensor substrate 12 from the end of the film 34 and the boundary between the first protective film 32 and the second protective film 34. Therefore, according to the radiation detector 10 of this embodiment, it can suppress that moisture proof performance falls.
  • Examples of such a third protective film 36 include a parylene film, and in this case, the third protective film 36 can be formed by vapor deposition.
  • the 3rd protective film 36 is provided in the bent part (for example, boundary part 14D in FIG. 9) of the radiation detector 10, from a viewpoint of improving adhesiveness, generally it is highly flexible. It is preferable.
  • the region where the third protective film 36 is provided is not limited to the region shown in FIG. 9, and is, for example, a region corresponding to the region where the first protective film 32 and the second protective film 34 are provided. Can do.
  • FIG. 10 shows an example in which the third protective film 36 is provided for the radiation detector 10 shown in FIG.
  • FIG. 10 In the radiation detector 10 shown in FIG. 10 (FIG. 5), a part of the first surface 14 ⁇ / b> A and the side surface 14 ⁇ / b> C of the base material 14 are not covered with any of the first protective film 32 and the second protective film 34. .
  • FIG. 5 shows an example in which the third protective film 36 is provided for the radiation detector 10 shown in FIG.
  • a part of the first surface 14 ⁇ / b> A and the side surface 14 ⁇ / b> C of the base material 14 are not covered with any of the first protective film 32 and the second protective film 34.
  • FIG. 10 shows an example in which the third protective film 36 is provided for the radiation detector 10 shown in
  • the entire radiation detector 10 is covered with at least one of the first protective film 32, the second protective film 34, and the third protective film 36, thereby preventing moisture from entering from the outside. The effect to do can be heightened more. Therefore, it can suppress that moisture proof performance falls.
  • the first protective film 32 is not uniformly provided on the first surface 14A of the base material 14. In the present embodiment, whether or not to provide the first protective film 32 on the first surface 14A of the base material 14 or how it is provided (how to cover the area to be covered) is not uniform. The form which is not present will be described.
  • FIG. 11 shows a plan view of an example of the sensor substrate 12 and the support body 200 in a state before peeling from the support body 200 in this embodiment, as viewed from the side where the first protective film 32 is provided.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line AA of the sensor substrate 12 before peeling from the support 200 shown in FIG.
  • the first protective film 32 covers the first surface 14 ⁇ / b> A of the base material 14 on a part of the outer periphery (three sides) of the sensor substrate 12 (base material 14).
  • the terminal portion 50 ⁇ / b> A and the terminal portion 50 ⁇ / b> B to which the flexible cable 112 is connected are provided on the outer peripheral portions of two adjacent sides of the sensor substrate 12.
  • the flexible cable 112 of the present embodiment is an example of the first cable and the second cable of the present disclosure.
  • the flexible cable 112 for connecting to the control board 110, the drive unit 102, and the signal processing unit 104 is connected to the sensor board 12. Therefore, as shown in FIG. 11, a terminal portion is provided on the outer periphery of the sensor substrate 12 as an example of a connection portion to which the flexible cable 112 is connected.
  • the terminal portion 50A and the terminal portion 50B are preferably not covered with the first protective film 32.
  • the 1st protective film 32 in the state which masked the area
  • the side surface of the side of the base material 14 corresponding to the outer peripheral portion provided with the terminal portion 50A or the terminal portion 50B may be covered with the first protective film 32.
  • the sensor substrate 12 is supported from the side of the base material 14 corresponding to the outer peripheral portion provided with the terminal portion 50A or the terminal portion 50B.
  • peeling charging may adversely affect the driving unit 102 or the signal processing unit 104 mounted on the flexible cable 112.
  • the side of the base material 14 corresponding to the outer peripheral portion provided with the terminal portion 50A or the terminal portion 50B does not serve as a starting point of peeling, and therefore the side surface thereof is covered with the first protective film 32.
  • the sensor substrate 12 does not become difficult to peel off.
  • side of the base material 14 used as the starting point for peeling from the support body 200 is terminal part 50A or a terminal part. It is preferable that it is not the edge
  • the first protective film 32 does not cover the first surface 14A. In the case shown in FIGS. 11 and 12, the first protective film 32 is provided on the first surface 14 ⁇ / b> A with respect to the side facing the side of the base material 14 provided with the terminal portion 50 ⁇ / b> A on the outer peripheral portion. Absent.
  • the flexible cable 112 is connected to the terminal portion 50A and the terminal portion 50B.
  • An example of a method for connecting the flexible cable 112 is thermocompression bonding.
  • FIG. 13 shows an example of the radiation detector 10 in which the second protective film 34 similar to the radiation detector 10 of the first embodiment is formed. As shown in FIG. 13, the flexible cable 112 in the portion connected to the sensor substrate 12 is not covered with the first protective film 32 but is covered with the second protective film 34.
  • the radiation detector 10 is provided on the flexible base 14 and the first surface 14A of the base 14 and is generated according to light converted from radiation.
  • a sensor substrate 12 including a layer on which a plurality of pixels 16 for accumulating the charges are formed, a conversion layer 30 provided on the side opposite to the base material 14 in the layer on which the pixels 16 are formed, and converting radiation into light;
  • a first protective film 32 that is provided on the first surface 14A side of the base material 14 including the end, covers at least the entire conversion layer 30, and at least a second surface 14B opposite to the first surface 14A.
  • a second protective film 34 for covering.
  • the side of the sensor substrate 12 (base material 14) that is the starting point for peeling the sensor substrate 12 from the support 200 in the manufacturing process is covered with the first protective film 32. Therefore, the sensor substrate 12 can be easily peeled off. Moreover, since it can suppress that the edge part of the 1st protective film 32 peels from the sensor board
  • the second protective film 34 covers the entire second surface 14B of the substrate 14. Therefore, since it can suppress that a water
  • the sensor substrate 12 in the manufacturing process of the radiation detector 10 including the sensor substrate 12 having the flexible base material 14 manufactured using the support 200, the sensor substrate 12 can be easily peeled off from the support 200, and the moisture resistance of the flexible substrate 14 can be prevented from being lowered.
  • the radiation detector 10 since the second protective film 34 is provided on the second surface 14B of the base material 14, the radiation detector 10 bends when a load is applied in the stacking direction. It is possible to adjust the position in the stacking direction of the stress neutral surface (surface where the stress becomes zero) that occurs in the case of the crack.
  • the stress neutral surface surface where the stress becomes zero
  • the conversion layer 30 is easily peeled from the sensor substrate 12. The closer the position of the stress neutral plane in the stacking direction is to the interface, the smaller the stress applied to the interface.
  • the position of the stress neutral plane can be brought closer to the interface as compared with the case where the second protective film 34 is not provided.
  • the radiation detector 10 of each of the above embodiments it is possible to make it difficult to peel the conversion layer 30 from the sensor substrate 12 even when the radiation detector 10 is bent.
  • region in which the 1st protective film 32 is provided is not limited to said each embodiment.
  • the entire region of the first surface 14 ⁇ / b> A where the pixels 16 are not provided on the base material 14 may be covered with the first protective film 32.
  • the side surface 32 ⁇ / b> C of the first protective film 32 and the side surface 14 ⁇ / b> C of the base material 14 are flush with each other.
  • “level” means a state in which the end portion of the first protective film 32 and the end portion of the base material 14 are aligned, and the side surface 32C of the first protective film 32 and the side surface 14C of the base material 14 are aligned.
