JP2706725B2 - 放射線検出素子 - Google Patents
放射線検出素子Info
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、蛍光体と半導体光検出素子と印刷配線基板
を組み合わせて形成する放射線検出素子に係り、特に半
導体光検出素子と印刷配線基板の熱膨張率の違いによる
そりを防いだ防射線検出素子に関するものである。 〔従来の技術〕 印刷配線基板に半導体光検出体を貼着してなる光検出
素子と蛍光体とを組み合わせて構成した放射線検出素子
の従来例（特願昭61−171637号）を第２図に示す。この
第２図において、１は半導体光検出体（例えば、シリコ
ン単結晶からなるシリコン・フオト・ダイオードな
ど）、２はこの半導体光検出体１が一方の面に接着剤で
貼着された印刷配線基板である。この印刷配線基板２
は、例えばガラスエポキシ複合材を用いてなる印刷配線
基板で、これは、前記半導体光検出体１を支持すると共
にその導体パターンにより半導体光検出体１からの信号
を同印刷配線基板２上に取り付けられたコネクタ３に導
入させる役割をも果たしている。 ここで前記半導体光検出体１は、印刷配線基板２の例
えば幅方向に沿つて、図示するように複数のチヤンネル
領域１−1,1−2,…１−ｎに分割構成されている。この
場合、各チヤンネルの領域は相互に電気的に分離されて
おり、あるチヤンネルに光が入射したとき、他のチヤン
ネルに出力される漏れ信号は、光が入射したチヤンネル
に出力される信号の1/100以下に抑えられている。 ４は放射線、ここではＸ線検出のために光検出体１上
に固着された蛍光体素子で、蛍光体4aと鉛ガラス4bとを
一体化してなる。この場合、第３図に拡大断面を示すよ
うに、蛍光体4a,鉛ガラス4b共に半導体光検出体１の各
チヤンネル領域１−1,1−2,…１−ｎ（ここでは、ｎ＝
９。以下同じ）に対応して分割構成されている（4a−1,
4a−2,…4a−n,4b−1,4b−2,…4b−ｎ参照）。 入射Ｘ線は、蛍光体4aで光に変換され、また変換され
ずに残つたＸ線は鉛ガラス4bに吸引される。変換された
上記光は、半導体光検出体１に入射して電気信号に変換
される。ここで、蛍光体チヤンネル領域4a−1,4a−2,…
4a−ｎに入射したＸ線による光が、それぞれ、対応する
半導体光検出体チヤンネル領域１−1,1−2,…１−ｎに
正しく出射されるように、蛍光体素子４の各チヤンネル
領域相互間には、高反射率処理された光反射用の反射板
５−1,5−2,…５−（ｎ−１）が挟み込まれている。 なお、蛍光体4a−1,4a−2,…で散乱されたＸ線が隣接
する蛍光体4a−1,4a−2,…に入射して光を発すると、誤
つた出力情報となつて装置の分解能を劣化させるが、こ
れを防ぐため上記反射板５−1,5−2,…は、モリブデ
ン，タングステンあるいはタンタルなど、Ｘ線吸収率の
高い材質を用いてなる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 このようにして、ある蛍光体（チヤンネル）内のＸ線
や蛍光が、隣接する他の蛍光体（チヤンネル）へ漏れる
ことを防止しているにもかかわらず、蛍光体素子４と半
導体光検出体１の間に隙間があると、そこを通つて隣接
する素子４（チヤンネル）相互間で光が往来してしま
う。このためＸ線入射位置と信号発生チヤンネルとの間
の対応がずれた情報が出力され、検出器特性を劣化させ
ることになる。 これを防止するには、半導体光検出体１と蛍光体素子
４相互が密着していることが肝要であり、このために
は、それら相互の接着面は各々平坦でなければならな
い。 ところで、前述のように半導体光検出体１はシリコン
単結晶、印刷配線基板２はガラスエポキシ複合材であ
り、それら相互の接着剤としては、通常、加熱硬化性の
エポキシ接着剤が用いられている。熱膨張率は、シリコ
ン単結晶が２×10-6/℃、ガラスエポキシ複合材が20〜1
00×10-6/℃で、その差が大きい。このため、両者を上
記接着剤で接着するために加熱硬化（100〜150℃）した
後、常温まで冷却する間に、それまで平坦であつた半導
体光検出体1,印刷配線基板２に、第４図に示すような
“そり”を生じる。この“そり”の寸法を第４図中ｂで
表わすと、ガラスエポキシ製印刷配線基板２の厚みＴ＝
3mm,シリコンチツプからなる半導体光検出体１の厚みｔ
＝0.35mm,長さＬ＝30mm,幅Ｗ＝20mmの場合、前記100〜1
50℃の加熱を経たとき、その“そり"bは、最大100μ
ｍ、通常30〜50μｍにもなる。この“そり"bの値は、こ
