JP2008122116A - 放射線検出器およびx線断層撮影装置 - Google Patents
放射線検出器およびx線断層撮影装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008122116A JP2008122116A JP2006303516A JP2006303516A JP2008122116A JP 2008122116 A JP2008122116 A JP 2008122116A JP 2006303516 A JP2006303516 A JP 2006303516A JP 2006303516 A JP2006303516 A JP 2006303516A JP 2008122116 A JP2008122116 A JP 2008122116A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- silicon substrate
- radiation detector
- ray detector
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 43
- 238000003325 tomography Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 135
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 76
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 76
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 76
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 19
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000011295 pitch Substances 0.000 abstract 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 abstract 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 32
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N cadmium telluride Chemical compound [Te]=[Cd] RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000002603 single-photon emission computed tomography Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
【課題】信号引き出し線の本数を多く配列できるようにして、列数を増やすことのできる放射線検出器、およびX線断層撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線検出器(31)は、入射されるX線を光に変換するシンチレータ(33)と、シンチレータ(33)で変換された光を電気信号に変換するフォトダイオード(34)と、フォトダイオード(34)に接続され50ミクロンピッチ以下の配線(L1)を有するシリコン基板(34)と、シリコン基板を補強する補強基板(35)と、を有する。
【選択図】図3
【解決手段】放射線検出器(31)は、入射されるX線を光に変換するシンチレータ(33)と、シンチレータ(33)で変換された光を電気信号に変換するフォトダイオード(34)と、フォトダイオード(34)に接続され50ミクロンピッチ以下の配線(L1)を有するシリコン基板(34)と、シリコン基板を補強する補強基板(35)と、を有する。
【選択図】図3
Description
本発明は、放射線検出器、またはその放射線検出器を備えたX線断層撮影装置(以下、X線CT装置)に関する。
X線管で発生されたX線は、被検体を透過して放射線検出器に入射する。放射線検出器は、X線を電気信号として検出する複数の検出素子を備えている。検出素子は、X線を光に変換するシンチレータ等の蛍光体と、その光を電荷(電気信号)に変換するフォトダイオード等の光電変換素子とを有する。
近年、マルチスライス型の放射線検出器が登場している。マルチスライス型の放射線検出器は、スライス方向に沿って並列された複数の検出素子列を備えている。検出素子列各々は、スライス方向に略直交するチャネル方向に一列に配列された複数の検出素子を有する。このマルチスライス型の放射線検出器は、列数の増加を要求されている。しかし、従来の放射線検出器では列数に制限があった。
放射線検出器の列数の増加を妨げる最大の要因は、配線構造と接続構造とにある。なおここでは説明の便宜上、フォトダイオードは、n×m(チャネル方向×スライス方向)のマトリクスで配列されているものとする。つまり、フォトダイオードは、チャネル方向に関してn個配列され、そのフォトダイオード列が、スライス方向にm個並列されている。
複数のフォトダイオードと複数のスイッチング素子との間は、複数の信号引出し線を介して接続される。スライス方向に並んでいるm個のフォトダイオードのm本の信号引出し線は、チャネル方向に関して隣のフォトダイオードとの間のギャップに形成されている。
従って、フォトダイオードの列数は、チャネル方向に関して隣り合うフォトダイオードのギャップに形成可能な信号引き出し線の本数に依存して決まってしまう。またギャップを拡大すれば、信号引き出し線の本数を増加することは可能であるが、その場合、ギャップの拡大に反比例してフォトダイオードの有感域の面積を縮小しなければならない。
米国特許6,707,046号公報
そこで、本発明の目的は、信号引き出し線の本数を多く配列できるようにして、列数を増やすことのできる放射線検出器、およびX線断層撮影装置を提供することにある。
