JP2008145245A - X線検出器およびx線ct装置 - Google Patents

X線検出器およびx線ct装置 Download PDF

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Abstract

【課題】セル数の増加に伴う配線費用の増加が生じないX線検出器、および、そのようなX線検出器を有するX線CT装置を実現する。
【解決手段】X線をシンチレータで光に変換してフォトダイオードで検出するX線検出器は、複数のシンチレータ素子が配列されたシンチレータアレイ(502)と、複数のフォトダイオードが前記複数のシンチレータ素子の光をそれぞれ受光するように前記複数のシンチレータ素子に合わせて配列されたフォトダイオードアレイ(504)と、複数の個別フロントエンド回路が前記複数のフォトダイオードの検出信号をそれぞれ取り込むように前記複数のフォトダイオードに合わせて配列されたフロントエンド用半導体チップ(506)とを具備し、前記フロントエンド用半導体チップ、前記フォトダイオードアレイおよび前記シンチレータアレイが順次積層されている。
【選択図】図5

Description

本発明は、X線検出器およびX線CT(Computed Tomography)装置に関し、特に、X線をシンチレータ(scintillator)で光に変換してフォトダイオード(photo diode)で検出するX線検出器、および、そのようなX線検出器を有するX線CT装置に関する。
X線CT装置では、互いに対向するX線源とX線検出器で被検体をスキャン(scan)して投影データ(data)を収集し、投影データに基づいて画像を再構成する。X線検出器としては、シンチレータとフォトダイオードからなるものが用いられる。マルチスライス(multi-slice)型のX線CT装置では、シンチレータとフォトダイオードは2次元アレイ(array)型のものが用いられる(例えば、特許文献1参照)。
X線検出器の検出信号は、データ収集システム(DAS: data acquisition system)によって、2次元アレイのセル(cell)ごとに、増幅、AD変換等が行われ、ディジタルデータ(digital data)として画像再構成部に供給される(例えば、特許文献2参照)。
特開2002−202373号公報 特開2003−180674号公報
2次元アレイの高精細化とスライス数の増加に伴って、X線検出器のセル数は膨大化している。このため、検出信号をDASに接続するための信号配線やコネクタ(connector)に関する費用が著しく増加する。信号配線に多層セラミック(ceramics)基板を用いるときは、費用の増加はさらに大きなものとなる。
そこで、本発明の課題は、セル数の増加に伴う配線費用の増加が生じないX線検出器、および、そのようなX線検出器を有するX線CT装置を実現することである。
課題を解決するためのひとつの観点での発明は、X線をシンチレータで光に変換してフォトダイオードで検出するX線検出器であって、複数のシンチレータ素子が配列されたシンチレータアレイと、複数のフォトダイオードが前記複数のシンチレータ素子の光をそれぞれ受光するように前記複数のシンチレータ素子に合わせて配列されたフォトダイオードアレイと、複数の個別フロントエンド回路が前記複数のフォトダイオードの検出信号をそれぞれ取り込むように前記複数のフォトダイオードに合わせて配列されたフロントエンド用半導体チップとを具備し、前記フロントエンド用半導体チップ、前記フォトダイオードアレイおよび前記シンチレータアレイが順次積層されていることを特徴とするX線検出器である。
課題を解決するための他の観点での発明は、互いに対向するX線源とX線検出器で被検体をスキャンして投影データを収集しこの投影データに基づいて画像を再構成するX線CT装置であって、前記X線検出器は、X線をシンチレータで光に変換してフォトダイオードで検出するX線検出器であり、複数のシンチレータ素子が配列されたシンチレータアレイと、前記シンチレータアレイが積み重ねられ、複数のフォトダイオードが前記複数のシンチレータ素子の光をそれぞれ受光するように前記複数のシンチレータ素子に合わせて配列されたフォトダイオードアレイと、前記フォトダイオードアレイが積み重ねられ、複数の個別フロントエンド回路が前記複数のフォトダイオードの検出信号をそれぞれ取り込むように前記複数のフォトダイオードに合わせて配列されたフロントエンド用半導体チップとを具備することを特徴とするX線CT装置である。
前記個別フロントエンド回路は増幅器を有することが、信号レベルを高める点で好ましい。
前記フロントエンド用半導体チップはAD変換器を有することが、ディジタル検出データを得る点で好ましい。
前記フロントエンド用半導体チップが積み重ねられ、制御回路が形成された制御用半導体チップを具備することが、高機能化する点で好ましい。
前記フロントエンド用半導体チップは、貫通電極を有することが、チップ間の接続が容易な点で好ましい。
前記制御用半導体チップはAD変換器を有することが、ディジタル検出データを得る点で好ましい。
本発明では、X線をシンチレータで光に変換してフォトダイオードで検出するX線検出器は、複数のシンチレータ素子が配列されたシンチレータアレイと、複数のフォトダイオードが前記複数のシンチレータ素子の光をそれぞれ受光するように前記複数のシンチレータ素子に合わせて配列されたフォトダイオードアレイと、複数の個別フロントエンド回路が前記複数のフォトダイオードの検出信号をそれぞれ取り込むように前記複数のフォトダイオードに合わせて配列されたフロントエンド用半導体チップとを具備し、前記フロントエンド用半導体チップ、前記フォトダイオードアレイおよび前記シンチレータアレイが順次積層されているので、セル数の増加に伴う配線費用の増加が生じないX線検出器、および、そのようなX線検出器を有するX線CT装置を実現することができる。
以下、図面を参照して発明を実施するための最良の形態を説明する。なお、本発明は、発明を実施するための最良の形態に限定されるものではない。図1にX線CT装置の模式的構成を示す。本装置は発明を実施するための最良の形態の一例である。本装置の構成によって、X線CT装置に関する発明を実施するための最良の形態の一例が示される。
図1に示すように、本装置は、ガントリ(gantry)100、テーブル(table)200およびオペレータコンソール(operator console)300を有する。ガントリ100は、テーブル200によって搬入される被検体10を、X線照射・検出装置110でスキャンして複数ビュー(view)の投影データを収集し、オペレータコンソール300に入力する。
オペレータコンソール300は、ガントリ100から入力された投影データに基づいて画像再構成を行い、再構成画像をディスプレイ(display)302に表示する。画像再構成は、オペレータ300内の専用のコンピュータ(computer)によって行われる。
オペレータコンソール300は、また、ガントリ100とテーブル200の動作を制御する。制御はオペレータ300内の専用のコンピュータによって行われる。オペレータコンソール300による制御の下で、ガントリ100は所定のスキャン条件でスキャンを行い、テーブル200は所定の部位がスキャンされるように、被検体10の位置決めを行う。位置決めは、内蔵の位置調節機構により、天板202の高さおよび天板上のクレードル(cradle)204の水平移動距離を調節することによって行われる。
クレードル204を停止させた状態でスキャンすることにより、アキシャルスキャン(axial scan)を行うことができる。クレードル204を連続的に移動させながら複数回のスキャンを連続的に行うことにより、ヘリカルスキャン(helical scan)を行うことができる。クレードル204を間欠的に移動させながら停止位置ごとにスキャンすることによりクラスタスキャン(cluster scan)を行うことができる。
天板202の高さ調節は、支柱206をベース(base)208への取付部を中心としてスイング(swing)させることによって行われる。支柱206のスイングによって、天板202は垂直方向および水平方向に変位する。クレードル204は天板202上で水平方向に移動して天板202の水平方向の変位を相殺する。スキャン条件によっては、ガントリ100をチルト(tilt)させた状態でスキャンが行われる。ガントリ100のチルトは、内蔵のチルト機構によって行われる。
なお、テーブル200は、図2に示すように、天板202がベース208に対して垂直に昇降する方式のものであってよい。天板202の昇降は内蔵の昇降機構によって行われる。このテーブル200においては、昇降に伴う天板202の水平移動は生じない。