れにより両者間に隙間が生じた場合に、入射光の数パー
セント以上の光漏れを生じさせ、特性上、致命的欠陥と
なる。また、“そり”に伴う半導体光検出体１内の残留
応力による圧電効果が、半導体光検出体１の特性を劣化
させる可能性もある。 これに対処する方法としては、印刷配線基板２の材質
を、半導体光検出体１程度の低い熱膨張率をもつものに
変更したり、接着剤として加熱処理を要しないものを用
いることが考えられる。しかし、比較的安価なガラスエ
ポキシ製の印刷配線基板２や使用実績のあるエポキシ接
着剤の使用を止めることは、コストや信頼性の上から問
題があり、従来、この点についての改善が要望されてい
た。 本発明の目的は、シリコン単結晶とガラスエポキシ複
合材のように熱膨張率の差が大きい材質が半導体光検出
体と印刷配線基板に用いられ、それらの接着に加熱処理
が必要であっても、“そり”の発生が少なく、Ｘ線等の
放射線の特性劣化の小さい放射線検出素子を提供するこ
とにある。 〔問題点を解決するための手段〕 上記目的は、入射した放射線を光に変換する蛍光体
と、この蛍光体で変換した光を電気信号に変換する半導
体光検出体と、この半導体光検出体を一方の面に貼着し
前記電気信号を取り出す印刷配線基板とを具備した放射
線検出素子において、前記半導体光検出体と略同じ大き
さであって前記印刷配線基板の他方の面の前記半導体光
検出体と対向する位置に貼着され熱膨張率を前記印刷配
線基板より前記半導体光検出体に近似した材質で形成さ
れた熱ひずみ補正体を備えたことで達成される。 〔作用〕 上記手段により、半導体光検出体と熱ひずみ補正体と
が印刷配線基板を中心として、その表裏面に対称となる
構造となり、これら半導体光検出体と熱ひずみ補正体と
が、“そり”の原因となる加熱処理によるひずみが打ち
消し合って“そり”の発生を抑制する。 〔実施例〕 以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。第
１図は本発明の放射線検出素子の一例を示す斜視図で、
図中１〜４は各々第２図と同様である。また、印刷配線
基板２への半導体光検出体１の貼着に、加熱硬化性接着
剤（エポキシ接着剤）が用いられていることも同様であ
る。 ６は、半導体光検出体１と同一又はそれと少なくとも
熱膨張率について同等の材質からなる熱ひずみ補正体で
ある。この熱ひずみ補正体６は、上記光検出体１と同様
の大きさに形成され、印刷配線基板２を挟んで半導体光
検出体１に対向する位置の印刷配線基板２面に貼着され
る。この貼着は、加熱処理時に熱応力が加わつたとき、
両者がはがれないように、前記加熱硬化性接着剤を用い
るか、それよりせん断破壊強度の大きい接着剤が用いら
れる。 上述構成によれば、印刷配線基板２への半導体光検出
体１の貼着の際の、あるいはその他の加熱処理時、それ
らに第４図に示したような“そり”が発生しようとして
も、それと反対方向のひずみが熱ひずみ補正体６によつ
て生じ、相互に打ち消し合つて、上記“そり”の発生が
防止ないし抑制される。 ここで、前記熱ひずみ補正体６は、その熱膨張率が必
ずしも半導体光検出体１と同一である必要はない。印刷
配線これを、基板２と半導体光検出体１の各々の中間値
よりも若干半導体光検出体１の値に近くした程度であつ
ても、熱ひずみ補正体６を設けない場合に比べて、“そ
り”量ｂ（第４図参照）を数分の１にするこことができ
る。 〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明によれば、シリコン単結晶
とガラスエポキシ複合材のように熱膨張率の差が大きい
材質が光検出体と印刷配線基板に用いられ、それらの接
着などに加熱処理が行われる場合にあっても、“そり”
の発生が抑えられ、それら相互間に発生する隙間も極力
抑えることができ、Ｘ線等の放射線に対する高特性の放
射線検出素子を提供できるという効果がある。
を組み合わせて形成する放射線検出素子に係り、特に半
導体光検出素子と印刷配線基板の熱膨張率の違いによる
そりを防いだ防射線検出素子に関するものである。 〔従来の技術〕 印刷配線基板に半導体光検出体を貼着してなる光検出
素子と蛍光体とを組み合わせて構成した放射線検出素子
の従来例（特願昭61−171637号）を第２図に示す。この
第２図において、１は半導体光検出体（例えば、シリコ
ン単結晶からなるシリコン・フオト・ダイオードな
ど）、２はこの半導体光検出体１が一方の面に接着剤で
貼着された印刷配線基板である。この印刷配線基板２
は、例えばガラスエポキシ複合材を用いてなる印刷配線
基板で、これは、前記半導体光検出体１を支持すると共
にその導体パターンにより半導体光検出体１からの信号
を同印刷配線基板２上に取り付けられたコネクタ３に導
入させる役割をも果たしている。 ここで前記半導体光検出体１は、印刷配線基板２の例
えば幅方向に沿つて、図示するように複数のチヤンネル
領域１−1,1−2,…１−ｎに分割構成されている。この
場合、各チヤンネルの領域は相互に電気的に分離されて
おり、あるチヤンネルに光が入射したとき、他のチヤン
ネルに出力される漏れ信号は、光が入射したチヤンネル
に出力される信号の1/100以下に抑えられている。 ４は放射線、ここではＸ線検出のために光検出体１上
に固着された蛍光体素子で、蛍光体4aと鉛ガラス4bとを
一体化してなる。この場合、第３図に拡大断面を示すよ
うに、蛍光体4a,鉛ガラス4b共に半導体光検出体１の各
チヤンネル領域１−1,1−2,…１−ｎ（ここでは、ｎ＝
９。以下同じ）に対応して分割構成されている（4a−1,
4a−2,…4a−n,4b−1,4b−2,…4b−ｎ参照）。 入射Ｘ線は、蛍光体4aで光に変換され、また変換され
ずに残つたＸ線は鉛ガラス4bに吸引される。変換された
上記光は、半導体光検出体１に入射して電気信号に変換
される。ここで、蛍光体チヤンネル領域4a−1,4a−2,…
4a−ｎに入射したＸ線による光が、それぞれ、対応する
半導体光検出体チヤンネル領域１−1,1−2,…１−ｎに
正しく出射されるように、蛍光体素子４の各チヤンネル
領域相互間には、高反射率処理された光反射用の反射板
５−1,5−2,…５−（ｎ−１）が挟み込まれている。 なお、蛍光体4a−1,4a−2,…で散乱されたＸ線が隣接
する蛍光体4a−1,4a−2,…に入射して光を発すると、誤
つた出力情報となつて装置の分解能を劣化させるが、こ
れを防ぐため上記反射板５−1,5−2,…は、モリブデ
ン，タングステンあるいはタンタルなど、Ｘ線吸収率の
高い材質を用いてなる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 このようにして、ある蛍光体（チヤンネル）内のＸ線
や蛍光が、隣接する他の蛍光体（チヤンネル）へ漏れる
ことを防止しているにもかかわらず、蛍光体素子４と半
導体光検出体１の間に隙間があると、そこを通つて隣接
する素子４（チヤンネル）相互間で光が往来してしま
う。このためＸ線入射位置と信号発生チヤンネルとの間
の対応がずれた情報が出力され、検出器特性を劣化させ
ることになる。 これを防止するには、半導体光検出体１と蛍光体素子
４相互が密着していることが肝要であり、このために
は、それら相互の接着面は各々平坦でなければならな
い。 ところで、前述のように半導体光検出体１はシリコン
単結晶、印刷配線基板２はガラスエポキシ複合材であ
り、それら相互の接着剤としては、通常、加熱硬化性の
エポキシ接着剤が用いられている。熱膨張率は、シリコ
ン単結晶が２×10-6/℃、ガラスエポキシ複合材が20〜1
00×10-6/℃で、その差が大きい。このため、両者を上
記接着剤で接着するために加熱硬化（100〜150℃）した
後、常温まで冷却する間に、それまで平坦であつた半導
体光検出体1,印刷配線基板２に、第４図に示すような
“そり”を生じる。この“そり”の寸法を第４図中ｂで
表わすと、ガラスエポキシ製印刷配線基板２の厚みＴ＝
3mm,シリコンチツプからなる半導体光検出体１の厚みｔ
＝0.35mm,長さＬ＝30mm,幅Ｗ＝20mmの場合、前記100〜1
50℃の加熱を経たとき、その“そり"bは、最大100μ
ｍ、通常30〜50μｍにもなる。この“そり"bの値は、こ
れにより両者間に隙間が生じた場合に、入射光の数パー
セント以上の光漏れを生じさせ、特性上、致命的欠陥と
なる。また、“そり”に伴う半導体光検出体１内の残留
応力による圧電効果が、半導体光検出体１の特性を劣化
させる可能性もある。 これに対処する方法としては、印刷配線基板２の材質
を、半導体光検出体１程度の低い熱膨張率をもつものに
変更したり、接着剤として加熱処理を要しないものを用
いることが考えられる。しかし、比較的安価なガラスエ
ポキシ製の印刷配線基板２や使用実績のあるエポキシ接
着剤の使用を止めることは、コストや信頼性の上から問
題があり、従来、この点についての改善が要望されてい
た。 本発明の目的は、シリコン単結晶とガラスエポキシ複
合材のように熱膨張率の差が大きい材質が半導体光検出
体と印刷配線基板に用いられ、それらの接着に加熱処理
が必要であっても、“そり”の発生が少なく、Ｘ線等の
放射線の特性劣化の小さい放射線検出素子を提供するこ
とにある。 〔問題点を解決するための手段〕 上記目的は、入射した放射線を光に変換する蛍光体
と、この蛍光体で変換した光を電気信号に変換する半導
体光検出体と、この半導体光検出体を一方の面に貼着し
前記電気信号を取り出す印刷配線基板とを具備した放射
線検出素子において、前記半導体光検出体と略同じ大き
さであって前記印刷配線基板の他方の面の前記半導体光
検出体と対向する位置に貼着され熱膨張率を前記印刷配
線基板より前記半導体光検出体に近似した材質で形成さ
れた熱ひずみ補正体を備えたことで達成される。 〔作用〕 上記手段により、半導体光検出体と熱ひずみ補正体と
が印刷配線基板を中心として、その表裏面に対称となる
構造となり、これら半導体光検出体と熱ひずみ補正体と
が、“そり”の原因となる加熱処理によるひずみが打ち
消し合って“そり”の発生を抑制する。 〔実施例〕 以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。第
１図は本発明の放射線検出素子の一例を示す斜視図で、
図中１〜４は各々第２図と同様である。また、印刷配線
基板２への半導体光検出体１の貼着に、加熱硬化性接着
剤（エポキシ接着剤）が用いられていることも同様であ
る。 ６は、半導体光検出体１と同一又はそれと少なくとも
熱膨張率について同等の材質からなる熱ひずみ補正体で
ある。この熱ひずみ補正体６は、上記光検出体１と同様
の大きさに形成され、印刷配線基板２を挟んで半導体光
検出体１に対向する位置の印刷配線基板２面に貼着され
る。この貼着は、加熱処理時に熱応力が加わつたとき、
両者がはがれないように、前記加熱硬化性接着剤を用い
るか、それよりせん断破壊強度の大きい接着剤が用いら
れる。 上述構成によれば、印刷配線基板２への半導体光検出
体１の貼着の際の、あるいはその他の加熱処理時、それ
らに第４図に示したような“そり”が発生しようとして
も、それと反対方向のひずみが熱ひずみ補正体６によつ
て生じ、相互に打ち消し合つて、上記“そり”の発生が
防止ないし抑制される。 ここで、前記熱ひずみ補正体６は、その熱膨張率が必
ずしも半導体光検出体１と同一である必要はない。印刷
配線これを、基板２と半導体光検出体１の各々の中間値
よりも若干半導体光検出体１の値に近くした程度であつ
ても、熱ひずみ補正体６を設けない場合に比べて、“そ
り”量ｂ（第４図参照）を数分の１にするこことができ
る。 〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明によれば、シリコン単結晶
とガラスエポキシ複合材のように熱膨張率の差が大きい
材質が光検出体と印刷配線基板に用いられ、それらの接
着などに加熱処理が行われる場合にあっても、“そり”
の発生が抑えられ、それら相互間に発生する隙間も極力
抑えることができ、Ｘ線等の放射線に対する高特性の放
射線検出素子を提供できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の放射線検出素子の一実施例を示す斜視
図、第２図は従来の放射線検出素子の斜視図、第３図は
第２図中のIII−III線拡大断面図、第４図は従来素子の
問題点を説明するための斜視図である。 １……半導体光検出体、２……印刷配線基板、６……熱
ひずみ補正体。
図、第２図は従来の放射線検出素子の斜視図、第３図は
第２図中のIII−III線拡大断面図、第４図は従来素子の
問題点を説明するための斜視図である。 １……半導体光検出体、２……印刷配線基板、６……熱
ひずみ補正体。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．入射した放射線を光に変換する蛍光体と、この蛍光
体で変換した光を電気信号に変換する半導体光検出体
と、この半導体光検出体を一方の面に貼着し前記電気信
号を取り出す印刷配線基板とを具備した放射線検出素子
において、前記半導体光検出体と略同じ大きさであって
前記印刷配線基板の他方の面の前記半導体光検出体と対
向する位置に貼着され熱膨張率が前記印刷配線基板より
前記半導体光検出体に近似した材質で形成された熱ひず
み補正体を備えたことを特徴とする放射線検出素子。 ２．前記熱ひずみ補正体は、その熱膨張率が前記印刷配
線基板と前記半導体光検出体の中間値より前記半導体光
検出体に近似した材質で形成されたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の放射線検出素子。 ３．前記半導体光検出体と前記印刷配線基板との貼着は
加熱硬化性接着剤を用いると共に、前記印刷配線基板と
前記熱ひずみ補正体との貼着は前記加熱硬化性接着剤あ
るいはそれより大きなせん断破壊強度を有する接着剤を
用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２
項に記載の放射線検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62303187A JP2706725B2 (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 放射線検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62303187A JP2706725B2 (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 放射線検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01145530A JPH01145530A (ja) | 1989-06-07 |
| JP2706725B2 true JP2706725B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=17917926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62303187A Expired - Fee Related JP2706725B2 (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 放射線検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2706725B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8796623B2 (en) | 2010-04-30 | 2014-08-05 | Fujifilm Corporation | Radiation imaging device, radiation imaging system, and method for affixing radiation conversion panel in radiation imaging device |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007093545A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Toshiba Corp | 放射線検出器 |
| JP7030956B2 (ja) * | 2018-03-19 | 2022-03-07 | 富士フイルム株式会社 | 放射線検出器及び放射線画像撮影装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6258648A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-14 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS6289249A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-23 | Pioneer Electronic Corp | 平面部に取付けるフオトデイテクタの構造と組立方法 |
-
1987
- 1987-12-02 JP JP62303187A patent/JP2706725B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8796623B2 (en) | 2010-04-30 | 2014-08-05 | Fujifilm Corporation | Radiation imaging device, radiation imaging system, and method for affixing radiation conversion panel in radiation imaging device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01145530A (ja) | 1989-06-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |