JP2001033597A

JP2001033597A - シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ

Info

Publication number: JP2001033597A
Application number: JP11201757A
Authority: JP
Inventors: Takuya Motome; 卓也本目; Toshio Takabayashi; 敏雄高林
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 1999-07-15
Filing date: 1999-07-15
Publication date: 2001-02-09
Anticipated expiration: 2019-07-15
Also published as: JP4377481B2

Abstract

(57)【要約】【課題】安価に構成でき、明瞭な出力イメージを得ら
れるシンチレータパネルを提供する。【解決手段】シンチレータパネル１０は、基板１２
と、基板１２上に設けられたシンチレータ１４とを備え
て構成される。基板１２は、グラファイトを主成分とし
た平板であって、その内部にはアモルファスカーボンが
含浸されている。より具体的には、基板１２を構成する
グラファイト粒子１２ａの間隙をアモルファスカーボン
１２ｂが埋めている。シンチレータ１４は、基板１２の
一方の主面側に形成されている。基板１２とシンチレー
タ１４との周囲には、基板１２とシンチレータ１４とを
覆う光透過性の保護膜１６が形成されている。保護膜１
６は、ポリパラキシリレンからなり、主としてシンチレ
ータ１４を湿気から保護する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、シンチレータパネ
ル及び放射線イメージセンサに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】医療、工業用等に用いられるＸ線撮像装
置においては、入射した放射線像を可視像に変換するシ
ンチレータパネルと当該シンチレータパネルから出力さ
れた可視像を撮像する撮像素子とを備えた放射線イメー
ジセンサが広く用いられている。上記シンチレータパネ
ルは、基板の一方の主面にＣｓＩ等のシンチレーション
物質を堆積させて構成され、他方の主面側から入射して
基板を透過した放射線像をシンチレーション物質によっ
て可視像に変換して出力する。また、シンチレータパネ
ルから出力された可視像は、撮像素子によって撮像され
る。上記基板は、特公平７−２１５６０号公報に開示さ
れているように、アルミニウム等によって構成されるこ
とが多い。また、放射線の透過率をさらに高めて明瞭な
出力イメージをＸ線撮像装置により得るべく、上記基板
をアモルファスカーボンで構成することが、例えば特開
平７−２０９４９５号公報、特開平５−２９９０４４号
公報に開示されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
にかかるシンチレータパネルには、以下に示すような問
題点があった。すなわち、基板をアルミニウムによって
構成したシンチレータパネルは、比較的安価に製造する
ことができるが、当該基板の放射線透過率を十分に高め
ることができず、十分に明瞭な出力イメージを得ること
ができない。一方、シンチレータパネルの基板をアモル
ファスカーボンによって構成すると、基板の放射線透過
率を高めることができ、明瞭な出力イメージを得ること
ができるが、製造コストが多大となる。

【０００４】そこで本発明は、安価に構成することがで
きるとともに、明瞭な出力イメージを得ることができる
シンチレータパネル及び放射線イメージセンサを提供す
ることを課題とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のシンチレータパネルは、炭素を主成分とし
て構成された基板と、上記基板上に設けられたシンチレ
ータとを備え、上記基板の内部には、アモルファスカー
ボン、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｂ₄Ｃか
らなる群の中から選択される１以上の物質が含浸されて
いることを特徴としている。

【０００６】炭素を主成分として構成された基板を用い
ることで、アルミニウム製の基板と比較して極めて高い
放射線透過率を得ることが可能となる。また、炭素を主
成分として構成された基板にアモルファスカーボン、ポ
リイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｂ₄Ｃからなる群
の中から選択される１以上の物質を含浸させることで、
基板全体をアモルファスカーボンで構成する場合と比較
して、当該基板を極めて安価に構成することが可能とな
る。

