JP2003050298A

JP2003050298A - 放射線像変換パネルおよびその製造方法

Info

Publication number: JP2003050298A
Application number: JP2001238339A
Authority: JP
Inventors: Yasuo Iwabuchi; 康夫岩渕; Makoto Kashiwatani; 誠柏谷; Atsunori Takasu; 厚徳高須; Yuichi Hosoi; 雄一細井
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2001-08-06
Filing date: 2001-08-06
Publication date: 2003-02-21
Also published as: US20030047697A1; US6870167B2

Abstract

(57)【要約】【課題】高画質の放射線画像を与える放射線像変換パ
ネル、その製造方法および放射線画像情報読取方法を提
供する。【解決手段】母体成分と付活剤成分とからなる蛍光体
からなる蛍光体層を有する放射線像変換パネルを製造す
る方法であって、気相堆積法により、蛍光体の母体成分
からなる柱状結晶構造を形成し、次いで該柱状結晶構造
の上に該蛍光体の母体成分と付活剤成分とからなる柱状
結晶構造を気相堆積法によって積層することにより蛍光
体層を形成する工程を含む製法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、蓄積性蛍光体を利
用する放射線画像記録再生方法に用いられる放射線像変
換パネル、その製造方法および放射線画像情報読取方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】Ｘ線などの放射線が照射されると、放射
線エネルギーの一部を吸収蓄積し、そののち可視光線や
赤外線などの電磁波（励起光）の照射を受けると、蓄積
した放射線エネルギーに応じて発光を示す性質を有する
蓄積性蛍光体（輝尽発光を示す輝尽性蛍光体等）を利用
して、この蓄積性蛍光体を含有するシート状の放射線像
変換パネルに、被検体を透過したあるいは被検体から発
せられた放射線を照射して被検体の放射線画像情報を一
旦蓄積記録した後、パネルにレーザ光などの励起光を走
査して順次発光光として放出させ、そしてこの発光光を
光電的に読み取って画像信号を得ることからなる、放射
線画像記録再生方法が広く実用に共されている。読み取
りを終えたパネルは、残存する放射線エネルギーの消去
が行われた後、次の撮影のために備えられて繰り返し使
用される。

【０００３】放射線画像記録再生方法に用いられる放射
線像変換パネル（蓄積性蛍光体シートともいう）は、基
本構造として、支持体とその上に設けられた蓄積性蛍光
体層とからなるものである。ただし、蓄積性蛍光体層が
自己支持性である場合には必ずしも支持体を必要としな
い。また、蓄積性蛍光体層の上面（支持体に面していな
い側の面）には通常、保護層が設けられていて、蛍光体
層を化学的な変質あるいは物理的な衝撃から保護してい
る。

【０００４】蛍光体層としては、蓄積性蛍光体とこれを
分散状態で含有支持する結合剤とからなるもの、蒸着法
や焼結法によって形成される結合剤を含まないで蓄積性
蛍光体の凝集体のみから構成されるもの、および蓄積性
蛍光体の凝集体の間隙に高分子物質が含浸されているも
のなどが知られている。

【０００５】また、上記放射線画像記録再生方法の別法
として本出願人による特願２０００−４００４２６号明
細書には、従来の蓄積性蛍光体における放射線吸収機能
とエネルギー蓄積機能とを分離して、少なくとも蓄積性
蛍光体（エネルギー蓄積用蛍光体）を含有する放射線像
変換パネルと、放射線を吸収して紫外乃至可視領域に発
光を示す蛍光体（放射線吸収用蛍光体）を含有する蛍光
スクリーンとの組合せを用いる放射線画像形成方法が提
案されている。この方法は、被検体を透過などした放射
線をまず、該スクリーンまたはパネルの放射線吸収用蛍
光体により紫外乃至可視領域の光に変換した後、その光
をパネルのエネルギー蓄積用蛍光体にて放射線画像情報
として蓄積記録する。次いで、このパネルに励起光を走
査することにより、発光光を放出させ、この発光光を光
電的に読み取って画像信号を得るものである。このよう
な放射線像変換パネルおよび蛍光スクリーンも、本発明
に包含される。

【０００６】放射線画像記録再生方法（および放射線画
像形成方法）は上述したように数々の優れた利点を有す
る方法であるが、この方法に用いられる放射線像変換パ
ネルにあっても、できる限り高感度であってかつ画質
（鮮鋭度、粒状性など）の良好な画像を与えるものであ
ることが望まれている。

【０００７】感度および画質を高めることを目的とし
て、例えば特公平６−７７０７９号公報に記載されてい
るように、蛍光体層を気相堆積法により形成することか
らなる放射線像変換パネルの製造方法が提案されてい
る。気相堆積法には蒸着法やスパッタ法などがあり、例
えば蒸着法は、蛍光体またはその原料からなる蒸発源を
抵抗加熱器や電子線の照射により加熱して蒸発源を蒸
発、飛散させ、金属シートなどの基板表面にその蒸発物
を堆積させることにより、蛍光体の柱状結晶からなる蛍
光体層を形成するものである。

【０００８】気相堆積法により形成された蛍光体層は、
結合剤を含有せず、蛍光体のみからなり、蛍光体の柱状
結晶と柱状結晶の間には空隙（クラック）が存在する。
このため、励起光の進入効率や発光光の取出し効率を上
げることができるので高感度であり、また励起光の平面
方向への散乱を防ぐことができるので高鮮鋭度の画像を
得ることができる。

【０００９】上記特公平６−７７０７９号、同７−２７
０７９号および特開昭６２−１０５０９８号公報には、
予め支持体表面に凹凸を設けることによって、その上に
形成された輝尽性蛍光体の柱状ブロックが相互に結晶的
に不連続となり、光学的に独立した構造になると記載さ
れている。

【００１０】特開平６１−２４５０９９公報には、支持
体表面に島状に離散した多数の層分素（凸部）とその周
囲を相互に分断する凹部または亀裂状の間隙とからなる
素地層を設けることにより、輝尽性蛍光体の柱状ブロッ
クからなる蛍光体層が層分素上に形成され、素地層の間
隙が蛍光体層においてもクレパス乃至境界として維持さ
れて、光学的に独立した構造となると記載されている。
素地層としては、レジスト樹脂をパターニングして形成
する他に、輝尽性蛍光体やアルカリハライド結晶を気相
堆積させてこれら化合物の微粒を一面に敷きつめた形態
としてもよいと記載されている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、気相堆積
法により蛍光体層を形成する操作について詳しく検討し
た結果、蛍光体の母体成分と付活剤成分など添加物との
組合せに依っては（例えば、ＣｓＢｒ：Ｅｕ）、付活剤
成分で付活した蛍光体またはその原料混合物などをその
まま蒸着などにより気相堆積させると、付活剤成分など
添加物の存在によって柱状結晶の形状が悪くなることが
分かった。これは、一価金属化合物からなる蛍光体母体
成分中に価数の異なる添加物、この場合には二価乃至三
価金属のＥｕを含有させることになるために、その価数
の違いから柱状結晶が乱れるという物理的な要因による
ものと考えられる。