本発明は、50ミクロンピッチ以下の配線を有するシリコン基板を放射線検出器に使用し、信号引き出し線の本数を多く配列できるようにする。セラミック基板またはエポキシ基板などの配線では100ミクロンピッチ以下の配線は困難であったため、信号引き出し線の本数が限られていた。本発明では、50ミクロンピッチ以下の配線を有するシリコン基板を放射線検出器に使用することで、この課題を解決する。
第1の観点の放射線検出器は、入射されるX線を光に変換し、変換された光を電気信号に変換するX線検出素子と、X線検出素子に接続され、50ミクロンピッチ以下の配線を有するシリコン基板と、シリコン基板を補強する補強基板と、を有する。
この第1の観点における放射線検出器は、50ミクロンピッチ以下の配線を有するシリコン基板を有しているため、X線検出素子からの電気信号の引き出し線の本数を多く配列できる。X線検出素子には、シンチレータとフォトダイオードの組み合わせの検出素子の他に、たとえばカドミウム・テルル(CdTe)等を利用した半導体X線検出素子などでもよい。
この第1の観点における放射線検出器は、50ミクロンピッチ以下の配線を有するシリコン基板を有しているため、X線検出素子からの電気信号の引き出し線の本数を多く配列できる。X線検出素子には、シンチレータとフォトダイオードの組み合わせの検出素子の他に、たとえばカドミウム・テルル(CdTe)等を利用した半導体X線検出素子などでもよい。
第2の観点における放射線検出器は、シリコン基板には、電気信号を処理する集積回路が搭載される。
この第2の観点における放射線検出器では、エポキシ基板などではなく、フォトダイオードからの配線を有するシリコン基板に集積回路が搭載されるので、放射線検出器を小型化することが可能となる。
この第2の観点における放射線検出器では、エポキシ基板などではなく、フォトダイオードからの配線を有するシリコン基板に集積回路が搭載されるので、放射線検出器を小型化することが可能となる。
第3の観点における放射線検出器は、第2の観点において、シリコン基板の表裏両面に集積回路が搭載される。
この第3の観点における放射線検出器では、シリコン基板の表裏両面集積回路が搭載されるので、さらに、放射線検出器を小型化することが可能となる。
この第3の観点における放射線検出器では、シリコン基板の表裏両面集積回路が搭載されるので、さらに、放射線検出器を小型化することが可能となる。
第4の観点では、放射線検出器は、50ミクロンピッチ以下の配線がフォトダイオードを中心として所定方向に二分されて配列される。
この第4の観点における放射線検出器では、所定方向に二分されるため、一定幅内に配線を二倍配列することが可能となる。ここで所定方向とはスライス方向であり、またシリコン基板の表裏方向である。さらに、スライス方向とシリコン基板の表裏方向との組み合わせであっても良い。
この第4の観点における放射線検出器では、所定方向に二分されるため、一定幅内に配線を二倍配列することが可能となる。ここで所定方向とはスライス方向であり、またシリコン基板の表裏方向である。さらに、スライス方向とシリコン基板の表裏方向との組み合わせであっても良い。
第5の観点の放射線検出器では、補強基板は、さらに、電気信号を処理する集積回路を搭載している。
この第5の観点における放射線検出器は、放射線検出器を小型化することが可能となる。
この第5の観点における放射線検出器は、放射線検出器を小型化することが可能となる。
第6の観点の放射線検出器は、シリコン基板に接続されたフレキシブル基板と、フレキシブル基板に接続され集積回路を実装するエポキシ基板と、をさらに具備する。
この第6の観点における放射線検出器では、シリコン基板を小さくしなくてはならない場合、実装する集積回路が多い場合などに、空間的スペースのあるY方向にエポキシ基板を配置して、集積回路を実装することができる。
この第6の観点における放射線検出器では、シリコン基板を小さくしなくてはならない場合、実装する集積回路が多い場合などに、空間的スペースのあるY方向にエポキシ基板を配置して、集積回路を実装することができる。
第7の観点のX線断層撮影装置は、被検体の周囲を回転しながらX線を曝射するX線源と、被検体を透過したX線を検出する、請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の放射線検出器と、放射線検出器の出力に基づいて被検体の断層像を再構成する再構成手段と、を具備する。
この第7の観点におけるX線断層撮影装置では、シンチレータおよびフォトダイオードをさらに密度を高めて配置することができる。このことは、高い分解能で断層像を得ることにつながる。
この第7の観点におけるX線断層撮影装置では、シンチレータおよびフォトダイオードをさらに密度を高めて配置することができる。このことは、高い分解能で断層像を得ることにつながる。
本発明の放射線検出器およびX線断層撮影装置によれば、信号引き出し線の本数を多く配列できるようにして、放射線検出器の列数を増やすことが可能となる。
以下、図に示す実施の形態により本発明をさらに詳細に説明する。なお、これにより本発明が限定されるものではない。
<X線CT装置の全体構成>
図1は、本発明の一実施形態にかかるX線CT装置100のブロック図である。このX線CT装置100は、操作コンソール1と、撮影テーブル10と、走査ガントリ20とを具備している。
<X線CT装置の全体構成>
図1は、本発明の一実施形態にかかるX線CT装置100のブロック図である。このX線CT装置100は、操作コンソール1と、撮影テーブル10と、走査ガントリ20とを具備している。
操作コンソール1は、操作者の入力を受け付ける入力装置2と、前処理、画像再構成処理、後処理などを実行する中央処理装置3と、走査ガントリ20で収集したX線検出器データを収集するデータ収集バッファ5と、X線検出器データを前処理して求められた投影データから画像再構成した断層像を表示するモニタ6と、プログラムやX線検出器データや投影データやX線断層像を記憶する記憶装置7とを具備している。撮影条件の入力はこの入力装置2から入力され、記憶装置7に記憶される。