【０００７】また、上記課題を解決するために、本発明
のシンチレータパネルは、炭素を主成分として構成され
た基板と、上記基板上に設けられたシンチレータとを備
え、上記基板の少なくとも一方の主面には、アモルファ
スカーボン、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｂ
₄Ｃからなる群の中から選択される１以上の物質からな
る層が形成されていることを特徴としてもよい。

【０００８】炭素を主成分として構成された基板を用い
ることで、アルミニウム製の基板と比較して極めて高い
放射線透過率を得ることが可能となる。また、炭素を主
成分として構成された基板の少なくとも一方の主面にア
モルファスカーボン、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ
₃Ｎ₄、Ｂ₄Ｃからなる群の中から選択される１以上の物
質からなる層を形成することで、基板全体をアモルファ
スカーボンで構成する場合と比較して、当該基板を極め
て安価に構成することが可能となる。

【０００９】また、上記課題を解決するために、本発明
のシンチレータパネルは、炭素を主成分として構成され
た基板と、上記基板上に設けられたシンチレータとを備
え、上記基板の内部には、アモルファスカーボン、ポリ
イミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ ₃Ｎ₄、Ｂ₄Ｃからなる群の
中から選択される１以上の物質が含浸されており、上記
基板の少なくとも一方の主面には、アモルファスカーボ
ン、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｂ₄Ｃから
なる群の中から選択される１以上の物質からなる層が形
成されていることを特徴としてもよい。

【００１０】炭素を主成分として構成された基板を用い
ることで、アルミニウム製の基板と比較して極めて高い
放射線透過率を得ることが可能となる。また、炭素を主
成分として構成された基板にアモルファスカーボン、ポ
リイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｂ₄Ｃからなる群
の中から選択される１以上の物質を含浸させ、基板の少
なくとも一方の主面にアモルファスカーボン、ポリイミ
ド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｂ₄Ｃからなる群の中か
ら選択される１以上の物質の層を形成することで、基板
全体をアモルファスカーボンで構成する場合と比較し
て、当該基板を極めて安価に構成することが可能とな
る。

【００１１】また、本発明のシンチレータパネルにおい
ては、上記シンチレータを覆う光透過性の保護膜をさら
に備えたことを特徴としてもよい。

【００１２】上記保護膜を備えることで、湿気等からシ
ンチレータを保護することが可能となる。

【００１３】また、本発明のシンチレータパネルにおい
ては、上記シンチレータと上記基板とを覆う光透過性の
保護膜をさらに備えたことを特徴としてもよい。

【００１４】上記保護膜を備えることで、湿気等からシ
ンチレータを保護することが可能となる。特に、基板を
も保護膜で覆うことにより、基板側から侵入する湿気か
らをもシンチレータを保護することが可能となる。

【００１５】また、本発明のシンチレータパネルにおい
ては、上記基板は、グラファイトを主成分として構成さ
れることを特徴としてもよい。

【００１６】グラファイトを主成分として基板を構成す
ることで、当該基板を極めて安価に構成することが可能
となる。

【００１７】上記課題を解決するために、本発明の放射
線イメージセンサは、上述のシンチレータパネルと、上
記シンチレータに対向して配置された撮像素子とを備え
たことを特徴としている。

【００１８】上述のシンチレータパネルと撮像素子とを
備えることで、シンチレータパネルから出力される明瞭
な出力イメージを撮像素子によって撮像することが可能
となる。また、上述の基板を安価に構成することができ
るため、放射線イメージセンサをも安価に構成すること
が可能となる。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の第１の実施形態にかかる
シンチレータパネルについて、図面を参照して説明す
る。まず、本実施形態にかかるシンチレータパネルの構
成について説明する。図１は本実施形態にかかるシンチ
レータパネルの模式断面図である。

【００２０】本実施形態にかかるシンチレータパネル１
０は、基板１２と、基板１２上に設けられたシンチレー
タ１４とを備えて構成される。

【００２１】基板１２は、厚さ１ｍｍ程度の平板形状を
有し、グラファイトを主成分として構成されている。こ
こで、当該基板１２の内部には、アモルファスカーボン
が含浸されている。より具体的には、図１に模式的に表
したように、基板１２を構成するグラファイト粒子１２
ａの間隙をアモルファスカーボン１２ｂが埋めている。

