JP7268454B2 - 放射線撮影装置 - Google Patents
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
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Description
本発明は、放射線撮影装置に関する。
デジタル式の放射線撮影装置の多くは、受けた放射線をシンチレーターで光に変換し、光検出素子で光の量に応じた電荷を発生させ、発生させた電荷の量に基づいて放射線画像を生成するようになっている。
ところが、シンチレーターに含まれる発光物質の中には、潮解性を有しているものがある。こうした潮解性を有する発光物質をシンチレーターとして用いる際には、湿気を遮断する防湿層でシンチレーターを被覆することが行われている。
ところが、シンチレーターに含まれる発光物質の中には、潮解性を有しているものがある。こうした潮解性を有する発光物質をシンチレーターとして用いる際には、湿気を遮断する防湿層でシンチレーターを被覆することが行われている。
近年、放射線撮影装置の耐衝撃性の向上等を目的として、光検出素子が形成される基板に、樹脂で形成された可撓性を有するものが使われるようになってきている。
樹脂で形成された基板は、従来の硬質基板と比べて空気や水分の透過性が高いという性質がある。一方、一般的な光検出素子は、有機材料で形成されていて、水分や酸素の影響を受けやすいという性質を有している。このため、基板に樹脂を用いることで、基板に形成された光検出素子が水分や酸素の影響を受け、放射線画像の画質が低下してしまうという問題が新たに生じるようになった。
そこで、例えば特許文献１に記載されたような、樹脂で形成された基板とシンチレーターを重ね合わせたものの周囲を金属膜で被覆し、基板及びシンチレーターを共に外気から遮断する技術が提案されている。
樹脂で形成された基板は、従来の硬質基板と比べて空気や水分の透過性が高いという性質がある。一方、一般的な光検出素子は、有機材料で形成されていて、水分や酸素の影響を受けやすいという性質を有している。このため、基板に樹脂を用いることで、基板に形成された光検出素子が水分や酸素の影響を受け、放射線画像の画質が低下してしまうという問題が新たに生じるようになった。
そこで、例えば特許文献１に記載されたような、樹脂で形成された基板とシンチレーターを重ね合わせたものの周囲を金属膜で被覆し、基板及びシンチレーターを共に外気から遮断する技術が提案されている。
可撓性材料で形成された基板を備える放射線撮影装置は、例えばユーザーが持ち運び中に誤って落下させ床面に衝突する、臥位撮影時に上に横たわる被験者の荷重を受けて筐体が撓む、撮影が長時間続くことで内部の温度が上昇し各部が熱膨張する等の理由により基板が撓む可能性がある。
ところが、特許文献１に記載されたような従来の放射線撮影装置は、使用に伴って基板が撓んだ場合に、防湿層、シンチレーター及び基板のうちの少なくともいずれかに皺が生じたり、防湿層とシンチレーターとの間、防湿層と基板との間、シンチレーターと基板との間のうちの少なくともいずれかの間が剥離したりしてしまう可能性がある。
皺は放射線画像に写りこんでしまう可能性があるし、剥離は内部へ水分や空気の侵入させることになり、結果として放射線画像の画質低下につながってしまう。
ところが、特許文献１に記載されたような従来の放射線撮影装置は、使用に伴って基板が撓んだ場合に、防湿層、シンチレーター及び基板のうちの少なくともいずれかに皺が生じたり、防湿層とシンチレーターとの間、防湿層と基板との間、シンチレーターと基板との間のうちの少なくともいずれかの間が剥離したりしてしまう可能性がある。
皺は放射線画像に写りこんでしまう可能性があるし、剥離は内部へ水分や空気の侵入させることになり、結果として放射線画像の画質低下につながってしまう。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、シンチレーターと、光検出素子を有する可撓性の基板と、これらを被覆する防湿層と、を備えた放射線撮影装置において、使用に伴って基板が撓んでも各部に皺が生じたり、各部の間が剥離したりしないようにすることを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明に係る放射線撮影装置は、
受けた放射線の線量に応じた強度で発光し、可撓性を有する板状のシンチレーター基板と、
可撓性を有する支持基板の表面に二次元状に分布するように形成され、受けた光の強度に応じた量の電荷を発生させる複数の光検出素子を有し、前記光検出素子が形成された素子形成面が前記シンチレーター基板の方を向くように配置された可撓性を有する光電変換パネルと、
湿気を通過させない性質を有する材料で形成され、前記シンチレーター基板における前記光検出素子と対向する面とは反対側の面、前記シンチレーター基板の側面、及び前記光電変換パネルにおける前記素子形成面とは反対側の面をそれぞれ被覆する防湿層と、を備え、
前記素子形成面の周縁部は、前記シンチレーター基板と対向しておらず、
前記素子形成面の周縁部の一部に、複数の前記光検出素子と電子部品とを接続する配線の一端が接続されており、
前記防湿層は、前記素子形成面の周縁部における前記配線と接触していない部分を更に被覆しており、
前記防湿層と少なくとも前記光電変換パネルとを接着させる接着材を備え、
前記光電変換パネルは、
複数の前記光検出素子が前記素子形成面の中央部に形成され、
前記素子形成面の中央部を被覆する素子保護層を有しており、
前記防湿層は、
少なくとも前記素子形成面の周縁部を被覆する第一防湿層と、
前記シンチレーター基板における前記光検出素子と対向する面とは反対側の面、及び前記シンチレーター基板の側面を被覆する第二防湿層と、で構成され、
前記第二防湿層の端部は、前記第一防湿層と前記素子保護層とに跨るようにして前記光電変換パネルと接着されていることを特徴とする。
受けた放射線の線量に応じた強度で発光し、可撓性を有する板状のシンチレーター基板と、
可撓性を有する支持基板の表面に二次元状に分布するように形成され、受けた光の強度に応じた量の電荷を発生させる複数の光検出素子を有し、前記光検出素子が形成された素子形成面が前記シンチレーター基板の方を向くように配置された可撓性を有する光電変換パネルと、
湿気を通過させない性質を有する材料で形成され、前記シンチレーター基板における前記光検出素子と対向する面とは反対側の面、前記シンチレーター基板の側面、及び前記光電変換パネルにおける前記素子形成面とは反対側の面をそれぞれ被覆する防湿層と、を備え、
前記素子形成面の周縁部は、前記シンチレーター基板と対向しておらず、
前記素子形成面の周縁部の一部に、複数の前記光検出素子と電子部品とを接続する配線の一端が接続されており、
前記防湿層は、前記素子形成面の周縁部における前記配線と接触していない部分を更に被覆しており、
前記防湿層と少なくとも前記光電変換パネルとを接着させる接着材を備え、
前記光電変換パネルは、
複数の前記光検出素子が前記素子形成面の中央部に形成され、
前記素子形成面の中央部を被覆する素子保護層を有しており、
前記防湿層は、
