JP5353886B2 - 放射線シンチレータおよび放射線画像検出器 - Google Patents
放射線シンチレータおよび放射線画像検出器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5353886B2 JP5353886B2 JP2010520791A JP2010520791A JP5353886B2 JP 5353886 B2 JP5353886 B2 JP 5353886B2 JP 2010520791 A JP2010520791 A JP 2010520791A JP 2010520791 A JP2010520791 A JP 2010520791A JP 5353886 B2 JP5353886 B2 JP 5353886B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scintillator
- radiation
- layer
- phosphor
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
- C09K11/626—Halogenides
- C09K11/628—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
- G21K2004/06—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens with a phosphor layer
Description
2 中間層
3 反射層
4 保護層
5 シンチレータ層
6 耐湿保護層
10 放射線シンチレータ
61 蒸着装置
62 真空容器
63a、63b 蒸発源(被充填部材)
64 ホルダ
65 回転機構
66 真空ポンプ
67 支持体回転軸
68 シャッター
100 放射線画像検出器
シンチレータ層(「蛍光体層」ともいう。)は、放射線の照射により、蛍光を発するシンチレータから成る層である。
変動係数は、膜厚分布と同様に蛍光体層における蛍光体の膜厚のばらつきの程度を示す指標値となるものである。変動係数は、放射線シンチレータ上で縦、横を10分割し生成した100区画の中心で蛍光体層の膜厚を測定し、各測定点における膜厚の平均膜厚Dav、(5回の測定の平均値)、その平均膜厚の標準偏差Ddevを求めて、下記式(2)により算出した値である。
本発明の放射線シンチレータは、基板上に設けられた反射層と、反射層上に設けられた保護層を有することが好ましい。十分な保存特性が得られ、かつ光の散乱が抑えられる点から、前記保護層の厚みは0.2〜5.0μmであるのが好ましく、0.5〜4.0μmがより好ましく、0.7〜3.5μmであるのが特に好ましい。
本発明に係る基板は、放射線透過性であり、シンチレータ層を担持可能な板状体であり、各種のガラス、高分子材料、金属等を用いることができる。
反射層は、シンチレータ層のシンチレータから発した光を反射して、光の取り出し効率を高めるためのものである。当該反射層は、Al、Ag、Cr、Cu、Ni、Ti、Mg、Rh、Pt及びAuからなる元素群の中から選ばれるいずれかの元素を含む材料により形成されることが好ましい。特に、上記の元素からなる金属薄膜、例えば、Ag膜、Al膜などを用いることが好ましい。また、このような金属薄膜を2層以上形成するようにしても良い。金属薄膜を2層以上とする場合は、下層をCrを含む層とすることが基板との接着性を向上させる点から好ましい。また、金属薄膜上にSiO2、TiO2等の金属酸化物からなる層をこの順に設けてさらに反射率を向上させても良い。
本発明においては、基板と保護層の間に中間層を有してもよい。中間層としては、樹脂を含有する層であることが好ましい。樹脂としては、具体的には、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルアセタール、ポリエステル、セルロース誘導体(ニトロセルロース等)、ポリイミド、ポリアミド、ポリパラキシリレン、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられる。なかでもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロース、ポリイミド、ポリパラキシリレンを使用することが好ましい。
本発明に係る耐湿性保護層は、シンチレータ層の保護を主眼とするものであり、放射線シンチレータは、耐湿性保護層を有することが好ましい。即ち、ヨウ化セシウム(CsI)は、吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまうため、これを防止することを主眼とする。
本発明の放射線シンチレータを作製する作製方法の典型的例について、図を参照しながら説明する。なお、図1は、放射線シンチレータ10の概略構成を示す断面図である。図2は、放射線シンチレータ10の拡大断面図である。図3は、放射線シンチレータの蒸着装置61の概略構成を示す図面である。
以下、蒸着装置について、図3を参照しながら説明する。図3に示すように、放射線シンチレータの蒸着装置61は真空容器62を備えており、真空容器62には真空容器62の内部の排気及び大気の導入を行う真空ポンプ66が備えられている。
次に、本発明に係る放射線シンチレータ10の作製方法について説明する。
基板1の一方の表面に中間層2を押し出し塗布により形成することができる。なお中間層の表面性やヤング率を制御するために必要に応じてマット剤やフィラーを添加しても良い。
基板1の中間層2が設けられた面に、反射層3としての金属薄膜(Al膜、Ag膜等)をスパッタ法により形成する。また高分子フィルム上にAl膜をスパッタ蒸着したフィルムは、各種の品種が市場で流通しており、これらを使用することも可能である。
保護層4は、上記の有機溶剤に着色剤及び有機樹脂を分散・溶解した組成物を塗布、乾燥して形成する。
上記のように、中間層2、反射層3、保護層4を設けた基板1をホルダ64に取り付けるとともに、蒸発源63にヨウ化セシウムとヨウ化タリウムとを含む粉末状の混合物を充填する(準備工程)。この場合、蒸発源63と基板1との間隔を100〜1500mmに設定し、その設定値の範囲内のままで後述の蒸着工程の処理をおこなうのが好ましい。
耐湿保護層6は、シンチレータ層上に上記の有機溶剤に有機樹脂を分散・溶解した組成物を塗布、乾燥して形成することが好ましい。前記組成物には必要に応じて着色剤やマット剤を添加しても良い。また支持体(PET、PEN、アラミド等)上に有機樹脂を分散・溶解した組成物を塗布、乾燥して形成した封止フィルムでシンチレータ層を封止しても良い。
以下に、上記放射線シンチレータ10の一適用例として、図4及び図5を参照しながら、当該シンチレータプレート10を具備した放射線画像検出器100の構成について説明する。なお、図4は放射線画像検出器100の概略構成を示す一部破断斜視図である。また、図5は撮像パネル51の拡大断面図である。
(反射層の作製)
厚さ125μmのポリイミドフィルム(宇部興産製UPILEX−125S)にアルミニウムをスパッタして反射層(0.02μm)を形成した。
バイロン200(東洋紡社製:ポリエステル樹脂 Tg:67℃) 100質量部
ヘキサメチレンジイソシアナート 3質量部
フタロシアニンブルー 0.1質量部
メチルエチルケトン(MEK) 100質量部
トルエン 100質量部
上記処方を混合し、ビーズミルにて15時間分散し、保護層塗設用の塗布液を得た。
支持体回転機構を備えた支持体ホルダに反射層と保護層を設けた前記支持体を設置した。次に、上記蛍光体原料を蒸着材料として蒸発源るつぼに充填し、8個の蒸発源るつぼを真空容器の内部の底面付近であって、支持体に垂直な中心線を中心とした円の円周上に配置した。このとき、支持体と蒸発源との間隔を450mmに調節すると共に、支持体に垂直な中心線と蒸発源との間隔を300mmに調節した。さらに、8個の遮蔽板を、蒸発源と支持体のうち蒸発源に対向する面の中心点とを結ぶ線分上に、遮蔽板の上端部分が接する高さ及び位置となるように配置し、蛍光体が支持体に蒸着する際の入射角の範囲を制限するようにした。次に、4個の蒸発源るつぼを真空容器の内部の底面付近であって、支持体に垂直な中心線を中心とした円の円周上に配置した。このとき、支持体と蒸発源との間隔を450mmに調節すると共に、支持体に垂直な中心線と蒸発源との間隔を150mmに調節した。さらに真空容器の内部の底面付近であって、支持体に垂直な中心線を中心とした円の中心に1個の蒸発源るつぼを配置した。続いて真空容器の内部を一旦排気し、Arガスを導入して0.02Paに真空度を調整した後、10rpmの速度で支持体を回転させながら支持体の温度を50℃に保持した。次いで、抵抗加熱によりるつぼ内を所定の温度に上昇させて蛍光体を蒸着開始したのち基板温度を200℃まで上昇させ、蛍光体層の膜厚が450μmとなったところで蒸着を終了させた。
試料101の作製において、蒸着時の真空度、基板温度、シンチレータ層の膜厚、充填率を表1に示すように変更したこと以外は試料101と同様にして作製した。
試料102、107の作製において、支持体に垂直な中心線と蒸発源との間隔が150mmの円周上に配置された4個の蒸発源るつぼを用いなかったこと以外は試料102、107と同様にして作製した。
試料102、107の作製において、支持体に垂直な中心線と蒸発源との間隔が150mmの円周上に配置された4個の蒸発源るつぼを用いなかったこと、及び支持体に垂直な中心線を中心とした円の中心に配置された1個の蒸発源るつぼを用いなかったこと以外は試料102、107と同様にして作製した。
試料102、107の作製において、支持体に垂直な中心線と蒸発源との間隔が300mmの円周上に配置された8個の蒸発源るつぼを用いなかったこと、及び支持体に垂直な中心線と蒸発源との間隔が150mmの円周上に配置された4個の蒸発源るつぼを用いなかったこと以外は試料102、107と同様にして作製した。
《膜厚分布》
膜厚分布は、放射線シンチレータ上で縦、横を10分割し生成した100区画の中心で蛍光体層の膜厚を測定することで得られる最大膜厚DMax及び最小膜厚Dminより、上記式(1)により算出した。
変動係数は、放射線シンチレータ上で縦、横を10分割し生成した100区画の中心で蛍光体層の膜厚を測定し、各測定点における膜厚の平均膜厚Dav、(5回の測定の平均値)、その平均膜厚の標準偏差Ddevを求めて、上記式(2)により算出した。
放射線画像検出器に対して20cm離れた高さ位置から500gの鉄球を落下させた後、放射線画像検出器について目視評価した。その後、管電圧80kVpのX線を支持体の裏面側から照射し得られたFPD上の画像を出力装置よりプリントアウトし、得られたプリント画像を目視にて以下に示す基準にしたがって耐衝撃性の評価を行った。表1にその結果を示す。評価は0.5ランク刻みで行った。
5:ひび割れがなく、また、均一な画像である。
4:ひび割れがなく、画質的にほとんど気にならないレベルである。
3:ひび割れが見られ、画欠が確認されるが、実用上許容できるレベルである。
2:ひび割れが見られ、明らかな画欠が認められ、実用上問題が発生するレベルである。1:ひび割れが多数見られ、画欠が多く、実用上問題が発生するレベルである。
鉛製のMTFチャートを通して管電圧80kVpのX線をFPDの放射線入射面側に照射し、画像データを検出しハードディスクに記録した。その後、ハードディスク上の記録をコンピュータで分析して当該ハードディスクに記録されたX線像の変調伝達関数MTF(空間周波数1サイクル/mmにおけるMTF値)を鮮鋭性の指標とした。表中、MTF値が高いほど鮮鋭性に優れていることを示す。MTFはModulation Transfer Functionの略号を示す。
電圧80kVpのX線を試料の裏面(シンチレータ層が形成されていない面)から照射し、画像データをシンチレータを配置したFPDで検出し、画像の平均シグナル値を発光輝度とした。
フォトダイオードとTFT素子を有する光電変換パネル上に保護層を介して気相堆積法により試料101〜122で用いたシンチレータ層と同様のシンチレータ層を形成した後、反射層を形成し、その後、全体をアルミを蒸着することで形成された封止フィルムにより封止することで作製された放射線画像検出器の場合においても、実施例1の場合と同様、シンチレータ層の膜厚、充填率、膜厚分布、膜厚の変動係数を本発明の範囲とすることで輝度、鮮鋭性の劣化が少なく耐衝撃性に優れる放射線画像検出器が得られることが確認された。
Claims (5)
- 基板上に、気相堆積法により形成された蛍光体を含むシンチレータ層を有し、該シンチレータ層の膜厚が120〜470μmであり、シンチレータ層における蛍光体の充填率が75〜90質量%であり、かつシンチレータ層の膜厚分布が20%以下であることを特徴とする放射線シンチレータ。
- 基板上に、気相堆積法により形成された蛍光体を含むシンチレータ層を有し、該シンチレータ層の膜厚が120〜470μmであり、シンチレータ層における蛍光体の充填率が75〜90質量%であり、かつシンチレータ層の膜厚の変動係数が20%以下であることを特徴とする放射線シンチレータ。
- 前記蛍光体がセシウムハライド系蛍光体であることを特徴とする請求項1又は2に記載の放射線シンチレータ。
- 前記蛍光体が賦活剤としてタリウムを含有することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の放射線シンチレータ。
- 請求項1から4のいずれか1項に記載の放射線シンチレータにより放射線を可視光に変換する入力手段と、前記放射線シンチレータで変換される可視光に基づいて画像情報を出力する出力手段とを具備していることを特徴とする放射線画像検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010520791A JP5353886B2 (ja) | 2008-07-18 | 2009-03-06 | 放射線シンチレータおよび放射線画像検出器 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008186829 | 2008-07-18 | ||
JP2008186829 | 2008-07-18 | ||
PCT/JP2009/054292 WO2010007807A1 (ja) | 2008-07-18 | 2009-03-06 | 放射線シンチレータおよび放射線画像検出器 |
JP2010520791A JP5353886B2 (ja) | 2008-07-18 | 2009-03-06 | 放射線シンチレータおよび放射線画像検出器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010007807A1 JPWO2010007807A1 (ja) | 2012-01-05 |
JP5353886B2 true JP5353886B2 (ja) | 2013-11-27 |
Family
ID=41550216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010520791A Active JP5353886B2 (ja) | 2008-07-18 | 2009-03-06 | 放射線シンチレータおよび放射線画像検出器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8461536B2 (ja) |
JP (1) | JP5353886B2 (ja) |
WO (1) | WO2010007807A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10608034B2 (en) | 2009-12-26 | 2020-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup apparatus and image pickup system |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8368025B2 (en) * | 2008-08-28 | 2013-02-05 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Radiation image conversion panel and production method thereof |
US8723127B2 (en) * | 2009-03-13 | 2014-05-13 | Konica Minolta Business Technologies, Inc. | Radiation detector |
JP2012173128A (ja) * | 2011-02-21 | 2012-09-10 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出装置及び放射線撮影装置 |
JP5826576B2 (ja) * | 2011-09-27 | 2015-12-02 | 株式会社東芝 | 放射線検出部材の製造方法 |
JP6430097B2 (ja) * | 2011-10-03 | 2018-11-28 | 株式会社東芝 | コンプトン散乱x線検出器用増感紙、x線検出器、およびx線検査装置 |
DE102012210487B3 (de) * | 2012-06-21 | 2013-12-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Szintillatorplatte und Verfahren zur Herstellung einer Szintillatorplatte |
US9063238B2 (en) * | 2012-08-08 | 2015-06-23 | General Electric Company | Complementary metal-oxide-semiconductor X-ray detector |
JP2015130486A (ja) * | 2013-12-05 | 2015-07-16 | キヤノン株式会社 | 金属ハライド層を備える構造体、放射線検出素子、放射線検出器及び該構造体の製造方法 |
WO2016076824A1 (en) | 2014-11-10 | 2016-05-19 | Halliburton Energy Services, Inc. | Energy detection apparatus, methods, and systems |
JP6611511B2 (ja) * | 2015-08-06 | 2019-11-27 | キヤノン株式会社 | シンチレータの製造方法 |
JP6242954B1 (ja) | 2016-07-11 | 2017-12-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
KR102432252B1 (ko) * | 2017-06-13 | 2022-08-16 | 삼성전자주식회사 | 엑스선 검출기, 이를 포함한 엑스선 촬영 장치 및 그 제조 방법 |
JP6433561B1 (ja) * | 2017-09-27 | 2018-12-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | シンチレータパネル及び放射線検出器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005091143A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法 |