図3に、X線照射・検出装置110の構成を模式的に示す。X線照射・検出装置110は、X線管130の焦点132から放射されたX線134をX線検出器150で検出するようになっている。
X線134は、図示しないコリメータ(collimator)で成形されてコーンビーム(cone beam)またはファンビーム(fan beam)のX線となる。X線検出器150は、X線の広がりに対応して2次元的に広がるX線入射面152を有する。X線入射面152は円筒の一部を構成するように湾曲している。円筒の中心軸は焦点132を通る。
X線照射・検出装置110は、撮影中心すなわちアイソセンタ(isocenter)Oを通る中心軸の周りを回転する。中心軸は、X線検出器150が形成する部分円筒の中心軸に平行である。
回転の中心軸の方向をz方向とし、アイソセンタOと焦点132を結ぶ方向をy方向とし、z方向およびy方向に垂直な方向をx方向とする。これらx,y,z軸はz軸を中心軸とする回転座標系の3軸となる。
図4に、X線検出器150のX線入射面152の平面図を模式的に示す。X線入射面152は検出セル154がx方向とz方向に2次元的に配置されたものとなっている。すなわち、X線入射面152は検出セル154の2次元アレイとなっている。なお、ファンビームX線を用いる場合は、X線入射面152は検出セル154の1次元アレイとしてよい。
個々の検出セル154は、X線検出器150の検出チャンネル(channel)を構成する。これによって、X線検出器150は多チャンネルX線検出器となる。検出セル154は、シンチレータ素子とフォトダイオードの組合せによって構成される。
図5に、X線検出器150の構成を模式的に示す。X線検出器150は、発明を実施するための最良の形態の一例である。X線検出器150の構成によって、X線検出器に関する発明を実施するための最良の形態の一例が示される。
図5に示すように、X線検出器150は、シンチレータアレイ502、フォトダイオードアレイ504およびフロントエンド(front end)用半導体チップ(chip)506を支持板508の上に積層したものとなっている。すなわち、X線検出器150は、シンチレータアレイ502、フォトダイオードアレイ504およびフロントエンド用半導体チップ506からなるスタックアップ(stack up)構造を有する。支持板508は例えばセラミック基板等で構成される。
このような構造により、入射X線はシンチレータアレイ502で光に変換されてフォトダイオードアレイ504で検出され、検出信号がフロントエンド用半導体チップ506で処理される。処理された信号は、ボンディングワイヤ(bonding wire)510で接続されたフレキシブルプリント(flexible print)板512を通じて外部に出力される。
図6に、シンチレータアレイ502の構成を模式的に示す。シンチレータアレイ502は、本発明におけるシンチレータアレイの一例である。図6に示すように、シンチレータアレイ502は、複数のシンチレータ素子522で構成される。複数のシンチレータ素子522は、隣り合うもの同士が隔壁524で仕切られている。隔壁524は遮光性および光反射性を有する。そのような隔壁は例えば酸化チタン(TiO2)等によって構成される。
図7に、フォトダイオードアレイ504の構成を模式的に示す。フォトダイオードアレイ504は、本発明におけるフォトダイオードアレイの一例である。図7に示すように、フォトダイオードアレイ504は、例えば、N型半導体基板540にP層542を複数個形成したものとなっている。N型半導体としては例えばシリコン(Si)が用いられる。P層542は例えばボロン(B)の選択拡散によって形成される。以下、N型半導体基板540を単に基板540ともいう。
複数のP層542は、基板540においてそれぞれPN接合を形成する。各PN接合はフォトダイオードを構成し、N層側から入射した光を電気信号に変換するフォトダイオードとなる。以下、P層542をフォトダイオード542ともいう。
フォトダイオードアレイ504におけるフォトダイオード542の配列は、シンチレータアレイ502におけるシンチレータ素子522の配列に一致している。これによって、フォトダイオード542はシンチレータ素子522と1対1に対応する。フォトダイオード542は、対応するシンチレータ素子522の光を検出する。各フォトダイオードの光検出信号はP層側から個々に出力される。
図8に、フロントエンド用半導体チップ506の構成を模式的に示す。フロントエンド用半導体チップ506は、本発明におけるフロントエンド用半導体チップの一例である。図8に示すように、フロントエンド用半導体チップ506は、半導体基板560に個別フロントエンド回路562を複数個形成した集積回路となっている。
フロントエンド用半導体チップ506における個別フロントエンド回路562の配列は、フォトダイオードアレイ504におけるフォトダイオード542の配列に一致している。これによって、個別フロントエンド回路562はフォトダイオード542と1対1に対応する。個別フロントエンド回路562は、対応するフォトダイオード542に電気的に接続されている。個別フロントエンド回路562は、フォトダイオード542の検出信号を増幅する増幅器を有する。
図9に、フロントエンド用半導体チップ506における集積回路の一例のブロック(block)図を示す。図9に示すように、フロントエンド用半導体チップ506における集積回路は、複数の増幅器902で複数のフォトダイオード542の検出信号をそれぞれ増幅し、それら増幅出力を複数のAD(analog to digital)変換器904でそれぞれディジタル信号に変換し、それらをマルチプレクサ(multiplexer)906でマルチプレクスして、転送回路908を通じて出力するようになっている。増幅器902とAD変換器904の対は、個別フロントエンド回路562に相当する。
図10に、X線検出器150の他の構成例を模式的に示す。図10において、図5に示したものと同様な部分は、同一の符号を付して説明を省略する。この例では、スタックアップ構造に制御用半導体チップ606が加わっている。また、フロントエンド用半導体チップ506が複数の貫通電極564を有し、それら貫通電極を通じて制御用半導体チップ606に接続されている。
図11に、フロントエンド用半導体チップ506と制御用半導体チップ606に形成された回路の一例のブロック図を示す。図11に示すように、フロントエンド用半導体チップ506には、複数の増幅器902が形成される。これら増幅器はフォトダイオードアレイ504における複数のフォトダイオード542に対応する。増幅器902は個別フロントエンド回路562に相当する。
制御用半導体チップ606には、複数のAD変換器904、マルチプレクサ906、転送回路908および制御回路910が形成される。複数のAD変換器904は、複数の増幅器902にそれぞれ接続される。接続は貫通電極564によって行われる。
制御用半導体チップ606は、複数の増幅器902の出力を複数のAD変換器904でそれぞれディジタル信号に変換し、それらをマルチプレクサ906でマルチプレクスして転送回路908を通じて出力する。このようなAD変換器904、マルチプレクサ906および転送回路908の動作が制御回路910で制御される。
このように、X線検出器150は、DASのフロントエンド部分を取り込んで一体化したものとなっている。取り込まれたフロントエンド部分は、その上にフォトダイオードアレイ504がスタックアップ可能な半導体集積回路となっており、かつ、複数の個別フロントエンド回路562が、フォトダイオードアレイ504における複数のフォトダイオード542の配列に合わせて配列されているので、フォトダイオード542と個別フロントエンド回路562を、対応するもの同士でそれぞれ直結することができる。
そして、セルごとの検出信号はX線検出器150内で個々に増幅およびAD変換され、それらがマルチプレクスされて出力されるので、出力信号線は検出セルの数に比してはるかに少ないものとなる。したがって、信号線やコネクタ等に関する費用の増加は生じない。また、微弱な信号であるフォトダイオードの検出信号を外部に取り出す必要がないので、ノイズ(noise)低減にも大きな効果がある。
発明を実施するための最良の形態の一例のX線CT装置の構成を示す図である。 発明を実施するための最良の形態の一例のX線CT装置の構成を示す図である。 X線照射・検出装置の構成を示す図である。 X線検出器のX線入射面の構成を示す図である。 X線検出器の構成を示す図である。 シンチレータアレイの構成を示す図である。 フォトダイオードアレイの構成を示す図である。 フロントエンド用半導体チップの構成を示す図である。 フロントエンド用半導体チップにおける電気回路のブロック図である。 X線検出器の構成を示す図である。 フロントエンド用半導体チップと制御用半導体チップにおける電気回路のブロック図である。
符号の説明
10 : 被検体
100 : ガントリ
110 :X線照射・検出装置
130 : X線管
132 : 焦点
134 : X線
150 : X線検出器
152 : X線入射面
154 : 検出セル
200 : テーブル
202 : 天板
204 : クレードル
206 : 支柱
208 : ベース
300 : オペレータコンソール
502 : 支持板
504 : フォトダイオードアレイ
506 : シンチレータアレイ
542 : フォトダイオード
522 : シンチレータ素子
524 : 隔壁
540 : N型半導体基板
542 : フォトダイオード
560 : 半導体基板
562 : 個別フロントエンド回路
564 : 貫通電極
606 : 制御用半導体チップ
902 : 増幅器
904 : AD変換器
906 : マルチプレクサ
908 : 転送回路
910 : 制御回路

Claims (12)

  1. X線をシンチレータで光に変換してフォトダイオードで検出するX線検出器であって、
    複数のシンチレータ素子が配列されたシンチレータアレイと、
    複数のフォトダイオードが前記複数のシンチレータ素子の光をそれぞれ受光するように前記複数のシンチレータ素子に合わせて配列されたフォトダイオードアレイと、
    複数の個別フロントエンド回路が前記複数のフォトダイオードの検出信号をそれぞれ取り込むように前記複数のフォトダイオードに合わせて配列されたフロントエンド用半導体チップと
    を具備し、前記フロントエンド用半導体チップ、前記フォトダイオードアレイおよび前記シンチレータアレイが順次積層されていることを特徴とするX線検出器。
  2. 前記個別フロントエンド回路は増幅器を有する
    ことを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。
  3. 前記フロントエンド用半導体チップはAD変換器を有する
    ことを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。
  4. 前記フロントエンド用半導体チップが積み重ねられ、制御回路が形成された制御用半導体チップ
    を具備することを特徴とする請求項1に記載のX線検出器。
  5. 前記フロントエンド用半導体チップは貫通電極を有する
    ことを特徴とする請求項4に記載のX線検出器。
  6. 前記制御用半導体チップはAD変換器を有する
    ことを特徴とする請求項4に記載のX線検出器。
  7. 互いに対向するX線源とX線検出器で被検体をスキャンして投影データを収集しこの投影データに基づいて画像を再構成するX線CT装置であって、
    前記X線検出器は、X線をシンチレータで光に変換してフォトダイオードで検出するX線検出器であり、
    複数のシンチレータ素子が配列されたシンチレータアレイと、
    前記シンチレータアレイが積み重ねられ、複数のフォトダイオードが前記複数のシンチレータ素子の光をそれぞれ受光するように前記複数のシンチレータ素子に合わせて配列されたフォトダイオードアレイと、
    前記フォトダイオードアレイが積み重ねられ、複数の個別フロントエンド回路が前記複数のフォトダイオードの検出信号をそれぞれ取り込むように前記複数のフォトダイオードに合わせて配列されたフロントエンド用半導体チップと
    を具備することを特徴とするX線CT装置。
  8. 前記個別フロントエンド回路は増幅器を有する
    ことを特徴とする請求項7に記載のX線CT装置。
  9. 前記フロントエンド用半導体チップはAD変換器を有する
    ことを特徴とする請求項7に記載のX線CT装置。
  10. 前記フロントエンド用半導体チップが積み重ねられ、制御回路が形成された制御用半導体チップ
    を具備することを特徴とする請求項7に記載のX線CT装置。
  11. 前記フロントエンド用半導体チップは、貫通電極を有する
    ことを特徴とする請求項10に記載のX線CT装置。
  12. 前記制御用半導体チップはAD変換器を有する
    ことを特徴とする請求項10に記載のX線CT装置。
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