JP4289913B2 - 放射線検出装置及びその製造方法 - Google Patents
放射線検出装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4289913B2 JP4289913B2 JP2003066728A JP2003066728A JP4289913B2 JP 4289913 B2 JP4289913 B2 JP 4289913B2 JP 2003066728 A JP2003066728 A JP 2003066728A JP 2003066728 A JP2003066728 A JP 2003066728A JP 4289913 B2 JP4289913 B2 JP 4289913B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- protective layer
- radiation detection
- sensor panel
- phosphor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 85
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 80
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 139
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 99
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 91
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 91
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 68
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 54
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 4
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 80
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 15
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 11
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 2
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 241000238557 Decapoda Species 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000219793 Trifolium Species 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- UHHXUPJJDHEMGX-UHFFFAOYSA-K azanium;manganese(3+);phosphonato phosphate Chemical compound [NH4+].[Mn+3].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O UHHXUPJJDHEMGX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [Cd]=S CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- PPSZHCXTGRHULJ-UHFFFAOYSA-N dioxazine Chemical compound O1ON=CC=C1 PPSZHCXTGRHULJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009820 dry lamination Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019239 indanthrene blue RS Nutrition 0.000 description 1
- UHOKSCJSTAHBSO-UHFFFAOYSA-N indanthrone blue Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=C4NC5=C6C(=O)C7=CC=CC=C7C(=O)C6=CC=C5NC4=C3C(=O)C2=C1 UHOKSCJSTAHBSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- PXZQEOJJUGGUIB-UHFFFAOYSA-N isoindolin-1-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NCC2=C1 PXZQEOJJUGGUIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001005 nitro dye Substances 0.000 description 1
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N quinoline yellow Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C3C(C4=CC=CC=C4C3=O)=O)=CC=C21 IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/244—Auxiliary details, e.g. casings, cooling, damping or insulation against damage by, e.g. heat, pressure or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、医療診断機器、非破壊検査機器等に用いられる放射線を電気信号として検出する放射線検出装置、及びその製造方法に関する。
【０００２】
なお、本明細書では、Ｘ線、α線、β線、γ線等の電磁波も、放射線に含まれるものとして説明する。
【０００３】
【従来の技術】
従来、Ｘ線蛍光体が内部に備えられた蛍光スクリーンと両面塗布感剤とを有するＸ線フィルムシステムが一般的にＸ線写真撮影に使用されてきた。しかし、最近、Ｘ線蛍光体層と２次元センサパネルとを有するディジタル放射線検出装置の画像特性が良好であること、データがディジタルデータであるためネットワーク化したコンピュータシステムに取り込むことによってデータの共有化が図れる利点があることから、ディジタル放射線検出装置について盛んに研究開発が行われ、種々の特許出願もされている。
【０００４】
これらディジタル放射線検出装置の中でも、高感度で高鮮鋭な装置として、下記特許文献１に開示されているように、放射線を透過する基板上に蛍光体層を設けてなる放射線検出用シンチレータと、透光性支持基板上に複数の光電変換素子及び光電変換素子間隙にＴＦＴ等の電気素子が配置されているセンサパネルとを貼り合わせて一体化した放射線検出装置が知られている。
【０００５】
前記従来例においては、光電変換素子が配列されている透光性支持基板の表側には蛍光体が、また、透光性支持基板の裏面には光吸収層が積層されている。さらに、光吸収層が設けられた面は接着剤を介して基台に貼り合わされている。
【０００６】
上記従来例で開示されているセンサパネルの透光性支持基板裏面の光吸収層は、反射防止層と遮光機能を目的とするもので、蛍光体層で発光した光のような受光すべき光が光電変換部以外の透光性支持基板の裏面や基板端部で反射して受光される問題を解決するものである。そして、該層を設ける方法としては、透光性支持基板に直接樹脂を塗布・印刷工程によって形成するものである。
【０００７】
【特許文献１】
特開平９−２９８２８７号公報
【特許文献２】
特開２０００−９８４５号公報
【発明が解決しようとする課題】
従来例においては、工程中また、長期耐久性試験による加速試験において、以下のような問題が発生した。
【０００８】
（１）工程中の熱履歴や耐久中に、各構成層が熱により変位を生じるが、この変位によって反りが発生し、蛍光体や各構成層間で内部に応力が加わり、応力の弱い層が内部応力によって、破壊したり剥がれたりする問題があった。
【０００９】
（２）工程中の熱履歴により、各構成層が熱により変位を生じるが、この変位によって、従来では、光電変換素子の配列されたセンサパネルの表面側に多くの層が構成されているため、センサパネルに反りが発生していた。この反りのため、パネル上の電極引き出しパッド部に、圧着端子を装着して電気配線接続をする場合に、設置位置不良や、接続不良等の問題が発生する場合があった。また、加速耐久中のセンサパネル反り応力により、接続部が破損し接続不良が発生する場合があった。
【００１０】
（３）センサパネルは、ハンドリング中に運搬用ホルダーに載せて流動されるが、支持基板裏面が運搬用ホルダー面に接触した場合に、従来の材料に置いては光吸収層が機械的摩擦により擦れて傷ついたり、剥がれたりして、この欠陥部の遮光及び遮光が不十分となったため、画像欠陥が増加した。
【００１１】
これまでに開示された従来例には、積層後の応力を考慮して、パネル裏面側の構成材料及び積層手法を開示しているものはない。
【００１２】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、その目的とするところは、支持基板の一方の面に複数の光電変換素子が形成されているセンサパネルの光電変換素子が形成された面側に保護層が、他方の面側に反り矯正層が積層され、かつ、前記保護層及び反り矯正層は、共に延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムから成り、両樹脂フィルムの延伸又は押し出し方向が同方向となるように貼り合わされていることによって、熱変位によって引き起こされる反りを矯正し、各構成層の剥がれ及び破壊を防止して、高信頼性の放射線検出装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上述の課題は、本発明の放射線検出装置、及びその製造方法により解決できる。
【００１４】
すなわち、本発明の放射線検出装置は、支持基板の一方の面に複数の光電変換素子が形成されているセンサパネルを有する放射線検出装置において、前記センサパネルの光電変換素子が形成された面側に保護層が、前記センサパネルの他方の面側に反り矯正層が積層され、かつ、前記保護層及び反り矯正層は、共に延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムから成り、両樹脂フィルムの延伸又は押し出し方向が同方向となるように貼り合わされていることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の放射線検出装置の製造方法は、ガラス基板上に光電変換素子を形成し、その上に第一、第二のパネル保護層を形成し、センサパネルを作成する工程と、蛍光体保護層としてシートロール状のＰＥＴ樹脂フィルムに樹脂バインダーに分散された蛍光体粒子を塗布法によって蛍光体層を形成してシンチレータパネルを作成する工程と、得られたシンチレータパネルの蛍光体層側を前記センサパネル上に接着層を介して貼り合わせる工程と、前記シンチレータパネルの蛍光体保護層である樹脂フィルム上に防湿保護層の樹脂フィルムを、両者の延伸方向が同方向になるように貼り合わせる工程と、前記センサパネルの光電変換素子が形成されていない面側に反り矯正層を、前記防湿保護層及び反り矯正層の樹脂フィルムの延伸方向が同方向になるように接着層を介して貼り付ける工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
さらに、本発明の放射線検出装置の製造方法は、ガラス基板上に光電変換素子を形成し、その上に第一、第二のパネル保護層を形成し、センサパネルを作成する工程と、センサパネル上にアルカリハライドより成る柱状結晶化した蛍光体層を蒸着法によって形成し、その上に反射層を形成する工程と、前記反射層上に防湿保護層を貼り合わせ、端部を封止する工程と、前記センサパネルの光電変換素子が形成されていない面側に反り矯正層を、前記防湿保護層及び反り矯正層の樹脂フィルムの延伸方向が同方向になるように接着層を介して貼り付ける工程とを有することを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
［実施形態１］
図１は、本発明の実施形態１の放射線検出装置における放射線検出パネルの構成を示す断面図である。
【００１９】
図１において、４１０は放射線検出パネルの全体を示しており、１０１はガラス基板（支持基板）、１０２はアモルファスシリコンを用いたフォトセンサである光電変換素子とＴＦＴから成る光電変換素子部、１０３は配線部、１０４は電極取り出し部、１０５は窒化シリコン等より成る第一のパネル保護層、１０６は、樹脂膜等より成る第二のパネル保護層である。また、１１１は蛍光体の塗布基板を兼ねた蛍光体保護層で塗布される蛍光体層１１２を支持する樹脂フィルム層から構成される。ここで、蛍光体はシンチレータ又は波長変換体の一例である。１０１〜１０６でセンサパネル１００が構成され、１１１，１１２でシンチレータパネル１１０が構成される。シンチレータパネル１１０は接着層１０７を介してセンサパネル１００に貼り合わされている。
【００２０】
１１５は、防湿保護層であり、主に蛍光体やセンサパネル１００の耐久性向上を目的とし、防湿効果の高い金属層とこれを支持する樹脂フィルム層から構成されている。金属層を支持する樹脂フィルム層は、金属層の片面又は両面に形成されており、延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムから構成されている。防湿保護層１１５は、接着層（図示しない）によって蛍光体保護層１１１に積層される。
【００２１】
また、センサパネル１００の光電変換素子が形成されていない面側には、反り矯正層１１４が、接着層１１３を介して積層される。反り矯正層１１４は、延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムから成る。本発明のセンサパネル１００の支持基板１０１に用いられるガラス等の材料の熱膨張係数は、（１〜１０×１０-6）／℃、一方、防湿保護層等に用いられているＡｌ等の金属は（１５〜２５×１０-6）／℃、樹脂シートは（１〜５×１０-5）／℃であり、各層が熱履歴により生じる変位差は大きい。
【００２２】
従って、本発明のような積層構造体においては、熱履歴後に積層体の各層の変位によって反りを生じる。また延伸や押し出し成形によって形成される樹脂フィルムは、その延伸及び押し出し方向に樹脂材料分子が選択的に配列している性状であるため、延伸及び押し出し方向と非延伸及び非押し出し方向では、熱膨張量や、高温時の熱収縮変位量が異なることが知られている。
【００２３】
図２は、本発明の放射線検出パネルにおける樹脂フィルムの性状を示す図である。
【００２４】
樹脂フィルム１２５において、延伸及び押し出し方向、及び非延伸及び非押し出し方向を、それぞれ１２３，１２４で示している。
【００２５】
例えば、最も一般的な樹脂フィルムであるポリエチレンテレフタレートフィルムでは、常温付近の熱膨張係数は、延伸及び押し出し方向では１．２×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃、非延伸及び非押し出し方向では１．６×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃、１００℃付近の熱収縮変位率は、延伸及び押し出し方向では０．２５％、非延伸及び非押し出し方向では０％である。従って、センサパネル１００の光電変換素子側に、シンチレータパネル１１０と防湿保護層１１５を積層した場合、工程中や耐久中の熱履歴により、蛍光体保護層１１１、及び防湿保護層１１５の樹脂フィルムの寸法変位が、延伸及び押し出し方向と、非延伸及び非押し出し方向とに異なる変位量で起きる。従って、樹脂フィルムの性状方向がセンサパネルの反り方向を決定する要因となっている。
【００２６】
従って、本発明においては、防湿保護層１１５が形成されたセンサパネル１００の相対する面に貼り合わされてなる反り矯正層１１４の樹脂フィルムの延伸又は押し出し方向を、防湿保護層１１５の樹脂フィルムと同じ方向に合わせて、それぞれ接着層を介して貼り合わせることにより、センサパネル１００の反り量を矯正することができる。
【００２７】
例えば、防湿保護層１１５だけでなく蛍光体保護層１１１も樹脂フィルムであった場合には、蛍光体保護層１１１の延伸及び押し出し方向を防湿保護層１１５と同方向にあわせて貼り合わせ、さらに、両層の厚みと材料固有の熱変位特性を計算して、同変位量に見合う、矯正が可能な材料、性状、厚さの反り矯正層を樹脂性状が同方向になるように反り矯正層１１４を設けることができる。
【００２８】
また、反り矯正層１１４は、センサパネル１００の光電変換素子が形成されていない面側に貼り合わされてなるが、例えば、反り矯正層１１４及び接着層１１３が光吸収機能と遮光機能を持った構造であれば、蛍光体層１１２で発光した受光すべき光が光電変換部以外の支持基板の裏面で反射して受光されることがなく、また外部からの漏れ光がセンサパネル１００裏面から入って受光されることもなく望ましい。また、光吸収機能及び遮光機能は、反り矯正層１１４と接着層１１３の２層構成によって機能すればよく、接着層１１３に光吸収・遮光機能を持たせるか反り矯正層の樹脂フィルムに光吸収・遮光機能を持たせるか、双方に光吸収・遮光機能を持たせればよい。
【００２９】
接着層１１３側に光吸収機能をもたせる場合には、樹脂フィルム層の制約は小さく、接着層１１３が透明な場合には、接着層１１３と支持基板１０１との間のインデックス差をできるだけ小さく、好ましくは±５％とし、界面での反射を抑え、樹脂フィルム層に光吸収機能を持たせる必要がある。接着層１１３に、光吸収性、遮光性を持たせるには、それら樹脂の中に有機顔料や無機の顔料を含有させるとよい。有機顔料としては、ニトロ系色素、アゾ顔料、インダンスレン、チオインジゴペリノン、ペリレン、ジオキサジン、キナクリドン、フタロシアニン、イソインドリノン、キノフタロン系がある。無機顔料としては、カーボンブラック、黄鉛、カドミ黄、クローバーミリオン（オレンジ）ベンガラ、シュ、鉛丹、カドミ赤、ミネラルバイオレット（紫色）、コバルトブルー、コバルトグリーン、酸化クロム、酸化インジウム、酸化スズ、ビリジアン（緑）等がある。フィルム層に光吸収性を持たせるにも、上記に示した顔料を含有させるとよい。さらにフィルム層の接着層側に黒印刷したものでもよい。
【００３０】
また、反り矯正層１１４の樹脂フィルムに光吸収機能を持たせる場合は、樹脂フィルム形成時にカーボングラック等の顔料を混ぜて光吸収機能を持たせることができる。しかしながら、樹脂フィルムに含有させることができる顔料量は３０ｗｔ％程度が樹脂フィルムを形成する限界であり、樹脂フィルムを薄くすると遮光性が不足する場合は、例えば、樹脂フィルム表面にカーボングラック等の遮光性及び光吸収性の高い粒子を吹き付けて樹脂フィルムに形成して樹脂フィルムの遮光性能を向上させることが望ましい。
【００３１】
このようにしてセンサパネル１００の光電変換素子が形成されている面側に、シンチレータパネル１１０及び防湿保護層１１５を設け、センサパネル１００の他方の面側に反り矯正層１１４を設けることによって、放射線検出パネル４１０が構成されている。
【００３２】
本発明の、樹脂フィルムに用いられる材料としては、延伸及び押し出し方向があるシート成形された樹脂フィルムであればいずれの材料でもよく、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ＡＢＳ樹、ポリイミド樹脂等が挙げられる。
【００３３】
［実施形態２］
図３は、本発明の実施形態２の放射線検出装置における放射線検出パネルの構成を示す断面図である。
【００３４】
１０１はガラス基板（支持基板）、１０２はアモルファスシリコンを用いた光電変換素子とＴＦＴから成る光電変換素子部、１０３は配線部、１０４は電極取り出し部、１０５は窒化シリコン等より成る第一のパネル保護層、１０６は、樹脂膜等より成る第二のパネル保護層である。また、１１７は柱状の蛍光体より成る蛍光体層である。ここで、蛍光体はシンチレータ又は波長変換体の一例である。１１６は蛍光体から発する光をセンサパネル側に反射する反射層で、金属反射層を有機材料膜が保護するように少なくとも有機保護膜と金属反射層が２層以上積層された構造から成っている。金属反射層としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐｔ、及びＡｕ等の反射率の高い金属が望ましい。また反射層を覆う有機材料層は、金属反射膜の保護及び蛍光体層の防湿保護の目的で設けられているものであって該目的にかなうものであればいずれの材料でもよいが、上記特許文献２で開示されている、耐湿性の高いポリパラキシリレン等のＣＶＤ膜を用いるのが望ましい。
【００３５】
１１５は、防湿保護層であり、主に蛍光体やセンサパネルの耐久性向上を目的とするもので、防湿効果が高いことから反射層とは別にさらに設けた金属層と、これを支持する樹脂フィルム層から構成されている。金属層を支持する樹脂フィルム層は金属層の片面又は両面に形成されており、延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムから構成されている。防湿保護層１１５は、接着層（図示しない）によって反射層１１６に積層される。また、センサパネルの光電変換素子が形成されていない面側には、反り矯正層１１４が、接着層１１３を介して積層される。反り矯正層１１４は、延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムから成る。
【００３６】
１０１〜１０６でセンサパネル１００が構成され、蛍光体層１１７、反射層１１６、防湿保護層１１５が積層され、封止部１２２によって防湿保護層１１５端部を封止して放射線検出パネル４１０が得られる。本実施形態においても、防湿保護層１１５の樹脂フィルムと、反り矯正層１１４の延伸及び押し出し方向を同じ方向に合わせてパネルに貼り合わせることにより放射線検出パネルの反りを矯正することができる。特に蛍光体が柱状結晶からなる蛍光体１１７である場合においては、反りの発生により蛍光体が破損するという致命的な欠陥が発生する場合があり反り矯正による応力緩和の効果が高い。また、反り矯正層１１４又は接着層１１３に、実施形態１と同様に遮光機能及び光吸収機能を備えるようにしてもよい。
【００３７】
［実施形態３］
図４は、本発明の実施形態３の放射線検出装置における放射線検出パネルの構成を示す断面図である。
【００３８】
１０１はガラス基板（支持基板）、１０２は光電変換素子とＴＦＴから成る光電変換素子部、１０３は配線部、１０４は電極取り出し部、１３１は保護層であり、直接型センサパネル１３０は、Ｘ線を直接電気信号に変換することができるセンサパネルである。１０１〜１０４，１３１でセンサパネル１３０が構成される。
【００３９】
１１５は、防湿保護層であり、主にセンサパネルの耐久性向上を目的とし、防湿効果の高い金属層とこれを支持する樹脂フィルム層から構成されている。金属層を支持する樹脂フィルム層は金属層の片面又は両面に形成されており、延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムから構成され、防湿だけでなくセンサ面の剛性保護層も兼ねている。防湿保護層１１５は、接着層（図示しない）によって保護層１３１に積層される。また、センサパネルの光電変換素子が形成されていない面側には、反り矯正層１１４が、接着層１１３を介して積層される。反り矯正層１１４は、延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムから成る。
【００４０】
本実施形態においても、防湿保護層１１５の樹脂フィルムと、反り矯正層１１４の延伸及び押し出し方向を同じ方向に合わせてパネルに貼り合わせることにより放射線検出パネルの反りを矯正することができる。
【００４１】
以上説明したように、蛍光体が粒子であっても、柱状結晶からなる蛍光体であっても、またセンサパネルの方式シンチレータがない場合でも、反り応力によるトラブルを回避するために、本実施形態１〜３において、防湿保護層の樹脂フィルムと、反り矯正層の延伸及び押し出し方向を揃えてパネルに貼り合わせることにより放射線検出パネルの反りを矯正することができる。
【００４２】
［実施形態４］
図５は、本発明の実施形態４の放射線検出システムを示す図である。
