JP5343970B2 - 放射線画像検出装置 - Google Patents

Description

本発明は、被写体の放射線画像を形成する際に用いられる放射線画像検出装置に関する。

従来、Ｘ線画像のような放射線画像は、医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−フィルム系による放射線画像は、長い歴史のなかで高感度化と高画質化が図られた結果、高い信頼性と優れたコストパフォーマンスを併せ持った撮像システムとして、今なお、世界中の医療現場で用いられている。しかしながらこれら画像情報はいわゆるアナログ画像情報であって、近年発展を続けているデジタル画像情報のような、自由な画像処理や瞬時の電送が出来ない。

そして、近年ではコンピューテッドラジオグラフィ（ｃｏｍｐｕｔｅｄ ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ：ＣＲ）やフラットパネル型の放射線ディテクタ（ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｅｔｅｃｔｏｒ：ＦＰＤ）等に代表されるデジタル方式の放射線画像検出装置が登場している。これらは、デジタルの放射線画像が直接得られ、陰極管や液晶パネル等の画像表示装置に画像を直接表示することが可能なので、必ずしも写真フィルム上への画像形成が必要なものではない。その結果、これらのデジタル方式のＸ線画像検出装置は、銀塩写真方式による画像形成の必要性を低減させ、病院や診療所での診断作業の利便性を大幅に向上させている。

Ｘ線画像のデジタル技術の一つとしてコンピューテッド・ラジオグラフィ（ＣＲ）が現在医療現場で受け入れられている。しかしながら、鮮鋭性が十分でなく空間分解能も不十分であり、スクリーン・フィルムシステムの画質レベルには到達していない。そして、更に新たなデジタルＸ線画像技術として、例えば雑誌Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｔｏｄａｙ，１９９７年１１月号２４頁のジョン・ローランズ論文“Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｕｓｈｅｒ ｉｎ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｘ−ｒａｙ Ｉｍａｇｉｎｇ”や、雑誌ＳＰＩＥの１９９７年３２巻２頁のエル・イー・アントヌクの論文“Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｆ ａ Ｈｉｇｈ Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ，Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ，Ｆｌａｔ−Ｐａｎｅｌ Ｉｍａｇｅｒ ｗｉｔｈ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ”等に記載された、光電変換パネルに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた放射線画像検出装置（ＦＰＤ）が開発されている。

ＦＰＤで高品質の画像を得るためには、シンチレータと光電変換パネルを密着させることが重要であり、各種技術が公開されている。その中でも特許文献１開示されているような減圧下でシンチレータを接着させる技術は、各部材との物理的な接触がなく、シンチレータを圧着させることが出来るため、各部材への圧力という点で有利である。しかしこの方法では、シンチレータと光電変換パネルの間に接着剤が存在するため両者の密着度を十分に高めることは出来なかった。
特開２００７−２８５７０９号公報

本発明は、上記問題・状況に鑑みなされたものであり、その解決課題は、シンチレータパネルと光電変換パネルの密着性を改良し、シンチレータの耐湿性の向上及び放射線画像の鮮鋭性等の画質の向上が図られた放射線画像検出装置を提供することである。

本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。

１．基板上に蛍光体層を有するシンチレータパネルと光電変換パネルとを具備した放射線画像検出装置であって、当該光電変換パネルと対向基材との間に、当該シンチレータパネルが保持され、当該光電変換パネルの周辺部及び対向基材の周辺部が接着剤にて接着され、当該光電変換パネルと対向基材との間の空間の気体の圧力が、大気圧よりも低いことを特徴とする放射線画像検出装置。

２．前記対向基材とシンチレータパネルが貼合されており、当該シンチレータパネルが光電変換パネルに減圧により密着していることを特徴とする前記１に記載の放射線画像検出装置。

３．前記周辺部の接着剤部分の透湿度が、温度４０℃・相対湿度９０％下で、３０ｇ／ｍ^２／μｍ以下であることを特徴とする前記１又は２に記載の放射線画像検出装置。

４．前記シンチレータパネルの基板が、可撓性を有することを特徴とする前記１〜３のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。

５．前記蛍光体層が、光電変換パネルに直接密着していることを特徴とする前記１〜４のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。

６．前記蛍光体層が、気相法により堆積形成されたことを特徴とする前記１〜５のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。

７．前記蛍光体層が、ヨウ化セシウムとタリウムを含む添加剤を原材料として形成されたことを特徴とする前記１〜６のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。

本発明の上記手段により、シンチレータパネルと光電変換パネルの密着性を改良し、シンチレータの耐湿性の向上及び放射線画像の鮮鋭性等の画質の向上が図られた放射線画像検出装置を提供することができる。

シンチレータと光電変換パネルを密着する方法；（ａ）シンチレータパネルが保護層を有せず、直接光電変換パネルと密着している例、（ｂ）シンチレータパネルが、樹脂フィルムからなる保護層で覆われている例、（ｃ）シンチレータパネル１２が、ポリパラキシリレン膜（「パリレン膜」ともいう。）で覆われている例 本発明の放射線画像検出装置の構成の一部の斜視図（ａ）と断面図（ｂ） 蒸着装置の概略構成図 放射線画像検出装置における光電変換パネルの概略構成図 放射線画像検装置の概略構成を示す一部破断斜視図 撮像パネル５１の拡大断面図

符号の説明

１０，１２ シンチレータパネル
１３ 受光素子（光電変換パネル）
１４ 筐体
１５ 保護カバー
２１ 発泡材層
３１ 対向基材
３２ 接着剤
４１ 密閉減圧空間
１２１ 基板
１２２ 蛍光体層
１２３ 保護層
１２４ ポリパラキシリレン膜
９６１ 蒸着装置
９６２ 真空容器
９６３ ボート（被充填部材）
９６４ ホルダ
９６５ 回転機構
９６６ 真空ポンプ
１ａ 光電変換素子部
２ａ 接着剤
３ａ 基台
４ａ 光電変換パネル
５ａ シンチレータ
６ａ バンプ
７ａ 基板
８ａ 孔
９ａ 封止材
１００ 放射線画像検出装置

