JP6071283B2 - 放射線検出装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
Claims (11)
- 放射線検出装置の製造方法であって、
画素アレイが形成されたセンサ基板の上に、前記画素アレイを覆うシンチレータ層と、前記シンチレータ層の側面を覆う封止層と、前記シンチレータ層の上面及び前記封止層の上面を覆う保護層とを形成する形成工程と、
前記センサ基板の切断面、前記封止層の切断面及び前記保護層の切断面が同一平面上に位置し、前記画素アレイから前記センサ基板の前記切断面までの距離が前記画素アレイから前記センサ基板の前記切断面とは異なる他の側面までの距離よりも短くなるように、前記画素アレイの辺に沿って前記センサ基板、前記封止層及び前記保護層を切断する切断工程とを有することを特徴とする製造方法。 - 前記封止層は、前記シンチレータ層の1つ以上の側面を接して覆う第1部分と、前記シンチレータ層の他の1つ以上の側面を覆う第2部分とを有し、
前記切断工程において、前記封止層の前記第1部分が切断されることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。 - 前記封止層の前記第2部分は、前記封止層の前記第1部分よりも防湿性に優れる材料で形成されることを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
- 前記製造方法は、前記保護層を前記封止層に対してヒートシールを行って、前記保護層にヒートシール部を形成する工程を更に有することを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の製造方法。
- 前記切断工程において、前記保護層が前記ヒートシール部において切断されることを特徴とする請求項4に記載の製造方法。
- 前記形成工程は、前記画素アレイの辺に沿って前記センサ基板にスクライブラインを形成する工程を含み、
前記封止層は前記スクライブラインの上に形成され、
前記スクライブラインを用いて前記切断工程を行うことを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の製造方法。 - 前記形成工程は、柱状結晶の集合体を用いて前記シンチレータ層を形成した後に、樹脂を用いて前記封止層を形成する工程を含み、
前記封止層を形成するための樹脂は前記柱状結晶の集合体の柱間に入り込むことを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の製造方法。 - 前記センサ基板の前記切断面に近づくほど前記センサ基板の厚さが薄くなるように前記センサ基板の背面の一部を除去する工程を更に有することを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載の製造方法。
- 前記形成工程において、互いに隣接した第1画素アレイ及び第2画素アレイのそれぞれが前記画素アレイとして前記センサ基板に形成されており、前記第1画素アレイの1辺が前記第2画素アレイの1辺に対向しており、
前記シンチレータ層は、前記第1画素アレイを覆う第1シンチレータ層と、前記第2画素アレイを覆う第2シンチレータ層とを含み、
前記封止層は、前記第1シンチレータ層の側面及び前記第2シンチレータ層の側面を覆い、
前記保護層は、前記第1シンチレータ層の上面、前記第2シンチレータ層の上面及び前記封止層の上面を覆い、
前記切断工程において、前記第1画素アレイと前記第2画素アレイとの間の位置において前記センサ基板、前記封止層及び前記保護層が切断されることを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項に記載の製造方法。 - 前記切断工程の前に、前記第1画素アレイの前記第2画素アレイに対向している辺に隣接する辺に沿って前記センサ基板、前記封止層及び前記保護層を切断する工程を更に有することを特徴とする請求項9に記載の製造方法。
- 画素アレイを有するセンサ基板と、
前記画素アレイを覆うシンチレータ層と、
前記シンチレータ層の側面を覆う封止層と、
前記シンチレータ層の上面及び前記封止層の上面を覆う保護層とを備える放射線検出装置であって、
前記センサ基板の少なくとも1つの側面は、前記封止層の側面及び前記保護層の側面と同一平面上に位置し、前記画素アレイから前記センサ基板の前記少なくとも1つの側面までの距離が前記画素アレイから前記センサ基板の前記少なくとも1つの側面とは異なる他の側面までの距離よりも短いことを特徴とする放射線検出装置。
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