JP4612815B2 - 放射線検出装置、シンチレータパネル、これらの製造方法及び放射線検出システム - Google Patents

Description

本発明は、放射線検出装置、シンチレータパネル、これらの製造方法及び放射線検出システムに関し、特に、医療用診断装置、非破壊検査装置などに用いられる放射線検出装置、シンチレータパネル、これらの製造方法及び放射線検出システムに関する。

なお、本明細書においては、放射線の範疇に、Ｘ線、α線、β線、γ線などの電磁波も含むものとして説明する。

近年、少なくとも大面積の平面に形成された光電変換素子の表面にＸ線を照射することによって発光する蛍光体層を積層したデジタル放射線検出装置が商品化されている。

これらデジタル放射線検出装置の中でも、高感度で高鮮鋭な装置として、特許文献１，２等に開示されているように、複数のフォトセンサー及びＴＦＴ等の電気素子が２次元に配置されている光電変換素子部からなる光検出器（「センサーパネル」とも言う）上に、放射線を光電変換素子で検出可能な光に変換するための蛍光体層を直接形成してなる放射線検出装置（「直接蒸着タイプ」又は「直接タイプ」等とも言う）が知られている。

また、特許文献３等に開示されているように、複数のフォトセンサー及びＴＦＴ（Ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）等の電気素子が２次元に配置されている光電変換素子部からなる光検出器上に、放射線を光電変換素子で検出可能な光に変換するための蛍光体層を支持基板に形成したシンチレータパネルを貼り合わせてなる放射線検出装置（「貼り合わせタイプ」又は「間接タイプ」等とも言う）が知られている。

蛍光体層として、例えば、蒸着によって形成される柱状結晶構造を有するＣｓＩを主成分とする材料が知られており、このような蛍光体層への外界からの水分の進入を防止するために蛍光体保護層を形成することが行われている。特に、ＣｓＩ材料は吸湿材料であり、水分を吸収することによって、解像度が劣化する問題が発生する。

特許文献１において、ガラス基板の表面に形成された光電変換素子の表面に保護層を形成して光検出器を準備し、前記保護層の表面に柱状結晶構造を有するＣｓＩからなる蛍光体層を蒸着法によって直接形成し、光検出器及び蛍光体層の表面を被覆するようにＣＶＤ法による有機薄膜からなる蛍光体保護層を形成した放射線検出装置が開示されている。有機薄膜の材料としてポリパラキシリレンが開示されている。

特許文献２では光検出器の表面に保護層を介して柱状結晶構造を有するＣｓＩからなる蛍光体層を蒸着によって形成し、光検出器及び蛍光体層の表面を被覆するように蛍光体保護層を形成し、前記蛍光体保護層の外周部を光検出器の表面に密着させる被覆樹脂を備えている放射線検出装置が開示されている。

特許文献３では、カーボン基板からなる支持基板上に順次、反射性金属薄膜からなる反射層、蛍光体下地層が配された支持部材上に、蒸着によって形成された蛍光体層、支持部材及び蛍光体層の表面を被覆するように設けられた有機膜（ポリパラキシリレン）からなる蛍光体保護層、が形成されたシンチレータパネルを、光検出器上に貼り合わせて形成された放射線検出装置が開示されている。
特開２０００−２８４０５３号公報 特許第３０２９８７３号公報 特開２０００−３５６６７９号公報

蒸着によって形成されるＣｓＩ：Ｎａ、およびＣｓＩ：Ｔｌ等のハロゲン化アルカリからなる柱状結晶構造を有する蛍光体層は、蛍光体層の形成時に異常成長（スプラッシュ）欠陥が発生する場合がある。特に、人体撮影用の放射検出装置においては、蛍光体層の厚さが４００μｍ以上必要であり、その際に異常成長部は、直径３００μｍ以上、高さが２０μｍ以上の突起状になることがある。さらに突起状の異常成長部の周辺にドーナツ状に深さ２０μｍ以上の凹部が形成される場合がある。このような突起部と凹部からなる蛍光体層の異常成長欠陥部をカバーし、防湿機能を満足させるためには、蛍光体保護層の厚さは２０μｍ以上必要であることを発明者らは見出した。しかしながら、上記特許文献に開示されているポリパラキシリレン製有機膜を用いた蛍光体保護層では、ＣＶＤ法により形成されるため、蛍光体保護層の成膜速度はおおよそ１００−２０００オングストローム／分と遅く、２０μｍの蛍光体保護層を形成するための成膜時間は２０００分から１００分必要となり、生産性が悪いという問題を有する。

また、Ｘ線デジタルカメラのような大面積な（たとえば４３ｃｍ×４３ｃｍ）放射線検出装置に用いるポリパラキシリレン製の有機膜からなる蛍光体保護層をＣＶＤ法で成膜すると、蛍光体保護層の面内の膜厚分布が大きくなる。上記先行技術文献１，２のような放射線検出装置において、蛍光体層によって発せられた光が反射膜によって反射されて光電変換素子に入射される際に、蛍光体保護層の面内の膜厚分布によって光路長に差が生じる。その結果、取得された画像の解像度が低下してしまうという問題を有する。また、上記先行技術文献３のような放射線検出装置においては、蛍光体層によって発せられた光が受光素子に入射される際に、蛍光体保護層の面内の膜厚分布によって光路長に差が生じ、その結果取得された画像の解像度が低下してしまうという問題を有する。

また、ポリパラキシリレン製有機膜は、上記特許文献１、２の保護層、及び上記特許文献３の蛍光体下地層との密着性が悪く、蛍光体保護層と保護層または蛍光体保護層と蛍光体下地層の界面において剥離もしくは隙間が生じ、蛍光体保護層と保護層界面および蛍光体保護層と蛍光体下地層界面における耐湿性・耐衝撃性が低下してしまうという問題を有する。また、特許文献１，２では蛍光体保護層端部に被覆樹脂を設けて耐湿性・耐衝撃性を確保しているが、構成部材が増えるためにコストが高くなってしまうという問題を有する。

本発明の放射線検出装置は、基板と、前記基板上に配置された、光を電気信号に変換する複数の光電変換素子からなる受光部と、前記受光部上に配置された保護層と、を有するセンサーパネルと、
前記センサーパネル上に配置された、放射線を光に変換する蛍光体層と、
前記蛍光体層上に積層された複数の蛍光体保護層を含む蛍光体保護部材と、を有する放射線検出装置において、
前記複数の蛍光体保護層はそれぞれホットメルト樹脂からなり、前記複数の蛍光体保護層の一層が前記蛍光体層を被覆し前記センサーパネルと密着していることを特徴とする。前記複数の蛍光体保護層は、前記蛍光体層を被覆し前記基板と密着する第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層と、前記蛍光体層と接しない第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層と、を含むことが望ましい。

また本発明のシンチレータパネルは、支持部材と、該支持部材上に形成された放射線を光に変換する蛍光体層と、該蛍光体層上に積層された複数の蛍光体保護層を含む蛍光体保護部材と、を有するシンチレータパネルにおいて、
前記複数の蛍光体保護層はそれぞれホットメルト樹脂からなり、該複数の蛍光体保護層の一層が前記蛍光体層を被覆し前記支持部材と密着していることを特徴とする。前記複数の蛍光体保護層は、前記蛍光体層を被覆し前記基板と密着する第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層と、前記蛍光体層と接しない第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層と、を含むことが望ましい。

本発明の放射線検出装置の製造方法は、基板と、前記基板上に配置された、光を電気信号に変換する複数の光電変換素子からなる受光部と、前記受光部上に配置された保護層と、を有するセンサーパネルと、
前記センサーパネル上に形成され、放射線を光に変換する蛍光体層と、
該蛍光体層を被覆し前記センサーパネルと密着する蛍光体保護層を含む蛍光体保護部材と、を有する放射線検出装置の製造方法において、
前記蛍光体層が形成された前記センサーパネルを用意し、第１のホットメルト樹脂を、前記蛍光体層を被覆し前記センサーパネルと密着するように設けて第１の蛍光体保護層を形成する第１工程と、
第２のホットメルト樹脂を、前記第１の蛍光体保護層を被覆するように設けて第２の蛍光体保護層を形成する第２工程と、
を有するものである。

また本発明の放射線検出装置の製造方法は、基板と、前記基板上に配置された、光を電気信号に変換する複数の光電変換素子からなる受光部と、前記受光部上に配置された保護層と、を有するセンサーパネルと、
該センサーパネル上に形成され、放射線を光に変換する蛍光体層と、該蛍光体層を被覆し前記センサーパネルと密着する蛍光体保護層を含む蛍光体保護部材と、を有する放射線検出装置の製造方法において、
第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層上に第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層を有する蛍光体保護部材を形成する工程と、
前記蛍光体層が形成された前記センサーパネルを用意し、前記第１の蛍光体保護層が前記蛍光体層と接するように前記蛍光体保護部材を前記蛍光体層及び前記センサーパネルに密着させる工程と、を有するものである。

本発明のシンチレータパネルの製造方法は、支持部材と、該支持部材上に形成され、放射線を光に変換する蛍光体層と、該蛍光体層を被覆し前記支持部材と密着する蛍光体保護層と、を有するシンチレータパネルの製造方法において、
前記蛍光体層が形成された前記支持部材を用意し、第１のホットメルト樹脂を、前記蛍光体層を被覆し前記支持部材と密着するよう設けて第１の蛍光体保護層を形成する第１工程と、
第２のホットメルト樹脂を、前記第１の蛍光体保護層を被覆するよう設けて第２の蛍光体保護層を形成する第２工程と、
を有するものである。

また本発明のシンチレータパネルの製造方法は、支持部材と、該支持部材上に形成され、放射線を光に変換する蛍光体層と、該蛍光体層を被覆し前記支持部材と密着する蛍光体保護層を含む蛍光体保護部材と、を有するシンチレータパネルの製造方法において、
第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層上に第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層を有する蛍光体保護部材を形成する工程と、
前記蛍光体層が形成された前記支持部材を用意し、前記第１の蛍光体保護層が前記蛍光体層と接するように前記蛍光体保護部材を前記蛍光体層及び前記支持部材に密着させる工程と、を有するものである。

本発明によれば、蛍光体保護部材を短時間で安価に形成することが可能である。また、蛍光体保護部材を複数のホットメルト樹脂からなる蛍光体保護層で構成することにより、蛍光体層にホットメルト樹脂が入り込むことによるMFT（解像度）の低下防止と、ホットメルト樹脂と他の層（反射層等）との密着性向上とを図ることができる。

以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。
［第１の実施の形態］

図１は本発明に係わる直接蒸着タイプの放射線検出装置の模式的平面図を示す。図２は、図１のＡ−Ａ’断面図である。

図１または図２において、１はガラス等の基板、２は光電変換素子、３は配線であり、光電変換素子２、配線３、及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって受光部１５が構成されている。４は電気的接続部（取り出し配線）、５はセンサー保護層、６は蛍光体下地層、１１は配線接続部、であり、１〜６、１１によって光検出器（センサーパネル）１６が構成されている。また、７は蛍光体層、８ａ，８ｂは第１及び第２の蛍光体保護層、９は反射層、１０は反射層保護層であり、８ａ，８ｂ，９，１０によって蛍光体保護部材が構成されている。また、蛍光体保護部材の、受光部１５または蛍光体層７が形成された周囲の領域のセンサーパネル１６と接触する領域にホットプレス部１４ａが設けられている。また、１２は配線部材、１３は封止部材である。本実施形態では蛍光体保護層は第１の蛍光体保護層８ａと第２の蛍光体保護層８ｂの２層で構成しているが、３層以上で構成してもよい。

基板１は、光電変換素子２、配線３、及びＴＦＴ（不図示）からなる受光部１５が形成されるものであり、材料として、ガラス、耐熱性プラスチック等を好適に用いることができる。

光電変換素子２は蛍光体層７によって放射線から変換された光を電荷に変換するものであり、例えば、アモルファスシリコンなどの材料を用いることが可能である。光電変換素子２の構成は特に限定されず、ＭＩＳ型センサー、ＰＩＮ型センサー、ＴＦＴ型センサー等を適宜用いることができる。

配線３は信号配線の一部や光電変換素子に電圧（Ｖｓ）を印加するバイアス配線を示し、電気的接続部４は信号配線又は駆動配線を示す。光電変換素子２で光電変換された信号はＴＦＴによって読み出され、信号配線を介して信号処理回路に出力される。また行方向に配列されたＴＦＴのゲートは行ごとに駆動配線に接続され、ＴＦＴ駆動回路により行毎にＴＦＴが選択される。信号処理回路及びＴＦＴ駆動回路は基板１外に設けられ、光電変換素子２やＴＦＴとは電気的接続部４、配線接続部１１、配線部材１２を介して接続される。

センサー保護層５は、受光部１５を被覆して保護するためのものであり、ＳｉＮ，ＳｉＯ_２などの無機膜が好ましい。蛍光体下地層６はセンサー保護層上に設けられ、材料としては、ポリイミド、パラキシリレン等の有機物質からなる耐熱性の樹脂が好ましい。たとえば、熱硬化型のポリイミド樹脂等を用いることが可能である。センサー保護膜５、蛍光体下地層６は光電変換素子を保護する機能を有する。また蛍光体下地層６はセンサーパネル１６の表面を平坦化する機能を有する。また、蛍光体下地層６の表面は、蛍光体層との密着性を向上させるために、蛍光体下地層６の表面を大気圧プラズマ処理等の活性化処理を適宜用いてもよい。

蛍光体層７は、放射線を光電変換素子２が感知可能な波長の光に変換するものであり、柱状結晶構造を有する蛍光体が好ましい。柱状結晶構造を有する蛍光体は、発生した光が柱状結晶内を伝搬するので光散乱が少なく、解像度を向上させることができる。ただし、蛍光体層７として柱状結晶構造を有する蛍光体以外の材料を用いてもよい。

また、柱状結晶構造を有する蛍光体層７の材料としては、ハロゲン化アルカリを主成分とする材料が用いられる。たとえば、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＢｒ：Ｔｌ等のハロゲン化アルカリ蛍光体が用いられる。その作製方法は、たとえばＣｓＩ：ＴｌではＣｓＩとTlIとを同時に蒸着することで形成できる。

第１及び第２の蛍光体保護層８ａ、８ｂは、蛍光体層７に対して、外気からの水分の侵入を防止する防湿保護機能及び衝撃により構造破壊を防止する衝撃保護機能を有するものである。第１及び第２の蛍光体保護層８ａ，８ｂの総厚は２０〜２００μｍが好ましい。２０μｍ以下では、蛍光体層７表面の凹凸、及びスプラッシュ欠陥を完全に被覆することができず、防湿保護機能が低下する恐れがある。一方、２００μｍを超えると蛍光体層７で発生した光もしくは反射層で反射された光の蛍光体保護層８ａ，８ｂ内での散乱が増加し、取得される画像の解像度及びＭＴＦ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｆａｎｃｔｉｏｎ）が低下する恐れがある。本発明において、蛍光体保護層としてホットメルト樹脂を用いることを特徴としている。ホットメルト樹脂を用いた蛍光体保護層に関する説明は別途後述する。

