JP2004266210A - 放射線撮像装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【目的】防湿層形成工程における静電気の問題を解消するとともに、防湿層形成工程の簡略化を図ることができる放射線撮像装置の製造方法の提供。
【構成】少なくとも基板の内側に配置された光センサーと外周部に配置された電極取り出し部と、光センサーを覆った光センサー保護層と、光センサー保護層の外周部を露出し、光センサー保護層上部に形成した蛍光体層を有し、基板ホルダー用い電極取り出し部を覆い、蛍光体保護層を基板／光センサー／光センサー保護層／蛍光体層全周に形成する工程において、表面に離型処理を施した基板ホルダーを使用し、基板ホルダー表面に付着した蛍光体保護層の密着力が、光センサー保護層に密着した蛍光体保護層の密着力より小さくしたことを特徴する。
【選択図】 図１
【構成】少なくとも基板の内側に配置された光センサーと外周部に配置された電極取り出し部と、光センサーを覆った光センサー保護層と、光センサー保護層の外周部を露出し、光センサー保護層上部に形成した蛍光体層を有し、基板ホルダー用い電極取り出し部を覆い、蛍光体保護層を基板／光センサー／光センサー保護層／蛍光体層全周に形成する工程において、表面に離型処理を施した基板ホルダーを使用し、基板ホルダー表面に付着した蛍光体保護層の密着力が、光センサー保護層に密着した蛍光体保護層の密着力より小さくしたことを特徴する。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、放射線撮像装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、医療機業界のデジタル化が加速しており、レントゲン撮影の方式もコンベンショナルなフィルムスクリーン方式からＸ線デジタルラジオグラフィー方式へのパラダイムシフトが進んでいる。
【０００３】
図５（Ａ）は近年開発されたＸ線デジタルラジオグラフィーの断面図である。図中、１０１はガラス基板、１０２はアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴから成る光センサー、１０３はポリイミド等の有機材料から成るセンサー保護層、１０４は電極取り出し部であり、これら１０１〜１０４がセンサーパネル１００である。
【０００４】
又、１０５はＣｓＩ：Ｔｌ等の蛍光体層、１０８はパリレン（ポリパラキシリレン樹脂スリーボンド社製商品名パリレン（以下、パリレンと記述する））等より成る蛍光体保護層、１０９はＡｌやＡｇ等から成る反射・防湿層、１１０はパリレン等から成る反射層保護層である。
【０００５】
更に、１１２はＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）で、光センサーパネル１００の電極取り出し部１０４と接合しており、１１３のアクリル樹脂等で封止されている。
【０００６】
このような構成のＸ線デジタルラジオグラフィーは、図中上部から入射したＸ線が蛍光体層１０５で吸収されて可視光となり、その可視光を光センサー１０２で電気信号に変換される。その電気信号は、電極取り出し部１０４を通り外部システムへ送られてＸ線デジタル画像となる。
【０００７】
現在、このＸ線デジタルラジオグラフィー用の蛍光体層１０５として、ＣｓＩ：Ｔｌ及びＣｓＩ：Ｎａ等のアルカリハライド材料が発光量・解像力の点から主流になっているが、これらは吸湿性材料であるため、防湿対策が必須になる。蛍光体層の防湿に関しては、特開２０００−２８４０５３号公報に開示された技術が知られている。
【０００８】
図５（Ｂ）はこの技術による端部構造を示したものである。この技術によると、パリレン等の有機材料から成る蛍光体保護層１０８、ＡｌやＡｇ等の無機材料から成る反射・防湿層１０９、更にパリレン等の有機材料から成る反射層保護層１１０による３層防湿層９９で蛍光体層全体を覆うことが示されている。
【０００９】
これら３層防湿層９９の各厚さは、蛍光体保護層１０８が１０μｍ、反射・防湿層１０９が１５００Å、反射層保護層１１０が１０μｍであり、計約２０μｍの厚さがある。
【００１０】
一方、センサーパネル１００の電極取り出し部１０４にも３層防湿層９９が形成しており、ＴＣＰを接続するためには除去しなければならい。その際、３層防湿層９９が約２０μｍと厚く剛性が強いため、電極取り出し部１０４の防湿層を剥がそうとすると蛍光体層端部のＢ部９８の防湿層まで剥がしてしまう。そのため、この技術では樹脂枠１０７を設け、この樹脂枠１０７上で蛍光体層１０５側と電極部取り出し側にカッター等の切断刃で分断し、蛍光体層端部の防湿層が剥がれないようにしている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
このような手法により電極取り出し部を露出させると以下のような問題がある。
【００１２】
▲１▼蛍光体保護層１０８を電極取り出し部１０４から剥離・露出した際、剥離帯電により静電気が発生し、それによりセンサーパネル１００が静電気破壊で不良となってしまう。
【００１３】
▲２▼蛍光体保護層１０８を電極取り出し部１０４から剥離し露出した際、電極取り出し部１０４に剥離残渣が残り、ＴＣＰ接続前に洗浄（ＩＰＡ等の有機溶剤での拭き取り）を行わねばならない。
【００１４】
▲３▼樹脂枠１０７は、シリコン等の樹脂材料を用いているため、柔らかく、カッター等で切り込みを入れる際に貫通し、その下の配線を切断することがある。
【００１５】
▲４▼樹脂枠１０７は、切断工程時に必要なもので、Ｘ線デジタルラジオグラフィーの機能上必要なものではない。そのため、工数が増しコスト高になる。
【００１６】
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、防湿層形成工程における静電気の問題を解消するとともに、防湿層形成工程の簡略化を図ることができる放射線撮像装置の製造方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、少なくとも基板の内側に配置された光センサーと外周部に配置された電極取り出し部と、光センサーを覆った光センサー保護層と、光センサー保護層の外周部を露出し、光センサー保護層上部に形成した蛍光体層を有し、基板ホルダー用い電極取り出し部を覆い、蛍光体保護層を基板／光センサー／光センサー保護層／蛍光体層全周に形成する工程において、表面に離型処理を施した基板ホルダーを使用し、基板ホルダー表面に付着した蛍光体保護層の密着力が、光センサー保護層に密着した蛍光体保護層の密着力より小さくしたことを特徴する。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
【００１９】
図４は本発明に係る放射線撮像装置の製造方法を説明する図である。
【００２０】
蛍光体保護層１０８、反射・防湿層１０９及び反射層保護層１１０を形成する際、基板ホルダー１１４を使用する。これらを形成する前に基板ホルダー１１４にセンサーパネル１１０を嵌め込み、形成後、基板ホルダー１１４上で蛍光体保護層１０８等の切断を行う。
【００２１】
この基板ホルダー１１４には、以下の機能がある。
【００２２】
▲１▼基板ホルダー１１４表面に離型処理１１６が施されている、若しくは基板ホルダー１１４の材質に離型材料が用いられている。
【００２３】
このような基板ホルダー１１４を用いることにより、蛍光体層端部のＢ部９８と基板ホルダー１１４のＡ部９７で蛍光体保護層１０８の密着力に差が生じ、密着力がＡ部９７＜Ｂ部９８の関係になる。
【００２４】
このように蛍光体保護層１０８の密着力に差を付けることにより、基板ホルダー１１４を外す際、蛍光体層端部のＢ部９８に着いた蛍光体保護層１０８は剥がれず、基板ホルダー１１４のＡ部９７の蛍光体保護層１０８のみが剥がれる。その際、Ａ部９７の密着力が９０度剥離強さ（ＪＩＳＺ１５２８）で２００ｇ以下が望ましい。
【００２５】
又、離型処理剤としては、熱硬化型、紫外線硬化型、電子線硬化型等のシリコーン系離型剤やフッ素系離型剤、或は長鎖アルキル系離型剤（一般的に、炭素数１２以上の長鎖アルキルアクリレートの重合物や長鎖アルキルアクリレートと他のビニルモノマーとの共重合物、或はポリビニルアルコールに長鎖アルキルイソシアネート等の長鎖アルキル成分を反応させて得られる反応物を言う）等を使用することができる。
【００２６】
▲２▼基板ホルダー１１４の内側側面に傾斜がついており、切断・剥離後に残る蛍光体保護層１０８の長さが短くできる（基板ホルダーＡ部の長さ）。この蛍光体保護層１０８の残りが長いと、電極取り出し部１０４にはみ出してしまい、ＴＣＰが接続できなくなる。更に、傾斜を付けることにより、切断作業も容易できる。その際、傾斜角度１１９がセンサーパネルに対して４５°以下が切り易い。
【００２７】
▲３▼傾斜面に切り込み溝１１５が設けてある。これにより、切断時の切断刃のズレがなくなる。又、基板ホルダー１１４を金属製等の切断刃が貫通しない材料にすれば、貫通による配線のキズもつかない。
【００２８】
▲４▼基板ホルダー１１４でマスクすることにより、蛍光体保護層１０８が電極取り出し部１０４には形成されないので、蛍光体保護層の剥離による残渣もなくなる。そのため、ＴＣＰ接続前に電極取り出し部１０４を清掃する必要もない。又、剥離位置も電極取り出し部１０４より内側で、且つ、剥離長さが短いため、帯電の発生もなく、静電気破壊も起こらない。
【００２９】
［実施例１］
図１（Ａ）〜（Ｅ）本発明の実施例１を示す図である。
【００３０】
図１（Ａ）に示すように、センサーパネル１００は、従来例と同様、ガラス基板１０１に光センサー１０２及び電極取り出し部１０４を形成し、センサー保護層１０３を形成したものであり、更に光センサー上に蛍光体層としてＣｓＩ：Ｔｌ１１８を形成している。ＣｓＩ：１１８はマスク形成し、光センサー１０２を覆うように形成する。
【００３１】
次に、蛍光体保護層としてパリレンを形成するが、基板ホルダー１１４を使用する。
【００３２】
基板ホルダー１１４の表面はシリコン系離型剤を塗布し離型処理１１６が施してあり、パリレンが容易の剥がれるようにしており、基板ホルダー１１４とパリレンの密着力は、９０度剥離強さで１００ｇｆである。又、基板ホルダー１１４の内面側は、図１（Ａ）のように４５°の傾斜１１９を設けており、切り込みが容易な構造になっている。更に、切り込み溝１１５が深さ２ｍｍ設けているので、切り込みを入れる際の手振れによるセンサーパネル１００にキズを付けることはない。
【００３３】
図１（Ｂ）に示すように、この基板ホルダー１１４でセンサーパネル１００を固定し、蛍光体保護層としてパリレン１２０をＣＶＤで１０μｍ、反射・防湿層としてＡｌ１２１をスパッタで１５００Å、反射層保護層としてパリレン１２２を１０μｍ形成する。
【００３４】
これらのパリレン１２０／Ａｌ１２１／パリレン１２２を形成後、切り込み溝１１５からカッター１１７で切断し、パリレン１２０／Ａｌ１２１／パリレン１２２をＣｓＩ：Ｔｌ１１８側と電極取り出し部１０４側とに分断する。
【００３５】
図１（Ｃ）に示すように、分断の後、ＣｓＩ：Ｔｌ１１８側のパリレン１２０／Ａｌ１２１／パリレン１２２は残して置き、センサーパネル１００から基板ホルダー１１４を外す。
【００３６】
図１（Ｄ）に示すように、基板ホルダー１１４を外し、電極取り出し部１０４にＴＣＰ１１２を接続する。
【００３７】
次に、切り込みを入れ切断したパリレン１２０／Ａｌ１２１／パリレン１２２のエッジとＴＣＰ１１２のエッジが両方重なるようにアクリル系樹脂で封止１１３を行う。このように封止することにより、パリレン１２０／Ａｌ１２１／パリレン１２２のエッジから浸透する防湿対策及び剥がれの防止になり、又、ＴＣＰ１１２の剥がれも防止できる。
【００３８】
［実施例２］
図２は本発明の実施例２を示す図である。
【００３９】
実施例２は実施例１と同様であるが、基板ホルダー１１４の傾斜部には、溝を設けないで、切断刃１２５が垂直に基板ホルダーに当るよう治具で固定して切断を行っている。
【００４０】
［実施例３］
実施例３も実施例１と同様であるが、基板ホルダーの内側の傾斜角度を３０°と実施例１と比べてより小さくしている。このように角度をより小さくすることにより、切り込みを容易に入れることができる。
【００４１】
［実施例４］
実施例４は実施例１と構成は同様である、実施例４では基板ホルダーの材質にテフロンを使用し、パリレンと基板ホルダーの密着力を９０度剥離強さで５０ｇｆにした。
【００４２】
［実施例５］
図３は本発明の実施例５の説明図である。
【００４３】
実施例５では、蛍光体保護層及び反射層保護層を形成する際、電極取り出し部への回り込みを無くすために基板ホルダー１１４とセンサーパネル１００の間にマスキングテープ１２３を貼る。
【００４４】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、基板ホルダーを用い、蛍光体保護層を形成することにより、
▲１▼樹脂枠の形成が不要になるため、工数が削減できる。
【００４５】
▲２▼剥離帯電によるセンサーパネルの静電気破壊が無くなる。
【００４６】
▲３▼蛍光体保護層の切断が容易になる。
【００４７】
▲４▼蛍光体保護層剥離後の電極取り出し部の清掃が不要になる。
という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１の説明図である。
【図２】本発明の実施例２の説明図である。
【図３】本発明の実施例５の説明図である。
【図４】本発明に係る放射線撮像装置の製造方法を説明する図である。
【図５】従来例を説明する図である。
【符号の説明】
９７ 基板ホルダーＡ部
９８ 蛍光体層端部Ｂ部
９９ ３層防湿層
１０１ ガラス基板
１０２ 光センサー
１０３ センサー保護層
１０４ 電極取り出し部
１０５ 蛍光体層
１０６ マスキングテープ
１０７ 樹脂枠
１０８ パリレン等から成る蛍光体保護層
１０９ Ａｌ等から成る反射・防湿層
１１０ パリレン等から成る反射層保護層
１１１ 切り込み
１１２ ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）
１１３ アクリル系樹脂等から成る封止
１１４ 基板ホルダー
１１５ 切り込み溝
１１６ 離型処理
１１７ カッターによる切り込み
１１８ ＣｓＩ：Ｔｌ（ヨウ化セシウム：タリウム）
１１９ 基板ホルダー内側の傾斜角度
１２０ パリレン
１２１ Ａｌ
１２２ パリレン
１２３ マスキングテープ
１２４ 距離Ａ蛍光体保護層剥離後の残り長さ
１２５ 切断刃
【発明の属する技術分野】
本発明は、放射線撮像装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、医療機業界のデジタル化が加速しており、レントゲン撮影の方式もコンベンショナルなフィルムスクリーン方式からＸ線デジタルラジオグラフィー方式へのパラダイムシフトが進んでいる。
【０００３】
図５（Ａ）は近年開発されたＸ線デジタルラジオグラフィーの断面図である。図中、１０１はガラス基板、１０２はアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴから成る光センサー、１０３はポリイミド等の有機材料から成るセンサー保護層、１０４は電極取り出し部であり、これら１０１〜１０４がセンサーパネル１００である。
【０００４】
又、１０５はＣｓＩ：Ｔｌ等の蛍光体層、１０８はパリレン（ポリパラキシリレン樹脂スリーボンド社製商品名パリレン（以下、パリレンと記述する））等より成る蛍光体保護層、１０９はＡｌやＡｇ等から成る反射・防湿層、１１０はパリレン等から成る反射層保護層である。
【０００５】
更に、１１２はＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）で、光センサーパネル１００の電極取り出し部１０４と接合しており、１１３のアクリル樹脂等で封止されている。
【０００６】
このような構成のＸ線デジタルラジオグラフィーは、図中上部から入射したＸ線が蛍光体層１０５で吸収されて可視光となり、その可視光を光センサー１０２で電気信号に変換される。その電気信号は、電極取り出し部１０４を通り外部システムへ送られてＸ線デジタル画像となる。
【０００７】
現在、このＸ線デジタルラジオグラフィー用の蛍光体層１０５として、ＣｓＩ：Ｔｌ及びＣｓＩ：Ｎａ等のアルカリハライド材料が発光量・解像力の点から主流になっているが、これらは吸湿性材料であるため、防湿対策が必須になる。蛍光体層の防湿に関しては、特開２０００−２８４０５３号公報に開示された技術が知られている。
【０００８】
図５（Ｂ）はこの技術による端部構造を示したものである。この技術によると、パリレン等の有機材料から成る蛍光体保護層１０８、ＡｌやＡｇ等の無機材料から成る反射・防湿層１０９、更にパリレン等の有機材料から成る反射層保護層１１０による３層防湿層９９で蛍光体層全体を覆うことが示されている。
【０００９】
これら３層防湿層９９の各厚さは、蛍光体保護層１０８が１０μｍ、反射・防湿層１０９が１５００Å、反射層保護層１１０が１０μｍであり、計約２０μｍの厚さがある。
【００１０】
一方、センサーパネル１００の電極取り出し部１０４にも３層防湿層９９が形成しており、ＴＣＰを接続するためには除去しなければならい。その際、３層防湿層９９が約２０μｍと厚く剛性が強いため、電極取り出し部１０４の防湿層を剥がそうとすると蛍光体層端部のＢ部９８の防湿層まで剥がしてしまう。そのため、この技術では樹脂枠１０７を設け、この樹脂枠１０７上で蛍光体層１０５側と電極部取り出し側にカッター等の切断刃で分断し、蛍光体層端部の防湿層が剥がれないようにしている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
