CN110286402A - 放射线检测器以及放射线图像拍摄装置 - Google Patents

放射线检测器以及放射线图像拍摄装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及放射线检测器以及放射线图像拍摄装置。放射线检测器具备：传感器基板，其包含挠性的基材、以及设置于基材的第1面且形成有蓄积对应于从放射线变换的光而产生的电荷的多个像素的层；变换层，其设置于形成像素的层中的设置基材的一侧的相反侧，将放射线变换成光；和应力中立面调整构件，其设置于基材的第1面的相反侧的第2面侧，将应力中立面的位置从与传感器基板对置的变换层的面即界面调整到传感器基板以及变换层层叠的层叠方向P的预先确定的范围内。

Description

放射线检测器以及放射线图像拍摄装置
技术领域
本发明涉及放射线检测器以及放射线图像拍摄装置。
背景技术
过去，已知进行以医疗诊断为目的的放射线拍摄的放射线图像拍摄装置。在这样的放射线图像拍摄装置中使用用于检测透过被摄体的放射线并生成放射线图像的放射线检测器。
作为放射线检测器，有具备如下要素的放射线检测器：将放射线变换成光的闪烁体等变换层；设置有多个蓄积对应于由变换层变换的光而产生的电荷的多个像素的传感器基板。作为这样的放射线检测器，已知在传感器基板中使用挠性的基材的放射线检测器(例如参考JP特开2013-217769号公报(专利文献1))。通过使用挠性的基材，例如能使放射线图像拍摄装置(放射线检测器)轻量化，而且有时会使被摄体的拍摄变得容易。
在专利文献1记载的技术中，由于使用挠性的基材，因此设置有调整挠曲特性(刚性分布)的挠曲调整构件。在专利文献1记载的技术中，通过挠曲调整构件，使由放射线检测器和用于从放射线检测器读出电荷的控制部等电气电路一体构成的装置整体发生挠曲，从而应力会集中在刚性小的部分，可抑制耐撞击性的降低。
然而，在放射线图像拍摄装置的制造工序的中途等，有时放射线检测器会按单体来对待。
在与变换层和传感器基板层叠的层叠方向交叉的方向上排列配置放射线检测器和电气电路，遍及放射线检测器以及电气电路的整体来设置挠曲调整构件，在这样的放射线图像拍摄装置中，并未考虑按放射线检测器单体进行对待的情况。因此，在上述结构的放射线图像拍摄装置中的放射线检测器按单体被对待的情况下，传感器基板有可能会从变换层剥离。
发明内容
本公开的目的在于，提供放射线检测器以及放射线图像拍摄装置，在与变换层和传感器基板层叠的层叠方向交叉的方向上排列配置放射线检测器和电气电路，相比遍及放射线检测器以及电气电路的整体设置挠曲调整构件的放射线图像拍摄装置，能抑制放射线检测器单体中的传感器基板与变换层的剥离。
为了达成上述目的，本公开的第1方案的放射线检测器具备：传感器基板，其包含挠性的基材、以及设置于基材的第1面且形成有蓄积对应于从放射线变换的光而产生的电荷的多个像素的层；变换层，其设置于形成像素的层中的设置基材的一侧的相反侧，将放射线变换成光；和应力中立面调整构件，其设置于基材的第1面的相反侧的第2面侧，将应力中立面的位置从与传感器基板对置的变换层的面即界面调整到传感器基板以及变换层层叠的层叠方向的预先确定的范围内。
另外，本公开的第2方案的放射线检测器在第1方案的放射线检测器的基础上，预先确定的范围是比不设置应力中立面调整构件的情况下的界面与应力中立面的距离短的范围。
另外，本公开的第3方案的放射线检测器在第1方案或第2方案的放射线检测器的基础上，应力中立面调整构件至少设置于覆盖传感器基板和变换层对置的区域的区域。
另外，本公开的第4方案的放射线检测器在第1方案至第3方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，应力中立面调整构件的弯曲弹性模量是150MPa以上且2500MPa以下。
另外，本公开的第5方案的放射线检测器在第1方案至第4方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，应力中立面调整构件的材料包含聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯以及低密度聚乙烯中的至少一种。
另外，本公开的第6方案的放射线检测器在第1方案至第5方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，应力中立面调整构件的热膨胀系数相对于变换层的热膨胀系数之比是0.5以上且4以下。
另外，本公开的第7方案的放射线检测器在第1方案至第6方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，应力中立面调整构件的热膨胀系数是30ppm/K以上且200ppm/K以下。
另外，本公开的第8方案的放射线检测器在第1方案至第7方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，还具备：紧贴层，其设置于界面，且与传感器基板以及变换层相接。
另外，本公开的第9方案的放射线检测器在第1方案至第7方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，还具备：缓冲层，其设置于传感器基板与变换层之间，对变换层的热膨胀系数与传感器基板的热膨胀系数之差进行缓冲。
另外，本公开的第10方案的放射线检测器在第1方案至第9方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，应力中立面调整构件包含在层叠方向上层叠的功能不同的多个膜。
另外，本公开的第11方案的放射线检测器在第10方案的放射线检测器的基础上，多个膜包含应力中立面调整膜和带电防止膜。
另外，本公开的第12方案的放射线检测器在第11方案的放射线检测器的基础上，带电防止膜设置得比应力中立面调整膜更靠第2面侧。
另外，本公开的第13方案的放射线检测器在第10方案的放射线检测器的基础上，多个膜包含应力中立面调整膜和防湿膜。
另外，本公开的第14方案的放射线检测器在第13方案的放射线检测器的基础上，防湿膜设置得比应力中立面调整膜更靠第2面侧。
另外，本公开的第15方案的放射线检测器在第1方案至第14方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，基材是树脂制，且具有包含平均粒子径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机的微粒子的微粒子层。
另外，本公开的第16方案的放射线检测器在第15方案的放射线检测器的基础上，基材在第2面侧具有微粒子层。
另外，本公开的第17方案的放射线检测器在第15方案或第17方案的放射线检测器的基础上，微粒子包含原子序数比构成基材的元素大且原子序数为30以下的元素。
另外，本公开的第18方案的放射线检测器在第1方案至第17方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，基材在300℃～400℃下的热膨胀系数是20ppm/K以下。
另外，本公开的第19方案的放射线检测器在第1方案至第18方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，基材在厚度为25μm的状态下满足400℃下的MD(MachineDirection，纵向)方向的热收缩率为0.5％以下、以及500℃下的弹性模量为1GPa以上这两者中的至少一者。
另外，本公开的第20方案的放射线检测器在第1方案至第19方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，应力中立面调整构件的刚性比基材高。
另外，本公开的第21方案的放射线检测器在第1方案至第20方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，变换层包含CsI。
另外，本公开的第22方案的放射线检测器在第1方案的放射线检测器的基础上，进一步在变换层层叠于传感器基板而成的层叠体的变换层侧具备加强构件。
另外，本公开的第23方案的放射线检测器在第22方案的放射线检测器的基础上，加强构件遍及比变换层延伸的范围广的范围进行延伸。
另外，本公开的第24方案的放射线检测器在第22方案的放射线检测器的基础上，加强构件在与变换层的中央部以及周缘部对应的区域延伸。
另外，本公开的第25方案的放射线检测器在第23方案或第24方案的放射线检测器的基础上，变换层的周缘部具有越接近变换层的外周则厚度越薄的倾斜，加强构件沿着变换层的周缘部具有的倾斜而设置。
另外，本公开的第26方案的放射线检测器在第23方案的放射线检测器的基础上，变换层的周缘部具有越接近所述变换层的外周则厚度越薄的倾斜，在加强构件与变换层之间形成与变换层的周缘部具有的倾斜相应的空间。
另外，本公开的第27方案的放射线检测器在第26方案的放射线检测器的基础上，在形成于加强构件与变换层之间的空间填充填充件。
另外，本公开的第28方案的放射线检测器在第23方案的放射线检测器的基础上，所述加强构件的端部由隔离件支承。
另外，本公开的第29方案的放射线检测器在第23方案的放射线检测器的基础上，所述变换层的周缘部具有越接近所述变换层的外周则厚度越薄的倾斜，所述加强构件沿着所述变换层的所述周缘部具有的倾斜而设置，并且端部由密封构件密封。
另外，本公开的第30方案的放射线检测器在第1方案的放射线检测器的基础上，进一步在应力中立面调整构件的传感器基板的相反侧的面具备加强构件。
另外，本公开的第31方案的放射线检测器在第30方案的放射线检测器的基础上，加强构件设置在跨过变换层的端部的区域，并且设置在与设置多个像素的像素区域不重叠的区域。
另外，本公开的第32方案的放射线图像拍摄装置具备：第1方案至第21方案中的任意1个方案记载的放射线检测器；控制部，其输出用于读出蓄积于多个像素的电荷的控制信号；驱动部，其对应于控制信号输出用于从多个像素读出电荷的驱动信号；和信号处理部，其输入与从多个像素读出的电荷相应的电信号，生成并输出与所输入的电信号相应的图像数据。
另外，本公开的第33方案的放射线图像拍摄装置在第22方案的放射线图像拍摄装置的基础上，在与放射线检测器中的基材、形成有多个像素的层以及变换层排列的层叠方向交叉的方向上，排列设置控制部和放射线检测器。
另外，本公开的第34方案的放射线图像拍摄装置在第22方案的放射线图像拍摄装置的基础上，还具备：电源部，其对控制部、驱动部以及信号处理部中的至少一者提供电力，在与放射线检测器中的传感器基板、变换层以及应力中立面调整构件排列的层叠方向交叉的方向上，排列设置电源部、控制部和放射线检测器。
另外，本公开的第35方案的放射线图像拍摄装置在第22方案的放射线图像拍摄装置的基础上，还具备外壳，其具有被照射放射线的照射面，在放射线检测器中的传感器基板以及变换层当中的传感器基板与照射面对置的状态下收纳放射线检测器。
发明效果
根据第1方案，在与变换层和传感器基板层叠的层叠方向交叉的方向上排列配置放射线检测器和电气电路，相比遍及放射线检测器以及电气电路的整体设置挠曲调整构件的放射线图像拍摄装置，能抑制放射线检测器单体中的传感器基板与变换层的剥离。
根据第2方案，相比预先确定的范围是比不设置应力中立面调整构件的情况下的界面与应力中立面的距离长的范围的情况，能抑制传感器基板与变换层的剥离。
根据第3方案，相比应力中立面调整构件未设置于覆盖传感器基板和变换层对置的区域的区域的情况，能抑制传感器基板与变换层的剥离。
根据第4方案，相比弯曲弹性模量不足150MPa的情况或超过2500MPa的情况，能抑制用于得到所期望的刚性的应力中立面调整构件的厚度。
根据第5方案，相比不包含聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯以及低密度聚乙烯中的至少一种的情况，能抑制传感器基板与变换层的剥离。
根据第6方案，相比热膨胀系数之比不足0.5的情况或超过4的情况，能抑制传感器基板与变换层的剥离。
根据第7方案，相比热膨胀系数不足30ppm/K的情况或超过200ppm/K的情况，能抑制传感器基板与变换层的剥离。
根据第8方案，相比不设置紧贴层的情况，能使变换层难以从传感器基板剥离。
根据第9方案，相比不设置缓冲层的情况，能抑制传感器基板与变换层的剥离。
根据第10方案，相比由单一的膜构成应力中立面调整构件的情况，还能得到抑制传感器基板与变换层的剥离的效果以外的效果。
根据第11方案，相比不设置带电防止膜的情况，能防止传感器基板带电。
根据第12方案，相比带电防止膜设置得比应力中立面调整膜更靠第1面侧的情况，能防止传感器基板带电。
根据第13方案，相比不设置防湿膜的情况，能提高针对基材以及变换层的防湿性能。
根据第14方案，相比防湿膜设置得比应力中立面调整膜更靠第1面侧的情况，能提高针对基材以及变换层的防湿性能。
根据第15方案，相比基材不具有包含平均粒子径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机的微粒子的微粒子层的情况，能抑制在基材内产生的后向散射射线。
根据第16方案，相比基材在第1面侧具有微粒子层的情况，能精度良好地形成像素。
根据第17方案，相比微粒子不包含原子序数比构成基材的元素大且原子序数为30以下的元素的情况，能有效地进行后向散射射线的抑制，且能抑制微粒子层中的放射线的吸收。
根据第18方案，相比基材在300℃～400℃下的热膨胀系数超过20ppm/K的情况，能成为适于像素的制造的基材。
根据第19方案，相比基材在厚度为25μm的状态下400℃下的MD方向的热收缩率超过0.5％且500℃下的弹性模量不足1GPa的情况，能成为适于像素的制造的基材。
根据第20方案，相比应力中立面调整构件的刚性为基材的刚性以下的情况，能抑制基材的挠曲。
根据第21方案，相比变换层不包含CsI的情况，能提高从放射线向可见光的变换效率。
根据第32方案，相比具备与第1方案至第21方案中的任意1个方案记载的放射线检测器不同的放射线检测器的情况，在使之挠曲来使用的情况下也能抑制传感器基板与变换层的剥离。
根据第33方案，相比具备与第1方案至第21方案中的任意1个方案记载的放射线检测器不同的放射线检测器的情况，在控制部和放射线检测器排列设置在与放射线检测器中的基材、形成有多个像素的层以及变换层排列的层叠方向交叉的方向上的情况下，也能抑制传感器基板与变换层的剥离。
根据第34方案，相比具备与第1方案至第21方案中的任意1个方案记载的放射线检测器不同的放射线检测器的情况，即使在电源部、控制部和放射线检测器排列设置在与放射线检测器中的传感器基板、变换层以及应力中立面调整构件排列的层叠方向交叉的方向上的情况下，也能抑制传感器基板与变换层的剥离。
根据第35方案，相比外壳在照射面和变换层对置的状态下收纳放射线检测器的情况，能提升放射线图像的画质。
附图说明
图1是表示第1实施方式的放射线图像拍摄装置中的电气系统的主要部分结构的一例的框图。
图2A是从第1面侧来观察第1实施方式的放射线检测器的一例的俯视图。
图2B是用于说明基材的一例的截面图。
图2C是用于说明通过透过了被摄体的放射线在具有微粒子层的基材内产生的后向散射射线的说明图。
图2D是用于说明通过透过了被摄体的放射线在不具有微粒子层的基材内产生的后向散射射线的说明图。
图3是图2A所示的放射线检测器的A-A线截面图。
图4是说明图2A以及图3所示的放射线检测器的制造方法的说明图。
图5是表示对放射线检测器在各层的层叠方向上施加负荷而使其挠曲的状态的一例的示意图。
图6A是用于说明应力中立面调整构件的作用的示意图。
图6B是用于说明应力中立面调整构件的作用的示意图。
图6C是用于说明应力中立面调整构件的作用的示意图。
图7是表示在ISS(Irradiation Side Sampling，照射侧采样)方式中运用本实施方式的放射线图像拍摄装置的情况下的、将放射线检测器设置于外壳内的状态的一例的截面图。
图8是表示在ISS方式中运用本实施方式的放射线图像拍摄装置的情况下的、将放射线检测器设置于外壳内的状态的其他示例的截面图。
图9是第2实施方式的放射线检测器的一例的截面图的。
图10是第3实施方式的放射线检测器的一例的截面图。
图11是第1实施方式的放射线检测器的其他示例的截面图。
图12是第1实施方式的放射线检测器的其他示例的截面图。
图13是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图14是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图15是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图16是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图17是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图18是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图19是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图20是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图21是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图22是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图23是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图24是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图25是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图26是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图27是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图28是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图29是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图30是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图31是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图32是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图33是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图34是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图35是表示本公开的技术的实施方式的加强构件的结构的一例的俯视图。
图36是表示本公开的技术的实施方式的加强构件的结构的一例的立体图。
图37是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图38是表示本公开的技术的实施方式的加强构件的结构的一例的俯视图。
图39是表示本公开的技术的实施方式的加强构件的结构的一例的俯视图。
图40是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图41是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图42是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图43是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图44是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图45A是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图45B是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图45C是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图46是表示本公开的技术的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。
图47是表示本公开的技术的实施方式的放射线图像拍摄装置的结构的一例的截面图。
图48是表示本公开的技术的实施方式的放射线图像拍摄装置的结构的一例的截面图。
图49是表示本公开的技术的实施方式的放射线图像拍摄装置的结构的一例的截面图。
图50是表示本公开的技术的实施方式的放射线图像拍摄装置的结构的一例的截面图。
图51是表示本公开的技术的实施方式的放射线图像拍摄装置的结构的一例的截面图。
图52是表示本公开的技术的实施方式的放射线图像拍摄装置的结构的一例的截面图。
图53是表示本公开的技术的实施方式的放射线图像拍摄装置的结构的一例的截面图。
图54是用于说明应力中立面的位置的示意图。
附图标记说明
1 放射线图像拍摄装置
10 放射线检测器
12 传感器基板
14 基材
14A 第1面
14B 第2面
14L 微粒子层
14P 微粒子
15 像素区域
16 像素
19 界面
20 TFT(开关元件)
21 层叠体
22 传感器部
24 信号布线
26 扫描布线
28 公共布线
30 变换层
30B 中央部
30C 周缘部
32 保护膜
36 应力中立面调整构件
36A 带电防止膜
36B 应力中立面调整膜
36C 防湿膜
36D 第1层
36E 第2层
37 应力中立面
39 紧贴层
40 缓冲层
46 隔离件
47、48、48A、51 粘结层
50、50A～50D、52 加强构件
50H 贯通孔
541～5411 断片
60 粘着层
61 开口
62 反射层
63 槽
64 粘结层
65 保护层
70 填充剂
72 密封构件
100 控制部
100A CPU
100B 存储器
100C 存储部
102 驱动部
104 信号处理部
106 图像存储器
108 电源部
110 控制基板
112 柔性线缆
114 电源线
116 片
117 保护层
118 基台
120 外壳
120A 拍摄面
120B 边界部
120C 部分
200 支承体
202 剥离层
d1、d2 距离
P 层叠方向
R 放射线
Rb 后向散射射线
S 被摄体
W 负荷
具体实施方式
以下，参考附图来详细说明本发明的实施方式。另外，本实施方式并不对本发明进行限定。
[第1实施方式]
本实施方式的放射线图像拍摄装置具有以下功能：通过检测透过了拍摄对象即被摄体的放射线并输出表征被摄体的放射线图像的图像信息，从而拍摄拍摄对象的放射线图像。
首先，参考图1来说明本实施方式的放射线图像拍摄装置中的电气系统的结构的一例的概略情况。图1是表示本实施方式的放射线图像拍摄装置中的电气系统的主要部分结构的一例的框图。
如图1所示那样，本实施方式的放射线图像拍摄装置1具备：放射线检测器10、控制部100、驱动部102、信号处理部104、图像存储器106以及电源部108。
放射线检测器10具备传感器基板12(参考图3)和将放射线变换成光的变换层30(参考图3)。传感器基板12具备挠性的基材14和设置于基材14的第1面14A的多个像素16。另外，以下，有时对于多个像素16仅称作“像素16”。
如图1所示那样，本实施方式的各像素16具备对应于变换层所变换的光而产生电荷并蓄积的传感器部22、以及读出在传感器部22蓄积的电荷的开关元件20。在本实施方式中，作为一例，使用薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)作为开关元件20。因此，以下将开关元件20称作“TFT20”。在本实施方式中，作为形成传感器部22以及TFT20进而被平坦化的层，设置在基材14的第1面14A形成有像素16的层。以下，对于形成有像素16的层，也有时为了说明的方便而称作“像素16”。
像素16在传感器基板12的像素区域15沿着一个方向(与图1的横向对应的扫描布线方向，以下也称作“行方向”)以及相对于行方向的交叉方向(与图1的纵向对应的信号布线方向，以下也称作“列方向”)以二维状配置。在图1中简化示出了像素16的排列，但例如像素16在行方向以及列方向上配置1024个×1024个。
另外，在放射线检测器10，将像素16的每行所具备的用于控制TFT20的开关状态(接通以及断开)的多个扫描布线26、和像素16的每列所具备的读出蓄积于传感器部22的电荷的多个信号布线24相互交叉设置。多个扫描布线26各自分别经由焊盘(图示省略)与驱动部102连接。在驱动部102连接后述的控制部100，对应于从控制部100输出的控制信号而输出驱动信号。多个扫描布线26各自使从驱动部102输出的驱动TFT20来控制开关状态的驱动信号流过多个扫描布线各自。另外，多个信号布线24各自分别经由焊盘(图示省略)与信号处理部104连接，由此从各像素16读出的电荷作为电信号输出到信号处理部104。信号处理部104生成并输出与所输入的电信号相应的图像数据。
在信号处理部104连接后述的控制部100，从信号处理部104输出的图像数据依次输出到控制部100。在控制部100连接图像存储器106，从信号处理部104依次输出的图像数据通过控制部100的控制而依次存储到图像存储器106。图像存储器106具有能存储给定的张数的量的图像数据的存储容量，每当进行放射线图像的拍摄时，将通过拍摄而得到的图像数据依次存储到图像存储器106。
控制部100具备：CPU(Central Processing Unit，中央处理器)100A、包含ROM(Read Only Memory，只读存储器)和RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)等的存储器100B、以及闪速存储器等非易失性的存储部100C。作为控制部100的一例，能举出微型计算机等。控制部100对放射线图像拍摄装置1的整体的动作进行控制。
此外，在各像素16的传感器部22，为了对各像素16施加偏置电压而在信号布线24的布线方向上设置公共布线28。公共布线28经由焊盘(图示省略)与传感器基板12的外部的偏置电源(图示省略)连接，从而从偏置电源对各像素16施加偏置电压。
电源部108对控制部100、驱动部102、信号处理部104以及图像存储器106等各种元件或各种电路提供电力。另外，在图1中，为了避免错综复杂而省略将电源部108和各种元件、各种电路连接的布线的图示。
进一步地，详细说明本实施方式的放射线检测器10。图2A是从第1面14A侧来观察本实施方式的放射线检测器10的俯视图。另外，图3是图2A中的放射线检测器10的A-A线截面图。
本实施方式的放射线检测器10如图2A以及图3所示那样具备：包含基材14以及像素16的传感器基板12、变换层30、保护层32，按照基材14、像素16以及变换层30的顺序来设置它们。另外，以下，将基材14、像素16、以及变换层30所排列的方向(图3中的上下方向)称作层叠方向(参考图3、层叠方向P)。另外，为了说明的方便，有时将放射线检测器10中的层叠方向P的变换层30侧称作“上”，将传感器基板12侧称作“下”。
基材14具有挠性，例如是包含PI(PolyImide：聚酰亚胺)等塑料的树脂片。基材14的厚度是对应于材质的硬度以及传感器基板12的大小(第1面14A或第2面14B的面积)等能得到所期望的挠性的厚度即可。作为具有挠性的示例，在矩形的基材14单体的情况下，指的是：在将基材14的1边固定的状态下，在从固定的边离开10cm的位置，因基材14的自重所导致的重力，基材14下垂2mm以上(比固定的边的高度低)。作为基材14为树脂片的情况的具体例，只要厚度为5μm～125μm即可，更优选厚度为20μm～50μm。
另外，基材14具有能耐受详细情况后述的像素16的制造的特性，在本实施方式中，具有能耐受非晶硅TFT(a-Si TFT)的制造的特性。作为这样的基材14所具有的特性，优选300℃～400℃下的热膨胀系数(CTE：Coefficient of Thermal Expansion)是与非晶硅(Si)晶片相同的程度(例如±5ppm/K)，具体优选是20ppm/K以下。另外，作为基材14的热收缩率，优选在厚度为25μm的状态下400℃下的MD(Machine Direction，纵向)方向的热收缩率为0.5％以下。另外，基材14的弹性模量优选在300℃～400℃间的温度区域不具有一般的PI所具有的转变点，且500℃下的弹性模量为1GPa以上。
另外，本实施方式的实施方式的基材14优选如图2B以及图2C所示那样，具有包含平均粒子径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机的微粒子14P的微粒子层14L。另外，图2C是将本实施方式的放射线检测器10运用在从传感器基板12侧照射放射线R的ISS(IrradiationSide Sampling，照射侧采样)方式的放射线检测器中的情况下的示例。
如图2C以及图2D所示那样，在基材14中，通过透过了被摄体S的放射线R而产生后向散射射线Rb。在基材14为PI等树脂制的情况下，由于是有机物，因此构成有机物的原子序数比较小的C、H、O、以及N等原子由于康普顿效应，后向散射射线Rb变多。
如图2C所示那样，在基材14具有包含吸收在基材14内产生的后向散射射线Rb的微粒子14P的微粒子层14L的情况下，如图2D所示那样，相比基材14不具有微粒子层14L的情况，由于可抑制透过基材14向后向散射的后向散射射线Rb，因而优选。
作为这样的微粒子14P，优选是包含以下原子的无机物：自身所引起的后向散射射线Rb的产生量少，而且吸收后向散射射线Rb，另一方面，透过了被摄体S的放射线R的吸收少的原子。另外，后向散射射线Rb的抑制与放射线R的透过性处于折衷的关系。从后向散射射线Rb的抑制的观点出发，微粒子14P优选包含原子序数比构成基材14的树脂的C、H、O、以及N等大的元素。另一方面，虽然原子序数越大则吸收后向散射射线Rb的能力越高，但若原子序数超过30，则放射线R的吸收量就会增加，到达变换层30的放射线R的剂量的减少就会变得显著，因而不优选。因此，在树脂性的基材14的情况下，微粒子14P优选使用原子序数大于构成基材14即有机物的原子且为30以下的无机物。作为这样的微粒子14P的具体例，能举出原子序数为14的Si的氧化物即SiO2、原子序数为12的Mg的氧化物即MgO、原子序数为13的Al的氧化物即Al2O3以及原子序数为22的Ti的氧化物即TiO2等。
作为具有这样的特性的树脂片的具体例，能举出XENOMAX(注册商标)。
另外，对于本例示的实施方式中的上述的厚度，使用测微计进行测定。对于热膨胀系数，遵循JIS K 7197：1991进行测定。另外，测定通过如下方式进行：从基材14的主面起15度15度地改变角度来裁出试验片，对于裁出的各试验片测定热膨胀系数，将最高的值作为基材14的热膨胀系数。热膨胀系数的测定分别对于MD(Machine Direction，纵向)方向以及TD(Transverse Direction，横向)方向在-50℃～450℃下以10℃间隔进行，并将(ppm/℃)换算成(ppm/K)。在热膨胀系数的测定中使用MACScience公司制TMA4000S装置，将样本长度设为10mm，将样本宽度设为2mm，将初始负荷设为34.5g/mm2，将升温速度设为5℃/min，并将气氛设为氩。对于弹性模量，遵循JIS K 7171：2016进行测定。另外，测定通过如下方式进行：从基材14的主面起15度15度地改变角度来裁出试验片，对于裁出的各试验片进行拉伸试验，将最高的值作为基材14的弹性模量。
另外，有时会因微粒子层14L中包含的微粒子14P而在基材14的表面出现凹凸。在如此在基材14的表面出现凹凸的状态的基础上，有时会难以形成像素16。因此，如图2C所示那样，基材14优选在形成像素16的第1面的相反侧的第2面14B、换言之在设置变换层30的第1面的相反侧的第2面14B具有微粒子层14L。
另外，为了充分吸收在基材14内产生的后向散射射线Rb，优选在基材14中，在靠近被摄体S的一侧的面具有微粒子层14L，如图2C所示那样，在ISS方式的放射线检测器10中，优选在第2面14B具有微粒子层14L。
如此，在ISS方式的放射线检测器10中，通过基材14在第2面14B具有微粒子层14L，从而能精度良好地形成像素16，且能有效地抑制后向散射射线Rb。
另外，作为具有所期望的挠性的基材14，并不限定于树脂片等树脂制的基材。例如，基材14也可以是厚度比较薄的玻璃基板等。作为基材14是玻璃基板的情况的具体例，一般，在一边为43cm左右的尺寸下，由于若厚度为0.3mm以下就具有挠性，因此只要是厚度为0.3mm以下的基材，就可以是所期望的玻璃基板。
如图2A以及图3所示那样，多个像素16设置于基材14的第1面14A中的内侧的一部分区域。换言之，在本实施方式的传感器基板12中，在基材14的第1面14A的外周部不设置像素16。在本实施方式中，将基材14的第1面14A中的设置有像素16的区域作为像素区域15。
另外，如图3所示那样，本实施方式的变换层30覆盖像素区域15。在本实施方式中，作为变换层30的一例，使用包含CsI(碘化铯)的闪烁体。作为这样的闪烁体，例如优选包含X射线照射时的发光光谱为400nm～700nm的CsI：Tl(添加了铊的碘化铯)或CsI：Na(添加了钠的碘化铯)。另外，CsI：Tl的可见光域中的发光峰值波长是565nm。
另外，本实施方式的放射线检测器10如图2A以及图3所示那样，保护膜32设置于基材14的第1面14A侧，覆盖像素16以及变换层30层叠而成的层叠体整体。具体地，保护膜32覆盖像素16以及变换层30层叠而成的层叠体的除了与基材14的第1面14A相接的面以外的面整体。
作为保护膜32，使用派瑞林(注册商标)、聚对苯二甲酸乙二醇酯等绝缘性的片、以及通过使铝箔粘结于绝缘性的片(薄膜)等来层叠铝的ALPET(注册商标)的片等防湿膜。
另外，本实施方式的放射线检测器10如图2A以及图3所示那样，将应力中立面调整构件36设置于基材14的第2面14B。应力中立面调整构件36对放射线检测器10中的使放射线检测器10挠曲的情况下的应力中立面(详细情况后述)相对于层叠方向P的位置进行调整。在本实施方式中，作为应力中立面调整构件36的一例，可以使用PET(PolyethyleneTerephthalate：聚对苯二甲酸乙二醇酯)、白PET或发泡白PET等。所谓白PET，是在PET中添加TiO2或硫酸钡等白色颜料的产物，所谓发泡白PET，是表面成为多孔质的白PET。另外，作为应力中立面调整构件36的其他示例，能举出PC(Polycarbonate：聚碳酸酯)、LDPE(LowDensity Polyethylene：低密度聚乙烯)、PPS(PolyPhenylene Sulfide：聚苯硫醚)、OPP(Oriented PolyPropylene：双轴延伸聚丙烯薄膜)、PEN(PolyEthylene Naphthalate：聚萘二甲酸乙二醇酯)以及PI等有机膜等。
另外，本实施方式的应力中立面调整构件36优选使用弯曲弹性模量为150MPa以上且2500MPa以下的素材。弯曲弹性模量的测定方法例如基于JIS K 7171：2016标准。应力中立面调整构件36从抑制基材14的挠曲的观点出发，优选弯曲刚性比基材14高。另外，若弯曲弹性模量变低则弯曲刚性也变低，为了得到所期望的弯曲刚性，必须增厚应力中立面调整构件36的厚度，放射线检测器10整体的厚度会增大。若考虑上述的应力中立面调整构件36的材料，则在想要得到超过140000Pacm4的弯曲刚性的情况下，应力中立面调整构件36的厚度有变得比较厚的倾向。因此，若要得到合适的刚性且考虑放射线检测器10整体的厚度，则应力中立面调整构件36中所用的素材更优选弯曲弹性模量为150MPa以上且2500MPa以下。另外，应力中立面调整构件36的弯曲刚性优选为540Pacm4以上且140000Pacm4以下。
另外，本实施方式的应力中立面调整构件36的热膨胀系数优选接近于变换层30的材料的热膨胀系数，更优选，应力中立面调整构件36的热膨胀系数相对于变换层30的热膨胀系数之比(应力中立面调整构件36的热膨胀系数/变换层30的热膨胀系数)为0.5以上且4以下。作为这样的应力中立面调整构件36的热膨胀系数，优选30ppm/K以上且200ppm/K以下。例如在变换层30将CsI：T1作为材料的情况下，热膨胀系数是50ppm/K。在该情况下，能举出热膨胀系数为100ppm/K～200ppm/K的LDPE、热膨胀系数为60ppm/K～80ppm/K的聚氯乙烯(PVC：Polyvinyl Chloride)、热膨胀系数为70ppm/K～80ppm/K的丙烯酸、热膨胀系数为65ppm/K～70ppm/K的PET、热膨胀系数为65ppm/K的PC以及热膨胀系数为45ppm/K～70ppm/K的特氟隆(注册商标)等，来作为应力中立面调整构件36的材料。
进而，若考虑上述的弯曲弹性模量，则作为应力中立面调整构件36的材料，更优选是包含PET、PC以及LDPE中的至少一种的材料。
另外，应力中立面调整构件36优选除了调整应力中立面的位置以外，还具有带电防止功能、防湿功能等其他功能。
参考图4来说明如图2A以及图3所示的放射线检测器10那样具备利用了挠性的基材14的传感器基板12的放射线检测器10的制造方法。
如图4所示那样，在与基材14相比厚度较厚的玻璃基板等支承体200，隔着剥离层202形成基材14。在用层压法形成基材14的情况下，在支承体200上贴合成为基材14的片。基材14的第2面14B与剥离层202相接。
进而，在基材14的第1面14A形成像素16。另外，在本实施方式中，作为一例，在基材14的第1面14A隔着利用了SiN等的底涂层(图示省略)而形成像素16。
进而，在形成有像素16的层(以下仅称作“像素16”)之上形成变换层30。在本实施方式中，在传感器基板12上直接通过真空蒸镀法、溅射法以及CVD(Chemical VaporDeposition，化学气相沉积)法等气相沉积法将CsI的变换层30形成为柱状结晶。在该情况下，变换层30中的与像素16相接的一侧成为柱状结晶的生长方向基点侧。
另外，在如此在传感器基板12上直接通过气相沉积法来设置CsI的变换层30的情况下，可以在变换层30的与传感器基板12相接的一侧的相反侧的面设置例如具有反射由变换层30变换的光的功能的反射层(图示省略)。反射层可以直接设置于变换层30，也可以隔着紧贴层等设置。作为反射层的材料，优选使用有机系的材料，例如优选使用白PET、TiO2、Al2O3、发泡白PET、聚酯系高反射片以及镜面反射铝等中的至少1种作为材料。特别，从反射率的观点出发，优选使用白PET作为材料。另外，所谓聚酯系高反射片，是具有将薄的聚酯的片重叠多个的多层结构的片(薄膜)。
另外，在使用CsI的闪烁体作为变换层30的情况下，还能用不同于本实施方式的方法在传感器基板12形成变换层30。例如可以准备在铝的板等通过气相沉积法蒸镀CsI的产物，将CsI的不与铝的板相接的一侧和传感器基板12的像素16通过粘着性的片等贴合，来在传感器基板12形成变换层30。在该情况下，优选将用保护膜32覆盖还包含铝的板的状态的变换层30整体的状态的产物与传感器基板12的像素16贴合。另外，在该情况下，变换层30中的与像素16相接的一侧成为柱状结晶的生长方向的前端侧。
另外，也可以与本实施方式的放射线检测器10不同，作为变换层30，取代CsI而使用GOS(Gd2O2S：Tb)等。在该情况下，例如使GOS分散在树脂等粘合剂中，将这样分散后形成的片通过粘着层等贴合于由白PET等形成的支承体，准备如此得到的构件，并将GOS的未贴合支承体的一侧和传感器基板12的像素16通过粘着性的片等贴合，由此能在传感器基板12形成变换层30。另外，在变换层30使用CsI的情况与使用GOS的情况相比，从放射线向可见光的变换效率变高。
进而，在本实施方式的放射线检测器10中，在设置有变换层30的传感器基板12，在覆盖像素16以及变换层30层叠而成的层叠体整体的区域形成保护膜32，成为图4所示的状态。
之后，将设置有变换层30以及保护膜32的传感器基板12从支承体200剥离。例如在层压法中，以传感器基板12(基材14)的四边中的任一边为剥离的起点，从成为起点的边向对置的边逐渐地将传感器基板12从支承体200揭下，由此进行机械剥离。
在本实施方式中，进一步在从支承体200将传感器基板12剥离后，在基材14的第2面14B通过贴附等形成应力中立面调整构件36。
接下来，参考图5以及图6A～图6C来说明本实施方式的放射线检测器10中的应力中立面调整构件36的作用。应力中立面调整构件36通过对层叠方向P施加负荷W对在使放射线检测器10挠曲的情况下产生的应力中立面37的相对于层叠方向P的位置进行调整。在图5中示出对放射线检测器10在层叠方向P上施加负荷W而使其挠曲的状态的一例的示意图。另外，在图5中为了简化，仅示意地图示放射线检测器10当中的传感器基板12、变换层30以及应力中立面调整构件36。
在图5中，作为放射线检测器10挠曲的状态的一例，示出变换层30侧拉长而传感器基板12(应力中立面调整构件36)侧缩短的状态。在该情况下，即使放射线检测器10挠曲，在放射线检测器10内也会出现既不拉长也不缩短的面(与层叠方向P交叉的方向的面)即应力中立面37。在应力中立面37，应力成为0。
在放射线检测器10挠曲的情况下，通过对传感器基板12与变换层30的界面19施加应力，从而变换层30易于从传感器基板12剥离。另外，在本实施方式中，所谓“界面”，是指变换层30的与传感器基板12对置的面。
在不设置应力中立面调整构件36的情况下，由于与传感器基板12相比变换层30更有厚度，因此一般如图6A所示那样，应力中立面37的位置位于比界面19更靠变换层30侧(层叠方向P的上侧)的位置。在图6A所示的情况下，通过对界面19施加的应力，从而变换层30易于从传感器基板12剥离。
另一方面，在如本实施方式的放射线检测器10那样将应力中立面调整构件36设置于传感器基板12侧的情况下，应力中立面37的位置与不设置应力中立面调整构件36的情况相比，向传感器基板12侧移动。因此，如图6B所示那样，能使应力中立面37的位置为界面19附近。具体地，将图6A所示的不设置应力中立面调整构件36的情况下的界面19与应力中立面37的距离设为d1，将图6B所示的设置应力中立面调整构件36的情况下的界面19与应力中立面37的距离设为d2，在该情况下，能使距离d2小于距离d1(d1＞d2)。
应力中立面37的位置优选如图6C所示那样，界面19和应力中立面37的位置一致。在该情况下，由于能使界面19中的应力为0，因此变换层30更难从传感器基板12剥离。
如此，在本实施方式的放射线检测器10中，通过将应力中立面调整构件36设置于传感器基板12中的基材14的第2面14B，能将在放射线检测器10产生的应力中立面37的位置调整到距界面19不足距离d1的范围。在本实施方式中，关于应力中立面37的位置，将距界面19不足距离d1的范围设为应力中立面37的位置的容许范围。由此，在本实施方式的放射线检测器10中，在使放射线检测器10挠曲的情况下，由于能使在界面19产生的应力接近0，因此变换层30难以从传感器基板12剥离。另外，本实施方式的距界面19不足距离d1的范围是本公开的预先确定的范围的一例。
另外，应力中立面37的厚度对应于作为应力中立面37距界面19的位置所能容许的范围(容许范围、容许范围＜2d1)来确定。具体的应力中立面37的厚度对应于传感器基板12与变换层30的紧贴程度(剥离容易度)、以及想定的挠曲的程度等来确定。例如，由于在将变换层30通过蒸镀直接形成在传感器基板12的情况下，与贴合另外形成的变换层30的情况相比，变换层30易于剥离，因此优选与进行贴合的情况相比，在将变换层30直接蒸镀在传感器基板12的情况下，使应力中立面调整构件36的厚度增厚。
接下来，说明运用本实施方式的放射线检测器10的放射线图像拍摄装置1。在放射线图像拍摄装置1中，在透过放射线且具有防水性、抗菌性以及密闭性的外壳内设置放射线检测器10。
在图7示出在ISS方式中运用本实施方式的放射线图像拍摄装置1的情况下的、将放射线检测器10设置于外壳120内的状态的一例。
如图7所示那样，在外壳120内，在与层叠方向P交叉的方向上排列设置放射线检测器10、电源部108以及控制基板110。放射线检测器10设置成：基材14的第2面14B与被照射透过了被摄体的放射线的外壳120的被照射放射线的照射面即拍摄面120A侧对置。
控制基板110是形成有图像存储器106以及控制部100等的基板，通过包含多个信号布线的柔性线缆112与传感器基板12的像素16电连接。另外，在本实施方式中，设为在柔性线缆112上设置有驱动部102以及信号处理部104的所谓的COF(Chip On Film，覆晶薄膜)，但电可以在控制基板110形成驱动部102以及信号处理部104中的至少一方。
另外，控制基板110和电源部108通过电源线114连接。
外壳120优选轻量且优选放射线R特别是X射线的吸收率低且高刚性，优选由弹性模量充分高的材料构成。作为外壳120的材料，优选使用弯曲弹性模量为10000MPa以上的材料。作为外壳120的材料，能适于使用具有20000～60000MPa左右的弯曲弹性模量的碳或CFRP(Carbon Fiber Reinforced Plastics，碳纤维增强塑料)。
在放射线图像拍摄装置1的放射线图像的拍摄中，对外壳120的拍摄面120A施加来自被摄体的负荷。在外壳120的刚性不足的情况下，会因来自被摄体的负荷而在传感器基板12产生挠曲，有可能发生像素16损伤等不良状况。通过在由具有10000MPa以上的弯曲弹性模量的材料构成的外壳120内部收容放射线检测器10，能抑制来自被摄体的负荷所引起的传感器基板12的挠曲。
在本实施方式的放射线图像拍摄装置1的外壳120内，在透过了放射线检测器10的放射线出射的一侧进一步设置片116。作为片116，例如能举出铜制的片。铜制的片难以通过入射放射线而产生2次放射线，因此具有防止向后方即变换层30侧散射的功能。另外，片116至少覆盖变换层30的放射线出射的一侧的面整体，另外，优选覆盖变换层30整体，进而更优选覆盖保护膜32整体。另外，片116的厚度对应于放射线图像拍摄装置1整体的挠性以及重量等选择即可，例如在片116是铜制的片的情况下，只要厚度为0.1mm左右以上，就具有挠性，且还具有遮蔽从外部侵入到放射线图像拍摄装置1的内部的2次放射线的功能。另外，例如在片116是铜制的片的情况下，从挠性以及重量的观点出发，优选0.3mm以下。
图7所示的放射线图像拍摄装置1能在使放射线检测器10向基材14的第2面14B的面外方向挠曲的状态下进行放射线图像的拍摄。例如能维持在对应于被摄体的拍摄部位等使放射线检测器10挠曲的状态进行放射线图像的拍摄。
在图7所示的放射线图像拍摄装置1中，由于在刚性相对高的外壳120的周边部设置电源部108以及控制基板110，因此能抑制外力给电源部108以及控制基板110带来的影响。
另外，在图7中示出将电源部108以及控制基板110双方设置于放射线检测器10的一侧、具体设置于矩形的放射线检测器10的一边的一侧的形态，但设置电源部108以及控制基板110的位置并不限定于图7所示的形态。例如可以使电源部108以及控制基板110分散设置在放射线检测器10的对置的2边的各个边，也可以分散设置在相邻的2边的各个边。另外，在图7中，示出在本实施方式中将电源部108以及控制基板110设为1个结构部(基板)的形态，但并不限定于图7所示的形态，也可以是将电源部108以及控制基板110中的至少一方设为多个结构部(基板)的形态。例如将电源部108设为包含第1电源部以及第2电源部(均图示省略)的形态，使第1电源部以及第2电源部各自分散设置在放射线检测器10的对置的2边的各个边。
另外，在使放射线图像拍摄装置1(放射线检测器10)整体挠曲来进行放射线图像的拍摄的情况下，能通过进行图像补正来抑制挠曲给图像带来的影响。
另外，在图8示出在ISS方式中运用本实施方式的放射线图像拍摄装置1的情况下的、将放射线检测器10设置于外壳120内的状态的其他示例。
如图8所示那样，在外壳120内，在与层叠方向P交叉的方向上排列设置电源部108以及控制基板110，放射线检测器10和电源部108以及控制基板110在层叠方向P上排列设置。
另外，在图8所示的放射线图像拍摄装置1中，在控制基板110以及电源部108与片116之间，设置对放射线检测器10以及控制基板110进行支承的基台118。在基台118例如使用碳等。
图8所示的放射线图像拍摄装置1能在使放射线检测器10向基材14的第2面14B的面外方向稍微挠曲的状态下、例如使中央部挠曲1mm～5mm左右的状态下进行放射线图像的拍摄，但由于控制基板110以及电源部108和放射线检测器10设置在层叠方向P上，且设置有基台118，因此不会挠曲到图7所示的放射线图像拍摄装置1的情况的程度。因此，由于与图7所示的放射线图像拍摄装置1相比，挠曲所引起的应力小，变换层30难以从传感器基板12剥离，因此能使应力中立面调整构件36的厚度变薄。
[第2实施方式]
在本实施方式的放射线检测器10中，应力中立面调整构件36的结构与第1实施方式的放射线检测器10不同。在第1实施方式中说明了应力中立面调整构件36是单一的膜(层)的形态。与此相对，在本实施方式中说明应力中立面调整构件36是层叠多个膜的层叠结构的形态。
在图9示出本实施方式的放射线检测器10的一例的截面图。如图9所示那样，本实施方式的放射线检测器10中的应力中立面调整构件36是带电防止膜36A以及应力中立面调整膜36B在层叠方向P上层叠而成的层叠膜。
如图9所示那样，带电防止膜36A设置于比应力中立面调整膜36B更靠近基材14的一侧、换言之设置于与基材14的第2面14B对应的一侧。带电防止膜36A具有防止传感器基板12带电的功能。因此，带电防止膜36A优选如上述那样设置于比应力中立面调整膜36B更靠近传感器基板12的一侧，更优选与传感器基板12直接接触。作为这样的带电防止膜36A，例如能举出ALPET的片、利用带电防止涂料“COLCOAT”(商品名：COLCOAT公司制)的膜等带电防止膜。在该情况下，能通过在基材14的第2面14B贴附这些带电防止膜来形成带电防止膜36A。
另一方面，应力中立面调整膜36B主要具有在容许范围内调整应力中立面37的位置的功能。一般，带电防止膜36A的厚度薄，仅用带电防止膜36A不足以调整应力中立面37的位置，因此在本实施方式中，通过设置应力中立面调整膜36B，能以应力中立面调整构件36整体在容许范围内调整应力中立面37的位置。这样的应力中立面调整膜36B能由与第1实施方式说明的应力中立面调整构件36同样的材料构成，制造方法也能设为同样。
本实施方式的基材14具有挠性，由于与一般的没有挠性的放射线检测器相比，基材14的厚度较薄，因此基材14易于通过摩擦等而带电。在传感器基板12带电的情况下，由于TFT20发生静电破坏等，有时传感器基板12会发生劣化，通过放射线检测器10而得到的放射线图像的画质有可能会降低。
对于这样的情况，在本实施方式的放射线检测器10中，通过将应力中立面调整构件36设为使带电防止膜36A以及应力中立面调整膜36B层叠而成的层叠膜，能抑制传感器基板12带电。
[第3实施方式]
在本实施方式的放射线检测器10中，应力中立面调整构件36的结构与第2实施方式的放射线检测器10不同。
在图10示出本实施方式的放射线检测器10的一例的截面图。如图10所示那样，本实施方式的放射线检测器10中的应力中立面调整构件36是防湿膜36C以及应力中立面调整膜36B在层叠方向P上层叠而成的层叠膜。
即，如图10所示那样，本实施方式的应力中立面调整构件36在取代第2实施方式的应力中立面调整构件36所具有的带电防止膜36A而具有防湿膜36C这一点上与第2实施方式的应力中立面调整构件36不同。
如图10所示那样，防湿膜36C设置于比应力中立面调整膜36B更靠近基材14的一侧、换言之设置于与基材14的第2面14B对应的一侧。防湿膜36C能提高针对基材14以及变换层30的防湿性能。特别在变换层30是CsI的情况下，CsI不耐水分，在水分侵入到放射线检测器10的内部的情况下，放射线图像的画质有可能会降低。因此，在变换层30中使用CsI的情况下，优选如本实施方式的放射线检测器10那样提高针对变换层30的防湿性能。
因此，防湿膜36C优选如上述那样设置于比应力中立面调整膜36B更靠近传感器基板12的一侧，更优选与传感器基板12直接接触。作为这样的防湿膜36C，与保护膜32同样，能举出派瑞林膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯等绝缘性的片以及ALPET的片等防湿膜。在该情况下，通过在基材14的第2面14B贴附这些防湿膜，能形成防湿膜36C。
在本实施方式的放射线检测器10中，通过如此地将应力中立面调整构件36设为防湿膜36C以及应力中立面调整膜36B层叠而成的层叠膜，能抑制水分从基材14的第2面14B侧侵入，能提高防湿性。
另外，将应力中立面调整构件36设为多个膜层叠而成的层叠结构的形态并不限定于本实施方式以及上述第2实施方式所示的应力中立面调整构件36的结构。例如应力中立面调整构件36可以是包含带电防止膜36A以及防湿膜36C双方的结构，也可以是取代带电防止膜36A以及防湿膜36C或同它们一起包含断热膜、防振膜等的结构。
如以上说明的那样，上述各实施方式的放射线检测器10具备：传感器基板12，其包含挠性的基材14、以及设置于基材14的第1面14A且形成有蓄积对应于从放射线变换的光而产生的电荷的多个像素16的层；变换层30，其设置于形成像素16的层中的设置基材14的一侧的相反侧，将放射线变换成光；和应力中立面调整构件36，其设置于基材14的第1面14A的相反侧的第2面14B侧，将应力中立面37的位置从与传感器基板12对置的变换层30的面即界面19调整到传感器基板12以及变换层30层叠的层叠方向P的预先确定的容许范围内。
在传感器基板12中使用挠性的基材14的放射线检测器10中，通过传感器基板12挠曲，从而变换层30易于从传感器基板12剥离。特别在按放射线检测器10单体进行对待的情况下，例如在放射线图像拍摄装置1的制造工序中，在进行直到设置于外壳120内为止的期间等中的所谓搬运(handling)的情况下，与放射线图像拍摄装置1的状态相比，传感器基板12易于挠曲。如此，在按放射线检测器10单体进行对待的情况下，由于传感器基板12易于挠曲，因此变换层30易于从传感器基板12剥离。
与此相对，在上述各实施方式的放射线检测器10中，由于通过应力中立面调整构件36将应力中立面37的位置从界面19调整到容许范围内的位置，因此即使是放射线检测器10单体，也能抑制在放射线检测器10挠曲的情况下变换层30从传感器基板12剥离。
因此，根据上述各实施方式的放射线检测器10，在与变换层30和传感器基板12层叠的层叠方向交叉的方向上排列配置放射线检测器10和电气电路，与遍及放射线检测器10以及电气电路的整体设置挠曲调整构件的放射线图像拍摄装置相比，即使是放射线检测器10单体，也能抑制传感器基板与变换层的剥离。
另外，设置应力中立面调整构件36的区域并没有特别限定，只要设置于基材14的第2面14B侧的至少覆盖传感器基板12和变换层30对置的区域的区域即可。
另外，在上述各实施方式中说明了在传感器基板12之上直接设置变换层30的形态，但并不限定于该形态，也可以在传感器基板12与变换层30之间设置其他层(膜)。例如如图11所示的一例那样，放射线检测器10可以在传感器基板12与变换层30之间具有紧贴层39。换言之，传感器基板12可以隔着紧贴层39与变换层30相接。与不设置紧贴层39的情况相比，紧贴层39用于使传感器基板12与变换层30的紧贴度提升。由于通过具有紧贴层39来提升传感器基板12与变换层30的紧贴度，因此与不设置紧贴层39的情况相比，变换层30难以从传感器基板12剥离。因此，在设置紧贴层39的情况下，与不设置紧贴层39的情况相比，能使应力中立面调整构件36的厚度变薄。作为这样的紧贴层39，例如能举出派瑞林膜等。
另外，例如可以如图12所示的一例那样，放射线检测器10在传感器基板12与变换层30之间具有缓冲层40。缓冲层40具有对变换层30的热膨胀系数与基材14的热膨胀系数之差进行缓冲的功能。缓冲层40的热膨胀系数是传感器基板12的热膨胀系数与变换层30的热膨胀系数之间的热膨胀系数。变换层30的热膨胀系数与基材14的热膨胀系数之差越大，放射线检测器10越优选具有缓冲层40。例如，在基材14中使用上述XENOMAX(注册商标)的情况下，由于与其他材质相比，与变换层30的热膨胀系数之差变大，因此优选如图12所示的放射线检测器10那样设置缓冲层40。作为缓冲层40，使用PI膜、派瑞林膜。
另外，在上述各实施方式中说明了用层压法制造放射线检测器10的形态，但并不限定于该形态，也可以是用涂布法制造放射线检测器10的形态。
另外，在上述各实施方式中说明了将放射线检测器10(放射线图像拍摄装置1)运用在ISS方式的情况，但也可以将放射线检测器10(放射线图像拍摄装置1)运用在将传感器基板12配置于变换层30的放射线入射的一侧的相反侧的PSS(Penetration SideSampling，穿透侧采样)方式中。
另外，在上述各实施方式中说明了图1所示那样像素16以矩阵状二维排列的形式，但并不限于此，例如可以是一维排列，也可以是蜂窝排列。另外，像素的形状也没有限定，可以是矩形，电可以是六边形等多边形。进而，像素区域15的形状也没有限定，这点不言自明。
除此以外，上述各实施方式中说明的放射线图像拍摄装置1以及放射线检测器10等的结构和制造方法等是一例，能在不脱离本发明的主旨的范围内根据状况来变更，这点不言自明。
[其他实施方式]
在上述各实施方式的放射线检测器10中，说明了在传感器基板12和变换层30层叠而成的层叠体的传感器基板12侧设置应力中立面调整构件36的形态。也可以如图13～图34所示那样，将上述各实施方式的放射线检测器10进一步设为在传感器基板12和变换层30层叠而成的层叠体21的变换层30侧设置加强构件50的形态。
另外，在传感器基板12层叠变换层30而成的层叠体21中的应力中立面37的位置与在层叠体21设置加强构件50的状态的层叠体整体中的应力中立面37的位置不同。因此，在设置加强构件50的情况下，应力中立面调整构件36使将在层叠体21设置加强构件50的状态作为1个层叠体的情况下的应力中立面37和界面19接近。
加强构件50的弯曲刚性比基材14高，相对于在垂直于与变换层30对置的面的方向上施加的力的尺寸变化(变形)小于相对于在垂直于基材14的第1面14A的方向上施加的力的尺寸变化。另外，本实施方式的加强构件50的厚度厚于基材14的厚度。另外，这里所谓的弯曲刚性意味着弯曲的难度，弯曲刚性越高则表征越难弯曲。
具体地，本实施方式的加强构件50优选使用弯曲弹性模量为150MPa以上且2500MPa以下的素材。弯曲弹性模量的测定方法例如基于JIS K 7171：2016标准。加强构件50从抑制基材14的挠曲的观点出发，优选弯曲刚性比基材14高。另外，若弯曲弹性模量变低则弯曲刚性也变低，为了得到所期望的弯曲刚性，必须加厚加强构件50的厚度，放射线检测器10整体的厚度就会增大。若考虑上述的加强构件50的材料，则在想要得到超过140000Pacm4的弯曲刚性的情况下，加强构件50的厚度有变得比较厚的倾向。因此，若要得到合适的刚性且考虑放射线检测器10整体的厚度，则加强构件50中所用的素材优选弯曲弹性模量为150MPa以上且2500MPa以下。另外，加强构件50的弯曲刚性优选540Pacm4以上且140000Pacm4以下。
另外，加强构件50的热膨胀系数优选接近于变换层30的材料的热膨胀系数，更优选，加强构件50的热膨胀系数相对于变换层30的热膨胀系数之比(加强构件50的热膨胀系数/变换层30的热膨胀系数)为0.5以上且2以下。作为这样的加强构件50的热膨胀系数，优选30ppm/K以上且80ppm/K以下。例如在变换层30将CsI：Tl作为材料的情况下，热膨胀系数是50ppm/K。在该情况下，作为比较接近于变换层30的材料，能举出热膨胀系数为60ppm/K～80ppm/K的PVC(Polyvinyl Chloride：聚氯乙烯)、热膨胀系数为70ppm/K～80ppm/K的丙烯酸、热膨胀系数为65ppm/K～70ppm/K的PET、热膨胀系数为65ppm/K的PC(Polycarbonate：聚碳酸酯)以及热膨胀系数为45ppm/K～70ppm/K的特氟隆等。
进而，若考虑上述的弯曲弹性模量，则作为加强构件50的材料，更优选是包含PET以及PC中的至少一方的材料。
加强构件50从弹力性的观点出发，优选包含具有屈服点的材料。另外，在本实施方式中，所谓“屈服点”，是指在拉伸材料的情况下应力暂时急剧下降的现象，在表征应力与应变的关系的曲线上，指应力不增加而应变增加的点，是指对材料进行拉伸强度试验时的应力-应变曲线中的顶部。作为具有屈服点的树脂，一般能举出硬而粘度强的树脂、以及柔软而粘度强且中等程度的强度的树脂。作为硬而粘度强的树脂，例如能举出PC等。另外，作为柔软而粘度强且中等程度的强度的树脂，例如能举出聚丙烯等。
本实施方式的加强构件50是以塑料为材料的基板。成为加强构件50的材料的塑料出于上述的理由而优选是热可塑性的树脂，能举出PC、PET、苯乙烯、丙烯酸、聚缩醛、尼龙、聚丙烯、ABS(Acrylonitrile Butadiene Styrene，丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)、工程塑料以及聚苯醚中的至少一种。另外，加强构件50优选它们当中的聚丙烯、ABS、工程塑料、PET以及聚苯醚中的至少一种，更优选是苯乙烯、丙烯酸、聚缩醛以及尼龙中的至少一种，进一步优选是PC以及PET中的至少一种。
在使用气相沉积法形成变换层30的情况下，如图13～图34所示那样，变换层30形成为具有厚度随着往其外缘去而逐渐变薄的倾斜。以下，将在忽视制造误差以及测定误差的情况下将厚度视作大致恒定的、变换层30的中央区域称作中央部30A。另外，将相对于变换层30的中央部30A的平均厚度具有例如90％以下的厚度的、变换层30的外周区域称作周缘部30B。即，变换层30在周缘部30B具有相对于传感器基板12倾斜的倾斜面。
如图13～图33所示那样，可以在变换层30与加强构件50之间设置粘着层60、反射层62、粘结层64、保护层65以及粘结层48。
粘着层60覆盖包含变换层30的中央部30A以及周缘部30B的变换层30的表面整体。粘着层60具有将反射层62固定在变换层30上的功能。粘着层60优选具有光透过性。作为粘着层60的材料，例如能使用丙烯酸系粘着剂、热熔系粘着剂以及硅酮系粘结剂。作为丙烯酸系粘着剂，例如能举出聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸树脂丙烯酸酯以及环氧丙烯酸酯等。作为热熔系粘着剂，例如能举出EVA(乙烯-乙酸乙烯酯共聚树脂)、EAA(乙烯和丙烯酸的共聚树脂)、EEA(乙烯-丙烯酸乙酯共聚树脂)以及EMMA(乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物)等热可塑性塑料。粘着层60的厚度优选2μm以上且7μm以下。通过将粘着层60的厚度设为2μm以上，能充分发挥将反射层62固定在变换层30上的效果。进而，能抑制在变换层30与反射层62之间形成空气层的风险。若在变换层30与反射层62之间形成空气层，则就有可能出现从变换层30发出的光在空气层与变换层30之间以及空气层与反射层62之间发生重复反射的多重反射。另外，通过将粘着层60的厚度设为7μm以下，能抑制MTF(Modulation Transfer Function，调制传递函数)以及DQE(Detective Quantum Efficiency，检测量子效率)的降低。
反射层62覆盖粘着层60的表面整体。反射层62具有反射由变换层30变换的光的功能。反射层62优选由有机系材料构成。作为反射层62的材料，例如能使用白PET、TiO2、Al2O3、发泡白PET、聚酯系高反射片、以及镜面反射铝等。反射层62的厚度优选10μm以上且40μm以下。
粘结层64覆盖反射层62的表面整体。粘结层64的端部延伸到传感器基板12的表面。即，粘结层64在其端部与传感器基板12粘结。粘结层64具有将反射层62以及保护层65固定在变换层30的功能。作为粘结层64的材料，能使用与粘着层60的材料相同的材料，但优选粘结层64所具有的粘结力大于粘着层60所具有的粘结力。
保护层65具有相当于上述的各实施方式的放射线检测器10中的保护膜32的功能，覆盖粘结层64的表面整体。即，保护层65设置成覆盖变换层30的整体，并且其端部覆盖传感器基板12的一部分。保护层65作为防止水分向变换层30浸入的防湿膜起作用。作为保护层65的材料，例如能使用包含PET、PPS、OPP、PEN、PI等有机材料的有机膜。另外，作为保护层65，可以使用ALPET(注册商标)的片。
加强构件50隔着粘结层48设置于保护层65的表面。作为粘结层48的材料，例如能使用与粘着层60以及粘结层48的材料相同的材料。
在图13所示的示例中，加强构件50在与变换层30的中央部30A以及周缘部30B对应的区域延伸，加强构件50的外周部沿着变换层30的周缘部30B中的倾斜折弯。加强构件50在与变换层30的中央部30A对应的区域以及与周缘部30B对应的区域这两个区域，经由粘结层48与保护层65粘结。在图13所示的示例中，加强构件50的端部配置在与变换层30的周缘部30B对应的区域。
也可以如图14所示那样，加强构件50仅设置于与变换层30的中央部30A对应的区域。在该情况下，加强构件50在与变换层30的中央部30A对应的区域经由粘结层48与保护层65粘结。
也可以如图15所示那样，在加强构件50在与变换层30的中央部30A以及周缘部30B对应的区域延伸的情况下，加强构件50不具有沿着变换层302的外周部的倾斜的折弯部。在该情况下，加强构件50在与变换层30的中央部30A对应的区域经由粘结层48与保护层65粘结。在与变换层30的周缘部30B对应的区域，在变换层30(保护层65)与加强构件50之间形成与变换层30的周缘部30B中的倾斜相应的空间。
在此，在设置于传感器基板12的外周部的连接区域的端子113连接柔性线缆112。传感器基板12经由柔性线缆112与控制基板(参考控制基板110、图47等)连接。在传感器基板12中出现挠曲的情况下，柔性线缆112有可能会从传感器基板12剥离或出现位置偏离。在该情况下，需要重新进行柔性线缆112与传感器基板12的连接的作业。将该重新进行柔性线缆112与传感器基板12的连接的作业称作再加工。如图13～图15所示那样，通过将加强构件50的端部配置得比变换层30的端部更靠内侧，与加强构件50延伸到连接区域的附近的情况比较，能容易地进行再加工。
如图16～图19所示那样，加强构件50可以设置成其端部配置得比变换层30的端部更靠外侧，并且与延伸到传感器基板12上的粘结层64以及保护层65的端部对齐。另外，加强构件50的端部的位置和粘结层64以及保护层65的端部的位置不需要完全一致。
在图16所示的示例中，加强构件50在与变换层30的中央部30A对应的区域经由粘结层48与保护层65粘结，在与变换层30的周缘部30B对应的区域以及其进一步外侧的区域，在变换层30(保护层65)与加强构件50之间形成与变换层30的周缘部30B中的倾斜相应的空间。
在图17所示的示例中，在与变换层30的周缘部30B对应的区域以及其进一步外侧的区域，在形成于变换层30(保护层65)与加强构件50之间的空间设置填充件70。填充件70的材料并没有特别限定，例如能使用树脂。另外，在图17所示的示例中，为了将加强构件50固定在填充件70，粘结层48设置于加强构件50与填充件70之间的整个区域。
形成填充件70的方法并没有特别限定。例如可以在被粘着层60、反射层62、粘结层64以及保护层65覆盖的变换层30上依次形成粘结层48以及加强构件50，之后，在形成于变换层30(保护层65)与加强构件50之间的空间注入具有流动性的填充件70，并使填充件70固化。另外，例如还可以在传感器基板12上依次形成变换层30、粘着层60、反射层62、粘结层64以及保护层65，之后，形成填充件70，在覆盖由粘着层60、反射层62、粘结层64以及保护层65覆盖的变换层30以及填充件70的状态下，依次形成粘结层48以及加强构件50。
如此，通过在形成于变换层30(保护层65)与加强构件50之间的空间填充填充件70，与图16所示的形态比较，能抑制加强构件50从变换层30(保护层65)的剥离。进而，由于变换层30成为通过加强构件50以及填充件70双方固定在传感器基板12的结构，因此能抑制变换层30从传感器基板12的剥离。
在图18所示的示例中，加强构件50的外周部沿着变换层30的周缘部30B中的倾斜而折弯，且还覆盖粘结层64以及保护层65在传感器基板12上覆盖的部分。另外，加强构件50的端部与粘结层64以及保护层65的端部对齐。另外，加强构件50的端部的位置和粘结层64以及保护层65的端部的位置不需要完全一致。
加强构件50、粘结层48、保护层65以及粘结层64的端部由密封构件72密封。密封构件72优选设置于从传感器基板12的表面延续到加强构件50的表面且不覆盖像素区域15的区域。作为密封构件72的材料，能使用树脂，特别优选热可塑性树脂。具体地，能将丙烯酸糊以及聚氨酯系的糊等用作密封构件72。加强构件50与保护层65比较刚性更高，在加强构件50的折弯部作用想要消除折弯的复原力，由此保护层65有可能剥离。通过将加强构件50、粘结层48、保护层65以及粘结层64的端部用密封构件72进行密封，能抑制保护层65的剥离。
在图19所示的示例中，与图17所示的形态同样，在与变换层30的周缘部30B对应的区域以及其进一步外侧的区域，在形成于变换层30(保护层65)与加强构件50之间的空间设置填充件70。另外，在与变换层30的端部对应的区域中，在加强构件50的表面隔着粘结层48A进一步层叠其他的加强构件50A。更具体地，加强构件50A设置于跨过变换层30的端部(外缘、边缘)的区域。加强构件50A也可以由与加强构件50相同的材料构成。在放射线检测器10中，在变换层30的端部，传感器基板12的挠曲量比较大。在与变换层30的端部对应的区域，通过形成加强构件50以及50A的层叠结构，能促进抑制变换层30的端部处的传感器基板12的挠曲的效果。
如图16～图19所示那样，在将加强构件50的端部配置得比变换层30的端部更靠外侧且设置成与粘结层64以及保护层65的端部对齐的情况下，与加强构件50延伸到连接区域的附近的情况比较，也能容易地进行再加工。
另外，如图20～图23所示那样，加强构件50可以设置成其端部位于比延伸到传感器基板12上的粘结层64以及保护层65的端部更靠外侧且比传感器基板12的端部更靠内侧的位置。
在图20所示的示例中，加强构件50在与变换层30的中央部30A对应的区域经由粘结层48与保护层65粘结，在与变换层30的周缘部30B对应的区域以及其进一步外侧的区域，在变换层30(保护层65)与加强构件50之间以及传感器基板12与加强构件50之间形成与变换层30的周缘部30B中的倾斜相应的空间。
在图21所示的示例中，加强构件50的端部被隔离件46支承。即，隔离件46的一端与传感器基板12的基材14的第1面14A连接，隔离件46的另一端经由粘结层47与加强构件50的端部连接。通过用隔离件46对在与传感器基板12之间形成空间的同时进行延伸的加强构件50的端部进行支承，能抑制加强构件50的剥离。另外，能使加强构件50所带来的挠曲抑制效果作用到传感器基板12的端部附近。另外，也可以取代设置隔离件46或在设置隔离件46的基础上，仿照图17所示的示例，在形成于变换层30(保护层65)与加强构件50之间以及传感器基板12与加强构件50之间的空间填充填充件。
在图22所示的示例中，加强构件50的外周部沿着变换层30的周缘部30B中的倾斜而折弯，且还覆盖粘结层64以及保护层65在传感器基板12上覆盖的部分、以及其外侧的传感器基板12上。即，粘结层64以及保护层65的端部被加强构件50密封。加强构件50的在传感器基板12上延伸的部分经由粘结层48与传感器基板12粘结。通过如此地将粘结层64以及保护层65的端部用加强构件50覆盖，能抑制保护层65的剥离。另外，也可以仿照图18记载的示例，使用密封构件72来密封加强构件50的端部。
在图23所示的示例中，在加强构件50的端部被隔离件46支承的形态中，在加强构件50的表面的与变换层30的端部对应的区域隔着粘结层48A进一步层叠其他的加强构件50A。更具体地，加强构件50A设置于跨过变换层30的端部(外缘、边缘)的区域。加强构件50A可以由与加强构件50相同的材料构成。在放射线检测器10中，变换层30的端部处的传感器基板12的挠曲量比较大。在与变换层30的端部对应的区域，通过形成加强构件50以及50A的层叠结构，能促进抑制变换层30的端部处的传感器基板12的挠曲的效果。另外，也可以取代设置隔离件46，仿照图17所示的示例，在形成于变换层30(保护层65)与加强构件50之间以及传感器基板12与加强构件50之间的空间填充填充件70。
可以如图24～图28所示那样，将加强构件50设置成其端部与传感器基板12的端部对齐。另外，加强构件50的端部的位置和传感器基板12的端部的位置不需要完全一致。
在图24所示的示例中，加强构件50在与变换层30的中央部30A对应的区域经由粘结层48与保护层65粘结，在与变换层30的周缘部30B对应的区域以及其进一步外侧的区域，在变换层30(保护层65)与加强构件50之间以及传感器基板12与加强构件50之间，形成与变换层30的周缘部30B中的倾斜相应的空间。
在图25所示的示例中，加强构件50的端部被隔离件46支承。即，隔离件46的一端与设置于传感器基板12的端部的柔性线缆112连接，隔离件46的另一端经由粘结层47与加强构件50的端部连接。通过用隔离件46对在与传感器基板12之间形成空间的同时进行延伸的加强构件50的端部进行支承，能抑制加强构件50的剥离。另外，能使加强构件50所带来的挠曲抑制效果作用到传感器基板12的端部附近。
在图26所示的示例中，在形成于变换层30(保护层65)与加强构件50之间以及传感器基板12与加强构件50之间的空间填充填充件70。在本实施方式中，柔性线缆112与端子113的连接部被填充件70覆盖。如此，通过在形成于变换层30(保护层65)与加强构件50之间以及传感器基板12与加强构件50之间的空间填充填充件70，与图24所示的形态比较，能抑制加强构件50从变换层30(保护层65)剥离。进而，由于变换层30成为通过加强构件50以及填充件70双方固定在传感器基板12的结构，因此能抑制变换层30从传感器基板12的剥离。另外，通过柔性线缆112与端子113的连接部被填充件70覆盖，能抑制柔性线缆112的剥离。
在图27所示的示例中，加强构件50的外周部沿着变换层30的周缘部30B中的倾斜而折弯，且还覆盖粘结层64以及保护层65在传感器基板12上覆盖的部分、其外侧的基板上以及端子113与柔性线缆112的连接部。加强构件50的在传感器基板12上以及柔性线缆112上延伸的部分分别经由粘结层48与传感器基板12以及柔性线缆112粘结。通过柔性线缆112与端子113的连接部被挠曲加强构件50覆盖，能抑制柔性线缆112的剥离。另外，由于设想在柔性线缆112的另一端连接搭载电子部件的控制基板，因此在柔性线缆112与端子113的连接部，有可能会在传感器基板1出现比较大的挠曲。通过柔性线缆112与端子113的连接部被加强构件50覆盖，能抑制该部分处的传感器基板12的挠曲。
在图28所示的示例中，在形成于变换层30(保护层65)与加强构件50之间以及传感器基板12与加强构件50之间的空间填充填充件70。另外，在与变换层30的端部对应的区域，在加强构件50的表面进一步隔着粘结层48A层叠其他挠曲加强构件50A。更具体地，加强构件50A设置于跨过变换层30的端部(外缘、边缘)的区域。加强构件50A可以由与加强构件50相同的材料构成。在放射线检测器10中，在变换层30的端部，传感器基板12的挠曲量比较大。在与变换层30的端部对应的区域，通过形成加强构件50以及50A的层叠结构，能促进抑制变换层30的端部处的传感器基板12的挠曲的效果。
另外，也可以如图29～图33所示那样，加强构件50设置成其端部位于比传感器基板12的端部更靠外侧的位置。
在图29所示的示例中，加强构件50在与变换层30的中央部30A对应的区域经由粘结层48与保护层65粘结，在与变换层30的周缘部30B对应的区域以及其进一步外侧的区域，在变换层30(保护层65)与加强构件50之间以及传感器基板12与加强构件50之间形成与变换层30的周缘部30B中的倾斜相应的空间。
在图30所示的示例中，加强构件50的端部被隔离件46支承。即，隔离件46的一端与设置于传感器基板12的端部的柔性线缆112连接，隔离件46的另一端经由粘结层47与加强构件50的端部连接。通过用隔离件46对在与传感器基板12之间形成空间的同时进行延伸的加强构件50的端部进行支承，能抑制加强构件50的剥离。另外，能使加强构件50所带来的挠曲抑制效果作用到传感器基板12的端部附近。
在图31所示的示例中，在形成于变换层30(保护层65)与加强构件50之间以及传感器基板12与加强构件50之间的空间填充填充件70。在本实施方式中，柔性线缆112与端子113的连接部被填充件70覆盖。如此，通过在形成于变换层30(保护层65)与加强构件50之间以及传感器基板12与加强构件50之间的空间填充填充件70，与图29所示的形态比较，能抑制加强构件50从变换层30(保护层65)的剥离。进而，由于变换层30成为通过加强构件50以及填充件70双方固定在传感器基板12的结构，因此能抑制变换层30从传感器基板12的剥离。另外，通过柔性线缆112与端子113的连接部被填充件70覆盖，能抑制柔性线缆112的剥离。
在图32所示的示例中，加强构件50的外周部沿着变换层30的周缘部30B中的倾斜而折弯，且还覆盖粘结层64以及保护层65在传感器基板12上覆盖的部分、其外侧的基板上以及端子113与柔性线缆112的连接部。加强构件50的在传感器基板12上以及柔性线缆112上延伸的部分分别经由粘结层48与传感器基板12以及柔性线缆112粘结。通过柔性线缆112与端子113的连接部被加强构件50覆盖，能抑制柔性线缆112的剥离。另外，由于设想在柔性线缆112的另一端连接搭载电子部件的控制基板，因此在柔性线缆112与端子113的连接部，有可能在传感器基板12出现比较大的挠曲。通过柔性线缆112与端子113的连接部被加强构件50覆盖，能抑制该部分处的传感器基板12的挠曲。
在图33所示的示例中，在形成于变换层30(保护层65)与加强构件50之间以及传感器基板12与加强构件50之间的空间填充填充件70。另外，在与变换层30的端部对应的区域，在加强构件50的表面进一步隔着粘结层48A层叠其他加强构件50A。更具体地，加强构件50A设置于跨过变换层30的端部(外缘、边缘)的区域。加强构件50A可以由与加强构件50相同的材料构成。在放射线检测器10中，在变换层30的端部，传感器基板12的挠曲量比较大。在与变换层30的端部对应的区域，通过形成加强构件50以及50A的层叠结构，能促进抑制变换层30的端部处的传感器基板12的挠曲的效果。
如上述那样，在放射线检测器10的制造工序中，在玻璃基板等支承体200隔着剥离层202贴附具有挠性的传感器基板12，在传感器基板12上层叠变换层30后，将支承体200从传感器基板12剥离。这时，在具有挠性的传感器基板12出现挠曲，由此形成于传感器基板12上的像素16有可能损伤。通过在将支承体200从传感器基板12剥离前，以图13～图33例示那样的形态在变换层30上层叠加强构件50，能抑制将支承体从传感器基板12剥离时出现的传感器基板12的挠曲，能降低像素16损伤的风险。
另外，加强构件50并不限于单一的层(单层)，也可以由多层构成。例如在图34所示的示例中，示出放射线检测器10将加强构件50设为从靠近变换层30那方起依次层叠第1加强构件50B、第2加强构件50C以及第3加强构件50D而成的3层的多层膜的形态。
在将加强构件50设为多层的情况下，优选加强构件50中包含的各层具有不同的功能。例如在图34所示的一例中，通过将第1加强构件50B以及第3加强构件50D设为具有非导电性的带电防止功能的层，将第2加强构件50C设为导电性的层，能使加强构件50带有电磁屏蔽功能。作为该情况下的第1加强构件50B以及第3加强构件50D，例如能举出利用带电防止涂料“COLCOAT”(商品名：COLCOAT公司制)的膜等带电防止膜。另外，作为第2加强构件50C，例如能举出导电性片、Cu等导电性的网眼片等。
例如在放射线检测器10的读取方式是ISS方式的情况下，虽然有时会在变换层30侧设置控制基板110、电源部108等(参考图52)，但在如此地加强构件50具有带电防止功能的情况下，能遮蔽来自控制基板110、电源部108的电磁噪声。
另外，图35是表示加强构件50的结构的一例的俯视图。加强构件50可以在其主面具有多个贯通孔50H。贯通孔50H的大小以及间距被确定成使得能在加强构件50得到所期望的刚性。
通过加强构件50具有多个贯通孔50H，能使导入到加强构件50与变换层30的接合面的空气从贯通孔50H排出。由此，能抑制加强构件50与变换层30的接合面中的气泡的产生。
在不存在使导入到加强构件50与变换层3的接合面的空气排出的手段的情况下，有可能会在上述接合面产生气泡。例如若通过放射线图像拍摄装置1的工作时的热而使在上述接合面产生的气泡膨胀，则加强构件50与变换层30的紧贴性就会降低。由此，有可能不能充分发挥加强构件50所带来的挠曲抑制效果。通过如图35所示那样使用具有多个贯通孔50H的加强构件50，能如上述那样抑制加强构件50与变换层30的接合面中的气泡的产生，因此能维持加强构件50与变换层30的紧贴性，能维持加强构件50所带来的挠曲抑制效果。
图36是表示加强构件50的结构的其他示例的立体图。在图36所示的示例中，加强构件50在与变换层30的接合面具有凹凸结构。该凹凸结构可以如图36所示那样构成为包含相互平行配置的多个槽63。加强构件50例如如图37所示那样，将具有多个槽63的凹凸结构的面与被反射层62覆盖的变换层30接合。通过如此地加强构件50在与变换层30的接合面具有凹凸结构，能使导入到加强构件50与变换层30的接合部的空气从槽63排出。由此，与图35所示的形态同样，能抑制加强构件50与变换层30的接合面中的气泡的产生。由此，能维持加强构件50与变换层30的紧贴性，能维持加强构件50所带来的挠曲抑制效果。
图38以及图39分别是表示加强构件50的结构的其他示例的俯视图。可以如图38以及图39所示那样，加强构件50被分断成多个断片54。加强构件50可以如图38所示那样，被分断成多个断片54(图545～5411)在一个方向上排列。另外，加强构件50也可以如图39所示那样，被分断成多个断片54(图541～544)在纵向以及横向上排列。
加强构件50的面积越大，越易于在加强构件50与变换层30的接合面产生气泡。通过如图38以及图39所示那样，将加强构件50分断成多个断片54，能抑制加强构件50与变换层30的接合面中的气泡的产生。由此，能维持加强构件50与变换层30的紧贴性，能维持加强构件50所带来的挠曲抑制效果。
另外，可以在应力中立面调整构件36的与传感器基板12(第2面14B)相接的一侧的相反侧设置加强构件52。图40～图44分别是表示加强构件52的设置形态的示例的截面图。
在图40～图44所示的示例中，在应力中立面调整构件36的传感器基板12侧的面的相反侧的面隔着粘结层51层叠加强构件52。加强构件52可以由与加强构件50相同的材料构成。在将放射线检测器10设为ISS方式来使用的情况下，为了极力减小加强构件52与像素区域15重叠的部分的面积，加强构件52优选仅设置于传感器基板12的外周部。即，加强构件52可以如图40～图44所示那样是在与像素区域15对应的部分具有开口61的环状。如此，通过在传感器基板12的外周部形成应力中立面调整构件36以及加强构件52的层叠结构，能加强比较易于出现挠曲的传感器基板12的外周部的刚性。
在图40～图42所示的示例中，加强构件52设置于跨过变换层30的端部(外缘、边缘)的区域。在放射线检测器10中，在变换层30的端部，传感器基板12的挠曲量比较大。在与变换层30的端部对应的区域，通过形成应力中立面调整构件36以及加强构件52的层叠结构，能促进抑制变换层30的端部处的传感器基板12的挠曲的效果。
在将放射线检测器10设为ISS方式来使用的情况下，在如图40所示那样加强构件52的一部分与像素区域15重叠的情况下，根据加强构件52的材质，有可能给图像带来影响。因此，在加强构件52的一部分与像素区域15重叠的情况下，作为加强构件52的材料而优选使用塑料。
如图41以及图42所示那样，最优选加强构件52是跨过变换层30的端部(外缘、边缘)且不与像素区域15重叠的形态(即，将加强构件52的开口61的端部配置于像素区域15的外侧的形态)。在图41所示的示例中，加强构件52的开口61的端部的位置和像素区域15的端部的位置大致一致。在图42所示的示例中，加强构件52的开口61的端部配置于像素区域15的端部与变换层30的端部之间。
另外，加强构件52的开口61的端部的位置可以如图43所示那样与变换层30的端部的位置大致一致，另外，也可以如图44所示那样，配置得比变换层30的端部更靠外侧。在该情况下，由于加强构件52并未成为跨过变换层30的端部(外缘、边缘)的结构，因此抑制变换层30的端部处的传感器基板12的挠曲的效果有可能会降低。但是，通过在柔性线缆112与端子113的连接部所存在的传感器基板12的外周部形成应力中立面调整构件36以及加强构件52的层叠结构，可维持柔性线缆112与端子113的连接部处的传感器基板12的挠曲抑制的效果。
另外，在上述各实施方式的放射线检测器10中，说明了传感器基板12(基材14)与应力中立面调整构件36的大小相同的形态，但传感器基板12和应力中立面调整构件36也可以大小不同。
例如，在将放射线检测器10运用在放射线图像拍摄装置1的情况下，有时在收纳放射线检测器10的外壳120(参考图7等)等中将放射线检测器10固定来使用。在这样的情况下，例如可以如图45A所示的一例那样，使应力中立面调整构件36大于传感器基板12，并设置挡板等，使用挡板等部分进行放射线检测器10的固定。例如，在应力中立面调整构件36的挡板部分设置孔，设为使用将孔贯通的螺丝来与外壳120(参考图7等)进行固定的形态。
另外，使应力中立面调整构件36大于传感器基板12的形态并不限定于图45A所示的形态。也可以由层叠的多个层构成应力中立面调整构件36，对于一部分层设为大于传感器基板12的形态。例如可以如图45B所示那样，将应力中立面调整构件36设为具有与传感器基板12(基材14)相同程度的大小的第1层36D以及传比感器基板12大的第2层36E的2层结构。第1层36D和第2层36E通过双面胶带或粘着层等(图示省略)贴合。作为第1层36D，例如优选由与上述的应力中立面调整构件36同样的材质形成，且具有与应力中立面调整构件36同样的性质。另外，第2层36E通过双面胶带或粘着层等(图示省略)贴合在基材14的第2面14B。作为第2层36E，例如能运用ALPET(注册商标)。另外，在由多个层构成应力中立面调整构件36的情况下，也可以与图45B所示的形态相反，如图45C所示那样，设为使第1层36D贴合在基材14的第2面14B的形态。
如上述那样，在使用设置于应力中立面调整构件36的挡板等将放射线检测器10固定在外壳120(参考图7等)等的情况下，有时会在使挡板部分弯曲的状态下进行固定。厚度越薄则应力中立面调整构件36的挡板部分越易于弯曲，能不给放射线检测器10主体带来影响地仅使挡板部分弯曲。因此，在使挡板部分等弯折的情况下，优选如图45B以及图45C所示的一例那样，由层叠的多个层构成应力中立面调整构件36，对于一部分层，设为比传感器基板12大的形态。
另外，也可以如图46所示的示例那样，与上述图45A～图45C的放射线检测器10相反，使应力中立面调整构件36小于传感器基板12。通过传感器基板12的端部位于比应力中立面调整构件36的端部更靠外部的位置，例如在进行将放射线检测器10收纳于外壳120(参考图7等)等组装的情况下，由于易于确认传感器基板12的端部的位置，因此能提升定位的精度。另外，并不限定于图46所示的形态，只要传感器基板12(基材14)的端部的至少一部分位于比力中立面调整构件36更靠外部的位置，就能得到同样的效果，因而优选。
进而，参考图47～图53来说明在外壳120内收容放射线检测器10的放射线图像拍摄装置1的示例。图47～图53分别是表示放射线图像拍摄装置1的其他的结构例的图。
在图47所示的示例中，与上述图7所示的放射线图像拍摄装置1同样地示出ISS方式的放射线图像拍摄装置1的一例。另外，在图48所示的示例中示出PSS方式的放射线图像拍摄装置1的一例。在图47以及图48所示的示例中例示了放射线检测器10、控制基板110以及电源部108在图中横向上并列设置的结构。
另外，在图47以及图48所示的示例中，在放射线检测器10与外壳120的拍摄面120A的内壁之间进一步设置保护层117。换言之，在入射放射线R的一侧即拍摄面120A侧进一步设置保护层117。作为保护层117，能运用通过使铝箔粘结在绝缘性的片(薄膜)等来层叠铝的ALPET(注册商标)的片、派瑞林(注册商标)膜以及聚对苯二甲酸乙二醇酯等绝缘性的片等防湿膜。保护层117具有针对像素区域15的防湿功能以及带电防止功能。因此，保护层117优选至少覆盖像素区域15的入射放射线R的一侧的面整体，优选覆盖入射放射线R的一侧的传感器基板12的面整体。
另外，在图47以及图48中示出将电源部108以及控制基板110双方设置于放射线检测器10的一侧、具体地设置于矩形的像素区域15的一边的一侧的形态，但设置电源部108以及控制基板110的位置并不限定于图47以及图48所示的形态。例如可以将电源部108以及控制基板110分散设置在放射线检测器10的对置的2边的各个边，也可以分散设置在相邻的2边的各个边。
另外，在如图47以及图48所示的示例那样，将放射线检测器10、控制基板110以及电源部108在与传感器基板12以及变换层30层叠的方向(层叠方向P)交叉的方向上排列配置的情况下，在设置电源部108以及控制基板110各自的外壳120的部分和设置放射线检测器10的外壳120的部分，外壳120的厚度可以不同。
如图48所示的示例那样，电源部108以及控制基板110各自大多具有比放射线检测器10厚的厚度。在这样的情况下，可以如图49所示的示例那样，与设置电源部108以及控制基板110各自的外壳120的部分的厚度相比，使设置放射线检测器10的外壳120的部分的厚度较薄。另外，如此在设置电源部108以及控制基板110各自的外壳120的部分和设置放射线检测器10的外壳120的部分使厚度不同的情况下，若在两部分的边界部出现级差，就可能会给接触到边界部120B的被检者带来不协调感等，因此边界部120B的形态优选设为具有倾斜的状态。
由此，能构成与放射线检测器10的厚度相应的极薄型的可移动型电子暗盒。
另外，例如在该情况下，在设置电源部108以及控制基板110各自的外壳120的部分和设置放射线检测器10的外壳120的部分，可以使外壳120的材质不同。进而，例如设置电源部108以及控制基板110各自的外壳120的部分和设置放射线检测器10的外壳120的部分可以作为分体来构成。
另外，如上述那样，外壳120优选放射线R特别是X射线的吸收率低且高刚性，优选由弹性模量充分高的材料构成，但也可以如图50所示的示例那样，对于与外壳120的拍摄面120A对应的部分120C，由放射线R的吸收率低且高刚性并且弹性模量充分高的材料构成，对于其他部分，由与部分120C不同的材料、例如弹性模量比部分120C低的材料构成。
另外，也可以如图51所示的示例那样，放射线检测器10和外壳120的内壁面相接。在该情况下，放射线检测器10和外壳120的内壁面可以经由粘结层粘结，也可以不经由粘结层而仅接触。如此，通过放射线检测器10和外壳120的内壁面相接，可更加确保放射线检测器10的刚性。
另外，在图52所示的示例中，与上述图8所示的放射线图像拍摄装置1同样地示出ISS方式的放射线图像拍摄装置1的一例。另外，在图53所示的示例中示出PSS方式的放射线图像拍摄装置1的一例。在图52以及图53所示的示例中，夹着片116以及基台118地设置传感器基板12和控制基板110以及电源部108。根据该结构，与放射线检测器10、控制基板110以及电源部108在图中横向并列设置的情况(参考图47～图51)比较，能减小放射线图像拍摄装置1的俯视观察下的尺寸。
此外，在上述各实施方式中，说明了对于应力中立面37的位置优选设为界面19的位置的形态，但应力中立面37的优选位置并不限定于界面19的位置。在变换层30与传感器基板12的紧贴性比较高的情况下，在变换层30从传感器基板12剥离之前，有时传感器基板12中的TFT20以及传感器部22等会发生损伤。这样，在变换层30与传感器基板12的紧贴性比较高的情况下等，优选如图54所示那样，通过应力中立面调整构件36，将应力中立面37的位置在上述预先确定的范围内设为传感器基板侧12侧的内部的位置。
日本申请特愿2018-051689号、特愿2018-219695号以及特愿2019-022125号的公开通过参考将其整体援引到本说明书中。
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Claims (35)

1.一种放射线检测器，具备：
传感器基板，其包含挠性的基材、以及设置于所述基材的第1面且形成有蓄积对应于从放射线变换的光而产生的电荷的多个像素的层；
变换层，其设置于形成所述像素的层中的设置所述基材的一侧的相反侧，将放射线变换成所述光；和
应力中立面调整构件，其设置于所述基材的所述第1面的相反侧的第2面侧，将应力中立面的位置从与所述传感器基板对置的所述变换层的面即界面调整到所述传感器基板以及所述变换层层叠的层叠方向的预先确定的范围内。
2.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述预先确定的范围是比不设置所述应力中立面调整构件的情况下的所述界面与所述应力中立面的距离短的范围。
3.根据权利要求1或2所述的放射线检测器，其中，
所述应力中立面调整构件至少设置于覆盖所述传感器基板和所述变换层对置的区域的区域。
4.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述应力中立面调整构件的弯曲弹性模量是150MPa以上且2500MPa以下。
5.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述应力中立面调整构件的材料包含聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯以及低密度聚乙烯中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述应力中立面调整构件的热膨胀系数相对于所述变换层的热膨胀系数之比是0.5以上且4以下。
7.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述应力中立面调整构件的热膨胀系数是30ppm/K以上且200ppm/K以下。
8.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述放射线检测器还具备：
紧贴层，其设置于所述界面，且与所述传感器基板以及所述变换层相接。
9.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述放射线检测器还具备：
缓冲层，其设置于所述传感器基板与所述变换层之间，对所述变换层的热膨胀系数与所述传感器基板的热膨胀系数之差进行缓冲。
10.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述应力中立面调整构件包含在所述层叠方向上层叠的功能不同的多个膜。
11.根据权利要求10所述的放射线检测器，其中，
所述多个膜包含应力中立面调整膜和带电防止膜。
12.根据权利要求11所述的放射线检测器，其中，
所述带电防止膜设置得比所述应力中立面调整膜更靠所述第2面侧。
13.根据权利要求10所述的放射线检测器，其中，
所述多个膜包含应力中立面调整膜和防湿膜。
14.根据权利要求13所述的放射线检测器，其中，
所述防湿膜设置得比所述应力中立面调整膜更靠所述第2面侧。
15.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述基材是树脂制，且具有包含平均粒子径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机的微粒子的微粒子层。
16.根据权利要求15所述的放射线检测器，其中，
所述基材在所述第2面侧具有所述微粒子层。
17.根据权利要求15或16所述的放射线检测器，其中，
所述微粒子包含原子序数比构成所述基材的元素大且原子序数为30以下的元素。
18.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述基材在300℃～400℃下的热膨胀系数是20ppm/K以下。
19.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述基材在厚度为25μm的状态下满足400℃下的纵向MD方向的热收缩率为0.5％以下、以及500℃下的弹性模量为1GPa以上这两者中的至少一者。
20.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述应力中立面调整构件的刚性比所述基材高。
21.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述变换层包含CsI。
22.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
进一步在所述变换层层叠于所述传感器基板而成的层叠体的所述变换层侧具备加强构件。
23.根据权利要求22所述的放射线检测器，其中，
所述加强构件遍及比所述变换层延伸的范围广的范围进行延伸。
24.根据权利要求22所述的放射线检测器，其中，
所述加强构件在与所述变换层的中央部以及周缘部对应的区域延伸。
25.根据权利要求23或24所述的放射线检测器，其中，
所述变换层的周缘部具有越接近所述变换层的外周则厚度越薄的倾斜，
所述加强构件沿着所述变换层的所述周缘部具有的所述倾斜而设置。
26.根据权利要求23所述的放射线检测器，其中，
所述变换层的周缘部具有越接近所述变换层的外周则厚度越薄的倾斜，
在所述加强构件与所述变换层之间形成与所述变换层的所述周缘部具有的倾斜相应的空间。
27.根据权利要求26所述的放射线检测器，其中，
在形成于所述加强构件与所述变换层之间的所述空间填充填充件。
28.根据权利要求23所述的放射线检测器，其中，
所述加强构件的端部由隔离件支承。
29.根据权利要求23所述的放射线检测器，其中，
所述变换层的周缘部具有越接近所述变换层的外周则厚度越薄的倾斜，
所述加强构件沿着所述变换层的所述周缘部具有的倾斜而设置，并且端部由密封构件密封。
30.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
进一步在所述应力中立面调整构件的所述传感器基板的相反侧的面具备加强构件。
31.根据权利要求30所述的放射线检测器，其中，
所述加强构件设置在跨过所述变换层的端部的区域，并且设置在与设置所述多个像素的像素区域不重叠的区域。
32.一种放射线图像拍摄装置，具备：
权利要求1～2、权利要求4～16、权利要求18～24、权利要求26～31中任一项所述的放射线检测器；
控制部，其输出用于读出蓄积于所述多个像素的电荷的控制信号；
驱动部，其对应于所述控制信号输出用于从所述多个像素读出电荷的驱动信号；和
信号处理部，其输入与从所述多个像素读出的电荷相应的电信号，生成并输出与所输入的所述电信号相应的图像数据。
33.根据权利要求32所述的放射线图像拍摄装置，其中，
在与所述放射线检测器中的基材、形成有多个像素的层以及变换层排列的层叠方向交叉的方向上，排列设置所述控制部和所述放射线检测器。
34.根据权利要求32所述的放射线图像拍摄装置，其中，
所述放射线图像拍摄装置还具备：
电源部，其对所述控制部、所述驱动部以及所述信号处理部中的至少一者提供电力，
在与所述放射线检测器中的传感器基板、变换层以及应力中立面调整构件排列的层叠方向交叉的方向上，排列设置所述电源部、所述控制部和所述放射线检测器。
35.根据权利要求32所述的放射线图像拍摄装置，其中，
所述放射线图像拍摄装置还具备：
外壳，其具有被照射放射线的照射面，在所述放射线检测器中的传感器基板以及变换层当中的所述传感器基板与所述照射面对置的状态下收纳所述放射线检测器。
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