JP2003028995A

JP2003028995A - 放射線像変換パネル

Info

Publication number: JP2003028995A
Application number: JP2001209452A
Authority: JP
Inventors: Yuji Isoda; 勇治礒田
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2001-07-10
Filing date: 2001-07-10
Publication date: 2003-01-29

Abstract

(57)【要約】【課題】高感度、高画質の放射線画像を与える放射線
像変換パネルの提供。【解決手段】気相堆積法により形成された蛍光体層
が、下記基本組成式：Ｍ^IＸ・ａＭ^IIＸ’₂・ｂＭ^IIIＸ”₃：ｚＥｕ［Ｍ^Iはアルカリ金属；Ｍ^IIはアルカリ土類金属又は二
価金属；Ｍ^IIIは希土類元素又は三価金属；Ｘ、Ｘ’及
びＸ”はいずれもハロゲン；ａ、ｂ、ｚは０≦ａ＜０．
５、０≦ｂ＜０．５、０．０００１≦ｚ≦１．０の範囲
内の数値］を有するユーロピウム付活臭化セシウム系輝
尽性蛍光体からなる放射線像変換パネル。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、輝尽性蛍光体の輝
尽発光を利用する放射線画像記録再生方法に用いられる
放射線像変換パネル、およびそれを用いた放射線画像情
報読取方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】Ｘ線などの放射線が照射されると、その
放射線エネルギーの一部を吸収、蓄積し、そののち可視
光線や赤外線などの電磁波（励起光）の照射を受ける
と、蓄積した放射線エネルギーに応じて輝尽発光を示す
性質を有する輝尽性蛍光体（蓄積性蛍光体）を利用し
て、この輝尽性蛍光体を含有するシート状の放射線像変
換パネルに、被検体を透過したあるいは被検体から発せ
られた放射線を照射して被検体の放射線画像情報を一旦
蓄積記録した後、パネルにレーザ光などの励起光を走査
して順次輝尽発光光として放出させ、そしてこの輝尽発
光光を光電的に読み取って画像信号を得ることからな
る、放射線画像記録再生方法が広く実用に共されてい
る。読み取りを終えたパネルは、残存する放射線エネル
ギーの消去が行われた後、次の撮影のために備えられて
繰り返し使用される。

【０００３】放射線画像記録再生方法に用いられる放射
線像変換パネル（蓄積性蛍光体シートともいう）は、基
本構造として、支持体とその上に設けられた輝尽性蛍光
体層とからなるものである。ただし、輝尽性蛍光体層が
自己支持性である場合には必ずしも支持体を必要としな
い。また、輝尽性蛍光体層の上面（支持体に面していな
い側の面）には通常、保護層が設けられていて、蛍光体
層を化学的な変質あるいは物理的な衝撃から保護してい
る。

【０００４】輝尽性蛍光体層は、通常は輝尽性蛍光体と
これを分散状態で含有支持する結合剤とからなる。ただ
し、蒸着法や焼結法によって形成される結合剤を含まな
いで輝尽性蛍光体の凝集体のみから構成されるものや、
輝尽性蛍光体の凝集体の間隙に高分子物質が含浸されて
いるものも知られている。

【０００５】また、上記放射線画像記録再生方法の別法
として、本願出願人は、従来の輝尽性蛍光体における放
射線吸収機能とエネルギー蓄積機能とを分離して、少な
くとも輝尽性蛍光体（エネルギー蓄積用蛍光体）を含有
する放射線像変換パネルと、放射線を吸収して紫外乃至
可視領域に発光を示す蛍光体（放射線吸収用蛍光体）を
含有する蛍光スクリーンとの組合せを用いる放射線画像
形成方法を既に出願している。この方法は、被検体を透
過などした放射線をまず、該スクリーンまたはパネルの
放射線吸収用蛍光体により紫外乃至可視領域の光に変換
した後、その光をパネルのエネルギー蓄積用蛍光体にて
放射線画像情報として蓄積記録する。次いで、このパネ
ルに励起光を走査して輝尽発光光を放出させ、この輝尽
発光光を光電的に読み取って画像信号を得るものであ
る。

【０００６】放射線像記録再生方法（および放射線画像
形成方法）は上述したように、数々の優れた利点を有す
る方法であるが、この方法に用いられる放射線像変換パ
ネルにあっても、できる限り高感度であってかつ画質
（鮮鋭度、粒状性など）の良好な画像を与えるものであ
ることが望まれる。

【０００７】感度および画質を高めることを目的とし
て、例えば特公平６−７７０７９号公報に記載されてい
るように、放射線像変換パネルの輝尽性蛍光体層を気相
堆積法により形成することが提案されている。気相堆積
法には蒸着法やスパッタ法などがあり、例えば蒸着法
は、輝尽性蛍光体またはその原料からなる蒸発源を抵抗
加熱器や電子線の照射により加熱して蒸発源を蒸発、飛
散させ、金属シートなどの基板表面にその蒸発物を堆積
させることにより、輝尽性蛍光体の柱状結晶からなる蛍
光体層を形成するものである。

【０００８】気相堆積法により形成された蛍光体層は、
結合剤を含有しないで輝尽性蛍光体のみからなり、輝尽
性蛍光体の柱状結晶と柱状結晶の間には空隙（クラッ
ク）が存在する。このため、励起光の進入効率や発光光
の取出し効率を上げることができるので高感度であり、
また励起光の平面方向への散乱を防ぐことができるので
高鮮鋭度の画像を得ることができる。