JP2006058099A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Toshiba Corp | 放射線シンチレータおよび放射線画像検出器 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5435060B2 (ja) | 1972-01-19 | 1979-10-31 | ||
JPS5179593A (en) | 1975-01-06 | 1976-07-10 | Dainippon Toryo Kk | Zokanshi |
NL8600696A (nl) | 1986-03-19 | 1987-10-16 | Philips Nv | Stralings conversie scherm. |
JPS63215987A (ja) | 1987-03-04 | 1988-09-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 高解像シンチレ−シヨンフアイバ−プレ−ト |
JP2917269B2 (ja) | 1992-09-22 | 1999-07-12 | 日立金属株式会社 | X線ct用シンチレータ材料 |
JPH11500857A (ja) | 1995-06-27 | 1999-01-19 | フィリップス エレクトロニクス エヌ ベー | X線検出器 |
JP3405706B2 (ja) | 1997-02-14 | 2003-05-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出素子 |
AU4168199A (en) | 1998-06-18 | 2000-01-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel, radiation image sensor, and method for producing the same |
WO1999066345A1 (fr) | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Panneau de scintillateur et capteur d'image de rayonnement |
JP3987287B2 (ja) | 2001-01-24 | 2007-10-03 | 富士フイルム株式会社 | 放射線像変換パネル |
JP2003050298A (ja) | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネルおよびその製造方法 |
JP2004071434A (ja) | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Konica Minolta Holdings Inc | プラズマディスプレイパネル |
JP4607587B2 (ja) | 2002-09-26 | 2011-01-05 | 株式会社東芝 | 放射線検出器用蛍光体シートおよびそれを用いた放射線検出器と放射線検査装置 |
JP2005091140A (ja) | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法 |
EP2405448B1 (en) | 2003-09-17 | 2013-12-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Radiographic image conversion panel and production method thereof |
EP1516905A3 (en) | 2003-09-22 | 2005-06-08 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Radiation image conversion panel and preparation method thereof |
JP4333304B2 (ja) | 2003-09-22 | 2009-09-16 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線像変換パネル及び放射線像変換パネルの製造方法 |
US7315027B2 (en) | 2003-10-22 | 2008-01-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detection device, scintillator panel, method of making the same, making apparatus, and radiation image pick-up system |
US7612342B1 (en) * | 2005-09-27 | 2009-11-03 | Radiation Monitoring Devices, Inc. | Very bright scintillators |
US7446323B2 (en) | 2005-09-30 | 2008-11-04 | Agfa-Gevaert | Radiation image storage panel suitable for use in mammographic applications |
JP5089195B2 (ja) | 2006-03-02 | 2012-12-05 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、シンチレータパネル、放射線検出システム及び放射線検出装置の製造方法 |
JP4670955B2 (ja) | 2006-08-08 | 2011-04-13 | コニカミノルタエムジー株式会社 | フラットパネルディテクター |
JP2008107133A (ja) | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像検出器及び放射線画像検出器の作製方法 |
JP4894453B2 (ja) | 2006-10-25 | 2012-03-14 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線画像検出器 |
JP2008107222A (ja) | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | シンチレータパネル |
JP5239866B2 (ja) | 2006-10-30 | 2013-07-17 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線フラットパネルディテクター |
JP4095648B2 (ja) | 2006-11-06 | 2008-06-04 | 株式会社東芝 | 放射線増感紙の製造方法 |
JP5050572B2 (ja) | 2007-03-05 | 2012-10-17 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線画像検出器 |
JPWO2008111379A1 (ja) | 2007-03-13 | 2010-06-24 | コニカミノルタエムジー株式会社 | シンチレータパネル及び放射線フラットパネルディテクター |
JP5240187B2 (ja) | 2007-03-23 | 2013-07-17 | コニカミノルタエムジー株式会社 | シンチレータパネルとその製造方法 |
JP2009258056A (ja) | 2008-04-21 | 2009-11-05 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線像変換パネル |
US8368025B2 (en) | 2008-08-28 | 2013-02-05 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Radiation image conversion panel and production method thereof |
-
2009
- 2009-03-06 JP JP2010520791A patent/JP5353886B2/ja active Active
- 2009-03-06 US US12/934,061 patent/US8461536B2/en active Active
- 2009-03-06 WO PCT/JP2009/054292 patent/WO2010007807A1/ja active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005091143A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法 |
JP2006058099A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Toshiba Corp | 放射線シンチレータおよび放射線画像検出器 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10608034B2 (en) | 2009-12-26 | 2020-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup apparatus and image pickup system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010007807A1 (ja) | 2010-01-21 |
JPWO2010007807A1 (ja) | 2012-01-05 |
US8461536B2 (en) | 2013-06-11 |
US20110017912A1 (en) | 2011-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5353886B2 (ja) | 放射線シンチレータおよび放射線画像検出器 | |
JP4725533B2 (ja) | シンチレータパネル | |
WO2010103917A1 (ja) | 放射線検出装置 | |
JP2008107222A (ja) | シンチレータパネル | |
JP5369979B2 (ja) | 放射線画像検出装置 | |
JP5720566B2 (ja) | シンチレータパネル、シンチレータパネルの製造方法、放射線画像検出器および放射線画像検出器の製造方法 | |
JP5668776B2 (ja) | シンチレータパネルとその製造方法 | |
JP5343970B2 (ja) | 放射線画像検出装置 | |
WO2010050358A1 (ja) | シンチレータパネル、放射線検出装置及びそれらの製造方法 | |
JP5402933B2 (ja) | 放射線画像変換パネル及びその製造方法 | |
JP5889531B2 (ja) | シンチレータパネルの製造方法 | |
JP2010127628A (ja) | シンチレータパネルおよび放射線検出装置 | |
JP2008107279A (ja) | シンチレータパネル | |
WO2010026789A1 (ja) | 放射線シンチレータおよび放射線画像検出器 | |
JP5577644B2 (ja) | 放射線画像検出装置およびその製造方法 | |
JP5353884B2 (ja) | シンチレータパネル及び放射線画像検出器 | |
JP5267458B2 (ja) | シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ | |
JP5347967B2 (ja) | シンチレータプレート | |
JP5369906B2 (ja) | 放射線像変換パネル、及び放射線像検出装置 | |
WO2010032504A1 (ja) | 放射線画像変換パネルとその製造方法 | |
JPWO2011086987A1 (ja) | 放射線画像検出器とその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121030 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121221 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20130417 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130730 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130812 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5353886 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |