JP6512830B2 - 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線検査装置 - Google Patents
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Description
本発明は、放射線撮像装置、その製造方法及び放射線検査装置に関する。
放射線撮像装置は、例えば、放射線を検知するための複数のセンサが基板上に配列されたセンサパネルを備える。放射線を光に変換して該光を光電変換により電気信号に変換する検知方式の場合、放射線撮像装置はシンチレータをさらに備える。
シンチレータは、例えば蒸着法により形成され、タリウム活性化ヨウ化セシウム（Ｔｌ：ＣｓＩ）等の複数の柱状結晶で構成された構造を有する。ここで、シンチレータは潮解性を有するため、シンチレータの潮解を抑制するための保護膜がシンチレータを覆うように形成される。一方で、シンチレータは、例えばセンサパネル等の基材に対して固定されるため、該保護膜には密着性（接着力）を有することが求められる。
特許文献１には、シンチレータを覆い且つシラン系化合物をモノマーとする第１の保護膜と、該第１の保護膜を覆い且つ含フッ素化合物不飽和炭化水素をモノマーとする第２の保護膜とが配された構造が例示されている。
本願の発明者は、シンチレータの保護層に樹脂を用いた場合、該樹脂におけるフッ素の含有量が大きいほどシンチレータの潮解を抑制するのに有利である一方、該樹脂におけるフッ素の含有量が小さいほど該樹脂の密着性が大きくなることを見い出した。前述のとおり、シンチレータの保護膜は、シンチレータの潮解を抑制すると共に密着性を有することが求められる。そのため、互いに相反する性質を有する上記樹脂をどのように用いて該保護膜を形成するか、考慮する必要がある。
本発明は、シンチレータの保護膜についてシンチレータの潮解を抑制しながら密着性を向上させるための新規な技術を提供する。
本発明の一つの側面は放射線撮像装置にかかり、前記放射線撮像装置は、複数のセンサが配列されたセンサパネルと、基材上に配され、ハロゲン化アルカリで構成されたシンチレータと、前記シンチレータの潮解を抑制するための保護膜と、を備え、前記保護膜は、前記シンチレータの側面と前記シンチレータの前記基材とは反対側の端とを覆う第１部分と、前記第１部分の表面の少なくとも一部を覆う第２部分と、を含み、前記第２部分は、フッ素の含有量が前記第１部分のフッ素の含有量よりも小さく、接着部材を介して前記センサパネルと固定されていることを特徴とする。
本発明によれば、シンチレータの保護膜についてシンチレータの潮解を抑制しながら密着性を向上させることができる。
（第１実施形態）
図１〜３を参照しながら、第１実施形態に係る放射線撮像装置１（以下、単に「装置１」という。）を説明する。
図１〜３を参照しながら、第１実施形態に係る放射線撮像装置１（以下、単に「装置１」という。）を説明する。
図１（ａ）は、装置１の上面図であり、平面視（撮像面に対する平面視。以下、本明細書において同じ。）での構造を示す模式図である。図１（ｂ）は、カットラインＡ‐Ａ’での断面構造を示す。
装置１は、例えば、センサパネル１００とシンチレータパネル２００とを備える。センサパネル１００は、例えば、基板１１０と、複数のセンサが基板１１０上に配列されたセンサアレイ１２０と、外部との間で信号の授受を行い又は外部から電圧の供給を受けるための電極１３０とを有する。
基板１１０には、例えばガラス基板等が用いられうる。基板１１０上には、撮像部を構成する各素子がアモルファスシリコン等により形成される。例えば、各センサには、例えばＰＩＮセンサ、ＭＩＳセンサ等が用いられうる。また、各センサから信号を読み出すスイッチ素子には、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が用いられうる。なお、センサパネル１００の構造は、本例に限られるものではなく、ＣＭＯＳイメージセンサ、ＣＣＤイメージセンサ等、公知の半導体製造プロセスにより半導体基板上に形成されたセンサが用いられてもよい。
電極１３０は、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）等のケーブルを介して、外部の他の電気回路基板等に接続される。電極１３０は、センサアレイ１２０を制御するための制御信号を受け、若しくは、センサアレイ１２０からの信号を出力し、又は、センサアレイ１２０を駆動するための電圧を受ける。
シンチレータパネル２００は、例えば、基材２１０と、基材２１０上に配されたシンチレータ２２０と、シンチレータ２２０を覆う保護膜２３０とを有する。シンチレータパネル２００は、センサパネル１００側（図１（ｂ）の下側）にシンチレータ２００が位置し、その反対側（放射線の照射側）に基材２１０が位置するように配されている。
シンチレータ２２０は、例えば蒸着法により形成され、柱状結晶構造（複数の柱状結晶で構成された構造）を有する。シンチレータ２２０は、典型的にはハロゲン化アルカリで構成され、例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＢｒ：Ｔｌ、ＮａＩ：Ｔｌ、ＬｉＩ：Ｅｕ、ＫＩ：Ｔｌ等で構成されうる。１つの例として、ＣｓＩ：Ｔｌのシンチレータは、例えばＣｓＩとＴｌＩとを真空チャンバー内で加熱しながら蒸着することによって形成されうる。基材２１０の蒸着面には、予め、シンチレータ２２０の形成に有利な下地層が形成されてもよい。
基材２１０は、放射線が十分に透過するように構成されればよい。基材２１０は、光反射性を有する材料で構成されてもよく、この場合、シンチレータ２２０からの光（シンチレーション光）は基材２１０によってセンサパネル１００側に反射されうる。例えば、基材２１０には、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ等の金属が用いられうる。その他、基材２１０には、ＰＥＥＫ、ナイロン、アラミド、ＰＰＳ、ＣＦＲＰ、ＧＦＲＰ等の樹脂が用いられてもよいし、ガラスやアモルファスカーボン等のアモルファス材料、Ｓｉ、Ｇｅ、結晶カーボン、石英、酸化アルミニウム等の結晶材料等が用いられてもよい。
保護膜２３０は、本例では、複数の層で形成されており、例えば、第１層２３１と、第２層２３２と、第３層２３３とで構成されている。
第１層２３１は、フッ素系樹脂で実質的に構成されており、シンチレータ２２０の柱状結晶の側面および先端を覆う第１部分を形成する。第３層２３３は、フッ素系樹脂ではない樹脂（本明細書において「非フッ素系樹脂」と称する。）で実質的に構成されており、センサパネル１００側の表面部分である第２部分を形成する。第２層２３２は、フッ素系樹脂と非フッ素系樹脂とを混ぜ合わせた材料で構成され、第１層２３１と第３層２３３との結合力を向上させる中間層として機能する。
フッ素系樹脂は、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、四フッ化エチレン‐六フッ化プロピレン共重合体（ＦＥＰ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、フッ素化メタクリル酸エステル重合体、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、エチレン‐四フッ化エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、エチレン‐クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）等を含む。
非フッ素系樹脂は、例えば、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）、塩化ビニリデン‐塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン‐アクリロニトリル共重合体、ポリ塩化ビニル、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ナイロン、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、スチレンブタジエンゴム系樹脂、ポリパラキシリレン等を含む。
ここで、フッ素系樹脂は、撥水作用を有し（典型的には、水滴との接触角が９０°より大きく）、非フッ素系樹脂（典型的には、水滴との接触角が９０°以下の樹脂）に対してシンチレータ２２０の潮解を抑制するのに有利である。その一方で、非フッ素系樹脂の密着性はフッ素系樹脂の密着性よりも大きく、このことは、接着剤を介して所定の基材に接着する場合に有利である。
図１の構成によると、フッ素系樹脂で構成された第１層２３１は、シンチレータ２２０を覆うように形成されており、シンチレータ２２０の潮解を抑制する。また、第１層２３１は、シンチレータ２２０の柱状結晶の側面および先端を覆っており、フッ素系樹脂がシンチレータ２２０の柱状結晶間の隙間を埋めるように配されている。そのため、いわゆるアンカー効果によって第１層２３１とシンチレータ２２０との密着性が向上する。
一方で、非フッ素系樹脂で構成された第３層２３３は、密着性が比較的高く、センサパネル１００に対して接着するのに有利である。センサパネル１００とシンチレータパネル２００とは、接着部材３００を介して固定され、後の製造工程での衝撃や装置１の使用時の衝撃等によってセンサパネル１００とシンチレータパネル２００とが剥離することを防ぐことができる。
なお、接着部材３００には、例えば、粘着シートが用いられてもよいが、ホットメルト樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂等が用いられてもよい。
本構成によると、保護膜２３０についてシンチレータ２２０の潮解を抑制しながら密着性を向上させることができる。
図２を参照しながら、以下、装置１の製造方法（主にシンチレータパネル２００を形成方法）を述べる。
まず、図２（ａ）に例示されるように、例えば蒸着法によって、基材２１０上に柱状結晶構造を有するシンチレータ２２０を形成する。本例では、ＣｓＩ：Ｔｌのシンチレータ２２０を形成した。アモルファスカーボンで構成された基材２１０（厚さ１ｍｍ）を蒸着装置のチャンバー内のホルダに設置して、アルゴン（Ａｒ）ガス条件の下、真空度を０．１Ｐａに調整しながら蒸着を行った。これにより、シンチレータ２２０（厚さ６００μｍ）を基材２１０上に形成した。
なお、上記工程に先立って、基材２１０の蒸着面に、シンチレータ２２０の形成に有利な下地層を形成してもよい。該下地層には、例えば有機樹脂が典型的に用いられ、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂等が用いられうる。
次に、図２（ｂ）に例示されるように、基材２１０上にシンチレータ２２０を覆うようにフッ素系樹脂をスプレー２３ａにより塗布し、第１層２３１を形成する。本例では、フッ素系樹脂として、フッ素化メタクリル酸エステル重合体を含有する３Ｍ社製ＮＯＶＥＣ２７０２を使用した。
その後、図２（ｃ）に例示されるように、第１層２３１の上に、フッ素系樹脂をスプレー２３ａにより塗布しながら非フッ素系樹脂をスプレー２３ｂにより塗布し、第２層２３２を形成する。即ち、第２層２３２は、フッ素系樹脂と非フッ素系樹脂とを混ぜ合わせた材料で構成される。本例では、非フッ素系樹脂として、日東シンコー社製のエレップコートＬＳＳ−５２０ＭＨ（スチレンブジエンゴム系の樹脂）を使用した。
最後に、図２（ｄ）に例示されるように、第２層２３２の上に非フッ素系樹脂をスプレー２３ｂにより塗布し、第３層２３３を形成する。以上のようにして、シンチレータパネル２００が得られる。
本例では、第１層２３１を膜厚２μｍで形成し、第２層２３２を膜厚８μｍで形成し、第３層２３３を膜厚５μｍで形成し、保護膜２３０の厚さの合計を１５μｍにした。第２層２３２は、フッ素系樹脂と非フッ素系樹脂とを混ぜ合わせた材料で構成され、第１層２３１と第３層２３３との結合力を向上させる中間層として機能する。即ち、保護膜２３０におけるフッ素の含有量（本例では、非フッ素系樹脂に対するフッ素系樹脂の割合）は、第１層２３１側（シンチレータ２２０側）から第３層２３３側（センサパネル１００側）に向かって小さくなる。なお、第２層２３２におけるフッ素系樹脂と非フッ素系樹脂との混合比は１：１でもよいが、この値（この比率）に限られない。
また、上述の工程とは別に、センサパネル１００を準備する。センサパネル１００は、公知の製造プロセスを用いて作製されればよいが、ここでは説明を省略する。本例では、センサパネル１００を、ガラス基板（厚さ０．７ｍｍ）上にアモルファスシリコンを用いて各素子を形成することによって作製した。
その後、シンチレータパネル２００を、センサアレイ１２０とシンチレータ２２０とが平面視において重なるように、センサパネル１００に対して接着部材３００を用いて貼り合わせ、固定する。本例では、接着部材３００として、リンテック社製のＰ−０２８０（アクリル系の接着剤、厚さ２５μｍ）を用いた。
以上のようにして製造された装置１によると、保護膜２３０により、シンチレータ２２０の潮解を抑制することができると共にセンサパネル１００とシンチレータパネル２００との密着性を向上させることができる。装置１の構造およびその製造方法は、本実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜、変更されてもよい。
例えば、センサパネル１００とシンチレータパネル２００との剥離が防止されればよいため、非フッ素系樹脂で構成された第３層２３３は、図３（ａ）に例示されるように、少なくともセンサパネル１００と近接する領域に配されていればよい。
また、図３（ｂ）に例示されるように、センサパネル１００およびシンチレータパネル２００の端部を樹脂４００により封止してもよい。樹脂４００は、例えば、衝撃に対して耐性を有する材料（例えば、弾性率が比較的高い材料）で構成されるとよい。具体的には、樹脂４００は、例えば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリパラキシリレン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化‐塩化エチレン、四フッ化エチレン‐六フッ化プロピレン共重合体、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニリデン‐塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン‐アクリロニトリル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタラート、スチレンブタジエンゴム系樹脂、ポリオレフィン系樹脂等を含む。
（第２実施形態）
図４を参照しながら第２実施形態を説明する。前述の第１実施形態では、保護膜２３０が、第１層２３１〜第３層２３３の３層で構成された構造を例示した。しかしながら、本発明はこの構造に限られるものではなく、保護膜２３０の層の数をさらに大きくしてもよい。
図４を参照しながら第２実施形態を説明する。前述の第１実施形態では、保護膜２３０が、第１層２３１〜第３層２３３の３層で構成された構造を例示した。しかしながら、本発明はこの構造に限られるものではなく、保護膜２３０の層の数をさらに大きくしてもよい。
図４に例示されるように、本実施形態に係る保護膜２４０は、第１層２４１〜第５層２４５で構成されている。第１層２４１は、第１実施形態（図１参照）の第１層２３１に対応し、シンチレータ２２０（の側面および先端）を覆う第１部分を形成しており、シンチレータ２２０の潮解を抑制するのに有利なフッ素系樹脂で実質的に構成されうる。第５層２４５は、第１実施形態の第３層２３３に対応し、センサパネル１００側の表面部分である第２部分を形成しており、密着性が比較的高い非フッ素系樹脂で実質的に構成されうる。第２層２４２〜第４層２４４は、前述の第２層２３２に対応し、上記第１層２４１及び第５層２４５の結合力を大きくする中間層として機能し、フッ素系樹脂と非フッ素系樹脂との混合比が第２層２４２側から第４層２４４側に向かって徐々に変化するように構成される。即ち、保護膜２４０におけるフッ素の含有量（本例では、非フッ素系樹脂に対するフッ素系樹脂の割合）は、第１層２４１側（シンチレータ２２０側）から第５層２４５側（センサパネル１００側）に向かって小さくなる。
本例では、フッ素系樹脂として、３Ｍ社製ＮＯＶＥＣ２７０２（第１実施形態と同様）を使用し、非フッ素系樹脂として、テトラヒドロフランで溶解したポリ塩化ビニリデン溶液を使用して、保護膜２４０（厚さ１５μｍ）を形成した。第１層２４１については、フッ素系樹脂と非フッ素系樹脂との混合比を１０：０とした（第１層２４１を実質的にフッ素系樹脂で構成した）。第２層２４２については、フッ素系樹脂と非フッ素系樹脂との混合比を８：２とした。第３層２４３については、フッ素系樹脂と非フッ素系樹脂との混合比を５：５とした。第４層２４４については、フッ素系樹脂と非フッ素系樹脂との混合比を２：８とした。第５層２４５については、フッ素系樹脂と非フッ素系樹脂との混合比を０：１０とした（第５層２４５を実質的に非フッ素系樹脂で構成した）。
