JP6487263B2 - 放射線検出器及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、放射線検出器及びその製造方法に関する。
従来、受光部及びボンディングパッドを有する光検出パネルと、受光部を覆うように光検出パネル上に設けられたシンチレータ層と、シンチレータ層を覆うように光検出パネル上に設けられた保護層と、シンチレータ層とボンディングパッドとの間の領域において保護層の外縁部を保持する樹脂部材と、を備える放射線検出器が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許第４４４５２８１号公報
上述したような放射線検出器では、保護層の外縁部が樹脂部材で保持されているため、シンチレータ層の耐湿性が確保されている。しかし、樹脂部材がシンチレータ層とボンディングパッドとの間の領域に配置されるため、当該領域が広くなる。この領域が広くなると、受光部の広さを維持しつつ放射線検出器のサイズを小さくすること、或いは、放射線検出器のサイズを維持しつつ受光部の広さを広くすることが妨げられるおそれがある。また、受光部とボンディングパッドとを電気的に接続するための配線が長くなるので、電気信号の伝達速度を向上させることが困難になったりノイズが増大したりするおそれがある。
そこで、本発明は、シンチレータ層の耐湿性を確保しつつ、シンチレータ層とボンディングパッドとの間の領域が広くなるのを抑制することができる放射線検出器及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る放射線検出器は、受光部、及び受光部と電気的に接続されたボンディングパッドを有する光検出パネルと、受光部を覆うように光検出パネル上に設けられたシンチレータ層と、シンチレータ層を覆うように光検出パネル上に設けられた保護層と、を備え、保護層の外縁部は、シンチレータ層とボンディングパッドとの間の領域において光検出パネルに密着する密着部と、密着部から光検出パネルの反対側に自立状態で延在する延在部と、を有する。
本発明に係る放射線検出器では、シンチレータ層を覆う保護層の外縁部が、光検出パネルと密着する密着部を有する。これにより、保護層と光検出パネルとの間を通りシンチレータ層に向かって湿気が入り込むことを防ぐことができる。さらに、保護層の外縁部が、密着部から光検出パネルの反対側に自立状態で延在する延在部を有する。保護層の外縁部が延在部を有さないと保護層の外縁が密着部に含まれこととなり、その場合、特に密着部のうち保護層の外縁が位置する部分と光検出パネルとの密着性が確保しにくくなる。その結果、密着部と光検出パネルとの界面からシンチレータ層に湿気が侵入しやすくなる。これに対し、上記放射線検出器では、保護層の外縁部が延在部を有し、保護層の外縁が密着部には含まれないため、密着部と光検出パネルとの密着性を十分に確保し、シンチレータ層の耐湿性を向上させることができる。したがって、従来のように保護層の外縁部を樹脂部材で保持しなくとも、シンチレータ層の耐湿性を維持することができる。さらに、そのような樹脂部材を設ける必要がない分、シンチレータ層とボンディングパッドとの間の領域を狭くすることができる。よって、本発明に係る放射線検出器によれば、シンチレータ層の耐湿性を確保しつつ、シンチレータ層とボンディングパッドとの間の領域が広くなるのを抑制することができる。
上記放射線検出器では、保護層は、光反射膜と、光反射膜に対してシンチレータ層側に配置された第１保護膜と、光反射膜に対してシンチレータ層の反対側に配置された第２保護膜と、を有してもよい。このように保護層が光反射膜を含むことによって、シンチレータ層で発生した光が外部（受光部以外の部分）に漏れることを防ぎ、放射線検出器の感度を向上させることができる。
上記放射線検出器では、光反射膜の外縁は、保護層の外縁よりも内側に位置しており、第１保護膜の外縁及び第２保護膜の外縁は、保護層の外縁に位置しており、第１保護膜の外縁部と第２保護膜の外縁部とは、光反射膜の外縁よりも外側において接合されており、光反射膜の外縁部を覆っていてもよい。例えば、光反射膜と第１保護膜との密着性、或いは、光反射膜と第２保護膜との密着性が良くない場合でも、光反射膜の外縁部が第１保護膜の外縁部と第２保護膜の外縁部とで封止されるので、それらの膜同士の密着性を確保することができる。
上記放射線検出器では、光反射膜は、アルミニウム又は銀からなる金属膜であってもよい。或いは、光反射膜は、白色顔料を含む樹脂膜であってもよい。これらにより、光反射膜の光反射性を良好なものとすることができる。
上記放射線検出器では、延在部の高さは、８０μｍ〜２５０μｍであってもよい。これにより、シンチレータ層の耐湿性をより確実に確保することができる。
本発明に係る放射線検出器の製造方法は、受光部、及び受光部と電気的に接続されたボンディングパッドを有する光検出パネルを用意し、受光部を覆うように光検出パネル上にシンチレータ層を設ける工程と、ボンディングパッドを覆うように光検出パネル上にマスキング部材を設ける工程と、シンチレータ層、シンチレータ層とボンディングパッドとの間の領域、及びマスキング部材を覆うように光検出パネル上に保護層を設ける工程と、マスキング部材のシンチレータ層側の縁部に沿ってレーザ光を照射することにより、マスキング部材上において保護層を切断する工程と、マスキング部材を除去する工程と、を含む。
本発明に係る放射線検出器の製造方法では、ボンディングパッドがマスキング部材で覆われ、シンチレータ層、シンチレータ層とボンディングパッドとの間の領域、及びマスキング部材を覆うように保護層が設けられる。これにより、保護層は、シンチレータ層とボンディングパッドとの間の領域において光検出パネルと密着する密着部を有するようになる。また、マスキング部材の縁と光検出パネルと間には、マスキング部材の厚さによる段差が生じるが、その段差に沿っても保護層が形成される。これにより、保護層は、密着部から光検出パネルの反対側に延在する延在部を有するようになる。さらに、マスキング部材のシンチレータ層側の縁部に沿ってレーザ光を照射することにより、マスキング部材上において保護層が切断され、マスキング部材が除去される。これにより、ボンディングパッドが露出するとともに、延在部は自立状態となる。したがって、製造された放射線検出器は、シンチレータ層とボンディングパッドとの間の領域において光検出パネルに密着する密着部と、密着部から光検出パネルの反対側に自立状態で延在する延在部と、を有する。よって、本発明に係る放射線検出器の製造方法によれば、シンチレータ層の耐湿性を確保しつつ、シンチレータ層とボンディングパッドとの間の領域が広くなるのを抑制することができる放射線検出器を得ることができる。
