KR102432252B1 - 엑스선 검출기, 이를 포함한 엑스선 촬영 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
엑스선 검출기, 이를 포함한 엑스선 촬영 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 엑스선 검출기는 엑스선을 상기 엑스선과 파장대역 다른 광으로 변환시키는 광변환층, 광변환층상에 배치되며 광을 전기적 신호로 출력하는 복수 개의 픽셀을 포함하는 센싱층, 센싱층상에 배치되며 센싱층을 물리적 충격으로부터 보호하는 보호층 및 보호층상에 배치되며 센싱층으로의 정전하 유입을 방지하는 대전 방지층을 포함한다.
Description
본 개시는 엑스선 검출기, 이를 포함한 엑스선 촬영 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
진단용 엑스선 검출기로서 박막 트랜지스터를 이용한 엑스선 검출기가 주목받고 있다. 엑스선 검출기는 엑스선으로 촬영한 엑스선 영상 또는 엑스선 투시 영상을 디지털 신호로 출력한다. 이러한 엑스선 검출기는 직접 방식과 간접 방식으로 나뉜다.
직접방식은 포토컨덕터(photoconductor)로 엑스선을 직접 전하로 변환하며, 간접방식은 신틸레이저(scintillator)로 엑스선을 가시광선으로 변환한 후, 변환된 가시광선을 포토다이오드와 같은 광전변환소자로 전하로 변환하는 방식이다.
최근 IT 기술을 이용한 무선 엑스선 검출기는 사용자가 수시로 엑스선 검출기를 이동하면서 촬영하는 모바일 환경에서 사용하기 때문에 사용자는 엑스선 검출기를 떨어뜨릴 수 있으며, 엑스선 검출기가 깨지는 일이 빈번하게 발생한다.
일 실시예는 내구성이 강한 엑스선 검출기, 이를 포함한 엑스선 촬영 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
일 실시예에는 영상의 잡음을 제거할 수 있는 엑스선 검출기, 이를 포함한 엑스선 촬영 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
일 실시예에 따르는 엑스선 검출기는, 엑스선을 상기 엑스선과 파장 대역이 다른 광으로 변환시키는 광변환층; 상기 광변환층상에 배치되며, 상기 광을 전기적 신호로 출력하는 복수 개의 픽셀을 포함하는 센싱층; 상기 센싱층상에 배치되며, 상기 센싱층을 물리적 충격으로부터 보호하는 보호층; 및 상기 보호층상에 배치되며, 상기 센싱층으로의 정전하 유입을 방지하는 대전 방지층;을 포함한다.
그리고, 상기 복수 개의 픽셀 각각은, 상기 엑스선의 입사 방향과 수직한 방향으로 나란하게 배열된 포토 다이오드 및 트랜지스터를 포함할 수 있다.
또한, 상기 대전 방지층은, 상기 보호층과 접하게 배치될 수 있다.
그리고, 상기 대전 방지층은, 전도성 물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 대전 방지층은, ITO, IZO, 금속, 전도성 유기물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 대전 방지층의 두께는, 50Å 내지 500Å일 수 있다.
또한, 상기 대전 방지층은 접지될 수 있다.
그리고, 상기 보호층은, PI(Polyimide), PC(Polycarbonate), PES(Polyethersulfone), PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylenenaphthalate), PAR(Polyarylate), FPR(Glass Fiber Reinforced Plastic) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 광변환층과 센싱층 사이 및 상기 센싱층과 상기 보호층 사이 중 적어도 하나에 배치되며, 상기 센싱층으로의 수분 침투를 방지하는 배리어 층;을 더 포함할 수 있다.
그리고, 상기 배리어 층은, SiOx, SiNx 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 보호층상에 배치되며, 상기 보호층을 지지하는 기판;을 더 포함할 수 있다.
그리고, 상기 기판은, 유리로 구성될 수 있다.
또한, 상기 기판과 상기 보호층을 접착시키는 제1 접착층;을 더 포함할 수 있다.
그리고, 상기 광변환층과 상기 센싱층을 접착시키는 제2 접착층;을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 복수 개의 픽셀은 2차원으로 배열될 수 있다.
한편, 일 실시예에 따르는 엑스선 촬영 장치는, 엑스선을 발생시키는 엑스선 소스; 및 앞서 기술한 엑스선 검출기로서, 상기 엑스선 소스에서 발생된 엑스선 중 대상체를 투과한 엑스선을 검출하는 엑스선 검출기;를 포함한다.
한편, 일 실시예에 따르는 엑스선 검출기의 제조 방법은, 전도성 물질층상에 유연성 물질층을 형성하는 단계; 상기 유연성 물질층상에 광을 전기적 신호로 변환시키는 복수 개의 픽셀을 포함하는 센싱층을 형성하는 단계; 및 상기 센싱층상에 엑스선을 상기 광으로 변환시키는 광변환층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 복수 개의 픽셀 각각은 상기 유연성 물질층 상에 나란하게 배열된 포토 다이오드 및 트랜지스터를 포함한다.
그리고, 기판상에 접착층을 형성하는 단계; 및 상기 접착층상에 상기 전도성 물질층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 전도성 물질층은 접지될 수 있다.
그리고, 상기 유연성 물질층은 코팅 공정으로 형성될 수 있다.
본 개시의 엑스선 검출기는 내구성이 강하다.
엑스선 검출기의 구조로 영상 잡음을 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스선 검출기를 개략적으로 나타내는 블럭도이다.
도 2는 도 1의 엑스선 검출기를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3는 도 2의 센싱층 및 보호층을 구체적으로 도시한 도면이다.
도 4 내지 도 7은 다른 실시예에 따른 엑스선 검출기를 나타내는 단면도이다.
도 8a 및 도 8b는 보호층을 포함하지 않는 엑스선 검출기와 보호층을 포함한 엑스선 검출기에 외부 충격이 가해질 때를 모식적으로 도시한 도면이다.
도 9 내지 도 15는 도 2의 엑스선 검출기를 제조하는 방법을 설명하는 참조도면들이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스선 촬영 장치의 블록도이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스선 촬영 장치의 일부 외관을 도시한 도면이다.
도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 엑스선 촬영 장치의 외관을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 엑스선 검출기를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3는 도 2의 센싱층 및 보호층을 구체적으로 도시한 도면이다.
도 4 내지 도 7은 다른 실시예에 따른 엑스선 검출기를 나타내는 단면도이다.
도 8a 및 도 8b는 보호층을 포함하지 않는 엑스선 검출기와 보호층을 포함한 엑스선 검출기에 외부 충격이 가해질 때를 모식적으로 도시한 도면이다.
도 9 내지 도 15는 도 2의 엑스선 검출기를 제조하는 방법을 설명하는 참조도면들이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스선 촬영 장치의 블록도이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스선 촬영 장치의 일부 외관을 도시한 도면이다.
