JP2017529520A - 周囲を囲む金属バリアを有している基板上に支持されたx線検出器 - Google Patents
周囲を囲む金属バリアを有している基板上に支持されたx線検出器 Download PDFInfo
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 143
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 143
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 claims abstract description 52
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 66
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 39
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 17
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 230000006870 function Effects 0.000 description 16
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 15
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 15
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 11
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 11
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 1
- MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] Chemical compound [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFEADGRFDTTYIM-UHFFFAOYSA-N [Zn+2].[O-2].[In+3].[Si+4] Chemical compound [Zn+2].[O-2].[In+3].[Si+4] ZFEADGRFDTTYIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000003484 anatomy Anatomy 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 239000006121 base glass Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJOLVZJFMDVPGB-UHFFFAOYSA-N perylenediimide Chemical compound C=12C3=CC=C(C(NC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)NC(=O)C4=CC=C3C1=C42 KJOLVZJFMDVPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000015 polydiacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/30—Devices controlled by radiation
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
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- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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Abstract
Description
35 フォトディテクタ
100,200,300,400,510,610,710 X線検出器アセンブリ
110,210,310,410 ポリマー基板(プラスチック基板)
112,152,212,252,312,352,412,452 下面
114,214,314,414 上面
116,136,146,156,236,246,256,336,346,356,436,446,456 縁
118 周辺上縁部分
120,220,320,420 X線検出器
130,230,330,430 TFTアレイ
140,240,340,440 有機フォトダイオード
150,250,350,450 シンチレータ
158,258,358 反射層
160,260 絶縁層
170,280,290,380,390,480,490 金属バリア
172 内面
380,390,480,490 金属箔
382,482 第1の金属箔層
384,484 第1の接着層
388 周辺部分
392,492 第2の金属箔層
394,494 第2の接着層
418 周辺上縁部分
500,600,700 X線システム
501,601,701 物体
520,620,720 X線源
540,640,740 コントローラ(演算ユニット)
542,642,742 マイクロコントローラ
544,644,744 メモリ装置
546,646,746 出力装置
630 演算ユニット
648,748 無線接続
Claims (27)
- 下面(112;212;312;412)および上面(114;214;314;414)を有しているポリマー基板(110;210;310;410)と、
前記基板(110;210;310;410)の前記上面(114;214;314;414)に配置され、前記基板(110;210;310;410)上に配置された薄膜トランジスタアレイ(130;230;330;430)と、前記薄膜トランジスタアレイ(130;230;330;430)上に配置された有機フォトダイオード(140;240;340;440)と、前記有機フォトダイオード(140;240;340;440)上に配置されたシンチレータ(150;250;350;450)とを備えているX線検出器(120;220;320;420)と、
前記シンチレータ(150;250;350;450)の上面(152;252;352;452)を実質的に覆い、前記シンチレータ(150;250;350;450)、前記有機フォトダイオード(140;240;340;440)、および前記薄膜トランジスタアレイ(130;230;330;430)の周囲を延びている縁(156、146、136;256、246、236;356、346、336;456、446、436)を実質的に覆い、前記基板(110;210;310;410)の前記下面(112;212;312;412)を実質的に覆って広がっている金属バリア(170;280、290;380、390;480、490)と