撮影テーブル10は、被検体を乗せるクレードル12を具備している。クレードル12は撮影テーブル10に内蔵するモータで昇降およびテーブル直線移動される。
撮影テーブル10は、被検体を乗せるクレードル12を具備している。クレードル12は撮影テーブル10に内蔵するモータで昇降およびテーブル直線移動される。
走査ガントリ20は、X線管21と、コリメータ23と、ビーム形成X線フィルタ28と、多列X線検出器30とを含むガントリ回転部15を備える。また、走査ガントリ20は、X線コントローラ22と、被検体の体軸の回りに回転しているX線管21などを制御する回転部コントローラ26と、制御信号などを操作コンソール1や撮影テーブル10とやり取りする制御コントローラ29とを具備している。ビーム形成X線フィルタ28は撮影中心である回転中心に向かうX線の方向にはフィルタの厚さが最も薄く、周辺部に行くに従いフィルタの厚さが増し、X線をより吸収できるようになっているX線フィルタである。このため、円形または楕円形に近い断面形状の被検体の体表面の被曝を少なくできるようになっている。また、走査ガントリコントローラ27により、走査ガントリ20はz軸方向の前方および後方に±30度ほど傾斜できる。また、走査ガントリコントローラ27は、X線管21および多列X線検出器30またはガントリ回転部15をz軸方向に移動させることができる。
X線管21と多列X線検出器30は、回転中心ICの回りを回転する。鉛直方向をy方向とし、水平方向をx方向とし、これらに垂直なテーブル10の長手方向をz軸方向とするとき、X線管21および多列X線検出器30の回転平面は、xy平面である。本実施形態では、コンベンショナルスキャン、ヘリカルスキャン、可変ピッチヘリカルスキャン、ヘリカルシャトルスキャンなどの複数のスキャンパターンを有している。コンベンショナルスキャンとは、クレードル12をZ軸方向に所定ピッチ移動するごとにX線管21及び多列X線検出部30を回転させて投影データを取得するスキャン方法である。ヘリカルスキャンとは、X線管21と多列X線検出部30とが回転している状態でクレードル12を所定速度で移動させ、投影データを取得するスキャン方法である。可変ピッチヘリカルスキャンとは、ヘリカルスキャンと同様にX線管21及びX多列X線検出部30を回転させながらクレードル12の速度を可変させて投影データを取得するスキャン方法である。ヘリカルシャトルスキャンとは、ヘリカルスキャンと同様にX線管21及び多列X線検出部30を回転させながらクレードル12をZ軸方向又はマイナスZ軸方向に往復移動させて投影データを取得するスキャン方法である。
図2(a)および図2(b)は、X線管21と多列X線検出器30の幾何学的配置の図である。図2(a)は、X線管21と多列X線検出器30の幾何学的配置をxy平面から見た図であり、図2(b)はX線管21と多列X線検出器30の幾何学的配置をyz平面から見た図である。また、図2(a)に示すように、多列X線検出器30は、複数のX線検出器ブロック31から構成されている。ただし、図2(b)では1つのX線検出器ブロック31のみを示している。X線管21は、コーンビームと呼ばれるX線ビームXRを発生する。コーンビームの中心軸方向がy方向に平行なときを、ビュー角度0度とする。多列X線検出器30は、z軸方向にJ列、たとえば256列のX線検出器列を有する。また、各X線検出器列はチャネル方向にIチャネル、たとえば2048チャネルのX線検出器チャネルを有する。図2(a)において、X線管21のX線焦点を出たX線ビームがビーム形成X線フィルタ28により、再構成領域Pの中心ではより多くのX線が、再構成領域Pの周辺部ではより少ないX線が照射される。このようにX線線量を空間的に制御した後に、再構成領域Pの内部に存在する被検体にX線が吸収され、透過したX線が多列X線検出器30でX線検出器データとして収集される。なお、スライス方向は、被検体の体軸方向に略平行である。チャネル方向は、被検体の体軸方向に略直交する。
図2(b)では、X線管21を出たX線ビームXRはX線コリメータ23により断層像のスライス方向に制御されて、回転中心軸IC近辺に存在する被検体にX線が吸収され、透過したX線は多列X線検出器30でX線検出器データとして収集される。X線が被検体に照射されて収集された投影データは、多列X線検出器30内のデータ収集システム(DAS)でA/D変換され、スリップリング24を経由してデータ収集バッファ5に入力される。データ収集バッファ5に入力されたデータは、記憶装置7のプログラムにより中央処理装置3で処理され、断層像に画像再構成されてモニタ6に表示される。
<X線検出器ブロック31の全体構成>
<<第一実施形態>>
図3は、第一実施形態のX線検出器ブロック31Aを示した図で、図3(a)がX線検出器ブロック31Aの上面図を示している。図3(b)は、X線検出器ブロック31Aの側面図を示している。
<<第一実施形態>>
図3は、第一実施形態のX線検出器ブロック31Aを示した図で、図3(a)がX線検出器ブロック31Aの上面図を示している。図3(b)は、X線検出器ブロック31Aの側面図を示している。
X線検出器ブロック31Aは、入射X線を光に変換するシンチレータ33と、シンチレータ33で変換された光を電気信号に変換するフォトダイオード34と、エポキシプリント基板38とからなる。また、X線検出器ブロック31Aは、図3(b)において上側のフォトダイオード34から最下欄のエポキシプリント基板38へ電気信号を伝達するため、微細配線L1を有するシリコン基板35と、配線L2を有するセラミック基板36と、配線用のフレキシブル基板37とを備えている。セラミック基板36は、薄いシリコン基板35が折れ曲がらないように補強する用途を有している。
図3(a)に示されるように、シンチレータ33は、スライス方向の幅が1mmで、チャネル方向の幅が1mmの有感域を備えている。このようなシンチレータ33がN(チャネル方向)×M(スライス方向)に配置されている。このシンチレータ33で変換された光をフォトダイオード34で電気信号に変換し、N×Mの膨大な2次元投影データは、エポキシプリント基板38に送られる。
