JP2006090888A - 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】輝尽性蛍光体層の輝度分布が均一な放射線画像変換パネルを提供する。
【解決手段】真空容器２内で、シート状の支持体１１を保持し、回転させながら輝尽性蛍光体を蒸着させて、輝尽性蛍光体層を成膜する放射線画像変換パネルの製造方法において、蒸着工程における支持体１１の任意の二箇所の温度を支持体温度Ｔ₁及びＴ₂とすると、支持体温度Ｔ₁及びＴ₂が、｜Ｔ₁−Ｔ₂｜≦１０℃を満たすように支持体１１を加熱する。
【選択図】図１

Description

本発明は、放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法に係り、特に、輝尽性蛍光体層が形成された放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法に関する。

従来より、病気診断等を目的として、Ｘ線画像に代表される放射線画像が用いられている。このような放射線画像を得るための方法として、近年においては、輝尽性蛍光体を採用した放射線画像読取方法が提案され、実用化されている。この方法においては、被写体を透過させた放射線を放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に照射して、被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させる。そして、この輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって蓄積させた放射線エネルギーを輝尽発光光として放出させ、光電変換手段を用いてこの輝尽発光光を画像信号に変換して、デジタル画像データとして放射線画像を得ている。

このような放射線画像読取方法に用いられる放射線画像変換パネルは、基本構造として、基板となる支持体と、この支持体上に成膜された輝尽性蛍光体を分散含有する輝尽性蛍光体層と、からなる。

前記放射線画像読取方法は種々の利点を有する方法であるが、より高画質の放射線画像を得るためには、この方法に用いられる放射線画像変換パネルにおいても、できる限り高感度であってかつ画質（鮮鋭性や輝度）が良好でムラのないものであることが望ましい。

放射線画像の感度及び画質を高めることを目的として、輝尽性蛍光体層を気相堆積法により形成することからなる放射線画像変換パネルの製造方法が提案されている。気相堆積法には真空蒸着法（以下、「蒸着法」という）やスパッタ法などがあり、例えば蒸着法は、蛍光体又はその原料からなる蒸発源を抵抗加熱器や電子線の照射により加熱して蒸発源を蒸発、飛散させ、支持体を高速回転させながらその表面に蒸発物を堆積させることにより、輝尽性蛍光体層を成膜するものである。

特許文献１記載の製造方法では、前記の蒸着法において、蛍光体を蒸着させて柱状結晶性の輝尽性蛍光体層を成膜させる際に、支持体を所定の温度範囲に加熱することで、柱径が好適であってかつ略均一な柱状結晶性の優れた輝尽性蛍光体層を成膜させることができる。よって、高画質の放射線画像を与える放射線画像変換パネルを製造することができる。
特開２００３−３０２４９８号公報

しかしながら、前記特許文献１に記載の方法で放射線画像変換パネルを製造した場合、柱状結晶性が好適な輝尽性蛍光体層を成膜させることができるものの、蒸着時における支持体の温度の分布にムラが発生した場合、得られる輝尽性蛍光体層における輝度分布にムラが発生してしまうという問題があった。

放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の輝度分布は、提供する放射線画像の輝度分布と密接に関係するものであり、放射線画像は輝度分布が均一であるものほど病変等のより正確な診断が可能である。

本発明の課題は、輝尽性蛍光体層の輝度分布が均一であり、高画質な放射線画像を提供する放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法を提供することである。

前記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、
支持体を回転させながら、気相堆積法により前記支持体上に輝尽性蛍光体を蒸着させて輝尽性蛍光体層を成膜させる放射線画像変換パネル製造方法において、
前記蒸着工程における前記支持体の任意の二箇所の温度を支持体温度Ｔ₁及びＴ₂とすると、前記支持体温度Ｔ₁及びＴ₂が、｜Ｔ₁−Ｔ₂｜≦１０℃の関係を満たすことを特徴とする。

請求項１記載の発明によれば、蒸着工程での支持体の温度分布が１０℃以下になるようにされているので、成膜される輝尽性蛍光体層の輝度分布が均一化され、輝度ムラのない放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネルを製造することができる。

ここで、支持体の温度分布とは、蒸着工程での支持体の任意の二箇所の温度を支持体温度Ｔ₁及びＴ₂としたときの、｜Ｔ₁−Ｔ₂｜で表される値とする。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法であって、
前記蒸着工程において、前記支持体の温度は、任意の温度に保たれた温媒を前記支持体に接触させることにより調節されることを特徴とする。

請求項２に記載の発明によれば、蒸着工程で支持体の温度は、任意の温度に保たれた温媒が前記支持体に直接又は間接的に接触することにより調節される（以下、「温媒接触法」という）ので、従来のシーズヒータ法による支持体加熱より確実に支持体温度のムラを小さくすることができる。

請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネルの製造方法により製造される放射線画像変換パネルであって、
前記輝尽性蛍光体層は、下記一般式で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有していることを特徴とする。
一般式；Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ’₂・ｂＭ³Ｘ”₃：ｚＡ
［式中、Ｍ¹はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ²はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、Ｍ³はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ、Ｘ’及びＸ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属元素であり、また、ａ、ｂ、ｚはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ≦１．０の範囲の数値を表す。］

請求項３に記載の発明によれば、輝尽性蛍光体層は、前記一般式で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有する。前記一般式で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体は、放射線（Ｘ線）吸収率がよいので、輝尽性蛍光体層の感度をより向上させることができる。よって、製造される放射線画像変換パネルをより高感度なものとすることができる。

請求項１に記載の発明によれば、輝尽性蛍光体層における輝度分布が均一な放射線画像変換パネルを製造することができるので、画質が均一で良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネルを得ることができる。

請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明と同様の効果が得られるとともに、温媒接触法により支持体温度は調節されて、従来より支持体温度のムラを確実に小さくすることができるので、輝尽性蛍光体層の輝度ムラを確実に抑えることができる。

請求項３に記載の発明によれば、請求項１又は２に記載の発明と同様の効果が得られるとともに、輝尽性蛍光体層は、ハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有するので、高感度の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルとすることができる。よって、より高画質な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネルとすることができる。

以下に、本実施形態について、図面を参照して説明する。ただし、発明の範囲を以下の例に限定するものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加え得ることは勿論である。

本発明に係る放射線画像変換パネル１０は気相堆積法により製造される。ここで、気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法等、如何なる方法を用いてもよいが、特に蒸着法が好ましい。よって、本実施形態における放射線画像変換パネル１０は、蒸着法により製造されるものとし、以下、本発明に係る放射線画像変換パネル１０の製造に用いられる製造装置である蒸着装置１について説明する。

図１に示すように、蒸着装置１は、真空ポンプ６により容器内を真空排気させ、所望の真空度に調節させる真空容器２を備えている。

真空容器２には、輝尽性蛍光体を内部に収容しており、その輝尽制蛍光体を加熱により蒸発又は昇華させるようになっている蒸発源３が備えられている。蒸発源３は抵抗加熱法で加熱するため、ヒータを巻いた石英ルツボ又はアルミナルツボ等から構成してもよいし、ボートや、高融点金属からなるヒータから構成してもよい。また、輝尽性蛍光体を加熱する方法は、抵抗加熱法以外に電子ビームによる加熱や、高周波誘導による加熱等の方法でもよいが、本発明では、比較的簡単な構成で取り扱いが容易、安価、かつ、非常に多くの物質に適用可能である点から抵抗加熱法が好ましい。

蒸発源３より上方の真空容器２の内面には、蒸発源３からの蒸気が蒸着されるように支持体１１を保持する支持体ホルダ４が回転自在に備えられている。支持体ホルダ４には、保持される支持体１１を温媒接触法により加熱する支持体温度調節機構（図示略）が備えられており、支持体温度調節機構は、任意の温度に保たれた温媒（例えば、オイル等）を支持体ホルダ４内に循環させて、支持体ホルダ４に接触する支持体１１を直接又は間接的に加熱させるので、支持体１１をムラなく加熱できるようになっている。

ここで、支持体１１を温媒接触法により加熱させるので、支持体１１表面の吸着物を離脱・除去し、支持体１１表面と輝尽性蛍光体との間に不純物層が発生するのを防止し、密着性の強化や輝尽性蛍光体層１２の膜質調整を行うことができるという従来の効果が得られるとともに、支持体１１の温度分布にムラが生じないように加熱できるという効果がある。

また、支持体ホルダ４には、支持体ホルダ４を蒸発源３に対して回転させる支持体ホルダ回転機構５が備えられており、支持体ホルダ回転機構５は、支持体ホルダ４を真空容器２に連結させるとともに支持体ホルダ４の回転の軸となる回転軸５aと、真空容器２外に配置されて回転軸５aの駆動源となるモータ（図示略）と、から構成されている。

なお、真空容器２内には、必要に応じて、支持体１１を表面側から加熱するシーズヒータ（図示略）が備えられるものとしてもよい。シーズヒータは、例えば、ハロゲンランプ等を備えており、支持体１１表面に対向するように設置される。このように、シーズヒータを備えることにより、シーズヒータ法による支持体１１表面の加熱が可能である。

以上のように構成された蒸着装置１を使用して、本実施形態の放射線画像変換パネル１０を製造する方法について、以下に詳しく述べる。

まず、蒸着装置１の蒸発源３に設置する輝尽性蛍光体を製造する。

ここで、輝尽性蛍光体について述べると、輝尽性蛍光体は、下記一般式で表されるハロゲン化アルカリを母体とする。
一般式；Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ’₂・ｂＭ³Ｘ”₃：ｚＡ
［式中、Ｍ¹はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ²はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、Ｍ³はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ、Ｘ’及びＸ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属元素であり、また、ａ、ｂ、ｚはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ≦１．０の範囲の数値を表す。］

前記一般式で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体において、Ｍ¹は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ等の各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子を表すが、中でもＲｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子が好ましく、さらに好ましくはＣｓ原子である。

Ｍ²は、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ等の各原子から選ばれる二価の金属原子である。

Ｍ³は、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の三価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる三価の金属原子である。

Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子である。中でも好ましくはＥｕ原子である。

輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、Ｘ、Ｘ’及びＸ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子を表すが、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒから選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が好ましく、Ｂｒ原子が更に好ましい。

また、前記一般式において、ｂ値は０≦ｂ＜０．５であるが、好ましくは、０≦ｂ＜１０^-2である。

本発明においては、前記一般式で表される輝尽性蛍光体のいずれを用いてもよいが、高感度性、高鮮鋭性の観点から、特に、ＣｓＢｒ：ｚＥｕを用いることが好ましい。このとき、前記一般式において、Ｍ¹＝Ｃｓ、Ｘ＝Ｂｒ、ａ＝０、ｂ＝０、０＜ｚ≦０．２である。

前記の輝尽性蛍光体は、例えば、蛍光体原料として（ａ）〜（ｃ）に示されるような化合物を用いて、以下に述べる方法により製造される。

（ａ）ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ及びＣｓＩから選ばれる少なくとも１種又は２種以上の化合物が用いられる。

（ｂ）ＭｇＦ₂、ＭｇＣｌ₂、ＭｇＢｒ₂、ＭｇＩ₂、ＣａＦ₂、ＣａＣｌ₂、ＣａＢｒ₂、ＣａＩ₂、ＳｒＦ₂、ＳｒＣｌ₂、ＳｒＢｒ₂、ＳｒＩ₂、ＢａＦ₂、ＢａＣＩ₂、ＢａＢｒ₂、ＢａＢｒ₂・２Ｈ₂Ｏ、ＢａＩ₂、ＺｎＦ₂、ＺｎＣｌ₂、ＺｎＢｒ₂、ＺｎＩ₂、ＣｄＦ₂、ＣｄＣｌ₂、ＣｄＢｒ₂、ＣｄＩ₂、ＣｕＦ₂、ＣｕＣｌ₂、ＣｕＢｒ₂、ＣｕＩ、ＮｉＦ₂、ＮｉＣｌ₂、ＮｉＢｒ₂及びＮｉＩ₂の化合物から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の化合物が用いられる。

（ｃ）前記一般式において、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇ等の各原子から選ばれる金属原子を有する化合物が用いられる。

製造する輝尽性蛍光体の組成式に応じて、前記（ａ）〜（ｃ）の中から用いる蛍光体原料を適宜選択し、各原料を前記一般式のａ，ｂ，ｚの範囲を満たすように秤量し、純水にて溶解する。この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合してもよい。

次に、得られた水溶液のｐＨ値Ｃを０＜Ｃ＜７に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。

次に、得られた原料混合物を石英ルツボあるいはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を行う。焼成温度は５００〜１０００℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、０．５〜６時間が好ましい。

焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気あるいは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。

以上のようにして製造した輝尽性蛍光体を、蒸着装置１の蒸発源３に設置させた後に、支持体１１上に輝尽性蛍光体層１２を形成させる蒸着工程を開始する。

まず、支持体ホルダ４に支持体１１をその輝尽性蛍光体層１２の形成面が蒸発源３に対向されるように取り付ける。

次いで、真空容器２内を真空排気させ、所望の真空度に調節させながら、支持体ホルダ回転機構５により支持体ホルダ４を蒸発源３に対して回転させる。

同時に、支持体温度調節機構により支持体ホルダ４内に所定の温度に保たれた温媒を連続的に循環させ、支持体１１を所望の温度に過熱させる。ここで、蒸着法による輝尽性蛍光体層１２の形成にあたり、輝尽性蛍光体層１２が形成される支持体１１の温度は、室温（ｒｔ）〜３００℃に設定することが好ましく、さらに好ましくは５０〜２００℃である。また、本発明の効果を得るために、支持体１１の任意の二箇所の温度を支持体温度Ｔ₁及びＴ₂とすると、支持体温度Ｔ₁及びＴ₂は、｜Ｔ₁−Ｔ₂｜≦１０℃の関係を満たしている。

支持体１１の温度が調節されると、蒸発源３から輝尽性蛍光体を蒸発させて、支持体１１の表面に柱状結晶の輝尽性蛍光体層１２を所望の厚さに成長させる。

ここで、輝尽性蛍光体層１２を形成させた後、必要に応じて、輝尽性蛍光体層１２の支持体１１とは反対の側に、物理的にあるいは化学的に輝尽性蛍光体層１２を保護するための保護層１３を設けてもよい。

以上のようにして製造された放射線画像変換パネル１０は、図２に示すように、基板となる支持体１１を備えており、この支持体１１上に、輝尽性蛍光体の柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層１２を備えており、輝尽性蛍光体層１２上には必要に応じて輝尽性蛍光体層１２を保護する保護層１３が設けられている。

以下、各層毎に説明する。

支持体１１は、支持体として従来の公知の材料から任意に選ぶことができるが、気相堆積法により本発明の輝尽性蛍光体層１２を形成する観点から石英ガラスシート、アルミニウム、鉄、スズ、クロムなどからなる金属シート及び炭素繊維強化樹脂シートが好ましい。また、支持体１１の層厚は、用いる素材の材質によって異なるが、一般的には３〜１０００μｍのものを用い、より好ましくは８０〜５００μｍのものを用いる。

輝尽性蛍光体層１２は、真空容器２内における前記の蒸着法により成膜されたものであって、蒸着時における支持体１１の温度分布を均一にさせることで、その輝度分布はより均一にされている。

ここで、輝度分布とは、輝尽性蛍光体層１２の輝度の最大値、最小値をそれぞれＩmax、Ｉminとしたときに、下記式で示される値とした。
式；［（Ｉmax−Ｉmin）／（Ｉmax＋Ｉmin）］×２×１００

輝尽性蛍光体層１２の輝度は、放射線画像変換パネル１０にＸ線を均一に照射した後、この放射線画像変換パネル１０の輝尽性蛍光体層１２から放射される輝尽発光を受光器（例えば、分光感度Ｓ−５の光電子増倍管）で受光してその強度を測定し、その値を輝度とした。

以上により、本実施形態の放射線画像変換パネル１０の製造方法によれば、輝尽性蛍光体層１２における輝度分布が均一な放射線画像変換パネル１０を製造することができるので、画質が均一で良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる放射線画像変換パネル１０を得ることができる。

また、支持体１１の加熱方法として温媒接触法を用いることにより、支持体温度のムラを確実に小さくすることができるので、輝尽性蛍光体層１２の輝度ムラを確実に抑えることができる。

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の実施態様はこれらに限定されるものではない。

（放射線画像変換パネルの作製）
（１）実施例１の作製
アルミニウムを素材とする金属シートからなる支持体１１の片面に輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を、図２に示す蒸着装置１を使用して蒸着させ輝尽性蛍光体層１２を形成した。

まず、前記輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を蒸着材料として抵抗加熱ルツボに充填し、また回転する支持体ホルダ４に支持体１１を設置し、支持体１１と蒸発源３との間隔を５００ｍｍに調節させた。続いて蒸着装置１内を真空排気した後、１０ｒｐｍの速度で支持体１１を回転させながら、支持体１１の温度をシーズヒータ法により支持体１１の温度の最大値が１１０℃、最小値が１００℃となるように加熱し、保持させた。

次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して輝尽性蛍光体を蒸着させ、輝尽性蛍光体層１２を成膜させた。
さらに、乾燥空気内で輝尽性蛍光体層１２を保護層袋に入れ、輝尽性蛍光体層１２が密封された構造の本発明に係る実施例１としての放射線画像変換パネル１０を得た。

（２）実施例２の作製
次に、表１に示すように、支持体１１の温度を温媒接触法により支持体１１の温度の最大値が１０５℃、最小値が１００℃となるように加熱させ、保持させた以外は実施例１と同様にして放射線画像変換パネル１０を作製し、実施例２とした。

（３）比較例１の作製
次に、表１に示すように、支持体１１の温度の最大値が１３０℃、最小値が１００℃となるように加熱させ、保持させた以外は実施例１と同様にして放射線画像変換パネル１０を作製し、比較例１とした。

〔評価〕
以上の様にして得られた実施例１、実施例２および比較例１のそれぞれについて、放射線画像変換パネル１０の輝度を測定し、その温度分布と輝度分布との関係について評価した。

（１）温度分布の評価
支持体１１表面の温度の最大値をＴ₁、最小値をＴ₂とし、｜Ｔ₁−Ｔ₂｜を支持体１１の温度分布（℃）とした。結果を表に示す。

（２）輝度分布の評価
実施例１、実施例２及び比較例１において得られた放射線画像変換パネルに管電圧８０ｋＶｐのＸ線を輝尽性蛍光体層とは逆の支持体側から均一に照射した後、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層側から、レーザビーム径が８０μｍの半導体レーザー光（６９０ｎｍ）で走査して励起し、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光を受光器（分光感度Ｓ−５の光電子増倍管）で受光してその強度を測定し、その値を輝度とした。得られた輝度の最大値をＩmax、最小値をＩminとし、下記式により輝度分布（％）を求めた。結果を表に示す。
式；［（Ｉmax−Ｉmin）／（Ｉmax＋Ｉmin）］×２×１００

表に示すように、比較例１に対して実施例１の放射線画像変換パネル１０は、蒸着工程における支持体１１の温度分布を１０℃に抑えることで、その輝度分布を２０％にまで低減させることが分かる。また、実施例１に対して実施例２の放射線画像変換パネル１０は、支持体１１の加熱方法をシーズヒータ法から温媒接触法に変えることで、蒸着工程における支持体１１の温度分布を５℃に抑えることができ、その輝度分布を１０％にまで低減させることが分かる。

よって、放射線画像変換パネル１０は、蒸着工程における支持体１１の温度分布が小さくなるほど、放射線画像変換パネル１０の輝度分布の値が小さくなり、輝度の均一性が高くなることが分かる。よって、比較例１に対して実施例１、実施例２の放射線画像変換パネルの輝度分布はより均一であり、本発明に係る放射線画像変換パネル１０を用いて、画質が均一で良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる。

以上より、シート状の支持体１１に輝尽性蛍光体層１２を成膜する、放射線画像変換パネル１０の製造方法において、真空容器２内における輝尽性蛍光体の蒸着工程で、支持体１１の温度分布を１０℃以下に抑えることにより、輝度分布がより均一な放射線画像変換パネル１０を製造することができ、本発明に係る放射線画像変換パネル１０を用いて、画質が均一で良好な放射線画像の記録、撮影を行うことができる。また、支持体１１の加熱方法を温媒接触方法にすることで、蒸着工程における支持体１１の温度分布を容易に１０℃以下にすることができ、前記の効果を得ることができる。

蒸着装置の一例の概略構成を示す断面図である。 本発明の放射線画像変換パネルの一例を示す模式図である。

符号の説明

１ 蒸着装置
２ 真空容器
４ 支持体ホルダ
５ 支持体ホルダ回転機構
１０ 放射線画像変換パネル
１１ 支持体
１２ 輝尽性蛍光体層
１３ 保護層

Claims (3)

1. 支持体を回転させながら、気相堆積法により前記支持体上に輝尽性蛍光体を蒸着させて輝尽性蛍光体層を成膜させる放射線画像変換パネル製造方法において、
   前記蒸着工程における前記支持体の任意の二箇所の温度を支持体温度Ｔ₁及びＴ₂とすると、前記支持体温度Ｔ₁及びＴ₂が、｜Ｔ₁−Ｔ₂｜≦１０℃の関係を満たすことを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
2. 前記蒸着工程において、前記支持体の温度は、任意の温度に保たれた温媒を前記支持体に接触させることにより調節されることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
3. 請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネルの製造方法により製造され、
   前記輝尽性蛍光体層は、下記一般式で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有していることを特徴とする放射線画像変換パネル。
   一般式；Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ’₂・ｂＭ³Ｘ”₃：ｚＡ
   ［式中、Ｍ¹はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ²はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、Ｍ³はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ、Ｘ’及びＸ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属元素であり、また、ａ、ｂ、ｚはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ≦１．０の範囲の数値を表す。］

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