を備えるX線検出器アセンブリ(100;200;300;400)。 - 前記金属バリア(170;280、290;380、390;480、490)は、前記シンチレータ(150;250;350;450)の前記上面(152;252;352;452)の全体、ならびに前記シンチレータ(150;250;350;450)、前記有機フォトダイオード(140;240;340;440)、および前記薄膜トランジスタアレイ(130;230;330;430)の前記周囲を延びている縁(156、146、136;256、246、236;356、346、336;456、446、436)の全体を、連続的に覆って広がっている、請求項1に記載のX線検出器アセンブリ(100;200;300;400)。
- 前記金属バリア(170)は、前記基板(110)上に支持された前記X線検出器(120)の全体を取り囲んで広がる連続的な一枚岩の金属バリア(170)を備える、請求項1に記載のX線検出器アセンブリ(100)。
- 前記金属バリア(170;280、290)は、金属被膜を備える、請求項1に記載のX線検出器アセンブリ(100;200)。
- 前記金属バリア(170;280、290;380、390;480、490)は、少なくとも約1マイクロメートル〜約1ミリメートルの厚さを備える、請求項1に記載のX線検出器アセンブリ(100;200;300;400)。
- 前記金属バリア(170;280、290)は、金属被膜を備え、
当該X線検出器アセンブリ(100;200)は、前記金属バリア(170;280、290)と前記シンチレータ(150;250)の上面との間に配置され、かつ前記金属バリア(170;280、290)と前記シンチレータ(150;250)、前記有機フォトダイオード(140;240)、および前記薄膜トランジスタアレイ(130;230)の側縁との間に配置された絶縁被膜(160;260)をさらに備える、請求項1に記載のX線検出器アセンブリ(100;200)。 - 前記金属バリア(170;280、290)は、前記シンチレータ(150;250)の前記上面(152;252)を覆い、前記シンチレータ(150;250)、有機フォトダイオード(140;240)、およびTFT(130;230)の縁を覆い、前記基板(110;210)の下面を覆って広がる金属被膜を備える、請求項1に記載のX線検出器アセンブリ(100;200)。
- 前記金属バリアは、金属箔(380、390;480、490)を備える、請求項1に記載のX線検出器アセンブリ(300;400)。
- 前記金属バリアは、接着剤で裏打ちされた金属箔(380、390;480、490)を備える、請求項1に記載のX線検出器アセンブリ(300;400)。
- 前記金属バリアは、第1の金属箔層(382;482)および第1の接着層(384;484)と、第2の金属箔層(392;492)および第2の接着層(394;494)とを備える、請求項1に記載のX線検出器アセンブリ(300;400)。
- 前記第1の金属箔層(382)は、前記シンチレータ(350)を覆って広がり、前記第2の金属箔層(392)は、前記基板(310)の下面を覆って広がり、前記第1の金属箔および前記第2の金属箔の周辺部分が、互いに付着させられている、請求項10に記載のX線検出器アセンブリ(300)。
- 前記第1の金属箔層(482)は、前記シンチレータ(450)を覆って広がり、前記基板(410)の上面へと機能可能に付着させられ、前記第2の金属箔層(492)は、前記基板(410)の下面を覆って広がっている、請求項10に記載のX線検出器アセンブリ(400)。
- 前記金属バリア(170;280、290;380、390;480、490)は、おおむね一定の厚さを備える、請求項1に記載のX線検出器アセンブリ(100;200;300;400)。
- 前記金属バリア(170;280、290;380、390;480、490)は、アルミニウム、銀、銅、および/またはこれらの組み合わせを備える、請求項1に記載のX線検出器アセンブリ(100;200;300;400)。
- 前記X線検出器(120)は、可撓である、請求項1に記載のX線検出器アセンブリ(100;200;300;400)。
- 請求項1に記載のX線検出器アセンブリ(510;610;710)と、
X線源(520;620;720)と、
前記X線源(520;620;720)および前記X線検出器を制御するように機能することができるコントローラ(540;640;740)と
を備えるX線システム(500;600;700)。 - 請求項4に記載のX線検出器アセンブリ(510;610;710)と、
X線源(520;620;720)と、
前記X線源(520;620;720)および前記X線検出器を制御するように機能することができるコントローラ(540;640;740)と
を備えるX線システム(500;600;700)。 - 請求項8に記載のX線検出器アセンブリ(510;610;710)と、
X線源(520;620;720)と、
前記X線源(520;620;720)および前記X線検出器を制御するように機能することができるコントローラ(540;640;740)と
を備えるX線システム(500;600;700)。 - X線検出器アセンブリ(100;200;300;400)を製作するための方法(900)であって、
下面(112;212;312;412)および上面(114;214;314;414)を有しているポリマー基板(110;210;310;410)を用意するステップ(910)と、
前記基板(110;210;310;410)の前記上面(114;214;314;414)に配置され、薄膜トランジスタアレイ(130;230;330;430)と、有機フォトダイオード(140;240;340;440)と、シンチレータ(150;250;350;450)とを備えているX線検出器(120;220;320;420)を設けるステップ(920)と、
前記シンチレータ(150;250;350;450)の上面(152;252;352;452)を実質的に覆い、前記シンチレータ(150;250;350;450)、前記有機フォトダイオード(140;240;340;440)、および前記薄膜トランジスタアレイ(130;230;330;430)の周囲を延びている縁(156、146、136;256、246、236;356、346、336;456、446、436)を実質的に覆い、前記基板(110;210;310;410)の前記下面(112;212;312;412)を実質的に覆って広がる酸素および水分に対する障壁をもたらす金属バリア(170;280、290;380、390;480、490)を設けるステップ(930)と
を含む方法(900)。 - 金属バリア(170;280、290;380、390;480、490)を設けるステップ(930)は、前記シンチレータ(150;250;350;450)の前記上面(152;252;352;452)の全体を連続的に覆い、かつ前記シンチレータ(150;250;350;450)、前記有機フォトダイオード(140;240;340;440)、および前記薄膜トランジスタアレイ(130;230;330;430)の前記周囲を延びている縁(156、146、136;256、246、236;356、346、336;456、446、436)の全体を連続的に覆って広がる金属バリアを設けるステップを含む、請求項19に記載の方法(900)。
- 前記金属バリア(170)を設けるステップ(930)は、前記基板(110)上に支持された前記X線検出器(120)の全体を取り囲んで広がる連続的な一枚岩の金属バリア(170)を設けるステップを含む、請求項19に記載の方法(900)。
- 前記金属バリア(170;280、290)を設けるステップ(930)に先立って、前記シンチレータ(150;250)の上面ならびに前記シンチレータ(150;250)、有機フォトダイオード(140;240)、および薄膜トランジスタアレイ(130;230)の側縁に絶縁被膜(160;260)を設けるステップをさらに含む、請求項19に記載の方法(900)。
- 前記金属バリア(170;280、290)を設けるステップ(930)は、物理蒸着、熱蒸発、スパッタリング、または電子ビームによって金属被膜を設けるステップを含む、請求項19に記載の方法(900)。
- 前記金属バリアを設けるステップ(930)は、前記シンチレータ(350;450)の前記上面(352;352)を覆い、前記シンチレータ(350;450)、前記有機フォトダイオード(340;440)、および前記薄膜トランジスタアレイ(330;430)の周囲を延びている縁を覆い、前記基板(310;410)の前記下面(312、412)を覆って実質的に広がる金属箔(380、390;480、490)を付着させるステップを含む、請求項19に記載の方法(900)。
- 前記金属バリアを設けるステップ(930)は、前記X線検出器(320、420)の一部分の周囲に接着層(384;484)を有する第1の金属箔(382;482)を付着させるステップ、および前記X線検出器(320、420)の第2の部分の周囲に第2の接着層(394;494)を有する第2の金属箔(392;492)を付着させるステップを含む、請求項19に記載の方法(900)。
- 前記金属材料は、アルミニウム、銀、銅、またはこれらの組み合わせを備える、請求項19に記載の方法(900)。
- 前記有機フォトダイオード(140;240;340;440)は、ポリマー有機半導体または有機化合物半導体を備える、請求項19に記載の方法(900)。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/340,948 | 2014-07-25 | ||
US14/340,948 US9513380B2 (en) | 2014-07-25 | 2014-07-25 | X-ray detectors supported on a substrate having a surrounding metal barrier |
PCT/US2015/041488 WO2016014637A1 (en) | 2014-07-25 | 2015-07-22 | X-ray detectors supported on a substrate having a surrounding metal barrier |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2017529520A true JP2017529520A (ja) | 2017-10-05 |
JP6814130B2 JP6814130B2 (ja) | 2021-01-13 |
Family
ID=53773563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017504021A Active JP6814130B2 (ja) | 2014-07-25 | 2015-07-22 | X線検出器アセンブリを製作するための方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9513380B2 (ja) |
EP (1) | EP3172593A1 (ja) |
JP (1) | JP6814130B2 (ja) |
KR (1) | KR102480697B1 (ja) |
CN (1) | CN107078152A (ja) |
WO (1) | WO2016014637A1 (ja) |
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- 2015-07-22 WO PCT/US2015/041488 patent/WO2016014637A1/en active Application Filing
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JP7268454B2 (ja) | 2019-04-03 | 2023-05-08 | コニカミノルタ株式会社 | 放射線撮影装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9513380B2 (en) | 2016-12-06 |
KR102480697B1 (ko) | 2022-12-22 |
CN107078152A (zh) | 2017-08-18 |
EP3172593A1 (en) | 2017-05-31 |
KR20170040287A (ko) | 2017-04-12 |
JP6814130B2 (ja) | 2021-01-13 |
WO2016014637A1 (en) | 2016-01-28 |
US20160027847A1 (en) | 2016-01-28 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
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|
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|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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