本発明によれば、シンチレータ層の耐湿性を維持しつつ、シンチレータ層とボンディングパッドとの間の領域が広くなるのを抑制することができる。
本発明の一実施形態に係る放射線検出器の平面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。 放射線検出器の製造工程の一例を示す第１の図である。 放射線検出器の製造工程の一例を示す第２の図である。 放射線検出器の製造工程の一例を示す第３の図である。 放射線検出器の製造工程の一例を示す第４の図である。 放射線検出器の製造工程の一例を示す第５の図である。 放射線検出器の第１の斜視図である。 放射線検出器の第２の斜視図である。
以下、図面を参照しながら、本発明に係る実施形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。また、各図面における寸法、形状は実際のものとは必ずしも同一ではない。
まず、図１及び図２を参照して、本実施形態に係る放射線検出器１の構成について説明する。放射線検出器１は、光検出パネル７を備えている。光検出パネル７は、基板２と、受光部３と、信号線４と、ボンディングパッド５と、パッシベーション膜６と、を有している。基板２は、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）が形成されたシリコン基板である。受光部３は、基板２の中央部の矩形状領域に２次元に配列された複数の光電変換素子３ａを含んでいる。光電変換素子３ａは、例えば、フォトダイオード（ＰＤ：Photo Diode）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）等を用いて構成されている。信号線４は、基板２に設けられており、ボンディングパッド５と受光部３とを電気的に接続している。ボンディングパッド５は、受光部３で発生した電気信号を外部回路に取り出すために用いられる。
ボンディングパッド５は、基板２の外縁のうち隣接する２辺（図１では上辺及び右辺）に沿って所定間隔毎に複数配置されている。ただし、ボンディングパッド５の配置は、これに限定されるものではない。例えば、ボンディングパッド５は、基板２の外縁の一辺のみに沿って所定間隔毎に複数配置されていてもよいし、或いは、基板２の外縁の全ての辺（４辺）に沿って所定間隔毎に複数配置されていてもよい。各ボンディングパッド５は、信号線４を介して、対応する複数の光電変換素子３ａに電気的に接続されている。
パッシベーション膜６は、光電変換素子３ａ及び信号線４の上に形成されている。パッシベーション膜６には、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン等が用いられる。パッシベーション膜６は、ボンディングパッド５が露出するように形成されている。
シンチレータ層８は、受光部３を覆うように光検出パネル７上に設けられている。シンチレータ層８は、柱状構造の複数のシンチレータ８ａを用いて構成されている。シンチレータ８ａは、放射線を受けて光（シンチレータ光）を発生する。シンチレータ８ａの材料は、特に限定されないが、例えば、発光効率が良いＴＩ（タリウム）又はＮａ（ナトリウム）ドープのＣｓＩ（ヨウ化セシウム）である。シンチレータ層８の高さは、例えば約６００μｍである。なお、シンチレータ層８の外縁部は、シンチレータ層８の外側に向かうにつれて高さが徐々に低くなるテーパ形状となっている。
図２に示されるように、保護層２０は、シンチレータ層８を覆うように光検出パネル７上に設けられる。保護層２０は、放射線を透過し且つ湿気を遮断する性質を有している。保護層２０は、光反射膜１１と、光反射膜１１に対してシンチレータ層８側に配置された第１保護膜１０と、光反射膜１１に対してシンチレータ層８の反対側に配置された第２保護膜１２と、を有している。第１保護膜１０及び第２保護膜１２は、例えば、ポリパラキシレン樹脂、ポリパラクロロキシリレン等からなる有機膜である。光反射膜１１は、アルミニウム又は銀からなる金属膜である。一例として、第１保護膜１０の厚さは約２０μｍであり、光反射膜１１の厚さは約２００ｎｍ（２０００Å）であり、第２保護膜１２の厚さは約１０μｍである。この場合には、保護層２０の厚さは約３０．２μｍとなる。
保護層２０は、本体部２１と、外縁部２２と、を有している。本体部２１は、シンチレータ層８を覆う部分である。本体部２１における第１保護膜１０は、シンチレータ層８上に、上述のような厚さを有して設けられている。第１保護膜１０は、柱状構造の複数のシンチレータ８ａのそれぞれの間を埋めつつ、シンチレータ層８上に設けられていてもよい。外縁部２２は、本体部２１の外側に、本体部２１と連続して設けられている。
外縁部２２は、密着部２３と、延在部２４と、を有している。密着部２３は、シンチレータ層８とボンディングパッド５との間の領域Ａにおいて光検出パネル７に密着している。例えば、密着部２３におけるシンチレータ層８側の第１保護膜１０の一部が光検出パネル７との密着面を有することによって、密着部２３が光検出パネル７に密着している。密着面を大きくすることで（例えば密着部の長さｄ１＋ｄ２を長くすることで）、密着部２３と光検出パネル７との密着性が高められる。
密着部２３は、第１部分２３ａと、第２部分２３ｂとを有している。第１部分２３ａは、本体部２１側に位置する部分であり、第１保護膜１０、光反射膜１１及び第２保護膜１２からなる３層構造を有している。第２部分２３ｂは、本体部２１とは第１部分２３ａを挟んで反対側に位置する部分であり、第１保護膜１０及び第２保護膜１２からなる２層構造を有している。このため、光反射膜１１の外縁１１ａは、保護層２０の外縁２０ａよりも内側（シンチレータ層８側）に位置している。第１部分２３ａにおいて、第１保護膜１０の外縁部１０ｂと第２保護膜１２の外縁部１２ｂとは、光反射膜１１を挟み込んでいる。第２部分２３ｂは、光反射膜１１の外縁部１１ｂよりも外側（ボンディングパッド５側）に位置しており、第２部分２３ｂにおいて、第１保護膜１０の外縁部１０ｂと第２保護膜１２の外縁部１２ｂとは接合されている。第１保護膜１０及び第２保護膜１２が同じ材料で構成されている場合には、第１保護膜１０及び第２保護膜１２が一体化していてもよい。密着部２３において、第１保護膜１０の外縁部１０ｂと第２保護膜１２の外縁部１２ｂとは、光反射膜１１の外縁部１１ｂを覆っている。
