JP2012177623A - 放射線画像検出装置、及び放射線画像検出装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】放射線画像検出装置1は、放射線露光によって蛍光を発する蛍光物質を含有した蛍光体10と、前記蛍光体の放射線入射側に隣設されて該蛍光体によって支持され、前記蛍光体に生じた蛍光を検出する薄膜型のセンサ部11と、前記センサ部の前記蛍光体側とは反対側の裏面の少なくとも一部を覆い、前記センサ部への湿気の浸潤を抑制する防湿部12と、を備える。
【選択図】図1
Description
(2) 上記(1)の放射線画像検出装置の製造方法であって、前記蛍光体と、前記耐湿部及び前記光検出部がこの順に基板上に設けられたセンサパネルと、を貼り合わせ、前記基板を剥離する放射線画像検出装置の製造方法。
(3) 上記(1)の放射線画像検出装置の製造方法であって、前記蛍光体と、前記光検出部が基板上に設けられたセンサパネルと、を貼り合わせ、前記基板を剥離し、前記基板が剥離されて露呈した前記光検出部の表面に、前記耐湿部を形成する放射線画像検出装置の製造方法。
上述した光電変換素子26の光導電層20(図1参照)としては、例えばアモルファスシリコン等の無機半導体材料が用いられることが多いが、例えば特開2009−32854号公報に記載された有機光電変換(OPC;Organic photoelectric conversion)材料も用いることができる。このOPC材料により形成された膜(以下、OPC膜という)を光導電層20として使用できる。OPC膜は、有機光電変換材料を含み、蛍光体層から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。このように有機光電変換材料を含むOPC膜であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、蛍光体層による発光以外の電磁波がOPC膜に吸収されることがほとんどなく、X線等の放射線がOPC膜で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。
上述したOPC膜に関するその他の構成は、例えば、特開2009−32854号公報の記載が参考となる。
スイッチ素子28の活性層としては、例えばアモルファスシリコン等の無機半導体材料が使われることが多いが、例えば特開2009−212389号公報に記載されたように、有機材料を使用することができる。有機TFTはいかなるタイプの構造でもよいが、最も好ましいのは電界効果型トランジスタ(FET)構造である。このFET構造は、絶縁性基板上面の一部にゲート電極を設け、更に該電極を覆い、かつ電極以外の部分で基板と接するように絶縁体層を設けている。更に絶縁体層の上面に半導体活性層を設け、その上面の一部に透明ソース電極と透明ドレイン電極とを隔離して配置している。なお、この構成はトップコンタクト型素子と呼ばれるが、ソース電極とドレイン電極とが半導体活性層の下部にあるボトムコンタクト型素子も好ましく用いることができる。また、キャリアが有機半導体膜の膜厚方向に流れる縦型トランジスタ構造であってもよい。
ここでいう有機半導体材料とは、半導体の特性を示す有機材料のことであり、無機材料からなる半導体と同様に、正孔(ホール)をキャリアとして伝導するp型有機半導体材料(あるいは単にp型材料、正孔輸送材料とも言う。)と、電子をキャリアとして伝導するn型有機半導体材料(あるいは単にn型材料、電子輸送材料とも言う。)がある。有機半導体材料は一般にp型材料の方が良好な特性を示すものが多く、また、一般に大気下でのトランジスタ動作安定性もp型トランジスタの方が優れているため、ここでは、p型有機半導体材料について説明する。
ゲート電極、ソース電極、又はドレイン電極を構成する材料としては、必要な導電性を有するものであれば特に制限はないが、例えば、ITO(インジウムドープ酸化スズ)、IZO(インジウムドープ酸化亜鉛)、SnO2、ATO(アンチモンドープ酸化スズ)、ZnO、AZO(アルミニウムドープ酸化亜鉛)、GZO(ガリウムドープ酸化亜鉛)、TiO2、FTO(フッ素ドープ酸化スズ)などの透明導電性酸化物、PEDOT/PSS(ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸)などの透明導電性ポリマー、カーボンナノチューブなどの炭素材料が挙げられる。これらの電極材料は、例えば真空蒸着法、スパッタリング、溶液塗布法等の方法で成膜することができる。
上述した有機TFTに関するその他の構成は、例えば、特開2009−212389号公報の記載が参考となる。
上述した非晶質酸化物に関するその他の構成は、例えば、特開2010−186860号公報の記載が参考となる。
シンチレータ10とセンサ部11とを光学的に結合させる樹脂層14としての平坦化層23及び接着層25は、シンチレータ10の蛍光を減衰させることなくセンサ部11に到達させ得るものであれば特に制限はない。平坦化層23としては、ポリイミドやパリレンなどの樹脂を用いることができ、製膜性が良好なポリイミドを用いることが好ましい。接着層25としては、例えば、UV硬化接着剤や加熱硬化型接着剤や室温硬化型接着剤やホットメルト型接着剤などの接着剤、若しくはゴム系粘着剤やシリコン系粘着剤やアクリル系粘着剤などの粘着剤、又はこれらの接着剤や粘着剤が両面に設けられた両面接着/粘着シート、等によって形成することができる。なお、接着剤としては、画像の鮮鋭度を低下させないという観点から、素子サイズに対して十分に薄い接着層を形成し得る低粘度エポキシ樹脂製の接着剤を用いることが好ましい。また、粘着剤としては、光や酸化による劣化が少ないアクリル系粘着剤が好ましい。
(2) 上記(1)の放射線画像検出装置であって、前記防湿部は、前記センサ部の有効撮像領域に重なる前記蛍光体の中央部を覆っている放射線画像検出装置。
(3) 上記(1)又は(2)の放射線画像検出装置であって、前記防湿部は、60keVのX線に対する吸収能に関して、アルミニウム当量1.8mm未満である放射線画像検出装置。
(4) 上記(1)〜(3)のいずれか一つの放射線画像検出装置であって、前記防湿部は、前記センサ部の裏面に接する非透湿層と、前記非透湿層の上に形成された吸湿層と、を含む放射線画像検出装置。
(5) 上記(4)の放射線画像検出装置であって、前記非透湿層は、前記光検出部の前記裏面全体を覆う放射線画像検出装置。
(6) 上記(5)の放射線画像検出装置であって、前記非透湿層は、前記蛍光に対して反射性を有する放射線画像検出装置。
(7) 上記(1)〜(6)のいずれか一つ放射線画像検出装置であって、前記防湿部と前記センサ部との間に空気層が設けられている放射線画像検出装置。
(8) 上記(1)〜(7)のいずれか一つの放射線画像検出装置であって、前記蛍光体と前記センサ部と前記防湿部とが一体化されてなる積層体を収納する筐体を備え、前記積層体は、被検体が載置される前記筐体の天板の裏面に前記防湿部を密接させて設けられており、前記防湿部は、ガラス材料よりも高い熱伝導率を有する放射線画像検出装置。
(9) 上記(1)〜(8)のいずれか一つの放射線画像検出装置であって、前記防湿部は、表面多孔質である放射線画像検出装置。
(10) 上記(1)〜(9)のいずれか一つの放射線画像検出装置であって、前記防湿部は、アルミナ又はシリカゲルによって形成されている放射線画像検出装置。
(11) 上記(1)の放射線画像検出装置の製造方法であって、前記蛍光体と、前記防湿部及び前記センサ部がこの順に基板上に設けられたセンサパネルと、を貼り合わせ、
前記基板を剥離する放射線画像検出装置の製造方法。
(12) 上記(1)の放射線画像検出装置の製造方法であって、前記蛍光体と、前記センサ部が基板上に設けられたセンサパネルと、を貼り合わせ、前記基板を剥離し、前記基板が剥離されて露呈した前記センサ部の表面に、前記防湿部を形成する放射線画像検出装置の製造方法。
(13) 上記(11)又は(12)の放射線画像検出装置の製造方法であって、前記防湿部は、前記センサパネルから剥離された前記基板よりも放射線吸収量が小さい放射線画像検出装置の製造方法。
(14) 上記(13)の放射線画像検出装置の製造方法であって、前記防湿部は、60keVのX線に対する吸収能に関して、アルミニウム当量1.8mm未満である放射線画像検出装置の製造方法。
2 検出部
3 制御部
4 筐体
5 天板
10 シンチレータ(蛍光体)
11 センサ部
12 防湿部
13 支持体
14 樹脂層
15 保護膜
16 接着層
20 光導電層
22 バイアス電極
23 平坦化層
24 電荷収集電極
25 接着層
26 光電変換素子
28 スイッチ素子
30 ゲート線
32 信号線
34 柱状部
35 柱状結晶
36 非柱状部
38 接続端子部
39 接続回路
40 非透湿層
41 吸湿層
Claims (14)
- 放射線露光によって蛍光を発する蛍光物質を含有した蛍光体と、
前記蛍光体の放射線入射側に隣設されて該蛍光体によって支持され、前記蛍光体に生じた蛍光を検出する薄膜型のセンサ部と、
前記センサ部の前記蛍光体側とは反対側の裏面の少なくとも一部を覆い、前記センサ部への湿気の浸潤を抑制する防湿部と、
を備える放射線画像検出装置。 - 請求項1に記載の放射線画像検出装置であって、
前記防湿部は、前記センサ部の有効撮像領域に重なる前記蛍光体の中央部を覆っている放射線画像検出装置。 - 請求項1又は2に記載された放射線画像検出装置であって、
前記防湿部は、60keVのX線に対する吸収能に関して、アルミニウム当量1.8mm未満である放射線画像検出装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
前記防湿部は、前記センサ部の裏面に接する非透湿層と、前記非透湿層の上に形成された吸湿層と、を含む放射線画像検出装置。 - 請求項4に記載の放射線画像検出装置であって、
前記非透湿層は、前記光検出部の前記裏面全体を覆う放射線画像検出装置。 - 請求項5に記載の放射線画像検出装置であって、
前記非透湿層は、前記蛍光に対して反射性を有する放射線画像検出装置。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
前記防湿部と前記センサ部との間に空気層が設けられている放射線画像検出装置。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
前記蛍光体と前記センサ部と前記防湿部とが一体化されてなる積層体を収納する筐体を備え、
前記積層体は、被検体が載置される前記筐体の天板の裏面に前記防湿部を密接させて設けられており、
前記防湿部は、ガラス材料よりも高い熱伝導率を有する放射線画像検出装置。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
前記防湿部は、表面多孔質である放射線画像検出装置。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
前記防湿部は、アルミナ又はシリカゲルによって形成されている放射線画像検出装置。 - 請求項1に記載された放射線画像検出装置の製造方法であって、
前記蛍光体と、前記防湿部及び前記センサ部がこの順に基板上に設けられたセンサパネルと、を貼り合わせ、
前記基板を剥離する放射線画像検出装置の製造方法。 - 請求項1に記載された放射線画像検出装置の製造方法であって、
前記蛍光体と、前記センサ部が基板上に設けられたセンサパネルと、を貼り合わせ、
前記基板を剥離し、
前記基板が剥離されて露呈した前記センサ部の表面に、前記防湿部を形成する放射線画像検出装置の製造方法。 - 請求項11又は請求項12に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、
前記防湿部は、前記センサパネルから剥離された前記基板よりも放射線吸収量が小さい放射線画像検出装置の製造方法。 - 請求項13に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、
前記防湿部は、60keVのX線に対する吸収能に関して、アルミニウム当量1.8mm未満である放射線画像検出装置の製造方法。
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