反射層９は、蛍光体層７で変換して発せられた光のうち、光電変換素子２と反対側に進行した光を反射して光電変換素子２に導くことにより、光利用効率を向上させる機能を有するものである。また、反射層９は、光電変換素子２に蛍光体層７で発生された光以外の外部光線を遮断し、光電変換素子２にノイズが入ることを防止する機能を更に有する。反射層９としては、金属箔または金属薄膜を用いることが好ましく、反射層９の厚さは１〜１００μｍが好ましい。１μｍより薄いと反射層９の形成時にピンホール欠陥が発生しやすく、また遮光性に劣る。一方、１００μｍを超えると、放射線の吸収量が大きく被撮影者が被爆する線量の増加につながる恐れがあり、また、蛍光体層７とセンサーパネル１６の表面との段差を隙間無く覆うことが困難となる恐れがある。反射層９の材料としては、アルミニウム、金、銅、アルミ合金、などの特に限定されない金属材料を用いることができるが、反射特性の高い材料としては、アルミニウム、金が好ましい。

反射層保護層１０は、反射層９の衝撃による破壊、及び水分による腐食を防止する機能を有し、樹脂フィルムを用いることが好ましい。反射層保護層１０の材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、塩化ビニル、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、などのフィルム材料を用いることが好ましい。反射層保護層１０の厚さは１０〜１００μｍが好ましい。

配線接続部１１は、電気的接続部４と配線部材１２とを電気的に接続するための部材であり、異方導電性接着剤などにより配線部材１２と電気的に接続される。

配線部材１２は、光電変換素子２で変換された電気信号を読み出すためのＩＣ部品などを搭載した部材であり、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）などが好適に用いられる。

封止部材１３は、配線部材１２及び電気的接続部４に対して、水分による腐食を防止する機能、衝撃による破壊を防止する機能、及び製造時に発生する受光部１５の破壊の原因となる静電気を防止する機能を有するものである。

ホットプレス部１４ａは、ホットメルト樹脂からなる第１及び第２の蛍光体保護層８ａ，８ｂの蛍光体層７周辺の領域とセンサーパネル１６との接触界面における防湿性を向上させるために設けられているものである。本実施形態では、蛍光体層７の周辺部において、ホットメルト樹脂からなる蛍光体保護層８ａは蛍光体下地層６と接している。ホットプレス部１４ａは蛍光体保護部材の周辺部の一部または全体に設けることが可能である。本実施形態では、図１に示すように蛍光体保護部材の周辺部全体に設けられている。ホットプレス部１４ａは、加熱加圧手段３２（図４に示す）によってホットメルト樹脂の厚さが他の部分より薄くなるよう部分的に加熱加圧処理され圧着（加圧により密着）された領域である。

図３（ａ）に図１のＢ−Ｂ’断面図及び図２のＣ−Ｃ’断面図に示し、図３（ｂ）に図２のＤ−Ｄ’断面図を示す。４は電気的接続部の配線パターンを示す。蛍光体下地層６の蛍光体層７が形成された周囲の領域において、取り出し配線４の存在によりセンサー保護層５の表面には凹凸が生じる。その凹凸を緩和するために平坦化層として機能する蛍光体下地層６を形成するが、蛍光体下地層６の表面も完全に平坦とはならず、若干の凹凸を有する。そのような表面上にホットメルト樹脂からなる蛍光体保護層８ａ，８ｂを形成しても、図３（ｂ）に示されるように若干の隙間３１が生じる可能性がある。つまり、ホットプレス（加熱加圧）を行わない断面を示す図３（ｂ）の部分では、配線パターン４の凸凹へのホットメルト樹脂の進入が不十分で、配線パターンとホットメルト樹脂の間に空隙が生じる場合がある。この隙間３１により、１）蛍光体下地層６と蛍光体保護層８ａとの密着力の低下、２）隙間３１より侵入する大気中の水分による蛍光体層７の潮解、３）蛍光体保護層８ａの防湿性の低下、を引き起こす可能性がある。そこで、蛍光体下地層６と蛍光体保護層８ａが接する領域において蛍光体層７が形成された領域を取り囲むように加熱加圧手段３２を用いてホットプレス処理（加熱加圧処理）を行うことにより、加熱により溶融したホットメルト樹脂が加圧により蛍光体下地層６の表面上の凹部に入り、冷却により硬化されて蛍光体下地層６上の隙間３１を埋めて密着する。つまり、ホットプレス処理を行った断面を示す図３（ａ）の部分では、ホットメルト樹脂の溶融が十分に行われるため隙間３１の発生は抑制され、その結果密着力が向上し、周辺部の防湿性が向上する。ホットプレス処理としては、例えば圧力１〜１０ｋg/ｃｍ^２、温度はホットメルト樹脂の溶融開始温度より１０〜５０℃以上の温度で１〜６０秒間行われる。

図４（ａ）〜（ｃ）はホットプレスの方法を示す図であり、加熱加圧手段３２により第１の蛍光体保護層８ａ、第２の蛍光体保護層８ｂ、反射層９と反射層保護層１０を順次ヒートシール（ホットプレス処理）する。第１の蛍光体保護層８ａ、第２の蛍光体保護層８ｂをまとめて、又は第１の蛍光体保護層８ａ、第２の蛍光体保護層８ｂ、反射層９と反射層保護層１０をまとめてヒートシール（ホットプレス処理）してもよい。
更に、図２１及び図２２に示すように、より密着力の強い蛍光体保護層８ｂを蛍光体下地層６に接するよう蛍光体保護層８ａより大きな領域に形成し、蛍光体保護層８ａの形成領域外の蛍光体保護層８ｂにおいてホットプレス処理を行うことにより、蛍光体保護層８ｂと蛍光体下地層６との密着性が向上し、蛍光体層７の周囲の領域においてより防湿性が向上する。図２１は本発明に係わる直接蒸着タイプの放射線検出装置の他の撮像素子部の模式的平面図を示す。図２２は、図２１のＡ−Ａ’断面図である。１４ｃはホットプレス部を示す。図２３（ａ）、（ｂ）は図３（ａ）、（ｂ）と同様な断面図を示し、ホットプレスを行った断面を図２３（ａ）、ホットプレスを行わない断面を図２３（ｂ）に示す。

図２４及び図２５は、蛍光体層７の周囲の領域においてより防湿性が向上させるために、ホットプレスを２カ所行った場合を示す平面図及び図２４のＡ−Ａ’断面を示す。１４ｂ，１４ｃはホットプレス部を示す。ここでは、第１の蛍光体保護層８ａ、第２の蛍光体保護層８ｂの積層箇所でホットプレスするとともに、蛍光体保護層８ａの形成領域外の蛍光体保護層８ｂにおいてホットプレスすることで、さらに防湿性が向上する。

以下に、ホットメルト樹脂からなる蛍光体保護層８ａ，８ｂについて、詳細に説明する。

蛍光体層を保護するために、特に柱状結晶構造を有する蛍光体層７を保護するために、第１及び第２の蛍光体保護層８ａ，８ｂは下記１）〜１２）に示す機能が求められる。
１） 外部からの衝撃による破壊を防止する耐衝撃性を有する
２） 放射線源からの放射線を好適に透過する放射線透過性を有する
３） 蛍光体層７で発せられた光を好適に透過する光透過性を有する
４） 蛍光体層、センサーパネルまたは支持部材表面との高い密着性を有する
５） 透過光の光路差による解像度低下を防止する層厚の面内均一性を有する
６） 基板と反射層との熱膨張係数差に起因する応力を吸収する吸収性を有する
７） 蛍光体層及び受光部に悪影響を及ぼさない成膜（形成）温度を有する
８） 生産性に富んだ高い成膜（形成）速度を有する
９） 外気からの水分の侵入を防ぐ高い防湿性（耐湿性、非透水性）を有する
１０） 柱状結晶を溶解する水、極性溶媒、溶剤などを含まない
１１） 柱状結晶間へのしみ込みによる顕著な解像度の低下を招かない粘性を有する
１２） エタノールなど医療器具の消毒用溶剤に不溶または微溶である特性を有する
上記の機能を満たす第１及び第２の蛍光体保護層８ａ，８ｂの材料としては、ホットメルト樹脂を用いることが好ましい。そして、ホットメルト樹脂を用いた第１及び第２の蛍光体保護層８ａ，８ｂとしては以下に説明するような特性を有することが望ましい。

（１）ＣｓＩ：Ｔｌなどからなるアルカリハライド系蛍光体層は、柱状結晶構造を有し、さらに潮解性を有する。ホットメルト樹脂からなる蛍光体保護層を設ける際に、ホットメルト樹脂の溶融時粘性率が低いと、柱状結晶構造間にホットメルト樹脂が入り込みＭＦＴ（解像度）が低下してしまう恐れがある。そこで蛍光体層と接するホットメルト樹脂には柱状結晶構造間に入り込まない程度の溶融時粘性率を有する材料が求められるが、一方で、直接蒸着タイプにおいては、蛍光体層と反対側に設けられた反射層（Ａｌ）と、また貼り合わせタイプにおいては、センサーパネルのパッシベーション膜（ＰＩ）等との密着性を確保しなければならない。後述するように、かかる観点から蛍光体層に接するホットメルト樹脂に求められる粘性率は１×１０^３（Ｐａ・ｓ）〜 １×１０^４（Ｐａ・ｓ）（１万〜１０万ポイズ）であることが望ましい。

しかしながら、蛍光体層と接するホットメルト樹脂としては柱状結晶構造間に入り込まないように、溶融時粘性率は製造上のバラツキを考慮してある程度高くすることが望ましく、その反面、蛍光体層と接することがなく、また反射層やパッシベーション膜等との密着性が求められるホットメルト樹脂としては、剥離などの機械的破壊や、界面からの水分の侵入による柱状結晶蛍光体層の潮解などの問題を考慮すると上記溶融時粘性率よりも低いことが望ましい。

そこで、ホットメルト樹脂からなる蛍光体保護層を複数積層構造とし、蛍光体層と接する第１の蛍光体保護層８ａには、溶融時粘性率の大きい第１のホットメルト樹脂材料を、蛍光体層と接していない第２の蛍光体保護層８ｂには、第１のホットメルト樹脂よりも溶融時粘性率の小さな第２のホットメルト樹脂材料を用いて形成することが好ましい。かかる観点から蛍光体層と接することがなく、また反射層やパッシベーション膜等との密着性が求められるホットメルト樹脂に求められる粘性率は１×１０^２（Ｐａ・ｓ）〜 ６．０×１０^３（Ｐａ・ｓ）であることが望ましい。
（２）また、上記構成の第１及び第２の蛍光体保護層８ａ，８ｂにおいて、第２の蛍光体保護層８ｂは、第1の蛍光体保護層８ａ上に形成される。第2の蛍光体保護層８ｂ形成時において、第1の蛍光体保護層８ａが溶融し、層の厚さや形状に変化が生じると、解像度や耐湿性に変化が生じる可能性がある。

そこで、ホットメルト樹脂からなる蛍光体保護層を複数積層構造とし、蛍光体層と接する第１の蛍光体保護層には、蛍光体層と接していない第２の蛍光体保護層よりも高い融点（溶融（流動）開始温度）の材料を用いて形成することが好ましい。
（３）上記２つの観点より、
１）．第１の蛍光体保護層に用いられる第１のホットメルト樹脂の処理温度ｔ１における粘性率（粘度）をｎ１（ｔ１）、第２の蛍光体保護層に用いられる第２のホットメルト樹脂の処理温度ｔ２における粘性率（粘度）をｎ２（ｔ２）、とすると、 ｎ１（ｔ１）＞ｎ２（ｔ２）
ホットメルト樹脂に求められる粘性率を考慮すると、
１×１０^２（Ｐａ・ｓ）≦ｎ２（ｔ２）＜ｎ１ （ｔ１）≦ １×１０^４（Ｐａ・ｓ）であることが望ましい。

２）．第１の蛍光体保護層に用いられる第１のホットメルト樹脂の溶融開始温度をＴｒ１、第２の蛍光体保護層に用いられる第２のホットメルト樹脂の溶融開始温度をＴｒ２、とすると、 Ｔｙ１＞Ｔｙ２
ホットメルト樹脂に求められるよう融解し温度を考慮すると、７０℃ ≦Ｔｙ２＜Ｔｙ１ ≦１５０℃
なお、第２の蛍光体保護層８ｂは反射層及びパッシベーション膜との十分な密着性を確保できれば、第１の蛍光体保護層８ａが形成されるときに、第２の蛍光体保護層８ｂが溶融しても問題ない場合には、シート上に第２の蛍光体保護層８ｂ、第１の蛍光体保護層８ａを形成した後に、蛍光体層と密着させる場合においても、第１の蛍光体保護層に第２の蛍光体保護層よりも高い融点（溶融（流動）開始温度）の材料を用いることができる。

３）．上記ｎ１（ｔ１）は、柱状結晶構造の蛍光体層の柱状結晶間に入り込まない程度である必要があるため、
１×１０^３（Ｐａ・ｓ）≦ｎ１（ｔ１） ≦１×１０^４（Ｐａ・ｓ）
４）．上記ｎ２（ｔ２）は、微小な凹凸を有する金属膜などからなる反射層と良好に密着するために、
１×１０^２（Ｐａ・ｓ）≦ｎ２（ｔ２） ≦６．０×１０^３（Ｐａ・ｓ）
５）．第１のホットメルト樹脂の第２のホットメルト樹脂の処理温度ｔ２における粘性率をｎ１（ｔ２）とすると、
ｎ１（ｔ２）＞ｎ２（ｔ２）
以下、ホットメルト樹脂について、更に説明する。

ホットメルト樹脂は、水や溶剤を含まない、室温で固体であり、１００％不揮発性の熱可塑性材料からなる接着性樹脂と定義されるものである（Ｔｈｏｍａｓ．Ｐ．Ｆｌａｎａｇａｎ，Ａｄｈｅｓｉｖｅ Ａｇｅ，９，Ｎｏ３，２８（１９６６））。ホットメルト樹脂は、樹脂温度が上昇すると溶融し、樹脂温度が低下すると固化するものである。またホットメルト樹脂は、加熱溶融状態で、他の有機材料、および無機材料に接着性をもち、常温で固体状態となり接着性を持たないものである。また、ホットメルト樹脂は極性溶媒、溶剤、および水を含んでいないので、蛍光体層（例えば、ハロゲン化アルカリからなる柱状結晶構造を有する蛍光体層）に接触しても蛍光体層を溶解しないため、蛍光体保護層として使用され得る。ホットメルト樹脂は、熱可塑性樹脂を溶剤に溶かし、溶媒塗布法によって形成された溶剤揮発硬化型の接着性樹脂とは異なる。またエポキシ等に代表される化学反応によって形成される化学反応型の接着性樹脂とも異なる。

ホットメルト樹脂材料は主成分であるベースポリマー（ベース材料）の種類によって分類され、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリアミド系等を用いることができる。上記のごとく蛍光体保護層８ａ，８ｂとしては、防湿性が高く、蛍光体から発生する可視光線を透過する光透過性が高いことが重要である。蛍光体保護層８ａ，８ｂとして必要とされる防湿性を満たすホットメルト樹脂としてポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂が好ましい。特に吸湿率が低いポリオレフィン樹脂が好ましい。また光透過性の高い樹脂として、ポリオレフィン系樹脂が好ましい。したがって蛍光体保護層８ａ，８ｂとしてポリオレフィン系樹脂をベースにしたホットメルト樹脂が好ましい。

なお、上述したように、蛍光体下地層６と蛍光体保護層８ａ（又は蛍光体保護層８ａ，８ｂ）が接する蛍光体層７が形成された周囲の領域において、蛍光体層７が形成された領域を取り囲むようにホットプレス処理によりホットプレス（加熱加圧接着）を行うことが望ましく、このような目的からも、温度が上昇すると溶融し被着体に接着し、樹脂温度が冷却されると固化する性質を有する、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリアミド系等のホットメルト樹脂が好適に用いられるものである。

蛍光体保護層８ａ，８ｂの形成温度としては、蛍光体層７または受光部１５である光電変換素子２、配線３、ＴＦＴ（不図示）に悪影響を及ぼさない温度であることが要求される。蛍光体保護層８に用いられるホットメルト樹脂の形成温度は、樹脂の溶融開始温度に依存する。蛍光体保護層８に用いられるホットメルト樹脂の溶融開始温度は、７０℃以上で、１５０℃以下が好ましい。７０℃より低いと、製品の耐熱性、保存耐久性が劣る、１５０℃を超えると、蛍光体層７の表面に貼りあわせる温度が１５０℃を超えた温度が必要となり、ガラス等からなる基板１とホットメルト樹脂からなる蛍光体保護層８の熱膨張差が大きくなり、基板１に蛍光体保護層８を形成したときに基板１のそりが大きくなり好ましくない。

上記ポリエステル系の樹脂では、７０℃から１５０℃で形成、密着処理可能な溶融粘度にするためには、多くの可塑剤が必要となる。この可塑剤は蛍光体層７に拡散し蛍光体層７の劣化等につながる恐れがある。したがって、ホットメルト樹脂の溶融開始温度範囲の好適な範囲を考慮すると、多くの可塑剤の使用を必要としないポリオレフィン系樹脂材料がより好ましい。

柱状結晶構造を有する蛍光体層７の柱状結晶間へのホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層８ａのしみ込みは、ホットメルト樹脂の溶融時の粘性率（溶融粘度）に依存する。しみ込みに関して求められる溶融時の粘性率としては、ホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層８ａの形成温度である１００〜１４０℃において、１×１０^３Ｐａ・ｓ以上であることが望ましい。より好ましくは、 １．５×１０^３Ｐａ・ｓ以上であることが望ましい。溶融時の粘性率が１×１０^３Ｐａ・ｓに満たないと蛍光体層７の柱状結晶間にホットメルト樹脂がしみ込み、蛍光体層７で変換された光が散乱し、受光部１５で検出される画像の解像度が低下してしまう。また本発明の蛍光体保護層８ｂに用いられるホットメルト樹脂の粘性率としては、蛍光体層７への染み込みを考慮する必要はなく、微小な凹凸を有する金属膜などからなる反射層との密着性の向上を考慮すると、ホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層８ｂの形成温度である１００〜１４０℃において、１×１０^２Ｐａ・ｓ以上であることが望ましい。

ホットメルト樹脂からなる蛍光体保護層８ａと蛍光体層７及び／または蛍光体下地層６との密着性は、樹脂溶融時の粘性率、樹脂の抗張力に依存する。密着性に関して求められる粘性率としては１×１０^４Ｐａ・ｓ以下であることが望ましい。より好ましくは、 ６．０×１０^３Ｐａ・ｓ以下であることが望ましい。溶融時の粘性率が１×１０^４Ｐａ・ｓを超えてしまうと蛍光体層７および蛍光体下地層６に対して必要とされる密着力が得られない。よって本発明の蛍光体保護層８ａに用いられるホットメルト樹脂の粘性率としては、１００〜１４０℃において１×１０^３〜１×１０^４Ｐａ・ｓであることが望ましい。より好ましくは１．５×１０^３〜６．０×１０^３Ｐａ・ｓであることが望ましい。また本発明の蛍光体保護層８ｂに用いられるホットメルト樹脂の粘性率としては、微小な凹凸を有する金属膜などからなる反射層との密着性を考慮すると１００〜１４０℃において６．０×１０^３Ｐａ・ｓ以下であることが望ましい。

また、密着性に関して求められる抗張力としては４０〜３００Ｋｇ／ｃｍ^２、好ましくは５０〜２００Ｋｇ／ｃｍ^２であることが望ましい。抗張力が４０Ｋｇ／ｃｍ^２に満たないと、蛍光体保護層８ａ，８ｂとして求められる強度が不足する恐れがある。また、抗張力が３００Ｋｇ／ｃｍ^２を超えてしまうと、基板１と蛍光体保護層８ａ，８ｂとの間の熱膨張差によって引き起こされる蛍光体保護層８ａと蛍光体層７との層間剥離、または蛍光体層７と蛍光体下地層６との層間剥離を防ぐことができない恐れがある。また、上記層間剥離は、抗張力のほかに破壊伸び率にも依存する。本発明に蛍光体保護層８ａ，８ｂに用いられるホットメルト樹脂の破壊伸び率としては、４００％以上、好ましくは６００〜１０００％であることが望ましい。

本発明における蛍光体保護層８ａ，８ｂに用いられるホットメルト樹脂に求められる、溶融時粘性率、抗張力及び破壊伸び率による密着力、溶融開始温度は、
（１）ホットメルト樹脂中に含まれる共重合体の含有量、
（２）ホットメルト樹脂中に含まれる共重合体におけるアクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸、メタクリル酸エステルの含有量、
（３）ホットメルト樹脂中に含まれる添加剤の含有量、
の要素を単独あるいは２つ以上の要素の組み合わせにより変化させることによって制御することができる。以下にホットメルト樹脂に含まれる共重合体及び各種共重合体を構成する物質について説明する。

本発明に於いて、蛍光体保護層８に好適に用いられるポリオレフィン系のホットメルト樹脂は、Ａ．エチレン−酢酸ビニル共重合体、Ｂ．エチレン−アクリル酸共重合体（ＥＡＡ）、Ｃ．エチレン−アクリル酸エステル共重合体（ＥＭＡ）、Ｄ．エチレン−メタクリル酸共重合体（ＥＭＡＡ）、Ｅ．エチレン−メタクリル酸エステル共重合体（ＥＭＭＡ）、および、アイオノマー樹脂から選ばれる共重合体の少なくとも１種を主成分として含有することが好ましい。

以下、上記５つの共重合体Ａ〜Ｅについて説明する。

Ａ． エチレン−酢酸ビニル共重合体は、エチレン単位； −ＣＨ_２−ＣＨ_２− と、
酢酸ビニル； ―ＣＨ_２−ＣＨ（ＯＣＯＣＨ_３）−の分子構造を有する物質の共重合体であり、一般式は −〔（ＣＨ_２−ＣＨ_２）_ａ−ＣＨ_２−ＣＨ（ＯＣＯＣＨ_３）_ｂ−〕_ｎ （ａ，ｂ，ｎは整数）
で示される。エチレンに対する酢酸ビニルの含有量は２−４０重量％であることが望ましい。ホットメルト樹脂の防湿性を高くするには酢酸ビニルの含有率を低くすることが好ましい。また、蛍光体との接着力を高くするためには、酢酸ビニルの含有率を高くすることが好ましい。本発明における蛍光体保護層に用いるホットメルト樹脂としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体の含有率が５−２０％であることが好ましい。

Ｂ． エチレン−アクリル酸共重合体（ＥＡＡ）は、エチレン単位；−ＣＨ_２−ＣＨ_２− と、ポリエチレンの構造中にランダムにカルボキシル基が含まれた構造を有するアクリル酸；−ＣＨ_２−ＣＨＣＯＯＨ− の分子構造を有する物質の共重合体であり、一般式は、
−〔（ＣＨ_２−ＣＨ_２）_ａ−（ＣＨ_２−ＣＨＣＯＯＨ）_ｂ−〕_ｎ （ａ，ｂ，ｎは整数）
で示される。エチレンに対するアクリル酸の含有率は、４−２０重量％であることが望ましい。

上記酢酸ビニルと同様に、ホットメルト樹脂の防湿性を高くするにはアクリル酸の含有率を低くすることが好ましい。また、蛍光体層との密着力を高くするためには、アクリル酸の含有率を高くすることが好ましい。本発明における蛍光体保護層８に用いるホットメルト樹脂としては、エチレン−アクリル酸共重合体の含有率が５〜２０％であることが望ましい。

Ｃ． エチレン−アクリル酸エステル共重合体は、エチレン単位；−ＣＨ_２−ＣＨ_２− と、アクリル酸エステル；−ＣＨ_２−ＣＨＣＯＯＲ− の分子構造を有する物質の共重合体であり、一般式は、
−〔（ＣＨ_２−ＣＨ_２）ａ−（ＣＨ_２−ＣＨＣＯＯＲ）ｂ−〕ｎ （ａ，ｂ，ｎは整数）
で示される（ここで、Ｒ：ＣＨ_３，Ｃ_２Ｈ_５，Ｃ_３Ｈ_７のいずれかである）。エチレンに対するアクリル酸エステルの含有率は２〜３５重量％であることが望ましい。上記同様に、ホットメルト樹脂の防湿性を高くするにはアクリル酸エステルの含有率を低くすることが好ましい。また、蛍光体層との密着力を高くするためには、アクリル酸エステルの含有量を高くすることが好ましい。本発明における蛍光体保護層８に用いるホットメルト樹脂としては、エチレン−アクリル酸エステル共重合体の含有率が８〜２５％であることが望ましい。

Ｄ． エチレン−メタクリル酸共重合体は、エチレン単位；−ＣＨ_２−ＣＨ_２− と、ポリエチレンの構造中にランダムにカルボキシル基が含まれる構造を有するメタクリル酸；−ＣＨ_２−ＣＣＨ_３ＣＯＯＨ− の分子構造を有する物質の共重合体であり、一般式は、
−〔（ＣＨ_２−ＣＨ_２）_ａ−（ＣＨ_２−ＣＣＨ_３ＣＯＯＨ）_ｂ−〕_ｎ （ａ，ｂ，ｎは整数）
で示される。エチレンに対するメタクリル酸の含有率は２〜２０重量％であることが望ましい。上記同様に、ホットメルト樹脂の防湿率を高くするにはメタクリル酸の含有率を低くすることが好ましい。また、蛍光体層との密着力を高くするためには、メタクリル酸の含有率を高くすることが好ましい。本発明における蛍光体保護層８に用いるホットメルト樹脂としては、エチレン−メタクリル酸共重合体の含有率が５〜１５％であることが望ましい。

Ｅ． エチレン−メタクリル酸エステル共重合体は、エチレン単位；−ＣＨ_２−ＣＨ_２− と、メタクリル酸エステル；−ＣＨ_２−ＣＣＨ_３ＣＯＯＲ− の分子構造を有する物質の共重合体であり、一般式は、
−〔（ＣＨ_２−ＣＨ_２）_ａ−（ＣＨ_２−ＣＣＨ_３ＣＯＯＲ）_ｂ−〕_ｎ （ａ，ｂ，ｎは整数）
で示される。エチレンに対するメタクリル酸エステルの含有率は２〜２５重量％であることが望ましい。上記同様に、ホットメルト樹脂の防湿率を高くするにはメタクリル酸エステルの含有率を低くすることが好ましい。また、蛍光体層との密着力を高くするためには、メタクリル酸エステルの含有率を高くすることが好ましい。本発明における蛍光体保護層８に用いるホットメルト樹脂としては、エチレン−メタクリル酸エステル共重合体の含有率が３〜１５％であることが望ましい。

本発明の蛍光体保護層８ａ，８ｂに用いられるホットメルト樹脂としては、上記５種類の共重合体の少なくとも１種を含有するものであり、又２種以上の混合物を含有させてもよい。また本発明のホットメルト樹脂において、同種の共重合体の２つ以上の異なる共重合体、例えばエチレン−メタクリル酸メチル共重合体とエチレン−メタクリル酸エチル共重合体の混合物を接着剤層中に含有させても良い。

また、本発明のホットメルト樹脂において、ホットメルト樹脂に含まれる共重合体の重量平均分子量は約５，０００〜１，０００，０００であることが望ましい。

また、ホットメルト樹脂に添加する添加剤としては、例えば粘着付与剤や軟化剤が挙げられる。粘着付与剤としては例えばロジン，重合ロジン，水素添加ロジン，ロジンエステル等の天然樹脂及びその変成品，脂肪族化合物，脂環式化合物，芳香族，石油樹脂，テルペン樹脂，テルペン・フェノール樹脂，水素添加テルペン樹脂，クマロン樹脂などが挙げられる。また、軟化剤としては、例えばプロセスオイル，パラフィンオイル，ヒマシ油，ポリブテン，低分子量ポリイソプレン等が挙げられる。

放射線検出装置（特に人体や動物撮影用の放射線検出装置）の蛍光体保護層として用いるホットメルト樹脂としては、消毒用のアルコールが飛散しても蛍光体保護層の機能が損なわれないことが好ましい。

消毒用のアルコールであるエチルアルコールに不溶または微溶のホットメルト樹脂としては、前記ホットメルト樹脂中の密着付与材等の添加剤の含有量が２０％以下であることが好ましい。特に１０％以下であることが好ましい。エタノールは、放射線検出装置の使用環境である病院等で使用される溶剤であり、放射線検出装置に接触することがある。溶剤への溶解成分が２０％以下であれば蛍光体保護層の溶解に起因する剥離が生じないことを発明者は見出した。

また、ホットメルト樹脂からなる蛍光体保護層８ａと柱状結晶構造を有する蛍光体層７との密着力を向上させるために、ホットメルト樹脂からなる蛍光体保護層８ａの蛍光体層７に接する表面を、あらかじめ表面改質して該表面の臨界表面張力を４０×１０^−３Ｊ／ｍ^２以上、好ましくは４５×１０^−３Ｊ／ｍ^２以上とすることによって、密着力を向上させることができる。ホットメルト樹脂の組成として共重合体のアクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸、メタクリル酸エステル等の含有量を２０ｗｔ％以下とした場合、ホットメルト樹脂からなる蛍光体保護層８ａの臨界表面張力が例えば３０〜３７×１０^−３Ｊ／ｍ^２となり、蛍光体層７表面、およびその周囲のセンサーパネル１６の表面に対する濡れ性が悪くなる。そのため、蛍光体保護層８ａと蛍光体層７及びセンサーパネル１６との密着性が若干低下する傾向にあるが、上記したホットメルト樹脂の表面を改質し臨界表面張力を向上させることで密着力を向上させることができる。

このとき表面改質の方法としては特に限定されないが、例えばコロナ放電処理、オゾン処理、アルカリ処理、アルゴンプラズマ処理、酸素プラズマ処理等が適宜用いられる。ホットメルト樹脂からなる蛍光体保護層８ａ，８ｂの両表面にコロナ放電装置を用いてコロナ放電処理を行なうことによって、蛍光体保護層８ａ，８ｂの表面の臨界表面張力を向上させることができる。なお、本発明に於いて臨界表面張力の測定はＪＩＳ Ｋ−６７６８の方法に従って行なったものである。