【００１２】そこで、気相堆積法により蛍光体の柱状結
晶を形成するに先立って、付活剤成分など添加物を含ま
ない蛍光体母体成分のみからなる柱状結晶を形成し、次
いでこの柱状結晶それぞれの上に、蛍光体の柱状結晶を
一対一で対応させて成長させることにより、形状の良好
な柱状結晶が得られると同時に、その結晶面を制御でき
ることを見い出し、本発明に至ったものである。

【００１３】従って、本発明は、柱状結晶性の優れた蛍
光体層を有する放射線像変換パネルおよびその製造方法
を提供することにある。すなわち、本発明は、高画質の
放射線画像を与える放射線像変換パネルおよびその製造
方法を提供することにある。また、本発明は、高画質の
放射線画像を与える放射線画像情報読取方法を提供する
ことにもある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、母体成分と付
活剤成分とからなる蛍光体からなる蛍光体層を有する放
射線像変換パネルを製造する方法であって、気相堆積法
により、蛍光体の母体成分からなる柱状結晶構造を形成
し、次いで該柱状結晶構造の上に該蛍光体の母体成分と
付活剤成分とからなる柱状結晶構造を気相堆積法により
積層することによって蛍光体層を形成する工程を含む放
射線像変換パネルの製造方法にある。

【００１５】また、本発明は、母体成分と付活剤成分と
を含み、柱状結晶構造を持つ蛍光体層を有する放射線像
変換パネルにおいて、該蛍光体層の下面側の全層厚の１
／１００の領域における蛍光体の付活剤成分の濃度ａ、
および上面側の全層厚の１／１００の領域における蛍光
体の付活剤成分の濃度ｂが、関係式：０≦ａ／ｂ＜１を満足することを特徴とする放射線像変換パネルにもあ
る。

【００１６】ここで、蛍光体層の下面側とは、気相堆積
法により基板上に蛍光体層を形成する際の基板側（基板
が支持体を兼ねる場合には、支持体側）を意味し、上面
側とは、基板とは反対の側を意味する。

【００１７】さらに、本発明は、上記の放射線像変換パ
ネルであって、放射線画像情報が蓄積記録された放射線
像変換パネルを平面方向に移動させながら、該パネルの
支持体側裏面に励起光を該移動方向と異なる方向に線状
に照射し、該パネルの励起光照射部分から放出される発
光光を逐次光電検出して、放射線画像情報を電気的画像
信号として得ることからなる放射線画像情報読取方法に
もある。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の方法において、電子線蒸
着法により、蛍光体の母体成分からなる柱状結晶構造お
よび蛍光体の母体成分と付活剤成分とからなる柱状結晶
構造を積層することが好ましい。蛍光体母体成分からな
る柱状結晶構造の厚みと蛍光体からなる柱状結晶構造の
厚みとの比率（前者：後者）が、１：１００乃至１：１
の範囲にあることが好ましい。また、気相堆積後に、積
層された両柱状結晶構造を熱処理することが好ましい。
蛍光体は、蓄積性蛍光体であることが好ましく、特に下
記基本組成式（Ｉ）を有するアルカリ金属ハロゲン化物
系輝尽性蛍光体であることが好ましい。そして、アルカ
リ金属ハロゲン化物系輝尽性蛍光体は、下記の基本組成
式（Ｉ）においてＡがＥｕであることが好ましい。

【００１９】Ｍ^IＸ・ｘＭ^IIＸ’₂・ｙＭ^IIIＸ”₃：ｚＡ ‥‥（Ｉ）［但し、Ｍ^IはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる
群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し；
Ｍ^IIはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ及びＣｄからなる群より選ばれる少なくとも一種のア
ルカリ土類金属又は二価金属を表し；Ｍ^IIIはＳｃ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａ
ｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる少なくとも一
種の希土類元素又は三価金属を表し；Ｘ、Ｘ’及びＸ”
はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ば
れる少なくとも一種のハロゲンを表し；ＡはＹ、Ｃｅ、
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｌ
及びＢｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土
類元素又は金属を表し；そしてａ、ｂ及びｚはそれぞ
れ、０≦ｘ＜０．５、０≦ｙ＜０．５、０＜ｚ≦０．２
の範囲内の数値を表す］

【００２０】また、本発明の放射線像変換パネルにおい
て、蛍光体層の下面側の全層厚の１／１００の領域にお
ける蛍光体の付活剤成分の濃度ａ、および上面側の全層
厚の１／１００の領域における蛍光体の付活剤成分の濃
度ｂが、関係式：０≦ａ／ｂ＜０．１を満足することが好ましい。

【００２１】以下に、本発明の放射線像変換パネルの製
造方法について、蓄積性蛍光体からなる蛍光体層を形成
する場合を例にとって詳細に述べる。

【００２２】蒸着膜形成のための基板は、通常は放射線
像変換パネルの支持体を兼ねるものであり、従来の放射
線像変換パネルの支持体として公知の材料から任意に選
ぶことができるが、特に好ましい基板は、石英ガラスシ
ート、サファイアガラスシート；アルミニウム、鉄、ス
ズ、クロムなどからなる金属シート；アラミドなどから
なる樹脂シートである。公知の放射線像変換パネルにお
いて、パネルとしての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒状
性）を向上させるために、二酸化チタンなどの光反射性
物質からなる光反射層、もしくはカーボンブラックなど
の光吸収性物質からなる光吸収層などを設けることが知
られている。本発明で用いられる基板についても、これ
らの各種の層を設けることができ、それらの構成は所望
の放射線像変換パネルの目的、用途などに応じて任意に
選択することができる。さらに特開昭５８−２００２０
０号公報に記載されているように、得られる画像の鮮鋭
度を向上させる目的で、基板の蛍光体層側の表面（支持
体の蛍光体層側の表面に下塗層（接着性付与層）、光反
射層あるいは光吸収層などの補助層が設けられている場
合には、それらの補助層の表面であってもよい）には微
小な凹凸が形成されていてもよい。

【００２３】蓄積性蛍光体としては、波長が４００〜９
００ｎｍの範囲の励起光の照射により、３００〜５００
ｎｍの波長範囲に輝尽発光を示す輝尽性蛍光体が好まし
い。そのような輝尽性蛍光体の例は、特公平７−８４５
８８号、特開平２−１９３１００号および特開平４−３
１０９００号の各公報に詳しく記載されている。