【０００９】なお、上記特公平６−７７０７９号公報に
は、使用できる輝尽性蛍光体として一般式（II）：Ｍ^IＸ・ａＭ^IIＸ’₂・ｂＭ^IIIＸ”₃：ｃＡ ‥‥（II）［ただし、Ｍ^IはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓから選
ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり；Ｍ^IIはＢ
ｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮ
ｉから選ばれる少なくとも一種の二価金属であり；Ｍ
^IIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙ
ｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎから選ばれる少なくとも
一種の三価金属であり；Ｘ、Ｘ’及びＸ”はＦ、Ｃｌ、
Ｂｒ及びＩから選ばれる少なくとも一種のハロゲンであ
り；ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、
Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎ
ａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇから選ばれる少なくとも一種の
金属であり；そしてａは０≦ａ＜０．５の範囲の数値で
あり、ｂは０≦ｂ＜０．５の範囲の数値であり、ｃは０
＜ｃ≦０．２の範囲の数値である］を有するアルカリハ
ライド蛍光体が開示されている。しかしながら、具体的
にはその実施例にＲｂＢｒ：Ｔｌ系蛍光体が記載されて
いるだけで、ＣｓＢｒ：Ｅｕ系蛍光体およびその付活剤
Ｅｕの濃度範囲についてそれ以上は記載されていない。

【００１０】また特公平７−８４５８８号公報には、ア
ルカリハライド輝尽性蛍光体を含有する放射線像変換パ
ネルが開示され、その実施例にはＣｓＢｒ：0.001Ｅｕ
輝尽性蛍光体を含有するパネルが記載されている。しか
しながら、ＣｓＢｒ：Ｅｕ系蛍光体における付活剤Ｅｕ
の濃度範囲についてはそれ以上の記載は無い。さらに、
上記パネルの蛍光体層は、気相堆積法により形成された
ものではなく、蛍光体原料を焼成、粉砕して得られた粒
子状の蛍光体と結合剤とからなり、塗布法により形成さ
れたものである。同じ輝尽性蛍光体であっても粉体焼成
物と気相堆積法により形成される柱状結晶物とでは、蛍
光体のＥｕによる付活状態、蛍光体の表面積や表面状
態、そして放射線や励起光に対する光学的な効果が相当
に異なる。よって、パネルとして高い感度および画質を
得るためのＥｕ濃度の最適値も、粉体焼成物と気相堆積
法による柱状結晶物とでは当然、異なると考えられる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、放射線像
変換パネルの蛍光体層をＣｓＢｒ：Ｅｕ系輝尽性蛍光体
を用いて気相堆積法により形成することについて研究を
重ねた結果、付活剤であるＥｕの濃度が従来の０〜０．
２の範囲内であってもある一定値より低いと、輝尽発光
強度が低過ぎてパネルとして感度が十分ではなくなるこ
と、および反対にＥｕ濃度が高いと、蒸着膜など気相堆
積法により形成された層の柱状結晶の状態や表面性など
が悪化して、画質の低下した放射線画像が得られること
を新たに見い出した。

【００１２】従って、本発明は、高感度の放射線画像を
与える放射線像変換パネルおよび放射線画像情報読取方
法を提供するものである。また、本発明は、高感度であ
って高画質の放射線画像を与える放射線像変換パネルお
よび放射線画像情報読取方法を提供するものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、気相堆積法に
より形成された蛍光体層を有する放射線像変換パネルに
おいて、該蛍光体層が、基本組成式（Ｉ）：Ｍ^IＸ・ａＭ^IIＸ’₂・ｂＭ^IIIＸ”₃：ｚＥｕ ‥‥（Ｉ）［ただし、Ｍ^IはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからな
る群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表
し；Ｍ^IIはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選ばれる少なくとも一
種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し；Ｍ^IIIはＳ
ｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、
Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａ
ｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる少なくとも一
種の希土類元素又は三価金属を表し；Ｘ、Ｘ’及びＸ”
はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ば
れる少なくとも一種のハロゲンを表し；そしてａ、ｂ及
びｚはそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、
０．０００１≦ｚ≦１．０の範囲内の数値を表す］を有
するユーロピウム付活臭化セシウム系輝尽性蛍光体から
なることを特徴とする放射線像変換パネルにある。

【００１４】また本発明は、放射線画像情報が蓄積記録
された上記の放射線像変換パネルを平面方向に移動させ
ながら、該パネルの表面に励起光を該移動方向と異なる
方向に線状に照射し、該パネルの励起光照射部分および
／またはその裏面から放出される輝尽発光光を、多数の
固体光電変換素子を線状に配置してなるラインセンサを
用いて一次元的に受光して光電変換を行い、そして該ラ
インセンサからの出力を該パネルの移動に応じて順次読
み取って、放射線画像情報を電気的画像信号として得る
ことからなる放射線画像情報読取方法にもある。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の放射線像変換パネルにお
いて、基本組成式（Ｉ）におけるｚは０．０００１≦ｚ
≦０．０１の範囲内の数値であることが好ましい。より
好ましくは０．０００５≦ｚ≦０．００７の範囲内の数
値であり、更に好ましくは０．００１≦ｚ≦０．００７
の範囲内の数値であり、そして特に好ましくは、０．０
０３≦ｚ≦０．００５の範囲内の数値である。

【００１６】また、本発明の放射線像変換パネルは、支
持体、蛍光体層および保護層をこの順に有し、かつ保護
層が２５℃における換算透湿度が３００ｇ／ｍ²・24hr
・μｍ以下の透明シートからなることが好ましい。

【００１７】さらに、本発明の放射線像変換パネルの蛍
光体層は、蒸着法により形成されたものであることが好
ましく、特には、蒸着膜中のＥｕ濃度の制御のしやす
さ、蒸着膜中のＥｕの分布、膜表面性および基板との接
着性の点から、上記輝尽性蛍光体の母体成分および付活
剤成分を別々に含む少なくとも二個の蒸発源を用いて、
該両成分を反応させながら共蒸着させることにより形成
されたものであることが好ましい。

【００１８】以下に、本発明の放射線像変換パネルにつ
いて、蛍光体層を気相堆積法の一種である電子線蒸着法
により形成する場合を例にとって詳細に述べる。電子線
蒸着法は、抵抗加熱法などと比較して、蒸着源を局所的
に加熱して瞬時に蒸発させるので、蒸発速度を制御しや
すく、また蒸発源として仕込んだ蛍光体もしくはその原
料の組成と形成された蛍光体層中の蛍光体の組成との不
一致を小さくできる利点がある。

【００１９】本発明の放射線像変換パネルに用いられる
輝尽性蛍光体は、前記の基本組成式（Ｉ）で示される。

【００２０】基本組成式（Ｉ）には、必要に応じて、酸
化アルミニウム、二酸化珪素、酸化ジルコニウムなどの
金属酸化物を添加物として、ＣｓＢｒ１モルに対して
０．５モル以下の量で加えてもよい。

【００２１】基本組成式（Ｉ）で表されるＣｓＢｒ：Ｅ
ｕ系蛍光体において、実施例にて後述するように、付活
剤Ｅｕの濃度（ｚ）が０．０００１未満では輝尽発光強
度が低過ぎて、この蛍光体を含有する放射線像変換パネ
ルは十分な感度を有することができない。反対に、付活
剤Ｅｕの濃度ｚが１．０より高いと、濃度消光が生じて
輝尽発光強度が低下したり、また形成した蒸着膜中の柱
状結晶の状態や形状、膜の表面性、および基板との接着
性などが悪くなり、結果として得られる放射線画像の画
質を低下させる。付活剤Ｅｕの濃度ｚは、好ましくは
０．０００１≦ｚ≦０．０１の範囲にある。より好まし
くは０．０００５≦ｚ≦０．００７の範囲であり、更に
好ましくは０．００１≦ｚ≦０．００７の範囲であり、
そして特に好ましくは、０．００３≦ｚ≦０．００５の
範囲である。

【００２２】多元蒸着（共蒸着）により蛍光体層を形成
する場合には、まず蒸発源として、上記輝尽性蛍光体の
母体成分を含むものと付活剤成分を含むものからなる少
なくとも二個の蒸発源を用意する。各蒸発源は、所望と
する輝尽性蛍光体の組成に応じて、蛍光体の母体成分お
よび付活剤成分それぞれのみから構成されていてもよい
し、添加物成分などとの混合物であってもよい。また、
蒸発源は二個に限定されるものではなく、例えば別に添
加物成分などからなる蒸発源を加えて三個以上としても
よい。

【００２３】蛍光体の母体成分は、母体を構成する化合
物それ自体であってもよいし、あるいは反応して母体化
合物となりうる二以上の原料の混合物であってもよい。
また、付活剤成分は、一般には付活剤元素を含む化合物
であり、例えば付活剤元素のハロゲン化物や酸化物が用
いられる。

【００２４】付活剤成分のＥｕ化合物において、Ｅｕ²⁺
化合物のモル比が７０％以上であることが好ましい。一
般に、Ｅｕ化合物にはＥｕ²⁺とＥｕ³⁺が混合して含まれ
ているが、所望とする輝尽発光（あるいは瞬時発光であ
っても）はＥｕ²⁺を付活剤とする蛍光体から発せられ
る。また、蒸発源を蒸発させる際にＥｕ²⁺のみが選択的
に蒸発するように制御することは困難であり、そして例
えばＥｕ化合物がＥｕＢｒ_xである場合にＥｕＢｒ₂を基
準として余剰なＢｒは蒸発時に突沸などの原因となり、
ひいては蒸着膜と基板との接着性や柱状結晶の形状や状
態の悪化をもたらす。よって、Ｅｕ化合物におけるＥｕ
²⁺の比率ができる限り高いことが望ましい。Ｅｕ化合物
はＥｕＢｒ_xであることが好ましく、その場合に、ｘは
２．０≦ｘ≦２．３の範囲内の数値であることが好まし
い。

【００２５】Ｅｕ²⁺の比率を高めるためにＥｕ化合物に
好適な前処理を施してもよい。前処理は、例えばＥｕ化
合物を窒素ガス中、大気中または減圧下で、１００℃〜
８００℃の範囲の温度で熱処理することにより実施する
ことができる。この前処理により突沸などの原因となる
余剰なＢｒなどが減少するので、蒸着装置内の汚れを抑
制することができ、このことによっても蒸着効率を高め
て、蒸着膜の均質性を向上させることができる。

【００２６】各蒸発源は、加圧圧縮によりタブレット
（錠剤）の形状に加工しておくことが好ましい。加圧圧
縮は、一般に８００〜１０００ｋｇ／ｃｍ²の範囲の圧
力を掛けて行う。圧縮の際に、５０〜２００℃の範囲の
温度に加温してもよい。加圧圧縮後、得られたタブレッ
トに脱ガス処理を施すことが好ましい。タブレットの相
対密度は、８０％以上９８％以下であることが好まし
い。

【００２７】蒸着膜形成のための基板は、通常は放射線
像変換パネルの支持体を兼ねるものであり、従来の放射
線像変換パネルの支持体として公知の材料から任意に選
ぶことができるが、特に好ましい基板は、石英ガラスシ
ート；アルミニウム、鉄、スズ、クロムなどからなる金
属シート；アラミドなどからなる樹脂シートである。公
知の放射線像変換パネルにおいて、放射線像変換パネル
としての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒状性）を向上さ
せるために、二酸化チタンなどの光反射性物質からなる
光反射層、もしくはカーボンブラックなどの光吸収性物
質からなる光吸収層などを設けることが知られている。
本発明で用いられる基板についても、これらの各種の層
を設けることができ、それらの構成は所望の放射線像変
換パネルの目的、用途などに応じて任意に選択すること
ができる。さらに特開昭５８−２００２００号公報に記
載されているように、得られる画像の鮮鋭度を向上させ
る目的で、基板の蛍光体層側の表面（基板の蛍光体層側
の表面に下塗層（接着性付与層）、光反射層あるいは光
吸収層などの補助層が設けられている場合には、それら
の補助層の表面であってもよい）には微小な凹凸が形成
されていてもよい。

【００２８】次いで、複数の蒸発源と被蒸着物である基
板を蒸着装置内に設置し、装置内を排気して１×１０^-5
〜１×１０^-2Ｐａ程度の真空度とする。このとき、真空
度をこの程度に保持しながら、Ａｒガス、Ｎｅガスなど
の不活性ガスを導入してもよい。次に、複数の電子銃か
ら電子線を発生させて、蒸発源それぞれに照射する。電
子線の加速電圧は１．５ｋＶ以上で５．０ｋＶ以下に設
定することが望ましい。

