JP2008309771A - 放射線像変換パネル及び放射線イメージセンサ - Google Patents

放射線像変換パネル及び放射線イメージセンサ Download PDF

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Abstract

【課題】 高い平坦性を有し、高い輝度を有すると共にアルミニウム基板の腐食を防止できる放射線像変換パネル及び放射線イメージセンサを提供する。
【解決手段】 本発明の放射線像変換パネルは、アルミニウム基板と、アルミニウム基板の表面に形成されたアルマイト層と、アルマイト層を被覆するクロム層と、クロム層上に設けられており放射線透過性及び光反射性を有する金属膜と、金属膜を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する酸化物層と、酸化物層を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する保護膜と、保護膜上に設けられており放射線像を変換する変換部とを備える。
【選択図】 図1

Description

この発明は、医療用、工業用のX線撮影等に用いられる放射線像変換パネル及び放射線イメージセンサに関するものである。
従来、医療、工業用のX線撮影では、X線感光フィルムが用いられてきたが、利便性や撮影結果の保存性の面から放射線検出器を用いた放射線イメージングシステムが普及してきている。このような放射線イメージングシステムにおいては、放射線検出器により2次元の放射線による画素データを電気信号として取得し、この信号を処理装置により処理してモニタ上に表示している。
代表的な放射線検出器としては、アルミニウム、ガラス、溶融石英等の基板上に放射線を可視光に変換するシンチレータを形成した放射線像変換パネル(以下、場合により「シンチレータパネル」という。)を形成し、これと撮像素子とを貼り合わせた構造を有する放射線検出器が存在する。この放射線検出器においては、基板側から入射する放射線をシンチレータで光に変換して撮像素子で検出している。
下記特許文献1及び2に記載されている放射線像変換パネルでは、表面にアルマイト層が形成されたアルミニウム基板上に輝尽性蛍光体を形成している。以下、場合により、基板上に輝尽性蛍光体を形成した放射線像変換パネルを「イメージングプレート」という。
特開2006−113007号公報 特開平4−118599号公報
しかしながら、上記放射線像変換パネルでは、シンチレータや輝尽性蛍光体等の蛍光体から出射される光に対するアルマイト層の反射率が低いため、放射線像変換パネルの輝度を十分に高くすることができない。また、例えばシンチレータや輝尽性蛍光体をアルミニウム基板上に蒸着する際に発生する熱によって、アルマイト層にクラックやピンホール等が形成されてしまう。その結果、アルミニウム基板とアルカリハライド系のシンチレータや輝尽性蛍光体とが反応することでアルミニウム基板が腐食してしまう。また、アルマイト層も腐食に強いとはいえシンチレータと反応して腐食する場合もある。腐食は得られる画像に影響を及ぼす。腐食箇所がたとえ微小な点のみであっても撮像された画像を利用して画像診断を行う際にはその画像の信頼性を低下させる。また、経時的にその腐食が大きくなることもある。さらに、アルマイト層の表面平坦性はアルミニウム基板に比べて低いので、シンチレータパネルの平坦性も十分ではない。放射線像変換パネルでは、基板面内の均一な輝度特性、解像度特性が要求されるが、基板が大型化すればするほど製造が困難となる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、高い平坦性を有し、高い輝度を有すると共にアルミニウム基板の腐食を防止できる放射線像変換パネル及び放射線イメージセンサを提供することを課題とする。
上述の課題を解決するため、本発明の放射線像変換パネルは、アルミニウム基板と、前記アルミニウム基板の表面に形成されたアルマイト層と、前記アルマイト層を被覆するクロム層と、前記クロム層上に設けられており放射線透過性及び光反射性を有する金属膜と、前記金属膜を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する酸化物層と、前記酸化物層を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する保護膜と、前記保護膜上に設けられており放射線像を変換する変換部と、を備える。この変換部は例えばシンチレータからなる。
