JPH0997870A - 電子装置及びその製造方法 - Google Patents

電子装置及びその製造方法

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JPH0997870A
JPH0997870A JP7254138A JP25413895A JPH0997870A JP H0997870 A JPH0997870 A JP H0997870A JP 7254138 A JP7254138 A JP 7254138A JP 25413895 A JP25413895 A JP 25413895A JP H0997870 A JPH0997870 A JP H0997870A
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electronic device
substrate
image sensor
semiconductor
chip
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Masaaki Bandai
雅昭 万代
Hitoshi Takeuchi
均 竹内
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S I I R D CENTER KK
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S I I R D CENTER KK
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数チップ実装型半導体イメージセンサ装置
においてチップ間の電気的及び機械的接続を同時に行え
る構造を若干チップの厚みが違っていてもチップの性能
を損なうことなく実現する。 【解決手段】 複数の半導体イメージセンサチップ1と
半導体駆動チップ2が実装されている駆動基板3と前記
半導体イメージセンサチップ1同士、ならびに前記半導
体イメージセンサチップ1と前記駆動基板3とを接続す
るフレキシブル接続基板4を有する半導体イメージセン
サ装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータ、半導体
イメージセンサ装置等の複数の半導体チップで構成され
る電子装置に関する。その一例として取り上げる半導体
イメージセンサ装置は、可視領域や赤外また紫外の光は
もとより、特にはX線や放射線および荷電粒子の測定に
用いられるものに適用され、フォトダイオード、フォト
ダイオードアレイ、フォトセンサ、マイクロストリップ
センサ、両面マイクロストリップセンサ、放射線セン
サ、半導体フォトセンサ、半導体撮像装置等と称される
半導体集積回路装置をさす。ここで、このような光や放
射線を受けて信号を出すことを、検出すると称し、検出
する部位を受光面領域もしくはフォトセンサと称する。
さらにその配列されたもので検出した信号を2次元的な
情報(イメージ)として取り出す装置をイメージセンサ
装置と称する。これらの装置は、1個のセンサチップだ
けでその機能を果たす場合もあるが、本発明でとりあげ
るのは、複数個のセンサチップを機械的・電気的に一体
のものにして、この一体になったもの全体で半導体イメ
ージセンサ装置として機能させるような構造のものにつ
いてである。(以降、上述のようなものを複数チップ実
装型半導体イメージセンサ装置と略記する。)
【0002】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
図25から図26に示したような構造が知られている。
ここで、図26は図25に示した従来例を裏側からみた
斜視図である。ここに示した例では、半導体イメージセ
ンサチップ1を4個と、これらの半導体イメージセンサ
チップ1を制御して信号を取り出すための駆動基板3を
2個、補強材76によって一体のものとし、電気的に
は、半導体イメージセンサチップ1間及び半導体イメー
ジセンサチップ1と駆動基板3の間及び図示していない
が、半導体駆動チップ2と駆動基板3上の対応する電極
間はワイヤ73でつないで接続を取るような構造が知ら
れている。
【0003】なお、図25に示した絵は理解を容易にす
るために簡略化して描いてある。実際には、半導体イメ
ージセンサチップ1はセンスライン方向が5cmから7
cm位、その直角方向は3cm位のサイズの一般的な半
導体よりはかなり大きな半導体であり、その中に600
本位の本数のセンスライン5が(図25ではセンスライ
ン5は6本しか描いてないが)、50ミクロン位のピッ
チで整然と並んでいるような構造のものである。したが
って、図25に描いた装置全体では、長さ30cm、幅
3cm位のサイズのものである。
【0004】さらに我々は、特開平6−302792で
詳述したような図27に示した構造の複数チップ実装型
半導体イメージセンサ装置を既に提案している。図27
に示した構造は半導体イメージセンサチップ1を4個
と、これらの半導体イメージセンサチップ1を制御して
信号を取り出すための半導体駆動チップ2を2個づつ両
面に実装した駆動基板3、2個をシリコンチップやガラ
スチップなどの固い接続チップ4を用いて、接続する事
により、全体を機械的に一体な構造にすると同時に電気
的な導通も得ようという物である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の複
数チップ実装型半導体イメージセンサ装置では、複数個
のチップあるいは回路基板を機械的に固定して一体の物
にする事と、電気的につないで1つのシステムにする事
が、別々の手段により行われていたので、次に掲げるよ
うな問題点があった。 機械的な支持機構の存在を前提とした構造である。 機械的な支持構造部分が、受光面領域に影響を与え検
出能力に悪い影響を及ぼす。 機械的な固定と電気的な接続の両方の作業が必要で加
工時間が長くなる。 ワイヤによる電気的接続は、ワイヤボンドする電極間
のピッチがあまり狭いとうまく作業が出来ない。(ワイ
ヤボンド作業時に、既に接続の終わった隣の配線にさわ
ってワイヤを切ってしまう心配がある。) ワイヤボンド作業が無事終了しても、そのワイヤにさ
わってしまうなどの外力が加わると、ワイヤが切れた
り、隣同士のワイヤが接触してショートしてしまう心配
がある。 機械的な剛性を機械的な支持機構のみにおわせるため
支持部材の形状や配置に制約が多い。
【0006】さらに、ワイヤボンド法により実装する半
導体駆動チップ2には、チップ内部のレイアウト上の制
約にも考慮が必要である。即ち、半導体駆動チップ2は
ストリップライン1本1本に対応した入力端子が必要で
あり、狭ピッチストリップに対応する半導体駆動チップ
2の場合、隣接端子間のピッチも狭くなる。この場合、
入力端子近傍にレイアウトする必要のある入力信号処理
回路(入力バッファ)が入るスペースが十分確保できな
くなり、このためストリップピッチの狭ピッチ化が制約
されるという問題点もあった。
【0007】さらに、図27に示した例の場合について
は、上述のような課題は克服されているが、隣接する半
導体イメージセンサチップ1間に厚みの差があると次の
ような問題点がある事が判った。図28と図29は厚み
の異なる2つの半導体イメージセンサチップ34(厚い
方)と半導体イメージセンサチップ35(薄い方)をシ
リコンやガラス等の固い材料でできた接続チップ33を
使って接続する場合の接続部近傍を拡大して示した断面
図である。(図27に示した例の半導体イメージセンサ
チップ1間を接続チップ33で接続した部分を横から見
た断面図である。) 図28に示した例では、左に示した半導体イメージ
センサチップ34の方が、右に示した半導体イメージセ
ンサチップ35より厚みが厚いため、これらに平行に実
装された接続チップ33が厚い方の半導体イメージセン
サチップ34とは電気的に導通がとれているが、薄い方
の半導体イメージセンサチップ35との間には、ギャッ
プdが生じて、電気的な接続がとれていない様子を示し
ている。このように、隣接する半導体イメージセンサチ
ップ間に厚みに差があると、両者間の電気的な導通が上
手くとれなくなる場合がある。
【0008】 図29に示した例では、左に示した半
導体イメージセンサチップ34の方が、右に示した半導
体イメージセンサチップ35より厚みが厚いため、これ
ら両者間を電気的に無理につなごうとすると、両者に対
して接続チップ33が傾いた状態で取り付けられてしま
う。この場合、電気的には両者間の接続はとれるが、接
続チップ33に薄い方の半導体イメージセンサチップ3
5が引っ張られて、2つのセンサチップが図29に示し
たように断面的にみると角度を持ってしまうため、両者
間の機械的な位置精度(特に断面方向)が悪化するとい
う課題がある。
【0009】 上記の場合、隣接する半導体イメー
ジセンサチップ間の平面度を無理に満たそうとして矯正
する様な事をすると、接続チップ33や半導体イメージ
センサチップ34及び35に応力がかかってわれたり、
接合部で剥離が発生して、電気的な導通不良になるとい
う問題点もある。
【0010】さらに、受光面領域に接続チップという物
質が存在すると、それに妨げられて放射線等の計測対象
信号が減衰してしまう、即ち、測定データの精度が低下
するという問題もある。そこで、この発明の目的は、従
来のこのような課題を解決するために、受光面領域に影
響を及ぼさないようにしつつ、機械的な固定構造が電気
的な接続の機能も合わせ持つため構造が単純で、機械的
な剛性も十分備わり、寸法的にも精度の良い、なおかつ
狭ピッチのセンスラインでも安定した電気的接続がと
れ、かつ電気的な特性も優れ、一旦電気的な接続がとれ
た後は、その接続品質が安定しているような複数チップ
実装型半導体イメージセンサ装置を得ようとする事であ
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は、複数チップ実装型半導体イメージセン
サ装置において、隣接する半導体イメージセンサチップ
間および隣接する半導体イメージセンサチップと駆動基
板との接続を、フレキシブルな基板表面に電気的接続用
の配線パターンと電気的接続用の電極を有する部品(フ
レキシブル接続基板)を、その配線及び電極を有する面
を半導体イメージセンサチップの電極と対向させる向き
に実装する(以降、フェイスダウン実装と略記する)よ
うな構成としたり、かつ駆動基板上への半導体駆動チッ
プの実装も、前述の接続チップの実装と同様のフェイス
ダウン実装で行うような構成とする事により、非常に狭
ピッチのストリップラインを有する半導体イメージセン
サを、受光面領域に影響を与えずに、機械的固定と電気
的接続を一括して行え、なおかつ電気的には安定し、機
械寸法的にも精度の良い接続が行えるようにした。
【0012】ここで、さらに半導体イメージセンサ装置
の機械的強度が必要とされる時は、半導体イメージセン
サ装置に補強部材を設けることにより、必要な強度が得
られるようにした。また、半導体イメージセンサ装置の
動作時、発熱が問題になる場合は、放熱板を発熱部にと
りつける事により発熱による障害発生を防止するように
した。
【0013】
【作用】上記のように構成された複数チップ実装型半導
体イメージセンサ装置においては、以下のような作用が
得られる。 機械的な支持機構が不要になるので機械的な支持構
造部分が、受光面領域に影響を与え検出に悪い影響を及
ぼすことがない。
【0014】 機械的な固定と電気的接続の作業が同
時に行え、しかも接続は隣接する半導体イメージセンサ
チップ間もしくは半導体イメージセンサチップと駆動基
板の間について一括して行うので加工時間が短くでき
る。 フレキシブル接続基板に形成された配線はフレキシ
ブルプリント基板の製造プロセスにより形成された物な
ので、接続時及びに接続後に配線が断線したり接触した
りすることはなくなる。また配線密度も高くできるので
より狭ピッチの接続が可能となり、ひいては半導体イメ
ージセンサチップの受光面領域のセンスラインをより高
密度にでき、検出能力を向上することができる。
【0015】 接続後はフレキシブル接続基板の配線
及び電極と相手側の電極は、フレキシブル接続基板4と
半導体イメージセンサチップ1や駆動基板3の間に挟ま
れる状態になるので接続部位が直接外部にさらされるこ
とがなく接続品質を高く保てる、すなわち信頼性を向上
できる。
【0016】 隣接する半導体イメージセンサチップ
1の厚みに差があっても、電気的な導通の安定した、機
械的寸法精度も優れた組立ができる。 受光面領域に存在する物質の量が厚さ25〜50μ
mレベルのフレキシブル基板だけのため、データ精度の
低下が最小限に抑えられる。
【0017】 さらに機械的強度が必要とされる場
合、補助的な支持構造として補強部材を設置することに
より、半導体イメージセンサ装置の剛性をより向上でき
る。これは、補助的支持機構であるので、大型にする必
要はなく、かつレイアウトの自由度が高くなるので、半
導体イメージセンサチップの両サイドに取り付けること
により受光面領域への影響はほとんどなくなる。
【0018】 さらに半導体イメージセンサ装置の動
作時の発熱による障害は、放熱板の取付で防止される。
【0019】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基づいて
説明する。図1は本発明にかかる半導体イメージセンサ
装置の実施例の基本的な構成を示す上面図である。半導
体イメージセンサチップ1が4個正確な位置関係で並ん
で、お互いの間をフレキシブル接続基板4を用いて機械
的に固定するとともに電気的に接続し、さらに、これら
4個の半導体イメージセンサチップ1の両脇に、これら
の4個のセンサチップの制御や情報の取り出しを行うた
めの半導体駆動チップ2がフェイスダウン実装された駆
動基板3が2枚レイアウトさており、これもフレキシブ
ル接続基板4で半導体イメージセンサチップ1と機械的
に固定するとともに電気的に接続されている。
【0020】この半導体イメージセンサ装置の主要構成
要素である半導体イメージセンサチップ1は、図1の左
右方向の両端接続部の表裏両面に接続用電極(図示され
ていない)を持ち、接続部以外は両面ともイメージセン
サとなっている。さらに、図12は図1に示した実施例
の中の駆動基板3の一例を詳細に示した平面図である。
駆動基板3は、シリコン基板でできた両面基板であり、
金バンプ等でできた半導体駆動チップ用電極20と電気
的な接合をとれるように、半導体駆動チップ2の電極が
向き合うような向きで(フェイスダウンで)表裏面各2
個づつ実装されている。この半導体駆動チップ2は、半
導体イメージセンサチップ1の駆動や前記半導体イメー
ジセンサチップ1から得られた信号を処理して半導体イ
メージセンサ装置外部のシステム(図示されていない)
にセンサチップからの情報を伝達するという機能を担っ
ている。また、外部のシステムと信号のやりとりをする
ために駆動基板3には、外部接続用電極22が設けられ
ている。また、駆動基板3は、半導体イメージセンサチ
ップ1と隣接する方の辺の表裏両面に半導体イメージセ
ンサチップ1との電気的な接続をとるためのセンスライ
ン用電極21がある。さらに、駆動基板3は、半導体イ
メージセンサチップ1、半導体駆動チップ2などと同じ
材質のシリコン基板でできているため、実装時の温度上
昇があっても、どの部品も同じ熱膨張率であり、熱膨張
率の違いによる機械的位置精度の低下という問題点の発
生もない。
【0021】ストリップラインピッチ、即ちセンスピッ
チは、50μmという極めて狭ピッチが要求されてい
る。センスライン電極21は、後に詳述するフレキシブ
ル接続基板4を用いて半導体イメージセンサチップ1の
ストリップラインと一対一で電気的に接続する。このた
め、センスライン電極21のレイアウトピッチはストリ
ップラインのピッチと同一である必要がある。
【0022】次に、半導体イメージセンサチップ1相互
間や半導体イメージセンサチップ1と駆動基板3間の機
械的・電気的接続について説明する。図2は本発明にか
かる図1に示した実施例における隣接する半導体イメー
ジセンサチップ1間の接続部分を拡大して示した上面図
であり、図3はその側面の拡大図である。また、図4
は、これらの図中に示されたフレキシブル接続基板4の
一例を示した平面図である。
【0023】図2及び図3に示した状態は、半導体イメ
ージセンサチップ1とフレキシブル接続基板4を両者の
電極部が重なりあうようにして、電気的な接続をとった
状態を示している。半導体イメージセンサチップ1の表
裏両面には、図2に示したようなセンスライン5が、一
定間隔で形成されている。各センスライン5のチップ両
端部には外部との電気的接続をとるための金バンプ等で
できた電極6が設けられている。(図2には、図示され
ていない。) さらに、フレキシブル接続基板4には図
4に示したように半導体イメージセンサチップ1と向き
合う方の面に半導体イメージセンサチップ1と同じピッ
チで電気接続部8と配線9、及び絶縁膜7がある。電気
接続部8は対向する半導体イメージセンサチップ1の電
極6との電気的接続をとるために金メッキあるいはスズ
メッキが施されている。電気的な接続をとる方法として
は、電極6の金バンプと電気接続部8の金メッキあるい
はスズメッキ部分とを共晶結合させる方法、接着剤の中
に導電粒子が分散された異方性導電接着剤を用いる方法
等がある。
【0024】図5は、フレキシブル接続基板の他の実施
例を示している。図4に示した物に対して、半導体イメ
ージセンサチップ1の電極6と対向して電気的な接続を
とる時に、より確実な接続を行うために電気接続部の仕
様が金バンプ8aになっているところが異なっている。
【0025】なお、一般的なフレキシブル基板は厚さが
18μmあるいは35μmの銅箔がポリイミド等の基材
のフィルム層に接着剤ではりつけられたような構成にな
っている。しかし、本発明で用いる50μmピッチレベ
ルの微細パターンを作成する必要がある場合は、フレキ
シブル基板作成のエッチング工程でのファインピッチ確
保のためには、銅箔厚み8μm以下レベルで、なおかつ
接着層のない(銅箔が直接ポリイミド層等の基材に付け
られている)、いわゆる2層フレキシブル基板を用いる
ことが必要である(この種の基板材料としては、例え
ば、三井東圧化学のエッチャーフレックス、東洋メタラ
イジングのメタロイヤルなどが知られている)。
【0026】また、金やスズ等のメッキ厚みもファイン
ピッチに対応するためには必要最低限の厚み(1μm以
下)である必要がある。図6は、図4に示したフレキシ
ブル接続基板4を用いて、半導体イメージセンサチップ
1、2個を接続した状態を示す接続部近傍のみを拡大し
て示した断面図である。(なお、この図では説明を判り
易くするため絶縁膜7を取り除いてある。)仮に、フレ
キシブル接続基板4が図6に示したように撓んだ状態で
取り付けられてしまった場合、絶縁膜7がないと配線9
が半導体イメージセンサチップ1のコーナー部に接触し
てしまい、半導体イメージセンサチップ1のサブストレ
ートと配線9が電気的に短絡するという問題点がおきる
ことが懸念される。絶縁膜7の存在により、図示したよ
うな場合でも半導体イメージセンサチップ1のコーナー
部には絶縁膜7が触り、配線9がこの部分に直接接触す
る事はなく、前記の問題点の発生は防止される。
【0027】このようにして、半導体イメージセンサ装
置の電気的導通と機械的結合が同時に行われる。また、
電気的導通についてだけ考えれば、ワイヤボンド法とは
違って、全部の電極の接続が一括して行われるので、大
幅な工数低減が図られるだけでなく、さらに、接続後は
接続部の電極および配線はフレキシブル接続基板4の下
に隠れ外界から保護されるので電気的な接続品質の信頼
性が高くなる。
【0028】図7は本発明の一実施例であるフレキシブ
ル接続基板4の半導体イメージセンサチップ1と電気的
に接続するのとは反対側の面(裏面)を示した平面図で
ある。(破線で示した部分は、裏側の電気接続部8、配
線9である。) この図に示したフレキシブル接続基板4は、接続面の裏
側の面に銅箔で形成された裏面パターン10がある両面
基板になっている。フレキシブル基板は、フレキシブル
(屈曲自在)という特徴がある反面、寸法安定性に不安
がある。一般的なフレキシブル基板材料は、例えば、吸
湿すると寸法が変化する。したがって、湿式プロセスを
通してフレキシブル基板のパターニングをする際、実際
のパターニングは液中で行われ、できあがった品物(フ
レキシブル接続基板)は乾燥した状態で使用するため、
その間で寸法変化することは避けられない。このため、
マスク作成に当たっては、この変化量を見込んで作成す
るが、実際には、基板材料の変化量にはバラツキがあ
り、毎回同じ変化量にはならない。しかし、裏面パター
ン10があると、このパターンで寸法変化が抑えられる
ので電気接続部のピッチ方向の寸法安定性が向上する。
【0029】このような工夫で寸法精度は向上するが、
フレキシブル接続基板4用の材料として用いるポリイミ
ドフィルム基板の基材の材質として近年開発されたユー
ピレックスSやカプトンEタイプ等を用いると、さらに
精度は向上する。これらは、一般的なポリイミドフィル
ムに比べ、温度や湿度に対する寸法安定性が優れてい
る。
【0030】なお、後で詳述するが接続に際し、半導体
イメージセンサチップ1とフレキシブル接続基板4の位
置合わせは透明なフレキシブル接続基板4を透き通して
見る必要がある。図7に示した実施例で裏面パターン1
0が基板裏面全域を被っていないのはこのためである。
【0031】図8は本発明にかかる図1に示した実施例
における隣接する半導体イメージセンサチップ1間をフ
レキシブル接続基板4で接続した状態を示す平面図であ
る。なお、図8では、理解し易いように、わざとフレキ
シブル接続基板4がずれた状態で半導体イメージセンサ
チップ1上に載った状態を拡大して示してある。
【0032】図8に示した状態は、半導体イメージセン
サチップ1とフレキシブル接続基板4を両者の電極部が
重なりあうようにして、電気的な接続をとった状態を示
している。(ただし、前述のように図8については、図
面を見た際の理解を容易にするため、フレキシブル接続
基板4と半導体イメージセンサチップ1の位置関係はわ
ざとずらしているので、半導体イメージセンサチップ1
の電極6とフレキシブル接続基板4の電気接続部8は、
ずれた状態になっている。) 半導体イメージセンサチップ1の表裏両面には、図2に
示したようなセンスライン5が、一定間隔で形成されて
いる。各センスライン5のチップ両端部には外部との電
気的接続をとるための電極6が設けられている。さら
に、フレキシブル接続基板4は、例えば厚さ50μmの
ポリイミドフィルム上に電気的な配線パターンが形成さ
れた物を用いれば、フィルム部分は透明で裏面から自分
自身の配線パターンやさらにその下の半導体イメージセ
ンサチップ1のセンスライン5や電極6を透き通して見
ることができるので、フレキシブル接続基板4の裏面側
の真上から見ながらフレキシブル接続基板4と半導体イ
メージセンサチップ1間の位置合わせは容易にできる。
【0033】次にフレキシブル接続基板4の電気接続部
8と半導体イメージセンサチップ1の電極6との電気的
接続について詳述する。図9は、本発明の一実施例であ
る半導体イメージセンサチップ1とフレキシブル接続基
板4の一部分のみを拡大して詳細に示した平面図であ
る。本実施例では、接続ピッチは50μmの場合を例に
とり説明する。
【0034】半導体イメージセンサチップ1とフレキシ
ブル接続基板4の相対的位置関係の精度は、部品精度及
び組立精度を積み重ねると、狙いの場所に対してのズレ
量d’は、10μm以下に抑えることは困難である。さ
らにフレキシブル接続基板4の製造プロセスを考えた場
合、50μmピッチのパターンで途中断線も隣接間パタ
ーンショートもないという条件で品物を作ろうとする
と、パターン幅l2とピッチ間の関係は、 l2/(p−
l2)=1/1〜1/2の範囲内である必要がある。仮
に、半導体イメージセンサチップ1の電極6は幅(ピッ
チ方向)が35μm、フレキシブル接続基板4の電気接
続部8の幅をバラツキ幅の最大値の25μmと仮定する
と、狙いの場所に対して10μmずれた時でも、隣接電
極間を構成する導体部分では15μm以上の隙間は確保
できる。異方性導電膜を用いた接続の場合、隣接間ショ
ートがないためには、最低10μm以上の隙間の確保が
必要なので、この仕様ならば、この点問題はない。
【0035】次に、電気的な接続が十分とれるか(接続
オープンする端子はないか)についてである。適切な異
方性導電膜を用いれば、電気的に接触するためには電極
6と電気接続部8の重なりあう面積が、5000平方ミ
クロン以上あれば、99.999%以上の接続が可能な
ことを実験的に確認した。したがって、フレキシブル接
続基板4の電気接続部8の幅が最小の15μmの場合、 5000μm2÷15μm=333μm 相手側の電極6の長さ(ピッチ方向に対して直角の方
向)は340μm以上の長さが必要である。
【0036】図10(A)と(B)は、本発明の一実施
例である半導体イメージセンサチップ1とフレキシブル
接続基板4を接続する部分を重ねた状態を示す平面図
で、600本以上もある接続部分の左右それぞれの6個
の接続部分についてのみを拡大して示した物であり、図
10(A)については、まだ接続していない状態を、図
10(B)は、図10(A)と同じ部分の接続後の状態
を示す平面図である。フレキシブル接続基板4が、熱圧
着等のの接続工程で伸びてしまう場合、伸びる前の状態
で半導体イメージセンサチップ1とフレキシブル接続基
板4間を位置合わせしても熱圧着後ずれてしまい、両者
間の電気的接続はとれない。この場合、図10(A)に
示したような予め伸びを考慮した位置合わせ用パターン
13を用意し、この位置合わせ用パターン13と半導体
イメージセンサチップ1の特定の目安(図10(A)に
示した例の場合は左右の端の電極その物を利用してい
る。)と位置合わせすることにより、圧着後は、図10
(B)に示したように電気接続部8は電極6上に上手く
重ねることができる。
【0037】次に、図1に示した本発明の実施例の製造
方法について説明する。図13は本発明にかかる半導体
イメージセンサ装置の実施例の半導体イメージセンサチ
ップ1及び駆動基板3の相対的位置関係を合わせた状
態、すなわち本発明の製造方法にかかる請求項20及び
請求項22記載の第1工程終了後の一例を示す上面図で
ある。半導体イメージセンサチップ1、4枚はそれぞれ
接続部が対向するように長手方向に4枚並べられる。そ
の両端には駆動基板3も接続部が半導体イメージセンサ
チップ1側になるように配列する。これらは、フレキシ
ブル接続基板4で接続するときに電極の位置関係が合う
ように相対位置が合わせられている。位置合わせの方法
は、上部よりパターンや電極の位置をモニターしながら
位置合わせアーム等を用いて位置をずらしたり、チップ
マウンタを使用したりする方法等がある。なお、半導体
イメージセンサ装置としてみた場合、隣接チップ間の電
気的接続を行う部分はセンシングエリアとしては使えな
いので、この部分の長さは短い方がよい。したがって、
隣接チップ間の隙間はなるべく小さい方がよい。実際に
は、ウェハから半導体チップを切り出す際のダイシング
精度が狙いの場所から±50ミクロン位はずれるので、
チップが大きめに切れた際にも、両者間の位置関係が正
確であるためには、狙い通りのダイシング精度のチップ
の場合、約100ミクロン位の隙間があくようにレイア
ウトする。
【0038】図14は本発明にかかる半導体イメージセ
ンサ装置の実施例の半導体イメージセンサチップ1と駆
動基板3をフレキシブル接続基板4で接続した状態、す
なわち本発明の製造方法にかかる請求項20記載の第2
工程、あるいは請求項22記載の第3工程終了後の一例
を示す上面図である。
【0039】この状態になるまでのやり方としては、大
きく分けて2通りの方法が考えられる。第1の方法は、
第1の工程後、フレキシブル接続基板4を半導体イメー
ジセンサチップ1もしくは駆動回路3の接続部と位置関
係を合わせた後、三者間を電気的に接続を行う方法であ
る。図15は、この方法で半導体イメージセンサチップ
1間を接続した状態を示す接続部近傍を示す拡大断面図
である。この接続に際して、例えば異方性導電膜31を
用いて接続を行えば、図15に示したように異方性導電
膜31が半導体イメージセンサチップ1間の隙間やフレ
キシブル接続基板4と半導体イメージセンサチップ1と
の隙間に流れた固まり固体となって、全体として1つの
剛体を形成する。本実施例では、異方性導電膜31を例
にして説明したが、フレキシブル接続基板4の電気接続
部8と半導体イメージセンサチップ1の電極6の電気的
な導通がとれれば、異方性導電接着剤でも絶縁性の接着
剤でも良いことはいうまでもない。(接点間が直接触れ
ば、絶縁性接着剤でも接点間の導通はとれる。) ここで図18を用いて異方性導電膜40について、少し
詳しく説明しておく。異方性導電膜40は、一般の両面
テープのような形態のもので、表裏面ともネバネバとし
たタック性を有する厚みが20μから30μ位の薄いテ
ープ状の接着剤である。このテープ状の接着剤は、表裏
面とも離型紙に挟まれた状態でリールに巻かれて供給さ
れるのが一般的である。またこのテープ状の薄い接着剤
の部分は、エポキシ系などの有機系材料の中に導電性の
直径数μから十数μの微粒子が多数分散して存在するよ
うな構成になっている。
【0040】図18は、異方性導電膜40による電気的
な接合の仕組みを説明するために、駆動基板3上に半導
体駆動チップ2を異方性導電膜40を用いて実装した状
態を示す断面図である。異方性導電膜40を間に挟んで
駆動基板3上に半導体駆動チップ2を半導体駆動チップ
用電極20とチップ電極14が丁度重なるように位置合
わせして載せた後、両者間を加熱・加圧すると、異方性
導電膜40は押し縮められて導電粒子41が直接上下の
半導体駆動チップ用電極20とチップ電極14の両者に
押しつけられて、両者間の導通がとれる。しかし、図1
8の横方向、即ち、平面方向(水平方向)は導電粒子4
1がお互いに接触していないため、絶縁されているとい
う優れた特徴を持っている。即ち、異方性導電膜40
は、電気的に垂直方向には導電性、水平方向には絶縁性
を有する材料といえる。
【0041】なお、ここでフレキシブル接続基板4と半
導体イメージセンサチップ1間のみ電気的に接続し、半
導体イメージセンサチップ1同士間を機械的に固定しな
いようなやり方で接続すると、本工程は、単に電気的接
続のみを行い、半導体イメージセンサチップ同士間や半
導体イメージセンサチップと駆動基板間の位置決めは他
の方法、例えば、素子間レイアウト位置出し用補助部材
42を用いることにより、図24に示したような定めら
れた形状に湾曲したようなユニットの作成も可能であ
る。(図24は、レイアウト位置出し用補助部材42に
より、円弧状にレイアウトされたユニットの側面図であ
る。) 第2の方法は、第1工程終了後、請求項22に記載した
様に半導体イメージセンサチップ1相互間あるいは、半
導体イメージセンサチップ1と駆動基板3との間を、ま
ずはじめに機械的に固定し、その後両者間をフレキシブ
ル接続基板4で電気的に接続するという方法である。図
16は、この方法で半導体イメージセンサチップ1間を
接続する場合の組立途中の状態を示す請求項22の第2
工程終了後の状態を示す接続部近傍の拡大断面図であ
る。半導体イメージセンサチップ1間は接着剤32で固
定され、接着剤32が硬化後は、全体として機械的に一
体な剛体として取り扱える。なお、この接着剤32に
は、半導体イメージセンサチップ1の接続部(コーナー
部)を被い隠すことにより、チップのサブストレート部
がむき出しにならないため、フレキシブル接続基板4の
配線9との接触による短絡の問題点が回避できるため、
フレキシブル接続基板4の絶縁膜7が不要になるという
効果もある。この後、図16の状態の物の上にフレキシ
ブル接続基板4の電気接続部8と半導体イメージセンサ
チップ1の電極6間の位置関係を合わせて、異方性導電
膜等を用いて電気的に両者間を接続するのは第1の方法
と同じである。なお、この際は、既に機械的な結合は終
了しているので、電気的接続手段は、共晶結合等の、単
に電気的に結合する手法(機械的な固定の機能のない接
続方法)でも良いことはいうまでもない。
【0042】なお、上記実施例では機械的な固定後、電
気的接続を行った場合について述べたが、逆に機械的な
固定をせずに、まず電気的に接続後、半導体チップ間に
接着剤を流し込んで固定する事も可能な事はいうまでも
ない。(請求項22記載の第2工程と第3工程の順番を
逆にするという事。) 次に、請求項20記載の第2工程あるいは請求項22記
載の第3工程を異方性導電膜を用いて接続を行う場合に
ついて、その具体的な方法を詳述する。図17は本発明
の一実施例である半導体イメージセンサチップ1をフレ
キシブル接続基板4で異方性導電膜31を用いて接続す
る工程における組立用治工具と組立される品物の関係を
示す接続部近傍のみを拡大して示した断面図である。ワ
ーク支持台37上に、半導体イメージセンサチップ3
4、35が両者間が位置出しされた状態で載置されてい
る。(実際には、ワーク支持台37に対して、これらの
チップが動けないように、例えば真空チャックなどの脱
着可能な方法で固定されている。なお、ワーク支持台3
7の接続部付近が、若干えぐられているのは、裏面の半
導体イメージセンサチップ34、35の裏面のバンプを
逃げるためである。) ここで、半導体用ウェファにはどうしても若干の厚みの
ばらつきがあるため、半導体イメージセンサチップは1
枚毎にその厚みが微妙に異なっている。本実施例では、
左側の半導体イメージセンサチップ34の方が右側の半
導体イメージセンサチップ35よりも厚い場合を示して
いる。熱圧着ヘッド36は、片方の半導体イメージセン
サチップ35とフレキシブル接続基板4の一方の電気接
続部8cをまず接続後、もう一方の半導体イメージセン
サチップ34とフレキシブル接続基板4のもう一方の電
気接続部8bを接続できるような構成とした。ここで
は、左側の半導体イメージセンサチップ34を熱圧着し
ている様子を示している。既に右側の半導体イメージセ
ンサチップ35に対する熱圧着が終わっているので、フ
レキシブル接続基板4が図示したように変形して、チッ
プの厚みの差による段差を吸収、接続後は接続部回りに
応力が残ることなく、図示したような安定した形状にな
る。
【0043】これにより、半導体駆動チップ2の実装
や、裏面の接続はまだされていないが、半導体イメージ
センサチップ1が4枚と駆動基板3が2枚は機械的に一
体の物となる。この後、請求項20記載の第3工程ある
いは請求項22記載の第4工程によって表側の両端の駆
動基板3上に半導体駆動チップ2が実装される。さらに
その後、既に位置関係のでている図示されていない裏面
の接続をフレキシブル接続基板4で行い、最後に裏面に
半導体駆動チップ2を実装することにより図1に示すよ
うな半導体イメージセンサ装置が完成する。
【0044】なお、本実施例では駆動基板3上に半導体
駆動チップ2を実装する工程を最後に行う場合を例にと
って説明したが、この工程は最初に行っても、何等問題
のない事はいうまでもない。図11は、本発明にかかる
半導体イメージセンサ装置の実施例の駆動基板3上への
半導体駆動チップ2を実装する方法、即ち、本発明の製
造方法に関する第3工程の内容を示した斜視図である。
半導体駆動チップ2の裏面には視覚的に認識可能なチッ
プ側十マーク11が4つある。このチップ側十マーク1
1は、例えば両面ICのパターン露光等に用いられる両
面アライナを使用することにより、能動面のパターンや
電極に対し数ミクロン以下の高い位置精度で形成する事
が可能である。またマークの形は、十字以外でも四角形
や三角形等、位置合わせに用いる事が可能な形状であれ
ばどんなものでもかまわない事は言うまでもない。
【0045】一方、駆動基板3には基板側十マーク12
が4つ半導体駆動チップ2が正しい位置に実装されたと
きにチップ側十マーク11とある決められた位置関係に
なるように形成されている。半導体駆動チップ2を能動
面を下側にして駆動基板3に実装するとき、まず駆動基
板3のおおよその位置に半導体駆動チップ2を置き、そ
れぞれ4ヶ所の基板側十マーク12とチップ側十マーク
11とをビジョン認識して、基板側十マーク12とチッ
プ側十マーク11との相対位置が正確に合う様にチップ
の位置を補正することにより、半導体駆動チップ用電極
20の位置と半導体駆動チップ2の能動面側の電極の位
置を正確に合せた実装が出来る。このときビジョン認識
は、基板側十マーク12も、チップ側十マーク11も上
方から直接カメラ等で行えるので、位置精度の高い実装
が可能になる事により、より配線ピッチの狭い高密度実
装や高位置精度が要求されるセンサICの実装にも対応
が可能となる。また実装後にチップ側十マーク11と基
板側十マーク12の位置を測定する事により、位置検査
を正確に行う事もできる。
【0046】図19は本発明にかかる他の実施例を示す
上面図である。図20は、図19のA−A’断面図であ
る。さらに図21は、図19に示したサイド補強板45
の形状を示す斜視図である。本実施例は、図1に示した
実施例に対し、半導体イメージセンサチップ1を6枚
つないだ仕様である事と、機械的な強度を高めるため
の補強部材としてサイド補強板45を2枚半導体イメー
ジセンサ装置の両側の側面に常温硬化型接着剤47で取
り付けた、という2つの内容だけが異なった実施例であ
る。本実施例の場合、図1に示した実施例に対し半導体
イメージセンサ装置の全長が長く、装置全体としての剛
性や強度などの面で劣るため、強度不足やワークのたわ
みや歪みによる不具合が懸念される。この問題点を解決
するために、本実施例ではサイド補強板45を取り付け
ている。
【0047】サイド補強板45は、半導体イメージセン
サ装置の全長と同じ長さで、半導体イメージセンサチッ
プ1や駆動基板3が挿入されるための取付け溝47があ
る細長い板状の部材である。この取付け溝47は、サイ
ド補強板45を、半導体イメージセンサチップ1や駆動
基板3に取り付けるときのガイドとなり、これらの部品
のサイド補強板45の幅方向に対する位置決めが安定す
るだけでなく、接着剤だまりとしての機能も有し、接着
機能を満たすための十分な接着剤量の保持にも役立つ。
接着剤はサイド補強板45の材質が、半導体イメージセ
ンサチップ1や駆動基板3に用いられているシリコンと
異なるの場合でも、接着剤硬化時の熱膨張率の違いによ
る影響を排除するために常温硬化型接着剤46を使用し
ている。
【0048】なお本実施例では補助的な補強部材として
半導体イメージセンサ装置の両サイドに取付け溝47を
有するサイド補強板45を常温硬化型接着剤46を用い
て固定する場合を取り上げたが、補強部材は受光面領
域への影響がなく必要な強度が確保できるものであれ
ば、その形状や取付位置等はこの限りではない。また
取付方法についても接着剤を用いる方法でなくても、例
えば半導体イメージセンサ装置の側面にサイド補強板4
5の溝をくい込ませる等半導体イメージセンサ装置と補
強部材とが機械的に一体になるなら、どの様な方法を用
いてもかまわない事は言うまでもない。
【0049】図22は、本発明にかかる半導体イメージ
センサ装置の他の実施例を示す平面図である。即ち、半
導体駆動チップ2から発生する熱を逃がし、半導体駆動
チップ2が高温になり、動作が不安定になるのを防ぐた
めに、図1に示した実施例に加えて、駆動基板3上に放
熱板48を取付けた実施例である。さらに図23は、放
熱板48の取付及び半導体イメージセンサ装置をさらに
外部のフレーム51に取り付ける部分の拡大断面図であ
る。放熱板48は、半導体駆動チップ2を包み込むよう
な形状で、駆動基板3上に接着剤53により固定されて
いる。放熱板48には、さらに、半導体イメージセンサ
装置をフレーム51に取り付けるためのフレーム取り付
け穴49が設けられ、ネジ52等を用いて固定する。こ
れにより、放熱とフレーム51へ取り付けて半導体イメ
ージセンサ装置自身を支えるという2つの機能を合わせ
持つ事ができ、部品点数の削減により、工数削減を図れ
る。
【0050】また、両面デバイスの場合、下面にも半導
体駆動チップ2が必要になるので、上面同様に下面放熱
板50を取り付けている。ここでは、フレーム取り付け
機構は上面の放熱板48が持っているので、下面は駆動
基板3よりやや小さい物を取り付けている。放熱板の材
質としては、例えばアルミニウム合金の様に熱伝導がよ
く、強度、寸法精度の高いものが望ましい。放熱板の形
状は、半導体駆動チップ2からの発熱量と放熱量の関係
やフレーム取り付け形状、半導体駆動チップ2と駆動基
板3の大きさ、位置関係より厚み逃げ加工等の寸法が決
まる。
【0051】本発明は、複数の半導体チップを組み合わ
せて機能を発揮するような電子装置の構造について、半
導体イメージセンサ装置を例にとって内容を詳述した
が、この構造は高密度実装を必要とする各種電子装置に
も使える事は言うまでもない。
【0052】
【発明の効果】この発明は以上説明したように、今回一
例として取りあげた複数チップ実装型半導体イメージセ
ンサ装置の場合、半導体イメージセンサチップ相互間あ
るいは半導体イメージセンサチップと駆動基板の接続に
フレキシブル接続基板を用いることにより電気的導通と
機械的強度が同時に得られ、簡単な構造で強度と信頼性
を両立し、また測定精度も高い高性能の複数チップ実装
型半導体イメージセンサ装置が得られるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の実
施例の上面図である。
【図2】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の実
施例の接続部拡大上面図である。
【図3】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の実
施例の接続部拡大側面図である。
【図4】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の実
施例のフレキシブル接続基板の接続面側を示した上面図
である。
【図5】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の実
施例のフレキシブル接続基板の接続面側を示した(A)
が上面図及び(B)が側面図である。
【図6】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の実
施例の接続部拡大側面図である。
【図7】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の実
施例のフレキシブル接続基板の接続面とは反対側の面を
示した上面図である。
【図8】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の隣
接する半導体イメージセンサチップ間をフレキシブル接
続基板で接続した状態を示す平面図である。
【図9】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の他
の実施例の半導体イメージセンサチップの電極とフレキ
シブル接続基板の電気接続部の接続部の一部を拡大して
詳細に示した平面図である。
【図10】本発明の一実施例である半導体イメージセン
サチップ1とフレキシブル接続基板4を接続する部分を
重ねた状態を示す平面図で、600本以上もある接続部
分の左右それぞれの6個の接続部分についてのみを拡大
して示した平面図である。
【図11】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の
実施例の駆動チップを位置合わせする状態を示す斜視図
である。
【図12】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の
実施例の駆動基板の平面図である。
【図13】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の
実施例の半導体イメージセンサチップ及び駆動基板の相
対的位置関係を合わせた状態を示す平面図である。
【図14】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の
実施例の半導体イメージセンサチップ及び駆動基板をフ
レキシブル接続基板で接続した状態を示す平面図であ
る。
【図15】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の
実施例の半導体イメージセンサチップ間をフレキシブル
接続基板で接続した状態を示す接続部近傍のみを拡大し
て示した断面図である。
【図16】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の
実施例の半導体イメージセンサチップ間を接着剤で固定
した状態を示す接続部近傍のみを拡大して示した断面図
である。
【図17】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の
実施例の半導体イメージセンサチップ間をフレキシブル
接続基板で接続する場合の方法を示す接続部近傍のみを
拡大して示した断面図である。
【図18】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の
実施例の駆動基板上の半導体駆動チップ実装部を拡大し
て示した断面図である。
【図19】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の
実施例のサイド補強板を取り付けたものを示す平面図で
ある。
【図20】図19に示した実施例のA−A’断面図であ
る。
【図21】図19に示した実施例にあるサイド補強板の
みを取り出して示した斜視図である。
【図22】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の
実施例の放熱板を取り付けたものを示す平面図である。
【図23】図22に示した実施例にある放熱板装着部近
傍を拡大して詳細に示した断面図である。
【図24】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の
実施例のレイアウト位置出し用補助部材により、円弧状
にレイアウトされたユニットの側面図である。
【図25】従来の半導体イメージセンサ装置の例を示す
斜視図である。
【図26】図25に示した従来例を下方より見た斜視図
である。
【図27】従来の半導体イメージセンサ装置の例を示す
平面図である。
【図28】図27に示した従来例の半導体イメージセン
サチップ間の接続部近傍を拡大して示した断面図であ
る。
【図29】図27に示した従来例の半導体イメージセン
サチップ間の接続部近傍を拡大して示した断面図であ
る。
【符号の説明】
1 半導体イメージセンサチップ 2 半導体駆動チップ 3 駆動基板 4 フレキシブル接続基板 5 センスライン 6 電極 7 絶縁膜 8 電気接続部 9 配線 10 裏面パターン 11 チップ側+マーク 12 基板側+マーク 13 位置合わせ用パターン 14 チップ電極 20 半導体駆動チップ用電極 21 センスライン用電極 22 外部接続用電極 23 配線 31 異方性導電膜 32 接着剤 33 接続チップ 34 半導体イメージセンサチップ 35 半導体イメージセンサチップ 36 熱圧着ヘッド 37 ワーク支持台 40 異方性導電膜 41 導電粒子 42 レイアウト位置出し用補助部材 45 サイド補強板 46 常温硬化型接着剤 47 取り付け溝 48 放熱板 49 フレーム取り付け用穴 50 下方放熱板 51 フレーム 52 ネジ 53 接着剤 73 ワイヤ 74 基板側ワイヤ電極 75 センサ側ワイヤ電極 76 補強材

Claims (29)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の半導体チップと、前記半導体チッ
    プを駆動するための半導体駆動チップと、前記半導体チ
    ップ相互間、あるいは前記半導体チップと前記半導体駆
    動チップとの間を電気的に接続する手段とを具備する事
    を特徴とする電子装置。
  2. 【請求項2】 前記半導体チップ相互間を電気的に接続
    する手段として、両者間を接続するためのポリイミド等
    でできた屈曲可能なフレキシブル基板を有することを特
    徴とする請求項1記載の電子装置。
  3. 【請求項3】 前記半導体チップと前記半導体駆動チッ
    プとを電気的に接続する手段として、前記半導体駆動チ
    ップを実装した駆動基板と前記半導体チップ間を前記フ
    レキシブル基板を用いて接続する事を特徴とする請求項
    1記載の電子装置。
  4. 【請求項4】 前記の電気的に接続する手段は、前記フ
    レキシブル基板が屈曲可能な状態で取り付けられ、前記
    半導体チップ相互間あるいは前記半導体チップと前記駆
    動基板間は電気的には接続されているが、前記フレキシ
    ブル基板の屈曲方向には両者間の位置関係が変更可能で
    あることを特徴とする請求項1記載の電子装置。
  5. 【請求項5】 前記の電気的に接続する手段は、前記フ
    レキシブル基板の前記半導体チップや前記駆動基板への
    取り付けは、機械的に一体なものにする機能も有するこ
    とを特徴とする請求項1記載の電子装置。
  6. 【請求項6】 フレキシブル基板を前記半導体チップや
    前記駆動基板に取り付ける手段として、異方性導電接着
    剤、あるいは絶縁性接着剤を用いることを特徴とする請
    求項2ないし5項のいずれか1項記載の電子装置。
  7. 【請求項7】 前記半導体チップは、両面に集積回路が
    形成されている事を特徴とする請求項1記載の電子装
    置。
  8. 【請求項8】 前記半導体チップの電極は、幅がピッチ
    の2/3以下であり、かつ長さ方向は、フレキシブル基
    板の電気的接続部との重なりあう面積が5000平方μ
    m以上になるような長さの細長い構造であることを特徴
    とする請求項1ないし5項のいずれか1項記載の電子装
    置。を特徴とする請求項1ないし5項のいずれか1項記
    載の電子装置。
  9. 【請求項9】 前記半導体チップの電極は、金バンプで
    構成されていることを特徴とする請求項1ないし5項の
    いずれか1項記載の電子装置。
  10. 【請求項10】 前記フレキシブル基板は、両面にパタ
    ーンが形成された両面基板であることを特徴とする請求
    項2ないし5項のいずれか1項記載の電子装置。
  11. 【請求項11】 前記フレキシブル基板の前記半導体チ
    ップと電気的に接続する部分には金バンプが形成されて
    いる事を特徴とする請求項1ないし5項のいずれか1項
    記載の電子装置。
  12. 【請求項12】 前記フレキシブル基板は、基材のフィ
    ルム層がポリイミドでできていることを特徴とする請求
    項2ないし5項のいずれか1項記載の電子装置。
  13. 【請求項13】 前記フレキシブル基板は、それぞれの
    面について基材のフィルム層の上に導体が直接取り付け
    られた2層フレキシブル基板であることを特徴とする請
    求項2ないし5項のいずれか1項記載の電子装置。
  14. 【請求項14】 前記フレキシブル基板を構成する導体
    部分は、厚さが8μm以下の銅の基材の上に、金あるい
    はスズの1μm以下の層が載った構造であることを特徴
    とする請求項2ないし5項のいずれか1項記載の電子装
    置。材質が、カプトンEタイプであることを特徴とする
    請求項2ないし5項のいずれか1項記載の電子装置。
  15. 【請求項15】 前記フレキシブル基板の基材のフィル
    ム層のポリイミドの材質が、カプトンEタイプであるこ
    とを特徴とする請求項2ないし5項のいずれか1項記載
    の電子装置。
  16. 【請求項16】 前記フレキシブル基板の基材のフィル
    ム層のポリイミドの材質が、ユーピレックスSタイプで
    あることを特徴とする請求項2ないし5項のいずれか1
    項記載の電子装置。
  17. 【請求項17】 前記フレキシブル基板は、部分的に絶
    縁層が形成されていることを特徴とする請求項2ないし
    5項のいずれか1項記載の電子装置。せのためのパター
    ンがあることを特徴とする請求項2ないし5項のいずれ
    か1項記載の電子装置。
  18. 【請求項18】 前記フレキシブル基板は、半導体チッ
    プとの間の位置合わせのためのパターンがあることを特
    徴とする請求項2ないし5項のいずれか1項記載の電子
    装置。
  19. 【請求項19】 前記駆動基板は単結晶シリコン板の表
    面に配線及び電極が形成されているものであることを特
    徴とする請求項1ないし5項のいずれか1項記載の電子
    装置。
  20. 【請求項20】 次の各工程の結合から成る、請求項2
    から請求項5記載の電子装置の製造方法。 (イ) 前記半導体チップ相互間および前記半導体チッ
    プと前記駆動基板の相対位置を合わせる第1工程。 (ロ) 前記半導体イメージセンサ同士、及びに前記半
    導体チップと前記駆動基板とを前記フレキシブル基板を
    用いて接続する第2工程。 (ハ) 前記駆動基板上に駆動チップを実装する第3工
    程。
  21. 【請求項21】 前記第2工程は、異方性導電接着剤を
    接続部位に供給する工程と、接続部位を熱圧着する工程
    とを含む請求項20に記載の電子装置の製造方法。
  22. 【請求項22】 次の各工程の結合から成る、請求項2
    から請求項5記載の電子装置の製造方法。 (イ) 前記半導体チップ相互間および前記半導体チッ
    プと前記駆動基板の相対位置を合わせる第1工程。 (ロ) 前記半導体チップ同士、及びに前記半導体チッ
    プと前記駆動基板と機械的に固定する第2工程。 (ハ) 前記半導体チップ同士、及びに前記半導体チッ
    プと前記駆動基板とを前記フレキシブル基板を用いて接
    続する第3工程。 (ニ) 前記駆動基板上に駆動チップを実装する第4工
    程。
  23. 【請求項23】 前記第2工程は、接着剤を接続部位に
    供給する工程と、前記接着剤を硬化する工程とを含む請
    求項22に記載の電子装置の製造方法。
  24. 【請求項24】 前記第3工程は、異方性導電接着剤を
    接続部位に供給する工程と、接続部位を熱圧着する工程
    とを含む請求項22に記載の電子装置の製造方法。
  25. 【請求項25】 前記電子装置は補強部材を有すること
    を特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項記載の電
    子装置。
  26. 【請求項26】 前記補強部材は、常温硬化型接着剤に
    より取り付けられている事を特徴とする請求項25に記
    載の電子装置。
  27. 【請求項27】 前記電子装置は放熱板を有する事を特
    徴とする請求項1ないし5のいずれか1項記載の電子装
    置。
  28. 【請求項28】 前記放熱板は複数個の穴を有し、この
    穴を介して他の構造物にネジ止めするような構造を有す
    る事を特徴とする請求項27記載の電子装置。
  29. 【請求項29】 前記放熱板は、常温硬化型接着剤によ
    り取り付けられている事を特徴とする請求項27に記載
    の電子装置。
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