その後、第１実施形態と同様に、シンチレータパネル２００をセンサパネル１００に対して接着部材３００を用いて貼り合わせ、固定すればよい。本例では、接着部材３００として、パナック製のＰＤ−Ｓ１（アクリル系粘着剤、厚さ２５μｍ）を用いた。また、センサパネル１００として、半導体製造プロセスを用いてシリコン基板上に形成されたＣＭＯＳイメージセンサを用いた。
本実施形態によると、スプレー２３ａ及び２３ｂによる樹脂の塗布量を調節しながら保護膜２４０を構成する第１層２４１〜第５層２４５を形成し、第１層２４１〜第５層２４５は、構成材料の混合比が徐々に変化するように構成されている。そのため、第１層２４１〜第５層２４５の間（層間）での結合力をより大きくすることができ、第１層２４１〜第５層２４５の間での剥離を防ぐのに有利である。よって、本実施形態によると、第１実施形態と同様の効果が得られる他、保護膜２４０を構成する複数の第１層２４１〜第５層２４５の間での剥離を防ぐのにさらに有利である。なお、本例では、保護膜２４０が５層で構成された構造を例示したが、層の数をさらに大きくしてもよい。或いは、保護膜２４０は、１層で構成され且つ該層内での構成材料の混合比がシンチレータ２２０側からセンサパネル１００側に向かって徐々に変化するように、構成されていてもよい。
（第３実施形態）
図５を参照しながら第３実施形態を説明する。本実施形態では、まず、フッ素系樹脂で実質的に構成された膜２５１を、シンチレータ２２０の柱状結晶の表面（側面および先端）を覆い且つ該柱状結晶間の隙間を埋めないように形成する。次に、該膜２５１で覆われた柱状結晶間の隙間を埋めるように、非フッ素系樹脂で実質的に構成された部材２５２を形成する。
図５を参照しながら第３実施形態を説明する。本実施形態では、まず、フッ素系樹脂で実質的に構成された膜２５１を、シンチレータ２２０の柱状結晶の表面（側面および先端）を覆い且つ該柱状結晶間の隙間を埋めないように形成する。次に、該膜２５１で覆われた柱状結晶間の隙間を埋めるように、非フッ素系樹脂で実質的に構成された部材２５２を形成する。
具体的には、まず、図５（ａ）に例示されるように、前述の第１実施形態と同様に、基材２１０上に柱状結晶構造を有するシンチレータ２２０を形成する。次に、図５（ｂ）に例示されるように、フッ素系樹脂をスプレー２３ａにより塗布し、シンチレータ２２０の柱状結晶の表面（側面および先端）を覆い且つ該柱状結晶間の隙間を埋めないように膜２５１（厚さ１μｍ）を形成する。本例では、フッ素系樹脂として、３Ｍ社製ＮＯＶＥＣ２７０２（第１実施形態と同様）を使用した。
最後に、図５（ｃ）に例示されるように、膜２５１の上に非フッ素系樹脂をスプレー２３ｂにより塗布し、膜２５１で覆われた柱状結晶間の隙間を埋めるように部材２５２を形成する。本例では、非フッ素系樹脂として、シクロヘキサノンで溶解したポリ塩化ビニリデン溶液を使用した。以上のようにして、保護膜２５０（厚さ１５μｍ）を形成した。
本実施形態によると、部材２５２が柱状結晶間の隙間を埋めるように形成されている。そのため、フッ素系樹脂と非フッ素系樹脂とを混ぜ合わせた材料で構成された中間層が膜２５１と部材２５２との間に存在しなくても、アンカー効果によって膜２５１と部材２５２との密着性が向上する。よって、本実施形態によると、前述の第１実施形態と同様の効果が得られる他、膜２５１と部材２５２との間での剥離を防ぐのにさらに有利である。なお、膜２５１と部材２５２との間に、上記中間層が形成されてもよいことは言うまでもない。
（その他）
以上、いくつかの好適な実施形態を例示したが、本発明はこれらに限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、その一部を変更してもよく、各実施形態の特徴を組み合わせてもよいし、他の公知の構造ないし態様と組み合わせてもよい。
以上、いくつかの好適な実施形態を例示したが、本発明はこれらに限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、その一部を変更してもよく、各実施形態の特徴を組み合わせてもよいし、他の公知の構造ないし態様と組み合わせてもよい。
例えば、第１実施形態ではセンサパネル１００とシンチレータパネル２００とを貼り合わせて装置１を製造する態様を例示したが、本発明はこの態様に限られない。例えば、図６に例示されるように、本例と同様にセンサパネル１００を準備し、該センサパネル１００のセンサアレイ１２０側の面にシンチレータ２２０を形成してもよい。この場合においても、シンチレータ２２０を覆う保護膜２６０を、各実施形態の例と同様の方法で形成すればよい。その後、保護膜２６０の上に、例えば接着部材３００を介して所定の基材２７０（例えば、光反射性を有する板材）を配置すればよい。
（放射線撮像システムへの適用例）
図７に例示されるように、上記各実施形態で述べた放射線撮像装置は、放射線検査装置等に代表される撮像システムに適用されうる。放射線は、Ｘ線、α線、β線、γ線等を含む。ここでは、代表例としてＸ線を用いる場合を述べる。
図７に例示されるように、上記各実施形態で述べた放射線撮像装置は、放射線検査装置等に代表される撮像システムに適用されうる。放射線は、Ｘ線、α線、β線、γ線等を含む。ここでは、代表例としてＸ線を用いる場合を述べる。
Ｘ線チューブ６１０（放射線源）で発生したＸ線６１１は、被検者６２０の胸部６２１を透過し、放射線撮像装置６３０に入射する。該入射したＸ線６１１には患者６２０の体内の情報が含まれており、装置６３０により該Ｘ線６１１に応じた電気的情報が得られる。この電気的情報は、ディジタル信号に変換された後、例えばイメージプロセッサ６４０（信号処理部）によって所定の信号処理が為される。医師等のユーザは、該電気的情報に応じた放射線画像を、例えばコントロールルームのディスプレイ６５０（表示部）で観察することができる。ユーザは、放射線画像又はそのデータを、所定の通信手段６６０により遠隔地へ転送することができ、該放射線画像を、例えばドクタールーム等の他の場所のディスプレイ６５１で観察することもできる。また、ユーザは、該放射線画像又はそのデータを所定の記録媒体に記録することもでき、例えば、フィルムプロセッサ６７０によってフィルム６７１に記録することができる。
１：放射線撮像装置、１００：センサパネル、２００：シンチレータパネル、２２０：シンチレータ、２３０：保護膜。
Claims (12)
- 複数のセンサが配列されたセンサパネルと、
基材上に配され、ハロゲン化アルカリで構成されたシンチレータと、
前記シンチレータの潮解を抑制するための保護膜と、を備え、
前記保護膜は、前記シンチレータの側面と前記シンチレータの前記基材とは反対側の端とを覆う第１部分と、前記第１部分の表面の少なくとも一部を覆う第２部分と、を含み、
前記第２部分は、フッ素の含有量が前記第１部分のフッ素の含有量よりも小さく、接着部材を介して前記センサパネルと固定されている
ことを特徴とする放射線撮像装置。 - 前記シンチレータは、複数の柱状結晶で構成され、
前記第１部分は、前記シンチレータの各柱状結晶の側面および先端を覆い、
前記保護膜は、フッ素系樹脂である第１樹脂とフッ素系樹脂でない第２樹脂とで構成されており、
前記第２部分における前記第２樹脂に対する前記第１樹脂の割合は、前記第１部分における前記第２樹脂に対する前記第１樹脂の割合よりも小さい
ことを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。 - 前記シンチレータの各柱状結晶の側面および先端を覆うように前記第１樹脂で構成された膜が形成されており、該第１樹脂の膜で覆われた柱状結晶間の隙間を埋めながら前記シンチレータを覆うように少なくとも前記第２樹脂を含む部材が形成されている
ことを特徴とする請求項２に記載の放射線撮像装置。 - 前記第１樹脂は、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、四フッ化エチレン‐六フッ化プロピレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン、フッ素化メタクリル酸エステル重合体、ポリフッ化ビニル、エチレン‐四フッ化エチレン共重合体、及び、エチレン‐クロロトリフルオロエチレン共重合体のうちの少なくとも１つを含む
ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の放射線撮像装置。 - 前記第２樹脂は、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニリデン‐塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン‐アクリロニトリル共重合体、ポリ塩化ビニル、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ナイロン、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、スチレンブタジエンゴム系樹脂、ポリパラキシリレンのうちの少なくとも１つを含む
ことを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。 - 前記第１樹脂と水滴との接触角は９０°より大きく、
前記第２樹脂と水滴との接触角は９０°以下である
ことを特徴とする請求項２から請求項５のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。 - 複数のセンサが配列されたセンサパネルと、
前記センサパネルの上に配され且つハロゲン化アルカリで構成されたシンチレータと、
前記シンチレータの上に配された基材と、
前記シンチレータの潮解を抑制するための保護膜と、を備え、
前記保護膜は、前記シンチレータの側面と前記シンチレータの前記センサパネルとは反対側の端とを覆う第１部分と、前記第１部分の表面の少なくとも一部を覆う第２部分と、を含み、
前記第２部分は、フッ素の含有量が前記第１部分のフッ素の含有量よりも小さく、接着部材を介して前記基材と固定されている
ことを特徴とする放射線撮像装置。 - 前記シンチレータは、複数の柱状結晶で構成され、
前記第１部分は、前記シンチレータの各柱状結晶の側面および先端を覆い、
前記基材は光反射性の材料で構成されている
ことを特徴とする請求項７に記載の放射線撮像装置。 - 請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置からの信号を処理するプロセッサと、を具備する
ことを特徴とする放射線検査装置。 - ハロゲン化アルカリで構成されて基材の上に配されたシンチレータの潮解を抑制するための保護膜を形成する第１工程と、
複数のセンサが配列されたセンサパネルを前記保護膜に接着部材を介して固定する第２工程と、
を含み、
前記保護膜は、前記シンチレータの側面と前記シンチレータの前記基材とは反対側の端とを覆う第１部分と、前記第１部分よりもフッ素の含有量が小さく且つ前記第１部分の表面の少なくとも一部を覆う第２部分と、を含み、
前記第２工程では、前記第２部分が前記接着部材を介して前記センサパネルに固定される
ことを特徴とする放射線撮像装置の製造方法。 - ハロゲン化アルカリで構成されて複数のセンサが配列されたセンサパネルの上に配されたシンチレータの潮解を抑制するための保護膜を形成する第１工程と、
基材を前記保護膜に接着部材を介して固定する第２工程と、
を含み、
前記保護膜は、前記シンチレータの側面と前記シンチレータの前記センサパネルとは反対側の端とを覆う第１部分と、前記第１部分よりもフッ素の含有量が小さく且つ前記第１部分の表面の少なくとも一部を覆う第２部分と、を含み、
前記第２工程では、前記第２部分が前記接着部材を介して前記基材に固定される
ことを特徴とする放射線撮像装置の製造方法。 - 前記第１工程では、フッ素系樹脂である第１樹脂とフッ素系樹脂でない第２樹脂とを塗布し、前記第１樹脂の塗布量と前記第２樹脂の塗布量とを調節しながら前記保護膜を形成する
ことを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の放射線撮像装置の製造方法。
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