少なくとも前記素子形成面の周縁部を被覆する第一防湿層と、
前記シンチレーター基板における前記光検出素子と対向する面とは反対側の面、及び前記シンチレーター基板の側面を被覆する第二防湿層と、で構成され、
前記第二防湿層の端部は、前記第一防湿層と前記素子保護層とに跨るようにして前記光電変換パネルと接着されていることを特徴とする。
本発明によれば、使用に伴って基板が撓んでも各部に皺が生じたり、各部の間が剥離したりしないようにすることができる。
＜第一実施形態＞
以下、本発明の第一実施形態について、図面を参照しながら説明する。しかし、本発明は、図面に図示されたものに限定されるものではない。
以下、本発明の第一実施形態について、図面を参照しながら説明する。しかし、本発明は、図面に図示されたものに限定されるものではない。
〔放射線撮影装置の構成〕
まず、放射線撮影装置１００の概略構成について説明する。図１は放射線撮影装置１００の斜視図、図２は図１のII－II断面図、図３は放射線撮影装置１００が備える一部構成の平面図、図４は図３のIV－IV断面図である。
なお、図１には、パネル状をした可搬型の放射線撮影装置１００を例示したが、本発明は、他の形態をした放射線撮影装置（例えば撮影台等と一体的に形成された据え付け型のもの等）に対しても適用可能である。
まず、放射線撮影装置１００の概略構成について説明する。図１は放射線撮影装置１００の斜視図、図２は図１のII－II断面図、図３は放射線撮影装置１００が備える一部構成の平面図、図４は図３のIV－IV断面図である。
なお、図１には、パネル状をした可搬型の放射線撮影装置１００を例示したが、本発明は、他の形態をした放射線撮影装置（例えば撮影台等と一体的に形成された据え付け型のもの等）に対しても適用可能である。
本実施形態に係る放射線撮影装置１００は、例えば図１～４に示すように、筐体１の他、この筐体１に収納されるシンチレーター基板２と、光電変換パネル３と、制御基板４と、防湿層５と、を備えている。
筐体１の側面には、図１に示したように、電源スイッチ１１や操作スイッチ１２、インジケーター１３、コネクター１４等が設けられている。
また、筐体１が有する複数の面のうちの一つが放射線入射面１５となっている。
また、筐体１が有する複数の面のうちの一つが放射線入射面１５となっている。
本実施形態に係るシンチレーター基板２は、図２，４に示したように、支持層２１と、蛍光体層２２と、を有している。
本実施形態に係る支持層２１は、可撓性材料でフィルム状（薄い板状）に形成されている。
可撓性材料の具体例としては、例えばポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、アラミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、又はこれらの複合材料が挙げられる。
特に、上記材料のうち、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、ＰＴＦＥ、又はこれらの複合材料とするのが、耐熱性を向上させる観点から好ましい。
また、本実施形態に係る支持層２１は、矩形に形成されている。
可撓性材料の具体例としては、例えばポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、アラミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、又はこれらの複合材料が挙げられる。
特に、上記材料のうち、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、ＰＴＦＥ、又はこれらの複合材料とするのが、耐熱性を向上させる観点から好ましい。
また、本実施形態に係る支持層２１は、矩形に形成されている。
また、蛍光体層２２は、支持層２１の表面に蛍光体で形成されている。
本発明において蛍光体とは、α線、γ線、Ｘ線等の電離放射線が照射されたときに原子が励起されることにより発光する蛍光体をいう。すなわち、放射線を紫外・可視光に変換して放出する蛍光体を指す。蛍光体は外部から入射されたＸ線などの放射線エネルギーを効率よく光に変換可能な材料である限り特に制限されない。例えば、本発明に係る蛍光体としては、Ｘ線などの放射線を可視光などの異なる波長に変換することが可能な物質を適宜使用することが出来る。具体的には、「蛍光体ハンドブック」（蛍光体同学会編・オーム社・１９８７年）の２８４頁から２９９頁に至る箇所に記載されたシンチレーター及び蛍光体や、米国ＬａｗｒｅｎｃｅＢｅｒｋｅｌｅｙ Ｎａｔｉｏｎａｌ ＬａｂｏｒａｔｏｒｙのＷｅｂホームページ「Ｓｃｉｎｔｉｌｌａｔｉｏｎ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ（ｈｔｔｐ：／／ｓｃｉｎｔｉｌｌａｔｏｒ．ｌｂｌ．ｇｏｖ／）」に記載の物質などが考えられるが、ここに指摘されていない物質でも、「Ｘ線などの放射線を可視光などの異なる波長に変換することが可能な物質」であれば、蛍光体として用いることが出来る。更に残光低減を実現するため、ＣｓＣｌ：Ｐｂなどの単結晶シンチレーターにＣｓＰｂＣｌ３などの半導体ナノ粒子を含有させたシンチレーターや、アルキルアミンなどの有機化合物とＰｂＢｒ２などの無機化合物で形成された有機無機ペロブスカイト型化合物を用いてもよい。また、高感度化を実現するため、鉛ハライドなどの無機ペロブスカイトナノ結晶を用いてもよい。本発明において、シンチレーター層は、通常、蛍光体母体化合物と賦活剤とからなる。また、シンチレーター層は、気相堆積法により形成された蛍光体柱状結晶で構成されても、蛍光体粒子分散液を塗布して粒子を堆積させた層であってもよい。
本発明において蛍光体とは、α線、γ線、Ｘ線等の電離放射線が照射されたときに原子が励起されることにより発光する蛍光体をいう。すなわち、放射線を紫外・可視光に変換して放出する蛍光体を指す。蛍光体は外部から入射されたＸ線などの放射線エネルギーを効率よく光に変換可能な材料である限り特に制限されない。例えば、本発明に係る蛍光体としては、Ｘ線などの放射線を可視光などの異なる波長に変換することが可能な物質を適宜使用することが出来る。具体的には、「蛍光体ハンドブック」（蛍光体同学会編・オーム社・１９８７年）の２８４頁から２９９頁に至る箇所に記載されたシンチレーター及び蛍光体や、米国ＬａｗｒｅｎｃｅＢｅｒｋｅｌｅｙ Ｎａｔｉｏｎａｌ ＬａｂｏｒａｔｏｒｙのＷｅｂホームページ「Ｓｃｉｎｔｉｌｌａｔｉｏｎ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ（ｈｔｔｐ：／／ｓｃｉｎｔｉｌｌａｔｏｒ．ｌｂｌ．ｇｏｖ／）」に記載の物質などが考えられるが、ここに指摘されていない物質でも、「Ｘ線などの放射線を可視光などの異なる波長に変換することが可能な物質」であれば、蛍光体として用いることが出来る。更に残光低減を実現するため、ＣｓＣｌ：Ｐｂなどの単結晶シンチレーターにＣｓＰｂＣｌ３などの半導体ナノ粒子を含有させたシンチレーターや、アルキルアミンなどの有機化合物とＰｂＢｒ２などの無機化合物で形成された有機無機ペロブスカイト型化合物を用いてもよい。また、高感度化を実現するため、鉛ハライドなどの無機ペロブスカイトナノ結晶を用いてもよい。本発明において、シンチレーター層は、通常、蛍光体母体化合物と賦活剤とからなる。また、シンチレーター層は、気相堆積法により形成された蛍光体柱状結晶で構成されても、蛍光体粒子分散液を塗布して粒子を堆積させた層であってもよい。
また、本実施形態に係る蛍光体層２２は、支持層２１における光電変換パネル３と対向する面全体に形成されている。すなわち、シンチレーター基板２は、矩形に形成されていることになる。
また、本実施形態に係る蛍光体層２２は、支持層２１が撓んだときに共に撓む（弾性変形する）ことが可能な厚さとなっている。
また、蛍光体層２２は、周縁部を含めた全体の厚さが均一になっている。具体的には、蛍光体層２２の複数個所から得られた複数の厚さから算出される変動係数が３０％以下となっている。
このため、本実施形態に係る蛍光体層２２は、周縁部も中央部と同様の発光性能を有することとなるため、この周縁部と対向する光検出素子が生成した電荷に基づく信号値も正確なものとなる。このため、有効画像領域を広くとることができる。
また、本実施形態に係る蛍光体層２２は、支持層２１が撓んだときに共に撓む（弾性変形する）ことが可能な厚さとなっている。
また、蛍光体層２２は、周縁部を含めた全体の厚さが均一になっている。具体的には、蛍光体層２２の複数個所から得られた複数の厚さから算出される変動係数が３０％以下となっている。
このため、本実施形態に係る蛍光体層２２は、周縁部も中央部と同様の発光性能を有することとなるため、この周縁部と対向する光検出素子が生成した電荷に基づく信号値も正確なものとなる。このため、有効画像領域を広くとることができる。
このように構成されたシンチレーター基板２は、受けた放射線の線量に応じた強度で発光し、可撓性を有する板状をなすことになる。
また、シンチレーター基板２は、図２に示したように、支持層２１が筐体１の放射線入射面１５と蛍光体層２２との間に位置するように配置されている。
また、本実施形態に係るシンチレーター基板２は、筐体１の放射線入射面１５と平行に広がるように配置されている。
また、シンチレーター基板２は、図２に示したように、支持層２１が筐体１の放射線入射面１５と蛍光体層２２との間に位置するように配置されている。
また、本実施形態に係るシンチレーター基板２は、筐体１の放射線入射面１５と平行に広がるように配置されている。
光電変換パネル３は、図２，３に示したように、支持基板３１と、複数の光検出素子３２と、を有している。
また、本実施形態に係る光電変換パネル３は、図示しない複数の走査線と、複数の信号線と、複数のスイッチ素子と、複数のバイアス線と、有している。
また、本実施形態に係る光電変換パネル３は、図示しない複数の走査線と、複数の信号線と、複数のスイッチ素子と、複数のバイアス線と、有している。
本実施形態に係る支持基板３１は、可撓性材料でフィルム状（薄い板状）に形成されている。本実施形態においては、上記シンチレーター基板２の支持層２１と同じ材料で形成されている。すなわち、本実施形態に係る支持基板３１は可撓性を有しており、その熱膨張率及び熱収縮率は、支持層２１の熱膨張率及び熱収縮率と等しくなっている。このため、光電変換パネル３が熱膨張する際、シンチレーター基板２も一緒に熱膨張するため、光電変換パネル３とシンチレーター基板２の積層体が反りにくくなる。その結果、シンチレーター基板２のある発光位置と対向する光検出素子３２とがずれなくなり、放射線画像の画質が低下するのを防ぐことができる。
なお、支持基板３１を、熱膨張率及び熱収縮率が上記支持層２１と同じで、且つ上記支持層２１とは異なる材料で形成するようにしてもよい。
また、本実施形態に係る支持基板３１は、図３に示したように、シンチレーター基板２の平面視形状よりも一回り大きい矩形に形成されている。
なお、支持基板３１を、熱膨張率及び熱収縮率が上記支持層２１と同じで、且つ上記支持層２１とは異なる材料で形成するようにしてもよい。
また、本実施形態に係る支持基板３１は、図３に示したように、シンチレーター基板２の平面視形状よりも一回り大きい矩形に形成されている。
複数の光検出素子３２は、受けた光の強度に応じた量の電荷を発生させるようになっている。
また、複数の光検出素子３２は、図３に示したように、支持基板３１の表面に二次元状に分布するように形成されている。
以下、支持基板３１における光検出素子３２が形成されている面を素子形成面３１ａと称する。
また、複数の光検出素子３２は、図３に示したように、支持基板３１の表面に二次元状に分布するように形成されている。
以下、支持基板３１における光検出素子３２が形成されている面を素子形成面３１ａと称する。
本実施形態に係る複数の光検出素子３２は、素子形成面３１ａの中央部に、マトリクス（行列）状に配列されている。具体的には、支持基板３１の表面における、等間隔且つ互いに平行に伸びるように形成された図示しない複数の走査線と、等間隔且つ走査線と直交するように形成された図示しない複数の信号線と、によって囲まれる複数の矩形領域（画素）内にそれぞれ配置されている。
また、各矩形領域内には、図示しないスイッチ素子がそれぞれ設けられている。スイッチ素子は、例えばＴＦＴで構成されており、各スイッチ素子のゲートは走査線に、ソースは信号線に、ドレインは光検出素子に、それぞれ接続されている。
また、各矩形領域内には、図示しないスイッチ素子がそれぞれ設けられている。スイッチ素子は、例えばＴＦＴで構成されており、各スイッチ素子のゲートは走査線に、ソースは信号線に、ドレインは光検出素子に、それぞれ接続されている。
この複数の光検出素子３２が形成されている領域は、上記シンチレーター基板２の平面視形状よりも一回り小さい矩形となっている。すなわち、素子形成面３１ａの周縁部には、光検出素子３２が形成されていない。
以下、素子形成面３１ａにおける複数の光検出素子３２が形成されている領域を素子形成領域３１ｂと称する。
以下、素子形成面３１ａにおける複数の光検出素子３２が形成されている領域を素子形成領域３１ｂと称する。
このように構成された光電変換パネル３は、可撓性を有し、図４に示したように、光検出素子３２が形成された素子形成面３１ａがシンチレーター基板２の方を向くように配置されている。
また、本実施形態に係る光電変換パネル３は、シンチレーター基板２と平行に広がるように配置されている。
また、本実施形態に係る光電変換パネル３は、図３に示したように、素子形成領域３１ｂがシンチレーター基板２と対向している。上述したように、本実施形態に係る光電変換パネル３は、シンチレーター基板２の平面視形状よりも一回り大きい矩形となっているため、素子形成面３１ａの周縁部は、シンチレーター基板と対向していない。
また、本実施形態に係る光電変換パネル３は、シンチレーター基板２と平行に広がるように配置されている。
また、本実施形態に係る光電変換パネル３は、図３に示したように、素子形成領域３１ｂがシンチレーター基板２と対向している。上述したように、本実施形態に係る光電変換パネル３は、シンチレーター基板２の平面視形状よりも一回り大きい矩形となっているため、素子形成面３１ａの周縁部は、シンチレーター基板と対向していない。
制御基板４は、図２～４に示したように、本体４１と、配線４２と、を有している。
本体４１は、図２に示したように、光電変換パネル３の、シンチレーター基板２と対向する面とは反対側の面に配置されている。
また、本体４１は、図示しないフィルム状の絶縁層と、絶縁層の表面に実装された各種電子部品（図示しないゲートドライバーや、読み出し回路、電源回路、これらを制御するＣＰＵ等）と、を有している。
また、本体４１は、図示しないフィルム状の絶縁層と、絶縁層の表面に実装された各種電子部品（図示しないゲートドライバーや、読み出し回路、電源回路、これらを制御するＣＰＵ等）と、を有している。
配線４２は、複数の光検出素子３２と本体４１の各種電子部品とを接続している。
具体的には、光電変換パネル３の各走査線の端部（端子）とゲートドライバー、各信号線の端部（端子）と読み出し回路、各バイアス線の端部（端子）と電源回路、をそれぞれ接続している。
本実施形態においては、図３に示したように、素子形成面３１ａの周縁部の一部に、配線４２の一端が接続されている。
具体的には、光電変換パネル３の各走査線の端部（端子）とゲートドライバー、各信号線の端部（端子）と読み出し回路、各バイアス線の端部（端子）と電源回路、をそれぞれ接続している。
本実施形態においては、図３に示したように、素子形成面３１ａの周縁部の一部に、配線４２の一端が接続されている。
防湿層５は、図４に示したように、シンチレーター基板２における光検出素子３２と対向する面とは反対側の面２ａ、シンチレーター基板２の側面２ｂ（支持層２１と蛍光体層２２の積層方向と直交する方向を向く面）、及び光電変換パネル３における前記素子形成面とは反対側の面３ａをそれぞれ被覆（遮蔽）している。
また、防湿層５は、湿気を通過させない性質を有する材料で形成されている。
湿気を通過させない性質を有する材料の具体例としては、例えば金属（Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ａｕ等）と、金属の酸化物と、無機材料（Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＩＴＯ（Indium Tin Oxide），ＳｉＮ等）、有機材料（フッ素樹脂，ＰＶＡ，ＰＶＤＣ，ＰＭＡＮ，ＰＡＮ，ＰＬＧＡ，パリレン等）のうちの少なくともいずれかが挙げられる。
なお、防湿層５を、上記材料のうち金属やＩＴＯ等の導電性を有する材料で形成されるとともに、接地されたものとすれば、防湿層５が帯電するのを防ぐ観点から好ましい。
湿気を通過させない性質を有する材料の具体例としては、例えば金属（Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ａｕ等）と、金属の酸化物と、無機材料（Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＩＴＯ（Indium Tin Oxide），ＳｉＮ等）、有機材料（フッ素樹脂，ＰＶＡ，ＰＶＤＣ，ＰＭＡＮ，ＰＡＮ，ＰＬＧＡ，パリレン等）のうちの少なくともいずれかが挙げられる。
なお、防湿層５を、上記材料のうち金属やＩＴＯ等の導電性を有する材料で形成されるとともに、接地されたものとすれば、防湿層５が帯電するのを防ぐ観点から好ましい。
また、本実施形態に係る防湿層５は、図４に示したように、第一防湿層５１と、第二防湿層５２と、で構成されている。
第一防湿層５１は、光電変換パネル３における素子形成面３１ａとは反対側の面を被覆している。
なお、例えば図５に示すように、第一防湿層５１が、素子形成面３１ａ及び光電変換パネル３の側面３ｂ（支持基板３１と光検出素子３２の積層方向と直交する方向を向く面）を更に被覆するようにしてもよい。
その場合には、防湿層５のうち少なくとも素子形成領域３１ｂを被覆する部位を、上記材料のうちＡｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，フッ素樹脂，ＰＶＡ，ＰＶＤＣ，ＰＭＡＮ，ＰＡＮ，ＰＬＧＡ，パリレン等の透明材料で形成されたものとするのが、シンチレーター基板２の光を遮らないようにする観点から好ましい。
なお、例えば図５に示すように、第一防湿層５１が、素子形成面３１ａ及び光電変換パネル３の側面３ｂ（支持基板３１と光検出素子３２の積層方向と直交する方向を向く面）を更に被覆するようにしてもよい。
その場合には、防湿層５のうち少なくとも素子形成領域３１ｂを被覆する部位を、上記材料のうちＡｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，フッ素樹脂，ＰＶＡ，ＰＶＤＣ，ＰＭＡＮ，ＰＡＮ，ＰＬＧＡ，パリレン等の透明材料で形成されたものとするのが、シンチレーター基板２の光を遮らないようにする観点から好ましい。
第二防湿層５２は、図４に示したように、シンチレーター基板２における光検出素子３２と対向する面とは反対側の面２ａ、及びシンチレーター基板２の側面２ｂを被覆している。
また、本実施形態に係る第二防湿層５２は、素子形成面３１ａの周縁部における配線と接触していない部分を更に被覆している。
また、本実施形態に係る第二防湿層５２は、素子形成面３１ａの周縁部における配線と接触していない部分を更に被覆している。
本実施形態に係る防湿層５は、このように構成されることにより、シンチレーター基板２及び光電変換パネル３を外気から遮断し、蛍光体層２２が水分を吸収して潮解してしまったり、光検出素子３２が水分や酸素の影響を受けて性能を劣化させてしまったりするのを防ぐことができる。
また、素子形成面３１ａ全体を防湿層５で被覆するようにすれば、シンチレーター基板２と光電変換パネル３との間の空気の行き来が遮断されるため、蛍光体層２２や光検出素子３２の劣化をより一層防ぐことができる。
また、素子形成面３１ａ全体を防湿層５で被覆するようにすれば、シンチレーター基板２と光電変換パネル３との間の空気の行き来が遮断されるため、蛍光体層２２や光検出素子３２の劣化をより一層防ぐことができる。
なお、防湿層５は、樹脂フィルム（上記支持層２１や支持基板３１に用いられるＰＥＴの他、ポリイミド（ＰＩ），ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ），ポリプロピレン（ＰＰ）等）がラミネートされたものであってもよい。このようにすれば、防湿層５が破れにくくなり、取り扱い性を向上させることができる。
このように構成された本実施形態に係る放射線撮影装置１００は、防湿層５と、光電変換パネル３及びシンチレーター基板２のうちの少なくとも一方と、に囲まれる領域内の気圧が、大気圧よりも低くなっていても良い。
また、本実施形態に係る放射線撮影装置１００は、シンチレーター基板２の側面、素子形成面３１ａの周縁部、及び防湿層５によって囲まれる領域が空隙９になっている。
このため、シンチレーター基板２や光電変換パネル３が撓んだときに、防湿層５が撓みに応じて変形することができるため、防湿層５が剥離しにくくなる。
また、本実施形態に係る空隙９の体積は、シンチレーター基板２の体積の０．５～３％の範囲内となっている。
空隙９の体積を０．１％以上とすることで、防湿層５をなだらかに配置することができ、防湿層５の破損を防ぐことができる。また、空隙９の体積を１％以下とすることで、筐体１内部のスペースが節約され、筐体１のサイズが大きくなってしまうのを防ぐことができる。
また、本実施形態に係る放射線撮影装置１００は、シンチレーター基板２の側面、素子形成面３１ａの周縁部、及び防湿層５によって囲まれる領域が空隙９になっている。
このため、シンチレーター基板２や光電変換パネル３が撓んだときに、防湿層５が撓みに応じて変形することができるため、防湿層５が剥離しにくくなる。
また、本実施形態に係る空隙９の体積は、シンチレーター基板２の体積の０．５～３％の範囲内となっている。
空隙９の体積を０．１％以上とすることで、防湿層５をなだらかに配置することができ、防湿層５の破損を防ぐことができる。また、空隙９の体積を１％以下とすることで、筐体１内部のスペースが節約され、筐体１のサイズが大きくなってしまうのを防ぐことができる。
なお、上記放射線撮影装置１００において、光電変換パネル３を、例えば図６に示すように、素子形成面３１ａの中央部、すなわち素子形成領域３１ｂを被覆する素子保護層３３を有するものとしてもよい。
素子保護層３３は、有機材料で形成されたものとするのが好ましい。
素子保護層３３を形成する有機材料としては、例えばポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、フッ素樹脂、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ），ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ），ポリメタクリロニトリル（ＰＭＡＮ），ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ），ポリ乳酸・グリコール酸共重合体（ＰＬＧＡ）等が挙げられる。
素子保護層３３は、有機材料で形成されたものとするのが好ましい。
素子保護層３３を形成する有機材料としては、例えばポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、フッ素樹脂、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ），ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ），ポリメタクリロニトリル（ＰＭＡＮ），ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ），ポリ乳酸・グリコール酸共重合体（ＰＬＧＡ）等が挙げられる。
なお、この場合には、第一防湿層５１が、光電変換パネル３における素子形成面３１ａの周縁部、すなわち素子保護層３３に被覆されていない領域を被覆するようにしてもよい。
また、この場合には、第二防湿層５２の端部が、第一防湿層５１と素子保護層３３とに跨るようにして光電変換パネル３と接着された状態とするのが好ましい。
第二防湿層５２と素子保護層３３とを接着する接着剤には、アクリル系、ウレタン系、その他ポリマーを主成分とするものが主に用いられる。この場合、上述したような有機材料で形成される素子保護層３３は、接着剤と類似の表面自由エネルギーを持つこととなり、濡れ性が高まり、両者の接着力が向上することになるためである。
また、接着剤及び素子保護層３３が有機材料同士の場合、素材表面のヒドロキシ基同士の結合や水素結合等も作用するため、一方が有機材料ではない場合に比べて接着力がより向上するものと考えられる。
また、この場合には、第二防湿層５２の端部が、第一防湿層５１と素子保護層３３とに跨るようにして光電変換パネル３と接着された状態とするのが好ましい。
第二防湿層５２と素子保護層３３とを接着する接着剤には、アクリル系、ウレタン系、その他ポリマーを主成分とするものが主に用いられる。この場合、上述したような有機材料で形成される素子保護層３３は、接着剤と類似の表面自由エネルギーを持つこととなり、濡れ性が高まり、両者の接着力が向上することになるためである。
また、接着剤及び素子保護層３３が有機材料同士の場合、素材表面のヒドロキシ基同士の結合や水素結合等も作用するため、一方が有機材料ではない場合に比べて接着力がより向上するものと考えられる。
また、上記放射線撮影装置１００に、図６に示したように、光電変換パネル３とシンチレーター基板２とを接着する光学接着層６を備えるようにしてもよい。
光学接着層６は、光電変換パネル３とシンチレーター基板２との間においてこれらを接着させる光学接着剤である。
光学接着剤としては、例えばオレフィン系、アミド系、エステル系、スチレン系、アクリル系、ウレタン系、ビニル系、ポリカーボネート、もしくはＡＢＳ樹脂（アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合樹脂）を主成分とする熱可塑性樹脂等が挙げられる。
光学接着層６は、上述したような材料で形成されることにより、素子保護層３３より高くシンチレーター基板２よりも低い屈折率を有することになる。このため、放射線画像の輝度やＭＴＦ（Modulated Transfer Function）を向上させることができる。
光学接着層６は、光電変換パネル３とシンチレーター基板２との間においてこれらを接着させる光学接着剤である。
光学接着剤としては、例えばオレフィン系、アミド系、エステル系、スチレン系、アクリル系、ウレタン系、ビニル系、ポリカーボネート、もしくはＡＢＳ樹脂（アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合樹脂）を主成分とする熱可塑性樹脂等が挙げられる。
光学接着層６は、上述したような材料で形成されることにより、素子保護層３３より高くシンチレーター基板２よりも低い屈折率を有することになる。このため、放射線画像の輝度やＭＴＦ（Modulated Transfer Function）を向上させることができる。
また、光学接着層６の厚さは、１５μｍ以上（１５～１００μｍの範囲内とするのがより好ましい）とするのが好ましい。
シンチレーター基板２の蛍光体層２２は、表面に欠陥（高さ又は深さ１０μｍ程度の凹凸）を有している場合があり、こうした欠陥が存在すると生成される放射線画像に影響する。しかし、本実施形態に係る光学接着層６は、このような厚さを有していることにより、こうした欠陥を覆い隠し、生成される放射線画像が欠陥の影響を受けないようにすることができる。
また、光学接着層６が厚くなりすぎると、生成される放射線画像の鮮鋭性が大きく低下してしまう。しかし、厚さの上限を１００μｍとすることにより、これを防ぐことができる。
シンチレーター基板２の蛍光体層２２は、表面に欠陥（高さ又は深さ１０μｍ程度の凹凸）を有している場合があり、こうした欠陥が存在すると生成される放射線画像に影響する。しかし、本実施形態に係る光学接着層６は、このような厚さを有していることにより、こうした欠陥を覆い隠し、生成される放射線画像が欠陥の影響を受けないようにすることができる。
また、光学接着層６が厚くなりすぎると、生成される放射線画像の鮮鋭性が大きく低下してしまう。しかし、厚さの上限を１００μｍとすることにより、これを防ぐことができる。
また、光学接着層６は、フィラー（アルミナ、シリカ等）と、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂、フェノール樹脂等）のうちの少なくとも一方が混合されたものとするのが好ましい。
これにより、本実施形態に係る光学接着層６は、－２０～６０℃の範囲内における熱膨張率が０．２％以下となる。
放射線撮影装置１００の各部は、撮影を進めるうちに温度が上昇し膨張してくる。このとき、光学接着層６が光電変換パネル３よりも相対的に大きくなると生成される放射線画像に網目状のムラが生じてしまう。しかし、本実施形態に係る光学接着層６は、このように熱膨張率が低くなっているため、生成される放射線画像にムラが生じるのを防ぐことができる。
これにより、本実施形態に係る光学接着層６は、－２０～６０℃の範囲内における熱膨張率が０．２％以下となる。
放射線撮影装置１００の各部は、撮影を進めるうちに温度が上昇し膨張してくる。このとき、光学接着層６が光電変換パネル３よりも相対的に大きくなると生成される放射線画像に網目状のムラが生じてしまう。しかし、本実施形態に係る光学接着層６は、このように熱膨張率が低くなっているため、生成される放射線画像にムラが生じるのを防ぐことができる。
また、上記放射線撮影装置１００に、図６に示したように、防湿層５と少なくとも光電変換パネル３とを接着させる接着材７を備えるようにしてもよい。
接着材７は、防湿層５と少なくとも光電変換パネル３との間において有機材料からなる接着剤である。
接着材７を構成する有機材料としては、アクリル系、ウレタン系、ポリエステル系、スチレン・イソプレン・スチレン・ブロック共重合体、天然ゴム、ブチルゴム、エポキシ等が挙げられる。
接着材７は、上述したような材料で形成されることにより、伸縮性を有することになる。具体的には、下記式（１）満たすせん断弾性率を有する。
せん断弾性率＜防湿層５とシンチレーター基板２（又は光電変換パネル３）との接着力（せん断応力）／４００・・（１）
これにより、光電変換パネル３が撓んだときに防湿層５とシンチレーター基板２又は光電変換パネル３とが剥離しにくくなる。
接着材７は、防湿層５と少なくとも光電変換パネル３との間において有機材料からなる接着剤である。
接着材７を構成する有機材料としては、アクリル系、ウレタン系、ポリエステル系、スチレン・イソプレン・スチレン・ブロック共重合体、天然ゴム、ブチルゴム、エポキシ等が挙げられる。
接着材７は、上述したような材料で形成されることにより、伸縮性を有することになる。具体的には、下記式（１）満たすせん断弾性率を有する。
せん断弾性率＜防湿層５とシンチレーター基板２（又は光電変換パネル３）との接着力（せん断応力）／４００・・（１）
これにより、光電変換パネル３が撓んだときに防湿層５とシンチレーター基板２又は光電変換パネル３とが剥離しにくくなる。
また、接着材７は、表面に凹凸を有するシート状に形成されているのが好ましい。具体的には、表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１．５～２０μｍの範囲内とする。
また、接着材７は、開口部７ａを有しているのが好ましい。具体的には、例えば図７に示すように、格子状又は網状に形成されたものとする。こうすることで、接着材７が変形しやすくなるため、光電変換パネル３が撓んだときに防湿層５とシンチレーター基板２又は光電変換パネル３とが剥離しにくくなる。
また、接着材７は、開口部７ａを有しているのが好ましい。具体的には、例えば図７に示すように、格子状又は網状に形成されたものとする。こうすることで、接着材７が変形しやすくなるため、光電変換パネル３が撓んだときに防湿層５とシンチレーター基板２又は光電変換パネル３とが剥離しにくくなる。
また、上記放射線撮影装置１００に、例えば図８に示すように、防湿層５の端部と光電変換パネル３の表面との間を閉塞する閉塞材８を備えるようにしてもよい。
閉塞材８は、伸縮性及び湿気を通過させない性質を有する樹脂とするのが好ましい。
閉塞材８を形成する樹脂としては、例えば接着材７を構成する樹脂と同じものが挙げられる。
これにより、シンチレーター基板２及び光電変換パネル３がより確実に外気から遮断されるため、蛍光体層２２や光検出素子３２が劣化してしまうのをより一層防ぐことができる。
閉塞材８は、伸縮性及び湿気を通過させない性質を有する樹脂とするのが好ましい。
閉塞材８を形成する樹脂としては、例えば接着材７を構成する樹脂と同じものが挙げられる。
これにより、シンチレーター基板２及び光電変換パネル３がより確実に外気から遮断されるため、蛍光体層２２や光検出素子３２が劣化してしまうのをより一層防ぐことができる。
本実施形態に係る放射線撮影装置１００は、以上説明してきたような構成を有することにより、使用に伴って光電変換パネル３が撓んでも各部（シンチレーター基板２と防湿層５、光電変換パネル３と防湿層５、シンチレーター基板２と光電変換パネル３）の間に皺や剥離が発生しないようにすることができる。
〔放射線撮影装置の製造方法〕
次に、上記放射線撮影装置１００の製造方法について説明する。
次に、上記放射線撮影装置１００の製造方法について説明する。
まず、放射線撮影装置１００を構成する各部を製造する。
シンチレーター基板２は、支持層２１の表面に蛍光体を所定厚さとなるまで真空蒸着することで製造される。蛍光体が所定厚さ蒸着されると蛍光体層２２となる。
光電変換パネル３は、支持基板３１の表面に複数の光検出素子３２を形成することで製造される。光電変換パネル３を製造する際、必要に応じて、素子形成領域３１ｂを素子保護層３３で被覆するようにしてもよい。
なお、防湿層５は、後述する組み立て時の取り扱い性を向上させるため、予め樹脂フィルムにラミネートしておいてもよい。
シンチレーター基板２は、支持層２１の表面に蛍光体を所定厚さとなるまで真空蒸着することで製造される。蛍光体が所定厚さ蒸着されると蛍光体層２２となる。
光電変換パネル３は、支持基板３１の表面に複数の光検出素子３２を形成することで製造される。光電変換パネル３を製造する際、必要に応じて、素子形成領域３１ｂを素子保護層３３で被覆するようにしてもよい。
なお、防湿層５は、後述する組み立て時の取り扱い性を向上させるため、予め樹脂フィルムにラミネートしておいてもよい。
各部を製造した後は、組み立てを行う。この工程は、光電変換パネル３に制御基板４（配線４２）を取り付ける前に行ってもよいし後に行ってもよい。
まず、光電変換パネル３を第一防湿層５１で被覆する。被覆する範囲は、図４に示したように光電変換パネル３における前記素子形成面とは反対側の面３ａだけとしてもよいし、図５に示したようにシンチレーター基板２における光検出素子３２と対向する面とは反対側の面２ａ及びシンチレーター基板２の側面２ｂを更に含めてもよい。
第一防湿層５１における素子形成面３１ａを被覆する部位の形成は、塗布（バーコート、スピンコート等）、スパッタ、真空蒸着等のドライ成膜法を用いて行うのが好ましい。一方、第一防湿層５１における素子形成面３１ａ以外の面を被覆する部位の形成は、シート状の第一防湿層５１をラミネートすることにより行う方法でも良い。
なお、第一防湿層５１として、素子形成領域３１ｂを被覆しない（開口が形成されている）ものを用い、第一防湿層５１で被覆した後に、素子形成領域３１ｂに素子保護層３３を形成してもよい。
まず、光電変換パネル３を第一防湿層５１で被覆する。被覆する範囲は、図４に示したように光電変換パネル３における前記素子形成面とは反対側の面３ａだけとしてもよいし、図５に示したようにシンチレーター基板２における光検出素子３２と対向する面とは反対側の面２ａ及びシンチレーター基板２の側面２ｂを更に含めてもよい。
第一防湿層５１における素子形成面３１ａを被覆する部位の形成は、塗布（バーコート、スピンコート等）、スパッタ、真空蒸着等のドライ成膜法を用いて行うのが好ましい。一方、第一防湿層５１における素子形成面３１ａ以外の面を被覆する部位の形成は、シート状の第一防湿層５１をラミネートすることにより行う方法でも良い。
なお、第一防湿層５１として、素子形成領域３１ｂを被覆しない（開口が形成されている）ものを用い、第一防湿層５１で被覆した後に、素子形成領域３１ｂに素子保護層３３を形成してもよい。
次に、素子形成領域３１ｂの上にシンチレーター基板２を積層し、更にシンチレーター基板２の表面に第二防湿層５２を積層し、加熱圧着可能な装置又は治具（例えばラミネーターや、真空ラミネーター等）を用いてこれらを圧着させる。
圧着は、各部の周囲（装置内）を減圧しながら行う。その際の圧力は約１０００ｈＰａとし、温度は６０～１２０℃とするのが好ましい。こうすることで、防湿層５と、光電変換パネル３及びシンチレーター基板２のうちの少なくとも一方と、に囲まれる領域内の気圧が、大気圧よりも低くなる。
圧着は、各部の周囲（装置内）を減圧しながら行う。その際の圧力は約１０００ｈＰａとし、温度は６０～１２０℃とするのが好ましい。こうすることで、防湿層５と、光電変換パネル３及びシンチレーター基板２のうちの少なくとも一方と、に囲まれる領域内の気圧が、大気圧よりも低くなる。
なお、素子形成領域３１ｂの上にシンチレーター基板２を積層する際に、必要に応じて、素子形成領域３１ｂの表面にシート状の光学接着剤を貼り合わせてからシンチレーター基板２を積層するようにしてもよい。こうすることで、圧着後、光電変換パネル３とシンチレーター基板２との間に光学接着層６が形成され、光電変換パネル３とシンチレーター基板２とが接着される。また、圧着の際、光学接着剤に圧力がかかり光電変換パネル３とシンチレーター基板２との接着力が向上する。
このとき、光学接着剤の厚さを１５～１００μｍの範囲内とすれば、蛍光体層２２の蒸着欠陥（深さ１０μｍ程度）を覆い隠すことができるとともに、貼り合わせる際にシンチレーター基板２又は光電変換パネル３との間に空気が残留するのを防ぐことができる。
このとき、光学接着剤の厚さを１５～１００μｍの範囲内とすれば、蛍光体層２２の蒸着欠陥（深さ１０μｍ程度）を覆い隠すことができるとともに、貼り合わせる際にシンチレーター基板２又は光電変換パネル３との間に空気が残留するのを防ぐことができる。
また、シンチレーター基板２の表面に第二防湿層５２を積層する際に、必要に応じて、シンチレーター基板２の表面及び光電変換パネル３の素子形成面３１ａの周縁部にシート状の接着剤を貼り合わせてから第二防湿層５２を積層するようにしてもよい。こうすることで、圧着後、シンチレーター基板２と第二防湿層５２との間、及び素子形成面３１ａの周縁部と第二防湿層５２との間に接着材７が形成され、シンチレーター基板２及び光電変換パネル３と、第二防湿層５２と、が接着される。また、圧着の際、接着剤に圧力がかかりシンチレーター基板２や光電変換パネル３と第二防湿層５２との接着力が向上する。
また、圧着後、必要に応じて、防湿層５の端部と光電変換パネル３の表面との間を閉塞材８で閉塞するようにしてもよい。
各部を圧着した後は、各部の積層体に制御基板４を取り付け、それを筐体１に格納する。
こうして上記放射線撮影装置１００が製造される。
各部を圧着した後は、各部の積層体に制御基板４を取り付け、それを筐体１に格納する。
こうして上記放射線撮影装置１００が製造される。
＜第二実施形態＞
次に、本発明の第二実施形態について説明する。なお、本実施形態においては、上記第一実施形態と同様の構成に同一の符号を付し、その説明を省略する。
次に、本発明の第二実施形態について説明する。なお、本実施形態においては、上記第一実施形態と同様の構成に同一の符号を付し、その説明を省略する。
上記第一実施形態に係る放射線撮影装置１００は、シンチレーター基板２における光検出素子３２と対向する面とは反対側の面及びシンチレーター基板２の側面を被覆する防湿層５と、光電変換パネル３における素子形成面３１ａとは反対側の面を被覆する防湿層５とが、第一防湿層５１と第二防湿層５２とに分けられていたが、本実施形態に係る放射線撮影装置１００Ａは、例えば図９に示すように、シンチレーター基板２における光検出素子３２と対向する面とは反対側の面、シンチレーター基板２の四つの側面のうちの少なくとも一面、及び光電変換パネル３における素子形成面３１ａとは反対側の面が、一枚の防湿層５Ａで被覆されている。
なお、光電変換パネル３における素子形成面３１ａを、防湿層５Ａとは別の図示しない第三防湿層で被覆するようにしてもよい。
また、光電変換パネル３を、素子保護層３３を有するものとしてもよい。
また、上記放射線撮影装置１００Ａに、光学接着層６、接着材７及び閉塞材８のうちの少なくともいずれかを備えるようにしてもよい。
また、光電変換パネル３を、素子保護層３３を有するものとしてもよい。
また、上記放射線撮影装置１００Ａに、光学接着層６、接着材７及び閉塞材８のうちの少なくともいずれかを備えるようにしてもよい。
また、例えば図１０に示すように、シンチレーター基板２における光検出素子３２と対向する面とは反対側の面、シンチレーター基板２の一つの側面、及び光電変換パネル３における素子形成面３１ａとは反対側の面を被覆した後に光電変換パネル３からはみ出した部位５ａ（図９の手前側又は奥側に位置する部位）を、光電変換パネル３における素子形成面３１ａとは反対側の面が向く方向へ折り曲げることにより、シンチレーター基板２における光検出素子３２と対向する面とは反対側の面、シンチレーター基板２の四つの側面のうちの少なくとも二面、及び光電変換パネル３における素子形成面３１ａとは反対側の面が、一枚の防湿層５で被覆された状態としてもよい。
本実施形態に係る放射線撮影装置１００Ａは、以上説明してきたような構成を有することにより、上記第一実施形態に係る放射線撮影装置１００と同様に、使用に伴って光電変換パネル３が撓んでも各部（シンチレーター基板２と防湿層５、光電変換パネル３と防湿層５、シンチレーター基板２と光電変換パネル３）の間に皺や剥離が発生しないようにすることができる。
以上、本発明を実施形態に基づいて説明してきたが、本発明が上記の各実施形態や各変形例に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜変更可能であることは言うまでもない。
１００，１００Ａ 放射線撮影装置
１ 筐体
１１ 電源スイッチ
１２ 操作スイッチ
１３ インジケーター
１４ コネクター
１５ 放射線入射面 ２ シンチレーター基板
２ａ シンチレーター基板における光検出素子と対向する面とは反対側の面
２ｂ シンチレーター基板の側面