なお、本発明における蛍光体保護層８ａ，８ｂとセンサーパネル１６との間で求められる密着力としては、９０°型剥離試験において０．１ｋｇ／２５ｍｍ以上が好ましい。

ホットメルト樹脂を蛍光体保護層８ａ，８ｂとして、蛍光体層表面に形成する方法は、蛍光体保護層８ａ、蛍光体保護層８ｂの順で蛍光体層表面に積層する方法、蛍光体保護層８ａ，８ｂを有する樹脂シートを蛍光体層表面に貼り合わせる方法等、以下に示す方法がある。
（１）、第１の蛍光体保護層８ａ、第２の蛍光体保護層８ｂの順で蛍光体層表面に積層する方法
ａ） 第１の蛍光体保護層８ａの形成方法
ａ−１） 直接塗布法
図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、第１のホットメルト樹脂を溶融し、塗布装置を用いて溶融した樹脂を直接、蛍光体層７及び蛍光体下地層６上の所定の位置に配置する方法である。

ダイコータ、またはホットメルトアプリケーターを用いて溶融した第１のホットメルト樹脂を直接、柱状結晶構造を有する蛍光体層の上に塗布し、放熱硬化することで第１の蛍光体保護層８ａを得ることができる。厚さ２０μｍ以上の蛍光体保護層の形成時間は、数秒から数分の間である。図５（ａ）〜図５（ｃ）を用いて具体的に説明すると、まず図５（ａ）に示すように、溶融された第１のホットメルト樹脂１８ａをタンク（不図示）及びダイコータ１７内に準備し、センサーパネル１６の蛍光体下地層６（不図示）上の所定の位置に配置する。次に図５（ｂ）に示すように、蛍光体下地層６の所定の位置より溶融されたホットメルト樹脂１８ａを射出しながらダイコータ１７を走査して蛍光体層７の端面及び上面に塗布する。次に図５（ｃ）に示すように、蛍光体層７及びその周囲の蛍光体下地層６に第１のホットメルト樹脂を塗布して被覆し、放熱硬化し第１の蛍光体保護層８ａを形成して終了する。

ａ−２） フィルムシート法
フィルムシートＦ上に溶融した第１のホットメルト樹脂を押しだしコート法により射出して蛍光体保護シートを形成し、蛍光体保護シートを蛍光体層７上に重ねて熱ロールラミネートすることで、第１の蛍光体保護層１８ａを蛍光体層上に形成する。

図６（ａ）、（ｂ）に示されるように、溶融された第１のホットメルト樹脂をタンク２０及びダイコータ１７内に準備するとともに、ロール状に準備されたフィルムシートＦを準備し、しわ取りロール２１，２２によってしわを伸ばされたフィルムシートＦ上に成形ロール２３，２４間で溶融された第１のホットメルト樹脂１８ａを押し出しコート法により塗布し、成形ロール２４により成形後、冷却ロール２５にて冷却硬化し、切断手段２６にて所定のサイズに切り出す。こうして、フィルムシートＦ上に押し出しコート法によってホットメルト樹脂層からなる第１の蛍光体保護層８ａを形成し、図６（ｂ）で示される蛍光体保護シートを形成する。次に図７（ａ）に示すように、得られた蛍光体保護シートをセンサーパネル１６の蛍光体下地層６上及び蛍光体層７上に重ねて、熱ラミネートローラ２７によってホットメルト樹脂の溶融温度以上に第１の蛍光体保護層８ａのホットメルト樹脂を加熱して溶融し、熱ラミネートローラ２７及び搬送ローラ２８を用いて放射線検出装置を移動させて、蛍光体下地層６上の蛍光体保護シート上の所定の開始位置から蛍光体層７上を熱ラミネートローラ２７が相対的に移動するようにして所定の開始位置から蛍光体層７を挟んで対向する位置まで加熱圧着する。ここで放射線検出装置を平面で９０°回転させて再度、蛍光体下地層６上の蛍光体保護シート上の所定の開始位置から蛍光体層７上を熱ラミネートローラ２７が相対的に移動するようにして所定の開始位置から蛍光体層７を挟んで対向する位置まで加熱圧着する。その後、ホットメルト樹脂が溶融状態の間にフィルムシートＦを剥離する。こうして、図７（ｂ）に示すように、第１の蛍光体保護層８ａが蛍光体層７及びセンサーパネル１６の蛍光体下地層に密着して形成される。熱ラミネートロールの温度は９０−１８０℃の範囲で調整する。熱ラミネートロールの回転速度は０．０１−１ｍ/minの範囲で調整できる。熱ラミネートロールの圧力は、１−５０ｋｇ/ｃｍ^２の範囲で調整する。

ａ−３） 蛍光体保護シート真空プレス法
図６で形成した蛍光体保護シートを蛍光体層７及び蛍光体下地層６上に設ける方法として、図１３及び図１４を用いて説明する蛍光体保護シート真空プレス法を用いることもできる。この場合、フィルムシート法と同様に、蛍光体保護シートを蛍光体層７及び蛍光体下地層６上に密着させた後に、フィルムシートＦを剥離することで、第１の蛍光体保護層８ａを蛍光体層７及び蛍光体下地層６上に設けることができる。

ｂ） 第２の蛍光体保護層８ｂの形成方法
ｂ−１） 直接塗布法
第２のホットメルト樹脂を溶融し、塗布装置を用いて溶融した第２のホットメルト樹脂を直接、第１の蛍光体保護層８ａ上に塗布して形成する方法である。

まず図８（ａ）に示すように、溶融された第２のホットメルト樹脂１８ｂをタンク（不図示）及びダイコータ１７を内に準備し、第１の蛍光体保護層８ａ上の所定の位置に配置する。

次に図８（ｂ）に示すように、第１の蛍光体保護層８ａもしくは蛍光体下地層６上の所定の位置より溶融された第２のホットメルト樹脂１８ｂを射出しながらダイコータ１７を走査して第１の蛍光体保護層８ａ上に塗布する。

次に図８（ｃ）に示すように、第１の蛍光体保護層８ａもしくは周囲の蛍光体下地層６をホットメルト樹脂を塗布して被覆し、放熱硬化して第２の蛍光体保護層８ｂを形成して終了する。

ｂ−２） 蛍光体保護シート熱ロールラミネート法
図９、図１０に示すように、図６、図７と同様にフィルムシート法を用いて第１の蛍光体保護層８ａ上に第２の蛍光体保護層８ｂを形成することができる。すなわち、フィルムシートＦ上に押し出しコート法によって第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層８ｂを形成して、図９（ｂ）で示される蛍光体保護シートを形成する。次に図１０（ａ）に示すように、得られた蛍光体保護シートを第１の蛍光体保護層８ａ上に重ねて、熱ラミネートローラ２７によってホットメルト樹脂の溶融温度以上に第２の蛍光体保護層８ｂのホットメルト樹脂を加熱して溶融し、熱ラミネートローラ２７及び搬送ローラ２８を用いて放射線検出装置を移動させ、第１の蛍光体保護層８ａ上に第２の蛍光体保護層８ｂを形成する。その後、第２のホットメルト樹脂が溶融状態の間にフィルムシートＦを剥離する。こうして、図１０（ｂ）に示すように、第１の蛍光体保護層８ａ上に第２の蛍光体保護層８ｂが密着して形成される。

また反射層保護層１０となる樹脂及び反射層９となる金属膜上に溶融した第２のホットメルト樹脂を押し出しコート法により射出して蛍光体保護シート（第２の蛍光体保護層８ｂ，反射層９，反射層保護層１０からなる）を形成し、蛍光体保護シートを第１の蛍光体保護層８ａ上に重ねて熱ロールラミネートすることで第１の蛍光体保護層８ａ上に第２の蛍光体保護層８ｂを形成することができる。この方法では反射層９，反射層保護層１０を同時に形成することができる。以下この方法について説明する。

図１１（ａ）に示すように、溶融された第２のホットメルト樹脂をタンク２０及びダイコータ１７内に準備し、ロール状に準備された反射層９及び反射層保護層１０の積層からなる積層シートを準備し、しわ取りロール２１，２２によってしわを伸ばされた積層シート上に成形ロール２３，２４間で溶融された第２のホットメルト樹脂１８ｂを押し出しコート法により塗布する。その後、成形ロール２４により成形し、冷却ロール２５にて冷却硬化、切断手段２６にて所定のサイズに切り出す。

図１１（ｂ）に示すように、第２の蛍光体保護層８ｂ、積層シート（反射層９、反射層保護層１０の積層体）からなる蛍光体保護シートＳを作成する。

さらに、図１２（ａ）に示すように、得られた蛍光体保護シートＳをセンサーパネル１６の第１の蛍光体保護層８ａ上もしくは蛍光体下地層６上に重ねて、熱ラミネートローラ２７によって第２のホットメルト樹脂の溶融温度以上にホットメルト樹脂を加熱して溶融する。熱ラミネートローラ２７及び搬送ローラ２８を用いて放射線検出装置を移動させて、第１の蛍光体保護層８ａ上の蛍光体保護シート上の所定の開始位置から第１の蛍光体保護層８ａ上を熱ラミネートローラ２７が相対的に移動するようにして所定の開始位置から蛍光体層７を挟んで対向する位置まで加熱圧着する。放射線検出装置を平面で９０°回転させて再度、第１の蛍光体保護層８ａ上の蛍光体保護シート上の所定の開始位置から第１の蛍光体保護層８ａ上を熱ラミネートローラ２７が相対的に移動するようにして所定の開始位置から蛍光体層７を挟んで対向する位置まで加熱圧着する。

図１２（ｂ）に示すように、蛍光体保護シートが第１の蛍光体保護層８ａに密着される。

ｂ−３） 蛍光体保護シート真空プレス法
反射層保護層１０となる樹脂及び反射層９となる金属膜上に溶融した第２のホットメルト樹脂を押し出しコート法により射出して蛍光体保護シート（第２の蛍光体保護層８ｂ，反射層９，反射層保護層１０からなる）を形成し、蛍光体保護シートを第１の蛍光体保護層８ａ上に重ねて真空プレス装置で圧着して形成する。

図１３に示すように、真空プレス装置内の加熱ステージ３０上に第１の蛍光体保護層８ａが形成された放射線検出装置を設置し、さらに図１１（ａ），（ｂ）で得られた蛍光体保護シートＳを重ねる。

次に図１４に示すように、プレス部材３１（ダイヤフラムゴムなど）の放射線検出装置が配置された側の空間を減圧し、プレス部材３１の放射線検出装置が配置された側と反対側の空間を加圧する。また、加熱ステージ３０でセンサーパネル側から加熱し、ヒータ２９で真空プレス装置内を加熱する。こうして、第２のホットメルト樹脂が溶融して圧着される。加熱をとめて放熱により冷却し、放射線検出装置が配置された空間の減圧及び放射線検出装置が配置された反対側の空間の加圧をとめる。真空プレス装置内から放射線検出装置を取り出して完成する。ダイヤフラムゴムによって、蛍光体保護シートは第１の蛍光体保護層８ａに、隙間無く密着するように加圧され、さらに第２のホットメルト樹脂の溶融開始温度よりも１０−６０℃程高い温度で、数秒―数分加熱することで第２のホットメルト樹脂が溶融する。加圧圧力は、１−５０ｋｇ／ｃｍ^２の範囲で調整する。

上述した、ａ−１）、ｂ−１）の直接塗布法では、従来のＣＶＤ法によりポリパラキシリレン製有機膜を形成する方法にくらべて、短時間、作製の容易性、コスト、膜厚均一性、において優れている。

また上述したａ−２）、ａ−３）、ｂ−２）、ｂ−３）の蛍光体保護シートは、熱ラミネートロール法の図６、図９、図１１で示された方法により形成されることができる。よって
１）蛍光体保護シートが容易に大量に形成できる。

２）蛍光体層、蛍光体保護層上への設置は、従来のＣＶＤ法により形成されるポリパラキシリレン製樹脂の形成時間に比べて短時間で形成可能である。

３）蛍光体保護シートの大きさを所定の大きさに設定可能であり、従来のＣＶＤ法により形成されるポリパラキシリレン製樹脂ではＩＣなどの電気実装用接続部まで形成されてしまうなどの問題が発生することなく形成が可能となる。
（２）蛍光体保護層８ａ，８ｂを有する樹脂シートを蛍光体層表面に貼り合わせる方法
ａ） 蛍光体保護シート熱ロールラミネート法
反射層保護層１０となる樹脂及び反射層９となる金属膜上に溶融したホットメルト樹脂を２層押し出しコート法により射出して蛍光体保護シートＳ’（蛍光体保護層８ａ，８ｂ、反射層９、反射層保護層１０からなる）を形成し、蛍光体保護シートＳ’を蛍光体層７上に重ねて熱ロールラミネートする方法である。

まず、溶融された第１のホットメルト樹脂をタンク２０及びダイコータ１７内に準備し、ロール状に準備された反射層９及び反射層保護層１０の積層からなる積層シートを準備し、しわ取りロール２１，２２によってしわを伸ばされた積層シート上に成形ロール２３，２４間で溶融された第２のホットメルト樹脂を押し出しコート法により塗布し、成形ロール２４により成形した後、冷却ロール２５にて冷却硬化して積層シート上に第２の蛍光体保護層８ｂを形成する。さらに、図１５（ａ）に示すように、溶融された第１のホットメルト樹脂をタンク及びダイコータ内に準備し、第２の蛍光体保護層８ｂが形成された積層シートの第２の蛍光体保護層８ｂ上に二つの成形ロール間で溶融された第１のホットメルト樹脂１８ａを押し出しコート法により塗布し、成形ロールにより成形した後、冷却ロールにて冷却硬化して、第２の蛍光体保護層８ｂ上に第１の蛍光体保護層８ａを形成する。その後、切断手段２６にて所定のサイズに切り出しする。

図１５（ｂ）に示すように、蛍光体保護層８ａ、蛍光体保護層８ｂ、反射層９、反射層保護層１０の積層体からなる蛍光体保護シートＳ’を作成する。

さらに図１６（ａ）に示すように、得られた蛍光体保護シートをセンサーパネル１６の蛍光体層７及び蛍光体下地層６上に重ねて、熱ラミネートローラ２７によって蛍光体層の第１のホットメルト樹脂の溶融温度以上にホットメルト樹脂を加熱して溶融し、熱ラミネートローラ２７及び搬送ローラ２８を用いて放射線検出装置を移動させて、蛍光体下地層６上の蛍光体保護シート上の所定の開始位置から蛍光体層７上を熱ラミネートローラ２７が相対的に移動するようにして所定の開始位置から蛍光体層７を挟んで対向する位置まで加熱圧着する。さらに、放射線検出装置を平面で９０°回転させて再度、蛍光体下地層６上の蛍光体保護シート上の所定の開始位置から蛍光体層７を熱ラミネートローラ２７が相対的に移動するようにして所定の開始位置から蛍光体層７を挟んで対向する位置まで加熱圧着する。

こうして、図１６（ｂ）に示すように、蛍光体保護シートＳ’が蛍光体層７及びセンサーパネル１６の蛍光体下地層６に密着される。

ｂ） 蛍光体保護シート真空プレス法
蛍光体保護シートＳ上に溶融した第１のホットメルト樹脂を押し出しコート法により射出して蛍光体保護シートＳ’（蛍光体保護層８ａ，８ｂ、反射層９、反射層保護層１０からなる）を形成し、蛍光体保護シートＳ’を蛍光体層７上に重ねて真空プレス装置で圧着して形成する方法である。

まず、図１７に示すように、真空プレス装置内の加熱ステージ３０上に、蛍光体層７が形成された放射線検出装置を設置し、さらに図１５（ａ），（ｂ）で得られた蛍光体保護シートＳ’を蛍光体層７上に重ねて配置する。

図１８に示すように、プレス部材３１（ダイヤフラムゴムなど）の放射線検出装置が配置された側の空間を減圧し、プレス部材３１の放射線検出装置が配置された側と反対側の空間を加圧する。また、加熱ステージ３０でセンサーパネル側から加熱し、ヒータ２９で真空プレス装置内を加熱する。こうして、第１のホットメルト樹脂が溶融して圧着される。加熱をとめて放熱により冷却し、放射線検出装置が配置された空間の減圧及び放射線検出装置が配置された反対側の空間の加圧をとめる。真空プレス装置内から放射線検出装置を取り出して完成する。
［第２の実施の形態］

図１９、図２０は他の実施形態を示す。本実施形態はセンサーパネル１６と、ホットメルト樹脂層で蛍光体層を覆ったシンチレータパネル４０とを貼り合わせた、貼り合わせタイプの放射線検出装置を示す。

図１９（ａ）、（ｂ）に示すように、シンチレータパネル４０は、支持基板４１上に、反射層４２、反射層保護層（蛍光体下地層）４３、蛍光体層７、蛍光体保護層８ａ，８ｂを形成して作製される。シンチレータパネル４０にはホットプレス部４４が設けられ、このホットプレス部４４は反射層４２が形成された領域の外側において設けられるのが好ましい。反射層４２上の領域でホットプレスを行うと、反射層４２が熱により変形をおこし、反射光が所定の画素に入射されず、解像度低下の原因となる可能性があるためである。

本実施の形態において、第１の実施形態と同様のものは、同じ番号により示され、説明は省略する。また、ホットメルト樹脂からなる蛍光体保護層８ａ，８ｂは、センサーパネル１６の代わりに支持基板４１、反射層４２、蛍光体下地層４３からなる支持部材を用いたこと以外同様の方法により形成される。

支持基板４１としては、アモルファスカーボン基板やＡｌ基板、ガラス基板、石英基板など種々の放射線透過性の基板を用いることが好ましい。反射層４２としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐｔ、およびＡｕなどの反射率の高い金属を用いることが好ましい。反射層保護層（蛍光体下地層）４３としては、ＬｉＦ，ＭｇＦ₂，ＳｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂，ＭｇＯ，ＳｉＮの透明無機膜及びポリイミド等の透明有機膜を用いることが好ましい。また、反射層保護層（蛍光体下地層）４３としては、反射層４２と蛍光体層７との間で電気化学的腐食の発生を防止するために非導電性材料を用いることが好ましい。

支持基板４１に導電性材料を用いた場合には、支持基板４１と反射層４２との間での電気化学的腐食を防止するために、支持基板４１と反射層４２の間に絶縁層を形成することが好ましい。

図２０（ａ）、（ｂ）に示すように、かかるシンチレータパネル４０とセンサーパネル１６をホットメルト樹脂からなる蛍光体保護層８の接着性を利用して貼り合わせる。貼り合わせ後、封止材４５により貼り合わされた放射線検出装置（センサーパネル１６とシンチレータパネル４０）の周囲を封止する。ここで、貼り合せにおいて、エポキシ樹脂等の一般的な接着材を別途用いてセンサーパネル１６とシンチレータパネル４０を貼り合わせてもよい。しかしながら別途接着材を用いると、蛍光体層７から受光部１５までの距離が大きくなり、蛍光体層７で発せられた光の散乱による解像度の低下が起こる恐れがある。
［第３の実施の形態］

次に本発明に係わる放射線検出装置を用いた放射線検出システムについて図２６を用いて説明する。

図２６に示すように、Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は、患者或いは被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、放射線検出装置６０４０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して放射線検出装置６０４０の蛍光体は発光し、これを光電変換して電気的情報を得る。この情報は、ディジタルに変換されイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室のディスプレイ６０８０で観察できる。

また、この情報は電話回線６０９０等の伝送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールーム等ディスプレイ６０８１に表示又は光ディスク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６１００によりフィルム６１１０に記録することもできる。

以下、具体的な実施例を挙げて本発明を詳しく説明する。

本実施例は、図１に示される直接蒸着タイプの放射線検出装置の例である。

厚さ０．７ｍｍのガラス基板１上の４３０ｍｍ×４３０ｍｍの領域に、アモルファスシリコンからなるフォトダイオード（光電変換素子）２、ＴＦＴ（不図示）、及びＡｌの配線３からなる、画素サイズ１６０μｍ×１６０μｍの画素１５を２次元的に配置して受光部１５を設けた。また、ガラス基板１の周囲の領域には、受光部１５から読み出される光電変換情報を読み出すＩＣ等の配線部材１２と電気的に接続するための、Ａｌの取り出し配線４、及び配線接続部１１を設けた。その後ＳｉＮからなるセンサー保護層５及びポリイミドからなる蛍光体下地層（パッシベーション膜）６を配線接続部１１が形成された領域を除いて形成し、センサーパネル１６を得た。

得られたセンサーパネル１６の受光部１５上の蛍光体下地層６上に、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）にタリウム（Ｔｌ）が添加された、柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌを、真空蒸着法により成膜時間４時間で厚さ５５０μｍ形成した。Ｔｌの添加濃度は０．１〜０．３ｍｏｌ％であった。ＣｓＩ：Ｔｌの柱状結晶の頂面側（蒸着終了表面側）の柱径は平均約５μｍであった。形成されたＣｓＩ：Ｔｌを２００℃の窒素雰囲気下のクリーンオーブン内で２時間熱処理することによって、蛍光体層７を得た。

図１１（ａ），（ｂ）に示されるように、エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とする第２のホットメルト樹脂をタンク２０内において１３０℃で溶融して準備する。また、厚さ２５μｍのＡｌからなる反射層９と厚さ２５μｍのＰＥＴからなる反射層保護層１０とを積層して形成され、ロール状に準備された積層シートを準備する。しわ取りロール２１，２２によってしわを伸ばされた積層シート上に、成形ロール２３，２４間において溶融されたホットメルト樹脂を、ダイコータ１７を用いて押し出しコート法によって塗布し、成形ロール２４によって成形され、冷却ロール２５によって冷却硬化される。上記工程により第２の蛍光体保護層８ｂとなる厚さ５０μｍのホットメルト樹脂、反射層９、及び反射層保護層１０の積層構造からなる蛍光体保護シートＳを得た。本実施例では、上記エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とする第２のホットメルト樹脂として、Ｈ−２５００（倉敷紡績製）を用いた。

次に、図１５（ａ），（ｂ）に示されるように、エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とする第１のホットメルト樹脂をタンク２０内において１３０℃で溶融して準備する。先に得られロール状に準備された蛍光体保護シートＳの第２の蛍光体保護層８ｂ上に同様な方法で第１のホットメルト樹脂を塗布し、成形ロール２４によって成形され、冷却ロール２５によって冷却硬化される。その後切断手段によって所定のサイズに切り出し、蛍光体保護層８ａとなる厚さ５０μｍの第１のホットメルト樹脂、第２の蛍光体保護層８ｂ、反射層９、及び反射層保護層１０の積層構造からなる蛍光体保護シートＳ’を得た。本実施例では、上記エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とする第１のホットメルト樹脂として、Ｐ−２２００（倉敷紡績製）を用いた。本実施例において、第１の蛍光体保護層８ａと第２の蛍光体保護層８ｂは共にエチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とするため樹脂間の相溶性が良く、第１及び第２の蛍光体保護層８ａ，８ｂ間で高い密着性を有することが可能となる。

次に、図１６（ａ），（ｂ）に示されるように、得られた蛍光体保護シートＳ’を蛍光体下地層６及び蛍光体層７上に重ねて、蛍光体層７が設けられた領域の周囲の領域（蛍光体層７の端部と蛍光体下地層６の端部との間の領域）における蛍光体下地層６の表面、蛍光体層７の側面及び頂面を被覆するように、熱ラミネートローラ２７によって第１の蛍光体保護層８ａを加熱圧着処理する。熱ラミネートローラ２７及び搬送ローラ２８を用いて放射線検出装置を移動させて、蛍光体下地層６上の蛍光体保護シートＳ’上の所定の開始位置から蛍光体層７上を熱ラミネートローラ２７が相対的に移動するようにして、所定の開始位置から蛍光体層７を挟んで対向する位置まで加熱圧着する。続いて放射線検出装置を平面で９０°回転させて再度、蛍光体下地層６上の蛍光体保護シートＳ’上の所定の開始位置から蛍光体層７上を熱ラミネートローラ２７が相対的に移動するようにして、所定の開始位置から蛍光体層７を挟んで対向する位置まで加熱圧着する。上記加熱圧着処理により、蛍光体保護シートＳ’の第１の蛍光体保護層８ａと、蛍光体下地層６、蛍光体層７の側面及び頂面が密着され、第１の蛍光体保護層８ａ、第２の蛍光体保護層８ｂ、反射層９、及び反射層保護層１０からなる蛍光体保護部材を得た。ここで、上記加熱圧着は、熱ラミネートローラ２７のローラ温度を１３０℃、ロール回転速度を０．１ｍ／ｍｉｎ、圧力１０ｋｇ／ｃｍ^２の条件で行った。

次に、図４（ｃ）に示されるように、４３０ｍｍ×３ｍｍの大きさの加熱プレス部３２を有する加熱プレス装置を用いて、取り出された放射線検出装置の、蛍光体下地層６上に密着された第１の蛍光体保護層８ａの所定の領域を加熱加圧処理（ホットプレス処理）するため反射層保護層１０上から一括してホットプレス処理することによって、第１の蛍光体保護層８ａが蛍光体下地層６上の配線間隔に起因する凹凸を埋めるように第１の蛍光体保護層８ａが入り込み、かつ、他の領域より層厚が薄く形成されたホットプレス部１４ａが形成される。上記ホットプレス部１４ａが形成されることにより、凹凸によって発生しうる隙間部３１（図３（ｂ）参照）を埋めることができ、それによって、蛍光体下地層６と第１の蛍光体保護層８ａの密着性の向上、及び蛍光体下地層６と第１の蛍光体保護層８ａの界面における防湿性の向上といった効果が得られる。上記ホットプレス処理を放射線検出装置の各辺ごとに行い、ホットプレス処理された放射線検出装置を得た。上記ホットプレス処理は、加熱温度１７０℃、加圧圧力５ｋｇ／ｃｍ^２、加熱加圧時間を１０秒として行った。

次に、ＩＣが設けられたＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）からなる配線部材１２を、ＡＣＦ（異方性接着材）を用いて１５０℃で圧着して配線接続部１１に接続し、図１に示される放射線検出装置を得た。

以上のようにして作製した放射線検出装置を、６０℃、９０％の温度、湿度試験槽に１０００時間保存した。その結果、蛍光体層７の位置ずれ、各層間の剥離等の外観不良は発生しなかった。また、蛍光体層７の、水や溶剤に起因する腐食及び潮解による発光強度の劣化も全く認められず、高信頼性の放射線検出装置が得られた。

本実施例では、実施例１の蛍光体保護層８に用いられたホットメルト樹脂材料及び形成方法と、異なるホットメルト樹脂材料及び形成方法を用いたこと以外は、実施例１と同様の放射線検出装置を実施例１と同様の方法にて製造した。

実施例１と同様な方法により得られたセンサーパネル１６の受光部１５上の蛍光体下地層６上に、実施例１と同様な方法により柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌからなる蛍光体層７を得た。

次に図９（ａ），（ｂ）に示されるように、エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とする第１のホットメルト樹脂をタンク２０内において１３０℃で溶融して準備する。また、ロール状に準備されたシートＦを準備する。しわ取りロール２１，２２によってしわを伸ばされたシートＦ上に、成形ロール２３，２４間において溶融された第１のホットメルト樹脂を、ダイコータ１７を用いて押し出しコート法によって塗布し、成形ロール２４によって成形され、冷却ロール２５によって冷却硬化される。その後切断手段によって所定のサイズに切り出し、第１の蛍光体保護層８ａとなる厚さ５０μｍのホットメルト樹脂を有する蛍光体保護層シートを得た。本実施例では、上記エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とする第１のホットメルト樹脂として、Ｐ−２２００（倉敷紡績製）を用いた。

次に図１０（ａ），（ｂ）に示されるように、得られた蛍光体保護層シートを蛍光体下地層６及び蛍光体層７上に重ねて、蛍光体層７が設けられた領域の周囲の領域（蛍光体層７の端部と蛍光体下地層６の端部との間の領域）における蛍光体下地層６の表面、蛍光体層７の側面及び頂面を被覆するように、熱ラミネートローラ２７によって第１の蛍光体保護層８ａを加熱圧着処理する。熱ラミネートローラ２７及び搬送ローラ２８を用いて放射線検出装置を移動させて、蛍光体下地層６上の蛍光体保護層シート上の所定の開始位置から蛍光体層７上を熱ラミネートローラ２７が相対的に移動するようにして、所定の開始位置から蛍光体層７を挟んで対向する位置まで加熱圧着する。続いて放射線検出装置を平面で９０°回転させて再度、蛍光体下地層６上の蛍光体保護層シート上の所定の開始位置から蛍光体層７上を熱ラミネートローラ２７が相対的に移動するようにして、所定の開始位置から蛍光体層７を挟んで対向する位置まで加熱圧着する。上記加熱圧着処理により、第１の蛍光体保護層８ａと、蛍光体下地層６、蛍光体層７の側面及び頂面が密着される。ここで、上記加熱圧着は、熱ラミネートローラ２７のローラ温度を１３０℃、ロール回転速度を０．１ｍ／ｍｉｎ、圧力１０ｋｇ／ｃｍ^２の条件で行った。更に第１のホットメルト樹脂８ａが冷却固化される前にシートＦを剥離し、第１の蛍光体保護層８ａの形成工程を終了する。

次に図１１（ａ），（ｂ）に示されるように、エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とする第２のホットメルト樹脂をタンク２０内において１３０℃で溶融して準備する。また、厚さ２５μｍのＡｌからなる反射層９と厚さ２５μｍのＰＥＴからなる反射層保護層１０とを積層して形成され、ロール状に準備された積層シートを準備する。しわ取りロール２１，２２によってしわを伸ばされた積層シート上に、成形ロール２３，２４間において溶融されたホットメルト樹脂を、ダイコータ１７を用いて押し出しコート法によって塗布し、成形ロール２４によって成形され、冷却ロール２５によって冷却硬化される。その後切断手段によって蛍光体保護層シートより大きいサイズに切り出し第２の蛍光体保護層８ｂとなる厚さ５０μｍのホットメルト樹脂、反射層９、及び反射層保護層１０の積層構造からなる蛍光体保護シートＳを得た。本実施例では、上記エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とする第２のホットメルト樹脂として、Ｈ−２５００（倉敷紡績製）を用いた。

次に図１２（ａ），（ｂ）に示されるように、得られた蛍光体保護シートＳを蛍光体下地層６及び第１の蛍光体保護層８ａ上に重ねて、第１の蛍光体保護層８ａが設けられた領域の周囲の領域（第１の蛍光体保護層８ａの端部と蛍光体下地層６の端部との間の領域）における蛍光体下地層６の表面、第１の蛍光体保護層８ａの表面を被覆するように、熱ラミネートローラ２７によってホットメルト樹脂を加熱圧着処理する。熱ラミネートローラ２７及び搬送ローラ２８を用いて放射線検出装置を移動させて、蛍光体下地層６上の蛍光体保護シートＳ上の所定の開始位置から第１の蛍光体保護層８ａ上を熱ラミネートローラ２７が相対的に移動するようにして、所定の開始位置から蛍光体層７を挟んで対向する位置まで加熱圧着する。続いて放射線検出装置を平面で９０°回転させて再度、蛍光体下地層６上の蛍光体保護シートＳ上の所定の開始位置から第１の蛍光体保護層８ａ上を熱ラミネートローラ２７が相対的に移動するようにして、所定の開始位置から蛍光体層７を挟んで対向する位置まで加熱圧着する。上記加熱圧着処理により、蛍光体保護シートＳの第２の蛍光体保護層８ｂと、蛍光体下地層６、第１の蛍光体保護層８ａの表面が密着され、第１の蛍光体保護層８ａ、第２の蛍光体保護層８ｂ、反射層９、及び反射層保護層１０からなる蛍光体保護部材を得た。ここで、上記加熱圧着は、熱ラミネートローラ２７のローラ温度を１３０℃、ロール回転速度を０．１ｍ／ｍｉｎ、圧力１０ｋｇ／ｃｍ^２の条件で行った。

次に、４３０ｍｍ×３ｍｍの大きさの加熱プレス部３２を有する加熱プレス装置を用いて、取り出された放射線検出装置の、蛍光体下地層６上に密着された第２の蛍光体保護層８ｂの所定の領域を加熱加圧処理（ホットプレス処理）するため反射層保護層１０上からホットプレス処理することによって、第２の蛍光体保護層８ｂが蛍光体下地層６上の配線間隔に起因する凹凸を埋めるように第２の蛍光体保護層８ｂが入り込み、かつ、他の領域より層厚が薄く形成されたホットプレス部１４ｃが形成される。上記ホットプレス部１４ｃが形成されることにより、凹凸によって発生しうる隙間部を埋めることができ、それによって、蛍光体下地層６と第２の蛍光体保護層８ｂの密着性の向上、及び蛍光体下地層６と第２の蛍光体保護層８ｂの界面における防湿性の向上といった効果が得られる。上記ホットプレス処理を放射線検出装置の各辺ごとに行い、ホットプレス処理された放射線検出装置を得た。上記ホットプレス処理は、加熱温度１７０℃、加圧圧力５ｋｇ／ｃｍ^２、加熱加圧時間を１０秒として行った。

次に、実施例１と同様な方法により配線部材１２を配線接続部１１に接続し、図２１に示される放射線検出装置を得た。

以上のようにして作製した放射線検出装置を、６０℃、９０％の温度、湿度試験槽に１０００時間保存した。その結果、蛍光体層７の位置ずれ、各層間の剥離等の外観不良は発生しなかった。また、蛍光体層７の、水や溶剤に起因する腐食及び潮解による発光強度の劣化も全く認められず、高信頼性の放射線検出装置が得られた。

本実施例では、実施例２の第１の蛍光体保護層８ａ及び第２の蛍光体保護層８ｂに用いられたホットメルト樹脂材料と異なるホットメルト樹脂材料を用いたこと以外は、実施例２と同様の放射線検出装置を実施例２と同様の方法にて製造した。

実施例１、２と同様な方法により得られたセンサーパネル１６の受光部１５上の蛍光体下地層６上に、実施例１、２と同様な方法により柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌからなる蛍光体層７を得た。

次に第２の実施例と同様に、第１の蛍光体保護層８ａとなる厚さ３０μｍのホットメルト樹脂を有する蛍光体保護層シートを得た。本実施例では、上記エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とする第１のホットメルト樹脂として、Ｏ−４１２１（倉敷紡績製）を用いた。得られた蛍光体保護層シートを第２の実施例と同様の方法により蛍光体下地層６、蛍光体層７の側面及び頂面が密着された第１の蛍光体保護層８ａを設けた。ここで本実施例では第１の蛍光体保護層８ａ上から可視光にて蛍光体層７の検査を行う。本実施例で用いられたホットメルト樹脂は可視光透過性を有するため、蛍光体層７の検査に紫外線を用いることなく可視光での検査が可能となるため、光電変換素子２に悪影響を与えることなく簡便に検査を行うことができるという利点を有する。

次に、実施例２と同様な方法により、エチレン−メタクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂を厚さ７０μｍで積層シート上に第２の蛍光体保護層８ｂとして設け、第２の蛍光体保護層８ｂ、反射層９、及び反射層保護層１０の積層構造からなる蛍光体保護シートＳを得た。得られた蛍光体保護シートＳの第２の蛍光体保護層８ｂを実施例２と同様な方法により蛍光体下地層６、第１の蛍光体保護層８ａの表面と密着させ、第１の蛍光体保護層８ａ、第２の蛍光体保護層８ｂ、反射層９、及び反射層保護層１０からなる蛍光体保護部材を得た。本実施例では、上記エチレン−メタクリル酸エステル共重合体を主成分とする第２のホットメルト樹脂として、Ｈ−２５００（倉敷紡績製）を用いた。また、本実施例の第２のホットメルト樹脂には、カーボンブラックを２０ｗｔ％含有させ、第２の蛍光体保護層８ｂは黒色を有する樹脂としている。これにより第２の蛍光体保護層８ｂは受光部１５に外光が入射することを防ぐ遮光層としての機能も有する。

次に実施例２と同様の方法によりホットプレス処理を放射線検出装置の各辺ごとに行い、ホットプレス処理された放射線検出装置を得た。

次に、実施例１と同様な方法により配線部材１２を配線接続部１１に接続し、図２１に示される放射線検出装置を得た。

以上のようにして作製した放射線検出装置を、６０℃、９０％の温度、湿度試験槽に１０００時間保存した。その結果、蛍光体層７の位置ずれ、各層間の剥離等の外観不良は発生しなかった。また、蛍光体層７の、水や溶剤に起因する腐食及び潮解による発光強度の劣化も全く認められず、高信頼性の放射線検出装置が得られた。

本実施例は、図２０（ａ），（ｂ）に示される、貼り合わせタイプの放射線検出装置の例である。

厚さ０．７ｍｍのガラス基板１上の４３０ｍｍ×４３０ｍｍの領域に、アモルファスシリコンからなるフォトダイオード（光電変換素子）２、ＴＦＴ（不図示）、及びＡｌの配線３からなる、画素サイズ１６０μｍ×１６０μｍの画素１５を２次元的に配置して受光部１５を設けた。また、ガラス基板１の周囲の領域には、受光部１５から読み出される光電変換情報を読み出すＩＣ等の配線部材１２と電気的に接続するための、Ａｌの取り出し配線４、及び配線接続部１１を設けた。その後ＳｉＮからなるセンサー保護層５及びポリイミドからなるパッシベーション膜６を配線接続部１１が形成された領域を除いて形成し、センサーパネル１６を得た。

次に、厚さ１ｍｍのアモルファスカーボン製の支持基板４１上に、厚さ３０００ÅのＡｌを蒸着して反射層４２を形成し、支持基板４１の反射層４２が形成された側の表面および反射層４２を被覆するようにポリイミドからなる蛍光体下地層（反射層保護層）４３を形成して支持部材を得た。次に、蛍光体下地層４３上に、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）にタリウム（Ｔｌ）が添加された、柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌを、真空蒸着法により成膜時間４時間で厚さ５５０μｍ形成した。Ｔｌの添加濃度は０．１〜０．３ｍｏｌ％であった。ＣｓＩ：Ｔｌの柱状結晶の頂面側（蒸着終了表面側）の柱径は平均約５μｍであった。形成されたＣｓＩ：Ｔｌを２００℃の窒素雰囲気下のクリーンオーブン内で２時間熱処理することによって、蛍光体層７を得た。

次に図９（ａ），（ｂ）に示されるように、エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とする第１のホットメルト樹脂をタンク２０内において１３０℃で溶融して準備する。また、ロール状に準備されたシートＦを準備する。しわ取りロール２１，２２によってしわを伸ばされたシートＦ上に、成形ロール２３，２４間において溶融された第１のホットメルト樹脂を、ダイコータ１７を用いて押し出しコート法によって塗布し、成形ロール２４によって成形され、冷却ロール２５によって冷却硬化される。その後切断手段によって所定のサイズに切り出し、第１の蛍光体保護層８ａとなる厚さ５０μｍのホットメルト樹脂を有する蛍光体保護層シートを得た。本実施例では、上記エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とする第１のホットメルト樹脂として、Ｐ−２２００（倉敷紡績製）を用いた。

次に得られた蛍光体保護層シートを蛍光体下地層４３及び蛍光体層７上に重ねて、蛍光体層７が設けられた領域の周囲の領域（蛍光体層７の端部と蛍光体下地層４３の端部との間の領域）における蛍光体下地層４３の表面、蛍光体層７の側面及び頂面を被覆するように、熱ラミネートローラ２７によって第１の蛍光体保護層８ａを加熱圧着処理する。熱ラミネートローラ２７及び搬送ローラ２８を用いて放射線検出装置を移動させて、蛍光体下地層４３上の蛍光体保護層シート上の所定の開始位置から蛍光体層７上を熱ラミネートローラ２７が相対的に移動するようにして、所定の開始位置から蛍光体層７を挟んで対向する位置まで加熱圧着する。続いて放射線検出装置を平面で９０°回転させて再度、蛍光体下地層４３上の蛍光体保護層シート上の所定の開始位置から蛍光体層７上を熱ラミネートローラ２７が相対的に移動するようにして、所定の開始位置から蛍光体層７を挟んで対向する位置まで加熱圧着する。上記加熱圧着処理により、第１の蛍光体保護層８ａと、蛍光体下地層６、蛍光体層７の側面及び頂面が密着される。ここで、上記加熱圧着は、熱ラミネートローラ２７のローラ温度を１３０℃、ロール回転速度を０．１ｍ／ｍｉｎ、圧力１０ｋｇ／ｃｍ^２の条件で行った。更に第１のホットメルト樹脂８ａが冷却固化される前にシートＦを剥離し、第１の蛍光体保護層８ａの形成工程を終了する。

次に図９（ａ），（ｂ）に示されるように、エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とする第２のホットメルト樹脂をタンク２０内において１３０℃で溶融して準備する。また、ロール状に準備されたシートＦを準備する。しわ取りロール２１，２２によってしわを伸ばされたシートＦ上に、成形ロール２３，２４間において溶融された第１のホットメルト樹脂を、ダイコータ１７を用いて押し出しコート法によって塗布し、成形ロール２４によって成形され、冷却ロール２５によって冷却硬化される。その後切断手段によって所定のサイズに切り出し、第２の蛍光体保護層８ｂとなる厚さ５０μｍのホットメルト樹脂を有する蛍光体保護層シートを得た。本実施例では、上記エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とする第２のホットメルト樹脂として、Ｈ−２５００（倉敷紡績製）を用いた。

次に図１２（ａ），（ｂ）に示されるように、得られた蛍光体保護層シートを蛍光体下地層４３及び第１の蛍光体保護層８ａ上に重ねて、第１の蛍光体保護層８ａが設けられた領域の周囲の領域（第１の蛍光体保護層８ａの端部と蛍光体下地層４３の端部との間の領域）における蛍光体下地層４３の表面、第１の蛍光体保護層８ａの表面を被覆するように、熱ラミネートローラ２７によってホットメルト樹脂を加熱圧着処理する。熱ラミネートローラ２７及び搬送ローラ２８を用いて放射線検出装置を移動させて、蛍光体下地層４３上の蛍光体保護層シート上の所定の開始位置から第１の蛍光体保護層８ａ上を熱ラミネートローラ２７が相対的に移動するようにして、所定の開始位置から蛍光体層７を挟んで対向する位置まで加熱圧着する。続いて放射線検出装置を平面で９０°回転させて再度、蛍光体下地層４３上の蛍光体保護層シート上の所定の開始位置から第１の蛍光体保護層８ａ上を熱ラミネートローラ２７が相対的に移動するようにして、所定の開始位置から蛍光体層７を挟んで対向する位置まで加熱圧着する。ここで、上記加熱圧着は、熱ラミネートローラ２７のローラ温度を１３０℃、ロール回転速度を０．１ｍ／ｍｉｎ、圧力１０ｋｇ／ｃｍ^２の条件で行った。更に第１のホットメルト樹脂８ａが冷却固化される前にシートＦを剥離し、第２の蛍光体保護層８ｂの形成工程を終了する。

次に、４３０ｍｍ×３ｍｍの大きさの加熱プレス部３２を有する加熱プレス装置を用いて、取り出された放射線検出装置の、蛍光体下地層４３上に密着された第２の蛍光体保護層８ｂの所定の領域を加熱加圧処理（ホットプレス処理）することによって、蛍光体下地層６と第２の蛍光体保護層８ｂの密着性の向上、及び蛍光体下地層４３と第２の蛍光体保護層８ｂの界面における防湿性の向上といった効果が得られる。上記ホットプレス処理を放射線検出装置の各辺ごとに行い、ホットプレス処理された放射線検出装置を得た。上記ホットプレス処理は、加熱温度１７０℃、加圧圧力５ｋｇ／ｃｍ^２、加熱加圧時間を１０秒として行った。上記構成及び製造工程により、シンチレータパネル４０を得た。

得られたシンチレータパネル４０上にセンサーパネル１６を準備し、それらを真空プレス装置内の加熱ステージ３０上に設置し、プレス部材３１の放射線検出装置が配置された側の空間を減圧し、同時にプレス部材３１の放射線検出装置が配置された側と反対側の空間を加圧し、さらに加熱ステージ３０でセンサーパネル側から加熱しヒータ２９で真空プレス装置内を加熱することによってホットメルト樹脂が溶融して、センサーパネル１６とシンチレータパネル４０が接着される。ここで、上記接着処理は、真空プレス装置の加熱ヒータ２９及び加熱ステージ３０の温度を１４０℃、加圧時間を３分、圧力５ｋｇ／ｃｍ^２の条件で行った。その後、加熱をとめて放熱により冷却し、放射線検出装置が配置された空間の減圧及び放射線検出装置が配置された反対側の空間の加圧をとめ、真空プレス装置内から放射線検出装置を取り出す。上記構成及び製造工程により、シンチレータパネル４０がセンサーパネル１６と接着されて形成された放射線検出装置が得られた。

次に、得られた放射線検出装置に、実施例１と同様な方法により配線部材１２を配線接続部１１に接続し、さらに流動性シリコーン樹脂（ＴＥＳ３２５、ＧＥ東芝シリコーン社製）からなる封止部材１１と、半流動性シリコーン樹脂（ＴＳＥ３２５３、ＧＥ東芝シリコーン社製）からなる封止材４５を形成し、図２０（ｂ）に示される放射線検出装置を得た。

以上のようにして作製した放射線検出装置を、６０℃、９０％の温度、湿度試験槽に１０００時間保存した。その結果、蛍光体層７の位置ずれ、各層間の剥離等の外観不良は発生しなかった。また、蛍光体層７の、水や溶剤に起因する腐食及び潮解による発光強度の劣化も全く認められず、高信頼性の放射線検出装置が得られた。

上述した各実施例では、表１に示す、同じ処理温度に対する粘性率が異なる材料を用いて第１及び第２のホットメルト樹脂を構成している。しかし、処理温度が上がると粘性率が低下するので、第１及び第２のホットメルト樹脂を同一材料（例えば、Ｈ−２５００）としても、処理温度を変えれば、粘性率を変えることができる。したがって、第１の蛍光体保護層８ａとして用いる場合には温度を低くして粘性率を高くし、第２の蛍光体保護層８ｂとして用いる場合には温度を高くして粘性率を低くして、第１及び第２のホットメルト樹脂として同一材料を用いることもできる。

本発明は、医療診断機器、非破壊検査機器等に用いられる、放射線検出装置やシンチレータパネルに用いられるものである。

本発明に係わるＸ線デジタルカメラの撮像素子部の模式的平面図である。 図１のＡ−Ａ’断面図である。 ホットプレスを行なった部分の断面図及びホットプレスを行わない部分の断面図である。 ホットプレスの方法を示す図である。 直接塗布法による蛍光体層上の第１の蛍光体保護層の形成方法を示す図である。 フィルムシート法による蛍光体保護シートの形成方法を示す図である。 フィルムシート法による蛍光体層上の第１の蛍光体保護層の形成方法を示す図である。 直接塗布法による第１の蛍光体保護層上の第２の蛍光体保護層の形成方法を示す図である。 フィルムシート法による蛍光体保護シートの形成方法を示す図である。 フィルムシート法による第１の蛍光体保護層上の第２の蛍光体保護層の形成方法を示す図である。 フィルムシート法による蛍光体保護シートの形成方法を示す図である。 フィルムシート法による第１の蛍光体保護層上の第２の蛍光体保護層の形成方法を示す図である。 蛍光体保護シート真空プレス法による第１の蛍光体保護層上の第２の蛍光体保護層の形成方法を示す図である。 蛍光体保護シート真空プレス法による第１の蛍光体保護層上の第２の蛍光体保護層の形成方法を示す図である。 フィルムシート法による蛍光体保護シートの形成方法を示す図である。 フィルムシート法による蛍光体層上の第１及び第２の蛍光体保護層の形成方法を示す図である。 蛍光体保護シート真空プレス法による蛍光体層上の第１及び第２の蛍光体保護層の形成方法を示す図である。 蛍光体保護シート真空プレス法による蛍光体層上の第１及び第２の蛍光 シンチレータパネルを示す図である。 センサーパネルと、シンチレータパネルとを貼り合わせた放射線検出装置を示す図である。 本発明の他の実施形態に係わるＸ線デジタルカメラの撮像素子部の模式的平面図である。 図２１のＡ−Ａ’断面図である。 ヒートシールを行なった部分の断面図及びヒートシールを行わない部分の断面図である。 本発明の更に他の実施形態に係わるＸ線デジタルカメラの撮像素子部の模式的平面図である。 図２４のＡ−Ａ’断面図である。 本発明に係わる放射線検出装置を用いた放射線検出システムを示す図である。

符号の説明

１ 基板
２ 光電変換素子
３ 配線
４ 電気的接続部（取り出し配線）
５ 保護層
６ 蛍光体下地層
７ 柱状蛍光体層
８ａ 第１の蛍光体保護層
８ｂ 第２の蛍光体保護層
９ 光反射層
１０ 光反射層保護層
１１ 配線接続部
１２ 配線部材
１３ 封止部材
１４ ホットプレス部
１５ 受光部
１６ センサーパネル

Claims (53)

1. 基板と、前記基板上に配置された、光を電気信号に変換する複数の光電変換素子からなる受光部と、前記受光部上に配置された保護層と、を有するセンサーパネルと、
   前記センサーパネル上に配置された、放射線を光に変換する蛍光体層と、
   前記蛍光体層上に積層された複数の蛍光体保護層を含む蛍光体保護部材と、を有する放射線検出装置において、
   前記複数の蛍光体保護層は、前記蛍光体層を被覆し前記センサーパネルと密着する第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層と、前記蛍光体層と接しない第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層とを含み、
   前記第１のホットメルト樹脂の処理温度ｔ１における前記第１のホットメルト樹脂の粘性率をｎ１（ｔ１）、前記第２のホットメルト樹脂の処理温度ｔ２における前記第２のホットメルト樹脂の粘性率をｎ２（ｔ２）、とすると、ｎ１（ｔ１）＞ｎ２（ｔ２）であることを特徴とする放射線検出装置。
2. 請求項１記載の放射線検出装置において、１×１０²（Ｐａ・ｓ）≦ｎ２（ｔ２）＜ｎ１（ｔ１）≦１×１０⁴（Ｐａ・ｓ）であることを特徴とする放射線検出装置。
3. 請求項１記載の放射線検出装置において、１×１０³（Ｐａ・ｓ）≦ｎ１（ｔ１）≦１×１０⁴（Ｐａ・ｓ）かつ１×１０²（Ｐａ・ｓ）≦ｎ２（ｔ２）≦６．０×１０³（Ｐａ・ｓ）であることを特徴とする放射線検出装置。
4. 基板と、前記基板上に配置された、光を電気信号に変換する複数の光電変換素子からなる受光部と、前記受光部上に配置された保護層と、を有するセンサーパネルと、
   前記センサーパネル上に配置された、放射線を光に変換する蛍光体層と、
   前記蛍光体層上に積層された複数の蛍光体保護層を含む蛍光体保護部材と、を有する放射線検出装置において、
   前記複数の蛍光体保護層は、前記蛍光体層を被覆し前記センサーパネルと密着する第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層と、前記蛍光体層と接しない第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層とを含み、
   前記第２のホットメルト樹脂の処理温度ｔ２における前記第１のホットメルト樹脂の粘性率をｎ１（ｔ２）、前記温度ｔ２における前記第２のホットメルト樹脂粘性率をｎ２（ｔ２）とすると、ｎ１（ｔ２）＞ｎ２（ｔ２）であることを特徴とする放射線検出装置。
5. 基板と、前記基板上に配置された、光を電気信号に変換する複数の光電変換素子からなる受光部と、前記受光部上に配置された保護層と、を有するセンサーパネルと、
   前記センサーパネル上に配置された、放射線を光に変換する蛍光体層と、
   前記蛍光体層上に積層された複数の蛍光体保護層を含む蛍光体保護部材と、を有する放射線検出装置において、
   前記複数の蛍光体保護層は、前記蛍光体層を被覆し前記センサーパネルと密着する第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層と、前記蛍光体層と接しない第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層とを含み、
   前記第１のホットメルト樹脂の溶融開始温度をＴｙ１、前記第２のホットメルト樹脂の溶融開始温度をＴｙ２とすると、Ｔｙ１＞Ｔｙ２であることを特徴とする放射線検出装置。
6. 請求項５記載の放射線検出装置において、７０（℃）≦Ｔｙ２＜Ｔｙ１≦１５０（℃）であることを特徴とする放射線検出装置。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載の放射線検出装置において、前記蛍光体保護部材は、前記複数の蛍光体保護層のほかに、前記第２の蛍光体保護層と接していて前記蛍光体層で変換された光を反射する反射層と、該反射層を保護する反射層保護層とを有することを特徴とする放射線検出装置。
8. 請求項１から７のいずれか１項に記載の放射線検出装置において、前記第２の蛍光体保護層は前記第１の蛍光体保護層より広い領域を有し、前記第１の蛍光体保護層の形成領域外において前記センサーパネルに密着していることを特徴とする放射線検出装置。
9. 請求項１から８のいずれか１項に記載の放射線検出装置において、前記蛍光体保護部材は、前記保護層と接する領域において加圧処理により圧着された領域を有することを特徴とする放射線検出装置。
10. 請求項９記載の放射線検出装置において、前記加圧処理により圧着された領域は、前記第１の蛍光体保護層の形成領域外に配置されていることを特徴とする放射線検出装置。
11. 請求項９又は１０に記載の放射線検出装置において、前記圧着された領域が加熱圧着処理によって圧着されたことを特徴とする放射線検出装置。
12. 請求項１から１１のいずれか１項に記載の放射線検出装置において、前記第１及び第２のホットメルト樹脂がポリオレフィン系、ポリエステル系又はポリアミド系樹脂を主成分とすることを特徴とする放射線検出装置。
13. 請求項１から１１のいずれか１項に記載の放射線検出装置において、前記第１及び第２のホットメルト樹脂がポリオレフィン系を主成分とすることを特徴とする放射線検出装置。
14. 請求項１から１３のいずれか１項に記載の放射線検出装置において、前記蛍光体層は柱状結晶構造を有することを特徴とする放射線検出装置。
15. 支持部材と、該支持部材上に形成された放射線を光に変換する蛍光体層と、該蛍光体層上に積層された複数の蛍光体保護層を含む蛍光体保護部材と、を有するシンチレータパネルにおいて、
    前記複数の蛍光体保護層は、前記蛍光体層を被覆し前記支持部材と密着する第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層と、前記蛍光体層と接しない第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層とを含み、
    前記第１のホットメルト樹脂の処理温度ｔ１における前記第１のホットメルト樹脂の粘性率をｎ１（ｔ１）、前記第２のホットメルト樹脂の処理温度ｔ２における前記第２のホットメルト樹脂の粘性率をｎ２（ｔ２）、とすると、ｎ１（ｔ１）＞ｎ２（ｔ２）であることを特徴とするシンチレータパネル。
16. 請求項１５記載のシンチレータパネルにおいて、１×１０²（Ｐａ・ｓ）≦ｎ２（ｔ２）＜ｎ１（ｔ１）≦１×１０⁴（Ｐａ・ｓ）であることを特徴とするシンチレータパネル。
17. 請求項１５記載のシンチレータパネルにおいて、１×１０³（Ｐａ・ｓ）≦ｎ１（ｔ１）≦１×１０⁴（Ｐａ・ｓ）かつ１×１０²（Ｐａ・ｓ）≦ｎ２（ｔ２）≦６．０×１０³（Ｐａ・ｓ）であることを特徴とするシンチレータパネル。
18. 支持部材と、該支持部材上に形成された放射線を光に変換する蛍光体層と、該蛍光体層上に積層された複数の蛍光体保護層を含む蛍光体保護部材と、を有するシンチレータパネルにおいて、
    前記複数の蛍光体保護層は、前記蛍光体層を被覆し前記支持部材と密着する第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層と、前記蛍光体層と接しない第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層とを含み、
    前記第２のホットメルト樹脂の処理温度ｔ２における前記第１のホットメルト樹脂の粘性率をｎ１（ｔ２）、前記処理温度ｔ２における前記第２のホットメルト樹脂粘性率をｎ２（ｔ２）とすると、ｎ１（ｔ２）＞ｎ２（ｔ２）であることを特徴とするシンチレータパネル。
19. 支持部材と、該支持部材上に形成された放射線を光に変換する蛍光体層と、該蛍光体層上に積層された複数の蛍光体保護層を含む蛍光体保護部材と、を有するシンチレータパネルにおいて、
    前記複数の蛍光体保護層は、前記蛍光体層を被覆し前記支持部材と密着する第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層と、前記蛍光体層と接しない第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層とを含み、
    前記第１のホットメルト樹脂の溶融開始温度をＴｙ１、前記第２のホットメルト樹脂の溶融開始温度をＴｙ２とすると、Ｔｙ１＞Ｔｙ２であることを特徴とするシンチレータパネル。
20. 請求項１９記載のシンチレータパネルにおいて、７０（℃）≦Ｔｙ２＜Ｔｙ１≦１５０（℃）であることを特徴とするシンチレータパネル。
21. 請求項１５から２０のいずれか１項に記載のシンチレータパネルにおいて、前記支持部材は、支持基板と、該支持基板上に備えられ、前記蛍光体層で変換された光を反射する反射層と、該反射層上に備えられた蛍光体下地層と、を有することを特徴とするシンチレータパネル。
22. 請求項２１に記載のシンチレータパネルにおいて、前記蛍光体保護部材は前記支持部材と接する領域において加圧処理により圧着された領域を有することを特徴とするシンチレータパネル。
23. 請求項２２記載のシンチレータパネルにおいて、前記加圧処理により圧着された領域は、前記反射層の形成領域外に配置されていることを特徴とするシンチレータパネル。
24. 請求項２２記載のシンチレータパネルにおいて、前記加圧処理により圧着された領域は、前記第１の蛍光体保護層の形成領域外に配置されていることを特徴とするシンチレータパネル。
25. 請求項２３又は２４に記載のシンチレータパネルにおいて、前記圧着された領域が加熱圧着処理によって圧着されたことを特徴とするシンチレータパネル。
26. 請求項１５から２５のいずれか１項に記載のシンチレータパネルにおいて、前記第１及び第２のホットメルト樹脂がポリオレフィン系、ポリエステル系又はポリアミド系樹脂を主成分とすることを特徴とするシンチレータパネル。
27. 請求項１５から２５のいずれか１項に記載のシンチレータパネルにおいて、前記第１及び第２のホットメルト樹脂がポリオレフィン系を主成分とすることを特徴とするシンチレータパネル。
28. 請求項１５から２７のいずれか１項に記載のシンチレータパネルにおいて、前記蛍光体層は柱状結晶構造を有することを特徴とするシンチレータパネル。
29. 請求項１５から２８のいずれか１項に記載のシンチレータパネルと、
    前記シンチレータパネルで変換された光を光電変換する複数の光電変換素子を有するセンサーパネルと、を有することを特徴とする放射線検出装置。
30. 基板と、前記基板上に配置された、光を電気信号に変換する複数の光電変換素子からなる受光部と、前記受光部上に配置された保護層と、を有するセンサーパネルと、
    前記センサーパネル上に形成され、放射線を光に変換する蛍光体層と、
    該蛍光体層上に積層された複数の蛍光体保護層を含む蛍光体保護部材と、を有する放射線検出装置の製造方法において、前記複数の蛍光体保護層は、第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層と、第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層とを含み、
    前記製造方法は、
    前記蛍光体層が形成された前記センサーパネルを用意し、前記第１のホットメルト樹脂を、前記蛍光体層を被覆し前記センサーパネルと密着するように設けて前記第１の蛍光体保護層を形成する第１工程と、
    前記第２のホットメルト樹脂を、前記第１の蛍光体保護層を被覆するように設けて前記第２の蛍光体保護層を形成する第２工程とを有し、
    前記第１のホットメルト樹脂の処理温度ｔ１における前記第１のホットメルト樹脂の粘性率をｎ１（ｔ１）、前記第２のホットメルト樹脂の処理温度ｔ２における前記第２のホットメルト樹脂の粘性率をｎ２（ｔ２）、とすると、ｎ１（ｔ１）＞ｎ２（ｔ２）であることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
31. 基板と、前記基板上に配置された、光を電気信号に変換する複数の光電変換素子からなる受光部と、前記受光部上に配置された保護層と、を有するセンサーパネルと、
    前記センサーパネル上に形成され、放射線を光に変換する蛍光体層と、
    該蛍光体層上に積層された複数の蛍光体保護層を含む蛍光体保護部材と、を有する放射線検出装置の製造方法において、前記複数の蛍光体保護層は、第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層と、第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層とを含み、
    前記製造方法は、
    前記蛍光体層が形成された前記センサーパネルを用意し、前記第１のホットメルト樹脂を、前記蛍光体層を被覆し前記センサーパネルと密着するように設けて前記第１の蛍光体保護層を形成する第１工程と、
    前記第２のホットメルト樹脂を、前記第１の蛍光体保護層を被覆するように設けて前記第２の蛍光体保護層を形成する第２工程とを有し、
    前記第２のホットメルト樹脂の処理温度ｔ２における前記第１のホットメルト樹脂の粘性率をｎ１（ｔ２）、前記温度ｔ２における前記第２のホットメルト樹脂粘性率をｎ２（ｔ２）とすると、ｎ１（ｔ２）＞ｎ２（ｔ２）であることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
32. 基板と、前記基板上に配置された、光を電気信号に変換する複数の光電変換素子からなる受光部と、前記受光部上に配置された保護層と、を有するセンサーパネルと、
    前記センサーパネル上に形成され、放射線を光に変換する蛍光体層と、
    該蛍光体層上に積層された複数の蛍光体保護層を含む蛍光体保護部材と、を有する放射線検出装置の製造方法において、前記複数の蛍光体保護層は、第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層と、第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層とを含み、
    前記製造方法は、
    前記蛍光体層が形成された前記センサーパネルを用意し、前記第１のホットメルト樹脂を、前記蛍光体層を被覆し前記センサーパネルと密着するように設けて前記第１の蛍光体保護層を形成する第１工程と、
    前記第２のホットメルト樹脂を、前記第１の蛍光体保護層を被覆するように設けて前記第２の蛍光体保護層を形成する第２工程とを有し、
    前記第１のホットメルト樹脂の溶融開始温度をＴｙ１、前記第２のホットメルト樹脂の溶融開始温度をＴｙ２とすると、Ｔｙ１＞Ｔｙ２であることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
33. 請求項３０から３２のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法において、前記第１又は／及び第２のホットメルト樹脂は溶融した状態で直接被覆されることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
34. 請求項３０から３２のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法において、前記第１工程は、前記第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層がその上に形成された部材を用意し、前記第１の蛍光体保護層が前記蛍光体層と接するように前記部材を前記蛍光体層及び前記センサーパネルに密着させた後に、前記部材を剥離する工程を含むことを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
35. 請求項３０から３２のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法において、前記第２工程は、前記第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層がその上に形成された部材を用意し、前記第２の蛍光体保護層が前記第１の蛍光体保護層と接するように前記部材を前記第１の蛍光体保護層に密着させる工程を含むことを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
36. 基板と、前記基板上に配置された、光を電気信号に変換する複数の光電変換素子からなる受光部と、前記受光部上に配置された保護層と、を有するセンサーパネルと、
    該センサーパネル上に形成され、放射線を光に変換する蛍光体層と、
    該蛍光体層上に積層された複数の蛍光体保護層を含む蛍光体保護部材と、を有する放射線検出装置の製造方法において、前記複数の蛍光体保護層は、第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層と、第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層とを含み、
    前記製造方法は、
    前記第２のホットメルト樹脂からなる前記第２の蛍光体保護層上に前記第１のホットメルト樹脂からなる前記第１の蛍光体保護層を有する蛍光体保護部材を形成する工程と、
    前記蛍光体層が形成された前記センサーパネルを用意し、前記第１の蛍光体保護層が前記蛍光体層と接するように前記蛍光体保護部材を前記蛍光体層及び前記センサーパネルに密着させる工程とを有し、
    前記第１のホットメルト樹脂の処理温度ｔ１における前記第１のホットメルト樹脂の粘性率をｎ１（ｔ１）、前記第２のホットメルト樹脂の処理温度ｔ２における前記第２のホットメルト樹脂の粘性率をｎ２（ｔ２）、とすると、ｎ１（ｔ１）＞ｎ２（ｔ２）であることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
37. 基板と、前記基板上に配置された、光を電気信号に変換する複数の光電変換素子からなる受光部と、前記受光部上に配置された保護層と、を有するセンサーパネルと、
    該センサーパネル上に形成され、放射線を光に変換する蛍光体層と、
    該蛍光体層上に積層された複数の蛍光体保護層を含む蛍光体保護部材と、を有する放射線検出装置の製造方法において、前記複数の蛍光体保護層は、第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層と、第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層とを含み、
    前記製造方法は、
    前記第２のホットメルト樹脂からなる前記第２の蛍光体保護層上に前記第１のホットメルト樹脂からなる前記第１の蛍光体保護層を有する蛍光体保護部材を形成する工程と、
    前記蛍光体層が形成された前記センサーパネルを用意し、前記第１の蛍光体保護層が前記蛍光体層と接するように前記蛍光体保護部材を前記蛍光体層及び前記センサーパネルに密着させる工程とを有し、
    前記第２のホットメルト樹脂の処理温度ｔ２における前記第１のホットメルト樹脂の粘性率をｎ１（ｔ２）、前記温度ｔ２における前記第２のホットメルト樹脂粘性率をｎ２（ｔ２）とすると、ｎ１（ｔ２）＞ｎ２（ｔ２）であることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
38. 基板と、前記基板上に配置された、光を電気信号に変換する複数の光電変換素子からなる受光部と、前記受光部上に配置された保護層と、を有するセンサーパネルと、
    該センサーパネル上に形成され、放射線を光に変換する蛍光体層と、
    該蛍光体層上に積層された複数の蛍光体保護層を含む蛍光体保護部材と、を有する放射線検出装置の製造方法において、前記複数の蛍光体保護層は、第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層と、第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層とを含み、
    前記製造方法は、
    前記第２のホットメルト樹脂からなる前記第２の蛍光体保護層上に前記第１のホットメルト樹脂からなる前記第１の蛍光体保護層を有する蛍光体保護部材を形成する工程と、
    前記蛍光体層が形成された前記センサーパネルを用意し、前記第１の蛍光体保護層が前記蛍光体層と接するように前記蛍光体保護部材を前記蛍光体層及び前記センサーパネルに密着させる工程とを有し、
    前記第１のホットメルト樹脂の溶融開始温度をＴｙ１、前記第２のホットメルト樹脂の溶融開始温度をＴｙ２とすると、Ｔｙ１＞Ｔｙ２であることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
39. 請求項３６から３８のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法において、前記蛍光体保護部材を前記蛍光体層が形成された領域の周囲の領域において加熱加圧処理により圧着する工程と、を更に有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
40. 請求項３６から３８のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法において、前記蛍光体保護部材を前記蛍光体層及び第１の蛍光体保護層が形成された領域の周囲の領域において加熱加圧処理により圧着する工程と、を更に有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
41. 支持部材と、該支持部材上に形成され、放射線を光に変換する蛍光体層と、該蛍光体層上に積層された複数の蛍光体保護層と、を有するシンチレータパネルの製造方法において、前記複数の蛍光体保護層は、第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層と、第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層とを含み、
    前記製造方法は、
    前記蛍光体層が形成された前記支持部材を用意し、前記第１のホットメルト樹脂を、前記蛍光体層を被覆し前記支持部材と密着するよう設けて前記第１の蛍光体保護層を形成する第１工程と、
    前記第２のホットメルト樹脂を、前記第１の蛍光体保護層を被覆するよう設けて前記第２の蛍光体保護層を形成する第２工程とを有し、
    前記第１のホットメルト樹脂の処理温度ｔ１における前記第１のホットメルト樹脂の粘性率をｎ１（ｔ１）、前記第２のホットメルト樹脂の処理温度ｔ２における前記第２のホットメルト樹脂の粘性率をｎ２（ｔ２）、とすると、ｎ１（ｔ１）＞ｎ２（ｔ２）であることを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
42. 支持部材と、該支持部材上に形成され、放射線を光に変換する蛍光体層と、該蛍光体層上に積層された複数の蛍光体保護層と、を有するシンチレータパネルの製造方法において、前記複数の蛍光体保護層は、第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層と、第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層とを含み、
    前記製造方法は、
    前記蛍光体層が形成された前記支持部材を用意し、前記第１のホットメルト樹脂を、前記蛍光体層を被覆し前記支持部材と密着するよう設けて前記第１の蛍光体保護層を形成する第１工程と、
    前記第２のホットメルト樹脂を、前記第１の蛍光体保護層を被覆するよう設けて前記第２の蛍光体保護層を形成する第２工程とを有し、
    前記第２のホットメルト樹脂の処理温度ｔ２における前記第１のホットメルト樹脂の粘性率をｎ１（ｔ２）、前記温度ｔ２における前記第２のホットメルト樹脂粘性率をｎ２（ｔ２）とすると、ｎ１（ｔ２）＞ｎ２（ｔ２）であることを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
43. 支持部材と、該支持部材上に形成され、放射線を光に変換する蛍光体層と、該蛍光体層上に積層された複数の蛍光体保護層と、を有するシンチレータパネルの製造方法において、前記複数の蛍光体保護層は、第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層と、第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層とを含み、
    前記製造方法は、
    前記蛍光体層が形成された前記支持部材を用意し、前記第１のホットメルト樹脂を、前記蛍光体層を被覆し前記支持部材と密着するよう設けて前記第１の蛍光体保護層を形成する第１工程と、
    前記第２のホットメルト樹脂を、前記第１の蛍光体保護層を被覆するよう設けて前記第２の蛍光体保護層を形成する第２工程とを有し、
    前記第１のホットメルト樹脂の溶融開始温度をＴｙ１、前記第２のホットメルト樹脂の溶融開始温度をＴｙ２とすると、Ｔｙ１＞Ｔｙ２であることを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
44. 請求項４１から４３のいずれか１項に記載のシンチレータパネルの製造方法において、前記第１又は／及び第２のホットメルト樹脂は溶融した状態で直接被覆されることを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
45. 請求項４１から４３のいずれか１項に記載のシンチレータパネルの製造方法において、前記第１工程は、前記第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層がその上に形成された部材を用意し、前記第１の蛍光体保護層が前記蛍光体層と接するように前記部材を前記蛍光体層及び支持部材に密着させた後に、前記部材を剥離する工程を含むことを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
46. 請求項４１から４３のいずれか１項に記載のシンチレータパネルの製造方法において、前記第２工程は、前記第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層がその上に形成された部材を用意し、前記第２の蛍光体保護層が前記第１の蛍光体保護層と接するように前記部材を前記第１の蛍光体保護層に密着させる工程を含むことを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
47. 支持部材と、該支持部材上に形成され、放射線を光に変換する蛍光体層と、該蛍光体層上に積層された複数の蛍光体保護層を含む蛍光体保護部材と、を有するシンチレータパネルの製造方法において、前記複数の蛍光体保護層は、第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層と、第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層とを含み、
    前記製造方法は、
    前記第２のホットメルト樹脂からなる前記第２の蛍光体保護層上に前記第１のホットメルト樹脂からなる前記第１の蛍光体保護層を有する蛍光体保護部材を形成する工程と、
    前記蛍光体層が形成された前記支持部材を用意し、前記第１の蛍光体保護層が前記蛍光体層と接するように前記蛍光体保護部材を前記蛍光体層及び前記支持部材に密着させる工程とを有し、
    前記第１のホットメルト樹脂の処理温度ｔ１における前記第１のホットメルト樹脂の粘性率をｎ１（ｔ１）、前記第２のホットメルト樹脂の処理温度ｔ２における前記第２のホットメルト樹脂の粘性率をｎ２（ｔ２）、とすると、ｎ１（ｔ１）＞ｎ２（ｔ２）であることを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
48. 支持部材と、該支持部材上に形成され、放射線を光に変換する蛍光体層と、該蛍光体層上に積層された複数の蛍光体保護層を含む蛍光体保護部材と、を有するシンチレータパネルの製造方法において、前記複数の蛍光体保護層は、第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層と、第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層とを含み、
    前記製造方法は、
    前記第２のホットメルト樹脂からなる前記第２の蛍光体保護層上に前記第１のホットメルト樹脂からなる前記第１の蛍光体保護層を有する蛍光体保護部材を形成する工程と、
    前記蛍光体層が形成された前記支持部材を用意し、前記第１の蛍光体保護層が前記蛍光体層と接するように前記蛍光体保護部材を前記蛍光体層及び前記支持部材に密着させる工程とを有し、
    前記第２のホットメルト樹脂の処理温度ｔ２における前記第１のホットメルト樹脂の粘性率をｎ１（ｔ２）、前記温度ｔ２における前記第２のホットメルト樹脂粘性率をｎ２（ｔ２）とすると、ｎ１（ｔ２）＞ｎ２（ｔ２）であることを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
49. 支持部材と、該支持部材上に形成され、放射線を光に変換する蛍光体層と、該蛍光体層上に積層された複数の蛍光体保護層を含む蛍光体保護部材と、を有するシンチレータパネルの製造方法において、前記複数の蛍光体保護層は、第１のホットメルト樹脂からなる第１の蛍光体保護層と、第２のホットメルト樹脂からなる第２の蛍光体保護層とを含み、
    前記製造方法は、
    前記第２のホットメルト樹脂からなる前記第２の蛍光体保護層上に前記第１のホットメルト樹脂からなる前記第１の蛍光体保護層を有する蛍光体保護部材を形成する工程と、
    前記蛍光体層が形成された前記支持部材を用意し、前記第１の蛍光体保護層が前記蛍光体層と接するように前記蛍光体保護部材を前記蛍光体層及び前記支持部材に密着させる工程とを有し、
    前記第１のホットメルト樹脂の溶融開始温度をＴｙ１、前記第２のホットメルト樹脂の溶融開始温度をＴｙ２とすると、Ｔｙ１＞Ｔｙ２であることを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
50. 請求項４７から４９のいずれか１項に記載のシンチレータパネルの製造方法において、前記蛍光体保護部材を前記蛍光体層が形成された領域の周囲の領域において加熱加圧処理により圧着する工程と、を更に有することを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
51. 請求項４７から４９のいずれか１項に記載のシンチレータパネルの製造方法において、前記蛍光体保護部材を前記蛍光体層及び第１の蛍光体保護層が形成された領域の周囲の領域において加熱加圧処理により圧着する工程と、を更に有することを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
52. 請求項４７から４９のいずれか１項に記載の製造方法により製造されたシンチレータパネルと、前記シンチレータパネルで変換された光を光電変換する複数の光電変換素子を有するセンサーパネルと、を貼り合わせる工程を有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
53. 請求項１から１４、２９のいずれか１項に記載の放射線検出装置と、
    前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
    前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
    前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
    前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
    前記放射線を発生させるための放射線源とを具備することを特徴とする放射線検出システム。