【００２９】電子線の照射により、蒸発源である輝尽性
蛍光体の母体成分や付活剤成分等は加熱されて蒸発、飛
散し、そして反応を生じて蛍光体を形成するとともに基
板表面に堆積する。この際に、各電子線の加速電圧など
を調整することにより、各蒸発源の蒸発速度を制御して
もよい。蛍光体の堆積する速度、すなわち蒸着速度は、
一般には０．１〜１０００μｍ／分の範囲にあり、好ま
しくは１〜１００μｍ／分の範囲にある。なお、電子線
の照射を複数回に分けて行って二層以上の蛍光体層を形
成することもできる。さらに、蒸着の際に必要に応じて
被蒸着物（基板）を冷却または加熱してもよいし、ある
いは蒸着終了後に蛍光体層を加熱処理（アニール処理）
してもよい。

【００３０】一元蒸着の場合には、付活剤Ｅｕが蛍光体
母体に比べて蒸気圧が低く、蒸発し難いので、蒸発源と
して、付活剤成分の濃度が目的とする蛍光体の付活剤濃
度よりも高い蒸発源を用いることが好ましい。具体的に
は、蒸発源中の付活剤成分の濃度が目的とする蛍光体の
付活剤濃度の３０倍以下、より好ましくは１．５倍以上
１０倍以下であるようにする。

【００３１】あるいは、蒸発源として、輝尽性蛍光体お
よび必要によりその組成成分を含み、かつ蛍光体の付活
剤の濃度分布を蒸発流方向（基板方向）に有する蒸発源
を用意することが好ましい。付活剤Ｅｕが蛍光体母体に
比べて蒸気圧が低いので、蒸発源における付活剤の濃度
が基板側で高く、その反対側で低くなるようにする。こ
のような蒸発源および蒸着法については、本出願人によ
る特願２０００−号明細書を参照することができる。

【００３２】このようにして、輝尽性蛍光体の柱状結晶
がほぼ厚み方向に成長した蛍光体層が得られる。蛍光体
層は、輝尽性蛍光体のみからなり、輝尽性蛍光体の柱状
結晶と柱状結晶の間には空隙（クラック）が存在する。
また、蛍光体層の厚み方向に付活剤濃度が均一な蛍光体
層を得ることができる。蛍光体層の層厚は、通常は１０
０μｍ〜１ｍｍの範囲にあり、好ましくは２００μｍ〜
７００ｍｍの範囲にある。

【００３３】本発明において、上述した多元蒸着および
一元蒸着いずれの場合であっても、蒸着法は電子線蒸着
法に限られるものではなく、例えば電子銃の代わりに抵
抗加熱器を用いて蒸発源を加熱蒸発させることからなる
抵抗加熱法など、他の蒸着法も利用することができる。

【００３４】また、スパッタ法も利用することができ、
その場合には、まず基板をスパッタ装置内に設置し、装
置内を一旦排気して１×１０^-5Ｐａ程度の真空度にした
後、スパッタ用の気体としてＡｒガス、Ｎｅガスなどの
不活性ガスを導入して１×１０^-2Ｐａ程度のガス圧とす
る。次いで、前記の複数または単一のタブレットをター
ゲットとして放電し、イオン化した気体の衝撃により蛍
光体および／またはその組成成分を飛散させて基板表面
に輝尽性蛍光体を所望の厚みで堆積させる。スパッタリ
ングは、複数回に分けて行ってもよいし、あるいは必要
に応じて、装置内にＯ₂ガス、Ｈ₂ガスを導入して反応性
スパッタリングを行ってもよい。さらに、スパッタリン
グの際に必要に応じて基板を冷却または加熱してもよい
し、あるいはスパッタリング終了後に蛍光体層を加熱処
理（アニール処理）してもよい。

【００３５】さらに、化学蒸着（ＣＶＤ）法など公知の
他の気相堆積法を利用することも可能である。これら他
の蒸着法および気相堆積法の詳細は、公報を含む公知の
各種の文献に記載されており、それらを参照することが
できる。

【００３６】上記方法において、基板は必ずしも放射線
像変換パネルの支持体を兼ねる必要はなく、蒸着膜形成
後、蒸着膜を基板から引き剥がし、別に用意した支持体
上に接着剤を用いるなどして接合して、蛍光体層を設け
る方法を利用してもよい。あるいは、蛍光体層に支持体
（基板）が付設されていなくてもよい。

【００３７】蛍光体層の表面には、放射線像変換パネル
の搬送および取扱い上の便宜や特性変化の回避のため
に、保護層を設けることが望ましい。保護層は、励起光
の入射や輝尽発光光の出射に殆ど影響を与えないよう
に、透明であることが望ましく、また外部から与えられ
る物理的衝撃や化学的影響から放射線像変換パネルを十
分に保護することができるように、化学的に安定で防湿
性が高く、かつ高い物理的強度を持つことが望ましい。
保護層としては、セルロース誘導体、ポリメチルメタク
リレート、有機溶媒可溶性フッ素系樹脂などのような透
明な有機高分子物質を適当な溶媒に溶解して調製した溶
液を蛍光体層の上に塗布することで形成されたもの、あ
るいはポリエチレンテレフタレートなどの有機高分子フ
ィルムや透明なガラス板などの保護層形成用シートを別
に形成して蛍光体層の表面に適当な接着剤を用いて設け
たもの、あるいは無機化合物を蒸着などによって蛍光体
層上に成膜したものなどが用いられる。また、保護層中
には酸化マグネシウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、アル
ミナ等の光散乱性微粒子、パーフルオロオレフィン樹脂
粉末、シリコーン樹脂粉末等の滑り剤、およびポリイソ
シアネート等の架橋剤など各種の添加剤が分散含有され
ていてもよい。保護層の層厚は一般に、高分子物質から
なる場合には約０．１〜２０μｍの範囲にあり、ガラス
等の無機化合物からなる場合には１００〜１０００μｍ
の範囲にある。

【００３８】防湿性を高めるためには、保護層材料とし
て２５℃における換算透湿度が３００ｇ／ｍ²・24hr・
μｍ以下の透明な膜形成性樹脂を用いることが好まし
い。ここで、２５℃における換算透湿度とは、ＪＩＳ−
Ｚ０２０８で示される透湿度を厚み１μｍ当たりに換算
し直した値である。上記換算透湿度を有する透明な膜形
成性樹脂として好ましいのは、有機溶媒可溶性のフッ素
系樹脂である。フッ素系樹脂は、フッ素を含むオレフィ
ン（フロオロオレフィン）の重合体もしくはフロオロオ
レフィンを共重合体成分として含む共重合体であり、そ
の例としては、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロ
ルトリフロオロエチレン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ
化ビニリデン、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオ
ロプロピレン共重合体およびフロオロオレフィン−ビニ
ルエーテル共重合体を挙げることができる。

【００３９】防湿性に加えて防汚性および防傷性を高め
るためには、保護層は上記膜形成性樹脂と反応性シリコ
ーンおよび架橋剤とからなることが望ましい。反応性シ
リコーンと架橋剤とが反応することにより、膜形成性樹
脂のの強度が増して保護層の防汚性や防傷性など耐久性
を向上させることができる。

【００４０】保護層の表面にはさらに、保護層の耐汚染
性を高めるためにフッ素樹脂塗布層を設けてもよい。フ
ッ素樹脂塗布層は、フッ素樹脂を有機溶媒に溶解（また
は分散）させて調製したフッ素樹脂溶液を保護層の表面
に塗布し、乾燥することにより形成することができる。
フッ素樹脂は単独で使用してもよいが、通常はフッ素樹
脂と膜形成性の高い樹脂との混合物として使用する。ま
た、ポリシロキサン骨格を持つオリゴマーあるいはパー
フルオロアルキル基を持つオリゴマーを併用することも
できる。フッ素樹脂塗布層には、干渉むらを低減させて
更に放射線画像の画質を向上させるために、微粒子フィ
ラーを充填することもできる。フッ素樹脂塗布層の層厚
は通常は０．５μｍ乃至２０μｍの範囲にある。フッ素
樹脂塗布層の形成に際しては、架橋剤、硬膜剤、黄変防
止剤などのような添加成分を用いることができる。特に
架橋剤の添加は、フッ素樹脂塗布層の耐久性の向上に有
利である。

【００４１】上述のようにして本発明の方法に従う放射
線像変換パネルが得られるが、本発明に係るパネルの構
成は、公知の各種のバリエーションを含むものであって
もよい。たとえば、得られる画像の鮮鋭度を向上させる
ことを目的として、上記の少なくともいずれかの層を、
励起光を吸収し輝尽発光光は吸収しないような着色剤に
よって着色してもよい（特公昭５９−２３４００号公報
参照）。

【００４２】次に、上記の放射線像変換パネルを用いる
本発明の放射線画像情報読取方法について図面を参照し
ながら説明する。図１は、本発明の方法に用いる放射線
画像情報読取装置の例を示す構成図であり、図２は、図
１のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。

【００４３】図１および図２において、放射線像変換パ
ネル１０は、順に支持体、前記基本組成式（Ｉ）を有す
る輝尽性蛍光体の柱状結晶からなる蛍光体層、および保
護層から構成され、そして被検体を透過したＸ線等の放
射線が照射されるなどして被検体の放射線画像情報が蓄
積記録されている。走査ベルト４０上に保護層側を上に
して載置された放射線像変換パネル１０は、走査ベルト
４０が矢印Ｙ方向に移動することにより矢印Ｙ方向に搬
送される。パネル１０の搬送速度はベルト４０の移動速
度に等しく、ベルト４０の移動速度は画像読取手段３０
に入力される。

【００４４】一方、ブロードエリアレーザ（以下、ＢＬ
Ｄという）１１から、パネル１０の表面に対して略平行
に発せられた線状の励起光Ｌは、その光路上に設けられ
たコリメータレンズとトーリックレンズとからなる光学
系１２により平行ビームとされ、パネル１０に対して４
５度の角度で傾けて配された、励起光を反射し輝尽発光
光を透過するように設定されてなるダイクロイックミラ
ー１４により、反射されてパネル１０表面に対して垂直
に入射する方向に進行し、屈折率分布形レンズアレイ
（多数の屈折率分布形レンズが配列されてなるレンズで
あり、以下、第一のセルフォックレンズアレイという）
１５により、パネル１０上に矢印Ｘ方向に沿って延びる
線状に集光される。

【００４５】パネル１０に垂直に入射した線状の励起光
Ｌの励起により、パネル１０の集光域およびその近傍か
ら、蓄積記録されている放射線画像情報に応じた強度の
輝尽発光光Ｍが発せられる。この輝尽発光光Ｍは、第一
のセルフォックレンズアレイ１５により平行光束とさ
れ、ダイクロイックミラー１４を透過し、第二のセルフ
ォックレンズアレイ１６により、励起光Ｌの集光域の真
上に配置されたラインセンサ２０を構成する各光電変換
素子２１の受光面に集光される。ラインセンサ２０は、
少なくとも上記線状の励起光照射部分の長さに整列配置
された多数の光電変換素子２１を有するものであり、各
素子が一画素に対応している。

【００４６】なおこの際、第二のセルフォックレンズア
レイ１６を透過した輝尽発光光Ｍに僅かに混在する、パ
ネル１０表面で反射した励起光Ｌは、励起光をカットし
輝尽発光光を透過する励起光カットフィルタ１７により
カットされる。

【００４７】各光電変換素子２１により受光された輝尽
発光光Ｍは光電変換され、そして光電変換して得られた
各信号Ｓは、画像情報読取手段３０に入力される。画像
情報読取手段３０にて各信号Ｓは、走査ベルト４０の移
動速度に基づいてパネル１０の部位に対応して演算処理
され、画像データとして画像処理装置（図示なし）に出
力される。

【００４８】なお、本発明に用いる放射線画像情報読取
装置は、図１および図２に示した態様に限定されるもの
ではなく、光源、光源とパネルとの間の集光光学系、パ
ネルとラインセンサとの間の光学系、およびラインセン
サはそれぞれ、公知の種々の構成を採用することができ
る。

【００４９】例えば、光源は、光源自体がライン状であ
ってもよく、また蛍光灯、冷陰極蛍光灯、ＬＥＤ（発光
ダイオード）アレイ、ＬＤアレイなども用いるができ
る。光源から発せられる励起光は、連続的に出射するも
のであってもよいし、あるいは出射と停止を繰り返すパ
ルス光であってもよい。

【００５０】ラインセンサとしては、アモルファスシリ
コンセンサ、ＣＣＤセンサ、バックイルミネータ付きの
ＣＣＤ、ＭＯＳイメージセンサなどを用いることができ
る。また、ラインセンサは光電変換素子が一列で配置さ
れたもののみならず、二、三列で配置されたものであっ
てもよい。

【００５１】放射線像変換パネルを移動させる方向は、
ライン光源およびラインセンサの長さ方向に略直交する
方向であることが望ましいが、例えばパネルの略全面に
わたって均一に励起光を照射することができる範囲内
で、長さ方向から外れた斜め方向やジグザグ状に方向を
変化させて移動させてもよい。

【００５２】上記態様においては、説明を簡単化するた
めに、パネルとラインセンサとの間の光学系を１：１結
像系に設定しているが、拡大縮小光学系を利用してもよ
い。ただし、集光効率を高めるためには等倍または拡大
光学系を用いることが好ましい。

【００５３】また、上記態様では励起光Ｌの光路と輝尽
発光光Ｍの光路とが一部分重複するような構成として、
装置のコンパクト化を図ったが、励起光Ｌの光路と輝尽
発光光Ｍの光路が全く異なる構成を採用してもよい。例
えば、励起光Ｌを放射線像変換パネルの表面から照射し
て、輝尽発光光Ｍをパネルの裏面、もしくは表裏両面か
ら集光するような構成であってもよい。

【００５４】さらに、上記態様では放射線像変換パネル
を移動させて読み取りを行う構成であったが、パネルを
静置してラインセンサをパネル表面および／または裏面
に沿って移動させる構成を採用してもよい。

【００５５】あるいはまた、画像情報読取手段から出力
された画像データ信号に対して種々の信号処理を施す画
像処理装置を更に備えた構成や、読み取り終了後のパネ
ルになお残存する放射線エネルギーを適切に放出させる
ための消去手段を更に備えた構成を採用することもでき
る。

【００５６】

【実施例】［実施例１−１３］二元蒸着（１）蒸発源の作製臭化セシウム１００ｇ（ＣｓＢｒ、０．４７モル）、お
よび下記表１に示す量の臭化ユーロピウム（ＥｕＢ
ｒ_X、ｘ＝２．１、約４．７×１０^-5モル）をそれぞれ
５個分ずつ、温度２００℃で２時間排気して脱水、脱ガ
ス処理を行った。ついで、各々を圧力８００ｋｇ／ｃｍ
²にて加圧圧縮して計１０個のタブレットを作製した。
各タブレットに更に、温度１５０℃で２時間排気して脱
ガス処理を施した。

【００５７】（２）蛍光体層の形成支持体として石英基板を蒸着装置内に設置した。石英基
板は順にアルカリ洗浄、純水洗浄、およびＩＰＡ洗浄を
施したものである。装置内の所定位置にＣｓＢｒ蒸発源
およびＥｕＢｒ_2.1蒸発源５個（Ｅｕ濃度を低くくする
場合には１個）を配置した後、装置内を排気して１×１
０^-3Ｐａの真空度とした。次いで、蒸発源それぞれに電
子銃で加速電圧４．０ｋＶの電子線を照射して、２００
℃に加温した石英基板上にＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体
を１５μｍ／分の速度で堆積させた。ＣｓＢｒ蒸発源
は、１個のタブレットが終了した時点でリボルバーを回
転させて次のタブレットを供給した。タブレット交換時
は、別の蒸発源からの蒸発を止めた。各電子銃の電流値
は、蒸着中一定速度となるように制御し、また蒸発源が
蒸着中に丁度蒸発し切るように設定した。蒸着終了後、
装置内を大気圧に戻し、装置から石英基板を取り出し
た。石英基板上には、幅が約８μｍ、長さが約４５０μ
ｍの蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構
造の蛍光体層（層厚：約４５０μｍ）が形成されてい
た。このようにして、共蒸着により支持体と蛍光体層と
からなる本発明の放射線像変換パネルを製造した。

【００５８】

【表１】表１ ────────────────────────── 実施例ＥｕＢｒ_2.1 量（ｇ）モル ────────────────────────── 実施例１０．０１５０４．７０×１０^-5 実施例２０．０４５１１．４１×１０^-4 実施例３０．１０５２３．２９×１０^-4 実施例４０．１５０３４．７０×１０^-4 実施例５０．３００５９．４０×１０^-4 実施例６０．４５０８１．４１×１０^-3 実施例７０．７５１３２．３５×１０^-3 実施例８１．０５１８３．２９×１０^-3 実施例９１．５０２６４．７０×１０^-3 実施例１０４．５０７８１．４１×１０^-2 実施例１１１５．０２５９４．７０×１０^-2 実施例１２４５．０７７７１．４１×１０^-1 実施例１３１５０．２５８９４．７０×１０^-1 ────────────────────────── 比較例１０．０１０５３．２９×１０^-5 比較例２３００．５１７７９．４０×１０^-1 ──────────────────────────

【００５９】［比較例１、２］二元蒸着実施例１において、ＥｕＢｒ_2.1の量を上記表１に示し
た量に変更したこと以外は実施例１と同様にして、比較
のための放射線像変換パネルを製造した。

【００６０】［実施例１４−１６］一元蒸着（１）蒸発源の作製ＣｓＢｒ１００ｇ（０．４７モル）と下記表２に示した
量のＥｕＢｒ_2.1とを撹拌振動器で１５分間撹拌混合し
た後、混合物を温度５２５℃にて２時間焼成した。得ら
れた粉体を２００℃で２時間排気して、脱水、脱ガス処
理を行った。ついで、これを圧力８００ｋｇ／ｃｍ²に
て加圧圧縮して５個のタブレットを作製した。各タブレ
ットに更に、温度１５０℃で２時間排気して脱ガス処理
を施した。

【００６１】

【表２】表２ ────────────────────────── 実施例ＥｕＢｒ_2.1 量（ｇ）モル ────────────────────────── 実施例１４０．３３６１１．０５×１０^-5 実施例１５３７．０６７１１．１６×１０^-4 実施例１６７９．４２９５２．４８×１０^-4 ──────────────────────────

【００６２】（２）蛍光体層の形成上記の蒸発源を用いたこと以外は実施例１と同様にし
て、石英基板上に輝尽性蛍光体の柱状結晶からなる蛍光
体層（層厚：約４５０μｍ）を形成した。

【００６３】［放射線像変換パネルの性能評価］実施例
１〜１６および比較例１、２の各放射線像変換パネル
を、蛍光体の柱状結晶の個々の形状、全体の状態、蛍光
体層の表面性、支持体との接着性、および感度について
評価した。また、各パネルの蛍光体層中の輝尽性蛍光体
のＥｕ濃度を蛍光Ｘ線測定により求めた。

【００６４】（１）柱状結晶の個々の形状：結晶の節の
有無、および柱状結晶同士の癒着の程度を、電子顕微鏡
写真により判断した。（２）柱状結晶全体の状態：結晶が支持体の鉛直方向に
ある一定角度を持ってどの程度同一方向に成長している
か、すなわち結晶の揃い具合を電子顕微鏡写真により判
断した。（３）蛍光体層（蒸着膜）の表面性：蒸着膜の表面粗さ
を目視により判断した。表面性は、結晶の平面方向の成
長速度差以外に、結晶の欠損、異方性の悪さ、蒸発源か
らの飛散物（突沸物）に依存する。（４）支持体との接着性：蛍光体層の支持体からの剥離
し易さにより判断した。いずれについても以下の基準に
て評価した。ＡＡ：極めて良好、Ａ：良好、Ｂ：若干不良、Ｃ：
やや不良

【００６５】（５）感度：放射線像変換パネルに管電圧
４０ｋＶｐ、管電流３０ｍＡのＸ線を照射した後、Ｈｅ
−Ｎｅレーザ光で走査してフォトマルチプライヤで輝尽
発光光を検出し、その発光強度により感度を評価した。
比較例１を基準とした相対値で表した。得られた結果を
まとめて表３および図３に示す。

【００６６】

【表３】

【００６７】図３は、表３に示したＥｕ濃度と輝尽発光
強度（相対値）との関係を示すグラフである。

【００６８】表３および図３の結果から明らかなよう
に、ＣｓＢｒ：Ｅｕ蛍光体のＥｕ濃度が０．０００１〜
１．０の範囲にある本発明の放射線像変換パネル（実施
例１〜１６）はいずれも、Ｅｕ濃度が０．０００１未満
の比較のための放射線像変換パネル（比較例１）および
１．０より高い比較のための放射線像変換パネル（比較
例２）よりも輝尽発光強度が高く、高い感度を示した。

【００６９】特に、Ｅｕ濃度が０．０００５〜０．００
７の範囲にある本発明の放射線像変換パネル（実施例３
〜８）はいずれも、高感度であって、かつ柱状結晶の形
状や配列状態、蛍光体層の表面性や支持体との接着性も
概ね良好であった。また、Ｅｕ濃度が高くなるにつれ
て、これら結晶状態や表面性などが低下する傾向にある
ことが分かった。

【００７０】［実施例１７］（１）蛍光体層の形成実施例１と同様にして、石英基板（支持体）上にＣｓＢ
ｒ：Ｅｕ（Ｅｕ濃度：３．０×１０^-3モル）で表わされ
る輝尽性蛍光体からなる蛍光体層を形成した。

【００７１】（２）保護層の形成膜形成性樹脂：フッ素系共重合体樹脂（ルミフロンLF504X ［３０％キシレン溶液］、旭硝子(株)製）４０ｇ有機白色微粉末：メラミン−ホルムアルデヒド樹脂粉末（エポスターS6、(株)日本触媒製）２８．４ｇ分散剤：アルミカップリング剤（プレンアクトAL-M、味の素(株)製）０．５ｇメチルエチルケトン２００ｇ

【００７２】上記材料を３ｍｍ径のジルコニアボールを
使用したボールミルで２０時間分散混合した後、膜形成性樹脂：ルミフロンLF504X［３０％キシレン溶液］３６０ｇを追加して、更に４時間分散混合した。その後、反応性シリコーン：シリコーンマクロモノマー（サイラプレンFM-DA26、チッソ(株)製）５．６ｇ架橋剤：ポリイソシアネート（スミジュールN3300［固形分１００％］、住友バイエルウレタン(株)製）２２．２ｇ触媒：ジブチルチンジラウレート（KS1260、共同薬品(株)製）１．４ｍｇメチルエチルケトン８００ｇを追加して更に混合し、塗布液を調製した。

【００７３】この塗布液を蛍光体層の表面にスリットコ
ータを用いて塗布した後、１２０℃で２０分間熱処理し
て乾燥するとともに熱硬化させて、蛍光体層上に保護層
（厚み：６μｍ）を形成した。

【００７４】（３）縁貼りの形成フッ素系共重合体樹脂（ルミフロンLF504X［３０％キシレン溶液］、旭硝子(株)製）４０ｇ架橋剤：ポリイソシアネート（コロネートHX、日本ポリウレタン(株)製）２２．２ｇ触媒：ジブチルチンジラウレート（KS1260、共同薬品(株)製）１．４ｍｇ黄変防止剤：エポキシ樹脂（エピコート＃1001［固形］、油化シェルエポキシ(株)製）０．６ｇ滑り剤：反応性シリコーン（サイラプレンFM-DA26、チッソ(株)製）０．２ｇメチルエチルケトン１５ｇ

【００７５】上記材料を溶解混合して、塗布液を調製し
た。この塗布液を、支持体、蛍光体層および保護層から
なるシートの各側面に塗布し、室温で充分に乾燥して、
厚み約２５μｍの縁貼りを形成した。以上のようにし
て、支持体、蛍光体層、保護層および縁貼りから構成さ
れた本発明の放射線像変換パネルを製造した。

【００７６】

【発明の効果】本発明によれば、蒸着法などの気相堆積
法により、ユーロピウム付活臭化セシウム系輝尽性蛍光
体からなる蛍光体層をその付活剤濃度が特定の範囲とな
るように形成することにより、高感度の放射線像変換パ
ネルを得ることができる。さらに、本発明の放射線像変
換パネルは、蛍光体層における蛍光体の柱状結晶の形状
や配列状態、表面性、支持体との接着性も良好であり、
鮮鋭度など画質の優れた放射線画像を与えることができ
る。従って、この放射線像変換パネルを用いた本発明の
放射線画像情報読取方法は、高感度であって高画質の放
射線画像を与えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方法に用いる放射線画像情報読取装置
の例を示す構成図である。

【図２】図１に示した放射線画像情報読取装置のＩ−Ｉ
線に沿った断面図である。

【図３】ＣｓＢｒ：Ｅｕ蛍光体についてＥｕ濃度と輝尽
発光強度との関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１０放射線像変換パネル４０走査ベルト１１ブロードエリアレーザ（ＢＬＤ）１２コリメータレンズとトーリックレンズからなる光
学系１４ダイクロイックミラー１５、１６セルフォックレンズアレイ１７励起光カットフィルタ２０ラインセンサ２１光電変換素子３０画像情報読取手段Ｌ励起光Ｍ輝尽発光光Ｓ信号

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０９Ｋ 11/64 Ｃ０９Ｋ 11/64 11/85 11/85 Ｇ０１Ｔ 1/00 Ｇ０１Ｔ 1/00 ＢＧ０３Ｂ 42/02 Ｇ０３Ｂ 42/02 ＢＦターム(参考） 2G083 AA03 BB01 BB04 CC01 CC03 CC10 DD02 DD11 DD12 DD17 EE02 EE03 2H013 AC03 4H001 CA04 CA08 XA04 XA09 XA12 XA13 XA17 XA20 XA21 XA28 XA29 XA30 XA31 XA35 XA38 XA39 XA48 XA49 XA53 XA56 XA57 XA58 XA59 XA60 XA61 XA62 XA63 XA64 XA65 XA66 XA67 XA68 XA69 XA70 XA71 YA63

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】気相堆積法により形成された蛍光体層を
有する放射線像変換パネルにおいて、該蛍光体層が、基
本組成式（Ｉ）：Ｍ^IＸ・ａＭ^IIＸ’₂・ｂＭ^IIIＸ”₃：ｚＥｕ ‥‥（Ｉ）［ただし、Ｍ^IはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからな
る群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表
し；Ｍ^IIはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選ばれる少なくとも一
種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し；Ｍ^IIIはＳ
ｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、
Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａ
ｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる少なくとも一
種の希土類元素又は三価金属を表し；Ｘ、Ｘ’及びＸ”
はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ば
れる少なくとも一種のハロゲンを表し；そしてａ、ｂ及
びｚはそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、
０．０００１≦ｚ≦１．０の範囲内の数値を表す］を有
するユーロピウム付活臭化セシウム系輝尽性蛍光体から
なることを特徴とする放射線像変換パネル。
【請求項２】基本組成式（Ｉ）においてｚが０．００
０１≦ｚ≦０．０１の範囲内の数値を表す請求項１に記
載の放射線像変換パネル。
【請求項３】基本組成式（Ｉ）においてｚが０．００
０５≦ｚ≦０．００７の範囲内の数値を表す請求項１に
記載の放射線像変換パネル。
【請求項４】基本組成式（Ｉ）においてｚが０．００
１≦ｚ≦０．００７の範囲内の数値を表す請求項１に記
載の放射線像変換パネル。
【請求項５】基本組成式（Ｉ）においてｚが０．００
３≦ｚ≦０．００５の範囲内の数値を表す請求項１に記
載の放射線像変換パネル。
【請求項６】放射線像変換パネルが、支持体、蛍光体
層および保護層をこの順に有し、かつ該保護層が２５℃
における換算透湿度が３００ｇ／ｍ²・24hr・μｍ以下
の透明シートからなる請求項１乃至５のうちのいずれか
の項に記載の放射線像変換パネル。
【請求項７】蛍光体層が、蒸着法により形成されたも
のである請求項１乃至６のうちのいずれかの項に記載の
放射線像変換パネル。
【請求項８】蛍光体層が、輝尽性蛍光体の母体成分お
よび付活剤成分を別々に含む少なくとも二個の蒸発源を
用いて、該両成分を反応させながら共蒸着させることに
より形成されたものである請求項７に記載の放射線像変
換パネル。
【請求項９】請求項１乃至８のうちのいずれかの項に
記載の放射線像変換パネルであって、放射線画像情報が
蓄積記録された放射線像変換パネルを平面方向に移動さ
せながら、該パネルの表面に励起光を該移動方向と異な
る方向に線状に照射し、該パネルの励起光照射部分およ
び／またはその裏面から放出される輝尽発光光を、多数
の固体光電変換素子を線状に配置してなるラインセンサ
を用いて一次元的に受光して光電変換を行い、そして該
ラインセンサからの出力を該パネルの移動に応じて順次
読み取って、放射線画像情報を電気的画像信号として得
ることからなる放射線画像情報読取方法。