延在部２４は、第１保護膜１０及び第２保護膜１２からなる２層構造を有しており、密着部２３から光検出パネル７の反対側に自立状態で延在している。延在部２４は、保護層２０のうちの最も外縁２０ａ側に位置する部分である。このため、第１保護膜１０の外縁１０ａ及び第２保護膜１２の外縁１２ａは、保護層２０の外縁２０ａに位置している。延在部２４は、立上り部２４ａと、片部２４ｂと、を有している。立上り部２４ａは、密着部２３のうち本体部２１とは反対側の部分を基端として、光検出パネル７の反対側に向かって自立状態で延在している。ここで、「自立状態」とは、立上り部２４ａが、何らの部材（例えば樹脂等）によって保持されたり支持されたりすることなく起立している状態をいう。立上り部２４ａの基端部分は、密着部２３に接続されているが、それ以外の部分は、放射線検出器１のいずれの要素にも接していない。
立上り部２４ａは、光検出パネル７と直交する方向に自立状態で延在（つまり光検出パネル７から直立）している。ただし、立上り部２４ａの延在方向は、これに限定されない。立上り部２４ａは、光検出パネル７の面方向と交差する方向に自立状態で延在していればよい。例えば、立上り部２４ａは、光検出パネル７から直立した状態を基準として、ボンディングパッド５側に傾いていてもよいし、それとは反対側（シンチレータ層８側）に傾いていてもよい。また、立上り部２４ａは、平面に沿って延びている必要はなく、例えば曲面に沿って延びていてもよい。
片部２４ｂは、立上り部２４ａの上部からボンディングパッド５側に向かって突出している。片部２４ｂは、光検出パネル７の面方向と平行な方向に突出している。ただし。片部２４ｂの突出方向は、これに限定されない。片部２４ｂは、立上り部２４ａの延在方向と異なる方向に突出していればよい。例えば、片部２４ｂは、光検出パネル７の面方向に突出した状態を基準として、光検出パネル７側に傾いていてもよいし、それとは反対側に傾いていてもよい。また、片部２４ｂは、平面に沿って突出している必要はなく、例えば曲面に沿って突出していてもよい。
図２において、長さｄ１及び長さｄ２は、密着部２３の長さを示す。具体的に、長さｄ１は密着部２３の第１部分２３ａの長さを示し、長さｄ２は密着部２３の第２部分２３ｂの長さを示す。長さｄ１と長さｄ２との合計の長さは、例えば１０００μｍ程度或いはそれ以下である。長さｄ３は、立上り部２４ａの高さ、つまり延在部２４の高さを示す。長さｄ３は、例えば８０〜２５０μｍである。長さｄ４は、延在部２４の片部２４ｂの長さを示す。長さｄ４は、例えば３００μｍ程度或いはそれ以下である。長さｄ５は、密着部２３と延在部２４との境界からボンディングパッド５までの距離を示す。延在部２４とボンディングパッド５とが干渉しないように、長さｄ５は長さｄ４よりも（例えば数十〜数百μｍ程度）長く設定される。
次に、放射線検出器１の作用効果について説明する。放射線検出器１では、シンチレータ層８を覆う保護層２０の外縁部２２が、光検出パネル７と密着する密着部２３を有する。これにより、保護層２０と光検出パネル７との間を通りシンチレータ層８に向かって湿気が入り込むことを防ぐことができる。さらに、保護層２０の外縁部２２が、密着部２３から光検出パネル７の反対側に自立状態で延在する延在部２４を有する。保護層２０の外縁部２２が延在部２４を有さないと保護層２０の外縁２０ａが密着部２３に含まれこととなり、その場合、特に密着部２３のうち保護層２０の外縁２０ａが位置する部分と光検出パネル７との密着性が確保しにくくなる。その結果、密着部２３と光検出パネル７との界面からシンチレータ層８に湿気が侵入しやすくなる。これに対し、放射線検出器１では、保護層２０の外縁部２２が延在部２４を有し、保護層２０の外縁２０ａが密着部２３には含まれないため、密着部２３と光検出パネル７との密着性を十分に確保し、延在部２４が無い場合よりも、シンチレータ層８の耐湿性を向上させることができる。したがって、従来のように保護層２０の外縁部を樹脂部材で保持しなくとも、シンチレータ層８の耐湿性を維持することができる。さらに、そのような樹脂部材（例えば幅９００μｍ程度）を設ける必要が無い分、シンチレータ層８とボンディングパッド５との間の領域Ａを狭くすることができる。よって、放射線検出器１によれば、シンチレータ層８の耐湿性を確保しつつ、シンチレータ層８とボンディングパッド５との間の領域が広くなるのを抑制することができる。また、領域Ａが狭くなるので、その分、受光部３とボンディングパッド５とを電気的に接続する信号線４を短くすることができ、電気信号の伝達速度を向上させることができる。また、信号線４が短い分、ノイズの増大を抑制することもできる。
保護層２０は、光反射膜である光反射膜１１と、光反射膜１１に対してシンチレータ層８側に配置された第１保護膜１０と、光反射膜１１に対してシンチレータ層８の反対側に配置された第２保護膜１２と、を有する。このように保護層２０が光反射膜１１を含むことによって、シンチレータ層８で発生した光が外部（受光部３以外の部分）に漏れることを防ぎ、放射線検出器１の感度を向上させることができる。また、光反射膜１１の両側に第１保護膜１０及び第２保護膜１２が設けられることによって、例えば光反射膜１１を保護することもできる。
光反射膜１１の外縁１１ａは、保護層２０の外縁２０ａよりも内側に位置しており、第１保護膜１０の外縁１０ａ及び第２保護膜１２の外縁１２ａは、保護層２０の外縁２０ａに位置している。そして、第１保護膜１０の外縁部１０ｂと第２保護膜１２の外縁部１２ｂとは、光反射膜１１の外縁１１ａよりも外側において接合されており、光反射膜１１の外縁部１１ｂを覆っている。例えば、光反射膜１１と第１保護膜１０との密着性、或いは光反射膜１１と第２保護膜１２との密着性が良くない場合でも、光反射膜１１の外縁部１１ｂが第１保護膜１０の外縁部１０ｂと第２保護膜１２の外縁部１２ｂとで封止されるので、それらの膜同士の密着性を確保することができる。
光反射膜１１は、アルミニウム又は銀からなる金属膜であるため、光反射膜１１の光反射性を良好なものとすることができる。
延在部２４の高さは、８０μｍ〜２５０μｍであるため、シンチレータ層８の耐湿性をより確実に確保することができる。
延在部２４は、立上り部２４ａと、立上り部２４ａの上部からボンディングパッド５側に向かって突出する片部２４ｂとを有している。このように、延在部２４が立上り部２４ａだけでなく片部２４ｂを有することによって、保護層２０の外縁２０ａを密着部２３から十分に遠ざけることができるので、より確実に、密着部２３と光検出パネル７との密着性を確保することができる。この場合でも、片部２４ｂの長さは例えば３００μｍ程度或いはそれ以下であるので、従来のように樹脂部材（前述したように例えば幅９００μｍ程度）を設ける場合よりも、シンチレータ層８とボンディングパッド５との間の領域Ａを狭くすることができる。
例えば配線工程でボンディングパッド５にワイヤ等の導電部材がボンディングされる際、ボンディング部分から異物等がシンチレータ層８側に向かって飛んでくる可能性がある。その場合でも、延在部２４がシンチレータ層８が異物等から保護する防護壁として機能する。これにより。ボンディングの際のシンチレータ層８のコンタミネーションを防ぐことができる。
光検出パネル７には高価なものもある。製造工程の検査にて放射線検出器１が品質基準等を満たない場合に、その放射線検出器１を全て破棄してしまうのでなく、光検出パネル７を再利用することが考えられる。その場合、光検出パネル７上に設けられたシンチレータ層８を除去して新たなシンチレータ層８を光検出パネル７上に設けることになるが、そのためには保護層２０を除去しなければならない。本実施形態の放射線検出器１によれば、保護層２０の外縁部２２は、密着部２３から光検出パネル７の反対側に自立状態で延在する延在部２４を有する。これにより、例えば延在部２４を把持して引き上げる等、延在部２４を起点として保護層２０を光検出パネル７から剥離させることによって、保護層２０比較的容易に除去することができる。
次に、図３〜図７を参照して、放射線検出器１の製造方法の各工程について説明する。まず、図３（ａ）に示すように、先に図１，２を参照して説明した光検出パネル７を用意する。また、図３（ｂ）に示すように、受光部３を覆うように光検出パネル７上にシンチレータ層８を設ける。例えば、受光部３を覆う光検出パネル７上の領域において、ＴＩをドープしたＣｓＩの柱状結晶を蒸着法により成長させることでシンチレータ層８を形成（積層）する。
次に、図４（ａ）に示すように、ボンディングパッド５を覆うように光検出パネル７上にマスキング部材Ｍ１を設ける。マスキング部材Ｍ１の例は、ＵＶ硬化マスキングテープ（以下、ＵＶテープ）である。ボンディングパッド５は基板２の外縁の辺に沿って複数配置されるので、その配置方向とＵＶテープの長手方向とを一致させつつ、ボンディングパッド５を覆うようにＵＶテープの粘着面を光検出パネル７上に張り付けるとよい。ＵＶテープの厚さは、例えば１１０μｍ程度或いはそれ以下であってよい。マスキング部材Ｍ１の厚さを調節するために、複数のＵＶテープを重ねて設けてもよい。
また、シンチレータ層８、領域Ａ、及びマスキング部材Ｍ１を覆うように光検出パネル７上に保護層２０を設ける。具体的に、まず、図４（ｂ）に示すように、第１保護膜１０を形成する。例えば、ＣＶＤ法によって、基板２の表面全体をポリパラキシリレン等で被覆する。次に、図５（ａ）に示すように、第１保護膜１０の上に光反射膜１１を形成する。例えば蒸着法によってＡｌ膜を光反射膜１１上に積層する。ここで、ボンディングパッド５が光反射膜１１で覆われないようにしてもよい。その場合、ボンディングパッド５をマスキング部材Ｍ２でマスキングしてからＡｌ膜を蒸着するとよい。マスキング部材Ｍ２には、例えば、ＵＶテープを用いてよい。そして、図５（ｂ）に示すように、第２保護膜１２を形成する。例えば、再度、ＣＶＤ法によって、基板２の表面全体をポリパラキシリレン等で被覆する。
続いて、図６（ａ）に示すように、レーザ光Ｌを照射することにより、マスキング部材Ｍ１上において保護層２０を切断する。例えば、基板２が載置されたステージ（不図示）に対して、レーザ光Ｌを照射するレーザ光ヘッド（不図示）を移動させることで、レーザ光Ｌをマスキング部材Ｍ１のシンチレータ層８側の縁部に沿って走査する。
そして、マスキング部材Ｍ１を除去する。具体的に、ＵＶテープであるマスキング部材Ｍ１の粘着面の粘着力を低下させることによって、マスキング部材Ｍ１を除去する。まず、図６（ｂ）に示すように、マスキング部材Ｍ１に向かってＵＶ（紫外線）照射を行う。ＵＶは保護層２０を透過してマスキング部材Ｍ１に到達する。マスキング部材Ｍ１がＵＶ照射を受けることによって、その粘着面が粘着力を失う。そして、図７に示すように、マスキング部材Ｍ１を除去する。切断された保護層２０のうち、マスキング部材Ｍ１を覆っていた部分も、マスキング部材Ｍ１とともに除去される。これにより、ボンディングパッド５が露出する。
以上説明した放射線検出器１の製造方法によれば、ボンディングパッド５がマスキング部材Ｍ１で覆われ、シンチレータ層８、シンチレータ層８とボンディングパッド５との間の領域、及びマスキング部材Ｍ１を覆うように保護層２０が設けられる。これにより、保護層２０は、シンチレータ層８とボンディングパッド５との間の領域Ａにおいて光検出パネル７と密着する密着部２３を有するようになる。また、マスキング部材Ｍ１の縁と光検出パネル７との間には、マスキング部材Ｍ１の厚さによる段差が生じるが、その段差に沿っても保護層２０が形成される。これにより、保護層２０は、密着部２３から光検出パネル７の反対側に延在する延在部２４を有するようになる。さらに、マスキング部材Ｍ１のシンチレータ層８側の縁部に沿ってレーザ光Ｌを照射することにより、マスキング部材Ｍ１上において保護層２０が切断され、マスキング部材Ｍ１が除去される。これにより、ボンディングパッド５が露出するとともに、延在部２４はマスキング部材Ｍ１に接することなく自立状態となる。また、延在部２４は、マスキング部材Ｍ１の縁による段差に沿って形成された立上り部２４ａと、そこから、レーザ照射がなされたマスキング部材Ｍ１の縁部までの間に形成された片部２４ｂとを有する。このようにして製造された放射線検出器１は、シンチレータ層８とボンディングパッド５との間の領域Ａにおいて光検出パネル７に密着する密着部２３と、密着部２３から光検出パネル７の反対側に自立状態で延在する延在部２４（立上り部２４ａ及び片部２４ｂを含む）と、を有するので、先に説明したように、シンチレータ層８の耐湿性を維持することができるとともに、シンチレータ層８とボンディングパッド５との間の領域Ａを狭くすることができる。
