JP2006113007A - 放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

【課題】アルミニウム基板の腐食を防止しつつ画質が良好な放射線画像変換パネルを提供する。
【解決手段】
アルマイト処理を施したアルミニウム基板１１ａを有する支持体１１上に、ＣｓＸ蛍光体を母体とする輝尽性蛍光体からなる輝尽性蛍光体層１２を有する放射線画像変換パネル１０において、
前記支持体１１におけるアルマイト層１１ｂの層厚は、０．１μｍ以上であるとともに１０μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以上であるとともに５μｍ以下であり、前記支持体１１の輝尽発光波長及び励起光波長の光の反射率は６０％以上であることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、放射線画像変換パネルに係り、特に、輝尽性蛍光体層が形成された放射線画像変換パネルに関する。

従来より、病気診断等を目的として、Ｘ線画像に代表される放射線画像が用いられている。このような放射線画像を得るための方式として、近年においては、輝尽性蛍光体を採用した放射線画像読取方式が提案され、実用化されている。この方式においては、被写体を透過させた放射線を放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に照射して、被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させる。そして、この輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって蓄積させた放射線エネルギーを輝尽発光光として放出させ、光電変換手段を用いてこの輝尽発光光を画像信号に変換して、デジタル画像データとして放射線画像を得ている。

このような放射線画像読取方法に用いられる放射線画像変換パネルは、基本構造として、基板となる支持体と、この支持体上に成膜された輝尽性蛍光体を分散含有する輝尽性蛍光体層と、からなる。

前記放射線画像読取方法は種々の利点を有する方法であるが、より高画質の放射線画像を得るためには、この方法に用いられる放射線画像変換パネルにおいても、できる限り高感度なものであることが望ましい。

最近では、ＣｓＸ（Ｘ：ハロゲン原子）等のハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルが提案されている。特にＣｓＸ蛍光体を母体とする輝尽性蛍光体は、放射線（Ｘ線）吸収率がよい輝尽性蛍光体であり、このような輝尽性蛍光体を用いることにより輝尽性蛍光体層の感度の向上が可能になり、高画質な放射線画像の記録、撮影を行うことができる。

ここで、放射線画像変換パネルに用いられる支持体としては、各種高分子材料、硝子、金属等が知られているが、前記のようなＣｓＸ蛍光体を母体とする輝尽性蛍光体層の支持体として特に好ましい材料としてはアルミニウムを素材とするアルミニウム基板が知られている（特許文献１参照）。
特開２００２−２９６３９７号公報

しかしながら、ＣｓＸ蛍光体を母体とする輝尽性蛍光体層の支持体としてアルミニウム基板を用いる場合、アルミニウム基板の輝尽性蛍光体層と接触する部位に基板腐食が発生してしまうという問題があった。ここで、一般に、アルミニウム基板の腐食を防止する方法としては、アルミニウム基板にアルマイト処理を施す方法がある。しかしながら、アルマイト処理を施したアルミニウム基板を放射線画像変換パネルの支持体として用いた場合、支持体のアルマイト層で輝尽励起光や輝尽発光光等が吸収・散乱されてしまうので、得られる放射線画像の輝度やコントラストが低下してしまい、画質が低下するという問題があった。

本発明の課題は、ＣｓＸ蛍光体を母体とする輝尽性蛍光体層の支持体としてアルミニウム基板を用い、アルミニウム基板の腐食を防止しつつ画質が良好な放射線画像変換パネルを提供することである。

前記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、
アルマイト層を備えるアルミニウム基板からなる支持体上に、ＣｓＸ蛍光体を母体とする輝尽性蛍光体からなる輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、
前記支持体の輝尽発光波長及び励起光波長の光の反射率は６０％以上であることを特徴とする。

請求項１に記載の発明によれば、アルマイト層を備えるアルミニウム基板からなる支持体の輝尽発光波長及び励起光波長の光の反射率は６０％以上であるので、前記支持体を放射線画像変換パネルに用いて、画質が良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の放射線画像変換パネルにおいて、
前記アルマイト層の層厚は、０．１μｍ以上であるとともに１０μｍ以下であることを特徴とする。

請求項２に記載の発明によれば、アルマイト層の層厚は０．１μｍ以上であるとともに１０μｍ以下であるので、アルマイト層における輝尽発光波長及び励起光波長の光の吸収・散乱を低減させることができる。よって、そのアルミニウム基板からなる支持体を放射線画像変換パネルに用いて、アルミニウム基板の腐食を防止しつつ、画質が良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる。

請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネルにおいて、
前記アルマイト層の層厚は、０．１μｍ以上であるとともに５μｍ以下であることを特徴とする。

請求項３に記載の発明によれば、アルマイト層の層厚は０．１μｍ以上であるとともに５μｍ以下であるので、アルマイト層における輝尽発光波長及び励起光波長の光の吸収・散乱をより低減させることができる。よって、そのアルミニウム基板からなる支持体を放射線画像変換パネルに用いて、アルミニウム基板の腐食を防止しつつ、画質がより良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる。

請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルにおいて、
前記輝尽性蛍光体層は、ＣｓＢｒ柱状結晶を備えることを特徴とする。

請求項４に記載の発明によれば、輝尽性蛍光体層は、ＣｓＢｒ柱状結晶を備えるので、その輝尽性蛍光体層の感度をより向上させることができる。よって、より高画質な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネルとすることができる。

請求項１に記載の発明によれば、アルマイト層を備えるアルミニウム基板からなる支持体表面の輝尽発光波長及び励起光波長の光の反射率は６０％以上であるので、その支持体を放射線画像変換パネルに用いて、画質が良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる。

請求項２に記載の発明によれば、アルマイト層の層厚は０．１μｍ以上であるとともに１０μｍ以下であるので、アルマイト層における輝尽発光波長及び励起光波長の光の吸収・散乱を低減させつつ、アルミニウム基板の腐食を防止することができる。よって、アルミニウム基板からなる支持体を放射線画像変換パネルに用いて、放射線画像変換パネルの耐食性を向上させると同時に、画質が良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる。

請求項３に記載の発明によれば、アルマイト層の層厚は０．１μｍ以上であるとともに５μｍ以下であるので、アルマイト層における輝尽発光波長及び励起光波長の光の吸収・散乱をより低減させつつ、アルミニウム基板の腐食を防止することができる。よって、アルミニウム基板からなる支持体を放射線画像変換パネルに用いて、放射線画像変換パネルの耐食性を向上させると同時に、画質がより良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる。

請求項４に記載の発明によれば、請求項１〜３のいずれか一項に記載の効果に加えて、
輝尽性蛍光体層は、ＣｓＢｒ柱状結晶からなるので、輝尽性蛍光体層の感度をより向上させることができる。よって、より高画質な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネルとすることができる。

以下に、本実施形態について、図面を参照して説明する。ただし、発明の範囲を以下の例に限定するものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加え得ることは勿論である。

図１は、本実施形態の放射線画像変換パネル１０の断面図である。
図１に示されるように、放射線画像変換パネル１０は、支持体１１と、支持体１１の一面に形成された輝尽性蛍光体層１２と、を備えており、必要に応じて輝尽性蛍光体層１２上には輝尽性蛍光体層１２を保護する保護層１３等が設けられている。

以下、各層毎に説明する。

支持体１１は、その表面に形成される輝尽性蛍光体層１２を支持する支持部材である。本実施形態の支持体１１には、基板としてアルミニウムを素材とする金属シートのアルミニウム基板１１ａ（例えば、住友軽金属社製Ａ１０５０−Ｈ２４ＭＦ等）が設けられている。

アルミニウム基板１１ａの厚みは用いる基板等によって異なるが、一般的には８０μｍ〜５０００μｍであり、取り扱い上の観点から、更に好ましいのは２５０μｍ〜４０００μｍである。