２１ 支持層
２２ 蛍光体層
３ 光電変換パネル
３ａ 光電変換パネルにおける素子形成面とは反対側の面
３ｂ 光電変換パネルの側面
３１ 支持基板
３１ａ 素子形成面
３１ｂ 素子形成領域
３２ 光検出素子
３３ 素子保護層
４ 制御基板
４１ 本体
４２ 配線
５ 防湿層
５１ 第一防湿層
５２ 第二防湿層
５Ａ 防湿層
５ａ 光電変換パネルからはみ出した部位
６ 光学接着層
７ 接着材
７ａ 開口部
８ 閉塞材
９ 空隙
１ 筐体
１１ 電源スイッチ
１２ 操作スイッチ
１３ インジケーター
１４ コネクター
１５ 放射線入射面 ２ シンチレーター基板
２ａ シンチレーター基板における光検出素子と対向する面とは反対側の面
２ｂ シンチレーター基板の側面
２１ 支持層
２２ 蛍光体層
３ 光電変換パネル
３ａ 光電変換パネルにおける素子形成面とは反対側の面
３ｂ 光電変換パネルの側面
３１ 支持基板
３１ａ 素子形成面
３１ｂ 素子形成領域
３２ 光検出素子
３３ 素子保護層
４ 制御基板
４１ 本体
４２ 配線
５ 防湿層
５１ 第一防湿層
５２ 第二防湿層
５Ａ 防湿層
５ａ 光電変換パネルからはみ出した部位
６ 光学接着層
７ 接着材
７ａ 開口部
８ 閉塞材
９ 空隙
Claims (17)
- 受けた放射線の線量に応じた強度で発光し、可撓性を有する板状のシンチレーター基板と、
可撓性を有する支持基板の表面に二次元状に分布するように形成され、受けた光の強度に応じた量の電荷を発生させる複数の光検出素子を有し、前記光検出素子が形成された素子形成面が前記シンチレーター基板の方を向くように配置された可撓性を有する光電変換パネルと、
湿気を通過させない性質を有する材料で形成され、前記シンチレーター基板における前記光検出素子と対向する面とは反対側の面、前記シンチレーター基板の側面、及び前記光電変換パネルにおける前記素子形成面とは反対側の面をそれぞれ被覆する防湿層と、を備え、
前記素子形成面の周縁部は、前記シンチレーター基板と対向しておらず、
前記素子形成面の周縁部の一部に、複数の前記光検出素子と電子部品とを接続する配線の一端が接続されており、
前記防湿層は、前記素子形成面の周縁部における前記配線と接触していない部分を更に被覆しており、
前記防湿層と少なくとも前記光電変換パネルとを接着させる接着材を備え、
前記光電変換パネルは、
複数の前記光検出素子が前記素子形成面の中央部に形成され、
前記素子形成面の中央部を被覆する素子保護層を有しており、
前記防湿層は、
少なくとも前記素子形成面の周縁部を被覆する第一防湿層と、
前記シンチレーター基板における前記光検出素子と対向する面とは反対側の面、及び前記シンチレーター基板の側面を被覆する第二防湿層と、で構成され、
前記第二防湿層の端部は、前記第一防湿層と前記素子保護層とに跨るようにして前記光電変換パネルと接着されていることを特徴とする放射線撮影装置。 - 前記防湿層は、前記素子形成面及び前記光電変換パネルの側面を更に被覆していることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮影装置。
- 前記接着材は、表面に凹凸を有するシート状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮影装置。
- 前記接着材は、伸縮性を有していることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の放射線撮影装置。
- 前記接着材は、開口部を有していることを特徴とする請求項１、３、４のいずれか一項に記載の放射線撮影装置。
- 前記防湿層と、前記光電変換パネル及び前記シンチレーター基板のうちの少なくとも一方と、に囲まれる領域内の気圧が、大気圧よりも低くなっていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の放射線撮影装置。
- 前記防湿層は、導電性を有する材料で形成されるとともに、接地されていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の放射線撮影装置。
- 伸縮性及び湿気を通過させない性質を有する樹脂からなり、前記防湿層の端部と前記光電変換パネルの表面との間を閉塞する閉塞材を備えることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の放射線撮影装置。
- 前記シンチレーター基板の側面、前記素子形成面の周縁部、及び前記防湿層によって囲まれる領域が空隙になっていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の放射線撮影装置。
- 前記空隙の体積は、前記シンチレーター基板の体積の０．５～３％の範囲内となっていることを特徴とする請求項９に記載の放射線撮影装置。
- 前記素子保護層より高く前記シンチレーター基板よりも低い屈折率を有するとともに、前記光電変換パネルと前記シンチレーター基板とを接着する光学接着層を備えることを特徴とする請求項１、３～５のいずれか一項に記載の放射線撮影装置。
- 前記光学接着層の厚さは、１５μｍ以上となっていることを特徴とする請求項１１に記載の放射線撮影装置。
- 前記光学接着層は、－２０～６０℃の範囲内における熱膨張率が０．２％以下となっていることを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載の放射線撮影装置。
- 前記シンチレーター基板は、
板状の支持層と、
前記支持層の表面に形成され、受けた放射線の線量に応じた強度で発光する蛍光体層と、を有し、
前記支持層の熱膨張率及び熱収縮率は、前記支持基板の熱膨張率及び熱収縮率と等しくなっていることを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれか一項に記載の放射線撮影装置。 - 前記光電変換パネル及び前記シンチレーター基板は矩形に形成されており、
前記シンチレーター基板における前記光検出素子と対向する面とは反対側の面、前記シンチレーター基板の四つの側面のうちの少なくとも一面、及び前記光電変換パネルにおける前記素子形成面とは反対側の面が、一枚の前記防湿層で被覆されていることを特徴とする請求項１から請求項１４のいずれか一項に記載の放射線撮影装置。 - 前記シンチレーター基板における前記光検出素子と対向する面とは反対側の面、前記シンチレーター基板の四つの側面のうちの少なくとも二面、及び前記光電変換パネルにおける前記素子形成面とは反対側の面が、一枚の前記防湿層で被覆されていることを特徴とする請求項１５に記載の放射線撮影装置。
- 前記蛍光体層は、全体の厚さが均一になっていることを特徴とする請求項１４に記載の放射線撮影装置。
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2019
- 2019-04-03 JP JP2019071428A patent/JP7268454B2/ja active Active
-
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