KR20000065225A - 방사선 검출소자 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

기판(1)위에 2차원으로 수광소자(2)를 배열하며, 각 행 또는 각 열의 수광소자(2)와 신호선(3)으로 전기적으로 접속된 본딩 패드(4)를 기판(1)의 외주변 위에 배열시키며, 수광소자(2)와 신호선(3)위에 보호용의 패시베이션막(5)을 설치하여 수광소자 어레이(6)가 형성되어 있다. 이 수광소자 어레이(6)의 수광면 위에 CsI기둥형상 결정의 신틸레이터(7)가 퇴적되며, 그 위로부터 Al무기막(9)을 파리렌제의 유기막(8, 10)로 끼워넣은 보호막(11)이 퇴적되어 있다. 보호막(11)의 외주는, 본딩패드(4)가 노출하도록 한 위치에서 절단되어 있으며, 패시베이션막(5)에 피복수지(12)에 의해 밀착되어 있다.

Description

방사선 검출소자 및 그 제조방법

의료, 공업용의 X선 촬영에서는, 종래, X선 감광필름이 사용되어 왔지만, 이용상 편의성이나 촬영결과의 보존성의 면에서 방사선 검출소자를 이용한 방사선 이메징 시스템이 보급되어 오고 있다. 이와같은 방사선 이메징 시스템에 있어서는, 복수의 화소를 갖는 방사선 검출소자를 이용하여 방사선에 의한 2차원 화상 데이터를 전기신호로서 취득하며, 이 신호를 처리장치에 의해 처리하여 모니터 위에 표시하고 있다. 대표적인 방사선 검출소자는, 1차원 혹은 2차원에 배열된 광 검출지상에 신틸레이터(scintillator)를 배치하여 입사하는 방사선을 신틸레이터에서 광으로 변환하여 검출하는 구조로 되어 있다.

전형적인 신틸레이터 재료인 CsI는, 흡습성 재료이며, 공기중의 수증기(습기)를 흡수하여 용해한다. 이 결과, 신틸레이터의 특성, 특히 해상도가 열화한다는 문제가 있었다.

신틸레이터를 습기로부터 보호하는 구조로한 방사선 검출소자로서는, 일본 특개평5-196742호 공보에 개시된 기술이 알려져 있다. 이 기술에서는, 신틸레이터층의 상부에 수분 불투과성의 방습 베리어(barrier)를 형성하는 것에 의해 신틸레이터를 습기로부터 보호하고 있다.

(발명의 개시)

그러나, 이 기술에서는, 신틸레이터층 외주부의 방습 베리어를 방사선 검출소자의 기판에 밀착시키는 것이 어려우며, 특히 흉부 X선촬영등에 사용되는 대면적의 방사선 검출소자에 있어서는, 외주부의 길이가 길기 때문에 방습 베리어가 벗겨지기 쉽게되어 신틸레이터층이 완전히 밀봉되지 않고, 수분이 신틸레이터층에 침입하여 그 특성이 열화되기 쉽다는 결점이 있다.

또한, 이 기술에서는, 방습베리어의 수분 밀폐층은, 실리콘 본딩재 등을 액상의 상태로 신틸레이터층에 도포하든지, 방사선 검출소자의 수광면측에 설치하는 창재의 내측에 이 실리콘 본딩재 등을 도포한후, 수분 밀폐층의 건조전에 이 창재를 신틸레이터층위에 설치하는 것에 의해 수분 밀페층을 고정하는 제조방법이 개시되어 있다. 이 제조방법에서는, 수분 밀페층을 표면 형상이 불규칙한 신틸레이터층위에 균일하게 형성하는 것이 어려우며, 밀착성이 저하하는 가능성이 있다. 이점은, 특히, 대면적의 방사선 검출소자에서 일어나기 쉽다.

본 발명은, 상기의 문제점을 감안하여 신틸레이터의 방습용으로 균일하게 제조가 용이한 보호막을 갖는 방사선 검출소자 및 그 제조방법을 제공하는 것을 과제로 하는 것이다.

이 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 방사선 검출소자는, (1)복수의 수광소자를 기판위에 1차원 혹은 2차원으로 배열하여 수광부를 형성하며, 이 수광부의 각 행 또는 각 열의 수광소자와 전기적으로 접속된 복수의 본딩패드를 수광부의 외부에 갖는 수광소자 어레이와, (2)수광소자위에 퇴적된 방사선을 가시광으로 변환하는 신틸레이터층과, (3)적어도 유기막과 그 위에 적층된 무기막을 포함하는 2층이상의 다층막으로 이루어지며, 적어도 신틸레이터층을 덮는것과 동시에, 수광소자 어레이의 본딩패트 부분을 노출시키고 있는 방사선 투과성의 내습보호막과, (4)내습보호막을 수광소자 어레이의 노출부분과의 경계부분인 테두리에 따라서 코팅하여 그 내습보호막의 테두리를 수광소자 어레이에 밀착시키고 있는 피복수지를 구비하는 것을 특징으로 한다.

이것에 의해 입사한 방사선은, 신틸레이터층에서 가시광으로 변환된다. 이 가시광 상을 1차원 혹은 2차원으로 배열된 수광소자에 의해 검출하는 것으로서, 입사하는 방사선상에 대응하는 전기신호가 얻어진다. 신틸레이터층은 흡습에 의해 열화하는 성질을 갖지만, 본 발명에 의하면, 신틸레이터층은 내습보호막에 의해 덮여져 있으며, 이 내습보호막의 테두리는 피복수지에 의해 코팅되어 있기 때문에, 신틸레이터층은 완전하게 밀봉되어 외기로부터 격리되며, 공기중의 수증기로부터 보호되어 있다. 또한, 외부회로와의 접속용의 본딩패드부는 노출되어 있다.

한편, 본 발명의 방사선 검출소자의 제조방법은, (1)복수의 수광소자를 기판위에 1차원 혹은 2차원으로 배열하여 수광부를 형성하며, 이 수광부의 각 행 또는 각 열의 수광소자와 전기적으로 접속된 복수의 본딩패드를 수광부의 외부에 배치한 수광소자 어레이의 수광소자상에 방사선을 가시광으로 변환하는 신틸레이터층을 퇴적시키는 공정과, (2)수광소자 어레이 전체를 싸듯이 방사선 투과성의 제 1 유기막을 형성하는 공정과, (3)제 1유기막위에 무기막을 포함하는 1층이상의 막을 적측하여 2층이상의 다층막으로 이루어지는 방사선 투과성의 내습보호막을 형성하는 공정과, (4)신틸레이터층의 외측으로서, 적어도 본딩패드를 덮고 있는 부분의 내습보호막을 절단하여 제거하며, 적어도 본딩패드를 포함하는 영역의 수광소자 어레이부분을 노출시키는 공정과, (5)내습보호막을 수광소자 어레이의 노출부분과의 경계인 테두리 부분에 따라서 수지에 의해 코팅하며, 내습보호막의 테두리를 수광소자 어레이에 밀착시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.

수광소자 어레이 전체를 싸도록 제 1유기막을 형성하는 것으로, 신틸레이터층과 유기막의 밀착도가 향상하며, 균일한 막이 형성된다. 이렇게 균일한 내습보호막을 형성하고나서, 본딩패드 부분위의 내습 보호막을 제거하는 것에 의해 본딩패드가 확실하게 노출된다. 또한, 노출부분과의 경계인 테두리 부분에 따라서 내습 보호막을 수지에 의해 코딩하는 것으로서 내습 보호막의 테두리가 그 아래의 수광소자 어레이 표면에 밀착하며, 내습 보호막 아래의 신틸레이터층은 봉지된다.

본 발명은 이하의 상세한 설명 및 첨부도면에 의해 더욱 충분히 이해가능 하게된다. 이것들은 단순히 예시를 위해 나타내는 것으로서, 본 발명을 한정하는 것이라고는 생각할 수 없다.

본 발명의 또다른 응용범위는, 이하의 상세한 발명으로부터 명확하게 알수 있다. 그러나, 상세한 설명 및 특정의 사례는 본 발명의 바람직한 실시예를 나타내는 것이지만, 예시만을 위해 나타내는 것으로서, 본 발명의 사상 및 범위에 있어서의 여러 가지 변형 및 개량은 이 상세한 설명으로부터 당업자는 명확하다는 것을 확실히 하고 있다.

본 발명은, 방사선 검출소자, 특히 의료용의 X선 촬영등에 사용되는 대면적의 수광부를 갖는 방사선 검출소자에 관한 것이다.

도 1은, 본 발명의 한 실시예의 상면도.

도 2는 도 1의 A-A선 단면도.

도 3 내지 도 10은, 도 1에 따른 실시예의 제조공정을 순서로 나타내는 도.

도 11은, 본 발명의 별도의 실시예의 상면도.

도 12는 도 11의 B-B선 단면도.

(발명을 실시하기 위한 최량의 형태)

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 도면에 근거하여 설명한다. 또한, 이해를 용이하게 하기 위해 각 도면에 있어서 동일의 구성요소에 대해서는 가능한 한 동일의 참조번호를 붙이며, 중복하는 설명은 생략한다. 또한, 각 도면에 있어서의 치수, 형상은 실제의 것과는 꼭 동일하지 않으며, 이해를 용이하게 하게위해 과장되어 있는 부분이 있다.

도 1은, 본 발명의 한 실시예의 상면도이며, 도 2는 그 외주근처부의 A-A선 확대 단면도 이다.

우선, 도 1, 도 2를 참조하여 본실시예의 구성을 설명한다. 절연성, 예를들면 유리제의 기판(1)위에 광전 변환을 행하는 수광소자(2)가 2차원위에 배열되어 수광부를 형성하고 있다. 이 수광소자(2)는 아몰화스 실리콘 제의 포토 다이오드(PD)나 박막 트랜지스터(TFT)로 구성되어 있다. 각 행 또는 각 열의 수광소자(2)의 각각은, 신호 판독용의 신호선(3)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 외부회로(도시생략)로 신호를 인출하기 위한 복수의 본딩패드(4)는, 기판(1)의 외주변, 예를들면 인접하는 2변에 따라서 배치되어 있으며, 신호선(3)을 통해 대응하는 복수의 수광소자(2)에 전기적으로 접속되어 있다. 수광소자(2) 및 신호선(3)위에는 절연성의 패티베이션막(5)이 형성되어 있다. 이 패시베이션막(5)에는 질화실리콘 또는 산화 실리콘을 이용하는 것이 바람직 하다. 한편, 본딩패드(4)는, 외부회로와의 접속을 위해 노출되어 있다. 이하, 이 기판 및 기판상의 회로부분을 수광소자 어레이(6)라고 부른다.

수광소자 어레이(6)의 수광부 위에는,입사한 방사선을 가시광으로 변환하는 기둥형상 구조의 신틸레이터(7)가 형성되어 있다. 신틸레이터(7)에는, 각종의 재료를 이용하는 것이 가능하지만, 발광효율이 놓은 T1도브의 CsI등이 바람직하다. 신틸레이터(7)의 위에는, X선을 투과하여 수증기를 차단하는 제 1 유기막(8)과, 무기막(9)과, 제 2유기막(10)등이 각각 적층되어 보호막(11)을 형성하고 있다.

제 1유기막(8)과 제 2유기막(10)에는, 폴리파락시리렌수지(슬리본드사제품, 상품명은 파리렌), 특히 폴리파라크로록실렌(동사제, 상품명 파리렌C)을 사용하는 것이 바람직 하다. 파리렌에 의한 코팅막은, 수증기 및 가스의 투과가 매우 적으며, 발수성, 내약품성도 높은 이외에, 박막으로도 우수한 전기 절연성을 가기며, 방사선, 가시광선에 대하여 투명하고 유기막(8, 10)에 어울리는 우수한 특지을 가지고 있다. 파리렌에 의한 코팅의 상세한 것에 관해서는, 슬리본드, 테크니칼뉴스(92년 9월 23일발행)에 기재되어 있으며, 여기에서는, 그 특징을 서술하고 있다.

파리렌은, 금 속의 진공증착과 동일하게 진공중에서 지지체의 위에 증착하는 화학적 증착(CVD)법에 의해 코팅할 수 있다. 이것은, 원료로 되는 P-키실렌을 열분해하여 생성물을 톨루엔, 벤젠 등의 유기용매중에서 급냉하여 다이머라고 불리는 지파락시리렌을 얻는 공정과, 이 다이머를 열분해하여 안정한 레디칼 파라키시렌 가스를 생성시키는 공정과, 발생한 가스를 소재상에 흡착, 중합시켜서 분자량 약 50만의 폴리파라키시리렌 막을 중합 형성시키는 공정으로 이루어진다.

파리렌 증착시의 압력은, 금속진공 증착의 경우의 압력 0.001토르에 비하여 높은 0.1∼0.2토르 이다. 그리고, 증착시에는, 단분자막이 피착물 전체를 덮은 후, 그 위에 또한 파리렌이 증착되어 간다. 따라서, 0.2㎛ 두께로부터의 박막을 핀볼이 없는 상태로 균일한 두께로 생성할 수 있으며, 액상 재료에 의한 코팅에서는 불가능하였던 예각부나 엣지부, 미크론 오더의 좁은 극간으로의 코팅도 가능하게 된다. 또한, 코팅시에 열처리 등을 필요로 하지 않으며, 실온에 가까운 온도에서의 코팅이 가능하기 때문에, 경화에 따른 기계적 응력이나 열 휨이 발생하지 않으며, 코팅의 안정성에도 우수하다. 또한, 대부분의 고체 재료에의 코팅이 가능하다.

한편, 무기막(9)에는, X선 투과성이라면, 가시광에 대하여서는, 투명, 불투명, 반사성 등의 각종의 재료를 이용할 수 있으며, Si, Ti, Cr의 산화막이나 금, 은, 알루미늄 등의 금속박막이 사용될수 있다. 특히, 가시광에 대하여 반사성의 막을 사용하면, 신틸레이터(7)에서 발생한 형광이 밖으로 새는 일을 방지하여 감도를 상승시키는 효과가 있기 때문에 바람직하다.

여기에서는, 성형이 용이한 Al을 이용한 예에 관하여 설명한다. A1자체는 공기중에서 부식되기 쉽지만, 무기질(9)은, 제 1유기막(8) 및 제 2유기막(10)으로 끼여져 있기 때문에 부식으로부터 지켜질수 있다.

이 보호막(11)의 외주는, 수광부와 수광소자 어레이(6)의 각각의 외주의 사이에서 본딩 헤드(4)의 내측까지 넓혀져 있으며, 본딩패드(4)이 외부회로로의 접속용에 노출되어 있다. 여기에서, 보호막(11)은, 전술한 파리렌코팅에 의해 형성되지만, CVD법에 의해 형성되기 때문에 수광소자 어레이(6)의 표면 전체를 덮도록 형성된다. 이 때문에, 본딩패드(4)를 노출시키기위해서는, 본딩패드(4)보다 내측에서 파리렌코팅으로 형성된 보호막(11)을 절단하여 외측의 보호막(11)을 제거할 필요가 있다. 이 경우, 절단부인 외주부분에서 보호막(11)이 벗겨지기 쉽게된다. 이 때문에 보호막(11)의 외주부와 이것의 외주의 수광소자 어레이(6)의 패시베이션막(5)부분을 덮도록 피복수지(12)가 코팅되어 있다.

피복수지(12)에는, 보호막(11) 및 패시베이션막(5)으로의 접착성이 양호한 수지, 예를들면 아크릴계 접착제인 협립화학 산업 주식회사제 WORLD ROCK No.801-SET2(70,000cP 타입)을 이용하는 것이 바람직하다. 이 수지 접착제는, 100mW/㎠의 자외선 조사에 의해 약 20초로 경화하며, 경화 피막은 유연하며 충분한 강도를 가지며, 내습, 내수, 내전촉성, 내 마이그레이션에 우수하며, 각종 재료, 특히 유리, 플라스틱등에의 접착성이 양호하며, 피복수지(12)로서 양호한 특성을 갖는다.

이어서, 도 3 내지 도 10을 참조하여, 이 실시예의 제조공정에 관하여 설명한다. 도 3에 나타내듯이 수광소자 어레이(6)의 수광면상에 도 4에 나타내듯이, T1을 도프한 CsI의 기둥형상 결정을 증착법에 의해 600㎛의 두께 만큼 성장시켜 신틸레이터(7)층을 형성한다.

이 신틸레이터(7)층을 형성하는 CsI는, 흡습성이 높으며, 노출한 그대로 하여두면 공기중의 수증기를 흡습하여 용해하여 버린다. 그래서, 이것을 방지하기 위해, 도 5에 나타내듯이 CVD법에 의해 파리렌을 기판전체의 표면에 10㎛막 두께 피복하여 제 1 유기막(8)을 형성한다. CsI의 기둥형상 결정에는 극간이 있지만, 파리렌은 이 좁은 극간에 들어가기 때문에, 제 1유기막(8)은, 신틸레이터(7)층에 밀착한다. 또한, 파리렌코팅에 의해 요철이 있는 신틸레이터(7)층 표면에 균일한 두께의 정밀박막 코팅이 얻어진다. 또한, 파리렌의 CVD형성은, 전술하였듯이 금속증착시보다도 저진공으로서 또한, 상온에서 행해질 수 있기 때문에 가공이 용이하다.

또한, 도 6에 나타내듯이, 입사면측의 제 1유기막(8)표면에 0.15㎛두께의 Al막을 증착법에 의해 적층하여 무기막(9)을 형성한다. 그리고, 다시 CVD법에 의해 도 7에 나타내듯이 파리렌을 기판전체의 표면에 10㎛두께로 피복하여 제 2유기막(10)을 형성한다. 이 제 2유기막(10)은, 무기막(9)의 부식에 의한 열화를 방지한다.

이렇게 형성한 보호막(11)을 도 8에 나타내듯이 수광부와 수광소자 어레이(6)의 외주부의 사이의 본딩패드(4)의 내측부분에서 수광부의 외주에 따라서 엑시마레이저 등을 이용하여 절단하며, 도 9에 나타내듯이 절단부에서 바깥측 및 입사면 안측의 불필요한 보호막(11)을 제거하여 외부회로와의 접속용의 본딩패드(4)를 노출시킨다. 패시베이션막(5)과 보호막(11)의 층하층의 제 1유기막(7)은 밀착성이 나쁘기 때문에 절단한 외주부를 그대로 방치하여두면, 보호막(11)이 외주부에서 벗겨지기 쉽다. 그 때문에 도 10에 나타내듯이 보호막(11)의 외주부와 그 주위의 패시베이션막(5)부분을 덮도록 피복수지(12)로 코팅하며, 자외선을 조사하여 피복수지(12)를 경화시켜, 보호막(11)을 수광소자 어레이(6)위에 밀착시킨다. 이것에 의해 신틸레이터(7)는 밀봉되며, 흡습에 의한 해상도 열화를 방지할 수 있다.

이어서, 도 1, 도 2를 참조하여 이 실시예의 동작에 관하여 설명한다. 입사한 X선(방사선)은, 제 1유기막(8)과 무기막(9)과 제 2유기막(10)으로 이루어지는 보호막(11)을 투과하여 신틸레이터(7)에 도달한다. 신틸레이터(7)는 이 X선을 흡수하여, X선광량에 비례한 가시광을 방출한다. 방출된 가시광중, X선입사 방향으로 향한 광은, 무기막(9)에서 반사되기 때문에 신틸레이터(7)에서 방출된 가시광은 거의 모든 것이 신틸레이터(7)의 앞에 있는 수광소자(2)에 도달한다. 이 때문에, 효율이 좋은 검출이 가능하게 된다.

각각의 수광소자(2)에서는, 광전변환에 의해 이 가시광의 광량에 대응하는 전기신호가 생성되며, 일정시간 축적된다. 수광소자(2)에 도달하는 가시광의 광량은, 입사하는 X선의 광량에 대응하여 있기 때문에 각각의 수광소자(2)에 축적되어 있는 전기신호는 입사하는 X선의 광광에 대응하고 있으며, X선 화상에 대응하는 화상신호로 된다. 수광소자(2)에 축적된 이 화상신호를 신호선(3)을 통해 본딩패트(4)에서 차례로 판단하는 것에 의해 외부에 전송하며, 이것을 소정의 처리회로에서 처리하는 것에 의해 X선화상을 표시할 수 있다.

이상의 설명에서는, 보호막(11)으로서 파리렌제의 제 1유기막(18, 10)의 사이에 무기막(9)을 끼어넣은 구조의 것에 관하여 설명하였지만, 제 1유기막(8)과 제 2유기막(10)의 재료는 다른 것이라도 좋다. 또한, 무기막(9)으로서 부식에 강한 재료를 사용하고 있는 경우는, 제 2유기막(10)자체를 설치하지 않아도 좋다.

또한, 여기에서는, 피복수지912)가 수광소자 어레이(6)의 수광소자(2)부분의 외측의 패시베이션막(5)위에 형성되어 있는 예를 설명하였지만, 수광소자(2)와 본딩패드(4)가 근접하고 있는 경우에는, 그 경계부분에 피복수지(12)를 형성하는 것은 곤란하다. 본딩패드(4)를 확실하게 노출시켜, 또한 보호막(11)의 주위를 피복수지(12)로 확실하게 코팅하기 위해서는, 신틸레이터(7)를 수광소자(2)위의 전면에 형성하는 것이아닌, 본딩패드(4)근방의 화소를 제외한 유효화면 영역의 수광소자(2)위에 형성되며, 형성한 신틸레이터(7)의 층전부를 덮어 보호막(11)을 형성하여 신틸레이터(7)를 윗면에 형성하고 있지않은 수광소자(2)의 화소위에서의 보호막(1)을 피복수지(12)에 의해 코팅하면 좋다. 이 경우, 본딩패드(4)근방의 화소는 피복수지(12)로 덮혀 있지만, 전면에 신틸레이터(7)가 존재하지 않기 때문에, 그 방사선에 대한 감도가 저하하며, 결과로서 이것들의 화소는 사용할 수 없으며, 수광소자(2)의 유효화소수, 유효화면 면적이 감소하게 되지만, 수광소자(2)가 대화면으로 전화소수가 많은 경우에는, 무효화소의 비율은 적으며, 소자의 구성에 따라서는 제작이 용이하게 되는 장점이 있다.

이어서, 도 11, 도 12를 참조하여 본 발명의 별도의 실시예에 관하여 설명한다. 도 11은 이 실시예의 방사선 검출소자의 상면도이며, 도 12는 그 B-B선 확대 단면도이다. 이 소자의 기본적인 구성은, 도 1 및 도 2에 나타내는 실시형태의 소자와 동일하며, 상이점만을 이하, 설명한다.

도 11, 도 12에 나타내는 본 실시예에서는, 보호막(11)은 수광소자 어레이(6)의 수광면측 및 이면측의 전면에 형성되어 있으며, 본딩어레이(4)부분만이 노출되어 있다. 그리고, 노출된 본딩어레이(4)부분을 둘러싸도록 보호막(11)의 경계(테두리)에 따라서 피복수지(12)가 코팅되어 있다. 본 실시예에도 본딩패드(4)부가 확실하게 노출됨과 동시에 보호막(11)은 피복수지(12)에 의해 수광소자 어레이(6)에 확실하게 밀착되기 때문에 신틸레이터(7)층이 밀봉되어 흡습에 의한 열화를 방지할 수 있다.

이것은 특히 본딩패드(4)부가 작은 CCD나 MOS형의 촬상소자의 경우에 보호막의 벗겨짐을 일으키는 우려가 있는 경계부분인 테두리부분의 길이를 줄일 수 있어서 유효하다.

또한, 이상의 설명에서는, 수광소자위의 신틸레이터측에서 방사선을 입사시키는 즉, 표면 입사형의 방사선 검출소자에 관하여 설명하여 왔지만, 본 발명은, 기판측에서 방사선을 입사시키는 이면 입사형의 방사선 검출소자로의 적용도 가능하다. 이렇게한 이면 입사형의 방사선 검출소자는, 높은 에너지의 방사선 검출소자로서 사용될 수 있다.

이상, 설명하였듯이, 본 발명에 의하면, 흡습성이 높은 신틸레이터를 보호하기 위해 신틸레이터위에 파리렌등으로 이루어지는 보호막이 형성되어 있으며, 이 보호막의 테두리는 아크릴 등의 수지코팅에 의해 수광소자 어레이에 접착되어 있기 때문에 신틸레이터층이 밀봉된다. 특히, 보호막의 테두리로부터 벗겨짐이 방지되어 있기 때문에 내습성이 향상된다.

본 발명의 제조방법에 의하면, 보호막을 형성후 불필요한 부분을 제거하기 때문에, 필요부분만 보호막을 형성하는 경우에 비하여 균일한 상태의 보호막 형성이 용이하며, 본딩패드가 확실하게 노출된다. 또한, 퇴적하고 있는 신틸레이터의 결정의 극간에도 보호막이 침투하기 때문에 보호막과 신틸레이터층의 밀착성이 증가한다.

이상의 본 발명의 설명으로부터 본 발명을 여러 가지로 변형할 수 있는 것은 명확하다. 그와같은 변형은, 본 발명의 사상 및 범위에서 벗어나는 것이라고는 인정할 수 없으며, 모든 당업자에 의해 자명한 개량은, 이하의 청구항의 범위에 포함되는 것이다.

본 발명의 방사선 검출소자는, 특히, 의료, 공업용의 X선촬영에서 사용되는 대면적의 방사선 이메징 시스템에 적용 가능하다. 특히, 현재 널리 사용되고 있는 X선 필름의 대신에 흉부 X선 촬영등에 사용할 수 있다.

Claims (4)

1. 복수의 수광소자를 기판위에 1차원 혹은 2차원으로 배열하여 수광부를 형성하며, 상기 수광부의 각 행 또는 각 열의 상기 수광소자와 전기적으로 접속된 복수의 본딩패드를 상기 수광부의 외부에 갖는 수광소자 어레이와,

   상기 수광소자 위에 퇴적된 방사선을 가시광으로 변환하는 신틸레이터(scintillator)층과,

   유기막과 그 위에 적층된 무기막을 포함하는 2층이상의 다층막으로 이루어지며, 상기 신틸레이터층을 덮음과 동시에, 상기 수광소자 어레이의 상기 본딩패드 부분을 노출시키고 있는 방사선 투과성의 내습 보호막과,

   상기 내습 보호막을 상기 수광소자 어레이의 노출부분과의 경계부분인 상기 내습 보호막의 테두리에 따라서 코팅하여 상기 내습 보호막의 테두리를 상기 수광소자 어레이에 밀착시키고 있는 피복수지를 구비하고 있는 방사선 검출소자.
2. 제 1항에 있어서, 상기 본딩패드는, 상기 기판의 외주변부에 위치하고 있으며, 상기 내습 보호막은, 상기 수광부의 외변과 상기 수광소자 어레이 외변의 사이까지 덮어 형성되며, 상기 피복수지는, 상기 내습 보호막 외주부를 코팅하고 있는 방사선 검출소자.
3. 복수의 수광소자를 기판위에 1차원 혹은 2차원으로배열하여 수광부를 형성하며, 상기 수광부의 각 행 또는 각 열의 상기 수광소자와 전기적으로 접속된 복수의 본딩패드를 상기 수광부의 외부에 배치한 수광소자 어레이의 상기 수광소자 위에 방사선을 가시광으로 변환하는 신틸레이터층을 퇴적시키는 공정과,

   상기 수광소자 어레이 전체를 싸넣도록 방사선 투과성의 제 1유기막을 형성하는 공정과,

   상기 제 1유기막 위에 무기막을 포함하는 1층이상의 막을 적층하여, 2층이상의 다층막으로 이루어지는 방사선 투과성의 내습 보호막을 형성하는 공정과,

   상기 신틸레이터층의 외측으로서, 적어도 상기 본딩패드를 덮고 있는 부분의 상기 내습 보호막을 절단하여 제거하며, 적어도 상기 본딩패드를 포함하는 영역의 상기 수광소자 어레이부분을 노출시키는 공정과,

   상기 내습 보호막을 상기 수광소자 어레이의 노출부분과의 경계인 테두리 부분에 따라서 수지에 의해 코팅하며, 상기 내습 보호막의 테두리를 상기 수광소자 어레이에 밀착시키는 공정을 갖는 방사선 검출소자의 제조방법.
4. 복수의 수광소자를 기판위에 1차원 혹은 2차원으로 배열하여 수광부를 형성하며, 상기 수광부의 각 행 또는 각 열의 상기 수광소자와 전기적으로 접속된 복수의 본딩패드를 상기 기판의 외주변부에 배열시킨 수광소자 어레이의 상기 수광소자 위에 방사선을 가시광으로 변환하는 신틸레이터층을 퇴적시키는 공정과,

   상기 수광소자 어레이 전체를 싸넣도록 방사선 투과성의 제 1유기막을 형성하는 공정과,

   상기 제 1유기막 위에 적어도 무기막을 포함하는 1층이상의 막을 적층하여, 2층이상의 다층막으로 이루어지는 방사선 투과성의 내습 보호막을 형성하는 공정과,

   상기 신틸레이터층의 외주와 상기 본딩패드 부분의 사이의 위치에서 상기 내습보호막을 상기 신틸레이터층의 외주에 따라서 절단하며, 이 절단면보다 외측 및 입사면 이면부분에 형성된 상기 내습 보호막을 제거하여 상기 본딩패드를 노출시키는 공정과,

   절단된 상기 내습 보호막의 외주부를 수지에 의해 코팅하여 상기 내습 보호막 외주부를 상기 수광소자 어레이에 밀착시키는 공정을 갖는 방사선 검출소자의 제조방법.