アルミニウム基板１１ａの表面であって、少なくとも輝尽性蛍光体層１２側の面には、アルマイト処理により形成されたアルマイト層１１ｂが設けられている。このアルマイト層１１ｂは、陽極酸化処理等、一般的なアルマイト処理の方法で形成されたものである。このように支持体１１にアルマイト層１１ｂを設けることで、アルマイト基板１１ａの表面に輝尽性蛍光体層１２が直接接触して、アルマイト基板１１ａに腐食が発生することを防止できる。また、アルマイト層１１ｂの層厚を０．１μｍ以上とすることでアルマイト基板１１ａの腐食を確実に防止することができる。

さらに、アルマイト層１１ｂは、アルマイト処理によるアルマイト層の一般的な層厚よりも薄くなるように形成されており、その層厚は、０．１μｍ以上であるとともに１０μｍ以下であり、より好ましくは０．１μｍ以上であるとともに５μｍ以下である。ここで、アルマイト層１１ｂを一般的な層厚にすると、アルミニウム基板１１ａの腐食は防止できるものの、アルマイト層１１ｂにおける輝尽発光波長（波長４００〜５００ｎｍ）及び励起光波長（波長６４０〜７００ｎｍ）の光の吸収・散乱が顕著に表れるので得られる放射線画像の画質が低下してしまう。しかしながら、前記の範囲の層厚でアルマイト層１１ｂを形成させることにより、アルミニウム基板１１ａの腐食を防止しつつ、アルマイト層１１ｂにおける輝尽発光波長及び励起光波長の光の吸収・散乱を低減させることができるので、支持体１１のアルマイト層１１ｂ側における輝尽発光波長及び励起光波長の光の反射率を６０％以上とすることができる。

輝尽性蛍光体層１２は、目的とする放射線画像変換パネル１０の放射線に対する輝度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、少なくとも１層以上からなる層状構造であり、その層厚は５０μｍ以上、好ましくは２００〜１０００μｍに形成されている。

前記の様な輝尽性蛍光体層１２は、下記一般式で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有する。
一般式；Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ’₂・ｂＭ³Ｘ”₃：ｚＡ
［式中、Ｍ¹はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ²はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、Ｍ³はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ、Ｘ’及びＸ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属元素であり、また、ａ、ｂ、ｚはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ≦１．０の範囲の数値を表す。］

前記一般式で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体において、Ｍ¹は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ等の各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子を表すが、中でもＲｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子が好ましく、さらに好ましくはＣｓ原子である。

Ｍ²は、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ等の各原子から選ばれる二価の金属原子である。

Ｍ³は、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の三価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる三価の金属原子である。

Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子である。中でも好ましくはＥｕ原子である。

輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、Ｘ、Ｘ’及びＸ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子を表すが、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒから選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が好ましく、Ｂｒ原子が更に好ましい。

また、前記一般式において、ｂ値は０≦ｂ＜０．５であるが、好ましくは、０≦ｂ＜１０^-2である。

本発明において輝尽性蛍光体層１２は、前記一般式で表される輝尽性蛍光体のいずれを用いてもよいが、高感度性、高鮮鋭性の観点から、特に、ＣｓＢｒ柱状結晶を備えることが好ましい。

ここで、前記の輝尽性蛍光体は、例えば下記（ａ）〜（ｃ）に示す蛍光体原料を用いて、以下に述べる方法により製造される。

（ａ）ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ及びＣｓＩから選ばれる少なくとも１種又は２種以上の化合物が用いられる。

（ｂ）ＭｇＦ₂、ＭｇＣｌ₂、ＭｇＢｒ₂、ＭｇＩ₂、ＣａＦ₂、ＣａＣｌ₂、ＣａＢｒ₂、ＣａＩ₂、ＳｒＦ₂、ＳｒＣｌ₂、ＳｒＢｒ₂、ＳｒＩ₂、ＢａＦ₂、ＢａＣＩ₂、ＢａＢｒ₂、ＢａＢｒ₂・２Ｈ₂Ｏ、ＢａＩ₂、ＺｎＦ₂、ＺｎＣｌ₂、ＺｎＢｒ₂、ＺｎＩ₂、ＣｄＦ₂、ＣｄＣｌ₂、ＣｄＢｒ₂、ＣｄＩ₂、ＣｕＦ₂、ＣｕＣｌ₂、ＣｕＢｒ₂、ＣｕＩ、ＮｉＦ₂、ＮｉＣｌ₂、ＮｉＢｒ₂及びＮｉＩ₂の化合物から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の化合物が用いられる。

（ｃ）前記一般式において、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇ等の各原子から選ばれる金属原子を有する化合物が用いられる。

製造する輝尽性蛍光体の組成式に応じて、前記（ａ）〜（ｃ）の中から用いる蛍光体原料を適宜選択し、各原料を前記一般式のａ，ｂ，ｚの範囲を満たすように秤量し、純水にて溶解する。この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合してもよい。

次に、得られた水溶液のｐＨ値Ｃを０＜Ｃ＜７に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。

次に、得られた原料混合物を石英ルツボあるいはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を行う。焼成温度は５００〜１０００℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、０．５〜６時間が好ましい。

焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気あるいは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。

なお、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行えば輝尽性蛍光体の発光輝度を更に高めることができ、また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の輝尽性蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気もしくは中性雰囲気のままで冷却してもよい。

また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気もしくは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた輝尽性蛍光体から発せられる輝尽光の輝度をより一層高めることができ好ましい。

本実施形態において輝尽性蛍光体層１２は、前記の輝尽性蛍光体を支持体１１の表面へ蒸着法により形成される。なお、輝尽性蛍光体層１２の形成方法は蒸着法に限られず、適宜変更可能である。

蒸着法を適用するに当たり、例えば、図２に示す蒸着装置１を好適に用いることができる。

図２に示すように、蒸着装置１は、真空ポンプ６により容器内を真空排気させ、所望の真空度に調節させる真空容器２を備えている。

真空容器２には、輝尽性蛍光体を内部に収容しており、その輝尽制蛍光体を加熱により蒸発又は昇華させるようになっている蒸発源３が備えられている。蒸発源３は抵抗加熱法で加熱するため、ヒータを巻いた石英ルツボ又はアルミナルツボ等から構成してもよいし、ボートや、高融点金属からなるヒータから構成してもよい。また、輝尽性蛍光体を加熱する方法は、抵抗加熱法以外に電子ビームによる加熱や、高周波誘導による加熱等の方法でもよいが、本発明では、比較的簡単な構成で取り扱いが容易、安価、かつ、非常に多くの物質に適用可能である点から抵抗加熱法が好ましい。

蒸発源３より上方の真空容器２の内面には、蒸発源３からの蒸気が蒸着されるように支持体１１を保持する支持体ホルダ４が回転自在に備えられている。支持体ホルダ４には、保持される支持体１１を加熱する加熱ヒータ（図示略）が備えられている。また、支持体ホルダ４には、支持体ホルダ４を蒸発源３に対して回転させる支持体ホルダ回転機構５が備えられており、支持体ホルダ回転機構５は、支持体ホルダ４を真空容器２に連結するとともに支持体ホルダ４の回転の軸となる回転軸５aと、真空容器２外に配置されて回転軸５aの駆動源となるモータ（図示略）と、から構成されている。

以上のように構成された蒸着装置１を使用して、以下の手順により、放射線画像変換パネル１０を形成させることができる。

まず、支持体１１をそのアルマイト層１１ｂが蒸発源３に対向されるように支持体ホルダ４に取り付ける。

次いで、真空容器２内を真空排気させ、所望の真空度に調節しながら、支持体ホルダ回転機構５により支持体ホルダ４を蒸発源３に対して回転させる。

この際、必要に応じて、輝尽性蛍光体層１２が形成される支持体１１を冷却あるいは加熱させる。気相堆積法による輝尽性蛍光体層１２の形成にあたり、輝尽性蛍光体層１２が形成される支持体１１の温度は、室温（ｒｔ）〜３００℃に設定することが好ましく、さらに好ましくは５０〜２００℃である。このように、蒸着時に支持体１１を加熱させることによって、支持体１１表面の吸着物を離脱・除去し、支持体１１表面と輝尽性蛍光体との間に不純物層が発生するのを防止し、密着性の強化や輝尽性蛍光体層１２の膜質調整を行うことができる。

支持体１１の温度が調節されて、支持体１１と支持体ホルダ４との毎分辺りの回転数が所定の値に達して安定されると、蒸発源３から輝尽性蛍光体を蒸発させて、支持体１１の表面に柱状結晶状の輝尽性蛍光体層１２を所望の厚さに成長させる。

なお、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層１２を形成させることも可能である。さらに、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着させ、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成させると同時に輝尽性蛍光体層１２を形成させることも可能である。

さらに、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層１２を加熱処理してもよい。また、蒸着法においては必要に応じてＯ₂、Ｈ₂等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行ってもよい。

以上のようにして輝尽性蛍光体層１２を形成した後、必要に応じて、輝尽性蛍光体層１２の支持体１１とは反対の側に、物理的にあるいは化学的に輝尽性蛍光体層１２を保護するための保護層１３を設けてもよい。保護層１３は、保護層１３用の塗布液を輝尽性蛍光体層１２の表面に直接塗布して形成させてもよいし、また、予め別途形成した保護層１３を輝尽性蛍光体層１２に接着させてもよい。

以下に、実施例および比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、勿論本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

〔放射線画像変換パネルの作製〕
まず、以下に示すようにしてそれぞれの放射線画像変換パネル１０を作製した。

（１）実施例１の作製
アルミニウムを素材とする金属シートからなるアルミニウム基板１１ａ（層厚０．５ｍｍ）の表面に、アルマイト処理を施して、０．５μｍの層厚のアルマイト層１１ｂを形成させて、支持体１１とした。

前記支持体１１のアルマイト層１１ｂ側の表面に、図２に示す蒸着装置１を使用してＣｓＢｒを母体とする輝尽性蛍光体を蒸着させ、ＣｓＢｒ柱状結晶を形成させて輝尽性蛍光体層１２を形成し、実施例１の放射線画像変換パネル１０を得た。

（２）比較例２及び実施例２〜４の作製
次に、表１に示すように、支持体のアルマイト層１１ｂの層厚をそれぞれ０．０５μｍ、０．１μｍ、０．５μｍ、５μｍ、１０μｍとした以外は実施例１と同様にして放射線画像変換パネル１０を製造し、本発明に係る比較例２及び実施例２〜４とした。

（３）比較例１の作製
次に、表１に示すように、支持体１１としてアルマイト処理を施していないアルミニウム基板１１ａを用いた点以外は実施例１と同様にして放射線画像変換パネル１０を製造し、本発明に係る比較例１とした。

〔評価〕
以上の様にして得られた実施例１〜４及び比較例１〜２のそれぞれの放射線画像変換パネルについての評価は、まず、支持体１１の輝尽発光波長及び励起光波長の光の反射率測定を行い、放射線画像変換パネルの輝度評価を行った。その後、放射線画像変換パネルを３０℃、８０％ＲＨの状態で一週間静置して、強制劣化処理を施し、腐食数評価を行った。

（１）反射率測定
実施例１〜４および比較例１〜２における支持体１１にそれぞれコニカミノルタセンシング製分光測色計ＣＭ−５１２ｍ３を用いて、輝尽発光波長及び励起光波長の光の反射率（％）を測定した。表１にその結果を示す。

（１）輝度評価
実施例１〜４および比較例１〜２において得られた放射線画像変換パネルにそれぞれ、管電圧８０ＫＶｐのＸ線を照射した後、パネルをＨｅ−Ｎｅレーザー光（６３３ｎｍ）で走査して励起し、蛍光体層から放射される輝尽発光光を受光器（分光感度Ｓ−５の光電子像倍管）で受光して、その輝尽発光光の強度を測定して、比較例１の場合を１００とする相対値で表した。表１にその結果を示す。

（２）腐食数評価
実施例１〜４及び比較例１〜２において得られた放射線画像変換パネルにおいて、輝尽性蛍光体層１２を剥離した後、支持体１１の表面を光学顕微鏡を用いて観察し、支持体１１の表面の１０ｃｍ平方の腐食数を測定した。表１中の腐食数は、比較例１のアルマイト処理をしていない支持体を用いた放射線画像変換パネルの腐食数を１００とした場合の相対値である。表１にその結果を示す。

表１に示すように、比較例１に対して実施例１〜４及び比較例２の放射線画像変換パネル１０は、支持体１１にアルマイト層１１ｂを設けることにより、その腐食数が激減しており、アルミニウム基板１１ａの耐食性が顕著に向上することがわかる。また、比較例２に対して実施例１〜４の腐食数に示されるように、アルマイト層１１ｂの層厚を０．１μｍ以上にすることで、腐食数を０にすることができ、アルミニウム基板１１ａの腐食を確実に防止できることがわかる。

また、実施例１〜４の輝度に示されるように、アルマイト層１１ｂを支持体１１に設けた場合でも、アルマイト層１１ｂの層厚を１０μｍ以下にすることにより、輝尽発光波長及び励起光波長の光の反射率を６０％以上に確保することができ、輝度の相対値も７０以上に維持される。さらに、アルマイト層１１ｂの層厚を５μｍ以下にすることにより、輝尽発光波長及び励起光波長の光の反射率を８０％以上に確保することができ、輝度の相対値も９０以上に維持される。
よって、アルマイト層１１ｂの層厚を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下にすることにより、アルマイト層１１ｂにおける輝尽発光波長及び励起光波長の光の吸収・散乱を防止でき、得られる放射線画像の画質が良好な放射線画像変換パネル１０とすることができる。

以上より、アルミニウム基板１１ａとその表面のアルマイト層１１ｂとを有する支持体１１上に、ＣｓＸ蛍光体を母体とする輝尽性蛍光体からなる輝尽性蛍光体層１２を有する放射線画像変換パネル１０において、前記アルマイト層１１ｂの層厚を、０．１μｍ以上であるとともに１０μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以上であるとともに５μｍ以下とすることにより、アルミニウム基板１１ａの腐食を防止しつつ、得られる放射線画像の画質が良好な放射線画像変換パネル１０とすることができる。

本発明の放射線画像変換パネルの一例を示す模式図である。 蒸着装置の一例の概略構成を示す断面図である。

符号の説明

１ 蒸着装置
２ 真空容器
４ 支持体ホルダ
５ 支持体ホルダ回転機構
１０ 放射線画像変換パネル
１１ 支持体
１１ａ アルミニウム基板
１１ｂ アルマイト層
１２ 輝尽性蛍光体層

Claims (4)

1. アルマイト層を備えるアルミニウム基板からなる支持体上に、ＣｓＸ蛍光体を母体とする輝尽性蛍光体からなる輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、
   前記支持体の輝尽発光波長及び励起光波長の光の反射率は６０％以上であることを特徴とする放射線画像変換パネル。
2. 前記アルマイト層の層厚は、０．１μｍ以上であるとともに１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネル。
3. 前記アルマイト層の層厚は、０．１μｍ以上であるとともに５μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネル。
4. 前記輝尽性蛍光体層は、ＣｓＢｒ柱状結晶を備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。

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