本発明の放射線画像検出装置は、基板上に蛍光体層を有するシンチレータパネルと光電変換パネルとを具備した放射線画像検出装置であって、当該光電変換パネルと対向基材との間に、当該シンチレータパネルが保持され、当該光電変換パネルの周辺部及び対向基材の周辺部が接着剤にて接着され、当該光電変換パネルと対向基材との間の空間の気体の圧力が、大気圧よりも低いことを特徴とする。この特徴は、請求の範囲第１項から第６項に係る発明に共通する技術的特徴である。

本発明の実施態様としては、前記対向基材とシンチレータパネルが、貼合されており、当該シンチレータパネルが、光電変換パネルに減圧により密着している態様であることが好ましい。ここで、光電変換パネルと対向基材との間の空間の気体の圧力は、１００〜９０００Ｐａであることが好ましく、１００〜６０００Ｐａであることがより好ましい。なお、前記シンチレータパネルは光電変換パネルと対向基材との間に挿入されることにより保持されることが、取り扱い性が優れる点から好ましい。

また、前記周辺部の接着剤部分の透湿度が、温度４０℃・相対湿度９０％下で、３０ｇ／ｍ^２／μｍ以下であることが好ましい。更には、シンチレータパネルの基板が、可撓性を有するであることが好ましい。

本発明に係る蛍光体層は、光電変換パネルに直接密着している態様であることが好ましい。また、当該蛍光体層は、気相法により堆積形成されたものであることが好ましい。また、ヨウ化セシウムとタリウムを含む添加剤を原材料として形成されたものであることが好ましい。

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための最良の形態・態様について詳細な説明をする。

（本発明の放射線画像検出装置の構成と特徴）
本発明の放射線画像検出装置の上記特徴等について、図を参照しながら、更に詳細な説明をする。

図１は、シンチレータと光電変換パネルを密閉し、減圧することで密着する方法の例の概念図であり、光電変換パネル１３の周縁部の接着剤３２を介してシンチレータパネル１２の基板１２１側に放射線透過性の対向基材３１が配置され、シンチレータパネルと光電変換パネルに密閉空間４１を形成している。本構成においては密閉空間４１を減圧することで、シンチレータパネルと光電変換パネルを密着している。光電変換パネル１３に対するシンチレータパネル１２の密着圧力は密閉空間４１の減圧度により調整する。

図１（ａ）は、保護層を有しないシンチレータパネルが密着している例である。対向基材のシンチレータパネルと反対側の面には、緩衝材が設けられ、衝撃によるシンチレータパネルのダメージやズレを防止している。使用される緩衝材としては、例えば、放射線の吸収が少ないシリコン系、ウレタン系、ポリエチレン系又はポリプロピレン系の発泡材を挙げることができる。

図１（ｂ）は、上記（ａ）の例において、シンチレータパネル１２が、樹脂フィルムからなる保護層１２３で覆われている例である。

図１（ｃ）は、上記（ａ）の例において、シンチレータパネル１２が、保護層として、ＣＶＤ法により形成されたポリパラキシリレン膜（「パリレン膜」ともいう。）１２４で覆われている例である。

図２は、本発明の放射線画像検出装置の構成の一部の斜視図（ａ）と断面図（ｂ）である。

（シンチレータパネルの構成）
本発明に係るシンチレータパネルは、高分子フィルム基板上に柱状結晶からなる蛍光体層を設けて成るシンチレータパネルが好ましく、基板と蛍光体層の間に下引層を有する態様がより好ましい。また基板上に反射層を設け、反射層、下引層、及び蛍光体層の構成であってもよい。

以下、各構成層及び構成要素等について説明する。

（蛍光体層：シンチレータ層）
本発明に係る蛍光体層を形成する材料としては、種々の公知の蛍光体材料を使用することができるが、Ｘ線から可視光に対する変更率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成出来るため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、蛍光体層の厚さを厚くすることが可能であることから、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）が好ましい。

但し、ＣｓＩのみでは発光効率が低いために、各種の賦活剤が添加される。例えば、特公昭５４−３５０６０号公報の如く、ＣｓＩとヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）を任意のモル比で混合したものが挙げられる。また、例えば特開２００１−５９８９９号公報に開示されているようなＣｓＩを蒸着で、タリウム（Ｔｌ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、インジウム（Ｉｎ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ナトリウム（Ｎａ）などの賦活物質を含有するＣｓＩが好ましい。本発明においては、特に、タリウム（Ｔｌ）、ユウロピウム（Ｅｕ）が好ましい。更に、タリウム（Ｔｌ）が好ましい。

なお、本発明においては、特に、１種類以上のタリウム化合物を含む添加剤とヨウ化セシウムとを原材料とすることが好ましい。すなわち、タリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）は４００ｎｍから７５０ｎｍまでの広い発光波長をもつことから好ましい。

本発明に係る１種類以上のタリウム化合物を含有する添加剤のタリウム化合物としては、種々のタリウム化合物（＋Ｉと＋IIIの酸化数の化合物）を使用することができる。

本発明において、好ましいタリウム化合物は、臭化タリウム（ＴｌＢｒ）、塩化タリウム（ＴｌＣｌ）、又はフッ化タリウム（ＴｌＦ，ＴｌＦ_３）等である。

また、本発明に係るタリウム化合物の融点は、４００〜７００℃の範囲内にあることが好ましい。７００℃以内を超えると、柱状結晶内での添加剤が不均一に存在してしまい、発光効率が低下する。なお、本発明での融点とは、常温常圧下における融点である。