  • the end portion of the first protective film 32 is bent at the boundary portion 14 ⁇ / b> D that is the boundary between the base material 14 and the pixel 16, thereby A region of the first surface 14 ⁇ / b> A in the vicinity may be covered with the first protective film 32.
  • the 1st protective film 32 and the side surfaces of the base material 14 etc. It is not yet possible that the region of the base material 14 not covered with any of the second protective films 34 may be covered with the third protective film 36.
  • the present invention is not limited to this form, and the first protection is possible even in the form in which the radiation detector 10 is manufactured by the coating method.
  • the film 32 does not cover the starting point of the peeling, and the second protective film 34 covers the second surface 14B of the base material 14, thereby facilitating the peeling of the sensor substrate 12 from the support 200 and a moisture-proof property. Needless to say, the effect of suppressing the decrease can be obtained.
  • the mode in which the pixels 16 are two-dimensionally arranged in a matrix as shown in FIG. 1 has been described.
  • the present invention is not limited to this.
  • a one-dimensional arrangement may be used. It may be an array.
  • the shape of the pixel is not limited, and may be a rectangle or a polygon such as a hexagon.
  • the shape of the active area 15 is not limited.
  • the configurations and manufacturing methods of the radiographic imaging device 1 and the radiation detector 10 described in the above embodiments are examples, and can be changed according to the situation without departing from the gist of the present invention. Needless to say.
  • Radiographic imaging apparatus 10 Radiation detector 12 Sensor board

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Abstract

放射線検出器は、可撓性の基材（１４）、及び基材の第１の面に設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素（１６）が形成された層を含むセンサ基板（１２）と、画素が形成された層における基材と反対側に設けられ、放射線を光に変換する変換層（３０）と、端部も含め基材の第１の面の側に設けられ、少なくとも変換層全体を覆う第１保護膜（３２）と、少なくとも第１の面とは反対側の第２の面を覆う第２保護膜（３４）と、を備える、支持体を用いて製造される可撓性の基材を有するセンサ基板を備えた放射線検出器の製造工程において、センサ基板の支持体からの剥離を容易とし、かつ可撓性の基材の防湿性の低下を抑制することができる放射線検出器及び放射線画像撮影装置を提供する。

Description

放射線検出器及び放射線画像撮影装置
　本発明は、放射線検出器及び放射線画像撮影装置に関する。
　従来、医療診断を目的とした放射線撮影を行う放射線画像撮影装置が知られている。このような放射線画像撮影装置には、被写体を透過した放射線を検出し放射線画像を生成するための放射線検出器が用いられている。
　放射線検出器としては、放射線を光に変換するシンチレータ等の変換層と、変換層で変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられたセンサ基板と、を備えたものがある。このような放射線検出器として、センサ基板に可撓性の基材を用いたものが知られている（例えば、特開２０１０－８５２６６号公報参照）。可撓性の基材を用いることにより、例えば、放射線画像撮影装置（放射線検出器）を軽量化でき、また、被写体の撮影が容易となる場合がある。
　ところで、センサ基板に可撓性の基材を用いた放射線検出器の製造方法の例として、塗布法と呼ばれる方法及びラミネート法と呼ばれる方法が知られている。塗布法では、ガラス基板等の支持体上に、塗布により可撓性の基材を形成し、さらにセンサ基板及び変換層を形成する。その後、変換層が形成されたセンサ基板を、支持体からレーザ剥離により剥離する。一方、ラミネート法では、ガラス基板等の支持体に、可撓性の基材となるシートを貼り合わせ、さらにセンサ基板及び変換層を形成する。その後、変換層が形成されたセンサ基板を、支持体からメカニカル剥離により剥離する。
　このように、塗布法及びラミネート法のいずれにおいても、その製造工程において、センサ基板を支持体から剥離する工程が含まれるが、支持体からセンサ基板を剥離しにくい場合があった。
　一方、特開２０１０－８５２６６号公報に記載の技術のように、センサ基板の基材や変換層等を保護するために防湿性を有する保護膜によりセンサ基板を覆うことが行われているが、支持体からセンサ基板を剥離しやすくしようとした場合、保護膜が損なわれて防湿性が低下する場合があった。
　本開示は、支持体を用いて製造される可撓性の基材を有するセンサ基板を備えた放射線検出器の製造工程において、センサ基板の支持体からの剥離を容易とし、かつ可撓性の基材の防湿性の低下を抑制することができる放射線検出器及び放射線画像撮影装置を提供す。
　本開示の第１の態様の放射線検出器は、可撓性の基材、及び基材の第１の面に設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された層を含むセンサ基板と、画素が形成された層における基材と反対側に設けられ、放射線を光に変換する変換層と、端部も含め基材の第１の面の側に設けられ、少なくとも変換層全体を覆う第１保護膜と、少なくとも第１の面とは反対側の第２の面を覆う第２保護膜と、を備える。
　また、本開示の第２の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、第２保護膜はさらに、第１保護膜の少なくとも端部を覆う。
　また、本開示の第３の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、第２保護膜は、第１の面及び第２の面の何れも覆う。