【００２２】シンチレータ１４は、基板１２の一方の主
面側に形成されている。より詳細には、シンチレータ１
４は、上記一方の主面に対して略垂直方向に２５０μｍ
程度延びるＣｓＩからなる柱状構造体の配列として形成
されている。

【００２３】また、基板１２とシンチレータ１４との周
囲には、基板１２とシンチレータ１４とを覆う光透過性
の保護膜１６が形成されている。保護膜１６は、１０μ
ｍ程度の厚みを有するポリパラキシリレンからなる膜で
あって、主としてシンチレータ１４を湿気から保護し、
シンチレータ１４を形成するＣｓＩの潮解を防止する。
また、保護膜１６は、シンチレータ１４を機械的に保護
する機能をも有している。

【００２４】続いて、本実施形態にかかるシンチレータ
パネルの製造方法について説明する。シンチレータパネ
ル１０を製造するためには、まず、厚さ１ｍｍ程度、密
度１．７ｇ／ｃｍ³程度のグラファイト製の平板（以
下、グラファイト基板という）を用意し、このグラファ
イト基板の表面を、粒度♯１５００程度（平均粒度８μ
ｍ程度）のアルミナ粉末を用いてサンドブラスト処理を
行う。その後、グラファイト基板を洗浄し、乾燥させ、
ポリカルボジイミドを揮発性溶媒に溶かしてワニス状と
したものの中に、グラファイト基板を浸す。その後、グ
ラファイト基板を乾燥炉内で乾燥させ、さらに高温炉内
で約２０００℃、数日間の加熱処理を行うことにより、
グラファイト粒子１２ａの表面にアモルファスカーボン
１２ｂの被覆層が形成され、すなわち、内部にアモルフ
ァスカーボンが含浸されたグラファイト製の基板１２が
製造される。

【００２５】続いて、上述の如く製造された基板１２の
一方の主面に、例えば真空蒸着法によってＣｓＩを堆積
させ、シンチレータ１４を形成する。基板１２上にシン
チレータ１４を形成したあと、ポリパラキシリレンをＣ
ＶＤ法により表面に１０μｍ程度形成することにより保
護膜１６を形成し、シンチレータパネル１０が完成す
る。

【００２６】続いて、本実施形態にかかるシンチレータ
パネルの作用及び効果について説明する。本実施形態に
かかるシンチレータパネル１０は、上記構成により、入
射した放射線像を可視像に変換して出力することができ
る。より詳細には、基板１２の２つの主面のうち、シン
チレータ１４が設けられていないほうの主面側から放射
線が入射すると、当該放射線は基板１２を透過してシン
チレータ１４に入射する。シンチレータ１４に入射した
放射線は、シンチレータ１４によって可視像に変換さ
れ、シンチレータ１４から出力される。

【００２７】ここで、本実施形態にかかるシンチレータ
パネル１０は、炭素（グラファイト）を主成分として構
成された基板１２を用いることで、アルミニウム製の基
板と比較して極めて高い放射線透過率を得ることが可能
となる。特に、入射する放射線のエネルギーが小さい場
合であっても、極めて高い放射線透過率を得ることが可
能となる。従って、シンチレータパネル１０から、明瞭
な出力イメージを得ることが可能となる。以下、比較の
ため、従来技術にかかるアルミニウム製の基板（従来
例）と本実施形態にかかるグラファイトを主成分とした
基板１２（本発明）とのＸ線透過率を表１に示す。

【００２８】

【表１】

【００２９】また、本実施形態にかかるシンチレータパ
ネル１０は、グラファイトを主成分として構成された基
板１２にアモルファスカーボンを含浸させることで、基
板１２全体をアモルファスカーボンで構成する場合と比
較して、基板１２を極めて安価に構成することが可能と
なる。その結果、シンチレータパネル１０自体をも極め
て安価に構成することが可能となる。

【００３０】ここで、さらに安価に構成すべく、基板を
グラファイトのみで構成することも考えられるが、基板
をグラファイトのみで構成した場合は、機械的な強度が
極めて弱い、気孔率が高く（基板の厚み方向に貫通孔が
形成されてしまうこともある）、耐湿性を十分に確保す
ることができないといった問題を生ずる。これに対し
て、本実施形態にかかる基板１２は、アモルファスカー
ボンを含浸させることによって、機械的強度を高めると
ともに、気孔率を小さくし、高い耐湿性を確保してい
る。

【００３１】また、本実施形態にかかるシンチレータパ
ネル１０は、基板１２とシンチレータ１４との周囲を保
護膜１６で覆うことで、耐湿性をさらに高めることが可
能となる。特に、基板１２をも保護膜１６で覆うことに
より、基板１２側から侵入する湿気からをもシンチレー
タ１４を保護することが可能となる。

【００３２】続いて、本発明の第２の実施形態にかかる
シンチレータパネルについて、図面を参照して説明す
る。図２は本実施形態にかかるシンチレータパネルの模
式断面図である。本実施形態にかかるシンチレータパネ
ル２０が、上記第１の実施形態にかかるシンチレータパ
ネル１０と異なる点は、上記第１の実施形態にかかるシ
ンチレータパネル１０の基板１２がグラファイトを主成
分として内部にアモルファスカーボンを含浸させた基板
１２であったのに対し、本実施形態にかかる基板１２
が、グラファイトを主成分として一方の主面にアモルフ
ァスカーボンからなる層が形成された基板１２である点
である。以下、詳細に説明する。

【００３３】本実施形態にかかるシンチレータパネル２
０は、図２に模式的に示すように、基板１２と、基板１
２上に設けられたシンチレータ１４とを備えて構成され
る。基板１２は、グラファイトを主成分として構成され
た平板形状を有する基板であって、その一方の主面に
は、アモルファスカーボンからなる層（以下、被覆層１
２ｃという）が３μｍ程度の厚みをもって形成されてい
る。また、シンチレータ１４は、基板１２の上記一方の
主面（被覆層１２ｃが形成された面）側に形成されてい
る。さらに、基板１２とシンチレータ１４との周囲に
は、基板１２とシンチレータ１４とを覆う光透過性の保
護膜１６が形成されている。

【００３４】シンチレータパネル２０は、例えば以下に
示すように製造される。すなわち、表面のサンドブラス
ト処理、洗浄処理、乾燥処理のなされたグラファイト基
板の一方の主面に、ポリカルボジイミドを揮発性溶媒に
溶かしてワニス状としたものを吹き付ける、あるいは、
塗布する。この際、ポリカルボジイミドを揮発性溶媒に
溶かしてワニス状としたものの粘度を高くしておくこと
で、ポリカルボジイミドがグラファイト基板に吹き付け
られ、あるいは、塗布された際に、当該ポリカルボジイ
ミドがグラファイト基板の内部に浸透せず、表面に残留
する。続いて、グラファイト基板を乾燥炉内で乾燥さ
せ、さらに高温炉内で加熱処理を行うことにより、一方
の主面にアモルファスカーボンからなる被覆層１２ｃが
形成された基板１２が完成する。その後、基板１２の一
方の主面（被覆層１２ｃが形成された面）にシンチレー
タ１４を形成し、基板１２とシンチレータ１４とを覆う
保護膜１６を形成することにより、シンチレータパネル
２０が完成する。

【００３５】本実施形態にかかるシンチレータパネル２
０も上記第１の実施形態にかかるシンチレータパネル１
０と同様に、アルミニウム製の基板と比較して極めて高
い放射線透過率を得ることができ、明瞭な出力イメージ
を得ることが可能となる。また、基板１２全体をアモル
ファスカーボンで構成する場合と比較して、基板１２を
極めて安価に構成することができ、シンチレータパネル
２０自体をも極めて安価に構成することが可能となる。
さらに、基板１２とシンチレータ１４との周囲を保護膜
１６で覆うことで、耐湿性を高めることが可能となる。

【００３６】続いて、本発明の第３の実施形態にかかる
シンチレータパネルについて、図面を参照して説明す
る。図３は本実施形態にかかるシンチレータパネルの模
式断面図である。本実施形態にかかるシンチレータパネ
ル３０が、上記第１の実施形態にかかるシンチレータパ
ネル１０と異なる点は、上記第１の実施形態にかかるシ
ンチレータパネル１０の基板１２がグラファイトを主成
分として内部にアモルファスカーボンを含浸させた基板
１２であったのに対し、本実施形態にかかる基板１２
が、グラファイトを主成分として内部にアモルファスカ
ーボンを含浸させ、さらに一方の主面にアモルファスカ
ーボンからなる層が形成された基板１２である点であ
る。以下、詳細に説明する。

【００３７】本実施形態にかかるシンチレータパネル３
０は、図３に模式的に示すように、基板１２と、基板１
２上に設けられたシンチレータ１４とを備えて構成され
る。基板１２は、グラファイトを主成分として構成され
た平板形状を有する基板であって、その内部には、アモ
ルファスカーボンが含浸されている。より具体的には、
図３に模式的に表したように、基板１２を構成するグラ
ファイト粒子１２ａの間隙をアモルファスカーボン１２
ｂが埋めている。また、基板１２の一方の主面には、ア
モルファスカーボンからなる被覆層１２ｃが形成されて
いる。また、シンチレータ１４は、基板１２の上記一方
の主面（被覆層１２ｃが形成された面）側に形成されて
いる。さらに、基板１２とシンチレータ１４との周囲に
は、基板１２とシンチレータ１４とを覆う光透過性の保
護膜１６が形成されている。

【００３８】シンチレータパネル３０を構成する基板１
２は、上述の第１の実施形態にかかるシンチレータパネ
ル１０の製造方法と同様の方法によって基板１２の内部
にアモルファスカーボンを含浸させたあと、上述の第２
の実施形態にかかるシンチレータパネル２０の製造方法
と同様の方法によって基板１２の一方の主面に被覆層１
２ｃを形成することによって製造される。尚、その後の
シンチレータ１４の形成、保護膜１６の形成について
は、上述の第１の実施形態にかかるシンチレータパネル
１０の製造方法と同様である。

【００３９】本実施形態にかかるシンチレータパネル３
０も上記第１の実施形態にかかるシンチレータパネル１
０と同様に、アルミニウム製の基板と比較して極めて高
い放射線透過率を得ることができ、明瞭な出力イメージ
を得ることが可能となる。また、基板１２全体をアモル
ファスカーボンで構成する場合と比較して、基板１２を
極めて安価に構成することができ、シンチレータパネル
２０自体をも極めて安価に構成することが可能となる。
さらに、基板１２とシンチレータ１４との周囲を保護膜
１６で覆うことで、耐湿性を高めることが可能となる。

【００４０】上記第１の実施形態にかかるシンチレータ
パネル１０においては、ポリカルボジイミドを揮発性溶
媒に溶かしてワニス状としたものの中にグラファイト基
板を浸して加熱処理を行うことにより、基板１２にアモ
ルファスカーボンを含浸させていたが、ポリカルボジイ
ミドに代えてセルロース、フェノール樹脂、フラン樹脂
等を用いてもよい。

【００４１】また、上記第１、第３の実施形態にかかる
シンチレータパネル１０，３０においては、基板１２に
アモルファスカーボンを含浸させていたが、これは、ポ
リイミド（例えばＲＮ−８１２（日産化学工業
（株）））、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｂ₄Ｃなどを含
浸させてもよい。基板１２の内部にポリイミドを含浸さ
せる場合は、ロールコーターを用いてポリイミドを基板
１２の内部に浸透させた後、高温炉内で約３００℃、３
０分間の加熱処理を行う。また、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ₃
Ｎ₄、Ｂ₄Ｃは、化学気相浸透（ＣＶＩ）法により基板１
２の内部に含浸させることが可能である。

【００４２】また、上記第２、第３の実施形態にかかる
シンチレータパネル２０，３０においては、基板１２の
一方の主面にアモルファスカーボンからなる被覆層１２
ｃを形成していたが、これは、ポリイミド、ＳｉＣ、Ｂ
Ｎ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｂ₄Ｃなどからなる被覆層１２ｃを形成
してもよい。基板１２の一方の主面にポリイミドからな
る被覆層１２ｃを形成する場合は、ロールコーターを用
いて粘度の高いポリイミドを基板１２の表面に塗布した
後、加熱処理を行う。また、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、
Ｂ₄Ｃからなる層は、化学気相成長（ＣＶＤ）法により
形成することが可能である。

【００４３】また、上記第１、第３の実施形態にかかる
シンチレータパネル１０，３０においては、耐湿性の面
から、基板１２を構成するグラファイト粒子１２ａの間
隙のすべてをアモルファスカーボン１２ｂで埋めること
が好ましいが、必ずしもグラファイト粒子１２ａの間隙
のすべてがアモルファスカーボン１２ｂによって埋めら
れている必要はない。厚み方向に貫通する貫通孔がなく
なるように、グラファイト粒子１２ａの間隙のうち少な
くとも一部をアモルファスカーボン１２ｂによって埋め
ることで、耐湿性の向上に寄与しうる。

【００４４】また、上記第２、第３の実施形態にかかる
シンチレータパネル２０，３０においては、基板１２の
一方の主面に被覆層１２ｃを形成していたが、両方の主
面に被覆層１２ｃを形成してもよい。両方の主面に被覆
層１２ｃを形成することで、耐湿性がさらに向上する。

【００４５】また、第３の実施形態にかかるシンチレー
タパネル３０においては、基板１２の内部にアモルファ
スカーボンを含浸させ、基板１２の一方の主面にアモル
ファスカーボンからなる被覆層１２ｃを形成していた
が、含浸させる物質と被覆層１２ｃを形成する物質とは
同一でなくてもよい。例えば、基板１２の内部にアモル
ファスカーボンを含浸させ、基板１２の一方の主面にＳ
ｉＣからなる被覆層１２ｃを形成してもよい。

【００４６】また、上記第１から第３の実施形態にかか
るシンチレータパネル１０，２０，３０においては、保
護膜１６が基板１２とシンチレータ１４との双方を覆っ
ていたが、シンチレータ１４のみを保護膜１６で覆う構
成としてもよい。

【００４７】続いて、本発明の実施形態にかかる放射線
イメージセンサについて、図面を参照して説明する。図
４は本実施形態にかかる放射線イメージセンサの模式断
面図である。

【００４８】本実施形態にかかる放射線イメージセンサ
４０は、上述の第１の実施形態にかかるシンチレータパ
ネル１０と、撮像素子１８とを備えて構成される。撮像
素子１８は、シンチレータパネル１０を構成するシンチ
レータ１４に対向して配置されており、より具体的に
は、その受光面が保護膜１６を介してシンチレータ１４
に接着されている。

【００４９】本実施形態にかかる放射線イメージセンサ
４０は、かかる構成により、シンチレータパネル１０か
ら出力される明瞭な出力イメージを撮像素子１８によっ
て撮像することが可能となる。また、上述の基板１２を
安価に構成することができるため、放射線イメージセン
サ４０をも安価に構成することが可能となる。

【００５０】また、上記第２、第３の実施形態にかかる
シンチレータパネル２０、３０と撮像素子１８とを備え
て放射線イメージセンサを構成することも可能である。

【００５１】

【発明の効果】本発明のシンチレータパネルは、炭素を
主成分として構成された基板を用いることで、アルミニ
ウム製の基板と比較して極めて高い放射線透過率を得る
ことができ、明瞭な出力イメージを得ることが可能とな
る。また、炭素を主成分として構成された基板にアモル
ファスカーボン、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ
₃Ｎ₄、Ｂ₄Ｃからなる群の中から選択される１以上の物
質を含浸させ、及び／または、基板の少なくとも一方の
主面にアモルファスカーボン、ポリイミド、ＳｉＣ、Ｂ
Ｎ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｂ₄Ｃからなる群の中から選択される１
以上の物質からなる層を形成することで、基板全体をア
モルファスカーボンで構成する場合と比較して、当該基
板を極めて安価に構成することが可能となる。その結
果、シンチレータパネルを安価に構成することが可能と
なる。

【００５２】また、本発明のシンチレータパネルにおい
ては、シンチレータを覆う光透過性の保護膜を備えるこ
とで、湿気等からシンチレータを保護することが可能と
なる。特に、シンチレータと基板とを覆う保護膜を備え
た場合は、基板側から侵入する湿気からをもシンチレー
タを保護することが可能となる。

【００５３】また、本発明のシンチレータパネルにおい
ては、グラファイトを主成分として基板を構成すること
で、当該基板を極めて安価に構成することが可能とな
る。

【００５４】また、本発明の放射線イメージセンサは、
本発明にかかる上述のシンチレータパネルと撮像素子と
を備えることで、シンチレータパネルから出力される明
瞭な出力イメージを撮像素子によって撮像することが可
能となる。また、上述の基板を安価に構成することがで
きるため、放射線イメージセンサをも安価に構成するこ
とが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】シンチレータパネルの模式断面図である。

【図２】シンチレータパネルの模式断面図である。

【図３】シンチレータパネルの模式断面図である。

【図４】放射線イメージセンサの模式断面図である。

【符号の説明】

１０，２０，３０…シンチレータパネル、１２…基板、
１２ａ…グラファイト粒子、１２ｂ…アモルファスカー
ボン、１２ｃ…被覆層、１４…シンチレータ、１６…保
護膜、１８…撮像素子、４０…放射線イメージセンサ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】炭素を主成分として構成された基板と、前記基板上に設けられたシンチレータとを備え、前記基板の内部には、アモルファスカーボン、ポリイミ
ド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｂ₄Ｃからなる群の中か
ら選択される１以上の物質が含浸されていることを特徴
とするシンチレータパネル。
【請求項２】炭素を主成分として構成された基板と、前記基板上に設けられたシンチレータとを備え、前記基板の少なくとも一方の主面には、アモルファスカ
ーボン、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｂ₄Ｃ
からなる群の中から選択される１以上の物質からなる層
が形成されていることを特徴とするシンチレータパネ
ル。
【請求項３】炭素を主成分として構成された基板と、前記基板上に設けられたシンチレータとを備え、前記基板の内部には、アモルファスカーボン、ポリイミ
ド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｂ₄Ｃからなる群の中か
ら選択される１以上の物質が含浸されており、前記基板の少なくとも一方の主面には、アモルファスカ
ーボン、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｂ₄Ｃ
からなる群の中から選択される１以上の物質からなる層
が形成されていることを特徴とするシンチレータパネ
ル。
【請求項４】前記シンチレータを覆う光透過性の保護
膜をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜３のいず
れか１項に記載のシンチレータパネル。
【請求項５】前記シンチレータと前記基板とを覆う光
透過性の保護膜をさらに備えたことを特徴とする請求項
１〜３のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。
【請求項６】前記基板は、グラファイトを主成分とし
て構成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか
１項に記載のシンチレータパネル。
【請求項７】請求項１〜６のいずれか１項に記載のシ
ンチレータパネルと、前記シンチレータに対向して配置された撮像素子とを備
えたことを特徴とする放射線イメージセンサ。