【００２４】これらのうちでも、基本組成式（Ｉ）：Ｍ^IＸ・ｘＭ^IIＸ’₂・ｙＭ^IIIＸ”₃：ｚＡ ‥‥（Ｉ）で代表されるアルカリ金属ハロゲン化物系輝尽性蛍光体
は特に好ましい。但し、Ｍ^IはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及
びＣｓからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカ
リ金属を表し、Ｍ^IIはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選ばれる少な
くとも一種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し、Ｍ
^IIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙ
ｂ、Ｌｕ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ばれ
る少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表し、そ
してＡはＹ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｎａ、Ｍ
ｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｌ及びＢｉからなる群より選ばれる
少なくとも一種の希土類元素又は金属を表す。Ｘ、Ｘ’
およびＸ”はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる
群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表わす。
ａ、ｂおよびｚはそれぞれ、０≦ｘ＜０．５、０≦ｙ＜
０．５、０＜ｚ≦０．２の範囲内の数値を表す。

【００２５】上記基本組成式（Ｉ）中のＭ^Iとしては少
なくともＣｓを含んでいることが好ましい。Ｘとしては
少なくともＢｒを含んでいることが好ましい。Ａとして
は特にＥｕ又はＢｉであることが好ましい。また、基本
組成式（Ｉ）には、必要に応じて、酸化アルミニウム、
二酸化珪素、酸化ジルコニウムなどの金属酸化物を添加
物として、Ｍ^I１モルに対して、０．５モル以下の量で
加えてもよい。

【００２６】また、基本組成式（II）：Ｍ^IIＦＸ：ｚＬｎ ‥‥（II）で代表される希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン
化物系輝尽性蛍光体も好ましい。ただし、Ｍ^IIはＢａ、
Ｓｒ及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも一種の
アルカリ土類金属を表し、ＬｎはＣｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂから
なる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表
す。Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少
なくとも一種のハロゲンを表す。ｚは、０＜ｚ≦０．２
の範囲内の数値を表す。

【００２７】上記基本組成式（II）中のＭ^IIとしては、
Ｂａが半分以上を占めることが好ましい。Ｌｎとして
は、特にＥｕ又はＣｅであることが好ましい。また、基
本組成式（II）では表記上Ｆ：Ｘ＝１：１のように見え
るが、これはＢａＦＸ型の結晶構造を持つことを示すも
のであり、最終的な組成物の化学量論的組成を示すもの
ではない。一般に、ＢａＦＸ結晶においてＸ^-イオンの
空格子点であるＦ⁺（Ｘ^-）中心が多く生成された状態
が、６００〜７００ｎｍの光に対する輝尽効率を高める
上で好ましい。このとき、ＦはＸよりもやや過剰にある
ことが多い。

【００２８】なお、基本組成式（II）では省略されてい
るが、必要に応じて下記のような添加物を一種もしくは
二種以上を基本組成式（II）に加えてもよい。ｋＡ，ｐＮ^I，ｑＮ^II，ｒＮ^III ただし、ＡはＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂及びＺｒＯ₂などの金属
酸化物を表す。Ｍ^IIＦＸ粒子同士の焼結を防止する上で
は、一次粒子の平均粒径が０．１μｍ以下の超微粒子で
Ｍ^IIＦＸとの反応性が低いものを用いることが好まし
い。Ｎ^Iは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群
より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属の化合物を
表し、Ｎ^IIは、Ｍｇ及び／又はＢｅからなるアルカリ土
類金属の化合物を表し、Ｎ^IIIは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｔｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ及びＬｕからなる群より選
ばれる少なくとも一種の三価金属の化合物を表す。これ
らの金属化合物としては、特開昭５９−７５２００号公
報に記載のようなハロゲン化物を用いることが好ましい
が、それらに限定されるものではない。

【００２９】また、ｋ、ｐ、ｑ及びｒはそれぞれ、Ｍ^II
ＦＸのモル数を１としたときの仕込み添加量であり、０
≦ｋ≦０．５、０≦ｐ≦２、０≦ｑ≦０．３、０≦ｒ≦
０．３の各範囲内の数値を表す。これらの数値は、焼成
やその後の洗浄処理によって減量する添加物に関しては
最終的な組成物に含まれる元素比を表しているわけでは
ない。また、上記化合物には最終的な組成物において添
加されたままの化合物として残留するものもあれば、Ｍ
^IIＦＸと反応する、あるいは取り込まれてしまうものも
ある。

【００３０】その他、上記基本組成式（II）には更に必
要に応じて、特開昭５５−１２１４５号公報に記載のＺ
ｎ及びＣｄ化合物；特開昭５５−１６００７８号公報に
記載の金属酸化物であるＴｉＯ₂、ＢｅＯ、ＭｇＯ、Ｃ
ａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｙ₂Ｏ₃、Ｌａ₂Ｏ₃、Ｉ
ｎ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂、ＳｎＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｔｈ
Ｏ₂；特開昭５６−１１６７７７号公報に記載のＺｒ及
びＳｃ化合物；特開昭５７−２３６７３号公報に記載の
Ｂ化合物；特開昭５７−２３６７５号公報に記載のＡｓ
及びＳｉ化合物；特開昭５９−２７９８０号公報に記載
のテトラフルオロホウ酸化合物；特開昭５９−４７２８
９号公報に記載のヘキサフルオロケイ酸、ヘキサフルオ
ロチタン酸、及びヘキサフルオロジルコニウム酸の１価
もしくは２価の塩からなるヘキサフルオロ化合物；特開
昭５９−５６４８０号公報に記載のＶ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ及びＮｉなどの遷移金属の化合物などを添加し
てもよい。さらに、本発明においては上述した添加物を
含む蛍光体に限らず、基本的に希土類付活アルカリ土類
金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体とみなされる組成
を有するものであれば如何なるものであってもよい。

【００３１】ただし、本発明において蛍光体は蓄積性蛍
光体に限定されるものではなく、Ｘ線などの放射線を吸
収して紫外乃至可視領域に（瞬時）発光を示す蛍光体で
あってもよい。そのような蛍光体の例としては、ＬｎＴ
ａＯ₄：（Ｎｂ，Ｇｄ）系、Ｌｎ₂ＳｉＯ₅：Ｃｅ系、Ｌ
ｎＯＸ：Ｔｍ系（Ｌｎは希土類元素である）、ＣｓＸ系
（Ｘはハロゲンである）、Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ、Ｇｄ₂Ｏ₂
Ｓ：Ｐｒ，Ｃｅ、ＺｎＷＯ₄、ＬｕＡｌＯ₃：Ｃｅ、Ｇｄ
₃Ｇａ₅Ｏ₁₂：Ｃｒ，Ｃｅ、ＨｆＯ₂等を挙げることがで
きる。

【００３２】まず、上記蓄積性蛍光体の母体成分からな
る層を、気相堆積法の一種である電子線蒸着法を用いて
以下のようにして支持体上に形成する。電子線蒸着法に
よれば、形状が良好で配列の整った柱状結晶が得られ
る。

【００３３】蒸発源である蓄積性蛍光体の母体化合物、
および被蒸着物である基板を蒸着装置内に設置し、装置
内を排気して１×１０^-5〜１×１０^-2Ｐａ程度の真空度
とする。このとき、真空度をこの程度に保持しながら、
Ａｒガス、Ｎｅガスなどの不活性ガスを導入してもよ
い。

【００３４】蓄積性蛍光体の母体化合物は、加圧圧縮に
より錠剤（ペレット）の形状に加工しておくことが好ま
しい。加圧圧縮は、一般に８００〜１０００ｋｇ／ｃｍ
²の範囲の圧力を掛けて行う。圧縮の際に、５０〜２０
０℃の範囲の温度に加温してもよく、また圧縮後、得ら
れた錠剤を減圧下で加熱することなどにより脱水、脱ガ
ス処理を施してもよい。タブレットの相対密度は８０％
以上９８％以下であることが好ましい。また、タブレッ
トの含水量は０．５重量％以下であることが好ましい。
さらに、蛍光体母体化合物の代わりにその原料もしくは
原料混合物を用いることも可能である。

【００３５】電子銃から電子線を発生させて、蒸発源に
照射する。このとき、装置内の雰囲気中の水分圧を７．
０×１０^-3Ｐａ以下にすることが望ましい。また、電子
線の加速電圧を１．５ｋＶ以上で、５．０ｋＶ以下に設
定することが望ましい。電子線の照射により、蒸発源で
ある蓄積性蛍光体は加熱されて蒸発、飛散し、基板表面
に堆積する。蛍光体の堆積する速度、すなわち蒸着速度
は一般には０．１〜１０００μｍ／分の範囲にあり、好
ましくは１〜１００μｍ／分の範囲にある。さらに、蒸
着の際に必要に応じて被蒸着物（基板）を冷却または加
熱してもよい。

【００３６】このようにして、蓄積性蛍光体母体成分か
らなる柱状結晶がほぼ厚み方向に成長した層が得られ
る。この蛍光体母体成分層は、結合剤を含有せず、蛍光
体母体成分のみからなり、蛍光体母体成分の柱状結晶と
柱状結晶の間には空隙（クラック）が存在する。

【００３７】次に、蒸発源として蓄積性蛍光体を蒸着装
置内に設置する。この蓄積性蛍光体も、上記したように
タブレットの形状であることが好ましい。そして、上記
と同様にして蒸発源に電子線を照射することにより、蛍
光体母体成分層の上に蛍光体の柱状結晶からなる層を形
成する。この蛍光体からなる層は、蒸発源として蛍光体
原料混合物（組成物）、例えば蛍光体母体成分と付活剤
成分とからなる混合物（組成物）を用いて、一つの電子
線により一元蒸着（疑似一元蒸着）により形成してもよ
いし、あるいは母体成分と付活剤成分とからなる少なく
とも二個の蒸発源と二つの電子線を用いて多元蒸着によ
り形成してもよい。いずれの場合にも、蛍光体が合成さ
れると同時に蛍光体からなる層が形成される。なお、電
子線の照射を複数回に分けて行って二層以上の蛍光体か
らなる層を形成してもよい。蒸着終了後に、これらの層
を加熱処理（アニール処理）することが望ましい。

【００３８】このようにして、図１に示すように、蓄積
性蛍光体母体成分からなる柱状結晶構造の上に、更に蓄
積性蛍光体からなる柱状結晶構造が積層された構成の蛍
光体層が得られる。蛍光体層の層厚は、通常は５０〜１
０００μｍの範囲にあり、好ましくは２００μｍ〜７０
０ｍｍの範囲にある。

【００３９】図１の（ａ）は、本発明の方法に従って製
造された放射線像変換パネルの代表例を概略的に示す部
分断面図である。図１の（ａ）において、放射線像変換
パネル１０は支持体１１、蛍光体層１２、および保護層
１３からなり、支持体１１と蛍光体層１２との間には反
射層１４が設けられている。蛍光体層１２は、支持体側
（すなわち、裏面側）の蛍光体母体成分からなる層１２
ａと表面側の蛍光体成分（母体成分と付活剤成分とを含
む）からなる層１２ｂとからなる。反射層１４を設けな
いこともある。図１の（ｂ）も、本発明の方法に従って
製造された放射線像変換パネルの別の例を概略的に示す
部分断面図である。図１の（ｂ）において、放射線像変
換パネル１０は支持体１１、蛍光体層１２、および反射
層１３からなる。蛍光体層１２は、支持体側（すなわ
ち、裏面側）の蛍光体母体成分からなる層１２ａと表面
側の蛍光体成分（母体成分と付活剤成分とを含む）から
なる層１２ｂとからなる。反射層１４の上には保護層を
設けてもよい。

【００４０】蛍光体の母体成分からなる層１２ａの厚み
と蛍光体成分（母体成分と付活剤成分とを含む）からな
る層１２ｂの厚みとの比率（前者：後者）は、一般には
１：１００乃至１：１の範囲にある。また、各柱状結晶
の直径（粒界）は、一般に、０．１乃至数十μｍの範囲
にあり、好ましくは、０．１乃至２０μｍの範囲にあ
る。柱状結晶間の空隙は、一般に０乃至数μｍの範囲に
ある。

【００４１】本発明においては、蛍光体母体成分からな
る層１２ａおよび蛍光体からなる層（母体成分と付活剤
成分とを含む層）１２ｂが共に柱状結晶構造を有し、か
つ蛍光体母体成分からなる多数の柱状結晶の上に、一対
一で対応して蛍光体の母体成分と付活剤成分との組成物
からなる柱状結晶が成長した構造となっている。このた
めに、蛍光体が価数の異なる付活剤成分など添加物を含
有する蛍光体であっても、蛍光体母体成分による柱状結
晶の良好な形状を維持しながら、その上に更に蛍光体の
柱状結晶を成長させることができる。よって、構造的乱
れが顕著に低減した、構造モトルの優れた蛍光体層を得
ることができる。また、実施例（図４、５）にて後述す
るように、両層は蛍光体の母体成分が共通であるので、
柱状結晶の結晶面を揃えることが可能となり、より一層
構造モトルの優れた蛍光体層を得ることができる。さら
に、母体成分組成が同じであるので屈折率も同一であ
り、このことは、両層間で屈折率の変化による励起光や
発光光の拡散、すなわち励起効率や発光効率の減少が無
いことを意味するから、放射線像変換パネルの裏面側
（支持体側）からの読み取りを有利に行うことができ
る。

【００４２】蛍光体からなる層１２ｂ中の付活剤成分な
ど添加物は、特に蒸着時の加熱および／または蒸着後の
加熱処理によって、蛍光体の母体成分層１２ａ中に拡散
するために、両者の境界は必ずしも明確ではない。よっ
て、このようにして得られた蛍光体層１２においては、
付活剤成分はその厚み方向に濃度分布を有する。本発明
において、下面側（支持体側）の全層厚の１／１００の
領域における蛍光体の付活剤成分の濃度ａと表面側の全
層厚の１／１００の領域における蛍光体の付活剤成分の
濃度ｂとは、関係式：０≦ａ／ｂ＜１を満足する。好ましくは、関係式：０≦ａ／ｂ＜０．１を満足する。

【００４３】なお、本発明において、気相堆積法は上記
電子線蒸着法に限られるものではなく、抵抗加熱法、ス
パッタ法、化学蒸着（ＣＶＤ）法など公知の他の方法を
利用することも可能である。これら他の蒸着法および気
相堆積法の詳細は、特許公報を含む公知の各種の文献に
記載されており、それらを参照することができる。

【００４４】なお、基板は必ずしも放射線像変換パネル
の支持体を兼ねる必要はなく、蛍光体層形成後、蛍光体
層を基板から引き剥がし、別に用意した支持体上に接着
剤を用いるなどして接合して、支持体上に蛍光体層を設
ける方法を利用してもよい。

【００４５】この蛍光体層の表面（上面）には、放射線
像変換パネルの搬送および取扱い上の便宜や特性変化の
回避のために、図１に示したように、保護層を設けるこ
とが望ましい。保護層は、励起光の入射や発光光の出射
に与える影響を少なくするために、透明であることが望
ましく、また外部から与えられる物理的衝撃や化学的影
響から放射線像変換パネルを充分に保護することができ
るように、化学的に安定で防湿性が高く、かつ高い物理
的強度を持つことが望ましい。

【００４６】保護層としては、セルロース誘導体、ポリ
メチルメタクリレート、有機溶媒可溶性フッ素系樹脂な
どのような透明な有機高分子物質を適当な溶媒に溶解し
て調製した溶液を蛍光体層の上に塗布することで形成さ
れたもの、あるいはポリエチレンテレフタレートなどの
有機高分子フィルムや透明なガラス板などの保護層形成
用シートを別に形成して蛍光体層の表面に適当な接着剤
を用いて設けたもの、あるいは無機化合物を蒸着などに
よって蛍光体層上に成膜したものなどが用いられる。ま
た、保護層中には酸化マグネシウム、酸化亜鉛、二酸化
チタン、アルミナ等の光散乱性微粒子、パーフルオロオ
レフィン樹脂粉末、シリコーン樹脂粉末等の滑り剤、お
よびポリイソシアネート等の架橋剤など各種の添加剤が
分散含有されていてもよい。保護層の層厚は一般に、高
分子物質からなる場合には約０．１〜２０μｍの範囲に
あり、ガラス等の無機化合物からなる場合には１００〜
１０００μｍの範囲にある。

【００４７】保護層の表面にはさらに、保護層の耐汚染
性を高めるためにフッ素樹脂塗布層を設けてもよい。フ
ッ素樹脂塗布層は、フッ素樹脂を有機溶媒に溶解（また
は分散）させて調製したフッ素樹脂溶液を保護層の表面
に塗布し、乾燥することにより形成することができる。
フッ素樹脂は単独で使用してもよいが、通常はフッ素樹
脂と膜形成性の高い樹脂との混合物として使用する。ま
た、ポリシロキサン骨格を持つオリゴマーあるいはパー
フルオロアルキル基を持つオリゴマーを併用することも
できる。フッ素樹脂塗布層には、干渉むらを低減させて
更に放射線画像の画質を向上させるために、微粒子フィ
ラーを充填することもできる。フッ素樹脂塗布層の層厚
は通常は０．５μｍ乃至２０μｍの範囲にある。フッ素
樹脂塗布層の形成に際しては、架橋剤、硬膜剤、黄変防
止剤などのような添加成分を用いることができる。特に
架橋剤の添加は、フッ素樹脂塗布層の耐久性の向上に有
利である。

【００４８】上述のようにして本発明の放射線像変換パ
ネルが得られるが、本発明のパネルの構成は、公知の各
種のバリエーションを含むものであってもよい。たとえ
ば、得られる画像の鮮鋭度を向上させることを目的とし
て、上記の少なくともいずれかの層を、励起光を吸収し
発光光は吸収しないような着色剤によって着色してもよ
い。

【００４９】次に、上記の放射線像変換パネルを用いる
本発明の放射線画像情報読取方法について、ライン光源
とラインセンサを用いる線検出の場合を例にとって、図
面を参照しながら説明する。

【００５０】図２は、本発明の方法に用いる放射線画像
情報読取装置の例を示す構成図であり、図３は、図２の
Ｉ−Ｉ線に沿った断面図である。図２および図３におい
て、放射線像変換パネル１０は、図１に示したように、
支持体１１、蛍光体層１２（蛍光体母体成分層１２ａ、
蛍光体の層１２ｂ）および保護層１３から構成され、そ
して被写体を透過したＸ線等の放射線が照射されるなど
して被写体の放射線画像情報が蓄積記録されている。走
査ベルト４０上に支持体１１側（裏面側）を上にして載
置された放射線像変換パネル１０は、走査ベルト４０が
矢印Ｙ方向に移動することにより矢印Ｙ方向に搬送され
る。パネル１０の搬送速度はベルト４０の移動速度に等
しく、ベルト４０の移動速度は画像読取手段３０に入力
される。

【００５１】一方、ブロードエリアレーザ（以下、ＢＬ
Ｄという）２１から、パネル１０表面に対して略平行に
発せられた線状の励起光Ｌは、その光路上に設けられた
コリメータレンズとトーリックレンズとからなる光学系
２２により平行ビームとされ、パネル１０に対して４５
度の角度で傾けて配された、励起光を反射し発光光を透
過するように設定されてなるダイクロイックミラー２４
により、反射されてパネル１０表面に対して垂直に入射
する方向に進行し、屈折率分布形レンズアレイ（多数の
屈折率分布形レンズが配列されてなるレンズであり、以
下、第一のセルフォックレンズアレイという）２５によ
り、パネル１０上に矢印Ｘ方向に沿って延びる線状に集
光される。

