JPWO2019181639A1 - 放射線検出器及び放射線画像撮影装置 - Google Patents
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Abstract
Description
上記各実施形態の放射線検出器10では、センサ基板12と変換層30とが積層された積層体のセンサ基板12側に、応力中立面調整部材36が設けられている形態について説明した。図13〜図34に示すように、上記各実施形態の放射線検出器10は、さらに、センサ基板12と変換層30とが積層された積層体21の変換層30側に、補強部材50を設けた形態としてもよい。
10 放射線検出器
12 センサ基板
14 基材、14A 第1の面、14B 第2の面、14L 微粒子層、14P 微粒子
15 画素領域
16 画素
19 界面
20 TFT(スイッチング素子)
21 積層体
22 センサ部
24 信号配線
26 走査配線
28 共通配線
30 変換層、30B 中央部、30C 周縁部
32 保護膜
36 応力中立面調整部材、36A 帯電防止膜、36B 応力中立面調整膜、36C 防湿膜、36D 第1層、36E 第2層
37 応力中立面
39 密着層
40 緩衝層
46 スペーサ
47、48、48A、51 接着層
50、50A〜50D、52 補強部材、50H 貫通孔
541〜5411 断片
60 粘着層
61 開口
62 反射層
63 溝
64 接着層
65 保護層
70 充填剤
72 封止部材
100 制御部、100A CPU、100B メモリ、100C 記憶部
102 駆動部
104 信号処理部
106 画像メモリ
108 電源部
110 制御基板
112 フレキシブルケーブル
114 電源線
116 シート
117 保護層
118 基台
120 筐体、120A 撮影面、120B 境界部、120C 部分
200 支持体
202 剥離層
d1、d2 距離
P 積層方向
R 放射線、Rb 後方散乱線
S 被写体
W 荷重
Claims (25)
- 可撓性の基材、及び前記基材の第1の面に設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された層を含むセンサ基板と、
前記画素が形成された層における前記基材が設けられた側と反対側に設けられ、放射線を前記光に変換する変換層と、
前記基材の前記第1の面と反対側の第2の面の側に設けられ、応力中立面の位置を、前記センサ基板と対向する前記変換層の面である界面から、前記センサ基板及び前記変換層が積層されている積層方向の予め定められた範囲内に調整する応力中立面調整部材と、
を備えた放射線検出器。 - 前記予め定められた範囲は、前記応力中立面調整部材を設けない場合の前記界面と前記応力中立面との距離よりも短い範囲である、
請求項1に記載の放射線検出器。 - 前記応力中立面調整部材は、少なくとも前記センサ基板と前記変換層とが対向する領域を覆う領域に設けられている、
請求項1または請求項2に記載の放射線検出器。 - 前記応力中立面調整部材は、曲げ弾性率が150MPa以上、2500MPa以下である、
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の放射線検出器。 - 前記応力中立面調整部材の材料は、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、及び低密度ポリエチレンの少なくとも一つを含む、
請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の放射線検出器。 - 前記変換層の熱膨張率に対する前記応力中立面調整部材の熱膨張率の比が0.5以上、4以下である、
請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の放射線検出器。 - 前記応力中立面調整部材は、熱膨張率が30ppm/K以上、200ppm/K以下である、
請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の放射線検出器。 - 前記界面に設けられ、かつ前記センサ基板及び前記変換層に接する密着層をさらに備える、
請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の放射線検出器。 - 前記センサ基板と、前記変換層との間に設けられ、前記変換層の熱膨張率と前記センサ基板の熱膨張率との差を緩衝する緩衝層をさらに備える、
請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の放射線検出器。 - 前記応力中立面調整部材は、前記積層方向に積層された、機能が異なる複数の膜を含む、
請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の放射線検出器。 - 前記複数の膜は、応力中立面調整膜と、帯電防止膜とを含む、
請求項10に記載の放射線検出器。 - 前記帯電防止膜は、前記応力中立面調整膜よりも前記第2の面側に設けられている、
請求項11に記載の放射線検出器。 - 前記複数の膜は、応力中立面調整膜と、防湿膜とを含む、
請求項10に記載の放射線検出器。 - 前記防湿膜は、前記応力中立面調整膜よりも前記第2の面側に設けられている、
請求項13に記載の放射線検出器。 - 前記基材は、樹脂製であり、平均粒子径が0.05μm以上、2.5μm以下の無機の微粒子を含む微粒子層を有する、
請求項1から請求項14のいずれか1項に記載の放射線検出器。 - 前記基材は、前記微粒子層を、前記第2の面側に有する、
請求項15に記載の放射線検出器。 - 前記微粒子は、前記基材を構成する元素よりも原子番号が大きく且つ原子番号が30以下の元素を含む
請求項15または請求項16に記載の放射線検出器。 - 前記基材は、300℃〜400℃における熱膨張率が20ppm/K以下である、
請求項1から請求項17のいずれか1項に記載の放射線検出器。 - 前記基材は、厚みが25μmの状態において400℃におけるMD(Machine Direction)方向の熱収縮率が0.5%以下、及び500℃における弾性率が1GPa以上の少なくとも一方を満たす、
請求項1から請求項18のいずれか1項に記載の放射線検出器。 - 前記応力中立面調整部材は、前記基材よりも剛性が高い、
請求項1から請求項19のいずれか1項に記載の放射線検出器。 - 前記変換層は、CsIを含む、
請求項1から請求項20のいずれか1項に記載の放射線検出器。 - 請求項1から請求項21のいずれか1項に記載の放射線検出器と、
前記複数の画素に蓄積された電荷を読み出すための制御信号を出力する制御部と、
前記制御信号に応じて、前記複数の画素から電荷を読み出すための駆動信号を出力する駆動部と、
前記複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された前記電気信号に応じた画像データを生成して出力する信号処理部と、
を備えた放射線画像撮影装置。 - 前記放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に、前記制御部と、前記放射線検出器とが並んで設けられている、
請求項22に記載の放射線画像撮影装置。 - 前記制御部、前記駆動部、及び前記信号処理部の少なくとも一つに電力を供給する電源部をさらに備え、
前記放射線検出器におけるセンサ基板、変換層、及び応力中立面調整部材が並ぶ積層方向と交差する方向に、前記電源部と、前記制御部と、前記放射線検出器とが並んで設けられている、
請求項22に記載の放射線画像撮影装置。 - 放射線が照射される照射面を有し、前記放射線検出器におけるセンサ基板及び変換層のうち、前記センサ基板が前記照射面と対向する状態に前記放射線検出器を収納する筐体をさらに備えた、
請求項22に記載の放射線画像撮影装置。
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