ここで、レーザ光Ｌの照射によってボンディングパッド５がダメージを受けてしまう可能性も考えられる。しかし、上記の放射線検出器１の製造方法では、ボンディングパッド５がマスキング部材Ｍ１で覆われた状態で、マスキング部材Ｍ１上で保護層２０が切断される。このとき、マスキング部材Ｍ１は、レーザ光Ｌを吸収する吸収層としての役割を果たす。これにより、レーザ光Ｌがボンディングパッド５にも照射されてボンディングパッド５がダメージを受けることを防ぐことができる。
上記の放射線検出器１の製造方法では、レーザ光Ｌの照射によって保護層２０を切断するので、保護層２０の外縁部２２において密着部２３及び延在部２４を精度良く整形することができる。ボンディングパッド５が基板２の外縁の１辺だけでなく複数の辺（例えば２〜４辺）に沿って所定間隔に配置される場合でも、各辺についてレーザ光Ｌを走査すればよいので、容易に外縁部２２において密着部２３及び延在部２４を整形することができる。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、光反射膜１１の外縁１１ａは、第１保護膜１０の外縁１０ａ及び第２保護膜１２の外縁１２ａとともに、保護層２０の外縁２０ａに位置していてもよい。
光反射膜１１は、白色顔料（アルミナ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム等）を含む樹脂膜であってもよい。白色顔料を含む樹脂膜を光反射膜１１とする場合、第２保護膜１２を形成した後に、更に金属膜（例えば、アルミニウム）及び第３保護膜（第１、第２保護膜と同種材料）をこの順で積層することで、耐湿性に劣る樹脂反射膜であっても金属反射膜と同等の耐湿性、及び金属反射膜以上の光出力を得ることができる。このようにしても、光反射性を有する光反射膜１１を実現することができる。
ここで、放射線検出器１の外観形状について説明する。図８は、放射線検出器１のコーナー部分を模式的に示す斜視図であり、図９は、図８とは異なる角度から見た放射線検出器１のコーナー部分を模式的に示す斜視図である。なお、図９では、保護層２０に覆われたシンチレータ層８が見えるようにその断面が図示され、また、柱状構造の複数のシンチレータ８ａが、波線によって示されている。図８及び図９からも理解されるように、保護層２０の外縁部２２は、シンチレータ層８とボンディングパッド５との間の領域（図２等の領域Ａ）において光検出パネル７に密着する密着部２３と、密着部２３から光検出パネル７の反対側に自立状態で延在する延在部２４とを有している。図８及び図９に示されるように、立上り部２４ａは、ボンディングパッド５側に傾いており、片部２４ｂもボンディングパッド５側に傾いていてもよい。また、立上り部２４ａと片部２４ｂとの接続部分は、直角に折れ曲がるのではなく、滑らかに屈曲していてもよい。
１…放射線検出器、３…受光部、５…ボンディングパッド、７…光検出パネル、８…シンチレータ層、１０…第１保護膜、１１…光反射膜、１２…第２保護膜、２０…保護層、２２…外縁部、２３…密着部、２４…延在部、Ｍ１…マスキング部材。

Claims (7)

  1. 受光部、及び前記受光部と電気的に接続されたボンディングパッドを有する光検出パネルと、
    前記受光部を覆うように前記光検出パネル上に設けられたシンチレータ層と、
    前記シンチレータ層を覆うように前記光検出パネル上に設けられた保護層と、を備え、
    前記保護層の外縁部は、
    前記シンチレータ層と前記ボンディングパッドとの間の領域において前記光検出パネルに密着する密着部と、
    前記密着部から前記光検出パネルの反対側に自立状態で延在する延在部と、を有する、放射線検出器。
  2. 前記保護層は、
    光反射膜と、
    前記光反射膜に対して前記シンチレータ層側に配置された第１保護膜と、
    前記光反射膜に対して前記シンチレータ層の反対側に配置された第２保護膜と、を有する、請求項１記載の放射線検出器。
  3. 前記光反射膜の外縁は、前記保護層の外縁よりも内側に位置しており、
    前記第１保護膜の外縁及び前記第２保護膜の外縁は、前記保護層の外縁に位置しており、
    前記第１保護膜の外縁部と前記第２保護膜の外縁部とは、前記光反射膜の外縁よりも外側において接合されており、前記光反射膜の外縁部を覆っている、請求項２記載の放射線検出器。
  4. 前記光反射膜は、アルミニウム又は銀からなる金属膜である、請求項２又は３記載の放射線検出器。
  5. 前記光反射膜は、白色顔料を含む樹脂膜である、請求項２又は３記載の放射線検出器。
  6. 前記延在部の高さは、８０μｍ〜２５０μｍである、請求項１〜５のいずれか一項記載の放射線検出器。
  7. 受光部、及び前記受光部と電気的に接続されたボンディングパッドを有する光検出パネルを用意し、前記受光部を覆うように前記光検出パネル上にシンチレータ層を設ける工程と、
    前記ボンディングパッドを覆うように前記光検出パネル上にマスキング部材を設ける工程と、
    前記シンチレータ層、前記シンチレータ層と前記ボンディングパッドとの間の領域、及び前記マスキング部材を覆うように前記光検出パネル上に保護層を設ける工程と、
    前記マスキング部材の前記シンチレータ層側の縁部に沿ってレーザ光を照射することにより、前記マスキング部材上において前記保護層を切断する工程と、
    前記マスキング部材を除去する工程と、を含む、放射線検出器の製造方法。
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US15/563,641 US10379229B2 (en) 2015-04-20 2016-02-01 Radiation detector and method for producing same
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CN201680022754.4A CN107533142B (zh) 2015-04-20 2016-02-01 放射线检测器及其制造方法
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6487263B2 (ja) * 2015-04-20 2019-03-20 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及びその製造方法
KR102119733B1 (ko) * 2017-05-12 2020-06-17 주식회사 에이치앤아비즈 신틸레이터 패널
CN109659385A (zh) * 2017-10-10 2019-04-19 群创光电股份有限公司 感测装置
JP2019174365A (ja) * 2018-03-29 2019-10-10 シャープ株式会社 撮像パネル
CN110323235A (zh) * 2018-03-29 2019-10-11 夏普株式会社 摄像面板
JP7345385B2 (ja) 2019-12-25 2023-09-15 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及び放射線検出器の製造方法
JP2021103122A (ja) 2019-12-25 2021-07-15 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及び放射線検出器の製造方法

Family Cites Families (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3855035A (en) * 1972-06-22 1974-12-17 Varian Associates Image intensifier plate and method and compositions for manufacturing same
US3917950A (en) * 1974-04-08 1975-11-04 United States Steel Corp Fluoroscopic screen which is optically homogeneous
JPS6034709B2 (ja) * 1975-11-28 1985-08-10 株式会社日立メデイコ アンガ−形γカメラ
US5148029A (en) * 1991-09-23 1992-09-15 Siemens Gammasonics, Inc. Improved seal scintillation camera module and method of making it
US7019301B2 (en) * 1997-02-14 2006-03-28 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation detection device and method of making the same
KR100514547B1 (ko) * 1997-02-14 2005-12-14 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 방사선검출소자및그제조방법
US6172371B1 (en) * 1998-06-15 2001-01-09 General Electric Company Robust cover plate for radiation imager
EP1024374B1 (en) * 1998-06-18 2002-06-19 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel and radiation image sensor
CN1260580C (zh) * 1998-06-18 2006-06-21 浜松光子学株式会社 闪烁体面板
US7034306B2 (en) * 1998-06-18 2006-04-25 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel and radiation image sensor
CN1152265C (zh) * 1998-06-18 2004-06-02 浜松光子学株式会社 闪烁体面板、放射线图象传感器及其制造方法
JP4317154B2 (ja) * 1998-06-18 2009-08-19 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネルおよび放射線イメージセンサ
CN101311748B (zh) * 1999-04-16 2011-05-18 浜松光子学株式会社 闪烁器面板和放射线图象传感器
EP1258738B1 (en) * 2000-01-13 2011-08-03 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation image sensor and scintillator panel
AU2001258774A1 (en) * 2000-05-19 2001-11-26 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation detector and method of manufacture thereof
JP4283427B2 (ja) * 2000-08-03 2009-06-24 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器およびシンチレータパネル
JP4447752B2 (ja) * 2000-08-03 2010-04-07 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器
EP1326093A4 (en) * 2000-09-11 2006-11-15 Hamamatsu Photonics Kk SCINTILLATE PANEL, RADIATION IMAGE SENSOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
USRE42281E1 (en) * 2000-09-11 2011-04-12 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel, radiation image sensor and methods of producing them
DE20021660U1 (de) * 2000-12-20 2002-05-02 Alanod Al Veredlung Gmbh Verbundmaterial
US6835936B2 (en) * 2001-02-07 2004-12-28 Canon Kabushiki Kaisha Scintillator panel, method of manufacturing scintillator panel, radiation detection device, and radiation detection system
US6847041B2 (en) * 2001-02-09 2005-01-25 Canon Kabushiki Kaisha Scintillator panel, radiation detector and manufacture methods thereof
US6803583B2 (en) * 2001-03-21 2004-10-12 M.E. Taylor Engineering Inc. Scintillator for electron microscope and method of making
US6720561B2 (en) * 2001-12-06 2004-04-13 General Electric Company Direct CsI scintillator coating for improved digital X-ray detector assembly longevity
US7126130B2 (en) * 2001-12-06 2006-10-24 General Electric Company Direct scintillator coating for radiation detector assembly longevity
JP4280507B2 (ja) * 2003-01-24 2009-06-17 キヤノン株式会社 放射線検出装置の製造方法
US7473903B2 (en) 2003-02-12 2009-01-06 General Electric Company Method and apparatus for deposited hermetic cover for digital X-ray panel
JP4289913B2 (ja) * 2003-03-12 2009-07-01 キヤノン株式会社 放射線検出装置及びその製造方法
US7355184B2 (en) * 2003-04-07 2008-04-08 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detecting apparatus and method for manufacturing the same
US7112802B2 (en) * 2003-04-11 2006-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Scintillator panel, radiation detecting apparatus, and radiation detection system
EP1678525A1 (en) * 2003-10-22 2006-07-12 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detection device, scintillator panel, method of making the same, making apparatus, and radiation image pick-up system
US7193218B2 (en) * 2003-10-29 2007-03-20 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detection device, method of producing the same, and radiation image pick-up system
US7067817B2 (en) * 2004-01-29 2006-06-27 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation image sensor and making method of same
CN101002110B (zh) * 2004-08-10 2010-12-08 佳能株式会社 放射线探测装置、闪烁体板及其制造方法和放射线探测系统
JP4266898B2 (ja) * 2004-08-10 2009-05-20 キヤノン株式会社 放射線検出装置とその製造方法および放射線撮像システム
JP4208790B2 (ja) * 2004-08-10 2009-01-14 キヤノン株式会社 放射線検出装置の製造方法
JP4886245B2 (ja) * 2005-08-26 2012-02-29 株式会社東芝 放射線検出器
US7910892B2 (en) * 2005-12-22 2011-03-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing X-ray detector and X-ray detector
JP4921180B2 (ja) * 2006-01-25 2012-04-25 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線撮像システム
JP4920994B2 (ja) * 2006-03-02 2012-04-18 キヤノン株式会社 シンチレータパネル、放射線検出装置及び放射線検出システム
JP5089195B2 (ja) * 2006-03-02 2012-12-05 キヤノン株式会社 放射線検出装置、シンチレータパネル、放射線検出システム及び放射線検出装置の製造方法
US7405406B1 (en) * 2006-04-21 2008-07-29 Radiation Monitoring Devices, Inc. Two-sided scintillation detectors and related methods
EP1860463A1 (en) * 2006-05-23 2007-11-28 Agfa HealthCare NV Radiation image phosphor or scintillator panel
DE102006038969B4 (de) * 2006-08-21 2013-02-28 Siemens Aktiengesellschaft Röntgenkonverterelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4764407B2 (ja) * 2007-11-20 2011-09-07 東芝電子管デバイス株式会社 放射線検出器及びその製造方法
FR2948379B1 (fr) * 2009-07-21 2011-08-19 Saint Gobain Cristaux Et Detecteurs Scintillateur en halogenure de terre rare revetu d'un absorbeur ou reflecteur de lumiere
JP5562134B2 (ja) * 2010-06-17 2014-07-30 キヤノン株式会社 放射線検出装置、その製造方法及び放射線撮像システム
JP5649872B2 (ja) * 2010-08-24 2015-01-07 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器の製造方法
JP5456013B2 (ja) * 2010-12-17 2014-03-26 富士フイルム株式会社 放射線撮像装置
JP5629593B2 (ja) * 2011-02-01 2014-11-19 株式会社東芝 放射線検出器
JP5728250B2 (ja) 2011-03-01 2015-06-03 キヤノン株式会社 放射線検出装置、シンチレータパネル、それらの製造方法、および放射線検出システム
KR101266554B1 (ko) * 2011-05-09 2013-05-27 주식회사 아비즈알 신틸레이터 패널 및 신틸레이터 패널을 제조하는 방법
JP5911274B2 (ja) * 2011-11-28 2016-04-27 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線撮像システム
KR101925895B1 (ko) * 2011-12-29 2018-12-07 삼성디스플레이 주식회사 엑스선 검출용 패널 및 이의 제조방법
US8829454B2 (en) * 2012-02-27 2014-09-09 Analog Devices, Inc. Compact sensor module
JP6200171B2 (ja) * 2012-06-04 2017-09-20 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び撮像システム
JP6071283B2 (ja) * 2012-07-04 2017-02-01 キヤノン株式会社 放射線検出装置及びその製造方法
JP5922518B2 (ja) * 2012-07-20 2016-05-24 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器
JP2014081364A (ja) * 2012-09-27 2014-05-08 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置
JP6092568B2 (ja) * 2012-10-11 2017-03-08 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線検出システム
JP6298264B2 (ja) * 2012-10-31 2018-03-20 キヤノン株式会社 シンチレータ、放射線検出装置、および、それらの製造方法
US9116022B2 (en) * 2012-12-07 2015-08-25 Analog Devices, Inc. Compact sensor module
JP6100045B2 (ja) * 2013-03-19 2017-03-22 キヤノン株式会社 放射線検出装置、放射線検出システム及び放射線検出装置の製造方法
JP6200173B2 (ja) * 2013-03-21 2017-09-20 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線検出システム
EP3004930B1 (en) * 2013-05-24 2019-07-10 Teledyne Dalsa B.V. A moisture protection structure for a device and a fabrication method thereof
US20140374608A1 (en) * 2013-06-19 2014-12-25 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detection apparatus and method of manufacturing the same
JP2015096823A (ja) * 2013-11-15 2015-05-21 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法
JP2016038279A (ja) * 2014-08-07 2016-03-22 コニカミノルタ株式会社 シンチレータパネルおよびこれを備えた放射線検出器
JP6488635B2 (ja) * 2014-10-23 2019-03-27 コニカミノルタ株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器
JP6512830B2 (ja) * 2015-01-09 2019-05-15 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線検査装置
JP6487263B2 (ja) * 2015-04-20 2019-03-20 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及びその製造方法

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