【００４３】
放射線検出システムにおいて、放射線検出装置が利用される。Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は、患者或いは被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、放射線検出装置６０４０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して放射線検出装置６０４０の蛍光体は発光し、これを光電変換して電気的情報を得る。この情報は、ディジタルに変換されイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室のディスプレイ６０８０で観察できる。
【００４４】
また、この情報は電話回線６０９０等の伝送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールーム等ディスプレイ６０８１に表示又は光ディスク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６１００によりフィルム６１１０に記録することもできる。
【００４５】
【実施例】
次に、本発明の放射線検出装置の実施例を詳細に説明する。
【００４６】
実施例１，２は、実施形態１に係るものであり、実施例３は、実施形態２に係るものである。
【００４７】
（実施例１）
図１に示すようにガラス基板１０１上の非晶質シリコンから成る半導体薄膜上に、光電変換素子とＴＦＴから成る光電変換素子部（画素）１０２を形成し、その上にＳｉＮｘより成る保護層１０５と、さらにポリイミド樹脂を硬化した第二の保護層１０６を形成した。さらに、センサパネル１００の光電変換素子が形成されていない面に、遮光機能層として、ブラックアクリルインキをスプレー塗布して、センサパネル１００を作製した。
【００４８】
蛍光体保護層１１１には厚さ１８８μｍのシートロール状のＰＥＴ樹脂フィルムに樹脂バインダーに分散された蛍光体粒子を塗布法によって形成し、蛍光体層１１２とした後に切断してシンチレータパネル１１０を作成した。
【００４９】
Ａｌ箔シート４０μｍとＰＥＴ樹脂フィルム５０シートロールをドライラミネーションにより積層し、さらにアクリル系両面粘着テープ（住友３Ｍ社製 ９３１３）をＡｌ面側に貼り合わせてＡｌとＰＥＴの積層された樹脂フィルム防湿保護層１１５を作成した。
【００５０】
透明ＰＥＴシート 厚さ２５０μｍに、アクリル系両面粘着テープ（住友３Ｍ社製 ９３１３）を貼り合わせ接着層１１３付きＰＥＴシートを作成し、反り矯正層１１４を得た。
【００５１】
得られたシンチレータパネル１１０の蛍光体層１１２側をセンサパネル１００にアクリル系接着剤（ＸＳＧ）の接着層１０７を用いて貼り合わせ、さらに、シンチレータパネル１１０の蛍光体保護層１１１である樹脂フィルム上に、防湿保護層１１５の樹脂フィルムを、両者の延伸方向が同方向になるように貼り合わせた。さらに、センサパネル１００の光電変換素子が形成されていない面、すなわちシンチレータパネル１１０が設けられていない面に反り矯正層１１４を同じく防湿保護層１１５の樹脂フィルムの延伸方向が同方向になるように放射線検出パネルを構成した。
【００５２】
（実施例２）
図１に示すようにガラス基板１０１上の非晶質シリコンから成る半導体薄膜上に、光電変換素子とＴＦＴから成る光電変換素子部（画素）１０２を形成し、その上にＳｉＮｘより成る保護膜１０５と、さらにポリイミド樹脂を硬化した第二の保護層１０６を形成して、センサパネル１００を作製した。
【００５３】
実施例１と同様にしてシンチレータパネル１１０、防湿保護層１１５を作成した。
【００５４】
黒ＰＥＴシート 厚さ１００μｍ（パナック社製）に、アクリル系両面粘着テープ（住友３Ｍ社製 ９３１３）を貼り合わせ接着層付きＰＥＴシートを作成し、遮光機能及び光吸収機能を備えた反り矯正層１１４を得た。
【００５５】
得られたセンサパネル１００に、実施例１に同様にして各層を貼り合わせた。貼り合わせは、蛍光体保護層１１１、防湿保護層１１５、反り矯正層１１４における各樹脂フィルムの延伸の方向が同方向になるようにして放射線検出パネルを構成した。
【００５６】
（実施例３）
図３に示すようにガラス基板１０１上の非晶質シリコンから成る半導体薄膜上に、光電変換素子とＴＦＴから成る光電変換素子部（画素）１０２を形成し、その上にＳｉＮｘより成る保護膜１０５と、さらにポリイミド樹脂を硬化した第二の保護層１０６を形成してセンサパネル１００を作製した。
【００５７】
次に、センサパネル１００上に、アルカリハライドより成る柱状結晶化した蛍光体層１１７を蒸着法によって厚さ５００μｍで形成した。次に、蛍光体表面をパラキシリレン樹脂より成る保護層をＣＶＤ法によって形成し、次にスパッタリング法により反射層としてＡｌ層を５０００Å設け、再度、パラキシリレン樹脂より成る保護層をＣＶＤ法によって形成して反射層１１６を得た。
【００５８】
実施例１と同様にして防湿保護層１１５を作成し、実施例２と同様にして遮光機能及び光吸収機能を備えた反り矯正層１１４を得た。
【００５９】
さらに該反射層上に実施例１の防湿保護層１１５を、粘着剤を介して貼り合わせシート端部を封止部１２２においてアクリル樹脂で封止した。さらに防湿保護層１１５の樹脂フィルムと、延伸方向が同方向になるように反り矯正層１１４を貼り合わせ放射線検出パネルを構成した。
【００６０】
これらの実施例のような構成の放射線検出パネルを用いて放射線検出装置を構成した。このような放射線検出装置においては、工程中で放射線検出パネルに反りが発生することがなく、パネル上の電極引き出しパッド部に、圧着端子を装着して電気配線接続をするも良好に行うことができた。
【００６１】
さらに以上のように作製した放射線検出装置を、６０℃、９０％の温度・湿度試験槽に１０００時間保存した。その結果、蛍光体層の層間剥離等の外観不良は発生せず、さらに感度の低下もほとんど認められず、高信頼性の放射線検出装置が得られたことを確認できた。
【００６２】
（比較例）
反り矯正層を形成しない以外は実施例１と同様にして放射線検出パネルを得た。得られた放射線パネルを、電気接続を行い筐体に組み込んで放射線検出装置を得た。
【００６３】
このようにして得られた装置から、放射線検出パネルの光電変換素子が形成されていない面側に、ハンドリング中に傷が入り形成された塗布膜が一部破損している欠陥が見られた。さらに以上のように作製した放射線検出装置を、６０℃、９０％の温度・湿度試験槽に１０００時間保存した。その結果、蛍光体層の層内での破壊と思われる剥離不良による画像欠陥が発生した。
【００６４】
以上、本発明の実施の形態及び実施例について説明したが、本発明の好適な実施の態様を以下のとおり列挙する。
［実施態様１］ 支持基板の一方の面に複数の光電変換素子が形成されているセンサパネルを有する放射線検出装置において、
前記センサパネルの光電変換素子が形成された面側に保護層が、前記センサパネルの他方の面側に反り矯正層が積層され、かつ、前記保護層及び反り矯正層は、共に延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムから成り、両樹脂フィルムの延伸又は押し出し方向が同方向となるように貼り合わされていることを特徴とする放射線検出装置。
［実施態様２］ 前記保護層は、防湿保護層であることを特徴とする実施態様１に記載の放射線検出装置。
［実施態様３］ 前記センサパネルの光電変換素子が形成された面側に蛍光体層、蛍光体保護層、及び防湿保護層が順次積層されて成ることを特徴とする実施態様２に記載の放射線検出装置。
［実施態様４］ 前記蛍光体保護層は、延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムであって、前記防湿保護層の樹脂フィルムの延伸又は押し出し方向と同方向となっていることを特徴とする実施態様３に記載の放射線検出装置。
［実施態様５］ 前記センサパネルの光電変換素子が形成された面側に蛍光体層、反射層、及び防湿保護層が順次積層されて成ることを特徴とする実施態様２に記載の放射線検出装置。
［実施態様６］ 前記反り矯正層が遮光層であることを特徴とする実施態様１〜５のいずれかに記載の放射線検出装置。
［実施態様７］ 前記センサパネルは、支持基板の一方の面に放射線を直接電気信号に変換する複数の光電変換素子が形成されている直接型センサパネルであることを特徴とする実施態様１又は２に記載の放射線検出装置。
［実施態様８］ ガラス基板上に光電変換素子を形成し、その上に第一、第二の保護層を形成し、センサパネルを作成する工程と、
蛍光体保護層としてシートロール状のＰＥＴ樹脂フィルムに樹脂バインダーに分散された蛍光体粒子を塗布法によって蛍光体層を形成してシンチレータパネルを作成する工程と、
得られたシンチレータパネルの蛍光体層側を前記センサパネル上に接着層を介して貼り合わせる工程と、
前記シンチレータパネルの蛍光体保護層である樹脂フィルム上に防湿保護層の樹脂フィルムを、両者の延伸方向が同方向になるように貼り合わせる工程と、
前記センサパネルの光電変換素子が形成されていない面側に反り矯正層を、前記防湿保護層及び反り矯正層の樹脂フィルムの延伸方向が同方向になるように接着層を介して貼り付ける工程とを有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
［実施態様９］ ガラス基板上に光電変換素子を形成し、その上に第一、第二の保護層を形成し、センサパネルを作成する工程と、
センサパネル上にアルカリハライドより成る柱状結晶化した蛍光体層を蒸着法によって形成し、その上に反射層を形成する工程と、
前記反射層上に防湿保護層を貼り合わせ、端部を封止する工程と、
前記センサパネルの光電変換素子が形成されていない面側に反り矯正層を、前記防湿保護層及び反り矯正層の樹脂フィルムの延伸方向が同方向になるように接着層を介して貼り付ける工程とを有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
［実施態様１０］ 実施態様１〜７のいずれかに記載の放射線検出装置を含むことを特徴とする放射線検出システム。
【００６５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、熱変位によって引き起こされる放射線検出パネルの反りがなく、パネル上の電極と端子圧着が良好で、接続不良のない信頼性の高い放射線検出装置を実現できる。放射線検出装置として構成したときに、蛍光体の剥がれや破損が生じず、特に耐温度、耐湿度性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１の放射線検出装置における放射線検出パネルの構成を示す断面図
【図２】本発明の放射線検出パネルにおける樹脂フィルムの性状を示す図
【図３】本発明の実施形態２の放射線検出装置における放射線検出パネルの構成を示す断面図
【図４】本発明の実施形態３の放射線検出装置における放射線検出パネルの構成を示す断面図
【図５】本発明の実施形態４の放射線検出システムを示す図
【符号の説明】
１００ センサパネル
１０１ ガラス基板（支持基板）
１０２ 光電変換素子部
１０３ 配線部
１０４ 電極取り出し部
１０５ 第一のパネル保護層
１０６ 第二のパネル保護層
１０７ 接着層
１１０ シンチレータパネル
１１１ 蛍光体保護層
１１２ 蛍光体層
１１３ 接着層
１１４ 反り矯正層
１１５ 防湿保護層
１１６ 反射層
１１７ 蛍光体層
１２２ 封止部
１２３ 延伸及び押し出し方向
１２４ 非延伸及び非押し出し方向
１２５ 樹脂フィルム
１３０ 直接型センサパネル
１３１ 保護層
４１０ 放射線検出パネル
【発明の属する技術分野】
本発明は、医療診断機器、非破壊検査機器等に用いられる放射線を電気信号として検出する放射線検出装置、及びその製造方法に関する。
【０００２】
なお、本明細書では、Ｘ線、α線、β線、γ線等の電磁波も、放射線に含まれるものとして説明する。
【０００３】
【従来の技術】
従来、Ｘ線蛍光体が内部に備えられた蛍光スクリーンと両面塗布感剤とを有するＸ線フィルムシステムが一般的にＸ線写真撮影に使用されてきた。しかし、最近、Ｘ線蛍光体層と２次元センサパネルとを有するディジタル放射線検出装置の画像特性が良好であること、データがディジタルデータであるためネットワーク化したコンピュータシステムに取り込むことによってデータの共有化が図れる利点があることから、ディジタル放射線検出装置について盛んに研究開発が行われ、種々の特許出願もされている。
【０００４】
これらディジタル放射線検出装置の中でも、高感度で高鮮鋭な装置として、下記特許文献１に開示されているように、放射線を透過する基板上に蛍光体層を設けてなる放射線検出用シンチレータと、透光性支持基板上に複数の光電変換素子及び光電変換素子間隙にＴＦＴ等の電気素子が配置されているセンサパネルとを貼り合わせて一体化した放射線検出装置が知られている。
【０００５】
前記従来例においては、光電変換素子が配列されている透光性支持基板の表側には蛍光体が、また、透光性支持基板の裏面には光吸収層が積層されている。さらに、光吸収層が設けられた面は接着剤を介して基台に貼り合わされている。
【０００６】
上記従来例で開示されているセンサパネルの透光性支持基板裏面の光吸収層は、反射防止層と遮光機能を目的とするもので、蛍光体層で発光した光のような受光すべき光が光電変換部以外の透光性支持基板の裏面や基板端部で反射して受光される問題を解決するものである。そして、該層を設ける方法としては、透光性支持基板に直接樹脂を塗布・印刷工程によって形成するものである。
【０００７】
【特許文献１】
特開平９−２９８２８７号公報
【特許文献２】
特開２０００−９８４５号公報
【発明が解決しようとする課題】
従来例においては、工程中また、長期耐久性試験による加速試験において、以下のような問題が発生した。
【０００８】
（１）工程中の熱履歴や耐久中に、各構成層が熱により変位を生じるが、この変位によって反りが発生し、蛍光体や各構成層間で内部に応力が加わり、応力の弱い層が内部応力によって、破壊したり剥がれたりする問題があった。
【０００９】
（２）工程中の熱履歴により、各構成層が熱により変位を生じるが、この変位によって、従来では、光電変換素子の配列されたセンサパネルの表面側に多くの層が構成されているため、センサパネルに反りが発生していた。この反りのため、パネル上の電極引き出しパッド部に、圧着端子を装着して電気配線接続をする場合に、設置位置不良や、接続不良等の問題が発生する場合があった。また、加速耐久中のセンサパネル反り応力により、接続部が破損し接続不良が発生する場合があった。
【００１０】
（３）センサパネルは、ハンドリング中に運搬用ホルダーに載せて流動されるが、支持基板裏面が運搬用ホルダー面に接触した場合に、従来の材料に置いては光吸収層が機械的摩擦により擦れて傷ついたり、剥がれたりして、この欠陥部の遮光及び遮光が不十分となったため、画像欠陥が増加した。
【００１１】
これまでに開示された従来例には、積層後の応力を考慮して、パネル裏面側の構成材料及び積層手法を開示しているものはない。
【００１２】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、その目的とするところは、支持基板の一方の面に複数の光電変換素子が形成されているセンサパネルの光電変換素子が形成された面側に保護層が、他方の面側に反り矯正層が積層され、かつ、前記保護層及び反り矯正層は、共に延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムから成り、両樹脂フィルムの延伸又は押し出し方向が同方向となるように貼り合わされていることによって、熱変位によって引き起こされる反りを矯正し、各構成層の剥がれ及び破壊を防止して、高信頼性の放射線検出装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上述の課題は、本発明の放射線検出装置、及びその製造方法により解決できる。
【００１４】
すなわち、本発明の放射線検出装置は、支持基板の一方の面に複数の光電変換素子が形成されているセンサパネルを有する放射線検出装置において、前記センサパネルの光電変換素子が形成された面側に保護層が、前記センサパネルの他方の面側に反り矯正層が積層され、かつ、前記保護層及び反り矯正層は、共に延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムから成り、両樹脂フィルムの延伸又は押し出し方向が同方向となるように貼り合わされていることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の放射線検出装置の製造方法は、ガラス基板上に光電変換素子を形成し、その上に第一、第二のパネル保護層を形成し、センサパネルを作成する工程と、蛍光体保護層としてシートロール状のＰＥＴ樹脂フィルムに樹脂バインダーに分散された蛍光体粒子を塗布法によって蛍光体層を形成してシンチレータパネルを作成する工程と、得られたシンチレータパネルの蛍光体層側を前記センサパネル上に接着層を介して貼り合わせる工程と、前記シンチレータパネルの蛍光体保護層である樹脂フィルム上に防湿保護層の樹脂フィルムを、両者の延伸方向が同方向になるように貼り合わせる工程と、前記センサパネルの光電変換素子が形成されていない面側に反り矯正層を、前記防湿保護層及び反り矯正層の樹脂フィルムの延伸方向が同方向になるように接着層を介して貼り付ける工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
さらに、本発明の放射線検出装置の製造方法は、ガラス基板上に光電変換素子を形成し、その上に第一、第二のパネル保護層を形成し、センサパネルを作成する工程と、センサパネル上にアルカリハライドより成る柱状結晶化した蛍光体層を蒸着法によって形成し、その上に反射層を形成する工程と、前記反射層上に防湿保護層を貼り合わせ、端部を封止する工程と、前記センサパネルの光電変換素子が形成されていない面側に反り矯正層を、前記防湿保護層及び反り矯正層の樹脂フィルムの延伸方向が同方向になるように接着層を介して貼り付ける工程とを有することを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
［実施形態１］
図１は、本発明の実施形態１の放射線検出装置における放射線検出パネルの構成を示す断面図である。
【００１９】
図１において、４１０は放射線検出パネルの全体を示しており、１０１はガラス基板（支持基板）、１０２はアモルファスシリコンを用いたフォトセンサである光電変換素子とＴＦＴから成る光電変換素子部、１０３は配線部、１０４は電極取り出し部、１０５は窒化シリコン等より成る第一のパネル保護層、１０６は、樹脂膜等より成る第二のパネル保護層である。また、１１１は蛍光体の塗布基板を兼ねた蛍光体保護層で塗布される蛍光体層１１２を支持する樹脂フィルム層から構成される。ここで、蛍光体はシンチレータ又は波長変換体の一例である。１０１〜１０６でセンサパネル１００が構成され、１１１，１１２でシンチレータパネル１１０が構成される。シンチレータパネル１１０は接着層１０７を介してセンサパネル１００に貼り合わされている。
【００２０】
１１５は、防湿保護層であり、主に蛍光体やセンサパネル１００の耐久性向上を目的とし、防湿効果の高い金属層とこれを支持する樹脂フィルム層から構成されている。金属層を支持する樹脂フィルム層は、金属層の片面又は両面に形成されており、延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムから構成されている。防湿保護層１１５は、接着層（図示しない）によって蛍光体保護層１１１に積層される。
【００２１】
また、センサパネル１００の光電変換素子が形成されていない面側には、反り矯正層１１４が、接着層１１３を介して積層される。反り矯正層１１４は、延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムから成る。本発明のセンサパネル１００の支持基板１０１に用いられるガラス等の材料の熱膨張係数は、（１〜１０×１０-6）／℃、一方、防湿保護層等に用いられているＡｌ等の金属は（１５〜２５×１０-6）／℃、樹脂シートは（１〜５×１０-5）／℃であり、各層が熱履歴により生じる変位差は大きい。
【００２２】
従って、本発明のような積層構造体においては、熱履歴後に積層体の各層の変位によって反りを生じる。また延伸や押し出し成形によって形成される樹脂フィルムは、その延伸及び押し出し方向に樹脂材料分子が選択的に配列している性状であるため、延伸及び押し出し方向と非延伸及び非押し出し方向では、熱膨張量や、高温時の熱収縮変位量が異なることが知られている。
【００２３】
図２は、本発明の放射線検出パネルにおける樹脂フィルムの性状を示す図である。
【００２４】
樹脂フィルム１２５において、延伸及び押し出し方向、及び非延伸及び非押し出し方向を、それぞれ１２３，１２４で示している。
【００２５】
例えば、最も一般的な樹脂フィルムであるポリエチレンテレフタレートフィルムでは、常温付近の熱膨張係数は、延伸及び押し出し方向では１．２×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃、非延伸及び非押し出し方向では１．６×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃、１００℃付近の熱収縮変位率は、延伸及び押し出し方向では０．２５％、非延伸及び非押し出し方向では０％である。従って、センサパネル１００の光電変換素子側に、シンチレータパネル１１０と防湿保護層１１５を積層した場合、工程中や耐久中の熱履歴により、蛍光体保護層１１１、及び防湿保護層１１５の樹脂フィルムの寸法変位が、延伸及び押し出し方向と、非延伸及び非押し出し方向とに異なる変位量で起きる。従って、樹脂フィルムの性状方向がセンサパネルの反り方向を決定する要因となっている。
【００２６】
従って、本発明においては、防湿保護層１１５が形成されたセンサパネル１００の相対する面に貼り合わされてなる反り矯正層１１４の樹脂フィルムの延伸又は押し出し方向を、防湿保護層１１５の樹脂フィルムと同じ方向に合わせて、それぞれ接着層を介して貼り合わせることにより、センサパネル１００の反り量を矯正することができる。
【００２７】
例えば、防湿保護層１１５だけでなく蛍光体保護層１１１も樹脂フィルムであった場合には、蛍光体保護層１１１の延伸及び押し出し方向を防湿保護層１１５と同方向にあわせて貼り合わせ、さらに、両層の厚みと材料固有の熱変位特性を計算して、同変位量に見合う、矯正が可能な材料、性状、厚さの反り矯正層を樹脂性状が同方向になるように反り矯正層１１４を設けることができる。
【００２８】
また、反り矯正層１１４は、センサパネル１００の光電変換素子が形成されていない面側に貼り合わされてなるが、例えば、反り矯正層１１４及び接着層１１３が光吸収機能と遮光機能を持った構造であれば、蛍光体層１１２で発光した受光すべき光が光電変換部以外の支持基板の裏面で反射して受光されることがなく、また外部からの漏れ光がセンサパネル１００裏面から入って受光されることもなく望ましい。また、光吸収機能及び遮光機能は、反り矯正層１１４と接着層１１３の２層構成によって機能すればよく、接着層１１３に光吸収・遮光機能を持たせるか反り矯正層の樹脂フィルムに光吸収・遮光機能を持たせるか、双方に光吸収・遮光機能を持たせればよい。
【００２９】
接着層１１３側に光吸収機能をもたせる場合には、樹脂フィルム層の制約は小さく、接着層１１３が透明な場合には、接着層１１３と支持基板１０１との間のインデックス差をできるだけ小さく、好ましくは±５％とし、界面での反射を抑え、樹脂フィルム層に光吸収機能を持たせる必要がある。接着層１１３に、光吸収性、遮光性を持たせるには、それら樹脂の中に有機顔料や無機の顔料を含有させるとよい。有機顔料としては、ニトロ系色素、アゾ顔料、インダンスレン、チオインジゴペリノン、ペリレン、ジオキサジン、キナクリドン、フタロシアニン、イソインドリノン、キノフタロン系がある。無機顔料としては、カーボンブラック、黄鉛、カドミ黄、クローバーミリオン（オレンジ）ベンガラ、シュ、鉛丹、カドミ赤、ミネラルバイオレット（紫色）、コバルトブルー、コバルトグリーン、酸化クロム、酸化インジウム、酸化スズ、ビリジアン（緑）等がある。フィルム層に光吸収性を持たせるにも、上記に示した顔料を含有させるとよい。さらにフィルム層の接着層側に黒印刷したものでもよい。
【００３０】
また、反り矯正層１１４の樹脂フィルムに光吸収機能を持たせる場合は、樹脂フィルム形成時にカーボングラック等の顔料を混ぜて光吸収機能を持たせることができる。しかしながら、樹脂フィルムに含有させることができる顔料量は３０ｗｔ％程度が樹脂フィルムを形成する限界であり、樹脂フィルムを薄くすると遮光性が不足する場合は、例えば、樹脂フィルム表面にカーボングラック等の遮光性及び光吸収性の高い粒子を吹き付けて樹脂フィルムに形成して樹脂フィルムの遮光性能を向上させることが望ましい。
【００３１】
