WO2021079567A1 - シンチレータパネル、放射線検出器、シンチレータパネルの製造方法、及び、放射線検出器の製造方法 - Google Patents

シンチレータパネル、放射線検出器、シンチレータパネルの製造方法、及び、放射線検出器の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2021079567A1
WO2021079567A1 PCT/JP2020/026854 JP2020026854W WO2021079567A1 WO 2021079567 A1 WO2021079567 A1 WO 2021079567A1 JP 2020026854 W JP2020026854 W JP 2020026854W WO 2021079567 A1 WO2021079567 A1 WO 2021079567A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
flexible support
layer
scintillator
scintillator panel
inorganic layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/026854
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
将志 畑中
晴紀 山路
和広 白川
啓輔 後藤
純 櫻井
Original Assignee
浜松ホトニクス株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 浜松ホトニクス株式会社 filed Critical 浜松ホトニクス株式会社
Priority to CN202080073762.8A priority Critical patent/CN114585948A/zh
Priority to US17/766,572 priority patent/US20240103189A1/en
Priority to EP20879575.7A priority patent/EP4050381A4/en
Priority to KR1020227011767A priority patent/KR20220082822A/ko
Publication of WO2021079567A1 publication Critical patent/WO2021079567A1/ja

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K4/00Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2002Optical details, e.g. reflecting or diffusing layers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/202Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
    • H01L31/115Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation

Definitions

  • the present disclosure relates to a scintillator panel, a radiation detector, a method for manufacturing a scintillator panel, and a method for manufacturing a radiation detector.
  • Patent Document 1 describes a scintillator panel.
  • This scintillator panel is a scintillator panel provided with a phosphor layer that converts radiation into light on a support. Further, the scintillator panel has a metal thin film layer having a thickness in the range of 1 to 500 nm on the surface of the support opposite to the surface having the phosphor layer.
  • the support is a roll-shaped scintillator panel support cut to a predetermined size. Further, the light emitting surface and the side surface of the phosphor layer and the side surface of the support are covered with a moisture resistant protective film.
  • the moisture resistance is improved by the metal thin film layer and the moisture resistance protective film. As described above, improvement of moisture resistance is desired in the above technical fields.
  • the surface of the metal thin film layer opposite to the support is exposed to the outside. Therefore, it is difficult to ensure the handleability of the scintillator panel described above.
  • An object of the present disclosure is to provide a scintillator panel, a radiation detector, a method for manufacturing a scintillator panel, and a method for manufacturing a radiation detector, which can improve moisture resistance while ensuring handleability.
  • the scintillator panel includes a first flexible support having a first surface and a second surface opposite to the first surface, a scintillator layer formed on the first surface and containing a plurality of columnar crystals.
  • An inorganic layer provided on the second flexible support so as to be interposed between the second flexible support provided on the second surface and the second surface and the second flexible support.
  • a first adhesive layer that adheres the second surface and the inorganic layer to each other.
  • a scintillator layer is formed on the first surface of the first flexible support.
  • an inorganic layer is provided on the second surface of the first flexible support via the first adhesive layer. Therefore, in this scintillator panel, the inorganic layer suppresses the intrusion of water from the second surface side into the scintillator layer via the first flexible support. On the other hand, if the inorganic layer is exposed, the inorganic layer may be deteriorated due to contact during handling.
  • the second flexible support is arranged on the side opposite to the second surface of the first flexible support in the inorganic layer.
  • the inorganic layer is protected from contact and deterioration of the inorganic layer is suppressed.
  • the moisture resistance is improved while ensuring the handleability. Since the side of the scintillator layer opposite to the first surface of the first flexible support is usually the side on which the sensor panel or the like is provided, the need to improve the moisture resistance is relatively low.
  • the scintillator panel according to the present disclosure may include a first flexible support, a scintillator layer, a second flexible support, and a protective layer provided so as to cover the inorganic layer. In this case, the overall moisture resistance and handleability are further improved.
  • the scintillator panel according to the present disclosure may include a second adhesive layer that adheres the inorganic layer and the second flexible support to each other.
  • the inorganic layer may be adhered to the second flexible support by an adhesive layer.
  • the bonding between the inorganic layer and the second flexible support becomes stronger than in the case where the inorganic layer is formed by thin-film deposition on the second flexible support, for example.
  • the thickness of the first flexible support and the second flexible support in the first direction intersecting the first surface is 50 ⁇ m or more and 250 ⁇ m or less, and in the first direction.
  • the thickness of the inorganic layer may be 10 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, and may be thinner than the thickness of the first flexible support and the second flexible support in the first direction.
  • the difference between the thickness of the first flexible support and the thickness of the second flexible support in the first direction may be 0 or more and 90 ⁇ m or less. In this case, since the difference in thickness between the first flexible support and the second flexible support is small, the overall warpage is suppressed.
  • the material of the inorganic layer may contain Al, Cu, Ti, Fe, or SUS.
  • the material of the first flexible support and the second flexible support may include PET, PEN, PI, PP, PE, or PMMA.
  • the radiation detector according to the present disclosure includes the above scintillator panel and a sensor panel including a photoelectric conversion element, and the scintillator panel has a sensor so that the first surface is on the sensor panel side with respect to the second surface. It is provided on the panel.
  • This radiation detector includes the scintillator panel described above. Therefore, according to this radiation detector, the moisture resistance is improved while ensuring the handleability.
  • the method for manufacturing a scintillator panel according to the present disclosure includes a step of forming a scintillator layer containing a plurality of columnar crystals by a vapor deposition method on the first surface of the first flexible support, and a second method in which an inorganic layer is provided.
  • Inorganic layer so that the step of preparing the flexible support and the inorganic layer are interposed between the second surface opposite to the first surface of the first flexible support and the second flexible support. Is provided with a step of adhering the material to the first flexible support by the first adhesive layer.
  • a scintillator layer is formed on the first surface of the first flexible support.
  • an inorganic layer is provided on the second surface of the first flexible support via an adhesive layer. Therefore, in this scintillator panel, the inorganic layer suppresses the intrusion of water from the second surface side into the scintillator layer via the first flexible support. On the other hand, if the inorganic layer is exposed, the inorganic layer may be deteriorated due to contact during handling.
  • the second flexible support is arranged on the side opposite to the second surface of the first flexible support in the inorganic layer. Therefore, during handling, the inorganic layer is protected from contact and deterioration of the inorganic layer is suppressed.
  • a scintillator panel capable of improving moisture resistance while ensuring handleability is manufactured. Since the side of the scintillator layer opposite to the first surface of the first flexible support is usually the side on which the sensor panel or the like is provided, the need to improve the moisture resistance is relatively low.
  • the method for manufacturing a radiation detector according to the present disclosure includes a step of preparing the scintillator panel described above, a step of preparing a sensor panel including a photoelectric conversion element, and a first surface facing the sensor panel side with respect to the second surface. As described above, the process of providing the scintillator panel on the sensor panel is provided. In this manufacturing method, the above-mentioned scintillator panel is used. Therefore, a radiation detector capable of improving moisture resistance while ensuring handleability is manufactured.
  • a scintillator panel a radiation detector
  • a method for manufacturing a scintillator panel a method for manufacturing a radiation detector
  • the scintillator panel (and radiation detector) converts (and detects) radiation such as X-rays into scintillation light such as visible light.
  • the scintillator panel and the radiation detector (radiation imager) include, for example, a mammography device, a chest examination device, a CT device, a dental intraoral imaging device, and a medical X-ray image diagnosis such as a radiation camera. It can be used for equipment and non-destructive inspection equipment.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a radiation detector according to the present embodiment.