そして、アルミニウム基板に貼り付けられた放射線透過性の補強板を更に備え、このアルミニウム基板は、補強板と変換部との間に配置されているとよい。
また、本発明の放射線イメージセンサは上記いずれかの本発明に係る放射線像変換パネルと、この放射線像変換パネルの変換部から出射される光を電気信号に変換する撮像素子と、を備える。
本発明によれば、高い平坦性を有し、高い輝度を有すると共にアルミニウム基板の腐食を防止できる放射線像変換パネル及び放射線イメージセンサを提供することができる。
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り同一の参照番号を附し、重複する説明は省略する。なお、各図の寸法は説明のために誇張している部分があり、必ずしも実際の寸法比とは一致しない。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係るシンチレータパネル(放射線像変換パネルの一例)を模式的に示す一部破断斜視図である。図2は、図1に示されるII−II線に沿った断面図である。図1及び図2に示されるように、シンチレータパネル10は、アルミニウム基板12と、アルミニウム基板12の表面に形成されたアルマイト層14と、アルマイト層14を被覆するクロム層16(中間膜)とを備える。アルマイト層14とクロム層16とは密着している。また、シンチレータパネル10は、クロム層16上に設けられており放射線透過性及び光反射性を有する金属膜18と、金属膜18を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する酸化物層20と、酸化物層20を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する保護膜22と、保護膜22上に設けられたシンチレータ24(放射線像を変換する変換部の一例)とを備える。クロム層16、金属膜18、酸化物層20、保護膜22、及びシンチレータ24は互いに密着している。
本実施形態では、保護膜22が、アルミニウム基板12、アルマイト層14、クロム層16、金属膜18、及び酸化物層20の全体を密封している。保護膜22は、酸化物層20に形成されているピンホール等に起因する金属膜18の腐食を防止する。また、アルミニウム基板12、アルマイト層14、クロム層16、金属膜18、酸化物層20、保護膜22、及びシンチレータ24の全体は、保護膜26によって密封されている。
X線等の放射線30がアルミニウム基板12側からシンチレータ24に入射されると、シンチレータ24から可視光等の光32が出射される。よって、放射線像がシンチレータパネル10に入射されると、当該放射線像はシンチレータ24において光像に変換される。放射線30は、保護膜26、保護膜22、アルミニウム基板12、アルマイト層14、クロム層16、金属膜18、酸化物層20、及び保護膜22を順に透過してシンチレータ24に到達する。シンチレータ24から出射される光32は、保護膜26を透過して外部に放出されると共に、保護膜22を透過して金属膜18及び酸化物層20において反射されて外部に放出される。シンチレータパネル10は、医療用、工業用のX線撮影等に用いられる。
アルミニウム基板12は、主としてアルミニウムからなる基板であるが、不純物等が含まれてもよい。アルミニウム基板12の厚さは、0.3〜1.0mmであることが好ましい。アルミニウム基板12の厚さが0.3mm未満であると、アルミニウム基板12が湾曲することによってシンチレータ24が剥離し易くなる傾向にある。アルミニウム基板12の厚さが1.0mmを超えると、放射線30の透過率が低下する傾向にある。
アルマイト層14は、アルミニウムを陽極酸化することによって形成され、多孔質のアルミニウム酸化物からなる。アルマイト層14により、アルミニウム基板12に傷がつきにくくなる。アルミニウム基板12に傷がつくと、アルミニウム基板12の反射率が所望の値未満となり、アルミニウム基板12の面内で均一な反射率が得られない。アルミニウム基板12の傷の有無は例えば目視によってでも検査が可能である。アルマイト層14は、アルミニウム基板12のシンチレータ24が形成される側の面のみに形成されてもよいし、アルミニウム基板12の両面に形成されてもよいし、アルミニウム基板12の全体を被覆するように形成されてもよい。アルミニウム基板12の両面にアルマイト層14を形成すると、アルミニウム基板12の反りや撓みを低減することができるので、シンチレータ24が不均一に蒸着されることを防止できる。また、アルマイト層14を形成すると、アルミニウム基板12を圧延形成する工程で付いてしまう縞状のすじを消すことができるので、アルミニウム基板12上に反射膜(金属膜18及び酸化物層20)を形成した場合でも、反射膜において、アルミニウム基板12の面内で均一な反射率が得られる。アルマイト層14の厚さは、10〜5000nmであることが好ましい。アルマイト層14の厚さが10nm未満であると、アルミニウム基板12の傷防止効果が低下する傾向にある。アルマイト層14の厚さが5000nmを超えると、特にアルミニウム基板12の角部分においてアルマイト層14が剥離し、アルマイト層14に大きなクラックが生じてアルマイト層14の耐湿性が低下する傾向にある。一実施例において、アルマイト層14の厚さは1000nmである。アルマイト層14の厚さはアルミニウム基板12の大きさ、厚さに応じて適宜決定される。
図3は、第1実施形態に係るシンチレータパネルのアルマイト層のAESスペクトルの一例を示すグラフである。この例では、アルゴンイオンを用いてアルマイト層14を31分間スパッタエッチングすることにより、アルマイト層14の厚さ方向に元素分析を行っている。この場合、アルミニウム、酸素、及びアルゴンが検出されている。なお、アルゴンは、スパッタエッチング時のアルゴンイオンに起因しているので、アルマイト層14に含まれる元素ではない。よって、本実施例ではアルマイト層14はアルミニウム、及び酸素を含む。
再び図1及び図2を参照する。クロム層16は、主としてクロムからなる層であるが、不純物等が含まれてもよい。また、クロム層16は、クロム化合物からなってもよい。クロム層16の厚さは、50〜1000nmであることが好ましい。一実施例において、クロム層16厚さは200nmである。クロム層16はアルマイト層14の微細な凹凸を低減するので、アルマイト層14上に均一な厚さを有する金属膜18を形成するのに有利に作用する。
保護膜22及び保護膜26は、有機膜又は無機膜であり、互いに異なる材料からなってもよいし、同じ材料からなってもよい。保護膜22及び保護膜26は、例えばポリパラキシリレンからなるが、ポリモノクロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレン、ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエチルパラキシリレン等のキシリレン系の材料からなってもよい。また、保護膜22及び保護膜26は、例えば、ポリ尿素、ポリイミド等からなってもよいし、LiF、MgF、SiO、Al、TiO、MgO、又はSiN等の無機材料からなってもよい。さらに、保護膜22及び保護膜26は、無機膜及び有機膜を組み合わせて形成されてもよい。一実施例において、保護膜22及び保護膜26の厚さは10μmである。
金属膜18は、例えばAlからなるが、Ag、Cr、Cu、Ni、Ti、Mg、Rh、Pt又はAu等からなってもよい。これらの中でも、Al又はAgが好ましい。金属膜18は酸素等の金属元素以外の元素を含んでもよい。また、金属膜18は、複数の金属膜からなってもよく、例えば、Cr膜とCr膜上に設けられたAu膜とを有してもよい。金属膜18の厚さは、50〜200nmであることが好ましい。一実施例において、金属膜18の厚さは70nmである。なお、AES(オージェ電子分光分析)によれば、金属膜18としてアルミニウム膜を使用した場合は、アルミニウム膜の蒸着条件や蒸着後の処理により不完全なアルミニウム酸化物として分析される場合がある。
図4は、第1実施形態に係るシンチレータパネルの金属膜のAESスペクトルの一例を示すグラフである。この例では、アルゴンイオンを用いて金属膜18を20分間スパッタエッチングすることにより、金属膜18の厚さ方向に元素分析を行っている。この場合、アルミニウム、酸素、及びアルゴンが検出されている。なお、アルゴンは、スパッタエッチング時のアルゴンイオンに起因しているので、金属膜18に含まれる元素ではない。金属膜18は酸素を含むが、AESスペクトルの形状から、アルマイト層14と明確に区別可能である。
