JP2004170406A - 放射線像変換パネルおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 支持体、該支持体の表面を95%以上の被覆率で被覆している蓄積性蛍光体母体化合物層、そして該蓄積性蛍光体母体化合物層の上に形成された蓄積性蛍光体柱状結晶の集合体からなる蛍光体層を含む放射線像変換パネル。
【選択図】 図1
Description
また、本発明は、柱状結晶性に優れ、かつ蛍光体層と支持体との接着性が良好な放射線像変換パネルを提供することにもある。
(1)蓄積性蛍光体層が気相堆積法により形成された層である。
(2)蓄積性蛍光体母体化合物層が気相堆積法により形成された層である。
(3)蓄積性蛍光体母体化合物層が、蓄積性蛍光体母体化合物粒子が支持体表面に沿って結合した状態で形成されている。
(4)蓄積性蛍光体母体化合物層が、50nm乃至100μmの範囲の厚みを持つ。
MIX・aMIIX’2・bMIIIX”3:zA ‥‥(I)
[ただし、MIはLi、Na、K、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し;MIIはBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Ni、Cu、Zn及びCdからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し;MIIIはSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表し;X、X’及びX”はそれぞれ、F、Cl、Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表し;AはY、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mg、Cu及びBiからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は金属を表し;そしてa、b及びzはそれぞれ、0≦a<0.5、0≦b<0.5、0<z<1.0の範囲内の数値を表す]
を有するアルカリ金属ハロゲン化物系輝尽性蛍光体である。
(6)蓄積性蛍光体蛍光体が、ユーロピウム付活臭化セシウムであって、蓄積性蛍光体母体化合物が臭化セシウムである。
(1)蓄積性蛍光体母体化合物層の気相堆積法による形成工程と蓄積性蛍光体層の気相堆積法による形成工程を連続的に行なう。
(2)蓄積性蛍光体層が、蛍光体母体化合物と付活剤とを含む蓄積性蛍光体からなる層であって、蓄積性蛍光体層の気相堆積法による形成工程を、蓄積性蛍光体母体化合物を含む蒸発源と付活剤を含む蒸発源とを同時に蒸発させて支持体上に堆積させる方法によって行なう。
(3)蓄積性蛍光体層の気相堆積法による形成工程を、不活性ガスの存在下で、0.3〜3Paの圧力にて行なう。
MIX・aMIIX’2・bMIIIX”3:zA ‥‥(I)
で代表されるアルカリ金属ハロゲン化物系輝尽性蛍光体は特に好ましい。ただし、MIはLi、Na、K、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し、MIIはBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Ni、Cu、Zn及びCdからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し、MIIIはSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表し、そしてAはY、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mg、Cu及びBiからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は金属を表す。X、X’およびX”はそれぞれ、F、Cl、Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表す。a、bおよびzはそれぞれ、0≦a<0.5、0≦b<0.5、0<z<1.0の範囲内の数値を表す。
MIIFX:zLn ‥‥(II)
で代表される希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体も好ましい。ただし、MIIはBa、Sr及びCaからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属を表し、LnはCe、Pr、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Nd、Er、Tm及びYbからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表す。Xは、Cl、Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表す。zは、0<z≦0.2の範囲内の数値を表す。
(1)蒸発源
蒸発源として、純度4N以上の臭化セシウム(CsBr)粉末、および純度3N以上の臭化ユーロピウム(EuBrx、x≒2.2)粉末を用意した。各粉末中の微量元素をICP−MS法(誘導結合高周波プラズマ分光分析−質量分析法)により分析した結果、CsBr中のCs以外のアルカリ金属(Li、Na、K、Rb)は各々10ppm以下であり、アルカリ土類金属(Mg、Ca、Sr、Ba)など他の元素は2ppm以下であった。また、EuBrx中のEu以外の希土類元素は各々20ppm以下であり、他の元素は10ppm以下であった。これらの粉末は、吸湿性が高いので露点−20℃以下の乾燥雰囲気を保ったデシケータ内で保管し、使用直前に取り出すようにした。
支持体として、順にアルカリ洗浄、純水洗浄、およびIPA(イソプロピルアルコール)洗浄を施した合成石英基板を用意し、蒸着装置内の基板ホルダーに設置した。上記CsBr蒸発源およびEuBrx蒸発源を装置内の坩堝容器に充填した後、装置内を排気して1×10-3Paの真空度とした。このとき、真空排気装置としてロータリーポンプ、メカニカルブースターおよびターボ分子ポンプの組合せを用いた。その後、装置内にArガスを導入して0.6Paの真空度にした。石英基板の蒸着とは反対側に位置したシーズヒータで、基板を100℃に加熱した。基板と各蒸発源の間に設けられたシャッタを閉じた状態で、蒸発源それぞれを抵抗加熱器で加熱した後、まず、CsBr蒸発源側のシャッタだけを開いて、基板の表面にCsBr蛍光体母体を堆積させて被覆層を形成した。次いで、その1秒後にEuBrx蒸発源側のシャッタも開いて、被覆層上にCsBr:Eu輝尽性蛍光体を堆積させた。堆積は5μm/分の速度で行った。また、各々の加熱器の抵抗電流を調整して、輝尽性蛍光体におけるEu/Csモル濃度比が0.003/1となるように制御した。
このようにして、共蒸着により支持体と蛍光体層とからなる本発明の放射線像変換パネルを製造した(図1参照)。
実施例1において、CsBr蒸発源側のシャッタを開いて3秒後に、EuBrx蒸発源側のシャッタも開いたこと以外は実施例1と同様にして、本発明の放射線像変換パネルを製造した。
実施例1において、CsBr蒸発源側のシャッタを開いて10秒後に、EuBrx蒸発源側のシャッタも開いたこと以外は実施例1と同様にして、本発明の放射線像変換パネルを製造した。
実施例1において、CsBr蒸発源側のシャッタを開いて30秒後に、EuBrx蒸発源側のシャッタも開いたこと以外は実施例1と同様にして、本発明の放射線像変換パネルを製造した。
実施例1において、CsBr蒸発源側のシャッタを開いて300秒後に、EuBrx蒸発源側のシャッタも開いたこと以外は実施例1と同様にして、本発明の放射線像変換パネルを製造した。形成された母体化合物層は、粒径が約2μmの粒子で敷きつめられていた。
実施例1において、CsBr蒸発源側のシャッタを開いて600秒後に、EuBrx蒸発源側のシャッタも開いたこと以外は実施例1と同様にして、本発明の放射線像変換パネルを製造した。形成された母体化合物層は、粒径が約2μmの粒子で敷きつめられていた。
実施例1において、CsBr蒸発源側とEuBrx蒸発源側の両方のシャッタを同時に開いて、基板表面にCsBr:Eu輝尽性蛍光体を堆積させたこと以外は実施例1と同様にして、従来の放射線像変換パネルを製造した。
実施例1において、EuBrx蒸発源側のシャッタを開いて1秒後に、CsBr蒸発源側のシャッタも開いたこと以外は実施例1と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
実施例1において、CsBr蒸発源側のシャッタを開いて0.5秒後に、EuBrx蒸発源側のシャッタも開いたこと以外は実施例1と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
実施例1において、蒸発源としてCsBrとEuBrx(x≒2.2)の粉末混合物(モル比1:0.003)を用い、蒸発源を抵抗加熱器で加熱したのちシャッタを開いて基板表面にCsBr:Eu輝尽性蛍光体を堆積させたこと以外は実施例1と同様にして、従来の放射線像変換パネルを製造した。
[放射線像変換パネルの性能評価]
得られた各放射線像変換パネルの接着性、柱状性および再現性について、下記のようにして評価を行った。また、放射線像変換パネルの基板(支持体)から母体被覆層を含む蛍光体層を剥がし取り、該母体被覆層の剥離面をイオンスパッタにより金で被覆(厚み:30オングストローム)した後、走査型電子顕微鏡(JSM−5400型、日本電子(株)製)を用いて観察し、全面積に対する被覆層部分の割合を測定することにより、被覆率(%)を求めた。
権田俊一監修、「薄膜の作成・評価とその応用技術ハンドブック」、フジテクノシステム、1984年、p.211に記載のスコッチテープ法を参考にして、蛍光体層の表面に粘着テープ(ニチバン製セロハンテープ)を貼り付けた後、粘着テープを剥がして蛍光体層の支持体からの剥離の程度を観察し、全面積に対する剥離部分の割合(%)にて評価した。
放射線像変換パネルの蛍光体層を支持体ごと厚み方向に切断し、チャージアップ防止のためにイオンスパッタにより金で被覆した後、走査型電子顕微鏡を用いて蛍光体層の表面および切断面を観察し、柱状結晶の形状を以下の基準にて評価した。
AA:極めて良好、 A:良好、 B:やや不良、
C:不良であって実用上問題がある
各実施例および比較例について同様の操作を繰り返して多数の放射線像変換パネルを製造した。得られた各パネルを室内光を遮蔽可能なカセッテに収納し、これに10mRのX線を照射した。次いで、パネルをカセッテから取り出した後、パネルをLDレーザ光(波長:650nm)で励起し、パネルから放出された輝尽発光光をフォトマルチプライヤで検出し、その発光量を求めた。実施例毎に発光量のばらつきを求め、再現性を以下の基準にて評価した。
AA:極めて良好、 A:良好、 B:やや不良、
C:不良であって実用上問題がある
得られた結果をまとめて表1に示す。
表1
────────────────────────────────────
支持体上の母体化合物層 剥離度 柱状性 再現性
厚み(nm) 被覆率(%) (%)
────────────────────────────────────
実施例1 80 96 3 AA A
実施例2 250 98 2 AA AA
実施例3 800 99 2 AA AA
実施例4 2400 100 1 AA AA
実施例5 24000 100 1 AA AA
実施例6 48000 100 1 AA AA
────────────────────────────────────
比較例1 0 0 25 AA B
比較例2 〜0 〜0 40 C C
比較例3 35 84 10 A A
比較例4 0 0 23 A B
────────────────────────────────────
Claims (11)
- 支持体、該支持体の表面を95%以上の被覆率で被覆している蓄積性蛍光体母体化合物層、そして該蓄積性蛍光体母体化合物層の上に形成された蓄積性蛍光体柱状結晶の集合体からなる蛍光体層を含む放射線像変換パネル。
- 蓄積性蛍光体層が気相堆積法により形成された層である請求項1に記載の放射線像変換パネル。
- 蓄積性蛍光体母体化合物層が気相堆積法により形成された層である請求項1もしくは2に記載の放射線像変換パネル。
- 蓄積性蛍光体母体化合物層が、蓄積性蛍光体母体化合物粒子が支持体表面に沿って結合した状態で形成されている請求項1乃至3のうちのいずれかの項に記載の放射線像変換パネル。
- 蓄積性蛍光体母体化合物層が、50nm乃至100μmの範囲の厚みを持つ請求項1乃至4のうちのいずれかの項に記載の放射線像変換パネル。
- 蓄積性蛍光体が、基本組成式(I):
MIX・aMIIX’2・bMIIIX”3:zA ‥‥(I)
[ただし、MIはLi、Na、K、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し;MIIはBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Ni、Cu、Zn及びCdからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し;MIIIはSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表し;X、X’及びX”はそれぞれ、F、Cl、Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表し;AはY、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mg、Cu及びBiからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は金属を表し;そしてa、b及びzはそれぞれ、0≦a<0.5、0≦b<0.5、0<z<1.0の範囲内の数値を表す]
を有するアルカリ金属ハロゲン化物系輝尽性蛍光体である請求項5に記載の放射線像変換パネル。 - 蓄積性蛍光体蛍光体が、ユーロピウム付活臭化セシウムであって、蓄積性蛍光体母体化合物が臭化セシウムである請求項1に記載の放射線像変換パネル。
- 支持体表面に、該支持体の表面を95%以上の被覆率で被覆する蓄積性蛍光体母体化合物層を気相堆積法により形成する工程、そして該蓄積性蛍光体母体化合物層の上に蓄積性蛍光体柱状結晶の集合体から構成されている蓄積性蛍光体層を気相堆積法により形成する工程からなる請求項1に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
- 蓄積性蛍光体母体化合物層の気相堆積法による形成工程と蓄積性蛍光体層の気相堆積法による形成工程を連続的に行なう請求項8に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
- 蓄積性蛍光体層が、蛍光体母体化合物と付活剤とを含む蓄積性蛍光体からなる層であって、蓄積性蛍光体層の気相堆積法による形成工程を、蓄積性蛍光体母体化合物を含む蒸発源と付活剤を含む蒸発源とを同時に蒸発させて支持体上に堆積させる方法によって行なう請求項8乃至9のうちのいずれかの項に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
- 蓄積性蛍光体層の気相堆積法による形成工程を、不活性ガスの存在下で、0.3〜3Paの圧力にて行なう請求項8乃至10のうちのいずれかの項に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
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