このような手法により電極取り出し部を露出させると以下のような問題がある。
【００１２】
▲１▼蛍光体保護層１０８を電極取り出し部１０４から剥離・露出した際、剥離帯電により静電気が発生し、それによりセンサーパネル１００が静電気破壊で不良となってしまう。
【００１３】
▲２▼蛍光体保護層１０８を電極取り出し部１０４から剥離し露出した際、電極取り出し部１０４に剥離残渣が残り、ＴＣＰ接続前に洗浄（ＩＰＡ等の有機溶剤での拭き取り）を行わねばならない。
【００１４】
▲３▼樹脂枠１０７は、シリコン等の樹脂材料を用いているため、柔らかく、カッター等で切り込みを入れる際に貫通し、その下の配線を切断することがある。
【００１５】
▲４▼樹脂枠１０７は、切断工程時に必要なもので、Ｘ線デジタルラジオグラフィーの機能上必要なものではない。そのため、工数が増しコスト高になる。
【００１６】
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、防湿層形成工程における静電気の問題を解消するとともに、防湿層形成工程の簡略化を図ることができる放射線撮像装置の製造方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、少なくとも基板の内側に配置された光センサーと外周部に配置された電極取り出し部と、光センサーを覆った光センサー保護層と、光センサー保護層の外周部を露出し、光センサー保護層上部に形成した蛍光体層を有し、基板ホルダー用い電極取り出し部を覆い、蛍光体保護層を基板／光センサー／光センサー保護層／蛍光体層全周に形成する工程において、表面に離型処理を施した基板ホルダーを使用し、基板ホルダー表面に付着した蛍光体保護層の密着力が、光センサー保護層に密着した蛍光体保護層の密着力より小さくしたことを特徴する。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
【００１９】
図４は本発明に係る放射線撮像装置の製造方法を説明する図である。
【００２０】
蛍光体保護層１０８、反射・防湿層１０９及び反射層保護層１１０を形成する際、基板ホルダー１１４を使用する。これらを形成する前に基板ホルダー１１４にセンサーパネル１１０を嵌め込み、形成後、基板ホルダー１１４上で蛍光体保護層１０８等の切断を行う。
【００２１】
この基板ホルダー１１４には、以下の機能がある。
【００２２】
▲１▼基板ホルダー１１４表面に離型処理１１６が施されている、若しくは基板ホルダー１１４の材質に離型材料が用いられている。
【００２３】
このような基板ホルダー１１４を用いることにより、蛍光体層端部のＢ部９８と基板ホルダー１１４のＡ部９７で蛍光体保護層１０８の密着力に差が生じ、密着力がＡ部９７＜Ｂ部９８の関係になる。
【００２４】
このように蛍光体保護層１０８の密着力に差を付けることにより、基板ホルダー１１４を外す際、蛍光体層端部のＢ部９８に着いた蛍光体保護層１０８は剥がれず、基板ホルダー１１４のＡ部９７の蛍光体保護層１０８のみが剥がれる。その際、Ａ部９７の密着力が９０度剥離強さ（ＪＩＳＺ１５２８）で２００ｇ以下が望ましい。
【００２５】
又、離型処理剤としては、熱硬化型、紫外線硬化型、電子線硬化型等のシリコーン系離型剤やフッ素系離型剤、或は長鎖アルキル系離型剤（一般的に、炭素数１２以上の長鎖アルキルアクリレートの重合物や長鎖アルキルアクリレートと他のビニルモノマーとの共重合物、或はポリビニルアルコールに長鎖アルキルイソシアネート等の長鎖アルキル成分を反応させて得られる反応物を言う）等を使用することができる。
【００２６】
▲２▼基板ホルダー１１４の内側側面に傾斜がついており、切断・剥離後に残る蛍光体保護層１０８の長さが短くできる（基板ホルダーＡ部の長さ）。この蛍光体保護層１０８の残りが長いと、電極取り出し部１０４にはみ出してしまい、ＴＣＰが接続できなくなる。更に、傾斜を付けることにより、切断作業も容易できる。その際、傾斜角度１１９がセンサーパネルに対して４５°以下が切り易い。
【００２７】
▲３▼傾斜面に切り込み溝１１５が設けてある。これにより、切断時の切断刃のズレがなくなる。又、基板ホルダー１１４を金属製等の切断刃が貫通しない材料にすれば、貫通による配線のキズもつかない。
【００２８】
▲４▼基板ホルダー１１４でマスクすることにより、蛍光体保護層１０８が電極取り出し部１０４には形成されないので、蛍光体保護層の剥離による残渣もなくなる。そのため、ＴＣＰ接続前に電極取り出し部１０４を清掃する必要もない。又、剥離位置も電極取り出し部１０４より内側で、且つ、剥離長さが短いため、帯電の発生もなく、静電気破壊も起こらない。
【００２９】
［実施例１］
図１（Ａ）〜（Ｅ）本発明の実施例１を示す図である。
【００３０】
図１（Ａ）に示すように、センサーパネル１００は、従来例と同様、ガラス基板１０１に光センサー１０２及び電極取り出し部１０４を形成し、センサー保護層１０３を形成したものであり、更に光センサー上に蛍光体層としてＣｓＩ：Ｔｌ１１８を形成している。ＣｓＩ：１１８はマスク形成し、光センサー１０２を覆うように形成する。
【００３１】
次に、蛍光体保護層としてパリレンを形成するが、基板ホルダー１１４を使用する。
【００３２】
基板ホルダー１１４の表面はシリコン系離型剤を塗布し離型処理１１６が施してあり、パリレンが容易の剥がれるようにしており、基板ホルダー１１４とパリレンの密着力は、９０度剥離強さで１００ｇｆである。又、基板ホルダー１１４の内面側は、図１（Ａ）のように４５°の傾斜１１９を設けており、切り込みが容易な構造になっている。更に、切り込み溝１１５が深さ２ｍｍ設けているので、切り込みを入れる際の手振れによるセンサーパネル１００にキズを付けることはない。
【００３３】
図１（Ｂ）に示すように、この基板ホルダー１１４でセンサーパネル１００を固定し、蛍光体保護層としてパリレン１２０をＣＶＤで１０μｍ、反射・防湿層としてＡｌ１２１をスパッタで１５００Å、反射層保護層としてパリレン１２２を１０μｍ形成する。
【００３４】
これらのパリレン１２０／Ａｌ１２１／パリレン１２２を形成後、切り込み溝１１５からカッター１１７で切断し、パリレン１２０／Ａｌ１２１／パリレン１２２をＣｓＩ：Ｔｌ１１８側と電極取り出し部１０４側とに分断する。
【００３５】
図１（Ｃ）に示すように、分断の後、ＣｓＩ：Ｔｌ１１８側のパリレン１２０／Ａｌ１２１／パリレン１２２は残して置き、センサーパネル１００から基板ホルダー１１４を外す。
【００３６】
図１（Ｄ）に示すように、基板ホルダー１１４を外し、電極取り出し部１０４にＴＣＰ１１２を接続する。
【００３７】
次に、切り込みを入れ切断したパリレン１２０／Ａｌ１２１／パリレン１２２のエッジとＴＣＰ１１２のエッジが両方重なるようにアクリル系樹脂で封止１１３を行う。このように封止することにより、パリレン１２０／Ａｌ１２１／パリレン１２２のエッジから浸透する防湿対策及び剥がれの防止になり、又、ＴＣＰ１１２の剥がれも防止できる。
【００３８】
［実施例２］
図２は本発明の実施例２を示す図である。
【００３９】
実施例２は実施例１と同様であるが、基板ホルダー１１４の傾斜部には、溝を設けないで、切断刃１２５が垂直に基板ホルダーに当るよう治具で固定して切断を行っている。
【００４０】
［実施例３］
実施例３も実施例１と同様であるが、基板ホルダーの内側の傾斜角度を３０°と実施例１と比べてより小さくしている。このように角度をより小さくすることにより、切り込みを容易に入れることができる。
【００４１】
［実施例４］
実施例４は実施例１と構成は同様である、実施例４では基板ホルダーの材質にテフロンを使用し、パリレンと基板ホルダーの密着力を９０度剥離強さで５０ｇｆにした。
【００４２】
［実施例５］
図３は本発明の実施例５の説明図である。
【００４３】
実施例５では、蛍光体保護層及び反射層保護層を形成する際、電極取り出し部への回り込みを無くすために基板ホルダー１１４とセンサーパネル１００の間にマスキングテープ１２３を貼る。
【００４４】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、基板ホルダーを用い、蛍光体保護層を形成することにより、
▲１▼樹脂枠の形成が不要になるため、工数が削減できる。
【００４５】
▲２▼剥離帯電によるセンサーパネルの静電気破壊が無くなる。
【００４６】
▲３▼蛍光体保護層の切断が容易になる。
【００４７】
▲４▼蛍光体保護層剥離後の電極取り出し部の清掃が不要になる。
