JP4894453B2 - 放射線画像検出器 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係る放射線画像検出器1の構成図である。放射線画像検出器1は、筐体11内に、被写体を透過した放射線を受けてその線量に対応した強度で蛍光を瞬時に発光するシンチレータパネル12、シンチレータパネル12に対して圧接して設けられシンチレータパネル12からの光を光電変換する複数の受光画素が2次元状に配置された受光素子13、及びシンチレータパネル12を保護する保護カバー14を備えている。
図1には、保護カバー14のシンチレータパネル12側の面から基板122の蛍光体層が形成された面までの距離をDとして示している。上述したように、保護カバー14により少なからず放射線は散乱され、放射線画像の鮮鋭性は低下する。そして、この鮮鋭性の低下は、保護カバー14からシンチレータパネルまでの距離が長くなりすぎると無視できなくなる。
厚さ75μmのポリイミドフィルム(宇部興産製UPILEX−75S)に、蛍光体との接着性を向上させるためにプラズマ処理を施したものを蒸着用基板122とした。
図2に示す蒸着装置71を使用して、準備した基板122に蛍光体(CsI:0.003Tl)を蒸着させ蛍光体層121を形成し、蛍光体シートを作製した。
蛍光体層側の保護フィルム124としては、PET(ポリエチレンテレフタレートフィルム)12μmとCPP(キャスティングポリプロピレン)20μmの積層フィルムを使用した。積層フィルムの積層方法はドライラミネーションで、接着剤層の厚みは1μmとした。使用した接着剤は2液反応型のウレタン系接着剤を使用した。基板側の保護フィルム125は、蛍光体面側の保護フィルム124と同じものを使用した。
得られた各試料を、CMOSフラットパネル(ラドアイコン社製X線CMOSカメラシステムShad−o−Box4KEV)にセットし、12bitの出力データより鮮鋭性を、以下に示す方法で評価した。結果は表1に示す。尚、保護カバー14はアモルファスカーボン製(1mm)を使用した。
保護カバー14の上に直径4mm、厚さ2mmの鉛ディスクを置き、当該鉛ディスクを上記CMOSフラットパネルで撮影した画像データによりコントラスト(C)値を算出した。鉛ディスク中心部のシグナルS1と鉛ディスク中心部から10〜20mm離れた位置の平均シグナルS2を読みとり、下記の計算式(A)によりコントラスト値(C)を算出し、評価を行った。コントラスト値(C)の値が小さいほど鮮鋭性に優れている。
尚、撮影は管電圧80kVpのX線を蛍光体シート(9cm×9cm)のみに均一に照射されるように、X線管球の絞りを調整して実施した。
12 シンチレータパネル
121 蛍光体層
122 基板
123 クッション層
124 第1保護フィルム
125 第2保護フィルム
13 受光素子
14 保護カバー
D 距離
Claims (4)
- 蛍光体層が形成された基板を有するシンチレータパネルと、
基板を介して蛍光体層と反対側であってシンチレータパネルの放射線入射側に配置された保護カバーと、
シンチレータパネルを介して保護カバーと反対側に設けられシンチレータパネルからの光を光電変換する2次元状に複数の受光画素が配置された受光素子と、
を備える放射線画像検出器において、
保護カバーのシンチレータパネル側の面から前記基板の蛍光体層が形成された面までの距離Dが、0.2mm≦D≦2.0mmであることを特徴とする放射線画像検出器。 - 前記基板は、厚さが50μm以上500μm以下の高分子フィルムからなることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像検出器。
- 前記保護カバーと前記基板の間に、シリコン系又ウレタン系の発泡材からなる緩衝材が充填されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の放射線画像検出器。
- 前記保護カバーは、アルミニウム又カーボンを含む材料からなることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の放射線画像検出器。
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