このようにしてセンサパネル１００の光電変換素子が形成されている面側に、シンチレータパネル１１０及び防湿保護層１１５を設け、センサパネル１００の他方の面側に反り矯正層１１４を設けることによって、放射線検出パネル４１０が構成されている。
【００３２】
本発明の、樹脂フィルムに用いられる材料としては、延伸及び押し出し方向があるシート成形された樹脂フィルムであればいずれの材料でもよく、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ＡＢＳ樹、ポリイミド樹脂等が挙げられる。
【００３３】
［実施形態２］
図３は、本発明の実施形態２の放射線検出装置における放射線検出パネルの構成を示す断面図である。
【００３４】
１０１はガラス基板（支持基板）、１０２はアモルファスシリコンを用いた光電変換素子とＴＦＴから成る光電変換素子部、１０３は配線部、１０４は電極取り出し部、１０５は窒化シリコン等より成る第一のパネル保護層、１０６は、樹脂膜等より成る第二のパネル保護層である。また、１１７は柱状の蛍光体より成る蛍光体層である。ここで、蛍光体はシンチレータ又は波長変換体の一例である。１１６は蛍光体から発する光をセンサパネル側に反射する反射層で、金属反射層を有機材料膜が保護するように少なくとも有機保護膜と金属反射層が２層以上積層された構造から成っている。金属反射層としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐｔ、及びＡｕ等の反射率の高い金属が望ましい。また反射層を覆う有機材料層は、金属反射膜の保護及び蛍光体層の防湿保護の目的で設けられているものであって該目的にかなうものであればいずれの材料でもよいが、上記特許文献２で開示されている、耐湿性の高いポリパラキシリレン等のＣＶＤ膜を用いるのが望ましい。
【００３５】
１１５は、防湿保護層であり、主に蛍光体やセンサパネルの耐久性向上を目的とするもので、防湿効果が高いことから反射層とは別にさらに設けた金属層と、これを支持する樹脂フィルム層から構成されている。金属層を支持する樹脂フィルム層は金属層の片面又は両面に形成されており、延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムから構成されている。防湿保護層１１５は、接着層（図示しない）によって反射層１１６に積層される。また、センサパネルの光電変換素子が形成されていない面側には、反り矯正層１１４が、接着層１１３を介して積層される。反り矯正層１１４は、延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムから成る。
【００３６】
１０１〜１０６でセンサパネル１００が構成され、蛍光体層１１７、反射層１１６、防湿保護層１１５が積層され、封止部１２２によって防湿保護層１１５端部を封止して放射線検出パネル４１０が得られる。本実施形態においても、防湿保護層１１５の樹脂フィルムと、反り矯正層１１４の延伸及び押し出し方向を同じ方向に合わせてパネルに貼り合わせることにより放射線検出パネルの反りを矯正することができる。特に蛍光体が柱状結晶からなる蛍光体１１７である場合においては、反りの発生により蛍光体が破損するという致命的な欠陥が発生する場合があり反り矯正による応力緩和の効果が高い。また、反り矯正層１１４又は接着層１１３に、実施形態１と同様に遮光機能及び光吸収機能を備えるようにしてもよい。
【００３７】
［実施形態３］
図４は、本発明の実施形態３の放射線検出装置における放射線検出パネルの構成を示す断面図である。
【００３８】
１０１はガラス基板（支持基板）、１０２は光電変換素子とＴＦＴから成る光電変換素子部、１０３は配線部、１０４は電極取り出し部、１３１は保護層であり、直接型センサパネル１３０は、Ｘ線を直接電気信号に変換することができるセンサパネルである。１０１〜１０４，１３１でセンサパネル１３０が構成される。
【００３９】
１１５は、防湿保護層であり、主にセンサパネルの耐久性向上を目的とし、防湿効果の高い金属層とこれを支持する樹脂フィルム層から構成されている。金属層を支持する樹脂フィルム層は金属層の片面又は両面に形成されており、延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムから構成され、防湿だけでなくセンサ面の剛性保護層も兼ねている。防湿保護層１１５は、接着層（図示しない）によって保護層１３１に積層される。また、センサパネルの光電変換素子が形成されていない面側には、反り矯正層１１４が、接着層１１３を介して積層される。反り矯正層１１４は、延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムから成る。
【００４０】
本実施形態においても、防湿保護層１１５の樹脂フィルムと、反り矯正層１１４の延伸及び押し出し方向を同じ方向に合わせてパネルに貼り合わせることにより放射線検出パネルの反りを矯正することができる。
【００４１】
以上説明したように、蛍光体が粒子であっても、柱状結晶からなる蛍光体であっても、またセンサパネルの方式シンチレータがない場合でも、反り応力によるトラブルを回避するために、本実施形態１〜３において、防湿保護層の樹脂フィルムと、反り矯正層の延伸及び押し出し方向を揃えてパネルに貼り合わせることにより放射線検出パネルの反りを矯正することができる。
【００４２】
［実施形態４］
図５は、本発明の実施形態４の放射線検出システムを示す図である。
【００４３】
放射線検出システムにおいて、放射線検出装置が利用される。Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は、患者或いは被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、放射線検出装置６０４０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して放射線検出装置６０４０の蛍光体は発光し、これを光電変換して電気的情報を得る。この情報は、ディジタルに変換されイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室のディスプレイ６０８０で観察できる。
【００４４】
また、この情報は電話回線６０９０等の伝送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールーム等ディスプレイ６０８１に表示又は光ディスク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６１００によりフィルム６１１０に記録することもできる。
【００４５】
【実施例】
次に、本発明の放射線検出装置の実施例を詳細に説明する。
【００４６】
実施例１，２は、実施形態１に係るものであり、実施例３は、実施形態２に係るものである。
【００４７】
（実施例１）
図１に示すようにガラス基板１０１上の非晶質シリコンから成る半導体薄膜上に、光電変換素子とＴＦＴから成る光電変換素子部（画素）１０２を形成し、その上にＳｉＮｘより成る保護層１０５と、さらにポリイミド樹脂を硬化した第二の保護層１０６を形成した。さらに、センサパネル１００の光電変換素子が形成されていない面に、遮光機能層として、ブラックアクリルインキをスプレー塗布して、センサパネル１００を作製した。
【００４８】
蛍光体保護層１１１には厚さ１８８μｍのシートロール状のＰＥＴ樹脂フィルムに樹脂バインダーに分散された蛍光体粒子を塗布法によって形成し、蛍光体層１１２とした後に切断してシンチレータパネル１１０を作成した。
【００４９】
Ａｌ箔シート４０μｍとＰＥＴ樹脂フィルム５０シートロールをドライラミネーションにより積層し、さらにアクリル系両面粘着テープ（住友３Ｍ社製 ９３１３）をＡｌ面側に貼り合わせてＡｌとＰＥＴの積層された樹脂フィルム防湿保護層１１５を作成した。
【００５０】
透明ＰＥＴシート 厚さ２５０μｍに、アクリル系両面粘着テープ（住友３Ｍ社製 ９３１３）を貼り合わせ接着層１１３付きＰＥＴシートを作成し、反り矯正層１１４を得た。
【００５１】
得られたシンチレータパネル１１０の蛍光体層１１２側をセンサパネル１００にアクリル系接着剤（ＸＳＧ）の接着層１０７を用いて貼り合わせ、さらに、シンチレータパネル１１０の蛍光体保護層１１１である樹脂フィルム上に、防湿保護層１１５の樹脂フィルムを、両者の延伸方向が同方向になるように貼り合わせた。さらに、センサパネル１００の光電変換素子が形成されていない面、すなわちシンチレータパネル１１０が設けられていない面に反り矯正層１１４を同じく防湿保護層１１５の樹脂フィルムの延伸方向が同方向になるように放射線検出パネルを構成した。
【００５２】
（実施例２）
図１に示すようにガラス基板１０１上の非晶質シリコンから成る半導体薄膜上に、光電変換素子とＴＦＴから成る光電変換素子部（画素）１０２を形成し、その上にＳｉＮｘより成る保護膜１０５と、さらにポリイミド樹脂を硬化した第二の保護層１０６を形成して、センサパネル１００を作製した。
【００５３】
実施例１と同様にしてシンチレータパネル１１０、防湿保護層１１５を作成した。
【００５４】
黒ＰＥＴシート 厚さ１００μｍ（パナック社製）に、アクリル系両面粘着テープ（住友３Ｍ社製 ９３１３）を貼り合わせ接着層付きＰＥＴシートを作成し、遮光機能及び光吸収機能を備えた反り矯正層１１４を得た。
【００５５】
得られたセンサパネル１００に、実施例１に同様にして各層を貼り合わせた。貼り合わせは、蛍光体保護層１１１、防湿保護層１１５、反り矯正層１１４における各樹脂フィルムの延伸の方向が同方向になるようにして放射線検出パネルを構成した。
【００５６】
（実施例３）
図３に示すようにガラス基板１０１上の非晶質シリコンから成る半導体薄膜上に、光電変換素子とＴＦＴから成る光電変換素子部（画素）１０２を形成し、その上にＳｉＮｘより成る保護膜１０５と、さらにポリイミド樹脂を硬化した第二の保護層１０６を形成してセンサパネル１００を作製した。
【００５７】
次に、センサパネル１００上に、アルカリハライドより成る柱状結晶化した蛍光体層１１７を蒸着法によって厚さ５００μｍで形成した。次に、蛍光体表面をパラキシリレン樹脂より成る保護層をＣＶＤ法によって形成し、次にスパッタリング法により反射層としてＡｌ層を５０００Å設け、再度、パラキシリレン樹脂より成る保護層をＣＶＤ法によって形成して反射層１１６を得た。
【００５８】
実施例１と同様にして防湿保護層１１５を作成し、実施例２と同様にして遮光機能及び光吸収機能を備えた反り矯正層１１４を得た。
【００５９】
さらに該反射層上に実施例１の防湿保護層１１５を、粘着剤を介して貼り合わせシート端部を封止部１２２においてアクリル樹脂で封止した。さらに防湿保護層１１５の樹脂フィルムと、延伸方向が同方向になるように反り矯正層１１４を貼り合わせ放射線検出パネルを構成した。
【００６０】
これらの実施例のような構成の放射線検出パネルを用いて放射線検出装置を構成した。このような放射線検出装置においては、工程中で放射線検出パネルに反りが発生することがなく、パネル上の電極引き出しパッド部に、圧着端子を装着して電気配線接続をするも良好に行うことができた。
【００６１】
さらに以上のように作製した放射線検出装置を、６０℃、９０％の温度・湿度試験槽に１０００時間保存した。その結果、蛍光体層の層間剥離等の外観不良は発生せず、さらに感度の低下もほとんど認められず、高信頼性の放射線検出装置が得られたことを確認できた。
【００６２】
（比較例）
反り矯正層を形成しない以外は実施例１と同様にして放射線検出パネルを得た。得られた放射線パネルを、電気接続を行い筐体に組み込んで放射線検出装置を得た。
【００６３】
このようにして得られた装置から、放射線検出パネルの光電変換素子が形成されていない面側に、ハンドリング中に傷が入り形成された塗布膜が一部破損している欠陥が見られた。さらに以上のように作製した放射線検出装置を、６０℃、９０％の温度・湿度試験槽に１０００時間保存した。その結果、蛍光体層の層内での破壊と思われる剥離不良による画像欠陥が発生した。
【００６４】
以上、本発明の実施の形態及び実施例について説明したが、本発明の好適な実施の態様を以下のとおり列挙する。
［実施態様１］ 支持基板の一方の面に複数の光電変換素子が形成されているセンサパネルを有する放射線検出装置において、
前記センサパネルの光電変換素子が形成された面側に保護層が、前記センサパネルの他方の面側に反り矯正層が積層され、かつ、前記保護層及び反り矯正層は、共に延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムから成り、両樹脂フィルムの延伸又は押し出し方向が同方向となるように貼り合わされていることを特徴とする放射線検出装置。
［実施態様２］ 前記保護層は、防湿保護層であることを特徴とする実施態様１に記載の放射線検出装置。
［実施態様３］ 前記センサパネルの光電変換素子が形成された面側に蛍光体層、蛍光体保護層、及び防湿保護層が順次積層されて成ることを特徴とする実施態様２に記載の放射線検出装置。
［実施態様４］ 前記蛍光体保護層は、延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムであって、前記防湿保護層の樹脂フィルムの延伸又は押し出し方向と同方向となっていることを特徴とする実施態様３に記載の放射線検出装置。
［実施態様５］ 前記センサパネルの光電変換素子が形成された面側に蛍光体層、反射層、及び防湿保護層が順次積層されて成ることを特徴とする実施態様２に記載の放射線検出装置。
［実施態様６］ 前記反り矯正層が遮光層であることを特徴とする実施態様１〜５のいずれかに記載の放射線検出装置。
［実施態様７］ 前記センサパネルは、支持基板の一方の面に放射線を直接電気信号に変換する複数の光電変換素子が形成されている直接型センサパネルであることを特徴とする実施態様１又は２に記載の放射線検出装置。
［実施態様８］ ガラス基板上に光電変換素子を形成し、その上に第一、第二の保護層を形成し、センサパネルを作成する工程と、
蛍光体保護層としてシートロール状のＰＥＴ樹脂フィルムに樹脂バインダーに分散された蛍光体粒子を塗布法によって蛍光体層を形成してシンチレータパネルを作成する工程と、
得られたシンチレータパネルの蛍光体層側を前記センサパネル上に接着層を介して貼り合わせる工程と、
前記シンチレータパネルの蛍光体保護層である樹脂フィルム上に防湿保護層の樹脂フィルムを、両者の延伸方向が同方向になるように貼り合わせる工程と、
前記センサパネルの光電変換素子が形成されていない面側に反り矯正層を、前記防湿保護層及び反り矯正層の樹脂フィルムの延伸方向が同方向になるように接着層を介して貼り付ける工程とを有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
［実施態様９］ ガラス基板上に光電変換素子を形成し、その上に第一、第二の保護層を形成し、センサパネルを作成する工程と、
センサパネル上にアルカリハライドより成る柱状結晶化した蛍光体層を蒸着法によって形成し、その上に反射層を形成する工程と、
前記反射層上に防湿保護層を貼り合わせ、端部を封止する工程と、
前記センサパネルの光電変換素子が形成されていない面側に反り矯正層を、前記防湿保護層及び反り矯正層の樹脂フィルムの延伸方向が同方向になるように接着層を介して貼り付ける工程とを有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
［実施態様１０］ 実施態様１〜７のいずれかに記載の放射線検出装置を含むことを特徴とする放射線検出システム。
【００６５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、熱変位によって引き起こされる放射線検出パネルの反りがなく、パネル上の電極と端子圧着が良好で、接続不良のない信頼性の高い放射線検出装置を実現できる。放射線検出装置として構成したときに、蛍光体の剥がれや破損が生じず、特に耐温度、耐湿度性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１の放射線検出装置における放射線検出パネルの構成を示す断面図
【図２】本発明の放射線検出パネルにおける樹脂フィルムの性状を示す図
【図３】本発明の実施形態２の放射線検出装置における放射線検出パネルの構成を示す断面図
【図４】本発明の実施形態３の放射線検出装置における放射線検出パネルの構成を示す断面図
【図５】本発明の実施形態４の放射線検出システムを示す図
【符号の説明】
１００ センサパネル
１０１ ガラス基板（支持基板）
１０２ 光電変換素子部
１０３ 配線部
１０４ 電極取り出し部
１０５ 第一のパネル保護層
１０６ 第二のパネル保護層
１０７ 接着層
１１０ シンチレータパネル
１１１ 蛍光体保護層
１１２ 蛍光体層
１１３ 接着層
１１４ 反り矯正層
１１５ 防湿保護層
１１６ 反射層
１１７ 蛍光体層
１２２ 封止部
１２３ 延伸及び押し出し方向
１２４ 非延伸及び非押し出し方向
１２５ 樹脂フィルム
１３０ 直接型センサパネル
１３１ 保護層
４１０ 放射線検出パネル
Claims (10)
- 支持基板の一方の面に複数の光電変換素子が形成されているセンサパネルを有する放射線検出装置において、
前記センサパネルの光電変換素子が形成された面側に保護層が、前記センサパネルの他方の面側に反り矯正層が積層され、かつ、前記保護層及び反り矯正層は、共に延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムから成り、両樹脂フィルムの延伸又は押し出し方向が同方向となるように貼り合わされていることを特徴とする放射線検出装置。 - 前記保護層は、防湿保護層であることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
- 前記センサパネルの光電変換素子が形成された面側に蛍光体層、蛍光体保護層、及び防湿保護層が順次積層されて成ることを特徴とする請求項２に記載の放射線検出装置。
- 前記蛍光体保護層は、延伸又は押し出し方向を有する樹脂フィルムであって、前記防湿保護層の樹脂フィルムの延伸又は押し出し方向と同方向となっていることを特徴とする請求項３に記載の放射線検出装置。
- 前記センサパネルの光電変換素子が形成された面側に蛍光体層、反射層、及び防湿保護層が順次積層されて成ることを特徴とする請求項２に記載の放射線検出装置。
- 前記反り矯正層が遮光層であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の放射線検出装置。
- 前記センサパネルは、支持基板の一方の面に放射線を直接電気信号に変換する複数の光電変換素子が形成されている直接型センサパネルであることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線検出装置。
- ガラス基板上に光電変換素子を形成し、その上に第一、第二のパネル保護層を形成し、センサパネルを作成する工程と、
蛍光体保護層としてシートロール状のＰＥＴ樹脂フィルムに樹脂バインダーに分散された蛍光体粒子を塗布法によって蛍光体層を形成してシンチレータパネルを作成する工程と、
得られたシンチレータパネルの蛍光体層側を前記センサパネル上に接着層を介して貼り合わせる工程と、
前記シンチレータパネルの蛍光体保護層である樹脂フィルム上に防湿保護層の樹脂フィルムを、両者の延伸方向が同方向になるように貼り合わせる工程と、
前記センサパネルの光電変換素子が形成されていない面側に反り矯正層を、前記防湿保護層及び反り矯正層の樹脂フィルムの延伸方向が同方向になるように接着層を介して貼り付ける工程とを有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 - ガラス基板上に光電変換素子を形成し、その上に第一、第二のパネル保護層を形成し、センサパネルを作成する工程と、
センサパネル上にアルカリハライドより成る柱状結晶化した蛍光体層を蒸着法によって形成し、その上に反射層を形成する工程と、
前記反射層上に防湿保護層を貼り合わせ、端部を封止する工程と、
前記センサパネルの光電変換素子が形成されていない面側に反り矯正層を、前記防湿保護層及び反り矯正層の樹脂フィルムの延伸方向が同方向になるように接着層を介して貼り付ける工程とを有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 - 請求項１〜７のいずれかに記載の放射線検出装置を含むことを特徴とする放射線検出システム。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003066728A JP4289913B2 (ja) | 2003-03-12 | 2003-03-12 | 放射線検出装置及びその製造方法 |
| US10/795,352 US7105830B2 (en) | 2003-03-12 | 2004-03-09 | Radiation detecting device and method of manufacturing the same |
| TW093106518A TWI256482B (en) | 2003-03-12 | 2004-03-11 | Radiation detecting device and method of manufacturing the same |
| CNB2004100284300A CN1276270C (zh) | 2003-03-12 | 2004-03-11 | 放射线检测装置及其制造方法 |
| KR1020040016756A KR100564519B1 (ko) | 2003-03-12 | 2004-03-12 | 방사선검출장치 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003066728A JP4289913B2 (ja) | 2003-03-12 | 2003-03-12 | 放射線検出装置及びその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004281439A JP2004281439A (ja) | 2004-10-07 |
| JP2004281439A5 JP2004281439A5 (ja) | 2006-04-20 |
| JP4289913B2 true JP4289913B2 (ja) | 2009-07-01 |
Family
ID=32959252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003066728A Expired - Fee Related JP4289913B2 (ja) | 2003-03-12 | 2003-03-12 | 放射線検出装置及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7105830B2 (ja) |
| JP (1) | JP4289913B2 (ja) |
| KR (1) | KR100564519B1 (ja) |
| CN (1) | CN1276270C (ja) |
| TW (1) | TWI256482B (ja) |
Families Citing this family (66)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7355184B2 (en) * | 2003-04-07 | 2008-04-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus and method for manufacturing the same |
| US7193218B2 (en) * | 2003-10-29 | 2007-03-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detection device, method of producing the same, and radiation image pick-up system |
| JP2006098239A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネル |
| JP2006098241A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネル |
| CN1804660B (zh) * | 2005-01-13 | 2010-08-25 | 阿洛卡株式会社 | 闪烁器部件和其制造方法,以及放射线测定装置 |
| JP4537322B2 (ja) * | 2005-01-13 | 2010-09-01 | アロカ株式会社 | シンチレータ部材の製造方法及び放射線測定装置の製造方法 |
| US20070001100A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Light reflection for backside illuminated sensor |
| FR2891401B1 (fr) * | 2005-09-23 | 2007-10-26 | Thales Sa | Realisation d'un detecteur de rayonnement. |
| JP2007093545A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Toshiba Corp | 放射線検出器 |
| US7973380B2 (en) * | 2005-11-23 | 2011-07-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for providing metal extension in backside illuminated sensor for wafer level testing |
| US7910892B2 (en) * | 2005-12-22 | 2011-03-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing X-ray detector and X-ray detector |
| JP4921180B2 (ja) * | 2006-01-25 | 2012-04-25 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線撮像システム |
| JP4537327B2 (ja) * | 2006-02-07 | 2010-09-01 | アロカ株式会社 | 放射線測定装置の製造方法及びシンチレータ部材製造方法 |
| US7648851B2 (en) * | 2006-03-06 | 2010-01-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of fabricating backside illuminated image sensor |
| US8704277B2 (en) * | 2006-05-09 | 2014-04-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Spectrally efficient photodiode for backside illuminated sensor |
| US7638852B2 (en) * | 2006-05-09 | 2009-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of making wafer structure for backside illuminated color image sensor |
| US7791170B2 (en) | 2006-07-10 | 2010-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of making a deep junction for electrical crosstalk reduction of an image sensor |
| US20080079108A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for Improving Sensitivity of Backside Illuminated Image Sensors |
| US8436443B2 (en) * | 2006-09-29 | 2013-05-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Backside depletion for backside illuminated image sensors |
| JP2008215951A (ja) * | 2007-03-01 | 2008-09-18 | Toshiba Corp | 放射線検出器 |
| WO2008117821A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | シンチレータパネル及び放射線検出器 |
| US20080237761A1 (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for enhancing light sensitivity for backside illumination image sensor |
| JP5004848B2 (ja) | 2007-04-18 | 2012-08-22 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線検出システム |
| FR2916575B1 (fr) * | 2007-05-23 | 2009-09-18 | Trixell Sas Soc Par Actions Si | Procede de realisation d'un detecteur de rayonnement |
| US7656000B2 (en) * | 2007-05-24 | 2010-02-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photodetector for backside-illuminated sensor |
| US20100134713A1 (en) * | 2007-07-17 | 2010-06-03 | Sony Chemical & Information Device Corporation | Image Display Device and Production Method Thereof |
| JP2009025258A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-05 | Toshiba Corp | 放射線検出器 |
| US7999342B2 (en) | 2007-09-24 | 2011-08-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Image sensor element for backside-illuminated sensor |
| JP4764407B2 (ja) | 2007-11-20 | 2011-09-07 | 東芝電子管デバイス株式会社 | 放射線検出器及びその製造方法 |
| KR100994836B1 (ko) * | 2008-04-25 | 2010-11-17 | 주식회사바텍 | 대면적 디지털 센서를 구비한 치과용 엑스선 촬영장치 |
| KR100994837B1 (ko) * | 2008-04-25 | 2010-11-17 | 주식회사바텍 | 대면적 디지털 센서를 구비한 맘모그래피 |
| KR100988576B1 (ko) * | 2008-04-25 | 2010-10-18 | 주식회사바텍 | 의료용 엑스선 시티 촬영장치 |
| KR100994838B1 (ko) * | 2008-04-25 | 2010-11-17 | 주식회사바텍 | 대면적 디지털 센서를 구비한 디지털 영상 진단 장치 |
| JP2010114409A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-05-20 | Sony Corp | Ｓｏｉ基板とその製造方法、固体撮像装置とその製造方法、および撮像装置 |
| EP2368137A1 (en) * | 2008-12-05 | 2011-09-28 | BAE Systems PLC | Radiation detector with resilient, opaque coating applied to the detector element |
| JP5369906B2 (ja) * | 2009-06-03 | 2013-12-18 | コニカミノルタ株式会社 | 放射線像変換パネル、及び放射線像検出装置 |
| WO2011136195A1 (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-03 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置、放射線画像撮影システム、及び、放射線画像撮影装置における放射線変換パネルの固定方法 |
| JP2011247686A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Fujifilm Corp | 放射線画像撮影装置 |
| JP5473835B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2014-04-16 | 富士フイルム株式会社 | 放射線検出器、放射線画像撮影装置及び放射線検出器の製造方法 |
| WO2012032797A1 (ja) * | 2010-09-07 | 2012-03-15 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線画像検出器の製造方法および放射線画像検出器 |
| CN102466808B (zh) * | 2010-11-09 | 2014-06-18 | 北京大基康明医疗设备有限公司 | 非晶硅碘化铯数字x射线平板探测器 |
| DE102010062033A1 (de) * | 2010-11-26 | 2012-05-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Szintillatorschicht, Röntgendetektor und Verfahren zur Vorbereitung einer Szintillatorschicht zur Aufbringung auf eine Fotosensorschicht und Herstellung eines Röntgendetektors oder Röntgendetektorelementes |
| DE102010062040A1 (de) * | 2010-11-26 | 2012-05-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines Szintillator-Fotosensor-Sandwich, Szintillator-Fotosensor-Sandwich und Strahlungsdetektor |
| JP5792958B2 (ja) * | 2011-01-13 | 2015-10-14 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム及び放射線撮像装置の製造方法 |
| JP2012154811A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Canon Inc | シンチレータパネルおよびその製造方法ならびに放射線検出装置 |
| JP5677136B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2015-02-25 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出装置及び放射線撮影用カセッテ |
| JP2012177623A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出装置、及び放射線画像検出装置の製造方法 |
| JP5911330B2 (ja) * | 2012-02-23 | 2016-04-27 | 株式会社東芝 | 放射線検出器およびその製造方法。 |
| US9211565B2 (en) | 2012-02-28 | 2015-12-15 | Carestream Health, Inc. | Adhesive layer for digital detectors |
| JP2013217769A (ja) * | 2012-04-09 | 2013-10-24 | Canon Inc | 放射線検出装置 |
| JP2014074595A (ja) * | 2012-10-02 | 2014-04-24 | Canon Inc | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、及び、放射線撮像装置の製造方法 |
| JP6092568B2 (ja) * | 2012-10-11 | 2017-03-08 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線検出システム |
| US9935152B2 (en) | 2012-12-27 | 2018-04-03 | General Electric Company | X-ray detector having improved noise performance |
| JP6310216B2 (ja) * | 2013-09-06 | 2018-04-11 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及びその製造方法並びに放射線検出システム |
| EP2857866B1 (en) * | 2013-10-02 | 2019-06-19 | Rayence Co., Ltd. | X-ray sensor and method of manufacturing the same |
| US9917133B2 (en) | 2013-12-12 | 2018-03-13 | General Electric Company | Optoelectronic device with flexible substrate |
| US10732131B2 (en) | 2014-03-13 | 2020-08-04 | General Electric Company | Curved digital X-ray detector for weld inspection |
| US9526468B2 (en) | 2014-09-09 | 2016-12-27 | General Electric Company | Multiple frame acquisition for exposure control in X-ray medical imagers |
| JP6487263B2 (ja) * | 2015-04-20 | 2019-03-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器及びその製造方法 |
| DE102016210935B4 (de) * | 2016-06-20 | 2020-07-09 | Siemens Healthcare Gmbh | Röntgendetektor mit intransparenter Zwischenschicht |
| CN106873829B (zh) * | 2017-01-26 | 2020-08-07 | 业成科技（成都）有限公司 | 触控显示器及其制造方法 |
| CN110537111B (zh) * | 2017-05-03 | 2024-02-02 | 深圳帧观德芯科技有限公司 | 辐射检测器的制作方法 |
| JP6968668B2 (ja) * | 2017-11-09 | 2021-11-17 | キヤノン電子管デバイス株式会社 | 放射線検出モジュール、および放射線検出器 |
| JP7029217B2 (ja) * | 2018-04-03 | 2022-03-03 | キヤノン電子管デバイス株式会社 | 放射線検出器 |
| US10734540B1 (en) * | 2019-07-03 | 2020-08-04 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Optical device and method for manufacturing the same |
| CN116324519A (zh) * | 2020-10-15 | 2023-06-23 | 株式会社可乐丽 | 塑料闪烁光纤及其制造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3235717B2 (ja) | 1995-09-28 | 2001-12-04 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びｘ線撮像装置 |
| JP3957803B2 (ja) | 1996-02-22 | 2007-08-15 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JP3789646B2 (ja) | 1998-06-19 | 2006-06-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線イメージセンサ |
| WO2001075478A1 (fr) * | 2000-03-30 | 2001-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Detecteur de rayonnement et son procede de fabrication |
| US6835936B2 (en) | 2001-02-07 | 2004-12-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Scintillator panel, method of manufacturing scintillator panel, radiation detection device, and radiation detection system |
| US6847041B2 (en) | 2001-02-09 | 2005-01-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Scintillator panel, radiation detector and manufacture methods thereof |
| JP4522044B2 (ja) | 2002-11-15 | 2010-08-11 | キヤノン株式会社 | 放射線撮影装置 |
-
2003
- 2003-03-12 JP JP2003066728A patent/JP4289913B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-09 US US10/795,352 patent/US7105830B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-11 CN CNB2004100284300A patent/CN1276270C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-11 TW TW093106518A patent/TWI256482B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-03-12 KR KR1020040016756A patent/KR100564519B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1530667A (zh) | 2004-09-22 |
| TW200424549A (en) | 2004-11-16 |
| KR20040081369A (ko) | 2004-09-21 |
| CN1276270C (zh) | 2006-09-20 |
| KR100564519B1 (ko) | 2006-03-29 |
| US7105830B2 (en) | 2006-09-12 |
| US20040178350A1 (en) | 2004-09-16 |
| TWI256482B (en) | 2006-06-11 |
| JP2004281439A (ja) | 2004-10-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4289913B2 (ja) | 放射線検出装置及びその製造方法 | |
| US8648312B2 (en) | Radiation detection apparatus, manufacturing method thereof, and radiation detection system | |
| US9006665B2 (en) | Radiation detection apparatus and radiographic system | |
| JP4266898B2 (ja) | 放射線検出装置とその製造方法および放射線撮像システム | |
| CN103728650B (zh) | 放射线检测装置和放射线检测系统 | |
| US8779369B2 (en) | Radiation detection apparatus, scintillator panel, method for manufacturing same and radiation detection system | |
| JP5607426B2 (ja) | 放射線検出装置及び放射線撮像システム | |
| RU2408901C1 (ru) | Устройство для обнаружения излучения и система для обнаружения излучения | |
| EP1779140B1 (en) | Radiation detecting apparatus, scintillator panel, their manufacturing method and radiation detecting system | |
| JP2006337184A (ja) | 放射線検出装置 | |
| JP2001074845A (ja) | 半導体装置及びそれを用いた放射線撮像システム | |
| JP2012168128A (ja) | 放射線検出装置及び放射線撮像システム | |
| US20110147602A1 (en) | Radiographic imaging apparatus, radiographic imaging system, and method of producing radiographic imaging apparatus | |
| JP2014002115A (ja) | 放射線検出装置、その製造方法及び撮像システム | |
| JP2006189377A (ja) | シンチレータパネル、放射線検出装置、及び放射線検出システム | |
| JP2006220439A (ja) | シンチレータパネル、放射線検出装置及びその製造方法 | |
| JP4612815B2 (ja) | 放射線検出装置、シンチレータパネル、これらの製造方法及び放射線検出システム | |
| JP2006052980A (ja) | 放射線検出装置 | |
| JP2003262678A (ja) | 放射線検出装置用シンチレーターパネルおよびその製造方法 | |
| WO2002061459A1 (fr) | Panneau de scintillation et detecteur d'images de rayonnement | |
| US20140093041A1 (en) | Detecting apparatus, radiation detecting system, and method of manufacturing detecting apparatus | |
| JP4380460B2 (ja) | 放射線検出装置、シンチレータパネル、及び放射線検出システム | |
| JP2004301516A (ja) | 放射線検出装置 | |
| JP2006052979A (ja) | 放射線検出装置及びシンチレータパネル | |
| JP4136416B2 (ja) | シンチレーターパネルおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060308 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060308 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090311 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090317 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090331 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |