JP4886245B2

JP4886245B2 - 放射線検出器

Info

Publication number: JP4886245B2
Application number: JP2005246007A
Authority: JP
Inventors: 俊輔若松; 新悦藤枝
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Electron Tubes and Devices Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd
Priority date: 2005-08-26
Filing date: 2005-08-26
Publication date: 2012-02-29
Anticipated expiration: 2025-08-26
Also published as: JP2007059798A; US20070045554A1

Description

本発明は、入射する放射線を電気信号に変換する放射線検出器に関する。

新世代のＸ線診断用画像検出器としてアクティブマトリックス型の平面検出器が開発されている。この平面検出器において、照射されたＸ線を検出することにより、Ｘ線撮影像またはリアルタイムのＸ線画像がデジタル信号として出力される。

そして、この種の平面検出器には、大きく分けて直接方式と間接方式との二通りの方式がある。直接方式は、Ｘ線をＸ線変換膜にて直接電荷信号に変換させることによって画像を取得する方式である。一方、間接方式は、Ｘ線をシンチレータ層にて可視光に変化させてから、この可視光をアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）フォトダイオードやＣＣＤなどの光電変換素子で電荷信号に変換させて画像を取得する方式である。

そして、直接方式の平面検出器に用いるＸ線変換膜は、材料としてアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）や、ヨウ化鉛（ＰｂＩ_２）、ヨウ化水銀（ＨｇＩ_２）などが使用または検討されている。さらに、このＸ線変換膜は、このＸ線変換膜にてＸ線を直接電荷信号に変換するため、解像度特性が良好な画像を取得できる。ところが、このＸ線変換膜は、大気雰囲気下に放置すると材料劣化を起こしてしまうので、感度特性や解像度特性が劣化してしまう。

また、間接方式の平面検出器に用いるシンチレータ層は、材料としてヨウ化セシウム：ナトリウム（ＣｓＩ：Ｎａ）や、ヨウ化セシウム：タリウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）、ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ）などが用いられている。さらに、このシンチレータ層は、ダイシングなどによって溝を形成したり柱状構造を形成して堆積させたりして柱状構造を持たせて解像度特性を向上できる。ところが、このシンチレータ層に用いられる材料としては、強い吸湿性を示すものが多く、大気雰囲気下に放置すると感度特性や解像度特性が劣化してしまう。

そこで、これら直接方式の平面検出器に用いるＸ線変換膜や、間接方式の平面検出器に用いるシンチレータ層の特性の劣化を防ぐために、大気や水分に対する遮蔽性を有するとともにＸ線に対する透過性を有する保護層が必要とされている。そして、この保護層としては、真空あるいは不活性性ガス雰囲気下での蒸発堆積法によってキシレン系樹脂などの有機膜を形成する構成（例えば、特許文献１参照。）や、酸窒化珪素などの無機膜を形成する構成（例えば、特許文献２参照。）などが知られている。
特公平５−３９５５８号公報（第２−３頁、第１図および第３図）特公平６−５８４４０号公報（第２−５頁、第１図）

しかしながら、上述した蒸発堆積法にて得られた保護膜は、膜厚が薄くピンホールなどの欠陥があるため水分透過率が大きい。また、保護層の基板端辺に沿った被覆は、基板と樹脂との界面の水分透過率が大きくなってしまうから、感度特性や解像度特性の劣化を長時間抑制するには不十分である。さらに、ピンホールなどの欠陥は、直接方式においてマイクロディスチャージを起こしてしまい、保護膜自体の劣化につながってしまう。

また、上述した有機膜による保護層は、形成直後のピンホールなどの欠陥が少なく、薄膜でもクラックが入り難いが、Ｘ線検出器の組み立てでの加熱プロセスでガラス転移温度（Ｔｇ）を越えてしまい、軟化および変性によってピンホールなどの欠陥が発生してしまうおそれがある。さらに、上述の無機膜による保護層は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が高いので加熱プロセスによる欠陥発生はないが、薄膜での機械的強度が小さいのでクラックが発生しやすく、厚膜化が容易でない。

そして、蒸発堆積法による形成は、間接方式における柱状結晶の隙間に保護膜が堆積してしまい、柱状結晶と隙間との屈折率比が１に近くなるために柱状結晶内の反射効率が小さくなり、解像度および発光効率が低下してしまうから、長期間安定した高い感度特性および解像度特性を得ることが容易ではないという問題を有している。

本発明は、このような点に鑑みなされたもので、長期間安定した高い感度特性および解像度特性を有する放射線検出器を提供することを目的とする。

本発明は、電極基板と、この電極基板上に設けられ電気信号を検出する画素電極と、この画素電極上に設けられ入射する放射線を電気信号に変換する放射線変換層と、この放射線変換層上の前記画素電極に対向した位置に設けられた上部電極と、この上部電極上に設けられ前記電極基板の曲げ弾性率以下の曲げ弾性率を有し、エポキシ樹脂層と防湿層とが積層され水分透過率が５０ｇ／ｍ ^２・日未満の多層化保護膜からなる保護層とを具備したものである。

そして、電極基板上に設けられた画素電極上に放射線変換層を設け、この放射線変換層上の画素電極に対向した位置に上部電極を設けてから、この上部電極上に電極基板の曲げ弾性率以下の曲げ弾性率を有し、エポキシ樹脂層と防湿層とが積層され水分透過率が５０ｇ／ｍ ^２・日未満の多層化保護膜からなる保護層を設けた構成とした。この結果、この保護層でのクラックの発生が抑制されるので、この保護層の界面での水分透過率が大きくならず、解像度および発光効率の低下を防止できるから、長期間安定した高い感度特性および解像度特性を有するようにできる。

本発明によれば、上部電極上の保護層が電極基板の曲げ弾性率以下の曲げ弾性率を有し、エポキシ樹脂層と防湿層とが積層され水分透過率が５０ｇ／ｍ ^２・日未満の多層化保護膜からなるので、この保護層でのクラックの発生を抑制でき、この保護層の界面での水分透過率が大きくならず、解像度および発光効率の低下を防止できるから、長期間安定した高い感度特性および解像度特性を有するようにできる。

以下、本発明の放射線検出器の第１の実施の形態の構成を図面を参照して説明する。

図１および図２において、１は直接方式の放射線検出器としてのＸ線検出器である。このＸ線検出器１は、Ｘ線画像を検出するＸ線平面検出器としての直線変換型のＸ線平面センサである。また、このＸ線検出器１はＴＦＴ回路としての光電変換基板２を備え、この光電変換基板２はＴＦＴ回路基板としてのアクティブマトリクス光変換基板である。

そして、この光電変換基板２は、透光性を有するガラスなどの絶縁性材料を用いた電極基板としてのガラス基板３を有している。このガラス基板３は、例えば室温（２５℃）での曲げ弾性率が約６ＧＰａであるコーニング１７３７（商品名：コーニング社製）にて構成されている。また、このガラス基板３の一主面である表面上には、光センサとして機能するＸ線光電変換部としての略矩形状の複数の光電変換部４が複数配列されてマトリクス状に形成されている。そして、ガラス基板３の表面には、各光電変換部４によって、それぞれが同じ構造の複数の検出素子アレイ部としての画素５が設けられている。これら各画素５は、図１おける横方向である行方向、および図１における縦方向である列方向のそれぞれにおいて所定のピッチＰで二次元的に配列されて形成された薄膜素子画素である。

そして、これら各画素５には、電気信号や信号電荷を検出して集める集電電極としての略Ｌ字平板状の画素電極６が、これら画素５毎に設けられている。これら各画素電極６は、画素単位、すなわちガラス基板３の表面における各画素５の中央部にそれぞれ設けられている。ここで、これら画素電極６は、例えばＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）透明導電膜やアルミニウム（Ａｌ）薄膜のスパッタリング法や電子線（ＥＢ）蒸着法などで形成されている。

さらに、これら画素電極６のそれぞれには、スイッチング部を構成するスイッチング素子部としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）７が電気的に接続されている。これら各薄膜トランジスタ７は、結晶性を有する半導体材料である非晶質半導体としてのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）にて構成されている。さらに、これら各薄膜トランジスタ７は、画素電極６にて検出した電位差に基づく電荷を蓄積および放出させる。また、これら各薄膜トランジスタ７は、各画素５のそれぞれに設けられている。さらに、これら各薄膜トランジスタ７は、ゲート電極11、ソース電極12およびドレイン電極13のそれぞれを有している。

また、各画素５には、画素電極６にて検出した信号電荷を蓄積する電荷蓄積容量部としての蓄積素子である矩形平板上の蓄積キャパシタ８が設けられている。これら蓄積キャパシタ８は、画素電極６の下に対向して設けられている。そして、これら画素電極６および蓄積キャパシタ８のそれぞれには、各薄膜トランジスタ７のドレイン電極13が電気的に接続されている。

さらに、ガラス基板３の表面における行方向に沿った一側縁には、各薄膜トランジスタ７の動作状態、例えば各薄膜トランジスタ７のオンおよびオフを制御する細長矩形平板状のドライバ回路としての制御回路である高速信号処理部14が取り付けられている。この高速信号処理部14は、信号の読み出しを制御したり、読み出された信号を処理したりするための信号処理回路としてのラインドライバである。そして、この高速信号処理部14は、ガラス基板３の表面における列方向に沿った長手方向を有しており、このガラス基板３の裏面側に折り曲げられた状態で配設されている。すなわち、この高速信号処理部14は、ガラス基板３の裏面側に対向されて取り付けられている。

そして、この高速信号処理部14には、複数の制御ライン15の一端が電気的に接続されている。これら各制御ライン15は、ガラス基板３の行方向に沿って配線されており、このガラス基板３上の各画素５間に設けられている。さらに、これら各制御ライン15は、同じの行の各画素５を構成する薄膜トランジスタ７のゲート電極11のそれぞれに電気的に接続されている。

また、ガラス基板３の表面には、このガラス基板３の列方向に沿った複数のデータライン16が配線されている。これらデータライン16は、ガラス基板３上の各画素５間に設けられている。これら各データライン16は、同じ列の画素５を構成する薄膜トランジスタ７のソース電極12のそれぞれに電気的に接続されている。すなわち、これら各データライン16は、同じ列の画素を構成する薄膜トランジスタ７から画像データ信号を受信する。

そして、これら各データライン16の一端は、高速信号処理部14に電気的に接続されている。さらに、この高速信号処理部14には、デジタル画像処理部としてのデジタル画像伝送部17が電気的に接続されている。このデジタル画像伝送部17は、光電変換基板の外側に導出された状態で取り付けられている。

一方、図３に示すように、ガラス基板３の表面上の各画素５には、薄膜トランジスタ７および蓄積キャパシタ８のそれぞれが形成されている。ここで、これら各薄膜トランジスタ７は、ガラス基板３上に形成された島状のゲート電極11をそれぞれ備えている。そして、これらゲート電極11を含むガラス基板３上には、絶縁膜21が積層されて形成されている。この絶縁膜21は、各ゲート電極11を覆っている。

また、この絶縁膜21上には、島状の複数の半絶縁膜22が積層されて形成されている。これら各半絶縁膜22は、各ゲート電極11に対向して配設されて、これら各ゲート電極11を覆っている。すなわち、これら各半絶縁膜22は、各ゲート電極11上に絶縁膜21を介して設けられている。さらに、この半絶縁膜22を含む絶縁膜21上には、ソース電極12およびドレイン電極13のそれぞれが形成されている。これらソース電極12およびドレイン電極13は、互いに絶縁されて電気的に接続されていない。また、これらソース電極12およびドレイン電極13は、ゲート電極11上の両側に設けられ、これらソース電極12およびドレイン電極13それぞれの一端部が半絶縁膜22上に積層されている。

そして、各薄膜トランジスタ７のゲート電極11は、同じ行に位置する他の薄膜トランジスタ７のゲート電極11とともに共通の制御ライン15に電気的に接続されている。さらに、これら各薄膜トランジスタ７のソース電極12は、同じ列に位置する他の薄膜トランジスタ７のソース電極12とともに共通のデータライン16に電気的に接続されている。

一方、蓄積キャパシタ８は、ガラス基板３上に形成された島状の下部電極23を備えている。この下部電極23を含むガラス基板３上には絶縁膜21が積層されて形成されている。この絶縁膜21は、各薄膜トランジスタ７のゲート電極11上から各下部電極23上まで延長している。さらに、この絶縁膜21上には、島状の上部電極24が積層されて形成されている。この上部電極24は、下部電極23に対向して配設されており、これら各下部電極23を覆っている。すなわち、これら各上部電極24は、各下部電極23上に絶縁膜21を介して設けられている。そして、この上部電極24を含む絶縁膜21上にはドレイン電極13が積層されて形成されている。このドレイン電極13は、他端部が上部電極24上に積層しており、この上部電極24に対して電気的に接続されている。

さらに、各薄膜トランジスタ７の半絶縁膜22、ソース電極12およびドレイン電極13と、各蓄積キャパシタ８の上部電極24とのそれぞれを含む絶縁膜21上には、絶縁層としての平坦化層25が積層されて形成されている。この平坦化層25は、樹脂にて構成されており、平坦化層25の一部には、薄膜トランジスタ７のドレイン電極13に連通した連通部としてのコンタクトホールであるスルーホール26が開口形成されている。そして、このスルーホール26を含む平坦化層25上には、画素電極６が積層されて形成されている。したがって、この画素電極６は、スルーホール26を介して薄膜トランジスタ７のドレイン電極13に電気的に接続されている。

さらに、この画素電極６を含む平坦化層25上には、入射する放射線としてのＸ線Ｌを電荷に変化する放射線変換層としての光導電層31が成膜されて積層されている。この光導電層31は、入射するＸ線を電機信号に変換するＸ線変換膜としてのＸ線光導電膜である。ここで、画素電極６は、光導電層31に入射するＸ線Ｌに対向する側である、この光導電層31の下に、この光導電層31に直接接した状態で設けられている。言い換えると、この画素電極６は、光導電層31に対してＸ線Ｌが入射する方向側の反対側に設けられている。すなわち、この画素電極６は、光導電層31に対してＸ線Ｌが入射する側の反対側に位置する光導電層31の下面に設けられている。

そして、この光導電層31は、入射したＸ線Ｌを電気信号に変換する光導電材料であるＸ線光導電材料にて構成されている。ここで、光導電層31のＸ線光導電材料中には、重金属ハロゲン化物としてヨウ化鉛（ＰｂＩ_２）、ヨウ化水銀（ＨｇＩ_２）、ヨウ化インジウム（ＩｎＩ）、ヨウ化タリウム（ＴｌＩ）およびヨウ化ビスマス（ＢｉＩ_３）の少なくとも一種類以上が含まれている。すなわち、このＸ線光導電材料中には、ハロゲンとしてヨウ素（Ｉ）が含有されている。

さらに、この光導電層31上には、上部電極としての薄膜電極であるバイアス電極層32が積層されて形成されている。このバイアス電極層32は、光電変換部４全体に亘って一様に積層されたバイアス電極膜である。また、このバイアス電極層32は、画素電極６に対向した位置に設けられている。言い換えると、このバイアス電極層32は、光導電層31のガラス基板３が位置する側の反対側の表面に設けられている。

そして、このバイアス電極層32は、例えばＩＴＯ透明導電膜やアルミニウム薄膜をスパッタリング法や電子線蒸着法などで成膜して形成されている。よって、このバイアス電極層32は、各画素５それぞれの画素電極６それぞれに対して共通のバイアス電圧を印加して、この画素電極６との間にバイアス電界が形成できるように一体的に形成されている。

さらに、このバイアス電極層32上には、大気や水分に対する遮蔽性とＸ線に対する透過性とを有する保護層としての保護膜33が積層されて形成されている。この保護膜33は、光電変換部４のバイアス電極層32上と、このバイアス電極層32の周縁とのそれぞれを被覆している。そして、この保護膜33は、ガラス基板３の曲げ弾性率以下の曲げ弾性率を有するエポキシ樹脂層34にて構成されている。このエポキシ樹脂層34は、室温（２５℃）での曲げ弾性率が５ＧＰａ以下、好ましくは１ＧＰａ以下のエポキシ樹脂にて構成されている。

そして、このエポキシ樹脂層34は、防湿層としての水分バリア層35が２層以上積層されて構成された多層化保護膜である。よって、保護膜33は、エポキシ樹脂層34に水分バリア層35が２層以上に積層されて多層化されて構成されており、水分透過率が５０ｇ／ｍ^２・日未満とされている。このとき、この保護膜33は、バイアス電極層32上にエポキシ樹脂層34が位置し、この保護膜33の最も外側に水分バリア層35が位置するように構成されている。言い換えると、この保護膜33は、バイアス電極層32に接触する内層がエポキシ樹脂層34とされ、最外層が水分バリア層35とされている。

ここで、この保護膜33のエポキシ樹脂層34のエポキシ樹脂の主成分としての主剤となる原料としては、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ樹脂、トリス−ヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、その他の多官能型エポキシ樹脂を用いることができる。

その他、このエポキシ樹脂の主剤となる原料としては、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジールイソシアネートあるいはヒダントインエポキシのような複素環エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、プロピレングリコールジグリシジルエーテルあるいはペンタエリスリトール−ポリ−グリシジルエーテルなどの脂肪族系エポキシ樹脂、脂肪族もしくは芳香族カルボン酸とエピクロルヒドリンとの反応によって得られるエポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、オルソ−アリル−フェノールノボラック化合物とエピクロルヒドリンとの反応生成物であるグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡのそれぞれの水酸基のオルソ位にアリル基を有するジアリルビスフェノール化合物とエピクロルヒドリンとの反応生成物であるグリシジルエーテル型エポキシ樹脂などを用いることができる。

さらに、このエポキシ樹脂の主剤となる原料としては、柔軟性を付与させる目的で、低極性結合基を導入させたオリゴマ型変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂などを用いることができるとともに、難燃性を付与させる目的として臭素化したエポキシ樹脂などを用いることもできる。ここで、このエポキシ樹脂としては、低粘度で取り扱いやすい樹脂組成物を調製する観点から、室温（２５℃）における粘度が５００ポアズ以下、より好ましくは３００ポアズ以下の液状のエポキシ樹脂が好ましい。

そして、この液状のエポキシ樹脂としては、例えばエピコート８２５、エピコート８２７、エピコート８２８、エピコート８２８ＥＬ、エピコート８２８ＸＡ、エピコート８３４、エピート８０１、エピコート８０１Ｐ、エピコート８０２、エピコート８０２ＸＡ、エピコート８１５、エピコート８１５ＸＡ、エピコート８１６Ａ、エピコート８１９、エピコート８０６、エピコート８０６Ｌあるいはエピコート８０７（以上商品名：ジャパンエポキシレジン株式会社製）なども使用できる。

また、この液状のエポキシ樹脂としては、例えばＥＰ−４１００、ＥＰ−４１００Ｇ、ＥＰ−４１００Ｅ、ＥＰ−４１００Ｗ、ＥＰ−４１００ＴＸ、ＥＰ−４３００Ｅ、ＥＰ−４３４０、ＥＰ−４２００、ＥＰ−４４００、ＥＰ−４５００Ａ、ＥＰ−４５１０、ＥＰ−４５２０、ＥＰ−４５２０Ｓ、ＥＰ−４５２０ＴＸ、ＥＰ−４５３０、ＥＰ−４９０１、ＥＰ−４９０１Ｅ、ＥＰ−４９５０、ＥＰ−４０００、ＥＰ−４００５、ＥＰ−１３０７、ＥＰ−４００４、ＥＰ−４０８０Ｅ、ＥＰ−４０１２Ｍ、ＥＰ−４０００Ｓ、ＥＰ−４０００ＳＳ、ＥＰ−４００３Ｓ、ＥＰ−４０１０Ｓ、ＥＰ−４０８８ＳあるいはＥＰ−４０８５Ｓ（以上商品名：旭電化工業株式会社製）なども使用できる。

さらに、この液状のエポキシ樹脂としては、例えばＥＸＡ−４８５０−１５０あるいはＥＸＡ−４８５０−１０００（以上商品名：大日本インキ化学工業株式会社製）や、ＣＥＬ−２０２１Ｐ（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、エポキシ当量１２８〜１４０、粘度２００〜３５０ｃＰ／２５℃）、ＣＥＬ−２０２１Ａ（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、エポキシ当量１３０〜１４５、粘度２００〜４５０ｃＰ／２５℃）、ＣＥＬ−２０００（１−ビニル−３，４−エポキシシクロヘキサン、粘度１．５ｃＰ／２５℃）、ＣＥＬ−３０００（１，２，８，９−ジエポキシリモネン、エポキシ当量９３．５以下、粘度５〜２０ｃＰ／２５℃）（以上商品名：ダイセル化学工業株式会社製）なども使用できる。

またさらに、この液状のエポキシ樹脂としては、例えばデナコールＥＸ−４２１、２０１（レゾルシンジグリシジルエーテル）、２１１（ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル）、９１１（プロピレングリコールジグリシジルエーテル）、７０１（アジピン酸ジグリシジルエステル）（以上商品名：ナガセ化成工業株式会社製）なども使用できる。

そして、これらのエポキシ樹脂は、粘度、耐熱性、接着性および表面硬度の点から混合しても使用できる。さらに、その他のエポキシ樹脂としては、エポキシ基を有する（メタ）アクリレートとして広く用いられているものも使用できる。

ここで、このエポキシ基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えばグリシジルメタクリレート、２−メチル−グリシジルメタクリレート、エポキシ化イソプレニルメタクリレート、３，４−エポキシシクロヘキサンメタノール（メタ）アクリレート、３，４−エポキシシクロヘキサンメタノールのε−カプロラクトン変性物の（メタ）アクリル酸エステル、例えばサイクロマＭ１００（エポキシ当量１９６〜２１３）、サイクロマＡ２００（エポキシ当量１８２〜１９５）、サイクロマＭ１０１（エポキシ当量３２６〜３５５）（以上商品名：ダイセル化学工業株式会社製）などの単独、あるいは他の共重合可能な重合性単量体と共重合して用いることができる。

さらに、この共重合に用いられる重合性単量体としては、例えば（メタ）アクリル酸アルキルエステル、水酸基含有（メタ）アクリル酸アルキルエステル、脂環式（メタ）アクリル酸エステル、アクリル酸芳香族エステル、環内に３級炭素を含み炭素数が７〜２０である脂環式メタクリル酸エステルなどの不飽和脂肪酸エステルや、スチレン、α−メチルスチレン、α−エチルスチレン、クロロスチレン、ビニルトルエン、ｔ−ブチルスチレンなどの芳香族ビニル化合物や、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のシアン化ビニル化合物や、Ｎ−アルキル基置換マレイミド、Ｎ−シクロアルキル置換マレイミド、Ｎ−フェニルマレイミドなどのＮ−置換マレイミドなどがある。

このとき、エポキシ基を有する（メタ）アクリレートなどを単独あるいは他の共重合可能な重合性単量体と重合させる場合には、開始剤を用いることができる。この開始剤としては、例えば過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、過酸化ベンゾイル、過酸化水素、ジ−ｔ−ブチルパーオキシド、ジクミルパーオキシド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキシド、デカノイルパーオキシド、ラウリルパーオキシド、クメンヒドロパーオキシド、ｔ−ブチルヒドロパーオキシド、アセチルパーオシキド、メチルエチルケトンパーオキシド、コハク酸パーオキシド、ジセチルパーオキシジカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、ＡＩＢＮ（２，２’−アゾビスイソブチロニトリル）、ＡＢＮ−Ｅ（２，２’−アゾビス（２−メチルブチロニトリル））、ＡＢＮ−Ｖ（２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル））、パーブチルｏ（ｔ−ブチルパーオキシ２−エチルヘキサノエート）などを用いることができる。

そして、上述したエポキシ樹脂の硬化方法としては、エポキシ樹脂のカチオン重合触媒を用いたエポキシ樹脂の単独重合のほか、フェノール系硬化剤やアミン系硬化剤などを用いたエポキシ樹脂系の使用も可能である。

また、このエポキシ樹脂は、硬化物の弾性率を低く抑える観点から硬化触媒と硬化剤とを適宜選択できる。さらに、このエポキシ樹脂には無機質充填剤が含有されている。すなわち、この無機質充填剤は、エポキシ樹脂の熱膨張率を小さくし、塗膜性を向上させる目的で添加される。具体的に、この無機質充填剤としては、例えば溶融シリカ、結晶性シリカ、ガラス、タルク、アルミナ、ケイ酸カルシウム、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、マグネシア、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ベリリウム、雲母などが用いられる。このとき、この無機質充填剤としては、特に溶融シリカあるいは結晶性シリカが好ましい。また、この無機質充填剤の形状としては、破砕状、球状、亜球状、繊維状、燐ペン状のものを使用でき、特に表面平滑性を考慮して平均粒径１０μｍ以下の球状あるいは亜球状の充填剤が好ましい。さらに、この無機質充填剤の形状としては、耐クラック性の補強効果を狙って繊維状の充填剤も使用できる。

ここで、この繊維状の充填剤としては、例えばチタニア、ホウ酸アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、チタン酸カリウム、塩基性マグネシウム、酸化亜鉛、グラファイト、マグネシア、硫酸カルシウム、ホウ酸マグネシウム、二ホウ化チタン、α−アルミナ、クリソタイル、ワラストナイトなどのウィスカ類や、Ｅガラス繊維、シリカアルミナ繊維、シリカガラス繊維などの非晶質繊維のほか、チラノ繊維、炭化ケイ素繊維、ジルコニア繊維、γアルミナ繊維、α−アルミナ繊維、ＰＡＮ系炭素繊維、ピッチ系炭素繊維などの結晶性繊維などを使用できる。このとき、この繊維状の充填剤としては、平均繊維径が５μｍ以下で最大繊維長が１０μｍ以下のものが塗膜表面の均一性の点で好ましい。

さらに、無機質充填剤は、樹脂組成物の総量に対して０．１重量％以上５０重量％以下の範囲で使用できる。すなわち、この無機質充填剤の使用量が０．１重量％より少ない場合には、硬化物の熱膨張率が大きくなり、耐熱衝撃性が不十分となる。また、この無機質充填剤の使用量が５０重量％より多い場合には、樹脂組成物の流動性が不十分となり、作業性が低下し、ボイドの発生原因になり、均一な保護膜を形成することが困難となる。

そして、この樹脂組成物としては、冷熱サイクル時の耐クラック性を向上させる点から、エポキシ樹脂の弾性率を下げる目的で熱可塑性樹脂、ゴム成分、各種オリゴマなどを添加できる。ここで、この熱可塑性樹脂としては、例えばブチラール樹脂、ポリアミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂や、シリコーンオイル、シリコーン樹脂、シリコーンゴム、フッ素ゴムなどで変性させることもできる。

さらに、樹脂組成物に、各種プラスチック粉末や、各種エンジニアリングプラスチック粉末などを添加することもできる。また、この樹脂組成物には、接着性をさらに向上せるための接着性付与剤や、撥水剤、撥油剤、防虫剤、紫外線吸収剤、抗菌剤、帯電防止剤、塗料定着剤、防シワ剤、酸化防止剤、界面活性剤、カップリング剤、着色剤などを添加して配合することもできる。

そして、この樹脂組成物は、三本ロール、ボールミル、らいかい機、ホモジナイザ、自公転式混合装置、万能混合機、押出し機、ヘンシェルミキサなどを用いてフィラ成分と樹脂成分とを均一に混合してから使用できる。また、この樹脂組成物は、スクリーン印刷法、メタルスクリーン印刷法、ディスペンス法、圧着法、ディピング、刷毛塗り、ローラ塗り、流し塗り、各種スプレ塗装、ダイコータ、ナイフコータ、スピンコータ、カーテンフローコータ、リバースコータなど、塗布する基材の形状によって選択できる。

さらに、塗膜の乾燥方法は、自然乾燥、通風乾燥、加熱乾燥、真空乾燥、マイクロ波を用いた乾燥、超音波を用いた乾燥が使用でき、上述のエポキシ樹脂の重合に適した温度は、１８℃以上１５０℃以下、好ましくは２５℃以上１３０℃以下である。すなわち、重合温度がこの範囲より高いと、重合が不安定になり不均一な高分子量の化合物が多く生成する。これに対し、重合温度がこの範囲より低いと、反応時間がかかりすぎるので好ましくない。

一方、保護膜33のエポキシ樹脂層34を多層化する多層化フィルムである水分バリア層35としては、シリカ蒸着膜を形成させたテックバリアフィルムタイプのＶ、Ｐ２、Ｈ、Ｔ、ＴＺ、ＮＹ、ＮＲ、Ｓ（以上商品名：三菱樹脂株式会社製）のほか、ＧＬフィルムのアルミナ蒸着ＧＬ−ＡＵ、ＧＬ−ＡＥ、ＧＬ−ＡＥＨ、ＧＬ−ＡＥＹ、ＧＬ−ＡＥＯ、シリカ蒸着したＧＬ−Ｅ、あるいはバリア性を向上させたアルミナ蒸着ＧＸフィルムＧＸ、ＧＬ−ＡＵ、ＧＬ−ＡＥ（以上商品名：凸版印刷株式会社製）なども使用できる。

さらに、この水分バリア層35として用いられる水分バリアフィルムである防湿フィルムとしては、二酸化珪素としてのシリカ（ＳｉＯ_２）や酸化アルミニウムとしてのアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）の蒸着膜を水分遮蔽層としており、さらに防湿性能を向上させる目的として、これら防湿フィルムを２層以上に多層化させたタイプの多層化防湿フィルムである多層化防湿膜の使用も可能である。

そして、この多層化防湿膜およびエポキシ樹脂の作製方法は、防湿フィルム基材にエポキシ樹脂を塗布してＢステージ化する方法と、所定のエリアにエポキシ樹脂を塗布してから防湿フィルムを圧着して一体化する方法とがある。具体的に、この多層化防湿膜の作製方法としては、例えばエポキシ樹脂をバーコータ法、スクリーン印刷法あるいはディスペンス法などによって防湿フィルムに塗布して多層化させて多層化防湿膜とし、塗膜の厚さによって適宜選択してから所定のサイズに多層化防湿膜をカットして使用する。

次に、上記第１の実施の形態の放射線検出器の作用について説明する。

まず、Ｘ線Ｌが光導電層31に入射し、この光導電層31によって入射したＸ線Ｌが電気信号である信号電荷に変換される。このとき、この信号電荷は、バイアス電極層32と画素電極６との間に形成されているバイアス電界によって画素電極６へと運ばれて移動して、この画素電極６からドレイン電極13などを介して蓄積キャパシタ８に蓄積される。

一方、この蓄積キャパシタ８に蓄積された信号電荷の読み出しは、高速信号処理部14にて、例えば画素単位１２の行（図１の横方向）ごとに順に制御される。

このとき、この高速信号処理部14からデータライン16を通して第１行目に位置する画素単位のゲート電極11のそれぞれに、例えば１０Ｖのオン信号を加えて、第１行目の画素単位の薄膜トランジスタ７のそれぞれをオン状態にする。

このとき、第１行目の画素単位の蓄積キャパシタ８に蓄積された信号電荷は、ドレイン電極13からソース電極12に電気信号として出力される。そして、このソース電極12に出力した電気信号のそれぞれは、高速信号処理部14によって増幅される。

さらに、この増幅された電気信号は、デジタル画像伝送部17に加えられて直列信号に変換されてからデジタル信号に変換されて、図示しない次段の信号処理回路へと送られる。

そして、第１行目に位置する画素単位の蓄積キャパシタ８の電荷の読み出しが終了すると、高速信号処理部14からデータライン16を通して第１行目の画素単位のゲート電極11に対して、例えば−５Ｖのオフ信号が加えられて、第１行目の画素単位の薄膜トランジスタ７のそれぞれをオフ状態にする。

この後、上述した動作が第２行目以下の画素単位に対しても順になされる。そして、すべての画素単位の蓄積キャパシタ８に蓄積した信号電荷が読み出され、順次デジタル信号に変換されて出力されて、１つのＸ線画面に対応する電気信号がデジタル画像伝送部17から出力される。

上述したように、上記第１実施の形態によれば、Ｘ線検出器１のバイアス電極層32上に設けた保護膜33中のエポキシ樹脂層34内に発生する内部応力低減の観点からは、これらエポキシ樹脂層34を構成するエポキシ樹脂の曲げ弾性率をできるだけ小さくするほうが良い。ところが、この保護膜33としては、形状維持や外部からの機械的な損傷を受けないような曲げ弾性率が必要と考えられる。そこで、常温での曲げ弾性率が５ＧＰａ付近の保護膜33の場合には、試作実験の結果から、常温での曲げ弾性率が約６ＧＰａのガラス基板３を破壊してしまうことが確認できたので、この保護膜33中のエポキシ樹脂層34を構成するエポキシ樹脂の常温での曲げ弾性率を５ＧＰａ以下とした。

また、この保護膜33のエポキシ樹脂層34を複数の水分バリア層35で多層化させて多層化保護膜とした。この結果、この水分バリア層35がエポキシ樹脂層34のピンホールなどの欠陥を防止し、保護膜33の水分透過率をさらに小さくできるので、この保護膜33とバイアス電極層32との界面での水分透過率が大きくならず、この保護膜33からバイアス電極層32への水分の透過を防止でき、このエポキシ樹脂層34の高い熱耐性によって加熱プロセス後も欠陥を抑制できる。

さらに、保護膜33を多層化して保護したことにより、この保護膜33でのクラックの発生を防止できる。したがって、従来の保護膜33よりもピンホールなどの欠陥が少なく水分透過率を低く抑制できるので、加熱プロセスの影響による劣化が小さい保護膜33にできる。

また、防湿性に優れた保護膜33を均一かつ信頼性良く形成できるので、光電変換部４でのマイクロディスチャージが生じにくく、保護膜33を劣化しにくくできる。このため、光電変換部４での解像度および発光効率の低下を防止できるから、この光電変換部４での感度特性および解像度特性の劣化を長期間に亘って抑制でき、長期間安定した高い感度特性および解像度特性を有するＸ線検出器１を提供できる。

さらに、光電変換部４に接触するエポキシ樹脂層34の弾性率をできるだけ小さくすることにより、大型のガラス基板３に対応可能となり、光電変換部４と接触するエポキシ樹脂層34による応力集中を抑制できるから、長期間安定した接着力を保持できるようになる。

なお、上記第１の実施の形態では、直接方式のＸ線検出器１の光電変換部４上に保護膜33を形成したが、図３に示す第２の実施の形態のように、間接方式のＸ線検出器１の光電変換部４上に保護膜33を形成することもできる。この場合、このＸ線検出器１の光電変換部４は、入射した可視光を電気信号としての信号電荷に変換する略Ｌ字平板状の光電変換素子としてのフォトダイオード41を備えている。このフォトダイオード41は、各画素５それぞれのスルーホール26を含む平坦化層25上に設けられている。

そして、このフォトダイオード41は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）のｐｎダイオード構造あるいはｐｉｎダイオード構造として画素５毎に形成されている。さらに、このフォトダイオード41は、画素単位、すなわちガラス基板３の表面における各画素５の中央部にそれぞれ設けられている。さらに、このフォトダイオード41には、薄膜トランジスタ７のドレイン電極13が電気的に接続されている。

ここで、このフォトダイオード41とスルーホール26を含む平坦化層25との間には、下部電極としての第１電極である収電電極42が積層されて形成されている。この収電電極42は、フォトダイオード41の下方に位置している。すなわち、この収電電極42は、スルーホール26を介して薄膜トランジスタ７のドレイン電極13および蓄積キャパシタ８の上部電極24のそれぞれに電気的に接続されている。

さらに、この収電電極42上にフォトダイオード41が積層されており、このフォトダイオード41上に上部電極としての第２電極であるバイアス電極層32が積層されて形成されている。このバイアス電極層32は、例えばスパッタリング法にてＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）透明導電膜の成膜にて形成されている。よって、これら収電電極42とバイアス電極層32との間は、バイアス電圧が印加されてバイアス電界が形成される。

また、このバイアス電極層32上には、入射するＸ線を可視光に変換するＸ線変換膜としての柱状結晶のシンチレータ層43が積層されている。このシンチレータ層43は、柱状構造43aを有しており、フォトダイオード41上に設けられている。また、このシンチレータ層43は、フォトダイオード41の周縁を周方向の全域に亘って覆っている。言い換えると、このシンチレータ層43は、フォトダイオード41を周縁して設けられている。さらに、このシンチレータ層43は、フォトダイオード41が形成されている領域であるエリアに重なるように設けられている。したがって、このシンチレータ層43は、光電変換基板２に対して光学的に結合されている。

さらに、このシンチレータ層43の柱状構造43aの隙間は、真空あるいは不活性ガスや空気が充填されて構成されている。すなわち、このシンチレータ層43は、蒸着法、エレクトロビーム（Electro Beam:ＥＢ）法あるいはスパッタ法などの方法で、個別な柱状構造43aにヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）やヨウ化セシウム（ＣｓＩ）などの図示しない蛍光体を堆積させて成膜されて構成された柱状結晶である。したがって、このシンチレータ層43は、このシンチレータ層43の柱状結晶によって発生した光の拡散が小さく、高い解像度を有する。

また、このシンチレータ層43上には、保護膜33が成膜されて積層されている。この保護膜33は、シンチレータ層43のフォトダイオード41に対向する側の反対側である上側を覆っている。ここで、この保護膜33としては、シンチレータ層43の内部に侵入する水分の影響による柱状結晶のＣｓＩあるいはＮａＩの潮解を抑える水分透過率の低い遮蔽性に優れたものが好ましい。

さらに、この保護層33上には、反射層44が成膜されて積層されている。この反射層44は、保護膜33のシンチレータ層43に対向する側の反対側である上側に設けられている。よって、この反射層44は、シンチレータ層43のエリアに重なるように保護膜33上に形成されている。ここで、この反射層44は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）などの反射率の高い金属や、二酸化チタン（ＴｉＯ_２）あるいはガドリニウム硫酸化物（ＧＯＳ）の反射率の高い白色顔料である金属酸化物などにて構成されている。

そして、この反射層44は、この反射層44が金属の場合には銀塩法、真空蒸着法、スパッタ法などの方法によって保護膜33上に形成されている。さらに、この反射層44は、この反射層44が金属酸化物の場合には金属酸化物とバインダである樹脂とを混合して塗布液とし、この塗布液を溶液キャスト法、スプレ印刷法、インクジェット法、熱圧着法あるいは静電塗装法などの方法によって保護膜33上に形成されている。さらに、この反射層44上には、矩形平板上の支持体45が取り付けられている。

次に、上記第２の実施の形態の放射線検出器の作用について説明する。

まず、Ｘ線Ｌが支持体45、反射層44および保護膜33のそれぞれを順次透過してシンチレータ層43に入射し、このシンチレータ層43にて入射したＸ線Ｌが可視光に変換される。

そして、このシンチレータ層43にて変換された可視光はフォトダイオード41にて電気信号である信号電荷に変換される。このとき、この信号電荷は、バイアス電極層32と収電電極42との間に形成されているバイアス電界によってドレイン電極13を介して蓄積キャパシタ８に蓄積される。

上述したように、上記第２の実施の形態では、Ｘ線検出器１のシンチレータ層43上に、このＸ線検出器１のガラス基板３の常温での曲げ弾性率以下の曲げ弾性率を有するエポキシ樹脂にて構成されたエポキシ樹脂層34を有する保護膜33を形成し、この保護膜33のエポキシ樹脂層34を複数の水分バリア層35で多層化させたので、上記第１の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。

さらに、シンチレータ層43の柱状構造43aの隙間に侵入する水分およびエポキシ樹脂の侵入を、このシンチレータ層43上の保護膜33のエポキシ樹脂層34に含有させた無機質充填剤によって遮蔽できる。したがって、このシンチレータ層43の柱状構造43aの隙間に保護膜33が堆積しなくなるので、この柱状構造43aと隙間との屈折率比が１に近くなることなどなく、この柱状構造43aの柱状結晶内の反射効率が小さくなって解像度および反射効率が低下することなどを防止できる。よって、このシンチレータ層43の柱状構造43aの柱状結晶の隙間への保護膜33の堆積による解像度特性の低下を抑制できるから、長期間に亘る高い発光効率を維持できるとともに、解像度の劣化を抑えることができる。

なお、上記各実施の形態では、Ｘ線Ｌを検出するＸ線検出器１について説明したが、例えばγ線などのＸ線Ｌ以外の各種の放射線を検出する放射線検出器であっても対応させて用いることができる。また、エリアセンサなどのように、光電変換部４のガラス基板３上に薄膜トランジスタ７および画素電極６が形成された画素５を縦方向および横方向のそれぞれに沿って二次元的にマトリクス状に形成したが、ラインセンサなどの場合には、これら画素５を光電変換部４のガラス基板３上に一次元的に設けてもよい。

また、非晶質半導体や結晶性半導体、多結晶半導体にて構成された薄膜トランジスタ７を用いたＸ線検出器１としても対応させて用いることができる。

まず、本発明のＸ線検出器の保護膜に用いるエポキシ樹脂の第１の実施例を説明する。

ＥＸＡ−１０００（エポキシ当量３４３）（商品名：大日本インキ化学工業株式会社製）５１．７重量％と、Ｄ−４００（活性水素当量１１６）（商品名：サンテクノケミカル株式会社製）１７．５重量％と、界面活性剤０．１５重量％と、球状シリカ３０．１２重量％と、カーボン系着色剤０．５３重量％とのそれぞれを配合してから、自公転式混合機にて混合し、第１のエポキシ樹脂を作製した。

次に、本発明のＸ線検出器の保護膜に用いるエポキシ樹脂の第２の実施例を説明する。

ＥＰ−４０００Ｓ（エポキシ当量２６０）（商品名：旭電化工業株式会社製）４７．８５重量％と、Ｄ−４００（活性水素当量１１６）（商品名：サンテクノケミカル株式会社製）２１．３５重量％と、界面活性剤０．１５重量％と、球状シリカ３０．１２重量％と、カーボン系着色剤０．５３重量％とを配合してから、自公転式混合機にて混合し、第２のエポキシ樹脂を作製した。

次に、本発明のＸ線検出器の保護膜の第３の実施例を説明する。

上記第１の実施例にて試作した第１のエポキシ樹脂を、ＧＸフィルム（８０μｍ）（商品名：凸版印刷株式会社製）にバーコータを用いて２００μｍ塗布してから、６０℃×４時間の熱処理した。この後、表面がべたつかない状態としてから所定のサイズにカットして保護膜33である第１の多層化防湿フィルムとしての第１の多層化保護膜を作製した。

次に、本発明のＸ線検出器の保護膜の第４の実施例を説明する。

上記第２の実施例にて試作した第２のエポキシ樹脂を、ＧＸフィルム（８０μｍ）（商品名：凸版印刷株式会社製）にバーコータを用いて２００μｍ塗布してから、６０℃×４時間の熱処理をした。この後、表面がべたつかない状態としてから所定のサイズにカットして保護膜33である第２の多層化防湿フィルムとしての第２の多層化保護膜を作製した。

次に、本発明のＸ線検出器の保護膜の第５の実施例を説明する。

上記第１の実施例にて試作した第１のエポキシ樹脂を、テックバリアＴＣＢ−Ｈフィルム（７５μｍ）（商品名：凸版印刷株式会社製）にバーコータを用いて２００μｍ塗布してから、６０℃×４時間の熱処理をした。この後、表面がべたつかない状態としてから所定のサイズにカットして保護膜33である第３の多層化防湿フィルムとしての第３の多層化保護膜を作製した。

次に、本発明のＸ線検出器の保護膜の第６の実施例を説明する。

上記第１ないし第５の実施例にて作製した第１のエポキシ樹脂、第２のエポキシ樹脂、第１の多層化保護膜、第２の多層化保護膜および第３の多層化保護膜のそれぞれの物性を測定した。

まず、水分透過率をＪＩＳＫ−７１２９Ｂ法（赤外センサ法）およびＡＳＴＭＦ−１２４９に示された測定方法に準じて測定した。この測定法は、測定サンプルとしてフィルムにキズや、ボイド、折れのない箇所を選び、ＭＯＣＯＮ社（米国）製の水蒸気透過率測定装置（型番：PERMATRAN （R） W 3/61）によって、４０℃湿度９０％雰囲気での重量変化から吸湿量を測定して水分透過率を算出した。

次いで、曲げ弾性率および絶縁破壊電圧を、ＪＩＳＫ−６９１１（1995年版）に準じて測定した。

ここで、ＪＩＳＫ−６９１１に準じた曲げ弾性率は、弾性限界内の荷重であって、たわみ曲線の直線部における曲げ応力に対する各試験片の変形抵抗度である。すなわち、この曲げ弾性率は、単位ひずみ当りの曲げ応力で表される。したがって、上記第１ないし第５の実施例にて作製した第１のエポキシ樹脂、第２のエポキシ樹脂、第１の多層化保護膜、第２の多層化保護膜および第３の多層化保護膜のそれぞれを試験片とし、これら試験片の両端部分を支点で支えて両端支持ばりとし、この状態で各試験片の中央部に上方から集中荷重を加えたときの最大曲げ応力から曲げ強度を測定し、この曲げ強度から曲げ弾性率を算出した。

さらに、ＪＩＳＫ−６９１１に準じた絶縁破壊電圧は、耐電圧であって、規定の電圧傾度×試験片の厚さを規定の電圧とし、この規定の電圧を１分間印加して、試験片が破壊しないで耐えるかを測定して算出した。

なお、上記各実施例においては、保護膜33の形成方法として、上記第１の実施の形態のように水分バリア層35にエポキシ樹脂を塗布してから一次硬化（Ｂステージ化）した後に、所定のサイズにカットしてから所定のエリアに圧着して保護膜33を形成する方法のほか、シリンジに充填した液状のエポキシ樹脂を塗布ロボットにて所定エリアに塗布してから塗布エリアの形状を安定させるための加熱処理後に防湿フィルムを圧着する方法などがある。このとき、エポキシ樹脂層34の界面と水分バリア層35との界面のボイドの発生を抑えるため、保護膜33を真空雰囲気で圧着する方法などを用いることもできる。

本発明の第１の実施の形態の放射線検出器を示す一部を切り欠いた説明斜視図である。同上放射線検出器の説明断面図である。本発明の放射線検出器の第２の実施の形態を示す説明断面図である。

符号の説明

１放射線検出器としてのＸ線検出器
３電極基板としてのガラス基板
６画素電極
31 放射線変換層としての光導電層
32 上部電極としてのバイアス電極層
33 保護層としての保護膜
34 エポキシ樹脂層
35 防湿層としての水分バリア層
41 光電変換素子としてのフォトダイオード
43 シンチレータ層
Ｌ放射線としてのＸ線

Claims

電極基板と、
この電極基板上に設けられ電気信号を検出する画素電極と、
この画素電極上に設けられ入射する放射線を電気信号に変換する放射線変換層と、
この放射線変換層上の前記画素電極に対向した位置に設けられた上部電極と、
この上部電極上に設けられ前記電極基板の曲げ弾性率以下の曲げ弾性率を有し、エポキシ樹脂層と防湿層とが積層され水分透過率が５０ｇ／ｍ ^２・日未満の多層化保護膜からなる保護層と
を具備したことを特徴とした放射線検出器。
電極基板と、
この電極基板上に設けられ可視光を電気信号に変換する光電変換素子と、
この光電変換素子上に設けられ入射する放射線を可視光に変換するシンチレータ層と、
このシンチレータ層上に設けられ前記電極基板の曲げ弾性率以下の曲げ弾性率を有し、エポキシ樹脂層と防湿層とが積層され水分透過率が５０ｇ／ｍ ^２・日未満の多層化保護膜からなる保護層と
を具備したことを特徴とした放射線検出器。
保護層は、室温での曲げ弾性率が５ＧＰａ以下である
ことを特徴とした請求項１または２記載の放射線検出器。
多層化保護膜は、エポキシ樹脂層上に防湿層が積層されて構成されている
ことを特徴とした請求項１ないし３いずれか記載の放射線検出器。
防湿層は、二酸化珪素（ＳｉＯ_２）および酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）いずれかの蒸着層である
ことを特徴とした請求項４記載の放射線検出器。
防湿層は、少なくとも２層以上積層された多層化フィルムである
ことを特徴とした請求項４または５記載の放射線検出器。
エポキシ樹脂層は、無機質充填剤を含有する
ことを特徴とした請求項４ないし６いずれか記載の放射線検出器。