シリコン基板35の表面にはN×MのバンプTAが形成されており、そのバンプTA上に、スライス方向にN個のフォトダイオード34が一定のギャップを隔てて配列され、チャネル方向にM個のフォトダイオード34が同じ一定のギャップを隔てて配列される。
シリコン基板35の微細配線L1は、フォトリソグラフィおよびエッチングにより5ミクロンパターンと5ミクロンギャップとからなる10ミクロンピッチで形成されている。シリコン基板35の微細配線L1は1ミクロンピッチ以下の配線も可能である。ギャップと幅にもよるが、50ミクロンピッチ以下の微細配線L1を有するシリコン基板35を製造することは容易である。なお、高速で信号を送る配線として機能させるためには、配線ピッチは1ミクロンピッチ以上が好ましく、さらに好ましくは5ミクロンピッチ以上が好ましい。一方、セラミック基板36の配線L2は、フォトリソグラフィおよびエッチングにより75ミクロンパターンと75ミクロンギャップとからなる150ミクロンピッチで形成されている。セラミック基盤36では、約150ミクロンピッチの線幅が限界である。フレキシブル基板37の配線も同様に100ないし200ミクロンピッチが限界である。
図3において、右側の半分のエリアに配置されている(N/2)×M個のフォトダイオード34の電気信号は、スライス方向と略平行に形成された(N/2)×M本の微細配線L1を介して右外側に引き出される。また、左側の半分のエリアに配列されている(N/2)×M個のフォトダイオード34の電気信号は、スライス方向と略平行に形成された(N/2)×M本の微細配線L1を介して左外側に引き出される。これら合計N×M本の微細配線L1は、シリコン基板35の下側に形成されたバンプTAにつながっている。
微細配線L1のパターン幅とそのパターンのギャップ幅とにより、微細配線L1の最大本数が決まる。これまでの配線L2は、プリント基板、フレキシブル基板またはセラミック基板などに形成されたものであったため、100〜150ミクロンピッチであった。しかし、シリコン基板35の微細配線L1は、50ミクロンピッチ、好ましくは10ミクロンピッチ以下の配線が可能であるので、同じ面積で10倍以上の配線が可能となる。ただし、シリコン基板35は薄い基板であるため折り曲げに弱く、それ自体のみで扱うには不便である。このため、シリコン基板35の下側には複数のバンプTAが設けられ、折り曲げに強いセラミック基板36のバンプTAとハンダで接続される。シリコン基板35の下側のバンプTA間隔は200ミクロンピッチ以上であり、シンチレータ33およびフォトダイオード34の数が格段に増えてもセラミック基板36のバンプTAの製作には、支障がない。
エポキシプリント基板38には、フォトダイオード34から電気信号を読出すスイッチングチップや、読み出された電気信号を増幅しディジタル化するデータ収集システムチップ(DASチップ)などの集積回路39が実装されている。X線検出器ブロック31Aによる検出動作は、ガントリ回転部15の1回転(約0.5〜1秒)の間に、たとえば1000回程度繰り返され、それによりM×Nの膨大な2次元投影データが1秒(1回転)あたり1000回発生する。集積回路39は、このような膨大でしかも高速に発生する2次元投影データを時間遅れなく処理する。
<<第二実施形態>>
図4は、第二実施形態のX線検出器ブロック31Bを示した図で、同じ機能を有するものには第一実施形態と同じ符号を付している。第二実施形態のX線検出器ブロック31Bが、第一実施形態のX線検出器ブロック31Aと異なる箇所を説明する。以下の第三実施形態以降のX線検出器ブロック31においても同様である。
図4は、第二実施形態のX線検出器ブロック31Bを示した図で、同じ機能を有するものには第一実施形態と同じ符号を付している。第二実施形態のX線検出器ブロック31Bが、第一実施形態のX線検出器ブロック31Aと異なる箇所を説明する。以下の第三実施形態以降のX線検出器ブロック31においても同様である。
図4において、右側の半分のエリアに配置されている(N/4)×M個のフォトダイオード34の電気信号が、(N/4)×M本の微細配線L1を介してX線検出器ブロック31Bのシリコン基板35の右上側に形成されたバンプTAにつながっている。そして、(N/4)×M個のフォトダイオード34の電気信号が、(N/4)×M本の微細配線L1を介してX線検出器ブロック31Bのシリコン基板35の右下側に形成されたバンプTAにつながっている。
また、図4において、左側の半分のエリアに配列されている(N/4)×M個のフォトダイオード34の電気信号は、(N/4)×M本の微細配線L1を介してX線検出器ブロック31Bのシリコン基板35の左上側に形成されたバンプTAにつながっている。そして、(N/4)×M個のフォトダイオード34の電気信号が、(N/4)×M本の微細配線L1を介してX線検出器ブロック31Bのシリコン基板35の左下側に形成されたバンプTAにつながっている。
シリコン基板35の右上側に形成されたバンプTAには、フレキシブル基板37aが接続されている。シリコン基板35の左上側に形成されたバンプTAには、フレキシブル基板37cが接続されている。シリコン基板35の下側に形成されたバンプTAには、セラミック基板36を介してフレキシブル基板37bが接続されている。それぞれのフレキシブル基板37a,37bおよび37cは、エポキシプリント基板38に接続される。
つまり、シリコン基板35の微細配線L1は、シリコン基板35の上下に分かれたバンプTAにつながっている。このため、バンプTAの間隔確保ためにスライス方向にシリコン基板35を長く伸ばす必要がなく、シリコン基板35をスライス方向に短くできる。これに伴いセラミック基板36も短くすることができる。
<<第三実施形態>>
図5(a)は、第三実施形態のX線検出器ブロック31Cを示した図である。
図5(a)中、右側の半分のエリアに配置されている(N/2)×M個のフォトダイオード34の電気信号が、(N/2)×M本の微細配線L1を介してX線検出器ブロック31Bのシリコン基板35の右上側に形成されたバンプTAにつながっている。また、左側の半分のエリアに配列されている(N/2)×M個のフォトダイオード34の電気信号は、(N/2)×M本の微細配線L1を介してX線検出器ブロック31Bのシリコン基板35の左上側に形成されたバンプTAにつながっている。
図5(a)は、第三実施形態のX線検出器ブロック31Cを示した図である。
図5(a)中、右側の半分のエリアに配置されている(N/2)×M個のフォトダイオード34の電気信号が、(N/2)×M本の微細配線L1を介してX線検出器ブロック31Bのシリコン基板35の右上側に形成されたバンプTAにつながっている。また、左側の半分のエリアに配列されている(N/2)×M個のフォトダイオード34の電気信号は、(N/2)×M本の微細配線L1を介してX線検出器ブロック31Bのシリコン基板35の左上側に形成されたバンプTAにつながっている。
シリコン基板35の上側のバンプTAには、スイッチングチップまたはDASチップなどの集積回路39が配置されハンダで接続されている。シリコン基板35の下側には、シリコン基板35を補強するためセラミック基板36が接着される。X線検出器ブロック31Cでは、セラミック基板36に配線が必要ないので、セラミック基板36の代わりに、絶縁体のプラスチック板を用いてもよい。
つまり、X線検出器ブロック31Cは、フレキシブル基板37およびエポキシプリント基板38が不要となり、X線検出器ブロック全体として小型化することができる。また、これら基板が不要となるため製作費のコストを削減できる。
<<第四実施形態>>
図5(b)は、第四実施形態のX線検出器ブロック31Dを示した図である。
図5(b)のX線検出器ブロック31Dは、右側の半分のエリアに配置されている(N/2)×M個のフォトダイオード34の電気信号が、(N/2)×M本の微細配線L1を介してX線検出器ブロック31Bのシリコン基板35の右下側に形成されたバンプTAにつながっている。また、左側の半分のエリアに配列されている(N/2)×M個のフォトダイオード34の電気信号は、(N/2)×M本の微細配線L1を介してX線検出器ブロック31Bのシリコン基板35の左下側に形成されたバンプTAにつながっている。これらのシリコン基板35のバンプTAは、セラミック基板36の上側のバンプTAとハンダで接続される。セラミック基板36の上側のバンプTAと下側のバンプTAとは配線L2で接続され、セラミック基板36の下側のバンプTAには、スイッチングチップまたはDASチップなどの集積回路39が配置されハンダで接続されている。
図5(b)は、第四実施形態のX線検出器ブロック31Dを示した図である。
図5(b)のX線検出器ブロック31Dは、右側の半分のエリアに配置されている(N/2)×M個のフォトダイオード34の電気信号が、(N/2)×M本の微細配線L1を介してX線検出器ブロック31Bのシリコン基板35の右下側に形成されたバンプTAにつながっている。また、左側の半分のエリアに配列されている(N/2)×M個のフォトダイオード34の電気信号は、(N/2)×M本の微細配線L1を介してX線検出器ブロック31Bのシリコン基板35の左下側に形成されたバンプTAにつながっている。これらのシリコン基板35のバンプTAは、セラミック基板36の上側のバンプTAとハンダで接続される。セラミック基板36の上側のバンプTAと下側のバンプTAとは配線L2で接続され、セラミック基板36の下側のバンプTAには、スイッチングチップまたはDASチップなどの集積回路39が配置されハンダで接続されている。
X線検出器ブロック31Dは、フレキシブル基板37およびエポキシプリント基板38が不要となり、X線検出器ブロック全体として小型化することができる。また、これら基板が不要となるため製作費のコストを削減できる。
<<第五実施形態>>
図5(c)は、第五実施形態のX線検出器ブロック31Eを示した図である。
図5(c)のX線検出器ブロック31Eは、第四実施形態のX線検出器ブロック31Dと同様に、シリコン基板35の微細配線L1を形成している。しかし、シリコン基板35の下側のバンプTAには、スイッチングチップまたはDASチップなどの集積回路39が配置されハンダで接続されている。シリコン基板35は折り曲げに弱いため、シリコン基板35は、セラミック支柱36aを介してセラミック基板36と接続されている。X線検出器ブロック31Eでは、セラミック基板36に配線が必要ないので、セラミック基板36の代わりに、絶縁体のプラスチック板を用いてもよい。
図5(c)は、第五実施形態のX線検出器ブロック31Eを示した図である。
図5(c)のX線検出器ブロック31Eは、第四実施形態のX線検出器ブロック31Dと同様に、シリコン基板35の微細配線L1を形成している。しかし、シリコン基板35の下側のバンプTAには、スイッチングチップまたはDASチップなどの集積回路39が配置されハンダで接続されている。シリコン基板35は折り曲げに弱いため、シリコン基板35は、セラミック支柱36aを介してセラミック基板36と接続されている。X線検出器ブロック31Eでは、セラミック基板36に配線が必要ないので、セラミック基板36の代わりに、絶縁体のプラスチック板を用いてもよい。
X線検出器ブロック31Eは、フレキシブル基板37およびエポキシプリント基板38が不要となり、X線検出器ブロック全体として小型化することができる。また、これら基板が不要となるため製作費のコストを削減できる。
<<第六実施形態>>
図6(a)は、第六実施形態のX線検出器ブロック31Fを示した図である。
図6(a)のX線検出器ブロック31Fは、第二実施形態のX線検出器ブロック31Bと同様に、シリコン基板35の一部の微細配線L1が右上側のバンプTAに、また一部の微細配線L1が左上側のバンプTAに配列されている。また、シリコン基板35の残りの微細配線L1が下側のバンプTAに配列されている。
図6(a)は、第六実施形態のX線検出器ブロック31Fを示した図である。
図6(a)のX線検出器ブロック31Fは、第二実施形態のX線検出器ブロック31Bと同様に、シリコン基板35の一部の微細配線L1が右上側のバンプTAに、また一部の微細配線L1が左上側のバンプTAに配列されている。また、シリコン基板35の残りの微細配線L1が下側のバンプTAに配列されている。
シリコン基板35の上側のバンプTAには、スイッチングチップまたはDASチップなどの集積回路39が配置されハンダで接続されている。シリコン基板35の下側のバンプTAは、セラミック基板36の上側のバンプTAとハンダで接続される。セラミック基板36の上側のバンプTAと下側のバンプTAとは配線L2で接続され、セラミック基板36の下側のバンプTAには、スイッチングチップまたはDASチップなどの集積回路39が配置されハンダで接続されている。
X線検出器ブロック31Eは、フレキシブル基板37およびエポキシプリント基板38が不要となる。また、集積回路39がシリコン基板35の上側とセラミック基板36の下側とに分けて配置されるので、X線検出器ブロック全体として小型化することができる。
<<第七実施形態>>
図6(b)は、第七実施形態のX線検出器ブロック31Gを示した図である。
図6(b)のX線検出器ブロック31Gは、第六実施形態のX線検出器ブロック31Fと同様に、シリコン基板35の微細配線L1が配列されている。
図6(b)は、第七実施形態のX線検出器ブロック31Gを示した図である。
図6(b)のX線検出器ブロック31Gは、第六実施形態のX線検出器ブロック31Fと同様に、シリコン基板35の微細配線L1が配列されている。
シリコン基板35の上側のバンプTAには、スイッチングチップまたはDASチップなどの集積回路39が配置されハンダで接続されている。また、シリコン基板35の下側のバンプTAには、スイッチングチップまたはDASチップなどの集積回路39が配置されハンダで接続されている。シリコン基板35は折り曲げに弱いため、シリコン基板35は、セラミック支柱36aを介してセラミック基板36と接続されている。X線検出器ブロック31Eでは、セラミック基板36に配線が必要ないので、セラミック基板36の代わりに、絶縁体のプラスチック板を用いてもよい。
X線検出器ブロック31Eは、フレキシブル基板37およびエポキシプリント基板38が不要となる。また、集積回路39がシリコン基板35の上下側に分けて配置されるので、X線検出器ブロック全体として小型化することができる。
<<第八実施形態>>
図7(a)は、第七実施形態のX線検出器ブロック31Hを示した図である。
図7(a)のX線検出器ブロック31Hは、第六実施形態のX線検出器ブロック31Fと同様に、シリコン基板35の微細配線L1が配列されている。
図7(a)は、第七実施形態のX線検出器ブロック31Hを示した図である。
図7(a)のX線検出器ブロック31Hは、第六実施形態のX線検出器ブロック31Fと同様に、シリコン基板35の微細配線L1が配列されている。
シリコン基板35の右上側のバンプTAには、スイッチングチップまたはDASチップなどの集積回路39が配置されハンダで接続されている。一方、シリコン基板35の左上側のバンプTAには、フレキシブル基板37aが接続されている。シリコン基板35の下側に形成されたバンプTAには、セラミック基板36を介してフレキシブル基板37bが接続されている。それぞれのフレキシブル基板37aおよび37bは、エポキシプリント基板38に接続される。
X線検出器ブロック31Hは、スライス方向にシリコン基板35をできるだけ短くして、Y方向に空間的余裕がある場合には有効である。また、集積回路39が多くてシリコン基板35に集積回路39を搭載できない場合に有効である。
<<第九実施形態>>
図7(b)は、第七実施形態のX線検出器ブロック31Iを示した図である。
図7(b)のX線検出器ブロック31Iは、第六実施形態のX線検出器ブロック31Fと同様に、シリコン基板35の微細配線L1が配列されている。
図7(b)は、第七実施形態のX線検出器ブロック31Iを示した図である。
図7(b)のX線検出器ブロック31Iは、第六実施形態のX線検出器ブロック31Fと同様に、シリコン基板35の微細配線L1が配列されている。
シリコン基板35の上側のバンプTAには、スイッチングチップまたはDASチップなどの集積回路39が配置されハンダで接続されている。また、シリコン基板35の下側のバンプTAは、セラミック基板36の上側のバンプTAとハンダで接続される。セラミック基板36の上側のバンプTAと下側のバンプTAとは配線L2で接続され、セラミック基板36の下側のバンプTAには、フレキシブル基板37が接続される。そして、フレキシブル基板37は、エポキシプリント基板38に接続される。
X線検出器ブロック31Hは、スライス方向にシリコン基板35をできるだけ短くして、Y方向に空間的余裕がある場合には有効である。また、集積回路39が多くてシリコン基板35にすべての集積回路39を搭載できない場合に有効である。
以上の実施形態では、シンチレータ33とフォトダイオード34の組み合わせによって検出素子を構成した。しかし、これに限るものではなく、たとえばカドミウム・テルル(CdTe)等を利用した半導体X線検出素子、あるいは、キセノン(Xe)ガスを利用した電離箱型のX線検出素子であってよい。
また、本実施形態では、医用X線CT装置100を元に書かれているが、産業用X線CT装置または他の装置と組み合わせたX線CT−PET装置,X線CT−SPECT装置などにも利用できる。
また、本実施形態では、医用X線CT装置100を元に書かれているが、産業用X線CT装置または他の装置と組み合わせたX線CT−PET装置,X線CT−SPECT装置などにも利用できる。
1 … 操作コンソール
12 … クレードル
20 … 走査ガントリ
21 … X線管
22 … X線コントローラ
23 … コリメータ
27 … 走査ガントリ傾斜コントローラ
28 … ビーム形成X線フィルタ
29 … 制御コントローラ
30 … 多列X線検出器
31 … 一つのX線検出器ブロック
33 … シンチレータ
34 … フォトダイオード
35 … シリコン基板
36 … セラミック基板
37 … フレキシブル基板
38 … エポキシプリント基板
39 … 集積回路
L1 … 微細配線、L2 … 通常配線
TA … バンプ
12 … クレードル
20 … 走査ガントリ
21 … X線管
22 … X線コントローラ
23 … コリメータ
27 … 走査ガントリ傾斜コントローラ
28 … ビーム形成X線フィルタ
29 … 制御コントローラ
30 … 多列X線検出器
31 … 一つのX線検出器ブロック
33 … シンチレータ
34 … フォトダイオード
35 … シリコン基板
36 … セラミック基板
37 … フレキシブル基板
38 … エポキシプリント基板
39 … 集積回路
L1 … 微細配線、L2 … 通常配線
TA … バンプ
Claims (7)
- 入射されるX線を光に変換し、変換された光を電気信号に変換するX線検出素子と、
前記X線検出素子に接続され、50ミクロンピッチ以下の配線を有するシリコン基板と、
前記シリコン基板を補強する補強基板と
を有することを特徴とする放射線検出器。 - 前記シリコン基板には、前記電気信号を処理する集積回路が搭載されることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出器。
- 前記集積回路は、前記シリコン基板の表裏両面に搭載されることを特徴とする請求項2に記載の放射線検出器。
- 前記50ミクロンピッチ以下の配線は、前記フォトダイオードを中心として所定方向に二分されて配列されることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の放射線検出器。
- 前記補強基板は、さらに、前記電気信号を処理する集積回路を搭載していることを特徴とする請求項2に記載の放射線検出器。
- 前記シリコン基板に接続されたフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板に接続され、前記集積回路を実装するエポキシ基板と
をさらに具備する請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の放射線検出器。 - 被検体の周囲を回転しながらX線を曝射するX線源と、
前記被検体を透過したX線を検出する、請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の放射線検出器と、
前記放射線検出器の出力に基づいて被検体の断層像を再構成する再構成手段と
を具備することを特徴とするX線断層撮影装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006303516A JP2008122116A (ja) | 2006-11-09 | 2006-11-09 | 放射線検出器およびx線断層撮影装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006303516A JP2008122116A (ja) | 2006-11-09 | 2006-11-09 | 放射線検出器およびx線断層撮影装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008122116A true JP2008122116A (ja) | 2008-05-29 |
Family
ID=39507035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006303516A Withdrawn JP2008122116A (ja) | 2006-11-09 | 2006-11-09 | 放射線検出器およびx線断層撮影装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008122116A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012118073A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | General Electric Co <Ge> | スルービアインターポーザを有する検出器アレイ |
JP2012143564A (ja) * | 2011-01-13 | 2012-08-02 | General Electric Co <Ge> | タイル構成可能なパッケージング構造によるマルチ・スライスct検出器 |
WO2013176657A1 (en) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | Analogic Corporaton | Detection system and detector array interconnect assemblies |
JP2016035449A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-17 | 株式会社東芝 | X線コンピュータ断層撮影装置及びx線検出器 |
JP2016186502A (ja) * | 2016-07-12 | 2016-10-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
WO2019187921A1 (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
WO2019187923A1 (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
US10539690B2 (en) | 2017-06-13 | 2020-01-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | X-ray detector, X-ray photographing apparatus including the same, and method of manufacturing the same |
-
2006
- 2006-11-09 JP JP2006303516A patent/JP2008122116A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012118073A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | General Electric Co <Ge> | スルービアインターポーザを有する検出器アレイ |
JP2012143564A (ja) * | 2011-01-13 | 2012-08-02 | General Electric Co <Ge> | タイル構成可能なパッケージング構造によるマルチ・スライスct検出器 |
WO2013176657A1 (en) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | Analogic Corporaton | Detection system and detector array interconnect assemblies |
JP2016035449A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-17 | 株式会社東芝 | X線コンピュータ断層撮影装置及びx線検出器 |
JP2016186502A (ja) * | 2016-07-12 | 2016-10-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
US10539690B2 (en) | 2017-06-13 | 2020-01-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | X-ray detector, X-ray photographing apparatus including the same, and method of manufacturing the same |
WO2019187921A1 (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
WO2019187923A1 (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
JPWO2019187923A1 (ja) * | 2018-03-26 | 2020-12-03 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
JPWO2019187921A1 (ja) * | 2018-03-26 | 2020-12-03 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
US11415715B2 (en) | 2018-03-26 | 2022-08-16 | Fujifilm Corporation | Radiation image capturing apparatus |
US11520057B2 (en) | 2018-03-26 | 2022-12-06 | Fujifilm Corporation | Radiation image capturing apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5432448B2 (ja) | 計算機式断層写真法検出器モジュール構成 | |
JP5951261B2 (ja) | タイル構成可能なパッケージング構造によるマルチ・スライスct検出器 | |
JP2008122116A (ja) | 放射線検出器およびx線断層撮影装置 | |
US8575558B2 (en) | Detector array with a through-via interposer | |
US9835733B2 (en) | Apparatus for detecting X-rays | |
JP4041765B2 (ja) | Ct検出器用の高密度フレックス相互接続体 | |
JP2008286800A (ja) | 放射線検出器、放射線検出システム及び放射線検出器を備えたx線ct装置 | |
US20080253507A1 (en) | Computed Tomography Detector Using Thin Circuits | |
JP2003066149A (ja) | 放射線検出器、放射線検出システム、x線ct装置 | |
JP2009268892A (ja) | X線検出器およびx線ct装置 | |
JP2007125086A (ja) | X線検出器およびx線ct装置 | |
EP2424436B1 (en) | Computed tomography scanning system | |
JP2020520165A (ja) | 活性画素センサのコンピュータ断層撮影(ct)検出器および読み出し方法 | |
US7655915B2 (en) | Collimator assembly for computed tomography system | |
JP6548488B2 (ja) | X線コンピュータ断層撮影装置及びx線検出器 | |
US10119924B2 (en) | Computed tomography with detector wobble | |
JP2008145245A (ja) | X線検出器およびx線ct装置 | |
JP6194126B2 (ja) | モジュライメージング検出器asic | |
JP5744085B2 (ja) | X線検出器システムおよびx線ct装置 | |
JP2009142398A (ja) | X線検出器システムおよびx線ct装置 | |
JP4691074B2 (ja) | 放射線検出システム | |
JP7034635B2 (ja) | 検出器モジュール、放射線検出器、x線コンピュータ断層撮影装置及び放射線検出器の製造方法 | |
US7010084B1 (en) | Light detector, radiation detector and radiation tomography apparatus | |
JP5238452B2 (ja) | 放射線検出装置及びこれを用いたx線ct装置 | |
JP5523820B2 (ja) | 画像撮影装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20100202 |