  • the radiation detector 1 includes a scintillator panel 10 and a sensor panel 20.
  • the scintillator panel 10 includes a first flexible support 11, a scintillator layer 12, a second flexible support 13, an inorganic layer 14, a first adhesive layer 15, a second adhesive layer 16, a protective layer 18, and protection. It has layer 19.
  • the first flexible support 11 is formed in a flat plate shape here, and has a first surface 11a and a second surface 11b opposite to the first surface 11a.
  • the first surface 11a and the second surface 11b are parallel to each other.
  • the first flexible support 11 has flexibility. Having flexibility means that it can be elastically deformed.
  • the material of the first flexible support 11 includes, for example, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyimide (PI), polypropylene (PP), polyethylene (PE), or acrylic (PMMA). .
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PI polyimide
  • PP polypropylene
  • PE polyethylene
  • acrylic acrylic
  • the material of the first flexible support 11 is PET, PEN, PI, PP, PE, or PMMA.
  • the material of the first flexible support 11 is PET.
  • the first flexible support 11 has an anchor coat layer made of a thermoplastic resin (for example, acrylic) on the forming surface of the scintillator layer 12 in order to improve the adhesion to the scintillator layer 12. May be good.
  • the anchor coat layer improves the crystallinity of the roots of the columnar crystals.
  • the scintillator layer 12 is formed on the first surface 11a.
  • the scintillator layer 12 generates scintillation light in response to the incident of radiation from the second surface 11b side.
  • the scintillator layer 12 contains a plurality of columnar crystals.
  • the scintillator layer 12 is composed of a plurality of columnar crystals.
  • the scintillator layer 12 is suitable for high-resolution imaging because each columnar crystal has a light guide effect.
  • the material of the scintillator layer 12 is, for example, a material containing CsI (cesium iodide) as a main component such as CsI: Tl or CsI: Na, a material containing NaI (sodium iodide) such as NaI: Tl, and SrI 3 ( Strontium iodide), LuI 3 (lutetium iodide), BaF2 (barium fluoride), GOS and the like.
  • the material of the scintillator layer 12 is a material containing CsI as a main component.
  • Such a scintillator layer 12 can be formed, for example, by a vapor deposition method.
  • the thickness of the scintillator layer 12 is, for example, 10 ⁇ m or more and 3000 ⁇ m or less, and as a specific example, 600 ⁇ m.
  • the second flexible support 13 is formed in a flat plate shape, for example.
  • the second flexible support 13 has flexibility.
  • the material of the second flexible support 13 includes, for example, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyimide (PI), polypropylene (PP), polyethylene (PE), or acrylic (PMMA). ..
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PI polyimide
  • PP polypropylene
  • PE polyethylene
  • acrylic acrylic
  • the material of the second flexible support 13 is PET, PEN, PI, PP, PE, or PMMA.
  • the material of the second flexible support 13 is PET.
  • the material of the first flexible support 11 and the material of the second flexible support 13 are, for example, the same.
  • the inorganic layer 14 is interposed between the second surface 11b of the first flexible support 11 and the second flexible support 13.
  • the inorganic layer 14 is provided on the second flexible support 13.
  • the second flexible support 13 provided with the inorganic layer 14 is adhered to the second surface 11b of the first flexible support 11 by the first adhesive layer 15. That is, the first adhesive layer 15 adheres the second surface 11b and the inorganic layer 14 to each other.
  • a second adhesive layer 16 is interposed between the inorganic layer 14 and the second flexible support 13, and the inorganic layer 14 is attached to the second flexible support 13 by the second adhesive layer 16. It is glued. That is, the second adhesive layer 16 adheres the inorganic layer 14 and the second flexible support 13 to each other. As described above, the scintillator layer 12, the first flexible support 11, the inorganic layer 14, and the second flexible support 13 are laminated in this order to form the laminated body 17, and the first adhesive is formed. It is integrated by a layer 15 and a second adhesive layer 16.
  • the inorganic layer 14 is made of an inorganic material.
  • the material of the inorganic layer 14 is a metal. More specifically, the material of the inorganic layer 14 includes, for example, aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), iron (Fe), or SUS. As an example, the material of the inorganic layer 14 is Al.
  • the thickness T11 of the first flexible support 11 in the first direction intersecting the first surface 11a (and the second surface 11b) is, for example, 50 ⁇ m or more and 250 ⁇ m or less.
  • the thickness T13 of the second flexible support 13 in the first direction is, for example, 50 ⁇ m or more and 250 ⁇ m or less.
  • the difference between the thickness T11 of the first flexible support 11 and the thickness T13 of the second flexible support 13 is, for example, 0 or more and 90 ⁇ m or less.
  • the thickness T11 of the first flexible support 11 and the thickness T13 of the second flexible support 13 are the same (the difference in thickness is 0).
  • the thickness T14 of the inorganic layer 14 in the first direction is, for example, 10 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, which is larger than the thickness T11 of the first flexible support 11 and the thickness T13 of the second flexible support 13. thin.
  • the thickness T14 of the inorganic layer 14 is 30 ⁇ m as an example.
  • the protective layer 18 is provided on the surface of the scintillator layer 12 opposite to the first flexible support 11.
  • the protective layer 19 is provided so as to cover the laminated body 17 (that is, the first flexible support 11, the scintillator layer 12, and the inorganic layer 14) and the protective layer 18.
  • the protective layers 18 and 19 of a plurality of layers are arranged on the surface of the scintillator layer 12 opposite to the first flexible support 11.
  • the materials of the protective layers 18 and 19 are, for example, an organic material such as a resin, and one example is parylene (polyparaxylene).
  • the sensor panel 20 includes a photoelectric conversion element.
  • the sensor panel 20 detects the scintillation light generated by the scintillator panel 10 and outputs a signal corresponding to the scintillation light.
  • the sensor panel 20 has a mounting surface 21.
  • a protective layer 22 is formed on the mounting surface 21.
  • the material of the protective layer 22 is, for example, an oxide film, a nitride film, a fluororesin, an aromatic resin, or the like.
  • the protective layer 22 may not be formed.
  • the scintillator panel 10 is mounted on the mounting surface 21 via the protective layer 22. More specifically, the scintillator panel 10 is mounted on the mounting surface 21 so that the first surface 11a of the first flexible support 11 and the scintillator layer 12 face the mounting surface 21.
  • a third adhesive layer 23 is interposed between the scintillator panel 10 and the mounting surface 21 (protective layer 22), and the scintillator panel 10 and the sensor panel 20 are adhered to each other by the third adhesive layer 23. ..
  • the first adhesive layer 15, the second adhesive layer 16, and the third adhesive layer 23 can be made of any material having adhesiveness and adhesiveness. For example, a tape-shaped adhesive material (double-sided tape). ).
  • FIGS. 2 and 3 are schematic cross-sectional views showing one step of the manufacturing method of the radiation detector 1 shown in FIG.
  • a first step of preparing the scintillator panel 10 and a second step of preparing the sensor panel 20 are carried out.
  • the order of the first step and the second step is arbitrary.
  • the first step is a method for manufacturing a scintillator panel according to the present embodiment.
  • a third step of preparing the first structure P1 and a fourth step of preparing the second structure P2 are carried out. ..
  • the order of the third step and the fourth step is arbitrary.
  • the first structure P1 is formed by adhering the inorganic layer 14 to one surface of the second flexible support 13 by the second adhesive layer 16. That is, the third step is a step of preparing the second flexible support 13 provided with the inorganic layer 14.
  • the second structure P2 is formed by forming the scintillator layer 12 on the first surface 11a of the first flexible support 11, for example, by a vapor deposition method.
  • a fifth step of forming the laminated body 17 by laminating the first structure P1 and the second structure P2 on each other is carried out. ..
  • the first structure P1 is attached to the first adhesive layer so that the inorganic layer 14 is interposed between the second surface 11b of the first flexible support 11 and the second flexible support 13. 15 adheres to the second structure P2.
  • the inorganic layer 14 is adhered to the second surface 11b.
  • the sixth step of forming the scintillator panel 10 is carried out by providing the protective layers 18 and 19 on the laminated body 17.
  • the protective layer 18 is formed on the surface of the scintillator layer 12 opposite to the first flexible support 11 (one surface of the laminated body 17).
  • the protective layer 19 is subsequently formed so as to cover the entire laminated body 17 and the protective layer 18. As a result, the scintillator panel 10 is manufactured.
  • the sensor panel 20 is prepared as shown in FIG. 3 (b).
  • a third adhesive layer 23 is provided on the mounting surface 21 of the sensor panel 20 via the protective layer 22.
  • the seventh step of providing the scintillator panel 10 on the sensor panel 20 is carried out.
  • the scintillator panel 10 is provided on the sensor panel 20 so that the first surface 11a is on the sensor panel 20 side with respect to the second surface 11b of the first flexible support 11. More specifically, in a state where the surface of the scintillator layer 12 opposite to the first flexible support 11 faces the mounting surface 21, the surface is subjected to the third adhesive layer 23 (protective layers 18, 19, 22). Adheres to the mounting surface 21 (via). As a result, the radiation detector shown in FIG. 1 is manufactured.
  • FIG. 4A shows a schematic cross-sectional view of the scintillator panel 10A according to the embodiment
  • FIG. 4B shows a schematic cross-sectional view of the scintillator panel 10B according to a comparative example.
  • the scintillator panel 10A is the same as the scintillator panel 10 except that the protective layers 18 and 19 are not provided.
  • the scintillator panel 10B differs from the scintillator panel 10A in that it does not include the inorganic layer 14 and the second flexible support 13. Both the scintillator panels 10A and 10B are mounted on the mounting surface 21A of the glass substrate 20A for testing.
  • the resolution decreases due to the deliquescent of the scintillator layer 12 due to the intrusion of water from the side surface, as in the scintillator panel 10B according to the comparative example, with the passage of time.
  • the decrease in resolution is suppressed as compared with 10B. It is considered that this is because the inorganic layer 14 suppresses the intrusion of water from the side opposite to the glass substrate 20A.
  • the scintillator layer 12 is formed on the first surface 11a of the first flexible support 11.
  • an inorganic layer 14 is provided on the second surface 11b of the first flexible support 11 via the first adhesive layer 15. Therefore, in the scintillator panel 10, the inorganic layer 14 suppresses the intrusion of water from the second surface 11b side into the scintillator layer 12 via the first flexible support 11. On the other hand, if the inorganic layer 14 is exposed, the inorganic layer 14 may be deteriorated due to contact during handling.
  • the second flexible support 13 is arranged on the side opposite to the second surface 11b of the first flexible support 11 in the inorganic layer 14. Therefore, during handling, the inorganic layer 14 is protected from contact, and deterioration of the inorganic layer 14 is suppressed.
  • the scintillator panel 10 has improved moisture resistance while ensuring handleability. Since the side of the scintillator layer 12 opposite to the first surface 11a of the first flexible support 11 is usually the side on which the sensor panel 20 and the like are provided, there is a relative need to improve the moisture resistance. Low to.
  • the scintillator panel 10 includes a first flexible support 11, a scintillator layer 12, a second flexible support 13, and a protective layer 19 provided so as to cover the laminated body 17 including the inorganic layer 14. ing. Therefore, the overall moisture resistance and handleability are further improved.
  • the scintillator panel 10 includes a second adhesive layer 16 that adheres the inorganic layer 14 and the second flexible support 13 to each other. Therefore, the bonding between the inorganic layer 14 and the second flexible support 13 becomes stronger than in the case where the inorganic layer 14 is formed by thin-film deposition on the second flexible support 13, for example.
  • the thicknesses T11 and T13 of the first flexible support 11 and the second flexible support 13 in the first direction intersecting the first surface 11a are 50 ⁇ m or more and 250 ⁇ m or less. ..
  • the thickness T14 of the inorganic layer 14 in the first direction is 10 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, and the thicknesses T11 and T13 of the first flexible support 11 and the second flexible support 13 in the first direction. Thinner than.
  • the thickness T14 of the inorganic layer 14 is about several hundred nm, pinholes are easily generated in the inorganic layer 14 and the moisture resistance is easily impaired.
  • the difference between the thickness T11 of the first flexible support 11 and the thickness T13 of the second flexible support 13 in the first direction is 0 or more and 90 ⁇ m or less. Therefore, since the difference in thickness between the first flexible support 11 and the second flexible support 13 is small, the overall warpage is suppressed.
  • the radiation detector 1 includes a scintillator panel 10. Therefore, according to the radiation detector 1, the moisture resistance is improved while ensuring the handleability.
  • the scintillator layer 12 is formed on the first surface 11a of the first flexible support 11.
  • an inorganic layer 14 is provided on the second surface 11b of the first flexible support 11 via the first adhesive layer 15. Therefore, in the scintillator panel 10 obtained by this manufacturing method, the inorganic layer 14 suppresses the intrusion of water from the second surface 11b side into the scintillator layer 12 via the first flexible support 11. On the other hand, if the inorganic layer 14 is exposed, the inorganic layer 14 may be deteriorated due to contact during handling.
  • the second flexible support 13 is arranged on the side opposite to the second surface 11b of the first flexible support 11 in the inorganic layer 14. Therefore, during handling, the inorganic layer 14 is protected from contact, and deterioration of the inorganic layer 14 is suppressed.
  • the scintillator panel 10 capable of improving the moisture resistance while ensuring the handleability is manufactured. Since the side of the scintillator layer 12 opposite to the first surface 11a of the first flexible support 11 is usually the side on which the sensor panel 20 and the like are provided, there is a relative need to improve the moisture resistance. Low to.
  • the scintillator panel 10 is used as the method for manufacturing the radiation detector according to the present embodiment. Therefore, the radiation detector 1 capable of improving the moisture resistance while ensuring the handleability is manufactured.
  • a scintillator panel a radiation detector, a method for manufacturing a scintillator panel, and a method for manufacturing a radiation detector capable of improving moisture resistance while ensuring handleability are provided.

Abstract

第1表面及び前記第1表面の反対側の第2表面を有する第1可撓性支持体と、前記第1表面に形成され、複数の柱状結晶を含むシンチレータ層と、前記第2表面上に設けられた第2可撓性支持体と、前記第2表面と前記第2可撓性支持体との間に介在されるように前記第2可撓性支持体に設けられた無機層と、前記第2表面と前記無機層とを互いに接着する第1接着層と、を備えるシンチレータパネル。シンチレータパネルと、光電変換素子を含むセンサパネルと、を備え、前記シンチレータパネルは、前記第2表面に対して前記第1表面が前記センサパネル側となるように、前記センサパネルに設けられている、放射線検出器。

Description

シンチレータパネル、放射線検出器、シンチレータパネルの製造方法、及び、放射線検出器の製造方法
 本開示は、シンチレータパネル、放射線検出器、シンチレータパネルの製造方法、及び、放射線検出器の製造方法に関する。
 特許文献1には、シンチレータパネルが記載されている。このシンチレータパネルは、支持体上に放射線を光に変換する蛍光体層を設けたシンチレータパネルである。また、このシンチレータパネルは、当該支持体の当該蛍光体層を有する面の反対側の面に厚さが1~500nmの範囲内にある金属薄膜層を有している。当該支持体は、ロール状シンチレータパネル用支持体を所定のサイズに断裁したものである。さらに、当該蛍光体層の光放出面及び側面及び当該支持体の側面が耐湿性保護膜で覆われている。
特許第5668691号公報
 上述したシンチレータパネルでは、金属薄膜層及び耐湿性保護膜によって、耐湿性の向上を図っている。このように、上記技術分野にあっては、耐湿性の向上が望まれている。一方で、上述したシンチレータパネルでは、金属薄膜層の支持体と反対側の面が外部に露出している。このため、上述したシンチレータパネルでは、ハンドリング性の確保が困難である。
 本開示は、ハンドリング性を確保しつつ耐湿性を向上可能なシンチレータパネル、放射線検出器、シンチレータパネルの製造方法、及び、放射線検出器の製造方法を提供することを目的とする。
 本開示に係るシンチレータパネルは、第1表面及び第1表面の反対側の第2表面を有する第1可撓性支持体と、第1表面に形成され、複数の柱状結晶を含むシンチレータ層と、第2表面上に設けられた第2可撓性支持体と、第2表面と第2可撓性支持体との間に介在されるように第2可撓性支持体に設けられた無機層と、第2表面と無機層とを互いに接着する第1接着層と、を備える。
 このシンチレータパネルでは、第1可撓性支持体の第1表面上にシンチレータ層が形成される。一方、第1可撓性支持体の第2表面上には、第1接着層を介して無機層が設けられる。このため、このシンチレータパネルでは、無機層によって、第2表面側からの第1可撓性支持体を介したシンチレータ層への水分侵入が抑制される。一方、無機層が露出していると、ハンドリングの際の接触によって無機層が劣化するおそれがある。これに対して、このシンチレータパネルでは、無機層における第1可撓性支持体の第2表面と反対側には、第2可撓性支持体が配置される。よって、ハンドリングの際に、無機層が接触から保護され、無機層の劣化が抑制される。このように、このシンチレータパネルでは、ハンドリング性を確保しつつ耐湿性が向上される。なお、シンチレータ層における第1可撓性支持体の第1表面と反対側については、通常、センサパネル等が設けられる側であることから、耐湿性を向上させる必要性は相対的に低い。
 本開示に係るシンチレータパネルは、第1可撓性支持体、シンチレータ層、第2可撓性支持体、及び、無機層を覆うように設けられた保護層を備えてもよい。この場合、全体の耐湿性及びハンドリング性がさらに向上される。
 本開示に係るシンチレータパネルは、無機層と第2可撓性支持体とを互いに接着する第2接着層を備えてもよい。このように、無機層は、第2可撓性支持体に対して接着層によって接着されていてもよい。この場合、例えば第2可撓性支持体に対して蒸着により無機層を形成する場合と比較して、無機層と第2可撓性支持体との接合が強固となる。
 本開示に係るシンチレータパネルにおいては、第1表面に交差する第1方向における第1可撓性支持体及び第2可撓性支持体の厚さは、50μm以上250μm以下であり、第1方向における無機層の厚さは、10μm以上100μm以下であって、第1方向における第1可撓性支持体及び第2可撓性支持体の厚さよりも薄くてもよい。このように、無機層の厚さを、第1可撓性支持体及び第2可撓性支持体よりも薄い範囲において、比較的厚く構成することにより、放射線の透過性を確保しつつ耐湿性をより向上可能である。
 本開示に係るシンチレータパネルにおいては、第1方向における第1可撓性支持体の厚さと第2可撓性支持体の厚さとの差は、0以上90μm以下であってもよい。この場合、第1可撓性支持体と第2可撓性支持体の厚さの差が小さいので、全体の反りが抑制される。
 本開示に係るシンチレータパネルにおいては、無機層の材料は、Al、Cu、Ti、Fe、又は、SUSを含んでもよい。また、本開示に係るシンチレータパネルにおいては、第1可撓性支持体及び第2可撓性支持体の材料は、PET、PEN、PI、PP、PE、又は、PMMAを含んでもよい。
 本開示に係る放射線検出器は、上記のシンチレータパネルと、光電変換素子を含むセンサパネルと、を備え、シンチレータパネルは、第2表面に対して第1表面がセンサパネル側となるように、センサパネルに設けられている。この放射線検出器は、上記のシンチレータパネルを備える。よって、この放射線検出器によれば、ハンドリング性を確保しつつ耐湿性が向上される。
 本開示に係るシンチレータパネルの製造方法は、第1可撓性支持体の第1表面に、蒸着法によって複数の柱状結晶を含むシンチレータ層を形成する工程と、無機層が設けられた第2可撓性支持体を用意する工程と、第1可撓性支持体の第1表面と反対側の第2表面と第2可撓性支持体との間に無機層が介在するように、無機層を第1接着層により第1可撓性支持体に接着する工程と、を備える。
 この製造方法では、第1可撓性支持体の第1表面上にシンチレータ層が形成される。一方、第1可撓性支持体の第2表面上には、接着層を介して無機層が設けられる。このため、このシンチレータパネルでは、無機層によって、第2表面側からの第1可撓性支持体を介したシンチレータ層への水分侵入が抑制される。一方、無機層が露出していると、ハンドリングの際の接触によって無機層が劣化するおそれがある。これに対して、この方法では、無機層における第1可撓性支持体の第2表面と反対側には、第2可撓性支持体が配置される。よって、ハンドリングの際に、無機層が接触から保護され、無機層の劣化が抑制される。このように、この製造方法では、ハンドリング性を確保しつつ耐湿性を向上可能なシンチレータパネルが製造される。なお、シンチレータ層における第1可撓性支持体の第1表面と反対側については、通常、センサパネル等が設けられる側であることから、耐湿性を向上させる必要性は相対的に低い。
 本開示に係る放射線検出器の製造方法は、上記のシンチレータパネルを用意する工程と、光電変換素子を含むセンサパネルを用意する工程と、第2表面に対して第1表面がセンサパネル側となるように、シンチレータパネルをセンサパネルに設ける工程と、を備える。この製造方法では、上記のシンチレータパネルを用いる。したがって、ハンドリング性を確保しつつ耐湿性を向上可能な放射線検出器が製造される。
 本開示によれば、ハンドリング性を確保しつつ耐湿性を向上可能なシンチレータパネル、放射線検出器、シンチレータパネルの製造方法、及び、放射線検出器の製造方法を提供できる。
本実施形態に係る放射線検出器を示す模式的な断面図である。 図1に示された放射線検出器の製造方法の一工程を示す模式的な断面図である。 図1に示された放射線検出器の製造方法の一工程を示す模式的な断面図である。 耐湿性に係る効果を説明するための図である。 耐湿性に係る効果を説明するための図である。
 以下、一実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図の説明において、同一の要素又は相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。
