JP2020173183A - 放射線検出モジュール、放射線検出器、および放射線検出モジュールの製造方法 - Google Patents
放射線検出モジュール、放射線検出器、および放射線検出モジュールの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】温度変化が生じた場合であっても配線に不具合が発生するのを抑制することができる放射線検出モジュール、放射線検出器、および放射線検出モジュールの製造方法を提供することである。【解決手段】実施形態に係る放射線検出モジュールは、複数の光電変換素子と、複数の第1の電極と、を有する光電変換部と、複数の第2の電極を有する実装基板と、それぞれの一方の端部が前記複数の第1の電極の1つと接続され、それぞれの他方の端部が前記複数の第2の電極の1つと接続された複数の配線と、前記複数の光電変換素子の上に設けられたシンチレータと、を備えている。前記複数の配線のそれぞれは、温度変化に伴い前記第1の電極と前記第2の電極との間の距離が変化した際に弾性変形可能な弾性変形部を有する。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、放射線検出モジュール、放射線検出器、および放射線検出モジュールの製造方法に関する。
放射線検出器の一例にX線検出器がある。X線検出器には、例えば、X線検出モジュールと制御部が設けられている。そして、X線検出モジュールには、例えば、X線を蛍光に変換するシンチレータ、蛍光を電荷に変換する光電変換部、および、制御部との電気的な接続を行う実装基板が設けられている。光電変換部と実装基板は複数の配線により電気的に接続されている。例えば、ワイヤーボンディング法により、光電変換部と実装基板を電気的に接続している。
ここで、光電変換部と実装基板を複数の配線で電気的に接続した後に、真空蒸着法などを用いて光電変換部の上にシンチレータを形成する場合がある。この場合、光電変換部と実装基板は、100℃以上の雰囲気に置かれることになる。そのため、光電変換部と実装基板との間の距離、ひいては光電変換部側における配線の接続位置と、実装基板側における配線の接続位置との間の距離が長くなり、配線に応力が発生する。配線に応力が発生すると、配線が切断されたり、配線の接続部分が剥がれたりするおそれがある。
この場合、光電変換部の上にシンチレータを形成した後に配線を接続するようにすると、シンチレータを形成する際に配線を接続する電極をマスキングする必要がある。また、光電変換部と実装基板が電気的に接続されていないと、光電変換部と実装基板の特性を検査することができず、例えば、不具合を有する光電変換部の上にシンチレータが形成されるおそれがある。そのため、光電変換部の上にシンチレータを形成した後に配線を接続するようにすると製造コストが増大するおそれがある。
また、X線検出モジュールの製造後であっても、X線検出モジュールの使用時にX線検出モジュールが発熱したり、X線検出モジュールが高温環境に置かれたりする場合がある。この様な場合にも、配線が切断されたり、配線の接続部分が剥がれたりするおそれがある。
そこで、温度変化が生じた場合であっても配線に不具合が発生するのを抑制することができる技術の開発が望まれていた。
そこで、温度変化が生じた場合であっても配線に不具合が発生するのを抑制することができる技術の開発が望まれていた。
本発明が解決しようとする課題は、温度変化が生じた場合であっても配線に不具合が発生するのを抑制することができる放射線検出モジュール、放射線検出器、および放射線検出モジュールの製造方法を提供することである。
実施形態に係る放射線検出モジュールは、複数の光電変換素子と、複数の第1の電極と、を有する光電変換部と、複数の第2の電極を有する実装基板と、それぞれの一方の端部が前記複数の第1の電極の1つと接続され、それぞれの他方の端部が前記複数の第2の電極の1つと接続された複数の配線と、前記複数の光電変換素子の上に設けられたシンチレータと、を備えている。前記複数の配線のそれぞれは、温度変化に伴い前記第1の電極と前記第2の電極との間の距離が変化した際に弾性変形可能な弾性変形部を有する。
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
また、本発明の実施形態に係る放射線検出器は、X線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてX線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「X線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。
また、放射線検出器は、例えば、一般医療や歯科医療などに用いることができる。ただし、放射線検出器の用途は、これらに限定されるわけではない。
また、本発明の実施形態に係る放射線検出器は、X線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてX線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「X線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。
また、放射線検出器は、例えば、一般医療や歯科医療などに用いることができる。ただし、放射線検出器の用途は、これらに限定されるわけではない。
(X線検出モジュールおよびX線検出器)
図1は、本実施の形態に係るX線検出モジュール10およびX線検出器1を例示するための模式断面図である。
放射線検出器であるX線検出器1は、放射線画像であるX線画像を検出するX線平面センサとすることができる。
図1に示すように、X線検出器1には、X線検出モジュール10および制御部20を設けることができる。
X線検出モジュール10には、光電変換部11、シンチレータ12、実装基板13、ベース14、配線15、反射層16、防湿部17、および収納部18を設けることができる。
図1は、本実施の形態に係るX線検出モジュール10およびX線検出器1を例示するための模式断面図である。
放射線検出器であるX線検出器1は、放射線画像であるX線画像を検出するX線平面センサとすることができる。
図1に示すように、X線検出器1には、X線検出モジュール10および制御部20を設けることができる。
X線検出モジュール10には、光電変換部11、シンチレータ12、実装基板13、ベース14、配線15、反射層16、防湿部17、および収納部18を設けることができる。
光電変換部11は、シンチレータ12によりX線から変換された蛍光(可視光)を電荷に変換することができる。光電変換部11は、ベース14の一方の面に設けることができる。光電変換部11は、シリコンなどの半導体材料を含み、板状を呈したものとすることができる。光電変換部11は、例えば、CCDイメージセンサやCMOSイメージセンサなどの固体撮像素子とすることができる。
光電変換部11の、ベース14側とは反対側の面には複数の光電変換素子11aを設けることができる。複数の光電変換素子11aは、一列、もしくはマトリクス状に並べて設けることができる。1つの光電変換素子11aは、例えば、X線画像の1つの画素(pixel)に対応する。
光電変換部11の、ベース14側とは反対側の面には複数の電極11b(第1の電極の一例に相当する)を設けることができる。複数の電極11bは、シンチレータ12が設けられる領域の外側に設けることができる。例えば、複数の電極11bは、光電変換部11の一辺に沿って並べて設けることができる。平面視において(X線の入射方向から見て)、1つの電極11bは、実装基板13に設けられた複数の電極13a(第2の電極の一例に相当する)のうちの1つと対峙させることができる。複数の電極11bは、複数の光電変換素子11aと電気的に接続され、複数の光電変換素子11aにより変換された電荷を読み出すことができるようになっている。
光電変換部11の、ベース14側とは反対側の面であって、複数の光電変換素子11aと、複数の電極11bとの間には、回路部11cを設けることができる。回路部11cは、複数の光電変換素子11aと、複数の電極11bとに電気的に接続することができる。回路部11cは、例えば、電荷(画像データ信号)を読み出すための回路とすることができる。回路部11cは、読み出された画像データ信号(アナログ信号)をデジタル信号に変換する回路をさらに備えることもできる。
また、複数の光電変換素子11aおよび回路部11cを覆う保護膜11dを設けることができる。保護膜11dは、シンチレータ12の材料により、複数の光電変換素子11aや回路部11cなどが腐食するのを抑制するために設けることができる。保護膜11dは、複数の光電変換素子11aや回路部11cなどを絶縁する機能をも有することができる。保護膜11dは、シンチレータ12において発生した蛍光を透過させることができる。そのため、保護膜11dは、絶縁性、水蒸気遮断性、蛍光に対する透光性、シンチレータ12の材料に対する耐食性を有する材料から形成することができる。保護膜11dは、例えば、ポリパラキシリレンなどから形成することができる。保護膜11dは、例えば、CVD法などにより形成することができる。
シンチレータ12は、保護膜11dの上に設けることができる。平面視において、シンチレータ12は、複数の光電変換素子11aが設けられた領域(有効画素領域)を覆うように設けることができる。シンチレータ12は、入射したX線を蛍光に変換することができる。シンチレータ12は、例えば、ヨウ化セシウム(CsI):タリウム(Tl)、ヨウ化ナトリウム(NaI):タリウム(Tl)、あるいは臭化セシウム(CsBr):ユーロピウム(Eu)などを用いて形成することができる。シンチレータ12は、例えば、真空蒸着法を用いて形成することができる。真空蒸着法を用いてシンチレータ12を形成すれば、複数の柱状結晶の集合体からなるシンチレータ12を形成することができる。シンチレータ12の厚みには、特に限定はない。例えば、シンチレータ12の厚みは、100μm程度以上とすることができる。
実装基板13は、光電変換部11と制御部20との間の電気的な接続のために設けることができる。実装基板13は、ベース14の一方の面に光電変換部11と並べて設けることができる。実装基板13は、光電変換部11の、複数の電極11bが設けられる側に、光電変換部11と所定の間隔を空けて設けることができる。
実装基板13の、ベース14側とは反対側の面には複数の電極13aを設けることができる。1つの電極13aは、配線15を介して、光電変換部11に設けられた複数の電極11bのうちの1つと電気的に接続することができる。
実装基板13の、ベース14側の面には、複数の接続端子13bを設けることができる。複数の接続端子13bには、各種コネクタを用いることができる。この場合、コネクタそのものを用いることもできるし、コネクタ内の金属端子を用いることもできる。複数の接続端子13bの、実装基板13側とは反対側の端部は、筐体18aの孔18a1の内部に設けることができる。
実装基板13の、ベース14側の面には、複数の接続端子13bを設けることができる。複数の接続端子13bには、各種コネクタを用いることができる。この場合、コネクタそのものを用いることもできるし、コネクタ内の金属端子を用いることもできる。複数の接続端子13bの、実装基板13側とは反対側の端部は、筐体18aの孔18a1の内部に設けることができる。
ベース14は、光電変換部11と実装基板13を固定するために設けることができる。この場合、光電変換部11は、接着剤などを用いてベース14に固定することもできるし、押え板などの固定部材を用いてベース14に固定することもできる。実装基板13は、接着剤などを用いてベース14に固定することもできるし、ネジなどの締結部材を用いてベース14に固定することもできるし、押え板などの固定部材を用いてベース14に固定することもできる。
ベース14は、板状を呈するものとすることができる。ベース14の材料は、ある程度の剛性を有し、シンチレータ12を形成する際の加熱環境に耐えられるものであれば特に限定はない。ベース14の材料は、例えば、アルミニウム合金やステンレスなどの金属、セラミックスなどとすることができる。
配線15は、光電変換部11の電極11bと、実装基板13の電極13aを電気的に接続するために設けることができる。ワイヤーボンディング法により、配線15の一方の端部を電極11bに接続し、配線15の他方の端部を電極13aに接続することができる。すなわち、複数の配線15のそれぞれの一方の端部が複数の電極11bの1つと接続され、それぞれの他方の端部が複数の電極13aの1つと接続されている。配線15は、金属線とすることができる。配線15は、例えば、金、銀、銅、アルミニウムなどを含むものとすることができる。
なお、配線15の形態に関する詳細は後述する。
なお、配線15の形態に関する詳細は後述する。
反射層16は、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために設けることができる。すなわち、反射層16は、シンチレータ12において生じた蛍光のうち、光電変換素子11aが設けられた側とは反対側に向かう光を反射させて、光電変換素子11aに向かうようにする。ただし、反射層16は、必ずしも必要ではなく、X線検出モジュール10に求められる感度特性などに応じて設けるようにすればよい。
反射層16は、シンチレータ12のX線の入射側に設けることができる。反射層16は、少なくともシンチレータ12の上面を覆うものとすることができる。反射層16は、シンチレータ12の側面をさらに覆うこともできる。例えば、酸化チタン(TiO2)などからなる光散乱性粒子と、樹脂と、溶媒とを混合した材料をシンチレータ12上に塗布し、これを乾燥させることで反射層16を形成することができる。
また、例えば、銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる層をシンチレータ12上に成膜することで反射層16を形成することができる。
また、例えば、表面が銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなるシートや、光散乱性粒子を含む樹脂シートなどをシンチレータ12上に接合することで反射層16とすることもできる。この場合、例えば、両面テープなどを用いて、シート状の反射層16とシンチレータ12とを接合することができる。
また、例えば、表面が銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなるシートや、光散乱性粒子を含む樹脂シートなどをシンチレータ12上に接合することで反射層16とすることもできる。この場合、例えば、両面テープなどを用いて、シート状の反射層16とシンチレータ12とを接合することができる。
防湿部17は、空気中に含まれる水分により、反射層16の特性やシンチレータ12の特性が劣化するのを抑制するために設けることができる。そのため、防湿層17は、少なくとも反射層16およびシンチレータ12を覆うことができる。また、図1に示すように、防湿部17は、光電変換部11、シンチレータ12、実装基板13、ベース14、配線15、および反射層16を一体に覆うこともできる。防湿部17の材料は、例えば、保護膜11dの材料と同じとすることができる。防湿部17の材料と保護膜11dの材料が同じであれば、熱膨張差に基づく応力の発生を抑制することができる。そのため、防湿部17と保護膜11dの間の界面における接合強度の低下を抑制することができる。防湿部17は、例えば、ポリパラキシリレンなどから形成することができる。防湿部17は、例えば、CVD法などにより形成することができる。
収納部18は、筐体18aと蓋18bを有するものとすることができる。
筐体18aは、一方の端部が開口した箱状を呈するものとすることができる。筐体18aの内部には、ベース14の上に設けられた光電変換部11、シンチレータ12、および実装基板13などを一体に収納することができる。筐体18aの材料はある程度の剛性を有するものであれば特に限定はない。筐体18aは、例えば、アルミニウム合金、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリカーボネイト樹脂、炭素繊維強化プラスチック(CFRP;Carbon-Fiber-Reinforced Plastic)などを用いて形成することができる。
筐体18aは、一方の端部が開口した箱状を呈するものとすることができる。筐体18aの内部には、ベース14の上に設けられた光電変換部11、シンチレータ12、および実装基板13などを一体に収納することができる。筐体18aの材料はある程度の剛性を有するものであれば特に限定はない。筐体18aは、例えば、アルミニウム合金、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリカーボネイト樹脂、炭素繊維強化プラスチック(CFRP;Carbon-Fiber-Reinforced Plastic)などを用いて形成することができる。
筐体18aには、複数の接続端子13bの端部を露出させるための孔18a1を設けることができる。孔18a1の配設位置は、複数の接続端子13bの位置に応じて適宜変更することができる。例えば、図1に例示をしたように筐体18aの底面に孔18a1を設けることもできるし、筐体18aの側面に孔18a1を設けることもできる。
蓋18bは、筐体18aの開口を塞ぐように設けることができる。蓋18bは、板状を呈するものとすることができる。蓋18bは、X線が入射する入射窓とすることができる。そのため、蓋18bは、X線吸収率の低い材料を用いて形成することができる。蓋18bは、例えば、炭素繊維強化プラスチックなどを用いて形成することができる。
制御部20は、実装基板13を介して、回路部11cと電気的に接続することができる。制御部20は、回路部11cを制御することができる。制御部20により制御された回路部11cは、複数の光電変換素子11aから画像データ信号を読み出し、読み出された画像データ信号をデジタル信号に変換することができる。制御部20は、デジタル信号に変換された画像データ信号を受信し、受信した画像データ信号に基づいてX線画像を構成することができる。構成されたX線画像のデータは、例えば、表示装置に送信したり、外部の機器に送信したりすることができる。
制御部20と、実装基板13の複数の接続端子13bは、例えば、ケーブル21などにより電気的に接続することができる。なお、制御部20と実装基板13との間の通信は、有線に限定されるわけではなく、例えば、無線による通信を行うようにしてもよい。
次に、配線15の形態についてさらに説明する。
図2は、比較例に係る配線115の形態を例示するための模式図である。
複数の配線115は、一般的に、ワイヤーボンディング法を用いて接続される。例えば、図2に示すように、光電変換部11の電極11bに配線115の一方の端部を接続(1stボンディング)し、実装基板13の電極13aに配線115の他方の端部を接続(2ndボンディング)することができる。一般的に、ワイヤーボンディング法を用いて接続された配線115は、1stボンディング側が電極11bに対してほぼ垂直な直線状、この直線状の部分と2ndボンディング側との間が曲線状となる形態を有している。配線115の形態および寸法は、1stボンディング側の接続部分と2ndボンディング側の接続部分との間の距離が一定に維持されることを前提として決定される。
図2は、比較例に係る配線115の形態を例示するための模式図である。
複数の配線115は、一般的に、ワイヤーボンディング法を用いて接続される。例えば、図2に示すように、光電変換部11の電極11bに配線115の一方の端部を接続(1stボンディング)し、実装基板13の電極13aに配線115の他方の端部を接続(2ndボンディング)することができる。一般的に、ワイヤーボンディング法を用いて接続された配線115は、1stボンディング側が電極11bに対してほぼ垂直な直線状、この直線状の部分と2ndボンディング側との間が曲線状となる形態を有している。配線115の形態および寸法は、1stボンディング側の接続部分と2ndボンディング側の接続部分との間の距離が一定に維持されることを前提として決定される。
ここで、X線検出モジュールの製造においては、光電変換部11と実装基板13をベース14に固定し、光電変換部11と実装基板13を複数の配線115で電気的に接続した後に、真空蒸着法などを用いて光電変換部11の上にシンチレータ12を形成する場合がある。この場合、ベース14に接続された光電変換部11と実装基板13は、100℃以上の雰囲気に置かれることになる。そのため、ベース14の熱膨張係数により、光電変換部11と実装基板13との間の距離、ひいては光電変換部11側における配線115の接続位置と、実装基板13側における配線115の接続位置との間の距離が長くなる。
図3(a)〜(c)は、比較例に係る配線115の、温度変化に伴う形態の変化を例示するための模式図である。
図3(a)は、配線115が接続された直後の状態、すなわち、比較例に係る配線115が常温(例えば、25℃)の環境に置かれた場合の様子を表している。配線115が接続された直後における1stボンディング側の接続部分と2ndボンディング側の接続部分との間の距離をL1としている。
図3(a)は、配線115が接続された直後の状態、すなわち、比較例に係る配線115が常温(例えば、25℃)の環境に置かれた場合の様子を表している。配線115が接続された直後における1stボンディング側の接続部分と2ndボンディング側の接続部分との間の距離をL1としている。
図3(b)は、配線115が、真空蒸着法によりシンチレータ12を形成する環境(加熱環境)に置かれた場合の様子を表している。前述したように、ベース14に固定された光電変換部11と実装基板13が加熱環境に置かれると、1stボンディング側の接続部分と2ndボンディング側の接続部分との間の距離が、距離L1よりも長い距離L2となる。そのため、配線115が引っ張られることで応力が発生し、1stボンディング側の接続や2ndボンディング側の接続が剥がれたり、塑性変形が生じたりするおそれがある。
図3(c)は、シンチレータ12の形成後に、配線115が常温の環境に戻された場合の様子を表している。ベース14に固定された光電変換部11と実装基板13が常温環境に戻されると、1stボンディング側の接続部分と2ndボンディング側の接続部分との間の距離が距離L2よりも短い距離L1に戻る。この際、1stボンディング側の接続部分と、2ndボンディング側の接続部分に力が加わり、1stボンディング側の接続や2ndボンディング側の接続が剥がれたり、塑性変形が生じたりするおそれがある。
図4(a)〜(c)は、比較例に係る配線115の、温度変化に伴う形態の変化を例示するための模式図である。
図4(a)は、配線115が接続された直後の状態、すなわち、比較例に係る配線115が常温の環境に置かれた場合の様子を表している。配線115が接続された直後における1stボンディング側の接続部分と2ndボンディング側の接続部分との間の距離をL1としている。
図4(a)は、配線115が接続された直後の状態、すなわち、比較例に係る配線115が常温の環境に置かれた場合の様子を表している。配線115が接続された直後における1stボンディング側の接続部分と2ndボンディング側の接続部分との間の距離をL1としている。
図4(b)は、配線115が、真空蒸着法によりシンチレータ12を形成する環境(加熱環境)に置かれた場合の様子を表している。図3(b)に例示をした場合と同様に、ベース14に固定された光電変換部11と実装基板13が加熱環境に置かれると、1stボンディング側の接続部分と2ndボンディング側の接続部分との間の距離が、距離L1よりも長い距離L2となる。そのため、配線115が引っ張られることで応力が発生し、1stボンディング側の接続や2ndボンディング側の接続が剥がれたり、塑性変形が生じたりするおそれがある。
図4(c)も、配線115が加熱環境に置かれた場合の様子を表している。配線115が引っ張られることで応力が発生すると、配線115が切断される場合がある。
図4(c)も、配線115が加熱環境に置かれた場合の様子を表している。配線115が引っ張られることで応力が発生すると、配線115が切断される場合がある。
以上は、X線検出モジュール10の製造工程における場合であるが、X線検出モジュール10の使用時にX線検出モジュール10が発熱したり、X線検出モジュール10が高温環境に置かれたりする場合がある。この様な場合であっても、配線115の変形が弾性変形の場合には、配線115の切断などは生じ難い。しかしながら、配線115の変形が塑性変形の場合には変形部に塑性疲労が生じ、塑性変形の繰り返しによって塑性疲労部が硬化して疲労断線に至る場合もある。疲労断線に至らなくても、塑性疲労による硬化部があることによって、X線検出モジュール10の使用環境における温度変化や振動など、本来は弾性変形で吸収すべき外部応力が十分に吸収できなくなるおそれがある。この様な場合には、X線検出モジュール10の信頼性が低下することになる。
また、配線115の変形が塑性変形の場合には、配線115が隣接する配線115側に変形して短絡が生じる場合もある。またさらに、配線115の塑性変形に依存しない断線、例えば、前述した電極間の距離が長くなることによって配線115が直線状に引っ張られて発生する断線は、即時に電気信号が不通になることから致命的な異常となるおそれがある。
以上に説明したように、比較例に係る配線115の場合には次のような不都合がある。
例えば、シンチレータ12の形成時に、常温環境と加熱環境との間における温度差によって、構造部全体が伸縮、ひいては電極間の距離が伸縮することによって、配線115に変形や断線が生じ易くなる。そのため、出荷前検査や使用開始、使用中にX射線検出器1から出力される画像に異常が生じるおそれがある。
例えば、シンチレータ12の形成時に、常温環境と加熱環境との間における温度差によって、構造部全体が伸縮、ひいては電極間の距離が伸縮することによって、配線115に変形や断線が生じ易くなる。そのため、出荷前検査や使用開始、使用中にX射線検出器1から出力される画像に異常が生じるおそれがある。
ここで、光電変換部11の上にシンチレータ12を形成した後に配線115を接続すれば、シンチレータ12を形成する際の温度変化による配線115の形態変化が生じることがない。ところが、この様にすると、シンチレータ12を形成する際に複数の電極11bをマスキングする必要がある。また、光電変換部11と実装基板13が電気的に接続されていないと、光電変換部11と実装基板13の特性を検査することができず、例えば、不具合を有する光電変換部11の上にシンチレータ12が形成されるおそれがある。そのため、光電変換部11の上にシンチレータ12を形成した後に配線115を接続するようにすると製造コストが増大するおそれがある。
また、熱膨張係数が極めて低い材料を用いて光電変換部11、実装基板13、およびベース14を形成することも考えられるが、材料の入手性や加工性、コストを考慮した選定が容易でない場合が多い。また、シンチレータ12の形成温度を室温と同程度にまで抑制する方法も考えられる。しかしながら、この様にすると、シンチレータ12の性能が悪くなり、X線検出器の性能が低下するおそれがある。そのため、いずれの方法も技術的難易度が高いといえる。
図5は、本実施の形態に係る配線15の形態を例示するための模式図である。
図5に示すように、配線15は、弾性変形部15aを有することができる。すなわち、複数の配線15のそれぞれは、温度変化に伴い電極11bと電極13aとの間の距離が変化した際に弾性変形可能な弾性変形部15aを有することができる。例えば、弾性変形部15aは、配線15の、1stボンディング側の端部の近傍に設けることができる。例えば、弾性変形部15aは、配線15の、電極11bに対してほぼ垂直な直線状の部分と、その近傍とすることができる。
図5に示すように、配線15は、弾性変形部15aを有することができる。すなわち、複数の配線15のそれぞれは、温度変化に伴い電極11bと電極13aとの間の距離が変化した際に弾性変形可能な弾性変形部15aを有することができる。例えば、弾性変形部15aは、配線15の、1stボンディング側の端部の近傍に設けることができる。例えば、弾性変形部15aは、配線15の、電極11bに対してほぼ垂直な直線状の部分と、その近傍とすることができる。
ここで、配線15の形態は、例えば、後述する図6(b)の加熱環境における温度を想定した場合に、配線15の接続部分に無理のかからない曲線形状とし、且つ、高温時における1stボンディング側の接続部分と2ndボンディング側の接続部分との間の距離と、常温時における1stボンディング側の接続部分と2ndボンディング側の接続部分との間の距離との差を、配線15の高さ方向の寸法に加えたものとすることができる。
例えば、常温状態における、配線15の電極11bとの接続位置と、配線15の電極13aとの接続位置との間の距離をLとし、ベース14の熱膨張係数をαとし、温度上昇(上昇後の温度−常温)をΔTとすれば、熱膨張量ΔLは、「ΔL=α×L×ΔT」となる。
そのため、後述する図6(a)〜(c)に示すように、常温状態における、電極11bと、配線15の最も高い部分との間の距離をH1とし、温度上昇時における、電極11bと、配線15の最も高い部分との間の距離をH2とした場合に、「H1≧(H2+ΔL)」、すなわち、「H1≧(H2+α×L×ΔT)」となるようにすることが好ましい。この様にすれば、温度変化が生じた場合であっても配線15に不具合が発生するのを抑制することができる。
そのため、後述する図6(a)〜(c)に示すように、常温状態における、電極11bと、配線15の最も高い部分との間の距離をH1とし、温度上昇時における、電極11bと、配線15の最も高い部分との間の距離をH2とした場合に、「H1≧(H2+ΔL)」、すなわち、「H1≧(H2+α×L×ΔT)」となるようにすることが好ましい。この様にすれば、温度変化が生じた場合であっても配線15に不具合が発生するのを抑制することができる。
図6(a)〜(c)は、弾性変形部15aの作用を例示するための模式図である。
図6(a)は、配線15が接続された直後の状態、すなわち、配線15が常温の環境に置かれた場合の様子を表している。配線15が接続された直後における1stボンディング側の接続部分と2ndボンディング側の接続部分との間の距離をLとしている。
図6(a)は、配線15が接続された直後の状態、すなわち、配線15が常温の環境に置かれた場合の様子を表している。配線15が接続された直後における1stボンディング側の接続部分と2ndボンディング側の接続部分との間の距離をLとしている。
図6(b)は、配線15が、真空蒸着法によりシンチレータ12を形成する環境(加熱環境)に置かれた場合の様子を表している。前述したように、ベース14に接続された光電変換部11と実装基板13が加熱環境に置かれると、1stボンディング側の接続部分と2ndボンディング側の接続部分との間の距離が、距離Lよりも長い距離L3となる。そのため、配線15が引っ張られることになるが、弾性変形部15aが弾性変形するので、発生する応力を小さくすることができる。そのため、1stボンディング側の接続や2ndボンディング側の接続が剥がれたり、塑性変形が生じたり、断線が生じたりするのを抑制することができる。
図6(c)は、シンチレータ12の形成後に、配線15が常温の環境に戻された場合の様子を表している。ベース14に接続された光電変換部11と実装基板13が常温環境に戻されると、1stボンディング側の接続部分と2ndボンディング側の接続部分との間の距離が距離L3よりも短い距離Lに戻る。この際、弾性変形部15aが弾性変形するので、1stボンディング側の接続部分と、2ndボンディング側の接続部分に加わる力を小さくすることができる。そのため、1stボンディング側の接続や2ndボンディング側の接続が剥がれたり、塑性変形が生じたり、断線が生じたりするのを抑制することができる。
図7(a)、(b)は、他の形態に係る配線25、35の形態を例示するための模式図である。
図7(a)に示すように、配線25は、弾性変形部25aを有することができる。例えば、弾性変形部25aは、配線25の、1stボンディング側の接続部分と、2ndボンディング側の接続部分の中央付近に設けられ、ベース14に近づく方向に突出し、且つ、凹状の曲線状を呈するものとすることができる。
図7(a)に示すように、配線25は、弾性変形部25aを有することができる。例えば、弾性変形部25aは、配線25の、1stボンディング側の接続部分と、2ndボンディング側の接続部分の中央付近に設けられ、ベース14に近づく方向に突出し、且つ、凹状の曲線状を呈するものとすることができる。
図7(b)に示すように、配線35は、弾性変形部35aを有することができる。例えば、弾性変形部35aは、配線35の、1stボンディング側の接続部分と、2ndボンディング側の接続部分の中央付近に設けられ、ベース14から離れる方向に突出し、且つ、凸状の曲線状を呈するものとすることができる。
すなわち、弾性変形部25a、35aは、配線25、35の高さ方向に突出し、且つ、凹状の曲線状または凸状の曲線状を呈するものとすることができる。
すなわち、弾性変形部25a、35aは、配線25、35の高さ方向に突出し、且つ、凹状の曲線状または凸状の曲線状を呈するものとすることができる。
弾性変形部25a、35aが設けられていれば、温度変化により、1stボンディング側の接続部分と2ndボンディング側の接続部分との間の距離が変化したとしても、弾性変形部25a、35aが弾性変形するので、発生する応力を小さくすることができる。そのため、1stボンディング側の接続や2ndボンディング側の接続が剥がれたり、塑性変形が生じたり、断線が生じたりするのを抑制することができる。
図8は、他の実施形態に係るX線検出モジュール10aおよびX線検出器1aを例示するための模式断面図である。
図8に示すように、X線検出器1aには、X線検出モジュール10aおよび制御部20を設けることができる。
X線検出モジュール10aには、光電変換部11、シンチレータ12、実装基板23、配線15、反射層16、防湿部17、および収納部18を設けることができる。
図8に示すように、X線検出器1aには、X線検出モジュール10aおよび制御部20を設けることができる。
X線検出モジュール10aには、光電変換部11、シンチレータ12、実装基板23、配線15、反射層16、防湿部17、および収納部18を設けることができる。
実装基板23は、前述した実装基板13と同様の機能を有するものとすることができる。X線検出モジュール10aには、前述したベース14が設けられていない。そのため、光電変換部11は、板状を呈する実装基板23の上に設けることができる。光電変換部11が、接着剤および固定部材の少なくともいずれかにより実装基板23に固定することができる。
この場合、実装基板23の材料の熱膨張係数は、光電変換部11の材料の熱膨張係数と異なるので、前述した接続部分の剥がれ、塑性変形、断線などが発生し得る。
この場合、実装基板23の材料の熱膨張係数は、光電変換部11の材料の熱膨張係数と異なるので、前述した接続部分の剥がれ、塑性変形、断線などが発生し得る。
しかしながら、前述したものと同様に、配線15に弾性変形部15aが設けられていれば、弾性変形部15aが弾性変形するので、発生する応力を小さくすることができる。そのため、1stボンディング側の接続や2ndボンディング側の接続が剥がれたり、塑性変形が生じたり、断線が生じたりするのを抑制することができる。なお、前述した弾性変形部25a、35aが設けられる場合も同様である。
(X線検出モジュールおよびX線検出器の製造方法)
次に、本発明の実施形態に係るX線検出モジュール10、10aおよびX線検出器1、1aの製造方法について例示をする。
まず、例えば、半導体製造プロセスを用いて、複数の光電変換素子11a、回路部11c、および複数の電極11bを有する光電変換部11を作成する。光電変換部11は、シリコンなどの半導体材料を含み、板状を呈したものとすることができる。光電変換部11は、例えば、CCDイメージセンサやCMOSイメージセンサなどの固体撮像素子とすることができる。
また、複数の電極13aを有する実装基板13または実装基板23を作成する。
また、必要に応じて、板状を呈するベース14を作成する。
次に、本発明の実施形態に係るX線検出モジュール10、10aおよびX線検出器1、1aの製造方法について例示をする。
まず、例えば、半導体製造プロセスを用いて、複数の光電変換素子11a、回路部11c、および複数の電極11bを有する光電変換部11を作成する。光電変換部11は、シリコンなどの半導体材料を含み、板状を呈したものとすることができる。光電変換部11は、例えば、CCDイメージセンサやCMOSイメージセンサなどの固体撮像素子とすることができる。
また、複数の電極13aを有する実装基板13または実装基板23を作成する。
また、必要に応じて、板状を呈するベース14を作成する。
次に、例えば、図1に示すように、ベース14の一方の面に光電変換部11と実装基板13を設ける。
また、例えば、図8に示すように、板状を呈する実装基板23の上に光電変換部11を設けることもできる。
また、例えば、図8に示すように、板状を呈する実装基板23の上に光電変換部11を設けることもできる。
次に、例えば、ワイヤーボンディング法を用いて、配線15、25、35の一方の端部を電極11bに接続し、配線15、25、35の他方の端部を電極13aに接続する。この際、ボンディングツールの移動軌跡を制御して、例えば、図5に例示をした弾性変形部15aや、図7(a)、(b)に例示をした弾性変形部25a、35aが形成されるようにすることができる。
次に、例えば、CVD法などを用いて、複数の光電変換素子11aおよび回路部11cを覆う保護膜11dを形成する。
次に、例えば、真空蒸着法を用いて、保護膜11dの上にシンチレータ12を形成する。シンチレータ12は、複数の光電変換素子11aが設けられた領域(有効画素領域)を覆うように設けることができる。
真空蒸着法を用いてシンチレータ12を形成する場合には、光電変換部11と実装基板13、23が100℃以上の雰囲気に置かれることになる。本実施の形態に係る配線15、25、35には弾性変形部15a、25a、35aが設けられている。そのため、前述したように、熱膨張差により発生する応力を小さくすることができる。そのため、1stボンディング側の接続や2ndボンディング側の接続が剥がれたり、塑性変形が生じたり、断線が生じたりするのを抑制することができる。
真空蒸着法を用いてシンチレータ12を形成する場合には、光電変換部11と実装基板13、23が100℃以上の雰囲気に置かれることになる。本実施の形態に係る配線15、25、35には弾性変形部15a、25a、35aが設けられている。そのため、前述したように、熱膨張差により発生する応力を小さくすることができる。そのため、1stボンディング側の接続や2ndボンディング側の接続が剥がれたり、塑性変形が生じたり、断線が生じたりするのを抑制することができる。
次に、必要に応じて、シンチレータ12の上に反射層16を形成する。反射層16は、例えば、酸化チタン(TiO2)などからなる光散乱性粒子と、樹脂と、溶媒とを混合した材料をシンチレータ12上に塗布し、これを乾燥させることで形成することができる。
次に、例えば、CVD法などを用いて、前述した手順で作成された構造体を一体に覆う防湿部17を形成する。
次に、例えば、防湿部17が形成された構造体を収納部18の内部に収納する。
以上の様にして、X線検出モジュール10、10aを製造することができる。
次に、例えば、防湿部17が形成された構造体を収納部18の内部に収納する。
以上の様にして、X線検出モジュール10、10aを製造することができる。
次に、例えば、ケーブル21などを用いて、制御部20と、実装基板13、23を電気的に接続する。無線による通信を行う場合には、ケーブル21などを用いて、制御部20と、実装基板13、23を電気的に接続する必要はない。
以上のようにして、X線検出器1、1aを製造することができる。
なお、必要に応じて、光電変換部11の異常の有無や電気的な接続の異常の有無を確認する電気試験、X線画像試験などを行うこともできる。
以上のようにして、X線検出器1、1aを製造することができる。
なお、必要に応じて、光電変換部11の異常の有無や電気的な接続の異常の有無を確認する電気試験、X線画像試験などを行うこともできる。
以上に説明したように、本実施の形態に係るX線検出モジュール10、10aの製造方法は以下の工程を備えることができる。
ワイヤーボンディング法を用いて、配線15、25、35の一方の端部を光電変換部11に設けられた複数の電極11bの1つと接続し、配線15、25、35の他方の端部を実装基板13に設けられた複数の電極13aの1つと接続する工程。
光電変換部11に設けられた複数の光電変換素子11aの上にシンチレータ12を形成する工程。
そして、配線15、25、35を接続する工程において、シンチレータ12を形成する際の温度変化により、電極11bと電極13aとの間の距離が変化した際に弾性変形が可能な弾性変形部15a、25a、35aを配線15、25、35に形成する。
ワイヤーボンディング法を用いて、配線15、25、35の一方の端部を光電変換部11に設けられた複数の電極11bの1つと接続し、配線15、25、35の他方の端部を実装基板13に設けられた複数の電極13aの1つと接続する工程。
光電変換部11に設けられた複数の光電変換素子11aの上にシンチレータ12を形成する工程。
そして、配線15、25、35を接続する工程において、シンチレータ12を形成する際の温度変化により、電極11bと電極13aとの間の距離が変化した際に弾性変形が可能な弾性変形部15a、25a、35aを配線15、25、35に形成する。
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
1 X線検出器、 1a X線検出器、10 X線検出モジュール、10a X線検出モジュール、11 光電変換部、11a 光電変換素子、11b 電極、12 シンチレータ、13 実装基板、13a 電極、14 ベース、15 配線、15a 弾性変形部、20 制御部、25 配線、25a 弾性変形部、35 配線、35a 弾性変形部
Claims (9)
- 複数の光電変換素子と、複数の第1の電極と、を有する光電変換部と、
複数の第2の電極を有する実装基板と、
それぞれの一方の端部が前記複数の第1の電極の1つと接続され、それぞれの他方の端部が前記複数の第2の電極の1つと接続された複数の配線と、
前記複数の光電変換素子の上に設けられたシンチレータと、
を備え、
前記複数の配線のそれぞれは、温度変化に伴い前記第1の電極と前記第2の電極との間の距離が変化した際に弾性変形可能な弾性変形部を有する放射線検出モジュール。 - 前記光電変換部および前記実装基板が設けられるベースをさらに備え、
常温状態における、前記配線の前記第1の電極との接続位置と、前記配線の前記第2の電極との接続位置との間の距離をLとし、
常温状態における、前記第1の電極と、前記配線の最も高い部分との間の距離をH1とし、
温度上昇をΔTとし、
前記温度上昇時における、前記第1の電極と、前記配線の最も高い部分との間の距離をH2とし、
前記ベースの熱膨張係数をαとした場合に、以下の式を満足する請求項1記載の放射線検出モジュール。
H1≧(H2+α×L×ΔT) - 前記光電変換部が、接着剤および固定部材の少なくともいずれかにより前記ベースに固定され、
前記実装基板が、接着剤、締結部材、および固定部材の少なくともいずれかにより前記ベースに固定されている請求項2記載の放射線検出モジュール。 - 前記弾性変形部は、前記配線の高さ方向に突出し、且つ、凹状の曲線状または凸状の曲線状を呈している請求項1〜3のいずれか1つに記載の放射線検出モジュール。
- 前記複数の配線のそれぞれは、金、銀、銅、およびアルミニウムの少なくともいずれかを含む請求項1〜4のいずれか1つに記載の放射線検出モジュール。
- 前記光電変換部は、固体撮像素子である請求項1〜5のいずれか1つに記載の放射線検出モジュール。
- 前記光電変換部は、前記実装基板の上に設けられ、
前記光電変換部が、接着剤および固定部材の少なくともいずれかにより前記実装基板に固定されている請求項1〜5のいずれか1つに記載の放射線検出モジュール。 - 請求項1〜7のいずれか1つに記載の放射線検出モジュールと、
前記放射線検出モジュールと電気的に接続された制御部と、
を備えた放射線検出器。 - 請求項1〜7のいずれか1つに記載の放射線検出モジュールの製造方法であって、
ワイヤーボンディング法を用いて、配線の一方の端部を光電変換部に設けられた複数の第1の電極の1つと接続し、前記配線の他方の端部を実装基板に設けられた複数の第2の電極の1つと接続する工程と、
前記光電変換部に設けられた複数の光電変換素子の上にシンチレータを形成する工程と、
を備え、
前記配線を接続する工程において、前記シンチレータを形成する際の温度変化により、前記第1の電極と前記第2の電極との間の距離が変化した際に弾性変形が可能な弾性変形部を前記配線に形成する放射線検出モジュールの製造方法。
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JP2019075564A JP2020173183A (ja) | 2019-04-11 | 2019-04-11 | 放射線検出モジュール、放射線検出器、および放射線検出モジュールの製造方法 |
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JP2019075564A JP2020173183A (ja) | 2019-04-11 | 2019-04-11 | 放射線検出モジュール、放射線検出器、および放射線検出モジュールの製造方法 |
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2019
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