という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１の説明図である。
【図２】本発明の実施例２の説明図である。
【図３】本発明の実施例５の説明図である。
【図４】本発明に係る放射線撮像装置の製造方法を説明する図である。
【図５】従来例を説明する図である。
【符号の説明】
９７ 基板ホルダーＡ部
９８ 蛍光体層端部Ｂ部
９９ ３層防湿層
１０１ ガラス基板
１０２ 光センサー
１０３ センサー保護層
１０４ 電極取り出し部
１０５ 蛍光体層
１０６ マスキングテープ
１０７ 樹脂枠
１０８ パリレン等から成る蛍光体保護層
１０９ Ａｌ等から成る反射・防湿層
１１０ パリレン等から成る反射層保護層
１１１ 切り込み
１１２ ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）
１１３ アクリル系樹脂等から成る封止
１１４ 基板ホルダー
１１５ 切り込み溝
１１６ 離型処理
１１７ カッターによる切り込み
１１８ ＣｓＩ：Ｔｌ（ヨウ化セシウム：タリウム）
１１９ 基板ホルダー内側の傾斜角度
１２０ パリレン
１２１ Ａｌ
１２２ パリレン
１２３ マスキングテープ
１２４ 距離Ａ蛍光体保護層剥離後の残り長さ
１２５ 切断刃
Claims (4)
- 少なくとも基板の内側に配置された光センサーと外周部に配置された電極取り出し部と、光センサーを覆った光センサー保護層と、光センサー保護層の外周部を露出し、光センサー保護層上部に形成した蛍光体層を有し、基板ホルダー用い電極取り出し部を覆い、蛍光体保護層を基板／光センサー／光センサー保護層／蛍光体層全周に形成する工程において、
表面に離型処理を施した基板ホルダーを使用し、基板ホルダー表面に付着した蛍光体保護層の密着力が、光センサー保護層に密着した蛍光体保護層の密着力より小さくしたことを特徴する放射線撮像装置の製造方法。 - 基板ホルダー表面に、シリコーン系離型剤やフッ素系離型剤で離型処理を施した基板ホルダーを使用し、蛍光体保護層を形成することを特徴とする請求項１記載の放射線撮像装置の製造方法。
- 基板ホルダー内側側面と光センサー面の成す角度が１５°以内に傾斜している基板ホルダーを使用し、蛍光体保護層を形成することを特徴とする請求項１記載の放射線撮像装置の製造方法。
- 基板ホルダーに付着した蛍光体保護層に切り込みを入れるための切り込み溝がある基板ホルダーを使用し、蛍光体保護層を形成することを特徴とする請求項１記載の放射線撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003057109A JP2004266210A (ja) | 2003-03-04 | 2003-03-04 | 放射線撮像装置の製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2003057109A JP2004266210A (ja) | 2003-03-04 | 2003-03-04 | 放射線撮像装置の製造方法 |
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|---|---|
| JP2004266210A true JP2004266210A (ja) | 2004-09-24 |
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| JP2003057109A Withdrawn JP2004266210A (ja) | 2003-03-04 | 2003-03-04 | 放射線撮像装置の製造方法 |
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| JP (1) | JP2004266210A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012177623A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出装置、及び放射線画像検出装置の製造方法 |
-
2003
- 2003-03-04 JP JP2003057109A patent/JP2004266210A/ja not_active Withdrawn
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