再び図1及び図2を参照する。酸化物層20は、例えば、金属酸化物、SiO、TiO等からなる。酸化物層20は、互いに異なる材料からなる複数の酸化物層からなってもよく、例えば、SiO膜とTiO膜とからなってもよい。一実施例において、SiO膜の厚さは80nmであり、TiO膜の厚さは50nmである。SiO膜及びTiO膜の厚さや積層数は、シンチレータ24から出射される光32の波長に対する反射率を考慮して決定される。また、酸化物層20は金属膜18の腐食防止機能も有する。
シンチレータ24は、アルミニウム基板12の厚さ方向から見てアルミニウム基板12よりも小さい。シンチレータ24は、例えば、放射線を可視光に変換する蛍光体からなり、Tl又はNa等がドープされたCsIの柱状結晶等からなる。シンチレータ24は、複数の柱状結晶が林立した構成を有する。シンチレータ24は、TlがドープされたNaI、TlがドープされたKI、EuがドープされたLiIからなってもよい。また、シンチレータ24に代えて、EuがドープされたCsBrといった輝尽性蛍光体を使用してもよい。シンチレータ24の厚さは、100〜1000μmであることが好ましく、450〜550μmであることがより好ましい。シンチレータ24を構成する柱状結晶の平均柱径は、3〜10μmであることが好ましい。
以上説明したように、シンチレータパネル10は、アルミニウム基板12と、アルミニウム基板12の表面に形成されたアルマイト層14と、アルマイト層14を被覆するクロム層16と、クロム層16上に設けられており放射線透過性及び光反射性を有する金属膜18と、金属膜18を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する酸化物層20と、酸化物層20を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する保護膜22と、保護膜22上に設けられたシンチレータ24とを備える。よって、シンチレータパネル10では、アルマイト層14とシンチレータ24との間に保護膜22が設けられているので、アルマイト層14にクラックやピンホール等が形成されていても、アルミニウム基板12とシンチレータ24との反応を回避することができる。よって、アルミニウム基板12の腐食を防止できる。また、シンチレータ24から出射された光32が金属膜18及び酸化物層20によって反射されるので、高い輝度を得ることができる。さらに、アルマイト層14と金属膜18との間にクロム層16が設けられているので、アルマイト層14と金属膜18との密着性が向上すると共に金属膜18の平坦性を高めることができる。さらに、アルマイト層14を形成すると、アルミニウム基板12の表面の傷を消すことができるので、シンチレータパネル10面内の均一な輝度特性、解像度特性が得られる。
図5及び図6は、第1実施形態に係るシンチレータパネルの製造方法の一例を模式的に示す工程断面図である。以下、図5及び図6を参照して、シンチレータパネル10の製造方法について説明する。
まず、図5(a)に示されるように、アルミニウム基板12を準備する。次に、図5(b)に示されるように、陽極酸化によりアルミニウム基板12の表面にアルマイト層14を形成する。例えば、希硫酸等の電解液中でアルミニウム基板12を陽極で電解し酸化させる。これにより、中心に微細孔が形成された六角柱のセルの集合体からなるアルマイト層14が形成される。なお、染料にアルマイト層14を浸漬させることによってアルマイト層14を着色することもできる。これにより、解像度を向上させ、又は輝度を高くすることができる。アルマイト層14を形成した後、微細孔を塞ぐための封孔処理を施す。
次に、図5(c)に示されるように、アルマイト層14上に蒸着法を用いてクロム層16を形成する。さらに、図6(a)に示されるように、クロム層16上に真空蒸着法を用いて金属膜18を形成する。その後、図6(b)に示されるように、金属膜18上に酸化物層20を形成する。次に、図6(c)に示されるように、アルミニウム基板12、アルマイト層14、クロム層16、金属膜18、及び酸化物層20の全体を密封するように、CVD法を用いて保護膜22を形成する。さらに、図6(d)に示されるように、蒸着法を用いて、保護膜22を介して酸化物層20上にシンチレータ24を形成する。次に、図1及び図2に示されるように、アルミニウム基板12、アルマイト層14、クロム層16、金属膜18、酸化物層20、保護膜22、及びシンチレータ24の全体を密封するように、CVD法を用いて保護膜26を形成する。このようにして、シンチレータパネル10は製造される。なお、保護膜22及び保護膜26の密封は、CVD時にアルミニウム基板12のシンチレータ形成面と反対面側を基板ホルダから浮かせることで実現できる。このような方法としては、例えば米国特許明細書第6777690号に記載された方法がある。この方法では、ピンを用いてアルミニウム基板12を浮かせている。この場合、アルミニウム基板12とピンとの微小な接触面には保護膜が形成されない。
図7は、第1実施形態に係るシンチレータパネルを含む放射線イメージセンサの一例を示す図である。図7に示される放射線イメージセンサ100は、シンチレータパネル10と、シンチレータパネル10のシンチレータ24から出射される光32を電気信号に変換する撮像素子70とを備える。シンチレータ24から出射される光32はミラー50によって反射され、レンズ60に入射される。光32は、レンズ60によって集光され、撮像素子70に入射される。レンズ60は1つでもよいし複数でもよい。
X線源等の放射線源40から出射された放射線30は、図示しない検査対象物を透過する。透過した放射線像は、シンチレータパネル10のシンチレータ24に入射される。これにより、シンチレータ24から、放射線像に対応した可視光像(撮像素子70が感度を有する波長の光32)が出射される。シンチレータ24から出射された光32は、ミラー50及びレンズ60を介して撮像素子70に入射される。撮像素子70としては、例えばCCDやフラットパネル型イメージセンサが用いられる。その後、電子機器80が撮像素子70から電気信号を受け取り、当該電気信号は、配線36を経由してワークステーション90に伝達される。ワークステーション90は、電気信号を解析してディスプレイに画像を表示する。
放射線イメージセンサ100は、シンチレータパネル10と、シンチレータパネル10のシンチレータ24から出射される光32を電気信号に変換する撮像素子70とを備える。よって、放射線イメージセンサ100は、高い平坦性を有し、高い輝度を有すると共にアルミニウム基板12の腐食を防止できる。
図8は、第1実施形態に係るシンチレータパネルを含む放射線イメージセンサの別の例を示す図である。図8に示される放射線イメージセンサ100aは、シンチレータパネル10と、シンチレータパネル10に対向配置され、シンチレータパネル10のシンチレータ24から出射される光を電気信号に変換する撮像素子70とを備える。シンチレータ24は、アルミニウム基板12と撮像素子70との間に配置されている。撮像素子70の受光面はシンチレータ24側に配置されている。シンチレータパネル10と撮像素子70とは、互いに接合されてもよいし、互いに離間してもよい。接合する場合、接着剤を利用してもよいし、シンチレータ24及び保護膜26の屈折率を考慮して出射される光32の損失を低減するように光学結合材(屈折率整合材)を利用してもよい。
放射線イメージセンサ100aは、シンチレータパネル10と、シンチレータパネル10のシンチレータ24から出射される光を電気信号に変換する撮像素子70とを備える。よって、放射線イメージセンサ100aは、高い平坦性を有し、高い輝度を有すると共にアルミニウム基板12の腐食を防止できる。
(第2実施形態)
図9は、第2実施形態に係るシンチレータパネルを模式的に示す断面図である。図9に示されるシンチレータパネル10aは、シンチレータパネル10の構成に加えて、アルミニウム基板12に貼り付けられた放射線透過性の補強板28を更に備える。アルミニウム基板12は、補強板28とシンチレータ24との間に配置されている。
補強板28は、例えば両面テープや接着剤等によってアルミニウム基板12に貼り付けられている。補強板28としては、(1)炭素繊維強化プラスチック(CFRP:Carbon Fiber Reinforced Plastics)、(2)カーボンボード(木炭及び紙を炭化処理して固めたもの)、(3)カーボン基板(グラファイト基板)、(4)プラスチック基板、(5)上記(1)〜(4)の基板を薄く形成し発泡樹脂でサンドイッチしたもの、等を用いることができる。補強板28の厚さは、アルミニウム基板12及びアルマイト層14の合計厚さよりも大きいことが好ましい。これにより、シンチレータパネル10a全体の強度が向上する。補強板28は、アルミニウム基板12の厚さ方向から見てシンチレータ24よりも大きいことが好ましい。すなわち、アルミニウム基板12の厚さ方向において補強板28側から見たときに、補強板28がシンチレータ24を覆い隠していることが好ましい。これにより、補強板28の影が映ることを防止できる。特に、低エネルギーの放射線30を用いる場合、補強板28の影に起因して画像が不均一になることを防止できる。
シンチレータパネル10aでは、シンチレータパネル10と同様の作用効果を奏することに加えて、シンチレータパネル10aの平坦性及び剛性を更に向上させることができる。したがって、シンチレータパネル10aでは、アルミニウム基板12の湾曲に起因するシンチレータ24の剥離を防止することができる。また、図7に示される放射線イメージセンサ100ではシンチレータパネルを単体で用いるため、剛性の高いシンチレータパネル10aを用いることが有効である。
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されないし、上記種々の作用効果を奏する構成に限定されるものではない。
例えば、放射線イメージセンサ100,100aにおいて、シンチレータパネル10に代えて、シンチレータパネル10aを用いてもよい。
また、シンチレータパネル10,10aは、保護膜26を備えなくてもよい。
上記実施形態では、放射線像変換パネルとしてシンチレータパネルを例示したが、シンチレータ24に代えて輝尽性蛍光体(放射線像を変換する変換部の一例)を用いることによって、放射線像変換パネルとしてのイメージングプレートを作製することもできる。輝尽性蛍光体により、放射線像は潜像に変換される。この潜像をレーザ光でスキャンすることにより、可視光像を読み出す。可視光像は、検出器(ラインセンサ、イメージセンサ、光電子増倍管などの光センサ)によって検出される。
本発明に係る放射線像変換パネル及び放射線イメージセンサは、工業用、医療用の放射線検出システムに好適である。
第1実施形態に係るシンチレータパネルを模式的に示す一部破断斜視図である。 図1に示されるII−II線に沿った断面図である。 第1実施形態に係るシンチレータパネルのアルマイト層のAESスペクトルの一例を示すグラフである。 第1実施形態に係るシンチレータパネルの金属膜のAESスペクトルの一例を示すグラフである。 第1実施形態に係るシンチレータパネルの製造方法の一例を模式的に示す工程断面図である。 図4の製造方法の続きを模式的に示す工程断面図である。 第1実施形態に係るシンチレータパネルを含む放射線イメージセンサの一例を示す図である。 第1実施形態に係るシンチレータパネルを含む放射線イメージセンサの別の例を示す図である。 第2実施形態に係るシンチレータパネルを模式的に示す断面図である。
符号の説明
10、10a…シンチレータパネル、12…アルミニウム基板、14…アルマイト層、16…クロム層、18…金属膜、20…酸化物層、22…保護膜、24…シンチレータ、26…保護膜、28…補強板、30…放射線、32…光、36…配線、40…放射線源、50…ミラー、60…レンズ、70…撮像素子、80…電子機器、90…ワークステーション、100,100a……放射線イメージセンサ。

Claims (4)

  1. アルミニウム基板と、
    前記アルミニウム基板の表面に形成されたアルマイト層と、
    前記アルマイト層を被覆するクロム層と、
    前記クロム層上に設けられており放射線透過性及び光反射性を有する金属膜と、
    前記金属膜を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する酸化物層と、
    前記酸化物層を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する保護膜と、
    前記保護膜上に設けられており放射線像を変換する変換部と、
    を備える、放射線像変換パネル。
  2. 前記変換部は、シンチレータであることを特徴とする請求項1記載の放射線像変換パネル。
  3. 前記アルミニウム基板に貼り付けられた放射線透過性の補強板を更に備え、前記アルミニウム基板は、前記補強板と前記変換部との間に配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の放射線像変換パネル。
  4. 請求項1ないし3のいずれかに記載の放射線像変換パネルと、
    前記放射線像変換パネルの前記変換部から出射される光を電気信号に変換する撮像素子と、
    を備える、放射線イメージセンサ。
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