도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 엑스선 촬영 장치의 외관을 도시한 도면이다.
이하, 본 발명에 따른 엑스선 검출기 및 이를 포함한 엑스선 촬영 장치의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 명세서에서 "대상체"는 사람 또는 동물, 또는 사람 또는 동물의 일부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 대상체는 간, 심장, 자궁, 뇌, 유방, 복부 등의 장기, 또는 혈관을 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 "사용자"는 의료 전문가로서 의사, 간호사, 임상 병리사, 의료 영상 전문가 등이 될 수 있으며, 의료 장치를 수리하는 기술자가 될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
이하에서, "상부" 나 "상"이라고 기재된 것은 접촉하여 바로 위/아래/좌/우에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위/아래/좌/우에 있는 것도 포함할 수 있다. 이하 첨부된 도면을 참조하면서 오로지 예시를 위한 실시예에 의해 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스선 검출기(100)를 개략적으로 나타내는 블럭도이다. 도 1를 참조하면, 엑스선 검출기(100)는 픽셀부(110), 바이어스 공급부(120), 게이트 드라이버(130), 리드아웃 회로(150) 및 타이밍 제어부(160)를 포함할 수 있다.
픽셀부(110)는 엑스선 소스(미도시)로부터 방출된 엑스선을 감지하고, 감지된 신호를 광전 변환하여 전기적인 검출 신호로 출력한다. 픽셀부(110)는 복수의 게이트 배선(GL)들과 복수의 데이터 배선(DL)들이 교차하는 지점 근처에 매트릭스 형태로 배열된 복수의 픽셀(P)들을 포함할 수 있다. 복수의 게이트 배선(GL)들과 복수의 데이터 배선(DL)들은 서로 거의 직교하도록 배치될 수 있다. 도 1은 4행 4열로 배치된 16개의 픽셀(P)들을 일 예로 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 픽셀(P)들의 개수는 다양하게 선택될 수 있다.
픽셀(P) 각각은 엑스선을 감지하여 검출 신호, 예를 들어 광검출 전압을 출력하는 포토 다이오드(PD)와, 포토 다이오드(PD)로부터 출력된 검출 신호를 게이트 펄스에 응답하여 전달하는 적어도 하나의 스위칭 소자를 구비하며, 스위칭 소자는 예를 들면 박막 트랜지스터(TFT)일 수 있다. 이하 상기 스위칭 소자가 박막 트랜지스터(TFT)인 실시예를 중심으로 설명한다. 한편, 픽셀(P)은 도시된 바에 한정되지 않고 커패시터를 더 포함할 수도 있다.
포토 다이오드(PD)는 엑스선 소스로부터 방출된 엑스선을 감지하고, 감지된 신호를 상기 검출 신호로써 출력한다. 상기 포토 다이오드(PD)는 광전 효과에 의해 입사된 광을 전기적인 검출 신호로 변환하는 소자로서, 예를 들면 PIN 다이오드일수 있다.
바이어스 공급부(120)는 복수의 바이어스 배선(BL)들로 구동전압을 인가한다. 바이어스 공급부(120)는 포토 다이오드(PD)에 일정한 전압을 인가하거나, 리버스 바이어스(reverse bias) 또는 포워드 바이어스(forward bias)를 선택적으로 인가할 수 있다.
게이트 드라이버(130)는 복수의 게이트 배선(GL)들로 게이트 온 전압 레벨을 갖는 게이트 펄스들을 순차적으로 인가할 수 있다. 또한, 게이트 드라이버(130)는 복수의 리셋 배선들로 게이트 온 전압 레벨을 갖는 리셋 펄스들을 인가할 수 있다. 게이트 온 전압 레벨은, 픽셀(P)들의 트랜지스터들을 턴-온(turn-on)시키는 전압 레벨이다. 픽셀(P)들의 트랜지스터들은 상기 게이트 펄스 또는 상기 리셋 펄스에 응답하여 턴-온될 수 있다.
게이트 펄스에 응답하여, 포토 다이오드(PD)로부터 출력된 검출 신호가 데이터 배선(DL)을 통해서 리드아웃 회로(150)로 입력될 수 있다. 게이트 드라이버(130)는 IC 형태로 이루어져 후술하는 센싱층의 일 측에 실장되거나 박막 공정을 통해서 센싱층(220)과 같은 기판(270) 상에 형성될 수 있다.
리드아웃 회로(150)는 게이트 펄스에 응답하여 턴-온된 트랜지스터로부터 출력되는 검출 신호를 리드아웃한다. 리드아웃 회로(150)는 오프셋 이미지를 리드아웃하는 오프셋 리드아웃 구간과, 엑스선 노광 후의 검출 신호를 리드아웃하는 엑스선 리드아웃 구간에 픽셀(P)로부터 출력되는 검출 신호를 리드아웃할 수 있다.
도 2는 도 1의 엑스선 검출기(100)를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 3는 도 2의 센싱층(220) 및 보호층(230)을 구체적으로 도시한 도면이다. 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 엑스선 검출기(100)는 엑스선을 파장 대역이 다른 광으로 변환시키는 광변환층(210), 광변환층(210)에 배치되며 광을 전기적 신호로 변환시키는 복수 개의 픽셀을 포함하는 센싱층(220), 센싱층(220)상에 배치되며 외부의 물리적 충격으로부터 센싱층(220)을 보호하는 보호층(230) 및 보호층(230)상에 배치되며 센싱층(220)으로의 정전하 유입을 방지하는 대전 방지층(240)을 포함할 수 있다.
광변환층(210)은 엑스선을 파장 대역이 다른 광, 예를 들어, 가시광선으로 변환시킬 수 있다. 광변환층(210)은 신틸레이터(scintillator)나 형광체(phosphor)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 광변환층(210)은, 파장이 수십 nm 내지 0.01nm 정도인 엑스선을 파장이 450nm 내지 600nm 인 녹색광으로 변환할 수 있다. 광변환층(210)의 두께는 약 300 내지 700㎛ 이다. 광변환층(210)은 CsI 또는 Gadox 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 광변환층(210)은 NaI(Tl), CsI(Tl), CaI(Na), LiI(Eu), CaF2(Eu), CdTe, Hgl2 등을 포함할 수 있다. 여기서 NaI는 알칼리 메탈 크리스탈이며, Tl는 액티베이터(activator)로 첨가된 불순물(impurity)이다.
엑스선은 광변환층(210)에서 광, 예를 들어, 가시광선으로 변환되어 센싱층(220)으로 입사된다. 변환된 광은 광변환층(210)을 지나면서 산란될 수 있다. 그리하여, 엑스선 검출기(100)는 산란된 광을 센싱층(220)으로 반사시키는 반사층(250)을 더 포함할 수 있다. 반사층(250)은 광변환층(210)의 상면에 배치될 수 있다.
센싱층(220)은 광을 수광하여 광전 변환을 할 수 있는 포토 다이오드(PD), 포토 다이오드(PD)로부터 출력된 전하를 스위칭할 수 있는 박막 트랜지스터(TFT)을 포함할 수 있으며, 이외에도 박막 트랜지스터(TFT) 등을 제어하는 회로부 및 배선들을 포함할 수 있다. 포토 다이오드(PD)와 박막 트랜지스터(TFT)를 픽셀(P)이라고 칭할 수 있으며, 센싱층(220)은 복수 개의 픽셀이 2차원으로 배열될 수 있다. 또한, 하기에서 설명한 바와 같이, 포토 다이오드(PD)와 박막 트랜지스터(TFT)는 엑스선의 입사 방향과 수직한 방향으로 나란하게 배열될 수 있다.
상기한 센싱층(220)은 보호층(230)상에 배치된다. 보호층(230)은 투명한 물질일 수 있으며, 외부의 물리적 충격이 센싱층(220)에 전달되는 것을 방지할 수 있는 유연성을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 보호층(230)은 글래스 기판(270)에 비하여 비중이 작아 가볍고, 잘 깨어지지 않는 물질, 예컨대, 고분자 소재로 형성될 수 있다. 그리하여, 엑스선 검출기(100)에 충격이 가해지더라도 보호층(230)이 깨지지 않아, 센싱층(220)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
보호층(230)은 두께가 얇을수록 가볍고, 박막형의 엑스선 검출기(100)를 실현할 수 있지만, 센싱층(220), 광변환층(210) 등을 제조할 때 보호층(230)에 의하여 하중이 유지될 수 있는 두께를 가질 수 있다. 또는 보호층(230)이 다른 기판, 예를 들어, 유리기판상에 형성되는 경우에는 보호층과 기판을 분리할 때 보호층의 하중을 유지할 수 있는 두께를 가질 수도 있다. 또는 보호층(230)은 센싱층(220) 및 광변환층(210) 형성시 균일한(uniform) 표면을 만들어주는 역할을 수행할 수도 있다.
보호층(230)은, 예를 들어, PI(Polyimide), PC(Polycarbonate), PES(Polyethersulfone), PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylenenaphthalate), PAR(Polyarylate), FPR(Glass Fiber Reinforced Plastic) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 보호층(230)의 상면에는 불순물의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하기 위한 버퍼막이 형성될 수 있다. 버퍼막은 필수 구성요소는 아니며 필요에 따라서 선택적으로 구비될 수 있다.
센싱층(220) 내의 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 배선(GL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 지점에 인접하여 형성된다. 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 펄스에 의해 턴온되어 포토 다이오드(PD)로부터 출력된 신호를 데이터 배선(DL)으로 전달한다. 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(312g), 반도체 패턴(312c), 소스 전극(312s) 및 드레인 전극(312d)을 포함한다. 게이트 전극(312g)은 게이트 배선(GL)으로부터 분기되어 형성되며, 게이트 펄스를 전달한다. 게이트 전극(312g) 상에는 절연을 위해 게이트 절연막(313)이 형성된다. 게이트 절연막(313) 상에는 게이트 전극(312g)과 중첩되도록 반도체 패턴(312c)이 형성된다. 반도체 패턴(312c)은 수소화 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘과 같은 반도체 물질로 이루어질 수 있는데, 이에 한정되지 않고 산화물 반도체로 형성될 수도 있다.
소스 전극(312s) 및 드레인 전극(312d)은 반도체 패턴(312c)에 접하도록 형성된다. 드레인 전극(312d)은 포토 다이오드(PD) 하부와 전기적으로 연결된다. 소스 전극(312s)은 데이터 배선(DL)으로부터 분기되어 형성된다. 반도체 패턴(312c)과 소스 전극(312s) 사이 및 반도체 패턴(312c)과 드레인 전극(312d) 사이에는 접촉저항을 감소시키기 위한 오믹 콘택 패턴(미도시)이 더 형성될 수 있다. 지금까지 박막 트랜지스터(TFT)를 인버티드 스태거드 타입으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 박막 트랜지스터(TFT)는 스태거드 타입, 코플래너 타입 또는 인버티드 코플래너 타입을 가질수도 있다.
포토 다이오드(PD)는 PIN 다이오드 일 수 있다. 포토 다이오드(PD)는 게이트 절연막(313) 상에 형성된다. 포토 다이오드(PD)는 하부전극(314a), 상부전극(314c) 및 반도체부(314b)를 포함한다. 하부전극(314a)은 게이트 절연막(313)상에 형성되며, 드레인 전극(312d)과 전기적으로 연결된다. 하부전극(314a)은 드레인 전극(312d)과 동일한 공정으로 형성되어 드레인 전극(312d)과 직접 연결될 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 하부전극(314a)은 드레인 전극(312d)과 다른 공정으로 형성되어 드레인 전극(312d)의 하부 또는 상부에 형성될 수 있다.
반도체부(314b)는 하부전극(314a) 상에 형성되어 광을 전기 신호로 변환시킨다. 반도체부(314b)는 하부전극(314a) 상에 순차적으로 형성된 N형 반도체층, 진성 반도체층, P형 반도체층을 포함한다. 진성 반도체층은 N형 반도체층과 P형 반도체층에 비해 상대적으로 두껍게 형성될 수 있다.
상부전극(314c)은 반도체부(314b) 상에 형성된다. 상부전극(314c)은 반도체부(314b)로 광을 투과시킬 수 있도록 투명한 도전성 물질로 이루어진다. 예를 들어 투명한 도전성 물질은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 중 하나 이상을 의미한다.
소자 보호막(315)은 박막 트랜지스터(TFT), 배선들 및 포토 다이오드(PD)를 덮도록 전면적으로 형성된다. 소자 보호막(315)은 하부에 배치된 각종 소자들은 외부로부터 보호한다. 소자 보호막(315)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함하여 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다. 포토 다이오드(PD)에 대응하는 소자 보호막(315)에는 컨택홀(CT)이 형성되어 있다. 컨택홀(CT)을 통해 포토 다이오드(PD)와 바이어스 배선(BL)은 전기적으로 연결된다.
바이어스 배선(BL)은 포토 다이오드(PD)와 중첩되며 제2방향으로 연장되어 형성된다. 바이어스 배선(BL)은 데이터 배선(DL)과 평행하게 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 게이트 배선(GL)과 평행하게 형성될 수 있다. 바이어스 배선(BL) 중 일부는 제2방향과 교차하는 제1 방향으로 분기되어 박막 트랜지스터(TFT)와 중첩된다. 바이어스 배선(BL)은 컨택홀(CT)을 통해 상부전극(314c)과 전기적으로 연결된다. 바이어스 배선(BL)은 바이어스 공급부(120, 도 2 참조)로부터 리버스 바이어스(reverse bias) 또는 포워드 바이어스(forward bias)를 인가 받아 포토 다이오드(PD)로 전달한다.
소자 보호막(315) 상에는 바이어스 배선(BL)을 덮도록 절연막(317)이 더 형성될 수 있다. 절연막(317)은 불순물의 침투를 방지하며 표면을 평탄화한다. 절연막(317)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함하여 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다. 센싱층(220)은 보호층(230)부터 박막 트랜지스터(TFT), 포토 다이오드(PD) 등의 소자를 덮는 절연막(317)까지를 의미할 수 있다. 센싱층(220)의 두께는 약 1 내지 3㎛이다. 그러나, 이에 한정되지 않는다. 센싱층(220)에는 앞서 언급되지 않는 다른 층을 더 포함할 수도 있다.
엑스선 검출기(100)는 센싱층(220) 상에 배치되며, 상기 센싱층(220)으로의 정전하 유입을 방지하는 대전 방지층(240)을 더 포함할 수 있다. 대전 방지층(240)은 보호층(230)의 하면에서 상기한 보호층(230)과 접하게 배치될 수 있다. 대전 방지층(240)은 전도성 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어, ITO, IZO, 금속, 전도성 유기물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그리고, 대전 방지층(240)은 접지되어 있을 수 있다. 대전 방지층(240)은 박막 형태이며, 그 두께는 약 50Å 내지 약 500Å일 수 있다.
엑스선 검출기(100)의 센싱층(220)은 작은 전하에도 민감하게 반응할 수 있다. 예를 들어, 엑스선 검출기(100)에 압력, 진동 충격 등이 가해짐으로써 정전하(Static Charge)가 생성될 수 있다. 외부로부터 정전하가 유입되면, 센싱층(220)은 상기한 정전하에 대한 전기적 신호를 출력할 수 있기 때문에 엑스선 검출기(100)의 오동작이 발생할 수도 있고, 엑스선 검출기(100)로부터 획득된 영상에 잡음(artifact)가 포함될 수 있다. 접지된 대전 방지층(240)은 상기한 정전하를 방전(discharging)시키기 때문에 영상 잡음의 발생을 방지할 수 있다. 도 3의 엑스선 검출기(100)는 평판화를 유지하기 위해 지지 프레임(미도시)위에 안착될 수 있다.
도 4 내지 도 7은 다른 실시예에 따른 엑스선 검출기(101, 102, 103, 104)를 나타내는 단면도이다.
도 2와 도 4를 비교하면, 도 4의 엑스선 검출기(101)는 기판(270)과 상기한 기판(270)과 대전 방지층(240)을 접착시키는 제1 접착층(281)을 더 포함할 수 있다. 기판(270)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 기판(270)은 제조 과정에서 광변환층(210), 센싱층(220), 보호층(230) 및 대전 방지층(240)을 지지하는 역할을 하는데, 도 2에서는 기판(270)이 분리되지 않는 상태이다. 제1 접착층(281)의 두께는 약 50 내지 100㎛ 이다. 유리로 형성된 기판(270)이 물리적 충격에 의해 깨지더라도 보호층(230)은 깨지지 않기 때문에 엑스선 검출기(100)는 정상적으로 구동할 수 있다.
도 2와 도 5를 비교하면, 도 5의 엑스선 검출기(102)는 광변환층(210)과 센싱층(220) 사이에 제2 접착층(282)을 더 포함할 수 있다. 제2 접착층(282)은 광변환층(210)을 센싱층(220)에 부착한다. 제2 접착층(282)의 두께는 약 50 내지 100㎛ 이다. 즉, 도 2의 센싱층(220)은 보호층(230)상에 증착에 의해 제조될 수 있으며, 도 5의 엑스선 검출기(100)는 광변환층(210)을 센싱층(220)에 접착함으로써 제조될 수 있다.
도 2와 도 6를 비교하면, 도 6의 엑스선 검출기(103)는 기판(270), 기판(270)과 대전 방지층(240)을 접착시키는 제1 접착층(281) 및 광변환층(210)과 센싱층(220)을 접착시키는 제2 접착층(282)을 더 포함할 수 있다. 도 6의 엑스선 검출기(100)는 도 4처럼 대전 방지층(240), 보호층(230) 및 센싱층(220)을 분리하지 않은 상태에서 광변환층(210)을 별도로 제조도 후 제2 접착층(282)에 의해 센싱층(220)에 접착될 수 있다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 엑스선 검출기(100)를 나타내는 단면도이다. 도 2와 도 7을 비교하면, 도 7의 엑스선 검출기(104)는 광변환층(210)과 센싱층(220) 사이에 배치되며, 센싱층(220)으로 수분 침투를 방지하는 제1 배리어층(291) 및 센싱층(220)과 보호층(230) 사이에 배치되며, 센싱층(220)으로 수분 침투를 방지하는 제2 배리어층(292)을 더 포함할 수 있다. 제1 및 제2 배리어층(291, 292)은 SiOx, SiNx, SiON, AlO, AlON 등의 무기물이나, 아크릴, 폴리이미드 등의 유기물로 이루어지거나, 유기물과 무기물이 교대로 적층될 수 있다.
센싱층(220)에 포함된 포토 다이오드(PD)는 수분에 매우 취약하다. 그리하여, 센싱층(220)의 상부에 제1 배리어층(291)을 배치시키고, 센싱층(220)의 하부에 제2 배리어층(292)을 배치시킴으로써, 상기 제1 및 제2 배리어층(291, 292)은 산소와 수분이 센싱층(220)으로 유입되는 것을 차단할 수 있다. 도 7에서는 제1 및 제2 배리어층(291, 292)이 모두 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않는다. 엑스선 검출기(100)는 제1 및 제2 배리어층(291, 292) 중 어느 하나만 포함할 수도 있다. 제1 및 제2 배리어층(291, 292) 중 적어도 하나는 도 4 내지 도 6에 도시된 엑스선 검출기(100)에도 포함될 수 있음은 물론이다.
도 8a 및 도 8b는 보호층을 포함하지 않는 엑스선 검출기(400)와 보호층(230)을 포함한 엑스선 검출기(100)에 외부 충격이 가해질 때를 모식적으로 도시한 도면이다. 도 8a에 도시된 바와 같이, 유리로 구성된 기판(270)상에 센싱층(220) 및 광변환층(210)을 배치시킬 수 있다. 기판(270)은 물리적 충격에 약하여 깨지기 쉽다. 기판(270)에 깨짐으로써 센싱층(220)도 균열이 발생할 수 있다. 그리하여, 엑스선 검출기(100)가 정상적으로 동작하지 않을 수 있다. 그러나, 도 8b에 도시된 바와 같이, 기판(270)상에 대전 방지층(240) 및 보호층(230)을 배치시키고, 그 위에 센싱층(220) 및 광변환층(210)을 배치시키게 되면, 유리 기판(270)이 깨지더라도 보호층(230)이 깨지 않기 때문에 센싱층(220)에는 균열이 발생하지 않을 수 있다. 그리하여, 엑스선 검출기(101)는 정상적으로 동작할 수 있다.
도 9 내지 도 15는 도 2의 엑스선 검출기(100)를 제조하는 방법을 설명하는 참조도면들이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 기판(270)을 준비할 수 있다. 기판(270)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 기판(270)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 투명한 플라스틱 재질로 형성할 수도 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 기판(270)상에 제1 접착층(281)을 형성한 후, 도 11에 도시된 바와 같이, 대전 방지층(240)을 형성할 수 있다. 대전 방지층(240)은 전도성 물질, 예를 들어, ITO, IZO, 금속, 전도성 유기물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 대전 방지층(240)은 스퍼터링 공법 등 박막 증착 공정에 의해 형성될 수 있다. 증착 공정에 의해 대전 방지층(240)이 형성되기 때문에 공정이 단순하여 제조가 용이해 질 수 있다. 또는 도전성 있는 필름 자체를 제1 접착층(281)에 부착할 수 있다. 상기한 대전 방지층(240)은 접지될 수 있다. 그리하여, 영상 획득시, 충격, 압력, 진동 등이 엑스선 검출기(100)에 가해지더라도 상기한 충격, 압력, 진동 등에 의해 발생된 정전하를 대전 방지층(240)이 방전시킬 수 있다. 영상 잡음을 제거할 수 있다.
도 12에 도시된 바와 같이, 대전 방지층(240)상에 보호층(230)을 형성할 수 있다. 보호층(230)은 투명한 물질일 수 있으며, 외부 충격이 센싱층(220)에 전달되는 것을 방지할 수 있는 유연성을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 보호층(230)은, 예를 들어, PI(Polyimide), PC(Polycarbonate), PES(Polyethersulfone), PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylenenaphthalate), PAR(Polyarylate), FPR(Glass Fiber Reinforced Plastic) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 대전 방지층(240)상에 유연성 용액을 도포하고 높은 온도에서 굳히는 코팅 공정으로 보호층(230)을 형성할 수도 있고, 유연성 물질을 롤투롤(Roll to Roll) 형식으로 만든 후 프린팅 방식으로 보호층(230)을 형성할 수도 있다. 또는 필름 형태의 보호층(230)을 대전 방지층(240)에 부착함으로써 보호층(230)을 형성할 수도 있다.
그리고, 도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이, 보호층(230)상에 센싱층(220), 광변환층(210) 및 반사층(250)을 순차적으로 형성할 수 있다. 센싱층(220), 광변환층(210) 및 반사층(250)은 기존 엑스선 검출기(100)의 제조 방법이 적용될 수 있기 때문에 구체적인 설명은 생략한다. 도 13에서는 센싱층(220)상에 광변환층(210)을 직접 층작하는 것으로 도시되어 있다. 그러나, 이에 한정되지 않는다. 별도의 기판(270)에 광변환층(210)을 형성한 후 제2 접착층(282)을 이용하여 센싱층(220)에 부착할 수도 있다. 도 14에 도시된 엑스선 검출기(100)를 그대로 이용할 수 있다.
또는, 도 15에 도시된 바와 같이, 대전 방지층(240)으로부터 제1 접착층(281) 및 기판(270)을 제거할 수 있다. 예를 들면 레이저 빔으로 제1 접착층(281)을 반응시킴으로써 대전 방지층(240)으로부터 제1 접착층(281) 및 기판(270)을 제거할 수 있다. 도 9 내지 도 15에는 도시되어 있지 않지만, 광변환층(210)을 형성하기 전 센싱층(220)상에 제1 배리어층(291)을 형성할 수도 있고, 센싱층(220)을 형성하기 전 보호층(230)상에 제2 배리어층(292)을 형성할 수도 있다.
앞서 기술한 엑스선 검출기(100)는 엑스선을 발생시키는 엑스선 소스(11)와 함께 엑스선 촬영 장치의 구성요소가 된다. 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스선 촬영 장치의 블록도이고, 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스선 촬영 장치의 일부 외관을 도시한 도면이다. 도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 엑스선을 스캔하는 엑스선 소스(11)와 엑스선 소스(11)에서 스캔된 엑스선 중 대상체를 투과한 엑스선을 검출하는 엑스선 검출기(100)를 포함할 수 있다. 엑스선 소스(11)는 엑스선을 발생시키는 적어도 하나의 엑스선 발생부(미도시)를 포함할 수 있다. 엑스선 발생부가 복수 개인 경우, 복수 개의 엑스선 발생부는 1차원 또는 2차원으로 배열될 수 있다.
복수 개의 엑스선 발생부는 각각 독립적으로 구동하여 엑스선을 발생할 할 수도 있고, 일부가 구동하여 대상체(500)에 엑스선을 발생시킬 수 도 있다. 뿐만 아니라, 엑스선 발생부의 적어도 하나는 동시에 구동하거나 순차적으로 구동할도 수 있다. 엑스선 검출기(100)는 앞서 기술한 엑스선 검출기(100)가 적용되므로, 구체적인 설명은 생략한다.
한편, 엑스선 촬영 장치(10)는 갠트리(12) 및 검사대(13)를 더 포함할 수 있다. 갠트리(12)는 중심부에 원통 형상의 개구부(14)가 구비되어 개구부(14) 속으로 피검사체(500)가 삽입되도록 한다. 또한, 상기한 갠트리(12)의 내부에는 엑스선을 스캔하는 엑스선 소스(11) 및 피검사체를 투과한 엑스선을 검출하는 엑스선 검출기(100)가 배치될 수 있다. 상기한 엑스선 소스(11)는 갠트리(12)의 개구부(14) 둘레의 일정 영역 중 피검사체(500)를 중심에 위치시키고, 엑스선 검출기(100)와 서로 대향하게 배치될 수 있다. 예를 들어, 엑스선 소스(11)와 엑스선 검출기(100)는 엑스선을 수직으로 입사시킬 수 있는 구조로 갠트리(12)에 구비되어 있다.
한편, 갠트리(12)는 갠트리 구동부(미도시)에 의해 피검사체(500)의 둘레를 360°또는 일정 각도로 회전하면서 엑스선 소스(11) 및 엑스선 검출기(100)에 의해 다양한 각도에서 촬영하도록 한다. 또한, 갠트리 구동부는 검사대(13)위에 누운 피검사체(500)의 촬영부위가 갠트리(12) 내부 중심부에 위치하도록 전, 후로 수평 이동, 즉 x축 이동될 수도 있다. 상기한 갠트리 구동부는 갠트리(12)내에 구비될 수도 있고, 갠트리(12)의 외부에 배치될 수 있다.
검사대(13)는 피검사체(500)인 환자를 눕혀 고정하도록 일정한 넓이의 침대형식으로 구비되며, 검사대(13)의 일정 영역에는 검사대(13)를 갠트리(12)의 중심부에 구비된 개구부(14)로 이송하도록 구동시키는 검사대 구동부(미도시)를 포함할 수 있다. 검사대(13)는 상기 검사대 구동부에 의해 환자의 촬영부위가 갠트리(12) 내부 중심부에 위치하도록 전, 후로 수평 구동될 수 있다. 검사대(13) 구동부는 환자의 신체 사이즈 및 촬영 부위에 따라 상기 검사대를 상, 하 방향, 즉, z축 방향 또는 좌, 우 방향, 즉 y축 방향으로 구동시켜 선명한 영상을 획득할 수 있도록 한다. 도 17에서는 엑스선 촬영 장치로서 CT(computed tomography) 장치를 예시적으로 도시하였다. 그러나, 엑스선 촬영 장치(10)는 이에 한정되지 않는다. 엑스선을 소스로 하는 촬영 장치에는 모두 적용될 수 있음은 물론이다.
이외에도, 엑스선 촬영 장치(10)는 엑스선 검출기(100)의 검출 결과를 이용하여 영상을 획득하는 신호 처리부, 상기한 영상을 표시하는 표시부, 사용자 명령을 입력받는 입력부 및 엑스선 촬영 장치의 전반적인 동작을 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있으나, 상기한 구성요소는 공지의 기술이므로 구체적인 설명은 생략한다.
도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 엑스선 촬영 장치(10a)의 외관을 도시한 도면이다. 도 18에 도시된 엑스선 촬영 장치(10a)는 유방을 촬영하는 맘모그래피 장치이다. 그러나, 본 발명의 엑스선 촬영 장치는 맘모그래피 장치에 한정되지 않으며, 대상체와 접촉한 후 엑스선을 발생하는 엑스선 촬영 장치에는 모두 적용될 수 있다.
도 18에 도시된 바와 같이, 엑스선 촬영 장치(10a)는 엑스선을 발생하는 엑스선 발생기(11), 대상체(500)를 투과한 엑스선을 검출하는 엑스선 검출기(100) 및 대상체(500)와 접촉 가능한 패널(32, 34)을 포함할 수 있다. 그리고, 엑스선 촬영 장치(10a)는 상기한 엑스선 발생기(11), 엑스선 검출기(100) 및 패널(32, 34)을 지지하는 갠트리(40)를 더 포함할 수 있고, 갠트리(40)를 지지하는 본체(50)를 더 포함할 수 있다.
본체(50)에는 의료 기기가 동작할 수 있도록 사용자 명령을 입력할 수 있는 사용자 입력부(52), 투과된 엑스선에 대응하는 영상을 생성하는 신호 처리부(미도시) 및 생성된 영상을 표시하는 표시부(56) 및 엑스선 촬영 장치(10a)의 전반적인 동작을 제어하는 제어부(미도시)를 구비될 수도 있다. 사용자 제어부(52), 신호 처리부(미도시), 표시부(56) 및 제어부(미도시)는 반드시 본체(50)에 구비될 필요는 없으며, 유선 또는 무선에 의해 엑스선 촬영 장치(10a)와 통신 가능한 외부기기로 구현될 수도 있다.
또한, 갠트리(40)는 갠트리 구동부(42)를 통해 본체(50)에 고정될 수 있다. 상기한 갠트리(40)는 본체(50)의 일측면에 종방향을 따라 배치될 수 있으며, 갠트리 구동부(42)는 상기한 갠트리(40)를 360° 또는 일정 각도로 회전시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 갠트리 구동부(42)는 갠트리(40)를 본체(50)에 종방향으로 승강 변위되도록 구동할 수도 있다. 그리하여, 갠트리(40)는 갠트리 구동부(42)에 의해 본체(50)의 종방향을 따라 상 또는 하 방향으로 이동하여 대상체(500)에 맞춰 높낮이가 조절될 수 있으며, 갠트리 구동부(42)에 의해 갠트리(40)가 회전할 수 있다.
그리고, 갠트리(40)의 전면에는 대상체(500)와 접촉 가능한 패널(32, 34), 예를 들어, 제1 및 제2 패널(32, 34)이 배치될 수 있다. 제1 및 제2 패널(32, 34)은 갠트리(40) 전면에 종방향을 따라 구비된 가이드홈(44)에 의해 상하 방향으로 이동할 수 있다. 그리하여, 제1 및 제2 패널(32, 34)의 사이에 대상체(500), 예를 들어, 환자의 유방이 배치되면, 제1 및 제2 패널(32, 34) 중 적어도 하나가 상기한 대상체(500)를 압박하여 대상체(500)를 압축할 수 있다. 예를 들어, 제2 패널(34)을 상 또는 하 방향으로 이동시켜 제2 패널(34)의 상면에 대상체(500)를 안착시킨 후 제1 패널(32)을 하 방향으로 이동시켜 대상체(500)를 압박하여 대상체(500)를 압축시킬 수 있다.
제1 패널(32)의 상부에는 엑스선을 발생시키는 엑스선 발생기(11)가 마련될 수 있다. 상기한 엑스선 발생기(11)는 제1 패널(32)과 일정 거리(d)를 유지하면서 대상체(500)로부터 멀어지거나 가까워지도록 이동할 수 있다. 예를 들어, 엑스선 발생기(11)는 제1 패널(32)과 일체화되어 제1 패널(32)과 함께 가이드홈(44)을 따라 이동할 수 있다.
구체적으로, 제1 패널(32)이 대상체(500)를 압박한 상태에서 엑스선 발생기(11)가 대상체(500)에 엑스선을 발생하기 때문에 엑스선 발생기(11)와 대상체(500)와의 거리를 최소화할 수 있다. 예를 들어, 엑스선 발생기(11)와 대상체(500)간의 거리는 약 10cm이내일 수 있다. 그리하여, 엑스선이 대상체(500) 이외에 다른 영역으로 방사되는 것을 방지할 수 있어 엑스선 피폭을 최소화할 수 있다. 엑스선 발생기(11)와 대상체(500)와의 거리를 최소화하기 위해 엑스선 발생기(11)는 대상체(500)의 상면에 접하게 배치될 수도 있다. 또한, 엑스선 발생기(11)는 복수 개의 엑스선 발생부(300)를 포함하는데, 엑스선 발생기(11)에 대해서는 후술하기로 한다.
그리고, 제2 패널(34)의 하부에는 대상체(500)를 투과한 엑스선을 검출하는 엑스선 검출기(100)가 마련될 수 있다. 상기한 엑스선 검출기(100)도 제2 패널(34)과 일정 거리를 유지하면서 대상체(500)로부터 멀어지거나 가까워지도록 이동할 수 있다. 예를 들어, 엑스선 검출기(100)는 제2 패널(34)과 일체화되어 제2 패널(34)과 함께 가이드홈(44)을 따라 이동할 수 있다.
구체적으로, 제2 패널(34)에 대상체(500)가 안착된 상태에서 엑스선 검출기(100)는 대상체(500)를 투과하는 엑스선을 검출하기 때문에 엑스선 검출기(100)와 대상체(500)와의 거리를 최소화할 수 있다. 그리하여, 엑스선의 검출이 보다 정확할 수 있다. 엑스선 검출기(100)와 대상체(500)와의 거리를 최소화하기 위해 엑스선 검출기(100)는 제2 패널(34)의 하면에 접하게 배치될 수도 있다. 또한, 엑스선 검출기(100)는 제2 패널(34)에 탈부착될 수 있으며, 수시로 교체가능하다.
도 17 및 도 18에 도시된 엑스선 촬영 장치(10, 10a)는 예시에 불과하면, 지금까지 설명한 엑스선 검출기는 다양한 형태의 엑스선 촬영 장치에 적용될 수 있음은 물론이다.
전술한 실시예 외의 많은 실시예들이 본 발명의 특허청구범위 내에 존재한다. 본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
100, 101, 102, 103, 104: 엑스선 검출기
210: 광변환층
220: 센싱층
230: 보호층
240: 대전 방지층
270: 기판
281: 제1 접착층
282: 제2 접착층
291: 제1 배리어층
292: 제2 배리어층
210: 광변환층
220: 센싱층
230: 보호층
240: 대전 방지층
270: 기판
281: 제1 접착층
282: 제2 접착층
291: 제1 배리어층
292: 제2 배리어층
Claims (20)
- 엑스선을 상기 엑스선과 파장 대역이 다른 광으로 변환시키는 광변환층;
상기 광변환층상에 배치되며, 상기 광을 전기적 신호로 출력하는 복수 개의 픽셀을 포함하는 센싱층;
상기 센싱층상에 배치되며, 상기 센싱층을 물리적 충격으로부터 보호하는 보호층;
상기 보호층상에 배치되며, 상기 센싱층으로의 정전하 유입을 방지하는 대전 방지층; 및
상기 보호층과 다른 물질로 형성되고, 상기 센싱층과 상기 보호층 사이에 배치되어 상기 센싱층으로의 수분 침투를 방지하는 배리어층;을 포함하고,
상기 광변환층, 상기 센싱층, 상기 배리어층, 상기 보호층 및 상기 대전 방지층은 상기 엑스선의 입사 방향으로 순차적으로 배열되는 엑스선 검출기. - 제 1항에 있어서,
상기 복수 개의 픽셀 각각은,
상기 엑스선의 입사 방향과 수직한 방향으로 나란하게 배열된 포토 다이오드 및 트랜지스터를 포함하는 엑스선 검출기. - 제 1항에 있어서,
상기 대전 방지층은,
상기 보호층과 접하게 배치되는 엑스선 검출기. - 제 1항에 있어서,
상기 대전 방지층은,
전도성 물질을 포함하는 엑스선 검출기. - ◈청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제 1항에 있어서,
상기 대전 방지층은,
ITO, IZO, 금속, 전도성 유기물 중 적어도 하나를 포함하는 엑스선 검출기. - 제 1항에 있어서,
상기 대전 방지층의 두께는,
50Å 내지 500Å인 엑스선 검출기. - 제 1항에 있어서,
상기 대전 방지층은 접지된 엑스선 검출기. - ◈청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제 1항에 있어서,
상기 보호층은,
PI(Polyimide), PC(Polycarbonate), PES(Polyethersulfone), PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylenenaphthalate), PAR(Polyarylate), FPR(Glass Fiber Reinforced Plastic) 중 적어도 하나를 포함하는 엑스선 검출기. - 제 1항에 있어서,
상기 광변환층과 센싱층 사이에 배치되는 또 다른 배리어 층;을 더 포함하는 엑스선 검출기. - 제 1항에 있어서,
상기 배리어 층은,
SiOx, SiNx 중 적어도 하나를 포함하는 엑스선 검출기. - ◈청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제 1항에 있어서,
상기 보호층상에 배치되며, 상기 보호층을 지지하는 기판;을 더 포함하는 엑스선 검출기. - ◈청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제 11항에 있어서,
상기 기판은,
유리로 구성된 엑스선 검출기. - ◈청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제 11항에 있어서,
상기 기판과 상기 보호층을 접착시키는 제1 접착층;을 더 포함하는 엑스선 검출기. - ◈청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제 1항에 있어서,
상기 광변환층과 상기 센싱층을 접착시키는 제2 접착층;을 더 포함하는 엑스선 검출기. - ◈청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제 1항에 있어서,
상기 복수 개의 픽셀은 2차원으로 배열된 엑스선 검출기. - 엑스선을 발생시키는 엑스선 소스; 및
상기 제 1항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 따른 엑스선 검출기로서, 상기 엑스선 소스에서 발생된 엑스선 중 대상체를 투과한 엑스선을 검출하는 엑스선 검출기;를 포함하는 엑스선 촬영 장치. - 전도성 물질을 포함하는 대전 방지층상에 유연성 물질을 포함하는 보호층을 형성하는 단계;
상기 보호층상에 광을 전기적 신호로 변환시키는 복수 개의 픽셀을 포함하는 센싱층을 형성하는 단계; 및
상기 센싱층상에 엑스선을 상기 광으로 변환시키는 광변환층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 보호층을 형성한 후 상기 센싱층을 형성하기 전에, 상기 보호층상에 상기 보호층과 다른 물질로서 상기 센싱층으로의 수분 침투를 방지하는 배리어층을 형성하는 단계;를 더 포함하고,
상기 복수 개의 픽셀 각각은 상기 보호층상에 나란하게 배열된 포토 다이오드 및 트랜지스터를 포함하며,
상기 광변환층, 상기 센싱층, 상기 배리어층, 상기 보호층 및 상기 대전 방지층은 상기 엑스선의 입사 방향으로 순차적으로 배열되는 엑스선 검출기의 제조 방법. - ◈청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제 17항에 있어서,
기판상에 접착층을 형성하는 단계;
상기 접착층상에 상기 대전 방지층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 엑스선 검출기의 제조 방법. - ◈청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제 17항에 있어서,
상기 대전 방지층은 접지된 엑스선 검출기의 제조 방법. - ◈청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제 17항에 있어서,
상기 보호층은 코팅 공정으로 형성되는 엑스선 검출기의 제조 방법.
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| CN115084171A (zh) * | 2021-03-12 | 2022-09-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光电探测基板及其制备方法、光电探测装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050258425A1 (en) * | 2002-07-11 | 2005-11-24 | Yoshihiro Izumi | Photoelectric conversion device, image scanning apparatus, and manufacturing method of the photoelectric conversion device |
| US20060033032A1 (en) * | 2004-08-10 | 2006-02-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus, scintillator panel, and radiographing system |
| US20120256095A1 (en) * | 2011-04-06 | 2012-10-11 | Fujifilm Corporation | Radiographic device and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2549911B2 (ja) * | 1989-04-20 | 1996-10-30 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換パネルとその製造法 |
| JPH042999A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネル |
| US5198685A (en) * | 1990-08-01 | 1993-03-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus with shock-absorbing layer |
| DE69529700T2 (de) * | 1994-06-03 | 2003-10-16 | Agfa Gevaert Nv | Neue Klasse von hochenergetischen Detektionsmaterialien |
| JP2000292597A (ja) * | 1999-02-04 | 2000-10-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネル |
| JP2002148343A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-22 | Canon Inc | 放射線検出器及びそれを用いた放射線撮像システム |
| US6998159B2 (en) * | 2002-07-30 | 2006-02-14 | Agfa-Gevaert | Packed storage phosphor screens or panels |
| JP2004301516A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Canon Inc | 放射線検出装置 |
| JP2005043330A (ja) | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Morita Mfg Co Ltd | Ｘ線画像検出器 |
| EP1605472A1 (en) * | 2004-06-10 | 2005-12-14 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Radiation image conversion panel |
| JP5207583B2 (ja) * | 2005-07-25 | 2013-06-12 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置および放射線検出システム |
| JP4886245B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2012-02-29 | 株式会社東芝 | 放射線検出器 |
| US7495226B2 (en) * | 2006-05-26 | 2009-02-24 | Carestream Health, Inc. | Compact and durable encasement for a digital radiography detector |
| JP2008122116A (ja) | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | 放射線検出器およびｘ線断層撮影装置 |
| WO2008111379A1 (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-18 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | シンチレータパネル及び放射線フラットパネルディテクター |
| KR101350795B1 (ko) * | 2007-06-11 | 2014-01-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 |
| JP2009054420A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Fujifilm Corp | 電子デバイス用可撓性基板の製造方法、電子デバイスの製造方法およびそれによって製造された電子デバイス |
| JP2009141439A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Canon Inc | 放射線撮像装置、その駆動方法及びプログラム |
| KR101441630B1 (ko) * | 2008-02-12 | 2014-09-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 엑스레이 검출기 및 이의 제조방법 |
| JP5353886B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2013-11-27 | コニカミノルタ株式会社 | 放射線シンチレータおよび放射線画像検出器 |
| WO2010023970A1 (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-04 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線画像変換パネル及びその製造方法 |
| JP2010127680A (ja) | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像検出センサユニット |
| US9601530B2 (en) * | 2008-12-02 | 2017-03-21 | Arizona Board Of Regents, A Body Corporated Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2011058964A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | Ｘ線平面検出器及びその製造方法 |
| JP2011090024A (ja) | 2009-10-20 | 2011-05-06 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像検出カセッテ |
| JP5523803B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2014-06-18 | 富士フイルム株式会社 | 放射線センサおよび放射線画像撮影装置 |
| JP5508831B2 (ja) | 2009-12-17 | 2014-06-04 | 株式会社東芝 | Ｘ線画像検出器 |
| JP5791281B2 (ja) * | 2010-02-18 | 2015-10-07 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線検出システム |
| JP5603713B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2014-10-08 | 富士フイルム株式会社 | 放射線撮影装置 |
| US8648310B2 (en) * | 2011-01-18 | 2014-02-11 | Varian Medical Systems, Inc. | Indirect X-ray imager having semi-transparent layers |
| KR101266554B1 (ko) * | 2011-05-09 | 2013-05-27 | 주식회사 아비즈알 | 신틸레이터 패널 및 신틸레이터 패널을 제조하는 방법 |
| CN102354696B (zh) * | 2011-07-22 | 2013-05-01 | 上海奕瑞光电子科技有限公司 | X射线探测器 |
| JP5694892B2 (ja) * | 2011-10-19 | 2015-04-01 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
| JP5922519B2 (ja) | 2012-07-20 | 2016-05-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | シンチレータパネル及び放射線検出器 |
| JP2014081363A (ja) | 2012-09-27 | 2014-05-08 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出装置 |
| KR101420250B1 (ko) | 2012-11-26 | 2014-07-17 | 한국전기연구원 | 플렉서블 엑스레이 디텍터의 제조 방법 및 플렉서블 엑스레이 디텍터를 갖는 방사선 검출 장치 |
| JP6186748B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2017-08-30 | コニカミノルタ株式会社 | シンチレータパネル |
| JP6171401B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2017-08-02 | コニカミノルタ株式会社 | シンチレータパネル |
| US9496061B2 (en) * | 2013-06-10 | 2016-11-15 | Konica Minolta, Inc. | Radiographic image conversion panel |
| KR20150001179A (ko) * | 2013-06-26 | 2015-01-06 | 삼성전자주식회사 | 엑스선 촬영 장치 및 그 동작 방법 |
| JP6314984B2 (ja) * | 2013-07-04 | 2018-04-25 | コニカミノルタ株式会社 | シンチレータパネル及びその製造方法 |
| JP6102599B2 (ja) * | 2013-07-22 | 2017-03-29 | コニカミノルタ株式会社 | 放射線画像検出器 |
| US9806132B2 (en) * | 2013-11-22 | 2017-10-31 | General Electric Company | Organic X-ray detector with barrier layer |
| CN106104304B (zh) * | 2013-12-17 | 2019-07-30 | 爱克发有限公司 | 具有低重量x射线防护体的放射照相平板检测器 |
| US9513380B2 (en) | 2014-07-25 | 2016-12-06 | General Electric Company | X-ray detectors supported on a substrate having a surrounding metal barrier |
| CN105093259B (zh) * | 2015-08-14 | 2018-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 射线探测器 |
-
2017
- 2017-06-13 KR KR1020170074013A patent/KR102432252B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-06-13 CN CN201810605831.XA patent/CN109085635B/zh active Active
- 2018-06-13 US US16/007,856 patent/US10539690B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050258425A1 (en) * | 2002-07-11 | 2005-11-24 | Yoshihiro Izumi | Photoelectric conversion device, image scanning apparatus, and manufacturing method of the photoelectric conversion device |
| US20060033032A1 (en) * | 2004-08-10 | 2006-02-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus, scintillator panel, and radiographing system |
| US20120256095A1 (en) * | 2011-04-06 | 2012-10-11 | Fujifilm Corporation | Radiographic device and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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