【００５２】パネル１０に垂直に入射した線状の励起光
Ｌの励起により、パネル１０の集光域およびその近傍か
ら、蓄積記録されている放射線画像情報に応じた強度の
発光光Ｍが発せられる。この発光光Ｍは、第一のセルフ
ォックレンズアレイ２５により平行光束とされ、ダイク
ロイックミラー２４を透過し、第二のセルフォックレン
ズアレイ２６により、励起光Ｌの集光域の真上に配置さ
れたラインセンサ２８を構成する各光電変換素子２９の
受光面に集光される。ラインセンサ２８は、少なくとも
上記線状の励起光照射部分の長さに整列配置された多数
の光電変換素子２９を有するものであり、各素子が一画
素に対応している。なおこの際、第二のセルフォックレ
ンズアレイ２６を透過した発光光Ｍに僅かに混在する、
パネル１０表面で反射した励起光Ｌは、励起光をカット
し発光光を透過する励起光カットフィルタ２７によりカ
ットされる。

【００５３】各光電変換素子２９により受光された発光
光Ｍは光電変換され、そして光電変換して得られた各信
号Ｓは、画像情報読取手段３０に入力される。画像情報
読取手段３０にて各信号Ｓは、走査ベルト４０の移動速
度に基づいてパネル１０の部位に対応して演算処理さ
れ、画像データとして画像処理装置（図示なし）に出力
される。

【００５４】なお、本発明に用いる放射線画像情報読取
装置は、図２および図３に示した態様に限定されるもの
ではなく、光源、光源とパネルとの間の集光光学系、パ
ネルとラインセンサとの間の光学系、およびラインセン
サはそれぞれ、公知の種々の構成を採用することができ
る。

【００５５】ライン光源は、光源自体がライン状であっ
てもよく、蛍光灯、冷陰極蛍光灯、ＬＥＤ（発光ダイオ
ード）アレイなども用いることができる。ライン光源か
ら発せられる励起光は、連続的に出射するものであって
もよいし、あるいは出射と停止を繰り返すパルス光であ
ってもよい。ノイズ低減の観点からは、高出力のパルス
光であることが好ましい。ラインセンサとしては、アモ
ルファスシリコンセンサ、ＣＣＤセンサ、バックイルミ
ネータ付きのＣＣＤ、ＭＯＳイメージセンサなどを用い
ることができる。また、ラインセンサは光電変換素子が
一列で配置されたもののみならず、二、三列で配置され
たものであってもよい。

【００５６】放射線像変換パネルを移動させる方向は、
ライン光源およびラインセンサの長さ方向に略直交する
方向であることが望ましいが、例えばパネルの略全面に
渡って均一に励起光を照射することができる範囲内で、
長さ方向から外れた斜め方向やジグザグ状に方向を変化
させて移動させてもよい。

【００５７】上記態様においては説明を簡単化するため
に、パネルとラインセンサとの間の光学系を１：１結像
系に設定したが、拡大縮小光学系を利用してもよい。た
だし、集光効率を高めるためには等倍または拡大光学系
を用いることが好ましい。また、上記態様では励起光Ｌ
の光路と発光光Ｍの光路とが一部分重複するような構成
として、装置のコンパクト化を図ったが、励起光Ｌの光
路と発光光Ｍの光路が全く異なる構成を採用してもよ
い。

【００５８】また、上記態様では放射線像変換パネルを
移動させて読み取りを行う構成であったが、パネルを静
置して光学系とラインセンサをパネル表面に沿って移動
させる構成を採用してもよい。

【００５９】さらに、上記においては画像情報の読み取
りをライン光源とラインセンサとの組合せからなる構成
を採用しているが、レーザ等の点光源とフォトマルチプ
ライヤ（光電子増倍管）の組合せからなる構成（点検
出）や、二次元励起手段と二次元固体撮像素子の組合せ
からなる構成を採用することもできる。また、画像情報
読取手段から出力された画像データ信号に対して種々の
信号処理を施す画像処理手段、画像信号が表す可視像を
ＣＲＴやドライフィルムなどに出力表示する各種の画像
出力手段、カセッテ内部に収容された蓄積性蛍光体シー
トをカセッテから引き出す吸着手段、あるいは読み取り
終了後のシートになお残存する放射線エネルギーを適切
に放出させる消去手段などを更に備えた構成を採用する
こともできる。

【００６０】

【実施例】［実施例１］（１）原料原料として、純度４Ｎ以上の臭化セシウム（ＣｓＢ
ｒ）、および純度３Ｎ以上の臭化ユーロピウム（ＥｕＢ
ｒ_x、ｘ≒２．２）を使用した。各原料中の微量元素を
ＩＣＰ−ＭＳ法（誘導結合高周波プラズマ分光分析−質
量分析法）により分析した結果、ＣｓＢｒ中のＣｓ以外
のアルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ）は各々１０ｐ
ｐｍ以下であり、アルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｂａ）など他の元素は２ｐｐｍ以下であった。ま
た、ＥｕＢｒ_x中のＥｕ以外の希土類元素は各々２０ｐ
ｐｍ以下であり、他の元素は１０ｐｐｍ以下であった。
これらの原料は、吸湿性が高いので露点−２０℃以下の
乾燥雰囲気を保ったデシケータ内で保管し、使用直前に
取り出すようにした。

【００６１】（２）ＣｓＢｒ蒸発源の作製ＣｓＢｒ粉末３１ｇをジルコニア製粉末成形用ダイス
（内径：２５ｍｍ）に入れ、粉末金型プレス成形機（テ
ーブルプレスＴＢ−５型、エヌピーエーシステム(株)
製）にて４０ｋＮの圧力で加圧し、タブレット（直径：
２５ｍｍ、厚さ：１５ｍｍ）として成形した。このと
き、ＣｓＢｒ粉末に掛かった圧力は約８０ＭＰａであっ
た。得られたタブレットの密度は４．２ｇ／ｃｍ³、含
水量は０．６重量％であった。さらに、このタブレット
を真空乾燥機にて温度２００℃で２時間真空乾燥処理し
た。真空乾燥処理後のタブレットの含水量は０．３重量
％であった。

【００６２】なお、試料の含水量は、熱重量分析法によ
り、示差熱熱重量同時測定装置（ＴＧ／ＤＴＡ３２０
型、セイコー電子工業(株)製）を用いて、窒素フロー
（２００ｃｃ／分）雰囲気中、昇温速度１０℃／分で室
温から３００℃まで温度を上げて試料の重量減少を測定
することにより求めた。

【００６３】（３）ＣｓＢｒ：Ｅｕ蒸発源の作製ＣｓＢｒ１５ｇ（０．０７モル）及びＥｕＢｒ₃０．２
７６１ｇ（７×１０^-4モル）を秤量し、ミキサーで混合
した。得られた混合物を石英容器に入れ、これを電気炉
の炉芯に入れて、初期真空引き後、窒素ガスを大気圧ま
で導入し、温度５２５℃にて１時間焼成した。次いで、
５分間中間真空引きした後、酸素を１３３Ｐａまで導入
し、更に窒素ガスを導入して大気圧にした状態で、１時
間焼成を行った。焼成後、真空状態で室温まで冷却し
た。得られたＣｓＢｒ：0.01Ｅｕ蛍光体を用いて、実施
例１と同様にしてタブレットを作製した。タブレットの
密度は４．１ｇ／ｃｍ³、含水量は０．４重量％であっ
た。

【００６４】（４）蛍光体層の形成支持体として、順にアルカリ洗浄、純水洗浄、およびＩ
ＰＡ（イソプロパノール）洗浄を施した合成石英基板を
用意し、蒸着装置内の基板ホルダに設置した。上記Ｃｓ
Ｂｒ蒸発源およびＣｓＢｒ：Ｅｕ蒸発源を装置内の所定
位置に配置した後、装置内を排気して１×１０^-3Ｐａの
真空度とした。このとき、真空排気装置としてロータリ
ーポンプ、メカニカルブースタ、ターボ分子ポンプの組
合せを用いた。次いで、石英基板の温度を室温に保った
まま、まずＣｓＢｒ蒸発源に電子銃で加速電圧４．０ｋ
Ｖの電子線を照射して、１０μｍ／分の速度で４分３０
秒間かけてＣｓＢｒ蛍光体母体成分を堆積させた。次
に、ＣｓＢｒ：Ｅｕ蒸発源に同様にして電子線を照射し
て、ＣｓＢｒ母体成分の蒸着膜上にＣｓＢｒ：Ｅｕ蛍光
体を１０分３０秒間かけて堆積させた。蒸着装置内の雰
囲気ガスを質量分析器を用いて測定、算出したところ、
蒸着雰囲気中の水分圧は４．０×１０^-3Ｐａであった。

【００６５】蒸着終了後、装置内を大気圧に戻し、装置
から石英基板を取り出した。この蒸着膜を有する石英基
板を石英ボートの中に置き、これをチューブ炉の炉芯に
挿入して、窒素雰囲気下、２００℃の温度で２時間熱処
理した。熱処理前および熱処理中、炉芯内をロータリー
ポンプで約１０Ｐａまで真空に引いて、蒸着膜に吸着し
ている水分などを除去した。真空下で蒸着膜および石英
基板を冷却し、十分に温度が下がった時点で炉芯から取
り出した。石英基板上には、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂
直方向に密に林立した構造の蛍光体層（層厚：約４００
μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）が形成されていた。こ
のようにして、支持体と蛍光体層とからなる本発明の放
射線像変換パネルを製造した。

【００６６】［実施例２］実施例１において、蛍光体層
形成の際に石英基板の温度を基板の蒸着とは反対側に位
置したシーズヒータで２００℃に加熱したこと以外は実
施例１と同様にして、本発明の放射線像変換パネルを製
造した。

【００６７】［比較例１］蛍光体層形成の際にＣｓＢ
ｒ：Ｅｕ蒸発源のみを用いたこと以外は実施例１と同様
にして、比較用の放射線像変換パネルを製造した。

【００６８】［実施例３］石英基板をシーズヒータで２
００℃に加熱し、まずＣｓＢｒ蒸発源に電子銃で加速電
圧４．０ｋＶの電子線を照射して、１０μｍ／分の速度
で４分３０秒間かけてＣｓＢｒ蛍光体母体成分を堆積さ
せた。次に、ＣｓＢｒ及びＥｕＢｒ_x（ｘ≒２．２）を
別々の蒸発源容器に入れて、それぞれ電子銃で加速電圧
４．０ｋＶの電子線を照射し、ＣｓＢｒは５μｍ／分の
速度で、そしてＥｕＢｒは０．０５μｍ／分の速度にて
１５分間かけて共蒸着して、石英基板上にＣｓＢｒ：Ｅ
ｕを堆積させた。

【００６９】［比較例２］石英基板上に直接、ＣｓＢ
ｒ：Ｅｕを堆積させたこと以外は実施例３と同様にし
て、比較用の放射線像変換パネルを製造した。

【００７０】［放射線像変換パネルの性能評価］得られ
た各放射線像変換パネルの蛍光体層の柱状結晶構造につ
いて、下記の方法により評価を行なった。放射線像変換
パネルの蛍光体層を支持体ごと、厚み方向に切断し、チ
ャージアップ防止のためにイオンスパッタにより金（厚
み：３００オングストローム）で被覆した後、走査型電
子顕微鏡（ＪＳＭ−５４００型、日本電子(株)製）を用
いて、蛍光体層の表面および切断面を観察した。得られ
た結果を図４〜８にそれぞれ示す。

【００７１】図４〜８はそれぞれ、放射線像変換パネル
の切断面の電子顕微鏡写真（倍率：５００倍）である。
図４は、実施例１の放射線像変換パネルについて柱状結
晶の（１００）面を示す写真である。図５は、実施例２
の放射線像変換パネルについて柱状結晶の（１１０）面
を示す写真である。図６は、比較例１の放射線像変換パ
ネルについて柱状結晶のランダムな面を示す写真であ
る。図７は、実施例３の放射線像変換パネルについて柱
状結晶の（１００）面を示す写真である。図８は、比較
例２の放射線像変換パネルについて柱状結晶のランダム
な面を示す写真である。

【００７２】図４〜８に示した写真から明らかなよう
に、本発明の方法に従って蛍光体母体成分からなる蒸着
膜および蛍光体の母体成分と付活剤成分とからなる蒸着
膜を設けて製造した放射線像変換パネル（実施例１、
２、３）は、形状の良好な柱状結晶構造を有し、かつそ
の結晶面が揃っていた。一方、単に蛍光体の母体成分と
付活剤成分の蒸着膜のみを設けて製造した比較のための
放射線像変換パネル（比較例１、２）は、結晶面が揃わ
ず、しかも柱状結晶の形状が損なわれていた。

【００７３】

【発明の効果】本発明によれば、蒸着法などの気相堆積
法により柱状結晶構造の蛍光体母体成分層を形成した
後、母体成分層上に更に柱状結晶構造の蛍光体の母体成
分と付活剤成分とからなる層を形成することにより、全
体として柱状結晶性の優れた蛍光体層を形成することが
できる。また、柱状結晶の結晶面を制御することが可能
となる。よって、従来のように支持体の表面を加工した
り、支持体上に特別な材料を用いて下地層を設ける必要
が無いばかりか、極めて柱状結晶性の優れた蛍光体層を
得ることができる。これにより、本発明の方法に従って
製造された放射線像変換パネルは、鮮鋭度、粒状性など
画質の優れた放射線画像を与えることができる。

【００７４】また、本発明の放射線画像情報読取方法に
よれば、上記の放射線像変換パネルを用いて裏面側から
効率良く読み取りを行うことができる。従って、本発明
の読取方法では、放射線撮影をパネルの表面側から行っ
て画像情報の読み取りを裏面側から行うことができるの
で、ビルトインタイプの放射線画像情報記録再生装置に
おいて有利に利用することができる。このため、本発明
の放射線像変換パネルおよび読取方法は、医療診断用ラ
ジオグラフィーや工業用ラジオグラフィー、並びにフル
オロスコピーに利用した場合に有利となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）と（ｂ）のいずれも、本発明の放射線像
変換パネルの構成の例を示す概略断面図である。

【図２】本発明の方法に用いる放射線画像情報読取装置
の例を示す構成図である。

【図３】図２に示した放射線画像情報読取装置のＩ−Ｉ
線に沿った断面図である。

【図４】実施例１の放射線像変換パネルの切断面の電子
顕微鏡写真である。

【図５】実施例２の放射線像変換パネルの切断面の電子
顕微鏡写真である。

【図６】比較例１の放射線像変換パネルの切断面の電子
顕微鏡写真である。

【図７】実施例３の放射線像変換パネルの切断面の電子
顕微鏡写真である。

【図８】比較例２の放射線像変換パネルの切断面の電子
顕微鏡写真である。

【符号の説明】

１０放射線像変換パネル１１支持体１２蛍光体層１２ａ蛍光体母体成分層１２ｂ蛍光体成分の層１３保護層１４反射層２１ブロードエリアレーザ（ＢＬＤ）２２コリメータレンズとトーリックレンズからなる光
学系２４ダイクロイックミラー２５、２６セルフォックレンズアレイ２７励起光カットフィルタ２８ラインセンサ２９光電変換素子３０画像情報読取手段４０走査ベルトＬ励起光Ｍ発光光Ｓ信号

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者高須厚徳神奈川県足柄上郡開成町宮台798番地富士写真フイルム株式会社内 (72)発明者細井雄一神奈川県足柄上郡開成町宮台798番地富士写真フイルム株式会社内Ｆターム(参考） 2G083 AA03 BB01 CC02 DD02 DD12 4H001 CA04 CA08 XA03 XA04 XA09 XA11 XA12 XA13 XA17 XA19 XA20 XA21 XA28 XA29 XA30 XA31 XA35 XA37 XA38 XA39 XA48 XA49 XA53 XA55 XA56 XA57 XA58 XA59 XA60 XA61 XA62 XA63 XA64 XA65 XA66 XA67 XA68 XA69 XA70 XA71 YA11 YA12 YA29 YA39 YA47 YA58 YA59 YA60 YA62 YA63 YA64 YA65 YA66 YA67 YA68 YA69 YA70 YA71 YA81 YA83

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】母体成分と付活剤成分とからなる蛍光体
からなる蛍光体層を有する放射線像変換パネルを製造す
る方法であって、気相堆積法により、蛍光体の母体成分
からなる柱状結晶構造を形成し、次いで該柱状結晶構造
の上に該蛍光体の母体成分と付活剤成分とからなる柱状
結晶構造を気相堆積法により積層することによって蛍光
体層を形成する工程を含む放射線像変換パネルの製造方
法。
【請求項２】気相堆積法により柱状結晶構造を形成す
る操作のいずれも、電子線蒸着法によって行なう請求項
１に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項３】蛍光体母体成分からなる柱状結晶構造の
厚みと、蛍光体の母体成分と付活剤成分からなる柱状結
晶構造の厚みとの比率（前者：後者）が、１：１００乃
至１：１の範囲にある請求項１または２に記載の放射線
像変換パネルの製造方法。
【請求項４】柱状結晶構造積層体を熱処理する請求項
１乃至３のうちのいずれかの項に記載の放射線像変換パ
ネルの製造方法。
【請求項５】蛍光体が蓄積性蛍光体である請求項１乃
至４のうちのいずれかの項に記載の放射線像変換パネル
の製造方法。
【請求項６】蓄積性蛍光体が、基本組成式（Ｉ）：Ｍ^IＸ・ｘＭ^IIＸ’₂・ｙＭ^IIIＸ”₃：ｚＡ ‥‥（Ｉ）［ただし、Ｍ^IはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからな
る群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表
し；Ｍ^IIはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選ばれる少なくとも一
種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し；Ｍ^IIIはＳ
ｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、
Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａ
ｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる少なくとも一
種の希土類元素又は三価金属を表し；Ｘ、Ｘ’及びＸ”
はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ば
れる少なくとも一種のハロゲンを表し；ＡはＹ、Ｃｅ、
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｌ
及びＢｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土
類元素又は金属を表し；そしてａ、ｂ及びｚはそれぞ
れ、０≦ｘ＜０．５、０≦ｙ＜０．５、０＜ｚ≦０．２
の範囲内の数値を表す］を有するアルカリ金属ハロゲン
化物系輝尽性蛍光体である請求項５に記載の放射線像変
換パネルの製造方法。
【請求項７】基本組成式（Ｉ）において、ＡがＥｕで
ある請求項６に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項８】基本組成式（Ｉ）において、Ｍ^IがＣｓ
であって、ＸがＢｒである請求項７に記載の放射線像変
換パネルの製造方法。
【請求項９】母体成分と付活剤成分とを含み、柱状結
晶構造を持つ蛍光体層を有する放射線像変換パネルにお
いて、該蛍光体層の下面側の全層厚の１／１００の領域
における蛍光体の付活剤成分の濃度ａ、および上面側の
全層厚の１／１００の領域における蛍光体の付活剤成分
の濃度ｂが、関係式：０≦ａ／ｂ＜１を満足することを特徴とする放射線像変換パネル。
【請求項１０】蛍光体層の下面側の全層厚の１／１０
０の領域における蛍光体の付活剤成分の濃度ａ、および
上面側の全層厚の１／１００の領域における蛍光体の付
活剤成分の濃度ｂが、関係式：０≦ａ／ｂ＜０．１を満足する請求項９に記載の放射線像変換パネル。
【請求項１１】蛍光体層が、気相堆積法により、蛍光
体の母体成分からなる柱状結晶構造を形成し、次いで該
柱状結晶構造の上に該蛍光体の母体成分と付活剤成分と
からなる柱状結晶構造を積層することによって形成され
たものである請求項９または１０に記載の放射線像変換
パネル。
【請求項１２】蛍光体層の下面に透明支持体が設けら
れ、そして蛍光体層の上面に保護層が設けられている請
求項９乃至１１のうちのいずれかの項に記載の放射線像
変換パネル。
【請求項１３】請求項１２に記載の放射線像変換パネ
ルであって、放射線画像情報が蓄積記録された放射線像
変換パネルを平面方向に移動させながら、該パネルの支
持体側裏面に励起光を該移動方向と異なる方向に線状に
照射し、該パネルの励起光照射部分から放出される発光
光を逐次光電検出して、放射線画像情報を電気的画像信
号として得ることからなる放射線画像情報読取方法。