JP5267458B2 - シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ - Google Patents
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Description
2.前記シンチレータ層がヨウ化セシウムを主成分としていることを特徴とする前記1に記載のシンチレータパネル。
2 シンチレータ(蛍光体)層
3 反射層
4 下引層
5 保護層
6 減圧空間
7 空気層
10 シンチレータパネル
61 蒸着装置
20 光検出器
62 真空容器
63 ボート(被充填部材)
64 ホルダ
65 回転機構
65a 回転軸
66 真空ポンプ
100 放射線イメージセンサ
一般的に、柱状結晶は膜厚増加による結晶本数の減少が観測される。この現象は膜厚増加に伴い柱状結晶同士の集合が次々に起こることに起因するため、結晶の本数と膜厚の積にて得られる値は結晶の成長を決定づける重要な固有値となる。
シンチレータ層(「蛍光体層」ともいう。)を形成する材料としては、種々の公知の蛍光体材料を使用することができるが、X線から可視光に対する変更率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成できるため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、シンチレータ層の厚さを厚くすることが可能であることから、ヨウ化セシウム(CsI)が好ましい。但し、CsIのみでは発光効率が低いために、各種の賦活剤が添加される。
本発明に係る反射層はシンチレータから発した光を反射して、光の取り出し効率を高めるためのものである。当該反射層は、Al、Ag、Cr、Cu、Ni、Ti、Mg、Rh、Pt及びAuからなる元素群の中から選ばれるいずれかの元素を含む材料により形成されることが好ましい。特に上記の元素からなる金属薄膜、例えば、Ag膜、Al膜などを用いることが好ましい。また、このような金属薄膜を2層以上形成するようにしてもよい。
本発明に係る下引層は、反射層の保護の観点から反射層とシンチレータ層の間に設けることが好ましい。また、当該下引層は高分子結合材、分散剤等を含有することが好ましい。
本発明に係る下引層は、溶剤に溶解または分散した高分子結合材を塗布、乾燥して形成することが好ましい。
本発明に係る保護層はシンチレータ層の保護を主眼とするものであるが、基材を含むシンチレータパネル全体を覆う。ヨウ化セシウム(CsI)は、吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまうため、これを防止することを主眼とする。
本発明のシンチレータパネルは、放射線透過性基板として高分子フィルムを用いることを特徴とする。高分子フィルムとしては、セルロースアセテートフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム、炭素繊維強化樹脂シート等の高分子フィルム(プラスチックフィルム)を用いることができる。特に、ポリイミド(PI)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリカーボネートを含有する高分子フィルムが、ヨウ化セシウムを原材料として気相法にて柱状シンチレータを形成する場合に好適である。
本発明のシンチレータパネルの作製方法の典型的例について、図を参照しながら説明する。なお、図1は放射線用イメージセンサの概略構成を示す断面図である。図1のシンチレータパネル10は本発明の作用を説明するため、シンチレータ層2と保護層5を厚くしてある。
図2は蒸着装置61の概略構成を示す図面である。
次に、本発明に係るシンチレータパネル10の作製方法について説明する。
放射線透過性基板1の一方の表面に、反射層としての金属薄膜(Al膜、Ag膜等)をスパッタ法により形成する。また、高分子フィルム上にAl膜をスパッタ蒸着したフィルムは各種の品種が市場で流通しており、これらを本発明に係る基板として使用することも可能である。
下引層は、上記の有機溶剤に高分子結合材を分散・溶解した組成物を塗布、乾燥して形成する。高分子結合材としては、接着性、反射層の耐腐食性の観点でポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の疎水性樹脂が好ましい。
上記のように反射層と下引層を設けた放射線透過性基板1とをホルダ64に取り付けるとともに、ボート63にヨウ化セシウムとヨウ化タリウムとを含む粉末状の混合物を充填する(準備工程)。この場合、ボート63と放射線透過性基板1との間隔を100〜1500mmに設定し、その設定値の範囲内のままで後述の蒸着工程の処理を行うのが好ましい。
シンチレータパネル10は図1に示すように光検出器20を空気層7を介して対面し、放射線イメージセンサ100を構成する。光検出器20は、シンチレータパネル10に記憶されている放射線画像記録を光画像に変換し、その得られた光画像を更に、電子信号画像に変換記憶する。
〔放射線イメージセンサ1−1の作製〕
(放射性透過性基板)
厚さ125μmのポリイミドフィルム(ガラス転移温度は285℃、宇部興産製ユーピレックス)を使用。
放射性透過性基板の上にアルミニウムをスパッタして反射層(0.01μm)を得た。
バイロン630(東洋紡社製:高分子ポリエステル樹脂) 100質量部
メチルエチルケトン(MEK) 100質量部
トルエン 100質量部
上記処方を混合し、ビーズミルにて15時間分散し、下引塗設用の塗布液を得た。この塗布液を上記放射性透過性基板のアルミスパッタ面に、乾燥膜厚が1.0μmになるようにバーコーターで塗布した後、100℃で8時間乾燥することで下引層を作製した。
上記方法で作製した反射層及び下引層を有するに放射線透過性基板の上に、蒸着装置を使用してシンチレータ(CsI:0.003molTl)を蒸着させ、シンチレータ層を形成した。
厚さ12μmのPETフィルムの片面側に接着剤(バイロン300:東洋紡株式会社製)を塗設乾燥し、接着層(1μm)とし、第1保護フィルムを作製した。第1保護フィルムと同様の方法で第2保護フィルムを作製した。この2つの保護フィルムについてそれぞれの接着層を対向させる形で配置し、その間に第2保護フィルム側の接着層からシンチレータ層/下引層/反射層/放射性透過性基板/第1保護フィルムの順にそれぞれの層を配置する。第2保護フィルム及び第1保護フィルムは、シンチレータ層/下引層/反射層/放射性透過性基板を包装できるように周辺に耳部を持つように作製されている。その2つの保護フィルムの耳部を100℃にて熱接着させ、第2保護フィルムと第1保護フィルムでシンチレータ層/下引層/反射層/放射性透過性基板を包装しシンチレータパネルを得る。なお、包装は圧力100kPaの雰囲気下で行い、包装した内部は空気が残存する。この場合、第1保護フィルムと第2保護フィルムが保護層となる。
得られたシンチレータパネルを、CMOSフラットパネル(ラドアイコン社製X線CMOSカメラシステムShad−o−Box4KEV)にCMOS面側と第2保護フィルムを対抗させる形でセットした。更に放射線入射窓のカーボン板とシンチレータパネルの放射線入射面(第1保護フィルム側)にスポンジシートを配置し、平面受光素子面と第1保護フィルムを軽く押し付けることで両者を固定化した。このようにして、放射線イメージセンサ1−1を得た。
放射線イメージセンサ1−1のシンチレータ層作製における真空度及び放射線透過性基板の温度を表1記載の数値とした以外は、放射線イメージセンサ1−1と同様の方法で放射線イメージセンサ1−2〜1−6を作製した。
(鮮鋭性)
シンチレータパネル表面にCTFチャートを貼り付けた後、管電圧80kVpのX線を10mR(管球からパネルまでの距離1.5m)照射した。その後、シンチレータパネルの発光をセンサパネルで検知することでCTFチャート像の画像信号を得る。この信号値より画像の変調伝達関数(MTF)を調べ、鮮鋭性を判断する指標とした。なお、MTFは空間周波数が1サイクル/mmの時の値である。鮮鋭性は放射線イメージセンサ1−1の鮮鋭性を1.00としたときの相対値で示した。
〔放射線イメージセンサ2−1〜2−6の作製〕
シンチレータ層の膜厚を600μmに変更した以外は、実施例1の放射線イメージセンサのシンチレータ層の作製と同様に、真空度及び放射線透過性基板の温度を表2記載の数値として放射線イメージセンサ2−1〜2−6を作製した。
(鮮鋭性)
実施例1と同じ方法で鮮鋭性を評価する。鮮鋭性は放射線イメージセンサ2−1の鮮鋭性を1.00としたときの相対値である。
〔放射線イメージセンサ3−1〜3−6の作製〕
シンチレータ層の膜厚を500μmに変更した以外は、実施例1の放射線イメージセンサのシンチレータ層の作製と同様に、真空度及び放射線透過性基板の温度を表3記載の数値として放射線イメージセンサ3−1〜3−6を作製した。
(鮮鋭性)
実施例1と同じ方法で鮮鋭性を評価する。鮮鋭性は放射線イメージセンサ3−1の鮮鋭性を1.00としたときの相対値である。
Claims (6)
- 放射線を光に変換するシンチレータ層を備えたシンチレータパネルにおいて、前記シンチレータは柱状結晶の構造を有し、且つ前記シンチレータ層の表面100μm2あたりの柱状結晶の本数N[本]、及び前記シンチレータ層の膜厚T[μm]が下記一般式(1)を満たすことを特徴とするシンチレータパネル。
一般式(1) 100≦N[本]×T[μm]≦3000 - 前記シンチレータ層がヨウ化セシウムを主成分としていることを特徴とする請求項第1項に記載のシンチレータパネル。
- 前記シンチレータ層が放射線透過性基板に支持されていることを特徴とする請求項第1項または第2項に記載のシンチレータパネル。
- 前記放射線透過性基板の厚さが25〜1000μmであることを特徴とする請求項第3項に記載のシンチレータパネル。
- 前記放射線透過性基板がPI、PET、PEN、ポリカーボネートのいずれかを主成分とすることを特徴とする請求項第3項または第4項に記載のシンチレータパネル。
- 請求項第1項乃至第5項のいずれか1項に記載のシンチレータパネルに対して光検出器を備えたことを特徴とする放射線イメージセンサ。
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JP2004061115A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-02-26 | Canon Inc | シンチレーターパネル、放射線検出装置及び放射線撮像システム |
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