　また、本開示の第４の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、少なくとも、第１保護膜で覆われた領域以外、かつ第２保護膜で覆われた領域以外の領域を覆う第３保護膜をさらに備える。
　また、本開示の第５の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、少なくとも、第１保護膜の端部及び第２保護膜の端部を覆う第３保護膜をさらに備える。
　また、本開示の第６の態様の放射線検出器は、第１の態様から第４の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、記第１保護膜の側面と、基材の側面とが面一である。
　また、本開示の第７の態様の放射線検出器は、第１の態様から第６の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、第１保護膜は、第２保護膜よりも柔軟性が高い。
　また、本開示の第８の態様の放射線検出器は、第７の態様の放射線検出器において、第１保護膜の材料は、第２保護膜の材料と異なる。
　また、本開示の第９の態様の放射線検出器は、第７の態様または第８の態様の放射線検出器において、第１保護膜の密度は、第２保護膜の密度よりも低い。
　また、本開示の第１０の態様の放射線検出器は、第７の態様から第９の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、第１保護膜の厚みは、第２保護膜の厚みよりも薄い。
　また、本開示の第１１の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１０の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、センサ基板に接続された、複数の画素から電荷を読み出させる駆動部に接続される第１ケーブル、及び複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された電気信号に応じた画像データを生成して出力する信号処理部に接続される第２ケーブルの少なくとも一方のケーブルをさらに備え、少なくとも一方のケーブルは、前記第２保護膜に覆われている。
　また、本開示の第１２の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１０の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、複数の画素から電荷を読み出させる駆動部に接続される第１ケーブル、及び複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された電気信号に応じた画像データを生成して出力する信号処理部に接続される第２ケーブルの少なくとも一方のケーブルが接続される接続部が基材の外周部に設けられ、第１保護膜は、接続部の周囲の第１の面を覆っていている。
　また、本開示の第１３の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１２の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、変換層は、ＣｓＩを含んでいる。
　また、本開示の第１４の態様の放射線画像撮影装置は、本開示の第１の態様から第１３の態様のいずれか１態様の放射線検出器と、複数の画素に蓄積された電荷を読み出すための制御信号を出力する制御部と、制御信号に応じて、複数の画素から電荷を読み出すための駆動信号を出力する駆動部と、複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された電気信号に応じた画像データを生成して出力する信号処理部と、を備える。
　また、本開示の第１５の態様の放射線画像撮影装置は、第１４の態様の放射線画像撮影装置において、放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に、制御部と、放射線検出器とが並んで設けられている。
　また、本開示の第１６の態様の放射線画像撮影装置は、第１４の態様の放射線画像撮影装置において、制御部、駆動部、及び信号処理部の少なくとも一つに電力を供給する電源部をさらに備え、放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に、電源部と、制御部と、放射線検出器とが並んで設けられていてもよい。
　本開示によれば、支持体を用いて製造される可撓性の基材を有するセンサ基板を備えた放射線検出器の製造工程において、センサ基板の支持体からの剥離を容易とし、かつ可撓性の基材の防湿性の低下を抑制することができる。
第１実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の要部構成の一例を示すブロック図である。 第１実施形態の放射線検出器の一例を、第１の面側からみた平面図である。 図２に示した放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 図２及び図３に示した放射線検出器の製造方法を説明する説明図である。 第１実施形態の放射線検出器の他の一例の断面図である。 表面読取方式に本実施形態の放射線画像撮影装置を適用した場合における、放射線検出器が筐体内に設けられた状態の一例を示す断面図である。 表面読取方式に本実施形態の放射線画像撮影装置を適用した場合における、放射線検出器が筐体内に設けられた状態の他の例を示す断面図である。 第２実施形態の放射線検出器の一例の断面図である。 第３実施形態の放射線検出器の一例の断面図である。 第３実施形態の放射線検出器の他の例の断面図である。 第４実施形態の支持体から剥離する前の状態のセンサ基板及び支持体の一例を、第１保護膜が設けられた側からみた平面図である。 図１１に示した支持体から剥離前のセンサ基板のＡ－Ａ線断面図である。 第４実施形態の放射線検出器の一例の断面図である。 第１～第４実施形態の放射線検出器と第１保護膜が設けられた領域が異なる放射線検出器の一例の断面図である。 第１～第４実施形態の放射線検出器と第１保護膜が設けられた領域が異なる放射線検出器の他の例の断面図である。
　以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、本実施形態は本発明を限定するものではない。
［第１実施形態］
　本実施形態の放射線画像撮影装置は、撮影対象である被写体を透過した放射線を検出して被写体の放射線画像を表す画像情報を出力することにより、撮影対象の放射線画像を撮影する機能を有する。
　まず、図１を参照して本実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の構成の一例の概略を説明する。図１は、本実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の要部構成の一例を示すブロック図である。
　図１に示すように、本実施形態の放射線画像撮影装置１は、放射線検出器１０、制御部１００、駆動部１０２、信号処理部１０４、画像メモリ１０６、及び電源部１０８を備える。
　放射線検出器１０は、センサ基板１２（図３参照）と、放射線を光に変換する変換層（図３参照）３０と、を備える。センサ基板１２は、可撓性の基材１４と、基材１４の第１の面１４Ａに設けられた複数の画素１６と、を備えている。なお、以下では、複数の画素１６について、単に「画素１６」という場合がある。
　図１に示すように本実施形態の各画素１６は、変換層が変換した光に応じて電荷を発生して蓄積するセンサ部２２、及びセンサ部２２にて蓄積された電荷を読み出すスイッチング素子２０を備える。本実施形態では、一例として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）をスイッチング素子２０として用いている。そのため、以下では、スイッチング素子２０を「ＴＦＴ２０」という。本実施形態では、センサ部２２及びＴＦＴ２０が形成され、さらに平坦化された層として基材１４の第１の面１４Ａに画素１６が形成された層が設けられる。以下では、画素１６が形成された層についても、説明の便宜上「画素１６」という場合がある。
　画素１６は、センサ基板１２のアクティブエリア１５に、一方向（図１の横方向に対応する走査配線方向、以下「行方向」ともいう）及び行方向に対する交差方向（図１の縦方向に対応する信号配線方向、以下「列方向」ともいう）に沿って二次元状に配置されている。図１では、画素１６の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素１６は行方向及び列方向に１０２４個×１０２４個配置される。
　また、放射線検出器１０には、画素１６の行毎に備えられた、ＴＦＴ２０のスイッチング状態（オン及びオフ）を制御するための複数の走査配線２６と、画素１６の列毎に備えられた、センサ部２２に蓄積された電荷が読み出される複数の信号配線２４と、が互いに交差して設けられている。複数の走査配線２６の各々は、それぞれパッド（図示省略）を介して、駆動部１０２に接続される。駆動部１０２には、後述する制御部１００が接続されており、制御部１００から出力される制御信号に応じて駆動信号を出力する。複数の走査配線２６の各々は、駆動部１０２から出力される、ＴＦＴ２０を駆動してスイッチング状態を制御する駆動信号が、複数の走査配線の各々に流れる。また、複数の信号配線２４の各々が、それぞれパッド（図示省略）を介して、信号処理部１０４に接続されることにより、各画素１６から読み出された電荷が、電気信号として信号処理部１０４に出力される。信号処理部１０４は、入力された電気信号に応じた画像データを生成して出力する。
　信号処理部１０４には後述する制御部１００が接続されており、信号処理部１０４から出力された画像データは制御部１００に順次出力される。制御部１００には画像メモリ１０６が接続されており、信号処理部１０４から順次出力された画像データは、制御部１００による制御によって画像メモリ１０６に順次記憶される。画像メモリ１０６は所定の枚数分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ１０６に順次記憶される。
　制御部１００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１００Ａ、ＲＯＭ（Read Only Memory）とＲＡＭ（Random Access Memory）等を含むメモリ１００Ｂ、及びフラッシュメモリ等の不揮発性の記憶部１００Ｃを備えている。制御部１００の一例としては、マイクロコンピュータ等が挙げられる。制御部１００は、放射線画像撮影装置１の全体の動作を制御する。
　また、各画素１６のセンサ部２２には、各画素１６にバイアス電圧を印加するために、共通配線２８が信号配線２４の配線方向に設けられている。共通配線２８が、パッド（図示省略）を介して、センサ基板１２の外部のバイアス電源（図示省略）に接続されることにより、バイアス電源から各画素１６にバイアス電圧が印加される。
　電源部１０８は、制御部１００、駆動部１０２、信号処理部１０４、画像メモリ１０６、及び電源部１０８等の各種素子や各種回路に電力を供給する。なお、図１では、錯綜を回避するために、電源部１０８と各種素子や各種回路を接続する配線の図示を省略している。
　さらに、本実施形態の放射線検出器１０について詳細に説明する。図２は、本実施形態の放射線検出器１０を、第１の面１４Ａ側からみた平面図である。また、図３は、図２における放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図である。
　本実施形態の放射線検出器１０は、図２及び図３に示すように、基材１４及び画素１６を含むセンサ基板１２と、変換層３０と、第１保護膜３２と、第２保護膜３４と、を備えており、基材１４、画素１６、及び変換層３０がこの順に設けられている。なお、以下では、基材１４、画素１６、及び変換層３０が並ぶ方向（図３における上下方向）を積層方向という。
　基材１４は、可撓性を有し、例えば、ポリイミド等のプラスチックを含む樹脂シートである。基材１４の具体例としては、ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）が挙げられる。なお、基材１４は、所望の可撓性を有しておればよく、樹脂シートに限定されない。例えば、基材１４は、厚みが比較的薄いガラス基板等であってもよい。基材１４の厚みは、材質の硬度、及びセンサ基板１２の大きさ（第１の面１４Ａまたは第２の面１４Ｂの面積）等に応じて、所望の可撓性が得られる厚みであればよい。例えば、基材１４が樹脂シートの場合、厚みが５μｍ～１２５μｍのものであればよい。また例えば、基材１４がガラス基板の場合、一般に、一辺が４３ｃｍ程度のサイズでは、厚さが０．１ｍｍ以下ならば可撓性を有しているため、厚さが０．１ｍｍ以下のものであればよい。
　図２及び図３に示すように、複数の画素１６は、基材１４の第１の面１４Ａにおける内側の一部の領域に設けられている。すなわち、本実施形態のセンサ基板１２では、基材１４の第１の面１４Ａの外周部には、画素１６が設けられていない。本実施形態では、基材１４の第１の面１４Ａにおける画素１６が設けられた領域をアクティブエリア１５としている。
　また、図３に示すように、変換層３０は、アクティブエリア１５を覆っている。本実施形態では、変換層３０の一例としてＣｓＩ（ヨウ化セシウム）を含むシンチレータを用いている。このようなシンチレータとしては、例えば、Ｘ線照射時の発光スペクトルが４００ｎｍ～７００ｎｍであるＣｓＩ：Ｔｌ（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）やＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウムが添加されたヨウ化セシウム）を含むことが好ましい。なお、ＣｓＩ：Ｔｌの可視光域における発光ピーク波長は５６５ｎｍである。
　また、本実施形態の放射線検出器１０は、図２及び図３に示すように、第１保護膜３２が、端部も含め基材１４の第１の面１４Ａの側に設けられ、変換層３０の全体、具体的には、変換層３０の表面（画素１６と接していない側の面）、及び側面から画素１６に亘る領域を覆っている。
　第１保護膜３２の材料としては、例えば、ポリエチレン、ＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）、軟質塩化ビニール、アルミニウム薄膜、ポリプロピレン、ＡＢＳ(Acrylonitrile Butadiene Styrene）樹脂、ＰＢＴ（Polybutyleneterephthalate）、ＰＰＥ（Polyphenylene ether）、スチロール、アクリル、ポリアセタール、ナイロン、ポリカーボネート等が挙げられる。第１保護膜３２の具体例としては、例えば、パリレン（登録商標）膜、ＰＥＴ等の絶縁性のシート、及び絶縁性のシート（フィルム）に、アルミ箔を接着させる等してアルミを積層したアルペット（登録商標）のシート等の防湿膜が用いられる。
　また、本実施形態の放射線検出器１０は、図２及び図３に示すように、第２保護膜３４が、基材１４の全体、具体的には、基材１４の第２の面１４Ｂ、基材１４の側面１４Ｃ、及び基材１４の第１の面１４Ａの端部から画素１６（第１保護膜３２）に至るまでの領域を覆っている。
　第２保護膜３４の材料としては、例えば、ポリエチレン、ＰＥＴ、軟質塩化ビニール、アルミニウム薄膜、ポリプロピレン、ＡＢＳ樹脂、ＰＢＴ、ＰＰＥ、スチロール、アクリル、ポリアセタール、ナイロン、ポリカーボネート等が挙げられる。第２保護膜３４の具体例としては、例えば、パリレン膜、ＰＥＴ等の絶縁性のシート、及び絶縁性のシート（フィルム）に、アルミ箔を接着させる等してアルミを積層したアルペットのシート等の防湿膜が用いられる。
　図２及び図３に示した放射線検出器１０のように、可撓性の基材１４を用いたセンサ基板１２を備える放射線検出器１０の製造方法について図４を参照して説明する。
　図４に示すように、基材１４に比べて厚さの厚いガラス基板等の支持体２００に、剥離層２０２を介して、基材１４が形成される。ラミネート法により基材１４を形成する場合、支持体２００上に、基材１４となるシートを貼り合わせる。基材１４の第２の面１４Ｂが剥離層２０２に接する。
　さらに、基材１４の第１の面１４Ａに、画素１６が形成される。なお、本実施形態では、一例として、基材１４の第１の面１４Ａに、ＳｉＮ等を用いたアンダーコート層（図示省略）を介して、画素１６が形成される。
　さらに、画素１６の上に、変換層３０が形成される。本実施形態では、センサ基板１２上に直接、真空蒸着法、スパッタリング法、及びＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の気相堆積法によって柱状結晶としてＣｓＩの変換層３０が形成される。この場合、変換層３０における画素１６と接する側が、柱状結晶の成長方向基点側となる。
　なお、このように、センサ基板１２上に直接、気相堆積法によってＣｓＩの変換層３０を設けた場合、変換層３０のセンサ基板１２と接する側と反対側の面には、例えば、変換層３０で変換した光を反射する機能を有する反射層（図示省略）が設けられていてもよい。反射層は、変換層３０に直接設けられてもよいし、粘着層等を介して設けられてもよい。反射層の材料としては、有機系の材料を用いたものが好ましく、例えば、白ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、発泡白ＰＥＴ、ポリエステル系高反射シート、及び鏡面反射アルミ等の少なくとも１つを材料として用いたものが好ましい。特に、反射率の観点から、白ＰＥＴを材料として用いたものが好ましい。
　なお白ＰＥＴとは、ＰＥＴに、ＴｉＯ２や硫酸バリウム等の白色顔料を添加したものである。また、ポリエステル系高反射シートとは、薄いポリエステルのシートを複数重ねた多層構造を有するシート（フィルム）である。また、発泡白ＰＥＴとは、表面が多孔質になっている白ＰＥＴである。
　また、変換層３０としてＣｓＩのシンチレータを用いる場合、本実施形態と異なる方法で、センサ基板１２に変換層３０を形成することもできる。例えば、アルミの板等に気相堆積法によってＣｓＩを蒸着させたものを用意し、ＣｓＩのアルミの板と接していない側と、センサ基板１２の画素１６とを粘着性のシート等により貼り合わせることにより、センサ基板１２に変換層３０を形成してもよい。
　また、本実施形態の放射線検出器１０と異なり、変換層３０としてＣｓＩに替わり、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）等を用いてもよい。この場合、例えば、ＧＯＳを樹脂等のバインダに分散させたシートを、白ＰＥＴ等により形成された支持体に粘着層等により貼り合わせたものを用意し、ＧＯＳの支持体が貼り合わせられていない側と、センサ基板１２の画素１６とを粘着性のシート等により貼り合わせることにより、センサ基板１２に変換層３０を形成することができる。
　さらに、本実施形態の放射線検出器１０では、変換層３０が設けられたセンサ基板１２に、第１保護膜３２を変換層３０の全体、具体的には、変換層３０の表面（画素１６と接していない側の面）、及び側面から画素１６に亘る領域に形成することにより、図４に示した状態となる。
　この後、変換層３０及び第１保護膜３２が設けられたセンサ基板１２を支持体２００から剥離する。例えば、ラミネート法では、センサ基板１２（基材１４）の四辺のいずれかを剥離の起点とし、起点となる辺から対向する辺に向けて徐々にセンサ基板１２を支持体２００から引きはがすことにより、メカニカル剥離を行う。
　ここで、本実施形態の放射線検出器１０と異なる場合、すなわち図４に示した場合と異なり、形成した第１保護膜３２が支持体２００上の領域まで覆っている場合、センサ基板１２の剥離において、支持体２００を覆う第１保護膜３２により、剥離しにくくなる場合がある。特に、剥離の起点となるセンサ基板１２(基材１４）の辺について支持体２００上まで第１保護膜３２で覆っていると、剥離がし難くなる。また、第１保護膜３２が支持体２００上までの領域を覆っている場合、センサ基板１２の剥離に伴い、第１保護膜３２の端部がセンサ基板１２から剥離してしまう場合がある。センサ基板１２の端部から第１保護膜３２が剥離すると、防湿性が低下することになる。
　これに対して、本実施形態の放射線検出器１０では、図４に示したように、第１保護膜３２は、変換層３０の表面、側面及び画素１６の側面を覆っているが、基材１４の第１の面１４Ａ及び側面１４Ｃは覆っていない。そのため、第１保護膜３２は、支持体２００上の領域を覆っていない。
　従って、本実施形態の放射線検出器１０によれば、センサ基板１２の剥離の起点となるセンサ基板１２（基材１４）の辺が第１保護膜３２により覆われていないため、センサ基板１２の剥離を容易に行うことができる。また、センサ基板１２の剥離に伴い第１保護膜３２の端部がセンサ基板１２から剥離するのを抑制することができるため、防湿性の低下を抑制することができる。
　本実施形態では、さらに、支持体２００からセンサ基板１２を剥離した後、基材１４の第２の面１４Ｂに、第２保護膜３４を基材１４の全体、具体的には、基材１４の第２の面１４Ｂ、基材１４の側面１４Ｃ、及び基材１４の第１の面１４Ａの端部から画素１６（第１保護膜３２）に至るまでの領域に形成することにより、図２及び図３に示した本実施形態の放射線検出器１０が製造される。基材１４の第２の面１４Ｂに第２保護膜３４を形成する方法としては、例えば、蒸着によりパリレン膜を形成してもよいし、また例えば、シート状の保護膜により、基材１４の第２の面１４Ｂ、基材１４の側面１４Ｃ、及び基材１４の端部から画素１６（第１保護膜３２）に至るまでの第１の面１４Ａを覆ってもよい。なお、シート状の保護膜を用いる場合、１枚のシートにより、第２保護膜３４で覆うべき上記の領域全体を覆ってもよい。また、例えば、第１の面１４Ａ側及び第２の面１４Ｂ側の各々からシートで基材１４を挟む等、複数枚のシートで基材１４を挟み込むことにより、第２保護膜３４で覆うべき上記の領域を覆ってもよい。
　このように、基材１４の第２の面１４Ｂに第２保護膜３４を設けることにより、基材１４の第２の面１４Ｂから水分が侵入するのを抑制することができるため、センサ基板１２の防湿性が低下するのを抑制することができる。
　なお、第２保護膜３４は、図２及び図３に示した形態に限定されず、例えば、図５に示した放射線検出器１０のように、少なくとも、基材１４の第２の面１４Ｂを覆っていれば、第２の面１４Ｂから水分が侵入するのを抑制することができる。
　このように、第１保護膜３２は、センサ基板１２を支持体２００から剥離する前に設けられる。センサ基板１２を支持体２００から剥離する場合、センサ基板１２が撓むが、第１保護膜３２の柔軟性が低いと、センサ基板１２の撓みの影響をうけて変換層３０が損傷する懸念がある。一方、第２保護膜３４は、センサ基板１２を支持体２００から剥離した後に設けられる。そのため、第２保護膜３４については、上記のように、センサ基板１２を支持体２００から剥離する場合の撓みによる影響を考慮せずともよく、柔軟性を低くすることにより、放射線検出器１０全体の耐衝撃性を向上させることができる。
　従って、第１保護膜３２は柔軟性が高いことが好ましく、本実施形態の放射線検出器１０では、第１保護膜３２の柔軟性のほうが、第２保護膜３４の柔軟性よりも高い。
　なお、第１保護膜３２の柔軟性を、第２保護膜３４の柔軟性よりも高くする方法としては、例えば、第１保護膜３２の材料を、第２保護膜３４の材料よりも、一般的に柔軟性が高いとされる材料で形成することが挙げられる。この場合の第１保護膜３２の材料の具体例としては、ポリエチレン、軟質塩化ビニール、及びアルミニウムが挙げられ、第２保護膜３４の材料の具体例としては、ポリプロピレンが挙げられる。また例えば、一般的に、物体(膜）の密度が低くなるほど、柔軟性が高くなるため、第１保護膜３２の密度を、第２保護膜３４の密度よりも低くしてもよい。また例えば、一般的に、膜の厚みが薄くなるほど、柔軟性が高くなるため、第１保護膜３２の厚みを、第２保護膜３４の厚みよりも薄くしてもよい。また例えば、一般的に、蒸着により膜を設けた場合と、シート状の膜を貼り付けることにより設けた場合とでは、蒸着により設けられた膜の方が柔軟性が高くなるため、第１保護膜３２を蒸着により設け、第２保護膜３４をシート状の膜を貼り付けることにより設けてもよい。
　本実施形態の放射線検出器１０を適用した放射線画像撮影装置１では、放射線を透過し、防水性、抗菌性、及び密閉性を有する筐体内に放射線検出器１０が設けられている。
　図６には、表面読取方式(ＩＳＳ：Irradiation Side Sampling)に本実施形態の放射線画像撮影装置１を適用した場合における、放射線検出器１０が筐体１２０内に設けられた状態の一例を示す。
　図６に示すように、筐体１２０内には、放射線検出器１０、電源部１０８、及び制御基板１１０が積層方向と交差する方向に並んで設けられている。放射線検出器１０は、被写体を透過した放射線が照射される筐体１２０の撮影面１２０Ａ側に、基材１４の第２の面１４Ｂが対向するように設けられている。
　制御基板１１０は、画像メモリ１０６及び制御部１００等が形成された基板であり、複数の信号配線を含むフレキシブルケーブル１１２によりセンサ基板１２の画素１６と電気的に接続されている。なお、本実施形態では、フレキシブルケーブル１１２上に駆動部１０２及び信号処理部１０４が設けられた、いわゆる、ＣＯＦ（Chip On Film）としているが、駆動部１０２及び信号処理部１０４の少なくとも一方が制御基板１１０に形成されていてもよい。
　また、制御基板１１０と電源部１０８とは、電源線１１４により接続されている。
　本実施形態の放射線画像撮影装置１の筐体１２０内には、放射線検出器１０を透過した放射線が出射される側にシート１１６がさらに設けられている。シート１１６としては、例えば、銅製のシートが挙げられる。銅製のシートは入射放射線によって２次放射線を発生し難く、よって、後方、すなわち変換層３０側への散乱を防止する機能を有する。なお、シート１１６は、少なくとも変換層３０の放射線が出射する側の面全体を覆い、また、変換層３０全体を覆うことが好ましく、さらに、保護膜３２全体を覆うことがより好ましい。なお、シート１１６の厚さは、放射線画像撮影装置１全体の可撓性及び重量等に応じて選択すればよく、例えば、シート１１６が銅製のシートの場合、厚さが０．１ｍｍ程度以上であれば、可撓性を有し、かつ外部から放射線画像撮影装置１の内部に侵入してきた２次放射線を遮蔽する機能も有する。また例えば、シート１１６が銅製のシートの場合、可撓性及び重量の観点からは、０．３ｍｍ以下であることが好ましい。
　図６に示した放射線画像撮影装置１は、放射線検出器１０を基材１４の第２の面１４Ｂの面外方向に撓ませた状態で放射線画像の撮影を行うことが可能である。例えば、被写体の撮影部位等に応じて放射線検出器１０を撓ませた状態に維持して放射線画像の撮影を行うことができる。
　図６に示した放射線画像撮影装置１では、相対的に剛性の高い筐体１２０の周辺部に電源部１０８及び制御基板１１０が設けられるため、電源部１０８及び制御基板１１０に与える外力の影響を抑制することができる。
　なお、図６では、電源部１０８及び制御基板１１０の両方を放射線検出器１０の一方の側、具体的には、矩形状の放射線検出器１０の一方の辺の側に設けた形態を示したが、電源部１０８及び制御基板１１０を設ける位置は図６に示した形態に限定されない。例えば、電源部１０８及び制御基板１１０を、放射線検出器１０の対向する２辺の各々に分散させて設けてもよいし、隣接する２辺の各々に分散させて設けてもよい。また、図６では、本実施形態では、電源部１０８及び制御基板１１０を１つの構成部（基板）とした形態を示したが、図６に示した形態に限定されず、電源部１０８及び制御基板１１０の少なくとも一方を複数の構成部（基板）とした形態であってもよい。例えば、電源部１０８を第１電源部及び第２電源部（いずれも図示省略）を含む形態とし、第１電源部及び第２電源部の各々を、放射線検出器１０の対向する２辺の各々に分散させて設けてもよい。
　なお、放射線画像撮影装置１（放射線検出器１０）全体を撓ませて放射線画像の撮影を行った場合、撓みによる画像への影響は画像補正を行うことにより抑制することができる。
　また、図７には、ＩＳＳ方式に本実施形態の放射線画像撮影装置１を適用した場合における、放射線検出器１０が筐体１２０内に設けられた状態の他の例を示す。
　図７に示すように、筐体１２０内には、積層方向と交差する方向に電源部１０８及び制御基板１１０が並んで設けられており、放射線検出器１０と電源部１０８及び制御基板１１０とは積層方向に並んで設けられている。
　また、図７に示した放射線画像撮影装置１では、制御基板１１０及び電源部１０８とシート１１６との間に、放射線検出器１０及び制御基板１１０を支持する基台１１８が設けられている。基台１１８には、例えば、カーボン等が用いられる。
　図７に示した放射線画像撮影装置１は、放射線検出器１０を基材１４の第２の面１４Ｂの面外方向にわずかに撓ませた状態、例えば、中央部を１ｍｍ～５ｍｍ程度撓ませた状態で放射線画像の撮影を行うことが可能であるが、制御基板１１０及び電源部１０８と放射線検出器１０とが積層方向に設けられており、かつ基台１１８が設けられているため、図６に示した放射線画像撮影装置１の場合ほどは撓まない。
　このように本実施形態の放射線検出器１０では、第１保護膜３２が、変換層３０の全体を覆っており、かつ、第１保護膜３２は、変換層３０の表面、側面及び画素１６の側面を覆っているが、基材１４の第１の面１４Ａ及び側面１４Ｃは覆っていない。そのため、本実施形態の放射線検出器１０によれば、センサ基板１２の剥離の起点となるセンサ基板１２（基材１４）の辺が第１保護膜３２により覆われていないため、センサ基板１２の支持体２００からの剥離を容易に行うことができる。また、センサ基板１２の剥離に伴い第１保護膜３２の端部がセンサ基板１２から剥離するのを抑制することができるため、防湿性の低下を抑制することができる。
　また、本実施形態の放射線検出器１０では、第２保護膜３４が、基材１４の全体を覆っている。そのため、基材１４の第２の面１４Ｂから水分が侵入するのを抑制することができるため、防湿性の低下を抑制することができる。
[第２実施形態]
　本実施形態の放射線検出器１０では、第２保護膜３４を設ける領域が第１実施形態の放射線検出器１０と異なるため、本実施形態の放射線検出器１０における第２保護膜３４について説明する。
　図８には、本実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図８に示すように第２保護膜３４は、変換層３０を覆う第１保護膜３２を含めてセンサ基板１２を覆う。具体的には、基材１４の第２の面１４Ｂ、基材１４の側面１４Ｃ、基材１４の端部から画素１６（第１保護膜３２）に至るまでの第１の面１４Ａ、及び変換層３０と画素１６とを内用する１保護膜３２全体を覆っている。すなわち、第２保護膜３４は、第１の面１４Ａ及び第２の面１４Ｂの何れも覆っている。
　このような第１保護膜３２としては、例えば、パリレン膜等が挙げられ、この場合、蒸着により第１保護膜３２を形成することができる。
　このように、本実施形態の放射線検出器１０では、変換層３０を、第１保護膜３２及び第２保護膜３４により二重に封止している。そのため、本実施形態の放射線検出器１０によれば、変換層３０に対する防湿性能をより高めることができる。特に、ＣｓＩは、水分に弱く、放射線検出器１０の内部に水分が侵入した場合、放射線画像の画質が低下する懸念がある。そのため、変換層３０にＣｓＩを用いた場合、本実施形態の放射線検出器１０のように、変換層３０に対する防湿性能をより高めることが好ましい。
　また、第１保護膜３２及び第２保護膜３４の少なくとも一方がパリレン膜の場合、パリレン膜は樹脂製のシートに比べて、防湿性が低いため、本実施形態の放射線検出器１０のように二重に封止することが好ましい。
　また、本実施形態の放射線検出器１０では、基材１４の第１の面１４Ａにおける画素１６が形成された境界である境界部１４Ｄを第２保護膜３４が覆うため、境界部１４Ｄから基材１４の内部に水分が侵入するのを抑制することができる。従って、本実施形態の放射線検出器１０によれば、防湿性能が低下するのを抑制することができる。
[第３実施形態]
　本実施形態では、上記各実施形態の放射線検出器１０と異なり、第１保護膜３２及び第２保護膜３４と異なる保護膜をさらに備える形態について説明する。
　図９には、本実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図９に示すように本実施形態の放射線検出器１０は、第１保護膜３２及び第２保護膜３４に加えて、さらに第３保護膜３６を備えている。図９に示すように、第３保護膜３６は、基材１４と画素１６との境界である境界部１４Ｄに位置する、第１保護膜３２の端部と第２保護膜３４の端部とを覆っている。
　本実施形態の放射線検出器１０では、第３保護膜３６が第１保護膜３２の端部及び第２保護膜３４の端部を覆うことにより、第１保護膜３２の端部、第２保護膜３４の端部、及び第１保護膜３２と第２保護膜３４との境界部等から水分がセンサ基板１２内に侵入するのを抑制することができる。従って、本実施形態の放射線検出器１０によれば、防湿性能が低下するのを抑制することができる。
　このような第３保護膜３６は、例えば、パリレン膜等が挙げられ、この場合、蒸着により第３保護膜３６を形成することができる。なお、第３保護膜３６は、放射線検出器１０の屈曲している部分（例えば、図９では境界部１４Ｄ）に設けられるため、密着性を向上させる観点からは、一般的に柔軟性が高いことが好ましい。
　なお、第３保護膜３６を設ける領域は、図９に示した領域に限定されず、例えば、第１保護膜３２及び第２保護膜３４が設けられている領域等に応じた領域とすることができる。例えば、図１０には、上記図５に示した放射線検出器１０に対して、第３保護膜３６を設けた場合の一例を示している。図１０（図５）に示した放射線検出器１０では、基材１４の第１の面１４Ａの一部及び側面１４Ｃが第１保護膜３２及び第２保護膜３４の何れによっても覆われていない。このような場合、図１０に示すように、第１保護膜３２及び第２保護膜３４の何れにも覆われていない領域を少なくとも含む領域を第３保護膜３６で覆うことが好ましい。なお、この場合においても、図１０に示すように、さらに第１保護膜３２の端部及び第２保護膜３４の端部も含む領域を第３保護膜３６で覆うことが好ましいことはいうまでもない。このように、放射線検出器１０全体が、第１保護膜３２、第２保護膜３４、及び第３保護膜３６の少なくとも１つにより覆われていることにより、外部から水分が侵入するのを抑制する効果をより高めることができる。従って、防湿性能が低下するのを抑制することができる。
[第４実施形態]
　上記各実施形態では、基材１４の第１の面１４Ａについて、一様に第１保護膜３２を設けない形態について説明した。本実施形態では、基材１４の第１の面１４Ａに、第１保護膜３２を設けるか否か、またはどのように設けるか（覆う領域の範囲をどのようにするか）について、一様ではない形態について説明する。
　図１１には、本実施形態における支持体２００から剥離する前の状態のセンサ基板１２及び支持体２００の一例を、第１保護膜３２が設けられた側からみた平面図を示す。また、図１２には、図１１に示した支持体２００から剥離前のセンサ基板１２のＡ－Ａ線断面図を示す。
　図１１に示した例では、センサ基板１２（基材１４）の外周の一部の辺（三辺）において、第１保護膜３２が基材１４の第１の面１４Ａを覆っている。
　また、図１１に示した例では、センサ基板１２の隣接する２辺の各々の外周部に、フレキシブルケーブル１１２が接続される端子部５０Ａ及び端子部５０Ｂが設けられている。なお、本実施形態のフレキシブルケーブル１１２が、本開示の第１ケーブル及び第２ケーブルの一例である。
　センサ基板１２には、上述したように、制御基板１１０、駆動部１０２、及び信号処理部１０４と接続するためのフレキシブルケーブル１１２が接続される。そのため、センサ基板１２の外周には、図１１に示すように、フレキシブルケーブル１１２が接続される接続部の一例として端子部が設けられている。
　図１１に示すように、センサ基板１２が端子部５０Ａ及び端子部５０Ｂを備える場合、端子部５０Ａ及び端子部５０Ｂは第１保護膜３２で覆わないことが好ましい。この場合、端子部５０Ａ及び端子部５０Ｂを設ける基材１４の第１の面１４Ａの領域をマスキングした状態で、第１保護膜３２を形成すればよい。なお、端子部５０Ａまたは端子部５０Ｂが設けられた外周部に対応した基材１４の辺における側面は、第１保護膜３２で覆われていてもよい。例えば、端子部５０Ａまたは端子部５０Ｂにフレキシブルケーブル１１２を熱圧着した後に、端子部５０Ａまたは端子部５０Ｂが設けられた外周部に対応した基材１４の辺を起点として、センサ基板１２を支持体２００から剥離した場合、フレキシブルケーブル１１２により剥離しにくくなる。またこのように剥離した場合、剥離帯電により、フレキシブルケーブル１１２に搭載された駆動部１０２または信号処理部１０４等に悪影響を及ぼす場合がある。このような理由から、端子部５０Ａまたは端子部５０Ｂが設けられた外周部に対応した基材１４の辺は、剥離の起点としないため、その側面が第１保護膜３２で覆われていても、センサ基板１２の剥離がし難くなることはない。
　なお、基材１４の第１の面１４Ａの外周部に端子部５０Ａ及び端子部５０Ｂを設ける場合、支持体２００から剥離するための起点となる基材１４の辺は、端子部５０Ａまたは端子部５０Ｂが設けられた外周部に対応した辺ではないことが好ましい。また、剥離の起点となる基材１４の辺では、センサ基板１２の剥離を容易にするため、第１の面１４Ａを第１保護膜３２が覆っていないことが好ましい。図１１及び図１２に示した場合では、外周部に端子部５０Ａが設けられている基材１４の辺と対向する辺について、第１の面１４Ａには、第１保護膜３２が設けられていない。
　この場合、支持体２００からセンサ基板１２を剥離した後、端子部５０Ａ及び端子部５０Ｂにフレキシブルケーブル１１２を接続する。フレキシブルケーブル１１２の接続方法としては、例えば、熱圧着が挙げられる。
　センサ基板１２へフレキシブルケーブル１１２を接続した後、フレキシブルケーブル１１２を覆う領域を含め、第２保護膜３４を形成する。図１３には、第１実施形態の放射線検出器１０と同様の第２保護膜３４を形成した放射線検出器１０の一例を示す。図１３に示すように、センサ基板１２と接続された部分におけるフレキシブルケーブル１１２は、第１保護膜３２により覆われてはおらず、第２保護膜３４によって覆われている。
　以上説明したように、上記各実施形態の放射線検出器１０は、可撓性の基材１４、及び基材１４の第１の面１４Ａに設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素１６が形成された層を含むセンサ基板１２と、画素１６が形成された層における基材１４と反対側に設けられ、放射線を光に変換する変換層３０と、端部も含め基材１４の第１の面１４Ａの側に設けられ、少なくとも変換層３０全体を覆う第１保護膜３２と、少なくとも第１の面１４Ａとは反対側の第２の面１４Ｂを覆う第２保護膜３４と、を備える。
　このように上記各実施形態の放射線検出器１０では、製造工程において支持体２００からセンサ基板１２を剥離する起点となるセンサ基板１２（基材１４）の辺が第１保護膜３２により覆われていないため、センサ基板１２の剥離を容易に行うことができる。また、センサ基板１２の剥離に伴い第１保護膜３２の端部がセンサ基板１２から剥離するのを抑制することができるため、防湿性の低下を抑制することができる。
　また、上記各実施形態の放射線検出器１０では、第２保護膜３４が、基材１４の第２の面１４Ｂの全体を覆っている。そのため、基材１４の第２の面１４Ｂから水分が侵入するのを抑制することができるため、防湿性の低下を抑制することができる。
　従って、上記各実施形態の放射線検出器１０によれば、支持体２００を用いて製造される可撓性の基材１４を有するセンサ基板１２を備えた放射線検出器１０の製造工程において、センサ基板１２の支持体２００からの剥離を容易とし、かつ可撓性の基材１４の防湿性の低下を抑制することができる。
　また、上記各実施形態の放射線検出器１０では、第２保護膜３４が基材１４の第２の面１４Ｂに設けられているため、積層方向に荷重がかかったことにより放射線検出器１０が撓んだ場合において生じる応力中立面(応力が０となる面）の積層方向の位置を、調整することができる。センサ基板１２と変換層３０との界面（例えば、変換層３０におけるセンサ基板１２と対向する面）に応力がかかることで、センサ基板１２から変換層３０が剥離し易くなる。応力中立面の積層方向の位置が上記界面に近付くほど、上記界面にかかる応力は小さくなる。上記各実施形態の放射線検出器１０では、第２保護膜３４を設けることにより、第２保護膜３４を設けない場合に比べて、応力中立面の位置を、上記界面に近付けることができる。
　従って、上記各実施形態の放射線検出器１０によれば、放射線検出器１０が撓んだ場合でも、変換層３０をセンサ基板１２から剥離し難くすることができる。
　なお、第１保護膜３２が設けられる領域は、上記各実施形態に限定されない。例えば、図１４に示した放射線検出器１０のように、基材１４の、画素１６が設けられていない第１の面１４Ａの全ての領域を第１保護膜３２で覆ってもよい。図１４に示した場合では、第１保護膜３２の側面３２Ｃと、基材１４の側面１４Ｃとが面一となる。なお、「面一」とは、第１保護膜３２の端部と基材１４の端部とが揃った状態のことをいい、第１保護膜３２の側面３２Ｃと、基材１４の側面１４Ｃとがわずかな差を含み、同一の面上にあるとみなせる状態のことをいう。この場合の放射線検出器１０であっても、製造工程において、センサ基板１２が形成された支持体２００上まで第１保護膜３２が覆うことがないため、センサ基板１２の支持体２００からの剥離を容易にすることができる。
　また、例えば、図１５に示した放射線検出器１０のように、第１保護膜３２の端部が、基材１４と画素１６との境界である境界部１４Ｄで折れ曲がることにより、境界部１４Ｄの近傍における第１の面１４Ａの領域を第１保護膜３２で覆ってもよい。
　なお、図１４に示した放射線検出器１０及び図１５に示した放射線検出器１０において、上記第３実施形態の放射線検出器１０のように、基材１４の側面等、第１保護膜３２及び第２保護膜３４の何れにも覆われていない基材１４の領域を第３保護膜３６で覆ってもよいことはいまでもない。
　また、上記各実施形態では、ラミネート法で放射線検出器１０を製造する形態について説明したが、この形態に限定されず、塗布法で放射線検出器１０を製造する形態であっても、第１保護膜３２が剥離の起点を覆わず、かつ第２保護膜３４が基材１４の第２の面１４Ｂを覆うことにより、センサ基板１２の支持体２００からの剥離を容易にするとともに、防湿性の低下を抑制することができるという効果が得られることはいうまでもない。
　また、上記各実施形態では、放射線検出器１０（放射線画像撮影装置１）をＩＳＳ方式に適用した場合について説明したが、放射線検出器１０（放射線画像撮影装置１）を変換層３０の放射線が入射する側と反対側にセンサ基板１２を配置するいわゆる、「裏面読取方式(ＰＳＳ：Penetration Side Sampling)」に適用してもよい。
　また、上記各実施形態では、図１に示したように画素１６がマトリクス状に２次元配列されている態様について説明したがこれに限らず、例えば、１次元配列であってもよいし、ハニカム配列であってもよい。また、画素の形状も限定されず、矩形であってもよいし、六角形等の多角形であってもよい。さらに、アクティブエリア１５の形状も限定されないことはいうまでもない。
　その他、上記各実施形態で説明した放射線画像撮影装置１及び放射線検出器１０等の構成や製造方法等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることはいうまでもない。
　２０１７年３月２２日出願の日本国特許出願２０１７－０５６５６１号の開示、及び２０１８年２月１６日出願の日本国特許出願２０１８－０２５８０４号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。
　本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
１　放射線画像撮影装置
１０　放射線検出器
１２　センサ基板
１４　基材、１４Ａ　第１の面、１４Ｂ　第２の面、１４Ｃ　側面、１４Ｄ　境界部
１５　アクティブエリア
１６　画素
２０　ＴＦＴ（スイッチング素子）
２２　センサ部
２４　信号配線
２６　走査配線
２８　共通配線
３０　変換層
３２　第１保護膜、３２Ｃ　側面
３４　第２保護膜
３６　第３保護膜
５０Ａ、５０Ｂ　端子部
１００　制御部、１００Ａ　ＣＰＵ、１００Ｂ　メモリ、１００Ｃ　記憶部
１０２　駆動部
１０４　信号処理部
１０６　画像メモリ
１０８　電源部
１１０　制御基板
１１２　フレキシブルケーブル
１１４　電源線
１１６　シート
１１８　基台
１２０　筐体、１２０Ａ　撮影面
２００　支持体
２０２　剥離層

Claims (16)

  1. 　可撓性の基材、及び前記基材の第１の面に設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された層を含むセンサ基板と、
    　前記画素が形成された層における前記基材と反対側に設けられ、放射線を前記光に変換する変換層と、
    　端部も含め前記基材の前記第１の面の側に設けられ、少なくとも前記変換層全体を覆う第１保護膜と、
    　少なくとも前記第１の面とは反対側の第２の面を覆う第２保護膜と、
    　を備えた放射線検出器。
  2. 　前記第２保護膜はさらに、前記第１保護膜の少なくとも端部を覆う、
    　請求項１に記載の放射線検出器。
  3. 　前記第２保護膜は、前記第１の面及び前記第２の面の何れも覆う、
    　請求項１に記載の放射線検出器。
  4. 　少なくとも、前記第１保護膜で覆われた領域以外、かつ前記第２保護膜で覆われた領域以外の領域を覆う第３保護膜をさらに備えた、
    　請求項１に記載の放射線検出器。
  5. 　少なくとも、前記第１保護膜の端部及び前記第２保護膜の端部を覆う第３保護膜をさらに備えた、
    　請求項１に記載の放射線検出器。
  6. 　前記第１保護膜の側面と、前記基材の側面とが面一である、
    　請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  7. 　前記第１保護膜は、前記第２保護膜よりも柔軟性が高い、
    　請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  8. 　前記第１保護膜の材料は、前記第２保護膜の材料と異なる、
    　請求項７に記載の放射線検出器。
  9. 　前記第１保護膜の密度は、前記第２保護膜の密度よりも低い、
    　請求項７または請求項８に記載の放射線検出器。
  10. 　前記第１保護膜の厚みは、前記第２保護膜の厚みよりも薄い、
    　請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  11. 　前記センサ基板に接続された、前記複数の画素から電荷を読み出させる駆動部に接続される第１ケーブル、及び前記複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された前記電気信号に応じた画像データを生成して出力する信号処理部に接続される第２ケーブルの少なくとも一方のケーブルをさらに備え、
    　前記少なくとも一方のケーブルは、前記第２保護膜に覆われている、
    　請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  12. 　前記複数の画素から電荷を読み出させる駆動部に接続される第１ケーブル、及び前記複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された前記電気信号に応じた画像データを生成して出力する信号処理部に接続される第２ケーブルの少なくとも一方のケーブルが接続される接続部が前記基材の外周部に設けられ、
    　前記第１保護膜は、前記接続部の周囲の前記第１の面を覆っている、
    　請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  13. 　前記変換層は、ＣｓＩを含む、
    　請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  14. 　請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の放射線検出器と、
    　前記複数の画素に蓄積された電荷を読み出すための制御信号を出力する制御部と、
    　前記制御信号に応じて、前記複数の画素から電荷を読み出読み出すための駆動信号を出力する駆動部と、
    　前記複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された前記電気信号に応じた画像データを生成して出力する信号処理部と、
    　を備えた放射線画像撮影装置。
  15. 　前記放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に、前記制御部と、前記放射線検出器とが並んで設けられている、
    　請求項１４に記載の放射線画像撮影装置。
  16. 　前記制御部、前記駆動部、及び前記信号処理部の少なくとも一つに電力を供給する電源部をさらに備え、
    　前記放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に、前記電源部と、前記制御部と、前記放射線検出器とが並んで設けられている、
    　請求項１４に記載の放射線画像撮影装置。
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