JP6643098B2 - 放射線検出装置、放射線検出システム、及び、放射線検出装置の製造方法 - Google Patents
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Description
まず、放射線検出装置の第1の実施形態について、図1を参照して説明する。図1は、第1の実施形態に係る放射線検出装置1aの構成例を模式的に示す断面図である。図1に示すように、第1の実施形態に係る放射線検出装置1aは、センサ基板11と、シンチレータ層12と、接着層13と、硬質層14と、反射層15と、反射層保護層16とを有する。
次に、放射線検出装置の第2の実施形態について、図2を参照して説明する。図2は、第2の実施形態に係る放射線検出装置1bの構成例を模式的に示す断面図である。なお、第1の実施形態と共通の構成には、第1の実施形態と同じ符号を付し、説明を省略する。第2の実施形態は、放射線検出装置1bがベース層17を有し、このベース層17が反射層15の機能を有する形態である。図2に示すように、第2の実施形態に係る放射線検出装置1bは、センサ基板11と、シンチレータ層12と、接着層13と、硬質層14と、ベース層17と、防湿材18とを有する。センサ基板11と、シンチレータ層12と、接着層13と、硬質層14の構成および配置は、第1の実施形態と同じである。ただし、第1の実施形態では、シンチレータ層12の周縁部が接着層13を含む各層により覆われるのに対し、第2の実施形態では、シンチレータ層12の周縁部が防湿材18により囲まれる。
次に、放射線検出装置の第3の実施形態について、図3を参照して説明する。図3は、第3の実施形態に係る放射線検出装置1cの構成例を模式的に示す断面図である。第3の実施形態は、硬質層14が反射層15の機能を有する形態である。なお、第1の実施形態と共通の構成には、第1の実施形態と同じ符号を付し、説明を省略する。図3に示すように、第3の実施形態に係る放射線検出装置1cは、センサ基板11と、シンチレータ層12と、接着層13と、硬質層14とを有する。センサ基板11と、シンチレータ層12と、接着層13の構成および配置は、第1の実施形態と同じでよい。
次に、放射線検出装置の第4の実施形態について、図4を参照して説明する。図4は、第4の実施形態に係る放射線検出装置1dの構成例を模式的に示す断面図である。第4の実施形態は、シンチレータ層12の一方の表面(センサ基板11とは反対側の表面)に配置される各層が一体に接合した被覆部材3を形成している形態である。ここでは、被覆部材3がシート状である構成を例に示す。
次に、放射線検出装置の製造方法について説明する。ここでは、第4の実施形態に係る放射線検出装置1dを主な例に用いて説明する。図5は、放射線検出装置1dの製造方法の工程を模式的に示す断面図である。なお、センサ基板11の製造工程など、従来公知の方法が適用できる工程については、説明を省略する。
図5(a)に示すように、センサ基板11の一方の表面に、シンチレータ層12を形成する。本発明の実施形態では、蒸着法を用いて、センサ基板11の一方の表面に、直接にシンチレータ層12を形成する。シンチレータ層12の材料として、例えば、タリウム添加ヨウ化セシウム(CsI:Tl)やナトリウム添加ヨウ化セシウムを用い、柱状結晶121からなるシンチレータ層12を、センサ基板11の一方の表面に直接に形成する。この際、センサ基板11の表面に不純物やゴミやキズなどの異物が存在したり、蒸着材料の突沸によって異物がセンサ基板11の表面に付着したりすると、このような異物を成長核として柱状結晶121が異常成長することがある。そして、異常成長した柱状結晶121は、その周囲に存在する異常成長していない柱状結晶121に比較して高く(厚く)なる。その結果、シンチレータ層12の表面に、局所的に突出する突出部123が現れる。
図5(b)に示すように、接着層13によって、シート状の被覆部材3をシンチレータ層12の一方の表面に接合する。この工程では、被覆部材3の硬質層14によって異常成長した柱状結晶121を押しつぶしつつ、接着層13によってシンチレータ層12と被覆部材3とを貼り合わせて接合する。接合方法としては、真空ラミネート処理が適用できる。具体的には、真空容器内で被覆部材3をシンチレータ層12に押し付ける(加圧する)とともに加熱し、接着層13を溶融させてシンチレータ層12の一方の表面に接合する。この際、ガラス板5などの表面が平坦な部材を用いて加圧することにより、被覆部材3の変形を防止して平面に維持する。被覆部材3の加圧により、被覆部材3の硬質層14が、シンチレータ層12の突出部123、すなわち、異常成長した柱状結晶121の先端部を押しつぶす。被覆部材3の硬質層14は柱状結晶121よりも硬いことから、被覆部材3を加圧すると、硬質層14が破損することなく、シンチレータ層12の突出部123を押しつぶすことができる。なお、反射層15および反射層保護層16は、硬質層14の接着層13が配置される側(シンチレータ層12に接合される側)とは反対側に配置されるから、反射層15および反射層保護層16の破損が防止される。
次に、放射線検出システム6000の実施形態について、図6を参照して説明する。図6は、本発明の実施形態に係る放射線検出システム6000の構成例を模式的に示す図である。本発明の実施形態に係る放射線検出システム6000には、本発明の各実施形態に係る放射線検出装置1a〜1dが適用される。
次に、本発明の第1の実施例について説明する。まず、蒸着法によって、センサ基板11の一方の表面にシンチレータ層12を形成した。蒸着法により別基板上に形成したシンチレータ層12の中心部の膜厚測定を行った結果、膜厚は600μmであった。また、膜厚の測定後のサンプルのシンチレータ層12の表面を走査型電子顕微鏡(SEM:ScanningElectronMicroscope)により観察したところ、柱状結晶121の間に隙間122が形成されていることが確認できた。また異常成長した柱状結晶121による突出部123の存在も確認できた。
次に、第2の実施例について説明する。第2の実施例は、硬質層14の一方の表面に反射層15の機能を有するベース層17が配置される構成の実施例である。この実施例では、硬質層14は厚さが2μmのアクリル樹脂とし、ベース層17は厚さが300μmのアルミニウム板とした。なお、接着層13は、第1の実施例と同じとした。また、その他の条件も第1の実施例と同じとした。
Claims (14)
- 光電変換素子を有するセンサ基板と、
複数の柱状結晶からなり、前記センサ基板の一方の表面に配置されるシンチレータ層と、
前記シンチレータ層の前記センサ基板とは反対側に配置された接着層と、
前記柱状結晶よりも硬く、前記接着層により前記シンチレータ層の前記センサ基板とは反対側に接合された硬質層と、
を有し、
複数の前記柱状結晶のうちの異常成長した柱状結晶がその周囲の他の柱状結晶よりも高いために前記シンチレータ層の表面において局所的に突出した突出部が前記硬質層によって押しつぶされて平坦化された平坦化部が、前記硬質層に接触していることを特徴とする放射線検出装置。 - 前記硬質層の前記シンチレータ層の側の表面は、電気的な絶縁性を有していることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。
- 前記硬質層の前記接着層および前記シンチレータ層とは反対側に配置され、前記シンチレータ層が発する光を反射する反射層をさらに有することを特徴とする請求項1または2に記載の放射線検出装置。
- 前記反射層は、前記硬質層の前記シンチレータ層とは反対側の表面の直上に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の放射線検出装置。
- 前記反射層を覆う反射層保護層をさらに有していることを特徴とする請求項3または4に記載の放射線検出装置。
- 前記硬質層は、前記シンチレータ層が発する光を反射する反射層であることを特徴とする請求項1または2に記載の放射線検出装置。
- 前記硬質層を支持するベース層をさらに有し、
前記ベース層は、前記シンチレータ層が発する光を反射する反射層であることを特徴とする請求項1または2に記載の放射線検出装置。 - 光電変換素子を有するセンサ基板と、
複数の柱状結晶からなり、前記センサ基板の一方の表面に配置されるシンチレータ層と、
前記シンチレータ層の前記センサ基板とは反対側に配置された被覆部材と、
を有し、
前記被覆部材は、
前記柱状結晶よりも硬い硬質層と、
前記硬質層の前記シンチレータ層の側の表面に積層する接着層と、
を有し、
前記被覆部材は、前記接着層により、前記シンチレータ層の前記センサ基板とは反対側に接合され、
複数の前記柱状結晶のうちの異常成長した柱状結晶がその周囲の他の柱状結晶よりも高いために前記シンチレータ層の表面において局所的に突出した突出部が前記硬質層によって押しつぶされて平坦化された平坦化部が、前記被覆部材の前記硬質層に接触していることを特徴とする放射線検出装置。 - 前記被覆部材は、前記硬質層の前記接着層が配置される側とは反対側の表面に配置され、前記シンチレータ層が発する光を反射する反射層をさらに有することを特徴とする請求項8に記載の放射線検出装置。
- 前記被覆部材は、前記反射層の表面を覆う反射層保護層をさらに有することを特徴とする請求項9に記載の放射線検出装置。
- 前記被覆部材は、前記硬質層を支持するベース層をさらに有し、前記ベース層が前記シンチレータ層が発する光を反射する反射層であることを特徴とする請求項8に記載の放射線検出装置。
- 前記シンチレータ層の複数の前記柱状結晶はヨウ化セシウムの柱状結晶であり、
前記硬質層は、モース硬度が3以上とショア硬さがD24以上の少なくとも一方を充足することを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の放射線検出装置。 - 請求項1から12のいずれか1項に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置によって得られた信号を処理する信号処理手段と、
を有することを特徴とする放射線検出システム。 - 光電変換素子を有するセンサ基板の一方の表面に蒸着法を用いて形成された複数の柱状結晶からなるシンチレータ層のうちの異常成長した柱状結晶を、前記柱状結晶よりも硬い硬質層と、前記硬質層の前記シンチレータ層の側の表面に積層する接着層と、を有する被覆部材で、前記硬質層で前記異常成長した柱状結晶を押しつぶしつつ前記接着層で前記シンチレータ層と前記被覆部材とを貼り合わせる工程を有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
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JP2017129462A (ja) | 2017-07-27 |
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