 本実施形態に係るシンチレータパネル(及び放射線検出器)は、X線等の放射線を可視光等のシンチレーション光に変換(及び検出)するものである。また、本実施形態に係るシンチレータパネル、及び放射線検出器(放射線イメージャー)は、例えば、マンモグラフィー装置、胸部検査装置、CT装置、歯科口内撮影装置、及び、放射線カメラ等の医療用X線画像診断装置や、非破壊検査装置に用いられ得る。
 図1は、本実施形態に係る放射線検出器を示す模式的な断面図である。図1に示されるように、放射線検出器1は、シンチレータパネル10とセンサパネル20とを備える。シンチレータパネル10は、第1可撓性支持体11、シンチレータ層12、第2可撓性支持体13、無機層14、第1接着層15、第2接着層16、保護層18、及び、保護層19を備えている。
 第1可撓性支持体11は、ここでは平板状に形成されており、第1表面11aと、第1表面11aの反対側の第2表面11bと、を有する。第1表面11aと第2表面11bとは、互に平行である。第1可撓性支持体11は、可撓性を有する。可撓性を有するとは、弾性変形可能であることを意味する。第1可撓性支持体11の材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリイミド(PI)、ポリプロピレン(PP)、ポリエチレン(PE)、又は、アクリル(PMMA)を含む。一例として、第1可撓性支持体11の材料は、PET、PEN、PI、PP、PE、又は、PMMAである。ここでは、第1可撓性支持体11の材料はPETである。なお、第1可撓性支持体11は、シンチレータ層12との密着性を高めるために、シンチレータ層12の形成面に熱可塑性樹脂(例えば、アクリル系)からなるアンカーコート層を有していてもよい。特に、シンチレータ層12が複数の柱状結晶より構成される場合、アンカーコート層によって柱状結晶の根元の結晶性が良好となる。
 シンチレータ層12は、第1表面11aに形成されている。シンチレータ層12は、第2表面11b側からの放射線の入射に応じてシンチレーション光を発生させる。シンチレータ層12は、複数の柱状結晶を含む。一例として、シンチレータ層12は、複数の柱状結晶からなる。シンチレータ層12は、各柱状結晶がライトガイド効果を有することで高解像度のイメージングに適している。
 シンチレータ層12の材料は、例えば、CsI:TlやCsI:NaといったCsI(ヨウ化セシウム)を主成分とする材料、NaI:TlといったNaI(ヨウ化ナトリウム)を主成分とする材料、SrI(ヨウ化ストロンチウム)、LuI(ヨウ化ルテチウム)、BaF2(フッ化バリウム)、及び、GOS等が挙げられる。ここでは、シンチレータ層12の材料は、CsIを主成分とする材料である。このようなシンチレータ層12は、例えば、蒸着法によって形成され得る。シンチレータ層12の厚さは、例えば、10μm以上3000μm以下であり、具体例としては600μmである。
 第2可撓性支持体13は、例えば平板状に形成されている。第2可撓性支持体13は、可撓性を有する。第2可撓性支持体13の材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリイミド(PI)、ポリプロピレン(PP)、ポリエチレン(PE)、又は、アクリル(PMMA)を含む。一例として、第2可撓性支持体13の材料は、PET、PEN、PI、PP、PE、又は、PMMAである。ここでは、第2可撓性支持体13の材料はPETである。また、第1可撓性支持体11の材料と第2可撓性支持体13の材料とは、例えば同一である。
 無機層14は、第1可撓性支持体11の第2表面11bと第2可撓性支持体13との間に介在されている。無機層14は、第2可撓性支持体13に設けられている。無機層14が設けられた第2可撓性支持体13は、第1接着層15によって第1可撓性支持体11の第2表面11bに接着されている。すなわち、第1接着層15は、第2表面11bと無機層14とを互いに接着している。
 無機層14と第2可撓性支持体13との間には、第2接着層16が介在されており、無機層14は、この第2接着層16によって第2可撓性支持体13に接着されている。すなわち、第2接着層16は、無機層14と第2可撓性支持体13とを互いに接着する。このように、シンチレータ層12、第1可撓性支持体11、無機層14、及び、第2可撓性支持体13は、この順に積層されて積層体17を形成しており、第1接着層15及び第2接着層16によって一体化されている。
 無機層14は、無機材料からなる。一例として、無機層14の材料は金属である。より具体的には、無機層14の材料としては、例えば、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、チタン(Ti)、鉄(Fe)、又は、SUSを含む。一例として、無機層14の材料はAlである。
 第1表面11a(及び第2表面11b)に交差する第1方向における第1可撓性支持体11の厚さT11は、例えば50μm以上250μm以下である。同様に、第1方向における第2可撓性支持体13の厚さT13は、例えば50μm以上250μm以下である。第1可撓性支持体11の厚さT11と第2可撓性支持体13の厚さT13との差は、例えば0以上90μm以下である。一例として、第1可撓性支持体11の厚さT11と第2可撓性支持体13の厚さT13とは同一である(厚さの差が0である)。第1方向における無機層14の厚さT14は、例えば、10μm以上100μm以下であって、第1可撓性支持体11の厚さT11及び第2可撓性支持体13の厚さT13よりも薄い。無機層14の厚さT14は、一例として30μmである。
 保護層18は、シンチレータ層12における第1可撓性支持体11と反対側の面に設けられている。保護層19は、積層体17(すなわち、第1可撓性支持体11、シンチレータ層12、及び無機層14)と保護層18とを覆うように設けられている。これにより、シンチレータ層12における第1可撓性支持体11と反対側の面上には、複数層(ここでは2層)の保護層18,19が配置されることとなる。保護層18,19の材料は、例えば、樹脂等の有機材料であって、一例としてパリレン(ポリパラキシレン)である。
 センサパネル20は、光電変換素子を含む。センサパネル20は、シンチレータパネル10で生じたシンチレーション光を検出し、シンチレーション光に応じた信号を出力する。センサパネル20は、搭載面21を有する。搭載面21には、保護層22が形成されている。保護層22の材料は、例えば、酸化膜、窒化膜、フッ素系樹脂、芳香族樹脂等である。なお、保護層22は形成されていなくてもよい。
 シンチレータパネル10は、保護層22を介して搭載面21に搭載される。より具体的には、シンチレータパネル10は、第1可撓性支持体11の第1表面11a及びシンチレータ層12が搭載面21に対向するように搭載面21に搭載される。シンチレータパネル10と搭載面21(保護層22)との間には、第3接着層23が介在されており、この第3接着層23によってシンチレータパネル10とセンサパネル20とが互いに接着されている。なお、第1接着層15、第2接着層16、及び、第3接着層23は、接着性・粘着性を有する任意の材料から構成され得るものであり、例えばテープ状の接着材(両面テープ)である。
 引き続いて、本実施形態に係る放射線検出器の製造方法について説明する。図2及び図3は、図1に示された放射線検出器1の製造方法の一工程を示す模式的な断面図である。図2及び図3に示されるように、この製造方法では、まず、シンチレータパネル10を用意する第1工程と、センサパネル20を用意する第2工程と、を実施する。第1工程と第2工程との順序は任意である。第1工程は、本実施形態に係るシンチレータパネルの製造方法である。
 第1工程では、まず、図2の(a),(b)に示されるように、第1構造体P1を用意する第3工程と第2構造体P2を用意する第4工程とを実施する。第3工程と第4工程との順序を任意である。第3工程では、第2可撓性支持体13の一表面に対して、第2接着層16により無機層14を接着することにより、第1構造体P1を構成する。すなわち、第3工程は、無機層14が設けられた第2可撓性支持体13を用意する工程である。第4工程では、第1可撓性支持体11の第1表面11aに、例えば蒸着法によってシンチレータ層12を形成することにより、第2構造体P2を構成する。
 続いて、第1工程では、図2の(c)に示されるように、第1構造体P1と第2構造体P2とを互いに積層することによって積層体17を構成する第5工程を実施する。第5工程では、第1可撓性支持体11の第2表面11bと第2可撓性支持体13との間に無機層14が介在するように、第1構造体P1を第1接着層15により第2構造体P2に接着する。ここでは、無機層14が第2表面11bに接着される。
 続いて、第1工程では、図3の(a)に示されるように、積層体17に対して保護層18,19を設けることにより、シンチレータパネル10を構成する第6工程を実施する。第6工程では、まず、シンチレータ層12における第1可撓性支持体11と反対側の面(積層体17の一表面)に対して、保護層18を形成する。第6工程では、その後に、積層体17及び保護層18の全体を覆うように保護層19を形成する。これにより、シンチレータパネル10が製造される。
 一方、第2工程では、図3の(b)に示されるように、センサパネル20を用意する。センサパネル20の搭載面21には、保護層22を介して第3接着層23が設けられている。
 そして、この製造方法では、第1工程及び第2工程の後に、シンチレータパネル10をセンサパネル20に設ける第7工程が実施される。第7工程では、第1可撓性支持体11の第2表面11bに対して第1表面11aがセンサパネル20側となるように、シンチレータパネル10をセンサパネル20に設ける。より具体的には、シンチレータ層12の第1可撓性支持体11と反対側の面が搭載面21に対向する状態において、当該面を第3接着層23によって(保護層18,19,22を介して)搭載面21に接着する。これにより、図1に示される放射線検出器が製造される。
 図4及び図5は、耐湿性に係る効果を説明するための図である。図4の(a)は、実施形態に係るシンチレータパネル10Aの模式的な断面図を示し、図4の(b)は、比較例に係るシンチレータパネル10Bの模式的な断面図を示す。シンチレータパネル10Aは、保護層18,19を備えていない点以外、シンチレータパネル10と同様である。シンチレータパネル10Bは、無機層14及び第2可撓性支持体13を備えていない点において、シンチレータパネル10Aと相違する。シンチレータパネル10A,10Bのいずれも、試験用のガラス基板20Aの搭載面21Aに搭載されている。
 図5に示されるように、シンチレータパネル10Aでは、時間経過に応じて、比較例に係るシンチレータパネル10Bと同様に、側面からの水分侵入によるシンチレータ層12の潮解により解像度が低下するものの、シンチレータパネル10Bと比較して解像度の低下が抑制されている。これは、無機層14によってガラス基板20Aと反対側からの水分侵入が抑制されているためと考えられる。
 以上説明したように、シンチレータパネル10では、第1可撓性支持体11の第1表面11a上にシンチレータ層12が形成される。一方、第1可撓性支持体11の第2表面11b上には、第1接着層15を介して無機層14が設けられる。このため、このシンチレータパネル10では、無機層14によって、第2表面11b側からの第1可撓性支持体11を介したシンチレータ層12への水分侵入が抑制される。一方、無機層14が露出していると、ハンドリングの際の接触によって無機層14が劣化するおそれがある。
 これに対して、シンチレータパネル10では、無機層14における第1可撓性支持体11の第2表面11bと反対側には、第2可撓性支持体13が配置される。よって、ハンドリングの際に、無機層14が接触から保護され、無機層14の劣化が抑制される。このように、シンチレータパネル10では、ハンドリング性を確保しつつ耐湿性が向上される。なお、シンチレータ層12における第1可撓性支持体11の第1表面11aと反対側については、通常、センサパネル20等が設けられる側であることから、耐湿性を向上させる必要性は相対的に低い。
 また、シンチレータパネル10は、第1可撓性支持体11、シンチレータ層12、第2可撓性支持体13、及び、無機層14を含む積層体17覆うように設けられた保護層19を備えている。このため、全体の耐湿性及びハンドリング性がさらに向上される。
 また、シンチレータパネル10は、無機層14と第2可撓性支持体13とを互いに接着する第2接着層16を備えている。このため、例えば第2可撓性支持体13に対して蒸着により無機層14を形成する場合と比較して、無機層14と第2可撓性支持体13との接合が強固となる。
 また、シンチレータパネル10においては、第1表面11aに交差する第1方向における第1可撓性支持体11及び第2可撓性支持体13の厚さT11,T13は、50μm以上250μm以下である。また、第1方向における無機層14の厚さT14は、10μm以上100μm以下であって、第1方向における第1可撓性支持体11及び第2可撓性支持体13の厚さT11,T13よりも薄くい。このように、無機層14の厚さT14を、第1可撓性支持体11及び第2可撓性支持体13よりも薄い範囲において、比較的厚く構成することにより、放射線の透過性を確保しつつ耐湿性をより向上可能である。また、例えば、無機層14の厚さT14が数百nm程度であると、無機層14にピンホールが発生して耐湿性が損なわれやすい。
 また、シンチレータパネル10においては、第1方向における第1可撓性支持体11の厚さT11と第2可撓性支持体13の厚さT13との差は、0以上90μm以下である。このため、第1可撓性支持体11と第2可撓性支持体13との厚さの差が小さいので、全体の反りが抑制される。
 また、放射線検出器1は、シンチレータパネル10を備える。よって、放射線検出器1によれば、ハンドリング性を確保しつつ耐湿性が向上される。
 また、本実施形態に係るシンチレータパネルの製造方法では、第1可撓性支持体11の第1表面11a上にシンチレータ層12が形成される。一方、第1可撓性支持体11の第2表面11b上には、第1接着層15を介して無機層14が設けられる。このため、この製造方法により得られるシンチレータパネル10では、無機層14によって、第2表面11b側からの第1可撓性支持体11を介したシンチレータ層12への水分侵入が抑制される。一方、無機層14が露出していると、ハンドリングの際の接触によって無機層14が劣化するおそれがある。
 これに対して、この製造方法では、無機層14における第1可撓性支持体11の第2表面11bと反対側には、第2可撓性支持体13が配置される。よって、ハンドリングの際に、無機層14が接触から保護され、無機層14の劣化が抑制される。このように、この製造方法では、ハンドリング性を確保しつつ耐湿性を向上可能なシンチレータパネル10が製造される。なお、シンチレータ層12における第1可撓性支持体11の第1表面11aと反対側については、通常、センサパネル20等が設けられる側であることから、耐湿性を向上させる必要性は相対的に低い。
 さらに、本実施形態に係る放射線検出器の製造方法は、シンチレータパネル10を用いる。したがって、ハンドリング性を確保しつつ耐湿性を向上可能な放射線検出器1が製造される。
 以上の実施形態は、本開示の一形態を説明したものである。したがって、本開示は、上記実施形態に限定されず、種々の変形がされ得る。
 本開示によれば、ハンドリング性を確保しつつ耐湿性を向上可能なシンチレータパネル、放射線検出器、シンチレータパネルの製造方法、及び、放射線検出器の製造方法が提供される。
 1…放射線検出器、10…シンチレータパネル、11…第1可撓性支持体、11a…第1表面、11b…第2表面、12…シンチレータ層、13…第2可撓性支持体、14…無機層、15…第1接着層、16…第2接着層、18,19…保護層、20…センサパネル、21…搭載面。

Claims (10)

  1.  第1表面及び前記第1表面の反対側の第2表面を有する第1可撓性支持体と、
     前記第1表面に形成され、複数の柱状結晶を含むシンチレータ層と、
     前記第2表面上に設けられた第2可撓性支持体と、
     前記第2表面と前記第2可撓性支持体との間に介在されるように前記第2可撓性支持体に設けられた無機層と、
     前記第2表面と前記無機層とを互いに接着する第1接着層と、
     を備えるシンチレータパネル。
  2.  前記第1可撓性支持体、前記シンチレータ層、前記第2可撓性支持体、及び、前記無機層を覆うように設けられた保護層を備える、
     請求項1に記載のシンチレータパネル。
  3.  前記無機層と前記第2可撓性支持体とを互いに接着する第2接着層を備える、
     請求項1又は2に記載のシンチレータパネル。
  4.  前記第1表面に交差する第1方向における前記第1可撓性支持体及び前記第2可撓性支持体の厚さは、50μm以上250μm以下であり、
     前記第1方向における前記無機層の厚さは、10μm以上100μm以下であって、前記第1方向における前記第1可撓性支持体及び前記第2可撓性支持体の厚さよりも薄い、
     請求項1~3のいずれか一項に記載のシンチレータパネル。
  5.  前記第1方向における前記第1可撓性支持体の厚さと前記第2可撓性支持体の厚さとの差は、0以上90μm以下である、
     請求項4に記載のシンチレータパネル。
  6.  前記無機層の材料は、Al、Cu、Ti、Fe、又は、SUSを含む、
     請求項1~5のいずれか一項に記載のシンチレータパネル。
  7.  前記第1可撓性支持体及び前記第2可撓性支持体の材料は、PET、PEN、PI、PP、PE、又は、PMMAを含む、
     請求項1~6のいずれか一項に記載のシンチレータパネル。
  8.  請求項1~7のいずれか一項に記載のシンチレータパネルと、
     光電変換素子を含むセンサパネルと、
     を備え、
     前記シンチレータパネルは、前記第2表面に対して前記第1表面が前記センサパネル側となるように、前記センサパネルに設けられている、
     放射線検出器。
  9.  第1可撓性支持体の第1表面に、蒸着法によって複数の柱状結晶を含むシンチレータ層を形成する工程と、
     無機層が設けられた第2可撓性支持体を用意する工程と、
     前記第1可撓性支持体の前記第1表面と反対側の第2表面と前記第2可撓性支持体との間に前記無機層が介在するように、前記無機層を第1接着層により前記第1可撓性支持体に接着する工程と、
     を備えるシンチレータパネルの製造方法。
  10.  請求項1~7のいずれか一項に記載されたシンチレータパネルを用意する工程と、
     光電変換素子を含むセンサパネルを用意する工程と、
     前記第2表面に対して前記第1表面が前記センサパネル側となるように、前記シンチレータパネルを前記センサパネルに設ける工程と、
     を備える放射線検出器の製造方法。
PCT/JP2020/026854 2019-10-24 2020-07-09 シンチレータパネル、放射線検出器、シンチレータパネルの製造方法、及び、放射線検出器の製造方法 WO2021079567A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202080073762.8A CN114585948A (zh) 2019-10-24 2020-07-09 闪烁器面板、放射线检测器、闪烁器面板的制造方法、及放射线检测器的制造方法
US17/766,572 US20240103189A1 (en) 2019-10-24 2020-07-09 Scintillator panel, radiation detector, scintillator panel manufacturing method, and radiation detector manufacturing method
EP20879575.7A EP4050381A4 (en) 2019-10-24 2020-07-09 SCINTILLATOR PANEL, RADIATION DETECTOR, METHOD FOR MANUFACTURING SCINTILLATOR PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING RADIATION DETECTOR
KR1020227011767A KR20220082822A (ko) 2019-10-24 2020-07-09 신틸레이터 패널, 방사선 검출기, 신틸레이터 패널의 제조 방법 및 방사선 검출기의 제조 방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019193421A JP7325295B2 (ja) 2019-10-24 2019-10-24 シンチレータパネル、放射線検出器、シンチレータパネルの製造方法、及び、放射線検出器の製造方法
JP2019-193421 2019-10-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021079567A1 true WO2021079567A1 (ja) 2021-04-29

Family

ID=75619733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2020/026854 WO2021079567A1 (ja) 2019-10-24 2020-07-09 シンチレータパネル、放射線検出器、シンチレータパネルの製造方法、及び、放射線検出器の製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20240103189A1 (ja)
EP (1) EP4050381A4 (ja)
JP (1) JP7325295B2 (ja)
KR (1) KR20220082822A (ja)
CN (1) CN114585948A (ja)
TW (1) TW202117754A (ja)
WO (1) WO2021079567A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004325445A (ja) * 2003-04-11 2004-11-18 Canon Inc シンチレーターパネル、放射線検出装置、及び放射線検出システム
US20080142721A1 (en) * 2004-06-01 2008-06-19 Siemens Aktiengesellschaft X-Ray Detector
JP2012047723A (ja) * 2010-07-30 2012-03-08 Fujifilm Corp 放射線検出パネル
JP5668691B2 (ja) 2009-11-26 2015-02-12 コニカミノルタ株式会社 シンチレータパネル、その製造方法、及び放射線画像検出器
JP2019060876A (ja) * 2017-09-27 2019-04-18 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU4168699A (en) * 1998-06-18 2000-01-05 Hamamatsu Photonics K.K. Method of organic film deposition
KR20030072606A (ko) * 2001-01-30 2003-09-15 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 신틸레이터 패널 및 방사선 이미지 센서
JP4770773B2 (ja) * 2007-03-29 2011-09-14 コニカミノルタエムジー株式会社 放射線用シンチレータパネルの製造方法、及び放射線画像撮影装置
WO2019181568A1 (ja) * 2018-03-19 2019-09-26 富士フイルム株式会社 放射線検出器及び放射線画像撮影装置
EP3770641A4 (en) * 2018-03-19 2021-04-28 FUJIFILM Corporation RADIATION DETECTOR, RADIOLOGICAL IMAGING DEVICE AND PRODUCTION PROCESS

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004325445A (ja) * 2003-04-11 2004-11-18 Canon Inc シンチレーターパネル、放射線検出装置、及び放射線検出システム
US20080142721A1 (en) * 2004-06-01 2008-06-19 Siemens Aktiengesellschaft X-Ray Detector
JP5668691B2 (ja) 2009-11-26 2015-02-12 コニカミノルタ株式会社 シンチレータパネル、その製造方法、及び放射線画像検出器
JP2012047723A (ja) * 2010-07-30 2012-03-08 Fujifilm Corp 放射線検出パネル
JP2019060876A (ja) * 2017-09-27 2019-04-18 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP4050381A4

Also Published As

Publication number Publication date
EP4050381A4 (en) 2023-11-01
KR20220082822A (ko) 2022-06-17
TW202117754A (zh) 2021-05-01
EP4050381A1 (en) 2022-08-31
US20240103189A1 (en) 2024-03-28
JP2021067565A (ja) 2021-04-30
CN114585948A (zh) 2022-06-03
JP7325295B2 (ja) 2023-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8957383B2 (en) Radiation detection apparatus and radiation detection system
WO2019181568A1 (ja) 放射線検出器及び放射線画像撮影装置
WO2019181570A1 (ja) 放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び製造方法
TWI821460B (zh) 放射線檢測器、放射線圖像攝影裝置及製造方法
CN210294542U (zh) 放射线检测器以及放射线图像摄影装置
TWI771385B (zh) 放射線檢測器以及放射線圖像攝影裝置
JPWO2019181639A1 (ja) 放射線検出器及び放射線画像撮影装置
WO2021079567A1 (ja) シンチレータパネル、放射線検出器、シンチレータパネルの製造方法、及び、放射線検出器の製造方法
WO2021079568A1 (ja) 放射線検出器、及び、放射線検出器の製造方法
TW201923382A (zh) 閃爍質面板及放射線檢出器
JP6995666B2 (ja) 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
WO2022137845A1 (ja) 放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法
WO2022137846A1 (ja) 放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及びシンチレータパネルユニット
WO2022137843A1 (ja) 放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及びシンチレータパネルユニット
WO2022137844A1 (ja) 放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及びシンチレータパネルユニット
US20210215836A1 (en) Radiation detector, radiographic imaging apparatus, and manufacturing method
TW202036033A (zh) 放射線檢測器的製造方法及放射線圖像攝影裝置
JP2019060877A (ja) 放射線検出器

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20879575

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 17766572

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020879575

Country of ref document: EP

Effective date: 20220524