本発明に係る蛍光体層において、当該添加剤の含有量は目的性能等に応じて、最適量にすることが望ましいが、ヨウ化セシウムの含有量に対して、０．００１ｍｏｌ％〜５０ｍｏｌ％、更に０．１〜１０．０ｍｏｌ％であることが好ましい。

ここで、ヨウ化セシウムに対し、添加剤が０．００１ｍｏｌ％以上であると、ヨウ化セシウム単独使用で得られる発光輝度の向上がみられ、目的とする発光輝度を得る点で好ましい。また、５０ｍｏｌ％以下であるとヨウ化セシウムの性質・機能を保持することができて好ましい。

なお、シンチレータ層（蛍光体層）の厚さは、１００〜８００μｍであることが好ましく、１２０〜７００μｍであることが、輝度と鮮鋭性の特性をバランスよく得られる点からより好ましい。

（基板：支持体）
本発明のシンチレータパネルは、基板（「支持体」ともいう。）として、アルミニウム、アルミニウムを主成分とする金属基板、その他金属基板、石英ガラス、プラスチック樹脂、ＣＦＲＰ、アラミド積層板を用いることができるが、高分子フィルムを用いることが好ましい。高分子フィルムとしては、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミド（ＰＩ）フィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム、炭素繊維強化樹脂シート等の高分子フィルム（プラスチックフィルム）を用いることができる。特に、ポリイミド又はポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが、ヨウ化セシウムを原材料として気相法にて蛍光体柱状結晶を形成する場合に、好適である。

なお、本発明に係る基板としての高分子フィルムは、厚さ５０〜５００μｍであること、更に可撓性を有する高分子フィルムであることが好ましい。

ここで、「可撓性を有する基板」とは、１２０℃での弾性率（Ｅ１２０）が１０００〜６０００Ｎ／ｍｍ^２である基板をいい、かかる基板としてポリイミド又はポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが好ましい。

なお、「弾性率」とは、引張試験機を用い、ＪＩＳ Ｃ ２３１８に準拠したサンプルの標線が示すひずみと、それに対応する応力が直線的な関係を示す領域において、ひずみ量に対する応力の傾きを求めたものである。これがヤング率と呼ばれる値であり、本発明では、かかるヤング率を弾性率と定義する。

本発明に用いられる基板は、上記のように１２０℃での弾性率（Ｅ１２０）が１０００Ｎ／ｍｍ^２〜６０００Ｎ／ｍｍ^２であることが好ましい。より好ましくは１２００Ｎ／ｍｍ２〜５０００Ｎ／ｍｍ^２である。

具体的には、ポリエチレンナフタレート（Ｅ１２０＝４１００Ｎ／ｍｍ^２）、ポリエチレンテレフタレート（Ｅ１２０＝１５００Ｎ／ｍｍ^２）、ポリブチレンナフタレート（Ｅ１２０＝１６００Ｎ／ｍｍ^２）、ポリカーボネート（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ^２）、シンジオタクチックポリスチレン（Ｅ１２０＝２２００Ｎ／ｍｍ^２）、ポリエーテルイミド（Ｅ１２０＝１９００Ｎ／ｍｍ^２）、ポリアリレート（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ^２）、ポリスルホン（Ｅ１２０＝１８００Ｎ／ｍｍ^２）、ポリエーテルスルホン（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ^２）等からなる高分子フィルムが挙げられる。

これらは単独で用いてもよく積層あるいは混合して用いてもよい。中でも、特に好ましい高分子フィルムとしては、上述のように、ポリイミド又はポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが好ましい。

なお、シンチレータパネルと平面受光素子面を貼り合せる際に、基板の変形や蒸着時の反りなどの影響を受け、フラットパネルデテイクタの受光面内で均一な画質特性が得られないという点に関して、該基板を、厚さ５０μｍ以上５００μｍ以下の高分子フィルムとすることでシンチレータパネルが平面受光素子面形状に合った形状に変形し、フラットパネルデテイクタの受光面全体で均一な鮮鋭性が得られる。

（反射層）
本発明においては、高分子基板上には反射層を設けることが好ましい、蛍光体（シンチレータ）から発した光を反射して、光の取り出し効率を高めるためのものである。当該反射層は、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐｔ及びＡｕからなる元素群の中から選ばれるいずれかの元素を含む材料により形成されることが好ましい。特に、上記の元素からなる金属薄膜、例えば、Ａｇ膜、Ａｌ膜などを用いることが好ましい。また、このような金属薄膜を２層以上形成するようにしても良い。金属薄膜を２層以上とする場合は、下層を、Ｃｒを含む層とすることが基板との接着性を向上させる点から好ましい。また、金属薄膜上にＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２等の金属酸化物からなる層をこの順に設けてさらに反射率を向上させても良い。

なお、反射層の厚さは、０．００５〜０．３μｍ、より好ましくは０．０１〜０．２μｍであることが、発光光取り出し効率の観点から好ましい。

（下引層）
本発明においては、基板と蛍光体層の間、又は反射層と蛍光体層の間に膜付の観点から、下引き層を設けることが好ましい。当該下引層は、高分子結合材（バインダー）、分散剤等を含有することが好ましい。なお、下引層の厚さは、鮮鋭性等の観点から、０．５〜４μｍが好ましい。

以下、下引層の構成要素について説明する。

〈高分子結合材〉
本発明に係る下引層は、溶剤に溶解又は分散した高分子結合材（以下「バインダー」ともいう。）を塗布、乾燥して形成することが好ましい。高分子結合材としては、具体的には、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、ポリエステル、セルロース誘導体（ニトロセルロース等）、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられる。なかでもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロースを使用することが好ましい。

本発明に係る高分子結合材としては、特に蛍光体層との密着の点でポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロースなどが好ましい。また、ガラス転位温度（Ｔｇ）が３０〜１００℃のポリマーであることが、蒸着結晶と基板との膜付の点で好ましい。この観点からは、特にポリエステル樹脂であることが好ましい。

下引層の調製に用いることができる溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノールなどの低級アルコール、メチレンクロライド、エチレンクロライドなどの塩素原子含有炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン、トルエン、ベンゼン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、キシレンなどの芳香族化合物、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエステル、エチレングリコールモノメチルエステルなどのエーテル及びそれらの混合物を挙げることができる。

なお、本発明に係る下引層には、蛍光体（シンチレータ）が発光する光の散乱の防止し、鮮鋭性等を向上させるために顔料や染料を含有させても良い。

（保護層）
本発明に係るシンチレータパネルは保護層を設けることができる。保護層は、蛍光体層の保護を主眼とするものである。すなわち、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）は、吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまうため、これを防止することを主眼とする。

当該保護層は、種々の材料を用いて形成することができる。例えば、ＣＶＤ法によりポリパラキシリレン膜を形成する。即ち、蛍光体（シンチレータ）及び基板の表面全体にポリパラキシリレン膜を形成し、保護層とすることができる。

また、別の態様の保護層として、蛍光体層上に高分子フィルムを設けることもできる。なお、高分子フィルムの材料としては、後述する基板材料としての高分子フィルムと同様のフィルムを用いることができる。

上記高分子フィルムの厚さは、空隙部の形成性、蛍光体層の保護性、鮮鋭性、防湿性、作業性等を考慮し、１２μｍ以上、１２０μｍ以下が好ましく、更には２０μｍ以上、８０μｍ以下が好ましい。また、ヘイズ率は、鮮鋭性、放射線画像ムラ、製造安定性及び作業性等を考慮し、３％以上、４０％以下が好ましく、更には３％以上、１０％以下が好ましい。ヘイズ率は、例えば、日本電色工業株式会社ＮＤＨ５０００Ｗにより測定できる。必要とするヘイズ率は、市販されている高分子フィルムから適宜選択し、容易に入手することが可能である。

保護フィルムの光透過率は、光電変換効率、蛍光体（シンチレータ）発光波長等を考慮し、５５０ｎｍで７０％以上あることが好ましいが、９９％以上の光透過率のフィルムは工業的に入手が困難であるため実質的に９９％〜７０％が好ましい。

保護フィルムの透湿度は、蛍光体層の保護性、潮解性等を考慮し５０ｇ／ｍ^２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳ Ｚ０２０８に準じて測定）以下が好ましく、更には１０ｇ／ｍ^２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳ Ｚ０２０８に準じて測定）以下が好ましいが、０．０１ｇ／ｍ^２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）以下の透湿度のフィルムは工業的に入手が困難であるため実質的に、０．０１ｇ／ｍ^２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）以上、５０ｇ／ｍ^２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳ Ｚ０２０８に準じて測定）以下が好ましく、更には０．１ｇ／ｍ^２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）以上、１０ｇ／ｍ^２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳ Ｚ０２０８に準じて測定）以下が好ましい。

（シンチレータパネルの作製方法）
本発明に関わるシンチレータパネルの作製方法の典型的例について、図を参照しながら説明する。

〈蒸着装置〉
図３は、蒸着装置の概略構成を示す図である。当該図において、蒸着装置９６１は箱状の真空容器９６２を有しており、真空容器９６２の内部には真空蒸着用のボート９６３が配されている。ボート９６３は蒸着源の被充填部材であり、当該ボート９６３には電極が接続されている。当該電極を通じてボート９６３に電流が流れると、ボート９６３がジュール熱で発熱するようになっている。放射線用シンチレータパネル１２の製造時においては、ヨウ化セシウムと賦活剤化合物とを含む混合物がボート９６３に充填され、そのボート９６３に電流が流れることで、上記混合物を加熱・蒸発させることができるようになっている。

なお、被充填部材として、ヒータを巻回したアルミナ製のるつぼを適用してもよいし、高融点金属製のヒータを適用してもよい。

真空容器９６２の内部であってボート９６３の直上には基板１２１を保持するホルダ６４が配されている。ホルダ９６４にはヒータ（図示略）が配されており、当該ヒータを作動させることでホルダ９６４に装着した基板１を加熱することができるようになっている。基板１２１を加熱した場合には、基板１２１の表面の吸着物を離脱・除去したり、基板１２１とその表面に形成される蛍光体層１２２との間に不純物層が形成されるのを防止したり、基板１２１とその表面に形成される蛍光体層１２２との密着性を強化したり、基板１２１の表面に形成される蛍光体層２の膜質の調整をおこなったりすることができるようになっている。

ホルダ９６４には当該ホルダ９６４を回転させる回転機構９６５が配されている。回転機構９６５は、ホルダ６４に接続された回転軸６５ａとその駆動源となるモータ（図示略）から構成されたもので、当該モータを駆動させると、回転軸９６５ａが回転してホルダ９６４をボート９６３に対向させた状態で回転させることができるようになっている。

蒸着装置９６１では、上記構成の他に、真空容器９６２に真空ポンプ９６６が配されている。真空ポンプ９６６は、真空容器９６２の内部の排気と真空容器９６２の内部へのガスの導入とをおこなうもので、当該真空ポンプ９６６を作動させることにより、真空容器９６２の内部を一定圧力のガス雰囲気下に維持することができるようになっている。

〈シンチレータパネル〉
次に、本発明に係るシンチレータパネル１２の作製方法について説明する。

当該放射線用シンチレータパネル１２の作製方法においては、上記で説明した蒸発装置９６１を好適に用いることができる。蒸発装置９６１を用いて放射線用シンチレータパネル１２を作製する方法について説明する。

《反射層の形成》
基板１の一方の表面に反射層としての金属薄膜（Ａｌ膜、Ａｇ膜等）をスパッタ法により形成する。また高分子フィルム上にＡｌ膜をスパッタ蒸着したフィルムは、各種の品種が市場で流通しており、これらを本発明の基板として使用することも可能である。

《下引層の形成》
下引層は、有機溶剤に高分子結合材を分散・溶解した組成物を塗布、乾燥して形成する。高分子結合材としては接着性、反射層の耐腐食性の観点でポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の疎水性樹脂が好ましい。

《蛍光体層の形成》
上記のように反射層と下引層を設けた基板１２１をホルダ９６４に取り付けるとともに、複数個（図示しない）のボート９６３にヨウ化セシウムとヨウ化タリウムとを含む粉末状の混合物を充填する（準備工程）。この場合、ボート９６３と基板１２１との間隔を１００〜１５００ｍｍに設定し、その設定値の範囲内のままで後述の蒸着工程の処理をおこなう。より好ましくはボート９６３と基板１２１との間隔を４００ｍｍ以上、１５００ｍｍ以下とし、複数個のボート９６３を同時に加熱し蒸着を行う。

準備工程の処理を終えたら、真空ポンプ９６６を作動させて真空容器９６２の内部を排気し、真空容器９６２の内部を０．１Ｐａ以下の真空雰囲気下にする（真空雰囲気形成工程）。ここでいう「真空雰囲気下」とは、１００Ｐａ以下の圧力雰囲気下のことを意味し、０．１Ｐａ以下の圧力雰囲気下であるのが好適である。

次にアルゴン等の不活性ガスを真空容器９６２の内部に導入し、当該真空容器９６２の内部を０．００１〜５Ｐａ、より好ましくは０．０１〜２Ｐａの真空雰囲気下に維持する。その後、ホルダ９６４のヒータと回転機構９６５のモータとを駆動させ、ホルダ９６４に取付け済みの基板１２１をボート９６３に対向させた状態で加熱しながら回転させる。蛍光体層が形成される基板１２１の温度は、蒸着開始時は室温２５〜５０℃に設定することが好ましく、蒸着中は１００〜３００℃、より好ましくは１５０〜２５０℃に設定することが好ましい。

この状態において、電極からボート９６３に電流を流し、ヨウ化セシウムとヨウ化タリウムとを含む混合物を７００℃程度で所定時間加熱してその混合物を蒸発させる。その結果、基板１２１の表面に無数の柱状結晶体が順次成長して所望の厚さの結晶が得られる（蒸着工程）。

なお、上記記載事項においては、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の改良及び設計変更をおこなってもよい。

一の改良・設計変更事項として、上記蒸着工程では抵抗加熱法による処理としたが、当該各工程の処理は電子ビームによる処理であってもよいし、高周波誘導による処理でもよい。本実施形態では、比較的簡単な構成で取り扱いが容易、安価、かつ、非常に多くの物質に適用可能である点から、上記の通り、抵抗加熱法による加熱処理を適用するのが好ましい。抵抗加熱法による加熱処理を実行すると、同一のボート９６３において、ヨウ化セシウムとヨウ化タリウムとの混合物の加熱処理と蒸着処理という両処理を両立することができる。

他の改良・設計変更事項として、蒸着装置９６１のボート９６３とホルダ９６４との間に、ボート９６３からホルダ９６４に至る空間部を遮断するシャッタ（図示略）を配してもよい。この場合、当該シャッタによってボート９６３上の混合物の表面に付着した目的物以外の物質が蒸着工程の初期段階で蒸発し、その物質が基板１２１に付着するのを防止することができ、蒸着初期に発生する異物による柱状結晶の異常成長を防止できる。

（光電変換パネル）
本発明に係る光電変換パネルについて、図４を参照して説明する。図４は、放射線画像検出装置における光電変換パネルの概略構成図である。図４（ａ）は当該装置の上面図、図４（ｂ）は断面図である。図４（ｂ）に示すように、基台３ａ上に接着剤２ａによって、光電変換素子が形成される光電変換素子部１ａが接着されている。これを光電変換パネル４とする。

光電変換素子部１ａに形成される光電変換素子は、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ、ａ−Ｓｉフォトダイオード（ＰＩＮ型、ＭＩＳ型）に代表されるもので、光電変換素子部１ａには二次元状に配列されている。

また、光電変換素子部１ａは、複数枚（図４中では１０枚）貼り合わされており、二次元状に規則正しく配列されている。

基台３ａには、ガラス、セラミック、ＣＦＲＰ、アルミなどの材料を用いられるが、製造中に加わる熱を考慮し、シンチレータパネル５ａと光電変換素子部１と基台３ａには熱膨張係数が極力近いものになるように選ぶことが望ましい。

（対向基材）
対向基材としては、アルミニウム、アルミニウムを主成分とする金属基板、その他金属基板、石英ガラス、プラスチック樹脂、ＣＦＲＰ、アラミド積層板を用いることができる。対向基材は、Ｘ線の透過率が良好で、平面性が良く、さらには、光電変換パネルとの熱膨張係数が近いものが好まれる。

（接着剤）
本発明の放射線画像検出装置においては、光電変換パネル及び基材の周辺部が接着剤にて接着されているが、当該周辺部の接着剤部分の透湿度は、温度４０℃・相対湿度９０％下で、接着剤塗布厚さ1μあたりの透湿度が ３０ｇ／ｍ^２以下であるように調整することが好ましい。

本発明で用いられる接着剤は、広く公知のものを利用することが出来る。例えば、二液反応型、熱硬化型、ＵＶ硬化型、１液硬化型、酸化硬化型などが上げられる。組成としては、アクリル、ウレタン、エポキシ、シリコーン、フッ素含有樹脂等各素材を使用することが出来る。本発明の目的から言えば、硬化後の接着剤は透湿度が低いことが求められる。また、溶剤に溶解している接着剤は、乾燥時に溶媒が揮発し装置に悪影響を及ぼす危険があるので、無溶剤接着剤が好ましい。具体的にはエポキシ系のＵＶ硬化型、熱硬化型接着剤が好ましい。

（放射線画像検出装置）
以下に、上記放射線用シンチレータパネル１０の一適用例として、図５及び図６を参照しながら、当該放射線用シンチレータパネル１０を具備した放射線画像検出装置１００の構成について説明する。なお、図５は放射線画像検出装置１００の概略構成を示す一部破断斜視図である。また、図６は撮像パネル５１の拡大断面図である。

図５に示す通り、放射線画像検出装置１００には、撮像パネル５１、放射線画像検出装置１００の動作を制御する制御部５２、書き換え可能な専用メモリ（例えば、フラッシュメモリ）等を用いて撮像パネル５１から出力された画像信号を記憶する記憶手段であるメモリ部５３、撮像パネル５１を駆動して画像信号を得るために必要とされる電力を供給する電力供給手段である電源部５４、等が筐体５５の内部に設けられている。

筐体５５には、必要に応じて放射線画像検出装置１００から外部に通信を行うための通信用のコネクタ５６、放射線画像検出装置１００の動作を切り換えるための操作部５７、放射線画像の撮影準備の完了やメモリ部５３に所定量の画像信号が書き込まれたことを示す表示部５８、等が設けられている。

ここで、放射線画像検出装置１００に電源部５４を設けるとともに放射線画像の画像信号を記憶するメモリ部５３を設け、コネクタ５６を介して放射線画像検出装置１００を着脱自在にすれば、放射線画像検出装置１００を持ち運びできる可搬構造とすることができる。

図６に示すように、撮像パネル５１は、放射線用シンチレータパネル１０と、放射線用シンチレータパネル１０からの電磁波を吸収して画像信号を出力する出力基板２０とから構成されている。

放射線用シンチレータパネル１０は放射線照射面側に配置されており、入射した放射線の強度に応じた電磁波を発光するように構成されている。

出力基板２０は、放射線用シンチレータパネル１０の放射線照射面と反対側の面に設けられており、放射線用シンチレータパネル１０側から順に、隔膜２０ａ、光電変換素子２０ｂ、画像信号出力層２０ｃ及び基板２０ｄを備えている。隔膜２０ａは、放射線用シンチレータパネル１０と他の層を分離するためのものである。

光電変換素子２０ｂは、透明電極２１と、透明電極２１を透過して入光した電磁波により励起されて電荷を発生する電荷発生層２２と、透明電極２１に対しての対極になる対電極２３とから構成されており、隔膜２０ａ側から順に透明電極２１、電荷発生層２２、対電極２３が配置される。

透明電極２１とは、光電変換される電磁波を透過させる電極であり、例えば、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯなどの導電性透明材料を用いて形成される。

電荷発生層２２は、透明電極２１の一面側に薄膜状に形成されており、光電変換可能な化合物として光によって電荷分離する有機化合物を含有するものであり、電荷を発生し得る電子供与体及び電子受容体としての導電性化合物をそれぞれ含有している。電荷発生層２２では、電磁波が入射されると電子供与体は励起されて電子を放出し、放出された電子は電子受容体に移動して、電荷発生層２２内に電荷、即ち正孔と電子のキャリアが発生するようになっている。

ここで、電子供与体としての導電性化合物としては、ｐ型導電性高分子化合物が挙げられ、ｐ型導電性高分子化合物としては、ポリフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリ（チオフェンビニレン）、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフルオレン、ポリ（ｐ−フェニレン）またはポリアニリンの基本骨格を持つものが好ましい。

また、電子受容体としての導電性化合物としてはｎ型導電性高分子化合物が挙げられ、ｎ型導電性高分子化合物としてはポリピリジンの基本骨格を持つものが好ましく、特にポリ（ｐ−ピリジルビニレン）の基本骨格を持つものが好ましい。

電荷発生層２２の膜厚は、光吸収量を確保するといった観点から１０ｎｍ以上（特に１００ｎｍ以上）が好ましく、また電気抵抗が大きくなりすぎないといった観点から、１μｍ以下（特に３００ｎｍ以下）が好ましい。

対電極２３は、電荷発生層２２の電磁波が入光される側の面と反対側に配置されている。対電極２３は、例えば、金、銀、アルミニウム、クロムなどの一般の金属電極や、透明電極２１の中から選択して用いることが可能であるが、良好な特性を得るためには仕事関数の小さい（４．５ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするのが好ましい。

また、電荷発生層２２を挟む各電極（透明電極２１及び対電極２３）との間には、電荷発生層２２とこれら電極が反応しないように緩衝地帯として作用させるためのバッファー層を設けてもよい。バッファー層は、例えば、フッ化リチウム及びポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（４−スチレンスルホナート）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル［１，１０］フェナントロリンなどを用いて形成される。

画像信号出力層２０ｃは、光電変換素子２０ｂで得られた電荷の蓄積及び蓄積された電荷に基づく信号の出力を行うものであり、光電変換素子２０ｂで生成された電荷を画素毎に蓄積する電荷蓄積素子であるコンデンサ２４と、蓄積された電荷を信号として出力する画像信号出力素子であるトランジスタ２５とを用いて構成されている。

トランジスタ２５は、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いるものとする。このＴＦＴは液晶ディスプレイ等に使用されている無機半導体系のものでも、有機半導体を用いたものでもよく、好ましくはプラスチックフィルム上に形成されたＴＦＴである。

プラスチックフィルム上に形成されたＴＦＴとしては、アモルファスシリコン系のものが知られているが、その他、米国Ａｌｉｅｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社が開発しているＦＳＡ（Ｆｌｕｉｄｉｃ Ｓｅｌｆ Ａｓｓｅｍｂｌｙ）技術、即ち単結晶シリコンで作製した微小ＣＭＯＳ（Ｎａｎｏｂｌｏｃｋｓ）をエンボス加工したプラスチックフィルム上に配列させることで、フレキシブルなプラスチックフィルム上にＴＦＴを形成するものとしてもよい。更に、Ｓｃｉｅｎｃｅ，２８３，８２２（１９９９）やＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ，７７１４８８（１９９８）、Ｎａｔｕｒｅ，４０３，５２１（２０００）等の文献に記載されているような、有機半導体を用いたＴＦＴであってもよい。

このように、本発明に用いられるトランジスタ２５としては、上記ＦＳＡ技術で作製したＴＦＴ及び有機半導体を用いたＴＦＴが好ましく、特に好ましいものは有機半導体を用いたＴＦＴである。この有機半導体を用いてＴＦＴを構成すれば、シリコンを用いてＴＦＴを構成する場合のように真空蒸着装置等の設備が不要となり、印刷技術やインクジェット技術を活用してＴＦＴを形成できるので製造コストが安価となる。更に加工温度を低くできることから、熱に弱いプラスチック基板上にも形成できる。

トランジスタ２５には、光電変換素子２０ｂで発生した電荷を蓄積するとともに、コンデンサ２４の一方の電極となる収集電極（図示せず）が電気的に接続されている。コンデンサ２４には光電変換素子２０ｂで生成された電荷が蓄積されるとともに、この蓄積された電荷はトランジスタ２５を駆動することで読み出される。即ち、トランジスタ２５を駆動させることで、放射線画像の画素毎の信号を出力させることができる。

基板２０ｄは、撮像パネル５１の基板（支持体）として機能するものであり、基板１と同様の素材で構成することが可能である。

次に、放射線画像検出装置１００の作用について説明する。

先ず放射線画像検出装置１００に対し入射された放射線は、撮像パネル５１の放射線用シンチレータパネル１０側から基板２０ｄ側に向けて放射線を入射する。すると、放射線用シンチレータパネル１０に入射された放射線は、放射線用シンチレータパネル１０中のシンチレータ層２が放射線のエネルギーを吸収し、その強度に応じた電磁波を発光する。

発光された電磁波の内、出力基板２０に入光される電磁波は出力基板２０の隔膜２０ａ、透明電極２１を貫通し、電荷発生層２２に到達する。そして、電荷発生層２２において電磁波は吸収され、その強度に応じて正孔と電子のペア（電荷分離状態）が形成される。

その後、発生した電荷は、電源部５４によるバイアス電圧の印加により生じる内部電界により、正孔と電子はそれぞれ異なる電極（透明電極膜及び導電層）へ運ばれ、光電流が流れる。

その後、対電極２３側に運ばれた正孔は画像信号出力層２０ｃのコンデンサ２４に蓄積される。蓄積された正孔はコンデンサ２４に接続されているトランジスタ２５を駆動させると、画像信号を出力するとともに、出力された画像信号はメモリ部５３に記憶される。

以上の放射線画像検出装置１００によれば、上記放射線用シンチレータパネル１０を備えているので光電変換効率を高めることができ、放射線画像における低線量撮影時のＳＮ比を向上させるとともに、画像ムラや線状ノイズの発生を防止することができる。

以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。

（基板１の作製）
厚さ１２５μｍ、２５０×２５０ｍｍサイズのポリイミドフィルム（ガラス転移温度は２８５℃）（宇部興産製ユーピレックス）にアルミをスパッタして反射層（０．１０μｍ）を形成した。

（基板２の作製）
厚さ５００μｍの鏡面アルミ板を２５０×２５０ｍｍサイズに断裁した。

（下引層の作製）
バイロン２０ＳＳ（東洋紡社製：高分子ポリエステル樹脂） ３００質量部
メチルエチルケトン（ＭＥＫ） ２００質量部
トルエン ３００質量部
シクロヘキサノン １５０質量部
上記処方を混合し、ビーズミルにて１５時間分散し、下引き塗設用の塗布液を得た。この塗布液を上記基板の反射層側に乾燥膜厚が１．０μｍになるようにスピンコーターで塗布したのち１００℃で８時間乾燥することで下引き層を作製した。

（蛍光体層の形成）
基板の下引き層側に蛍光体（ＣｓＩ：０．０３Ｔｌｍｏｌ％）を、図９に示した蒸着装置を使用して蒸着させ基板の全面に５００μｍ蛍光体層を形成した。ボート９６３とホルダ９６４との間にシャッタ（図示略）を配し、蒸着開始時に目的物以外の物質が蛍光体層に付着するのを防止した。

すなわち、まず、蛍光体原料を蒸着材料として抵抗加熱ルツボに充填し、また回転する基板（支持体）ホルダに基板を設置し、基板と蒸発源との間隔を５００ｍｍに調節した。

続いて蒸着装置内を一旦排気し、Ａｒガスを導入して０．５Ｐａに真空度を調整した後、１０ｒｐｍの速度で基板を回転しながら基板の温度を２００℃に保持した。次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して蛍光体を蒸着し膜厚５００μｍの蛍光体層を形成した。

（保護層の形成）
ついで、試料のうち、保護層を設けるものについては、下記の方法で保護層を作製した。

（１）減圧封止法：得られた蛍光体プレートを、下記フィルムを三方製袋した袋に入れ、減圧封止することで、シンチレータ試料を得た。

使用フィルム：三菱樹脂テックバリアＨＸ／／４０μキャスティングポリプロピレン
（２）バリレン法：得られた蛍光体プレートにＣＶＤ法でポリパラキシリレン（日本パリレン）を蒸着しシンチレータ試料を得た。なお、パリレンの膜厚は、４０μｍであった。

（放射線画像検出装置の作製）
得られたシンチレータと光電変換パネルを貼り合わせ、放射線画像検出装置を得た。３０ｃｍ×３０ｃｍの光電変換パネル及び対向基材（ＡＮ１００（旭硝子社製０．６ｍｍｔガラス）を準備した。まず対向基材中央部にマトリックステープにて、２５ｃｍ×２５ｃｍのシンチレータを貼合した。次に、対向基材の端部から５ｍｍのところに表記載の接着剤を塗布し、光電変換パネルと密着させた。密着させたパネルを減圧デシケータに投入し、デシケータ内でオーク社製メタルハライドランプを照射しながら減圧させた。庫内の圧力は１０００Ｐａとし、１０００Ｐａで１分間保持した後、大気圧まで戻した。貼り付けたパネルを筐体に入れ、本発明の放射線画像検出装置を得た。

＜比較用放射線画像検出装置の作製＞
シンチレータと光電変換パネルの貼りあわせを下記で行った他は試料３と同様にして比較用放射線画像検出装置を作製した。

貼り合わせ：シンチレータを対向基材にマトリックステープで貼りつけた。低粘度ＵＶ硬化型接着剤スリーボンド３０４２Ｂをシンチレータ表面に１ミクロンの厚さで塗布した。大気下で対向基材と光電変換パネルを密着させ、２０ｇ／ｃｍ^２の圧力をかけながら、メタルハライドランプを照射し、パネルを接着させた。

＜放射線画像の取得＞
上記のシンチレータがセットされた放射線画像検出装置の放射線入射面側に管電圧７０ｋＶｐで３．０ｍＲのＸ線を照射し、シンチレータの発光強度ムラを含めて入射Ｘ線に対する各画素からの出力が同一になるようにキャリブレーション（Ｇａｉｎ補正）を実施した。次に、管電圧７０ｋＶｐで１．０ｍＲのＸ線を照射し、得られたデジタル信号をハードディスクに記録し、画像を得た。

＜ＭＴＦ評価＞
正常に画像が取得できることを確認した後、エッジ法にてＭＴＦ測定を行い、２ｌｎ／ｍｍの解析値を記録し表に記入した。数値が大きいほど密着性が良好で、０．２以上ならば実用の範囲内である。

＜耐湿評価＞
上記ＭＴＦを評価した試料を３０℃９０％に調整した恒温槽に３０日間保存した。保存後、上記と同様にしてＭＴＦを測定し、初期値を１としたときの相対値を記録した。数値が大きいほど初期との性能変動がなく良好で、０．８５以上ならば実用可能なレベルである。

上記評価結果を表１に示す。

表１に示した結果から明らかなように、本発明に係る実施例では、鮮鋭性（ＭＴＦ）と耐湿性が優れていることが分かる。

Claims (9)

1. 基板上に蛍光体層を有するシンチレータパネルと光電変換パネルとを具備した放射線画像検出装置であって、当該光電変換パネルと対向基材との間に、当該シンチレータパネルが保持され、当該光電変換パネルの周辺部及び対向基材の周辺部が接着剤にて接着され、当該光電変換パネルと対向基材との間の空間の気体の圧力が、大気圧よりも低く、かつ前記周辺部の接着剤部分の透湿度が、温度４０℃・相対湿度９０％下で、３０ｇ／ｍ²／μｍ以下であり、前記接着剤の組成として、アクリル、ウレタン、エポキシ、シリコーン、フッ素含有樹脂から選ばれる組成を使用することを特徴とする放射線画像検出装置。
2. 基板上に蛍光体層を有するシンチレータパネルと光電変換パネルとを具備した放射線画像検出装置であって、当該光電変換パネルと対向基材との間に、当該シンチレータパネルが保持され、当該光電変換パネルの周辺部及び対向基材の周辺部が接着剤にて接着され、当該光電変換パネルと対向基材との間の空間の気体の圧力が、大気圧よりも低く、かつシンチレータパネルが保護層を有せず、直接光電交換パネルと密着していることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像検出装置。
3. 基板上に蛍光体層を有するシンチレータパネルと光電変換パネルとを具備した放射線画像検出装置であって、当該光電変換パネルと対向基材との間に、当該シンチレータパネルが保持され、当該光電変換パネルの周辺部及び対向基材の周辺部が接着剤にて接着され、当該光電変換パネルと対向基材との間の空間の気体の圧力が、大気圧よりも低く、かつシンチレータパネルが樹脂フィルムからなる保護層で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像検出装置。
4. 基板上に蛍光体層を有するシンチレータパネルと光電変換パネルとを具備した放射線画像検出装置であって、当該光電変換パネルと対向基材との間に、当該シンチレータパネルが保持され、当該光電変換パネルの周辺部及び対向基材の周辺部が接着剤にて接着され、当該光電変換パネルと対向基材との間の空間の気体の圧力が、大気圧よりも低く、かつシンチレータパネルがポリパラキシリレン膜で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像検出装置。
5. 前記対向基材とシンチレータパネルが貼合されており、当該シンチレータパネルが光電変換パネルに減圧により密着していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の放射線画像検出装置。
6. 前記シンチレータパネルの基板が、可撓性を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の放射線画像検出装置。
7. 前記蛍光体層が、光電変換パネルに直接密着していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の放射線画像検出装置。
8. 前記蛍光体層が、気相法により堆積形成されたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射線画像検出装置。
9. 前記蛍光体層が、ヨウ化セシウムとタリウムを含む添加剤を原材料として形成されたことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の放射線画像検出装置。