JP5744570B2 - 放射線検出装置、放射線検出装置の製造方法及び放射線検出システム - Google Patents

放射線検出装置、放射線検出装置の製造方法及び放射線検出システム Download PDF

Info

Publication number
JP5744570B2
JP5744570B2 JP2011045706A JP2011045706A JP5744570B2 JP 5744570 B2 JP5744570 B2 JP 5744570B2 JP 2011045706 A JP2011045706 A JP 2011045706A JP 2011045706 A JP2011045706 A JP 2011045706A JP 5744570 B2 JP5744570 B2 JP 5744570B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
scintillator
protective layer
sensor
temperature
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2011045706A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012181158A (ja
Inventor
竹田 慎市
慎市 竹田
井上 正人
正人 井上
正喜 秋山
正喜 秋山
石井 孝昌
孝昌 石井
覚 澤田
覚 澤田
大希 武井
大希 武井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2011045706A priority Critical patent/JP5744570B2/ja
Priority to US13/403,248 priority patent/US8779373B2/en
Priority to CN201210052458.2A priority patent/CN102654583B/zh
Publication of JP2012181158A publication Critical patent/JP2012181158A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5744570B2 publication Critical patent/JP5744570B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2006Measuring radiation intensity with scintillation detectors using a combination of a scintillator and photodetector which measures the means radiation intensity

Description

本発明は、放射線検出装置およびそれを含む放射線検出システムに関する。
シンチレータによって放射線を光に変換し、その光が形成する像を複数の光電変換素子が配列されたセンサアレイによって検出する放射線検出装置が知られている。このような放射線検出装置の製造方法として、特許文献1には、蛍光板(シンチレータ)と光センサ(センサアレイ)とを接着剤を用いて貼り合わせる方法が記載されている。
特開2003−066196号公報
特許文献1に記載された方法では、シンチレータと光センサとをそれぞれ作製した後に、それらをシンチレータおよび光センサとは別に用意された接着剤を用いて貼り合わせる。よって、接着剤の塗布のための工程が不可欠であり、製造工程の複雑さを招く。また、接着剤を用いる場合に、接着剤とそれに接する部材との間の屈折率差を小さくしなければ、接着剤とそれに接する部材との界面において反射が起こり、感度および解像度が低下しうる。
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、製造工程の単純化、および/または、感度および解像度の向上に有利な技術を提供することを目的とする。
本発明の1つの側面は、放射線検出装置に係り、前記放射線検出装置は、放射線を光に変換するシンチレータ層と前記シンチレータ層を保護するシンチレータ保護層とを含むシンチレータパネルと、前記シンチレータ層からの光を検出する複数の光電変換素子が配列されたセンサアレイと前記センサアレイを保護するセンサ保護層とを含むセンサパネルと、を備え、前記シンチレータ保護層を接着剤として前記シンチレータ層と前記センサ保護層とを接着することにより、前記シンチレータパネルと前記センサパネルとが結合されていて、前記シンチレータ保護層の主成分が前記センサ保護層の主成分と同一である。
本発明によれば、製造工程の単純化、および/または、感度および解像度の向上に有利な技術が提供される。
本発明の第1実施形態の放射線検出装置の構成を模式的に示す断面図。 本発明の第2実施形態の放射線検出装置の構成を模式的に示す断面図。 本発明の第3実施形態の放射線検出装置の構成を模式的に示す断面図。 本発明の第4実施形態の放射線検出装置の構成を模式的に示す断面図。 本発明の第5実施形態の放射線検出装置の構成を模式的に示す断面図。
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
図1を参照しながら本発明の第1実施形態の放射線検出装置RDについて説明する。まず、放射線検出装置RDの動作を説明する。不図示の放射線源から被検体に向けて放射された放射線(例えばX線)Rは、被検体を減衰しながら透過し、シンチレータパネル200のシンチレータ層21に入射する。シンチレータ層21は、入射した放射線を光(例えば可視光)に変換する。シンチレータ層21によって変換された光は、センサパネル100のセンサアレイ10に入射し、センサアレイ10の光電変換素子によって電荷に変換され、これが電気信号として不図示の周辺回路ユニットによって外部に読み出される。
次に、放射線検出装置RDの構成を説明する。放射線検出装置RDは、シンチレータパネル200と、センサパネル100とを含む。シンチレータパネル200は、放射線を光に変換するシンチレータ層21と、シンチレータ層21を保護するシンチレータ保護層22とを含む。シンチレータ層21は、例えば、CsI:Tlの柱状結晶の集合体で構成されうる。シンチレータパネル200は、更に、シンチレータ層21を支持する支持基板20を含みうる。センサパネル100は、シンチレータ層21からの光を検出する複数の光電変換素子が配列されたセンサアレイ10と、センサアレイ10を保護するセンサ保護層12とを含む。センサパネル100は、更に、センサアレイ10を支持する支持基板20を含みうる。シンチレータパネル200とセンサパネル100との結合体は、基台90によって支持されうる。該結合体と基台90とは、接着材料300によって結合されうる。
シンチレータパネル200とセンサパネル100とは、シンチレータ保護層22を接着剤として用いてシンチレータ層21とセンサ保護層12とを接着することにより結合される。シンチレータ保護層22を接着剤として用いることにより、シンチレータパネル200とセンサパネル100とを結合する際に、シンチレータパネル200にもセンサパネル100にも接着剤を塗布する必要がないので、製造工程が単純化される。
シンチレータ保護層22の主成分は、センサ保護層12の主成分と同一である。これにより、シンチレータ保護層22の屈折率とセンサ保護層12の屈折率とを互いに近い値にすることができるので、シンチレータ保護層22とセンサ保護層12との界面における光の反射を低減し、感度および解像度を向上させうる。ここで、主成分とは、部材を構成する複数の成分のうち当該部材の全体重量に占める成分の重量が最も大きい成分を意味する。
シンチレータ保護層22を構成する材料およびセンサ保護層12を構成する材料は、熱可塑性の有機材料であるホットメルト樹脂でありうる。ホットメルト樹脂は、例えば、シート状に成型して使用されうる。シート状のホットメルト樹脂は、例えば、PET等のフィルムシート上に溶融したホットメルト樹脂を押し出しコート法により射出することにより製造されうる。シート状のホットメルト樹脂を支持基板20上に形成されたシンチレータ層21を覆うように配置し、シンチレータ層21を加熱ラミネートまたは真空加熱ラミネートすることでシンチレータパネル200が製造されうる。同様に、シート状のホットメルト樹脂を支持基板15上に形成されたセンサアレイ10を覆うように配置し、センサアレイ10を加熱ラミネートまたは真空加熱ラミネートすることでセンサパネル100が製造されうる。
ホットメルト樹脂は、水や溶剤を含まない、室温で固体であり、100%不揮発性の熱可塑性材料からなる接着性樹脂と定義されるものである(Thomas. P. Flanagan, Adhesive Age, 9, No3, 28(1966))。ホットメルト樹脂は、温度が上昇すると溶融し、温度が低下すると固化する。また、ホットメルト樹脂は、加熱溶融状態では、他の有機材料、および無機材料に接着性をもち、常温では、固体状態となり接着性を持たないものである。ホットメルト樹脂は、極性溶媒、溶剤および水を含んでいないので、シンチレータ層(例えば、ハロゲン化アルカリからなる柱状結晶構造)21に接触してもシンチレータ層21を溶解させないため、シンチレータ保護層22の材料として好ましい。ホットメルト樹脂は、熱可塑性樹脂を溶剤に溶かし、溶媒塗布法によって形成された溶剤揮発硬化型の接着性樹脂とは異なる。また、ホットメルト樹脂は、エポキシ等に代表される化学反応によって形成される化学反応型の接着性樹脂とも異なる。ホットメルト樹脂材料は、主成分であるベースポリマー(ベース材料)の種類によって分類され、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリアミド系等を用いることができる。
図2を参照しながら本発明の第2実施形態の放射線検出装置RDについて説明する。ここで言及しない事項は第1実施形態に従いうる。第2実施形態では、シンチレータ層21を保護するシンチレータ保護層23を構成する材料が熱可塑・熱硬化性のポリイミド樹脂であり、センサアレイ10を保護するセンサ保護層11を構成する材料が熱硬化性のポリイミド樹脂である。よって、第2実施形態においても、シンチレータ保護層23の主成分がセンサ保護層11の主成分と同一である。これにより、シンチレータ保護層23の屈折率とセンサ保護層11の屈折率とを互いに近い値にすることができるので、シンチレータ保護層23とセンサ保護層11との界面における光の反射を低減し、感度および解像度を向上させうる。シンチレータ保護層23を構成する熱可塑・熱硬化性のポリイミド樹脂の屈折率は、1.6〜1.7であり、センサ保護層11を構成する熱硬化性のポリイミド樹脂の屈折率は、1.7である。
熱可塑・熱硬化性のポリイミド樹脂は、有機溶剤可溶性ポリイミド、エポキシ化合物および潜在性硬化剤を含有し、前記エポキシ化合物が固形エポキシ化合物と液状エポキシ化合物を含有するものであり、前記有機溶剤可溶性ポリイミドを主成分とする樹脂である。該熱可塑・熱硬化性のポリイミド樹脂は、温度を上昇させたときに、第1温度(例えば30℃)を超えると粘性の低下を開始し、第1温度より高い第2温度(例えば40℃)を超えると接着性が発現する。該熱可塑・熱硬化性のポリイミド樹脂は、更に、該第2温度より高い第3温度(例えば110℃)を超えると粘性の上昇(硬化)を開始し、該第3温度より高い第4温度(160℃)を超えると接着性を失う。ここで、一例において、該熱可塑・熱硬化性のポリイミド樹脂は、該第2温度以上かつ該第3温度未満の間では、恒温状態で放置しても5分以上接着性の維持が可能であるが、第3の温度以上では5分未満で接着性を喪失する。
以下、第2実施形態の放射線検出装置RDの製造方法を説明する。該製造方法は、第1工程と、第2工程とを含む。第1工程では、シンチレータ層21を保護するようにシンチレータ層21にシンチレータ保護層23を貼り付けてシンチレータパネル200を作製する。より具体的には、第1工程では、シンチレータ保護層23を加熱することでその粘性を低下させた後にシンチレータ保護層23を冷却することでその粘性を上昇させることによって、シンチレータ層21にシンチレータ保護層23を貼り付ける。第2工程では、センサアレイ10およびセンサ保護層11を含むセンサパネル100とシンチレータパネル200とを結合する。より具体的には、第2工程では、シンチレータ保護層23を加熱することでその粘性を低下させた後にシンチレータ保護層23を更に加熱することでその粘性を上昇させることによって、シンチレータパネル200とセンサパネル100とを結合する。
熱可塑・熱硬化性のポリイミド樹脂は、例えば、シート状に成型して使用されうる。熱可塑・熱硬化性のポリイミド樹脂をシート状に成型するには、ポリイミド樹脂を構成する成分を均一に混合した後に該ポリイミド樹脂をプラスチックなどで挟んで圧延(例えばロール圧延)すればよい。また、熱可塑性のポリイミドを溶媒中で混合してワニス状としたものをプラスチックフィルム上に塗布し、脱溶媒させてシート状に加工することもできる。
第1工程では、シート状の熱可塑・熱硬化性のポリイミド樹脂を支持基板20上に形成されたシンチレータ層21を覆うように配置し、シンチレータ層21に該ポリイミド樹脂を加熱プレスする。これにより、シンチレータ層21にシンチレータ保護層23が貼り合わせられる。
シンチレータ層21に対するシンチレータ保護層23としての熱可塑・熱硬化性のポリイミド樹脂の貼り合わせは、例えば、該ポリイミド樹脂の粘性が低下する40℃〜150℃の範囲内の温度で、加熱ラミネートまたは真空加熱ラミネートによりなされうる。この状態では、シンチレータ保護層23としての熱可塑・熱硬化性のポリイミド樹脂は、熱可塑性の材料としての機能を有する。その後、シンチレータ保護層23としての熱可塑・熱硬化性のポリイミド樹脂を冷却(強制冷却または自然冷却)することでその粘性が上昇し、該ポリイミド樹脂がシンチレータ層21に貼り付けられる。
第2工程では、基台90に搭載されたセンサアレイ10に対してシンチレータパネル200を加熱加圧することによってセンサパネル100とシンチレータパネル200とを結合する。この加熱加圧は、例えば、100℃以上の温度および0.1MPa以上の圧力でなされうる。第2工程は、好ましくは、120℃以上300℃以下の範囲内の温度で、加熱ラミネートまたは真空加熱ラミネートによってなされうる。それにより、シンチレータ保護層23がセンサパネル100のセンサ保護層13に密着した状態で熱硬化し、シンチレータパネル200とセンサパネル100とが結合される。
図3を参照しながら本発明の第3実施形態の放射線検出装置RDについて説明する。ここで言及しない事項は、第2実施形態に従いうる。第3実施形態の放射線検出装置RDにおいて、シンチレータパネル200は、第2実施形態のシンチレータパネル200と同じであるが、センサパネル100については、第2実施形態のセンサ保護層11がセンサ保護層13によって置き換えられている。センサ保護層13は、第2実施形態におけるシンチレータ保護層23と同様の熱可塑・熱硬化性のポリイミド樹脂で構成されている。センサアレイ10に対するセンサ保護層13としての熱可塑・熱硬化性のポリイミド樹脂の貼り合わせは、第1実施形態におけるシンチレータ層21に対するシンチレータ保護層23としての熱可塑・熱硬化性のポリイミド樹脂の貼り合わせと同様に行うことができる。この構成によれば、シンチレータ保護層23の屈折率とセンサ保護層13の屈折率とを互いに近い値にすることができるので、シンチレータ保護層23とセンサ保護層13との界面における光の反射を低減し、感度および解像度を向上させうる。
図4を参照しながら本発明の第4実施形態の放射線検出装置RDについて説明する。ここで言及しない事項は、第1、第2実施形態に従いうる。第4実施形態におけるセンサパネル100は、第2実施形態のセンサパネル100と同じである。第4実施形態におけるシンチレータパネル200は、第3実施形態におけるシンチレータパネル200のシンチレータ層21とシンチレータ保護層23との間に追加のシンチレータ保護層24が配置されている。追加のシンチレータ保護層24は、例えば、パリレンで構成されうる。パリレンは、真空装置によるプラズマ重合法での形成が可能な有機材料であり、微細な凹凸部分への付着が良好である。特に、シンチレータ層21の材料として柱状結晶構造が形成できるCSI:Tl等を用いる場合、形成後のシンチレータ層21は湿度による特性劣化が顕著であるため大気中での作業や保管が困難である。パリレンは、真空における除湿状態で保護層が形成できる。
パリレンからなるシンチレータ保護層24は、高真空状態でシンチレータ層21を形成した後に、高真空状態を維持したままで形成される。パリレンからなるシンチレータ保護層24の厚さは、大気中での高い耐湿性を確保できる厚さ、例えば、数μm〜数十μmの範囲の厚さにされうる。その後、シート状の熱可塑・熱硬化性のポリイミド樹脂によってシンチレータ保護層23が形成されうる。このような構造は、蛍光体特性を劣化させずに高い耐湿性を得るために有利である。ここでは、2つのシンチレータ保護層23、24を設ける例を説明したが、3以上の複数のシンチレータ保護層を設けてもよい。
シンチレータ保護層24を構成するパリレンの屈折率は1.65であり、シンチレータ保護層23を構成する熱可塑・熱硬化性のポリイミド樹脂の屈折率は、1.6〜1.7であり、センサ保護層11を構成する熱硬化性のポリイミド樹脂の屈折率は、1.7である。よって、これらの層の間の界面での反射が小さく、感度および解像度の低下が抑えられる。
図5を参照しながら第1〜第4実施形態に代表される放射線検出装置RDが組み込まれた放射線検出システムの例を説明する。X線チューブ(放射線源)6050で発生したX線6060は患者あるいは被検体(被験者)6061の胸部6062を透過して放射線検出装置RDに入射する。この入射したX線には被検体6061の体内部分の情報が含まれている。放射線検出装置RDは、入射したX線をシンチレータ層によって光に変換し、これをセンサアレイによって検出する。これにより、被検体6061の体内部分の情報を含む画像が得られる。この画像は、イメージプロセッサ(処理部)6070により処理され制御室のディスプレイ6080に表示されうる。また、この画像は、電話回線6090等の伝送処理部により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなどディスプレイ6081に表示され、または記録部としての光ディスク等に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また、記録部としてのフィルムプロセッサ6100により記録媒体としてのフィルム6110に記録することもできる。また、記録部としてのレーザプリンタによって紙に印刷することもできる。

Claims (7)

  1. 放射線を光に変換するシンチレータ層と前記シンチレータ層を保護するシンチレータ保護層とを含むシンチレータパネルと、
    前記シンチレータ層からの光を検出する複数の光電変換素子が配列されたセンサアレイと前記センサアレイを保護するセンサ保護層とを含むセンサパネルと、を備え、
    前記シンチレータ保護層を接着剤として前記シンチレータ層と前記センサ保護層とを接着することにより、前記シンチレータパネルと前記センサパネルとが結合されていて、
    前記シンチレータ保護層の主成分が前記センサ保護層の主成分と同一である、
    ことを特徴とする放射線検出装置。
  2. 前記シンチレータ保護層および前記センサ保護層を構成する材料がホットメルト樹脂である、
    ことを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。
  3. 前記シンチレータ保護層を構成する材料は、温度を上昇させたときに、第1温度を超えると粘性の低下を開始し、前記第1温度より高い第2温度を超えると接着性を発現し、前記第2温度より高い第3温度を超えると粘性の上昇を開始し、前記第3温度より高い第4温度を超えると接着性を失う材料であり、
    前記センサ保護層を構成する材料がポリイミド樹脂である、
    ことを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。
  4. 前記シンチレータ保護層および前記センサ保護層を構成する材料が、温度を上昇させたときに、第1温度を超えると粘性の低下を開始し、前記第1温度より高い第2温度を超えると接着性を発現し、前記第2温度より高い第3温度を超えると粘性の上昇を開始し、前記第3温度より高い第4温度を超えると接着性を失う材料である、
    ことを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。
  5. 放射線検出装置の製造方法であって、
    放射線を光に変換するシンチレータ層を保護するように前記シンチレータ層にシンチレータ保護層を貼り付けてシンチレータパネルを作製する第1工程と、
    前記シンチレータ層からの光を検出する複数の光電変換素子が配列されたセンサアレイと前記センサアレイを保護するセンサ保護層とを含むセンサパネルと前記シンチレータパネルとを結合する第2工程と、を含み、
    前記シンチレータ保護層の主成分が前記センサ保護層の主成分と同一であり、
    前記第2工程では、前記シンチレータ保護層を接着剤として前記シンチレータ層と前記センサ保護層とを接着することにより、前記シンチレータパネルと前記センサパネルとを結合する
    ことを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
  6. 前記第1工程は、前記シンチレータ保護層を加熱することでその粘性を低下させた後に前記シンチレータ保護層を冷却することでその粘性を上昇させることによって前記シンチレータ層にシンチレータ保護層を貼り付け、
    前記第2工程では、前記シンチレータ保護層を加熱することでその粘性を低下させた後に前記シンチレータ保護層を更に加熱することでその粘性を上昇させることによって前記シンチレータパネルと前記センサパネルとを結合する、
    ことを特徴とする請求項5に記載の放射線検出装置の製造方法。
  7. 放射線源と、
    前記放射線源から放射され被検体を透過して放射線を検出するように構成された請求項1乃至4のいずれか1項に記載の放射線検出装置と、
    を備えることを特徴とする放射線検出システム。
JP2011045706A 2011-03-02 2011-03-02 放射線検出装置、放射線検出装置の製造方法及び放射線検出システム Expired - Fee Related JP5744570B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011045706A JP5744570B2 (ja) 2011-03-02 2011-03-02 放射線検出装置、放射線検出装置の製造方法及び放射線検出システム
US13/403,248 US8779373B2 (en) 2011-03-02 2012-02-23 Radiation detection apparatus, radiation detection system and method of manufacturing radiation detection apparatus
CN201210052458.2A CN102654583B (zh) 2011-03-02 2012-03-02 放射线检测装置及其制造方法、以及放射线检测系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011045706A JP5744570B2 (ja) 2011-03-02 2011-03-02 放射線検出装置、放射線検出装置の製造方法及び放射線検出システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012181158A JP2012181158A (ja) 2012-09-20
JP5744570B2 true JP5744570B2 (ja) 2015-07-08

Family

ID=46730235

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011045706A Expired - Fee Related JP5744570B2 (ja) 2011-03-02 2011-03-02 放射線検出装置、放射線検出装置の製造方法及び放射線検出システム

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8779373B2 (ja)
JP (1) JP5744570B2 (ja)
CN (1) CN102654583B (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5138104B2 (ja) * 2011-03-30 2013-02-06 キヤノン株式会社 多孔質シンチレータ結晶体
US9362341B2 (en) * 2013-12-09 2016-06-07 General Electric Company X ray detection apparatus
JP2015230175A (ja) * 2014-06-03 2015-12-21 コニカミノルタ株式会社 放射線画像検出装置及びその製造方法
JP6512830B2 (ja) * 2015-01-09 2019-05-15 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線検査装置
KR20190099539A (ko) * 2017-02-17 2019-08-27 야스 메디칼 이메이징 테크놀로지 가부시키가이샤 신틸레이터 모듈, 신틸레이터 센서 유닛 및 신틸레이터 모듈의 제조 방법
CN110161551A (zh) * 2019-05-13 2019-08-23 河北沐嵩科技有限公司 一种自加热式的塑料闪烁体辐射量监测装置
US11589464B2 (en) * 2020-12-22 2023-02-21 Hamilton Sundstrand Corporation Protective coating for electrical components and method of making the protective coating

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4587431B2 (ja) 2001-08-30 2010-11-24 キヤノン株式会社 蛍光板の製造方法および放射線検出装置の製造方法
US6847041B2 (en) 2001-02-09 2005-01-25 Canon Kabushiki Kaisha Scintillator panel, radiation detector and manufacture methods thereof
WO2006016505A1 (en) * 2004-08-10 2006-02-16 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detecting apparatus, scintillator panel, their manufacturing method and radiation detecting system
JP4612815B2 (ja) * 2004-08-10 2011-01-12 キヤノン株式会社 放射線検出装置、シンチレータパネル、これらの製造方法及び放射線検出システム
JP4612876B2 (ja) * 2004-08-10 2011-01-12 キヤノン株式会社 放射線検出装置、シンチレータパネル、これらの製造方法及び放射線検出システム
US20080258067A1 (en) * 2004-08-20 2008-10-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Microelectronic System with a Passivation Layer
FR2916575B1 (fr) 2007-05-23 2009-09-18 Trixell Sas Soc Par Actions Si Procede de realisation d'un detecteur de rayonnement
JP2009146625A (ja) 2007-12-12 2009-07-02 Sony Corp 色素増感光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
CN102654583A (zh) 2012-09-05
US8779373B2 (en) 2014-07-15
JP2012181158A (ja) 2012-09-20
US20120223237A1 (en) 2012-09-06
CN102654583B (zh) 2015-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5744570B2 (ja) 放射線検出装置、放射線検出装置の製造方法及び放射線検出システム
JP4266898B2 (ja) 放射線検出装置とその製造方法および放射線撮像システム
TWI290231B (en) Radiation detecting apparatus, scintillator panel, their manufacturing method and radiation detecting system
US8648312B2 (en) Radiation detection apparatus, manufacturing method thereof, and radiation detection system
JP5607426B2 (ja) 放射線検出装置及び放射線撮像システム
JP4289913B2 (ja) 放射線検出装置及びその製造方法
US8779369B2 (en) Radiation detection apparatus, scintillator panel, method for manufacturing same and radiation detection system
JP6000680B2 (ja) 放射線検出装置、その製造方法及び撮像システム
JP5562134B2 (ja) 放射線検出装置、その製造方法及び放射線撮像システム
US20120318990A1 (en) Radiation detection panel and radiation imaging apparatus
JP4819152B2 (ja) 光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
JP2006189377A (ja) シンチレータパネル、放射線検出装置、及び放射線検出システム
JP2014032170A (ja) 放射線検出パネルおよび放射線画像検出器
US20150276940A1 (en) Radiation detecting device, manufacturing method for radiation detecting device
KR20110113482A (ko) 직접 증착 방식에 의한 방사선 이미지 센서의 제조방법
JP4612815B2 (ja) 放射線検出装置、シンチレータパネル、これらの製造方法及び放射線検出システム
JP4208789B2 (ja) 放射線検出装置、その製造方法、シンチレータパネル、及び放射線検出システム
US10345455B2 (en) Radiation detection apparatus, radiation imaging system, and method of manufacturing radiation detection apparatus
JP2007057428A (ja) 放射線検出装置及び放射線撮像システム
JP6270450B2 (ja) 放射線検出装置、放射線検出システム、及び、放射線検出装置の製造方法
US20140093041A1 (en) Detecting apparatus, radiation detecting system, and method of manufacturing detecting apparatus
JP6077787B2 (ja) 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
US10871581B2 (en) Scintillator module, scintillator sensor unit, and scintillator module production method
KR101168874B1 (ko) 신틸레이터 패널, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 방사선 검출기

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140218

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20141023

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141114

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150107

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150403

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150430

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5744570

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees