JP2003279696A - 放射線像変換パネルの製造方法 - Google Patents
放射線像変換パネルの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高感度であって、高画質の放射線画像を与え
る放射線像変換パネルを提供する。 【解決手段】 ユーロピウム付活臭化セシウム系輝尽性
蛍光体からなる層を、気相堆積法により基板上に形成す
る工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、
基板上に該輝尽性蛍光体の柱状結晶からなる気相堆積膜
を形成した後、該気相堆積膜を５０℃乃至３００℃の温
度で、不活性ガス雰囲気中もしくは少量の酸素ガス又は
水素ガスを含む不活性ガス雰囲気中で、１乃至８時間熱
処理することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方
法。
る放射線像変換パネルを提供する。 【解決手段】 ユーロピウム付活臭化セシウム系輝尽性
蛍光体からなる層を、気相堆積法により基板上に形成す
る工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、
基板上に該輝尽性蛍光体の柱状結晶からなる気相堆積膜
を形成した後、該気相堆積膜を５０℃乃至３００℃の温
度で、不活性ガス雰囲気中もしくは少量の酸素ガス又は
水素ガスを含む不活性ガス雰囲気中で、１乃至８時間熱
処理することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方
法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、蓄積性蛍光体を利
用する放射線画像記録再生方法に用いられる放射線像変
換パネルの製造方法に関するものである。
用する放射線画像記録再生方法に用いられる放射線像変
換パネルの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線などの放射線が照射されると、放射
線エネルギーの一部を吸収蓄積し、そののち可視光線や
赤外線などの電磁波（励起光）の照射を受けると、蓄積
した放射線エネルギーに応じて発光を示す性質を有する
蓄積性蛍光体（輝尽発光を示す輝尽性蛍光体等）を利用
して、この蓄積性蛍光体を含有するシート状の放射線像
変換パネルに、被検体を透過したあるいは被検体から発
せられた放射線を照射して被検体の放射線画像情報を一
旦蓄積記録した後、パネルにレーザ光などの励起光を走
査して順次発光光として放出させ、そしてこの発光光を
光電的に読み取って画像信号を得ることからなる、放射
線画像記録再生方法が広く実用に共されている。読み取
りを終えたパネルは、残存する放射線エネルギーの消去
が行われた後、次の撮影のために備えられて繰り返し使
用される。
線エネルギーの一部を吸収蓄積し、そののち可視光線や
赤外線などの電磁波（励起光）の照射を受けると、蓄積
した放射線エネルギーに応じて発光を示す性質を有する
蓄積性蛍光体（輝尽発光を示す輝尽性蛍光体等）を利用
して、この蓄積性蛍光体を含有するシート状の放射線像
変換パネルに、被検体を透過したあるいは被検体から発
せられた放射線を照射して被検体の放射線画像情報を一
旦蓄積記録した後、パネルにレーザ光などの励起光を走
査して順次発光光として放出させ、そしてこの発光光を
光電的に読み取って画像信号を得ることからなる、放射
線画像記録再生方法が広く実用に共されている。読み取
りを終えたパネルは、残存する放射線エネルギーの消去
が行われた後、次の撮影のために備えられて繰り返し使
用される。
【０００３】放射線画像記録再生方法に用いられる放射
線像変換パネル（蓄積性蛍光体シートともいう）は、基
本構造として、支持体とその上に設けられた蛍光体層と
からなるものである。ただし、蛍光体層が自己支持性で
ある場合には必ずしも支持体を必要としない。また、蛍
光体層の上面（支持体に面していない側の面）には通
常、保護層が設けられていて、蛍光体層を化学的な変質
あるいは物理的な衝撃から保護している。
線像変換パネル（蓄積性蛍光体シートともいう）は、基
本構造として、支持体とその上に設けられた蛍光体層と
からなるものである。ただし、蛍光体層が自己支持性で
ある場合には必ずしも支持体を必要としない。また、蛍
光体層の上面（支持体に面していない側の面）には通
常、保護層が設けられていて、蛍光体層を化学的な変質
あるいは物理的な衝撃から保護している。
【０００４】蛍光体層としては、蓄積性蛍光体とこれを
分散状態で含有支持する結合剤とからなるもの、蒸着法
や焼結法によって形成される結合剤を含まないで蓄積性
蛍光体の凝集体のみから構成されるもの、および蓄積性
蛍光体の凝集体の間隙に高分子物質が含浸されているも
のなどが知られている。
分散状態で含有支持する結合剤とからなるもの、蒸着法
や焼結法によって形成される結合剤を含まないで蓄積性
蛍光体の凝集体のみから構成されるもの、および蓄積性
蛍光体の凝集体の間隙に高分子物質が含浸されているも
のなどが知られている。
【０００５】放射線画像記録再生方法（および放射線画
像形成方法）は上述したように数々の優れた利点を有す
る方法であるが、この方法に用いられる放射線像変換パ
ネルにあっても、できる限り高感度であってかつ画質
（鮮鋭度、粒状性など）の良好な画像を与えるものであ
ることが望まれている。
像形成方法）は上述したように数々の優れた利点を有す
る方法であるが、この方法に用いられる放射線像変換パ
ネルにあっても、できる限り高感度であってかつ画質
（鮮鋭度、粒状性など）の良好な画像を与えるものであ
ることが望まれている。
【０００６】感度および画質を高めることを目的とし
て、蛍光体層を気相堆積法により形成することからなる
放射線像変換パネルの製造方法が提案されている。気相
堆積法には蒸着法やスパッタ法などがあり、例えば蒸着
法は、蛍光体またはその原料からなる蒸発源を抵抗加熱
器や電子線の照射により加熱して蒸発源を蒸発、飛散さ
せ、金属シートなどの基板表面にその蒸発物を堆積させ
ることにより、蛍光体の柱状結晶からなる蛍光体層を形
成するものである。
て、蛍光体層を気相堆積法により形成することからなる
放射線像変換パネルの製造方法が提案されている。気相
堆積法には蒸着法やスパッタ法などがあり、例えば蒸着
法は、蛍光体またはその原料からなる蒸発源を抵抗加熱
器や電子線の照射により加熱して蒸発源を蒸発、飛散さ
せ、金属シートなどの基板表面にその蒸発物を堆積させ
ることにより、蛍光体の柱状結晶からなる蛍光体層を形
成するものである。
【０００７】気相堆積法により形成された蛍光体層は、
結合剤を含有せず、蛍光体のみからなり、蛍光体の柱状
結晶と柱状結晶の間には空隙（クラック）が存在する。
このため、励起光の進入効率や発光光の取出し効率を上
げることができるので高感度であり、また励起光の平面
方向への散乱を防ぐことができるので高鮮鋭度の画像を
与えることができる。
結合剤を含有せず、蛍光体のみからなり、蛍光体の柱状
結晶と柱状結晶の間には空隙（クラック）が存在する。
このため、励起光の進入効率や発光光の取出し効率を上
げることができるので高感度であり、また励起光の平面
方向への散乱を防ぐことができるので高鮮鋭度の画像を
与えることができる。
【０００８】特許第３０４１７１７号公報には、放射線
像変換パネルの製造方法として、支持体上に輝尽性蛍光
体層または輝尽性蛍光体母体層を２００乃至６００μｍ
の層厚で形成した後、付活剤を含有する雰囲気中で、熱
処理温度Ｔ（℃）が輝尽性蛍光体母体の融点Ｔm（℃）
に関し、 ０．４０Ｔm ＜ Ｔ ＜ ０．７５Ｔm（℃） の条件にて、かつ熱処理時間が２乃至１０時間で、熱処
理を施す方法が開示されている。
像変換パネルの製造方法として、支持体上に輝尽性蛍光
体層または輝尽性蛍光体母体層を２００乃至６００μｍ
の層厚で形成した後、付活剤を含有する雰囲気中で、熱
処理温度Ｔ（℃）が輝尽性蛍光体母体の融点Ｔm（℃）
に関し、 ０．４０Ｔm ＜ Ｔ ＜ ０．７５Ｔm（℃） の条件にて、かつ熱処理時間が２乃至１０時間で、熱処
理を施す方法が開示されている。
【０００９】特公平第７−１８９５９号公報には、付活
輝尽性蛍光体を含む輝尽性蛍光体層を形成した後、該輝
尽性蛍光体層と同一系内の該輝尽性蛍光体層から離れた
位置に設置された該付活輝尽性蛍光体の付活剤成分を蒸
気化しながら、該輝尽性蛍光体層を熱処理する方法が開
示されている。
輝尽性蛍光体を含む輝尽性蛍光体層を形成した後、該輝
尽性蛍光体層と同一系内の該輝尽性蛍光体層から離れた
位置に設置された該付活輝尽性蛍光体の付活剤成分を蒸
気化しながら、該輝尽性蛍光体層を熱処理する方法が開
示されている。
【００１０】上記のいずれの公報においても、熱処理温
度として、具体的には、３００℃乃至６００℃の範囲の
高い温度が使用されている。また、具体的に記載されて
いる輝尽性蛍光体はＲｂＢｒ：Ｔｌ蛍光体のみである。
この蛍光体の付活剤Ｔｌは母体ＲｂＢｒよりも蒸気圧が
高く、熱処理時に蛍光体層から付活剤が離脱、逃散する
ために、熱処理条件として付活剤ガスを含有する雰囲気
が必須条件となっている。
度として、具体的には、３００℃乃至６００℃の範囲の
高い温度が使用されている。また、具体的に記載されて
いる輝尽性蛍光体はＲｂＢｒ：Ｔｌ蛍光体のみである。
この蛍光体の付活剤Ｔｌは母体ＲｂＢｒよりも蒸気圧が
高く、熱処理時に蛍光体層から付活剤が離脱、逃散する
ために、熱処理条件として付活剤ガスを含有する雰囲気
が必須条件となっている。
【００１１】また、特公平第６−５４３６０号公報に
は、輝尽性蛍光体母体層を形成したのち、該母体層に付
活剤を拡散・添加して、付活剤で付活された輝尽性蛍光
体層を形成する方法が開示されている。輝尽性蛍光体母
体層に付活剤を拡散・添加する方法として、母体層上に
予め付活剤層を積層しておくか、あるいは付活剤ガスを
導入しながら、母体層を熱処理することが記載されてい
る。しかしながら、この場合に熱処理は、蛍光体母体層
に付活剤を添加、導入する手段として用いられている。
は、輝尽性蛍光体母体層を形成したのち、該母体層に付
活剤を拡散・添加して、付活剤で付活された輝尽性蛍光
体層を形成する方法が開示されている。輝尽性蛍光体母
体層に付活剤を拡散・添加する方法として、母体層上に
予め付活剤層を積層しておくか、あるいは付活剤ガスを
導入しながら、母体層を熱処理することが記載されてい
る。しかしながら、この場合に熱処理は、蛍光体母体層
に付活剤を添加、導入する手段として用いられている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高感度であ
って、高画質の放射線画像を与える放射線像変換パネル
の製造方法を提供することにある。
って、高画質の放射線画像を与える放射線像変換パネル
の製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者は、気相堆積法
によりユーロピウム付活臭化セシウム系輝尽性蛍光体か
らなる層を形成する方法について検討した結果、柱状結
晶性の良好な気相堆積膜を形成した後、この気相堆積膜
を一定条件下で熱処理することにより、蛍光体層から放
出される輝尽発光量が飛躍的に増加して放射線像変換パ
ネルの感度が顕著に向上することを見い出した。
によりユーロピウム付活臭化セシウム系輝尽性蛍光体か
らなる層を形成する方法について検討した結果、柱状結
晶性の良好な気相堆積膜を形成した後、この気相堆積膜
を一定条件下で熱処理することにより、蛍光体層から放
出される輝尽発光量が飛躍的に増加して放射線像変換パ
ネルの感度が顕著に向上することを見い出した。
【００１４】これは、適正な熱処理によって以下のよう
な現象が生じるためであると考察される。蒸着法などの
気相堆積法により蛍光体層を形成したとき、蛍光体層中
には酸素が存在して、付活剤Ｅｕと複合体を形成してい
る。酸素は、結晶中で付活剤Ｅｕ（Ｅｕ2+および／また
はＥｕ3+として存在）の電荷を補償する役割を果たして
いる。熱処理によって、酸素は拡散し、付活剤と分離さ
れる。その結果、付活剤Ｅｕに電子が結合しやすくな
り、付活剤の付活効率および電荷移動効率が向上し、そ
れによって蛍光体層からの輝尽発光量が増加する。そし
て、酸素と付活剤Ｅｕとの複合体は一般に大気との界面
に存在しやすいが、蛍光体層を柱状結晶構造にしてその
柱状結晶性を高めることにより、界面が減って結晶の中
まで入り込むために、上記効果を飛躍的に高めることが
可能となる。
な現象が生じるためであると考察される。蒸着法などの
気相堆積法により蛍光体層を形成したとき、蛍光体層中
には酸素が存在して、付活剤Ｅｕと複合体を形成してい
る。酸素は、結晶中で付活剤Ｅｕ（Ｅｕ2+および／また
はＥｕ3+として存在）の電荷を補償する役割を果たして
いる。熱処理によって、酸素は拡散し、付活剤と分離さ
れる。その結果、付活剤Ｅｕに電子が結合しやすくな
り、付活剤の付活効率および電荷移動効率が向上し、そ
れによって蛍光体層からの輝尽発光量が増加する。そし
て、酸素と付活剤Ｅｕとの複合体は一般に大気との界面
に存在しやすいが、蛍光体層を柱状結晶構造にしてその
柱状結晶性を高めることにより、界面が減って結晶の中
まで入り込むために、上記効果を飛躍的に高めることが
可能となる。
【００１５】本発明は、基本組成式（Ｉ）を有するユー
ロピウム付活臭化セシウム系輝尽性蛍光体からなる層
を、気相堆積法により基板上に形成する工程を含む放射
線像変換パネルの製造方法において、基板上に該輝尽性
蛍光体の柱状結晶からなる気相堆積膜を形成した後、該
気相堆積膜を５０℃以上、３００℃未満の温度で、不活
性ガス雰囲気中もしくは少量の酸素ガス又は水素ガスを
含む不活性ガス雰囲気中で、１乃至８時間熱処理するこ
とを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法にある。
ロピウム付活臭化セシウム系輝尽性蛍光体からなる層
を、気相堆積法により基板上に形成する工程を含む放射
線像変換パネルの製造方法において、基板上に該輝尽性
蛍光体の柱状結晶からなる気相堆積膜を形成した後、該
気相堆積膜を５０℃以上、３００℃未満の温度で、不活
性ガス雰囲気中もしくは少量の酸素ガス又は水素ガスを
含む不活性ガス雰囲気中で、１乃至８時間熱処理するこ
とを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法にある。
【００１６】基本組成式（Ｉ）：
ＣｓＢｒ・ａＭIＸ・ｂＭIIＸ’2・ｃＭIIIＸ”3：ｚＥｕ ‥‥（Ｉ）
［ただし、ＭIはＬｉ、Ｎａ、Ｋ及びＲｂからなる群よ
り選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し；ＭII
はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及
びＣｄからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカ
リ土類金属又は二価金属を表し；ＭIIIはＳｃ、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ
及びＩｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土
類元素又は三価金属を表し；Ｘ、Ｘ’及びＸ”はそれぞ
れ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少な
くとも一種のハロゲンを表し；そしてａ、ｂ、ｃ及びｚ
はそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０≦ｃ
＜０．５、０＜ｚ＜１．０の範囲内の数値を表す］
り選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し；ＭII
はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及
びＣｄからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカ
リ土類金属又は二価金属を表し；ＭIIIはＳｃ、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ
及びＩｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土
類元素又は三価金属を表し；Ｘ、Ｘ’及びＸ”はそれぞ
れ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少な
くとも一種のハロゲンを表し；そしてａ、ｂ、ｃ及びｚ
はそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０≦ｃ
＜０．５、０＜ｚ＜１．０の範囲内の数値を表す］
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の製造方法において、気相
堆積膜における輝尽性蛍光体の柱状結晶の直径が１乃至
１０μｍの範囲にあり、高さが１０乃至１０００μｍの
範囲にあり、そしてアスペクト比が１０乃至１０００の
範囲にあることが好ましい。基本組成式（Ｉ）におい
て、ｚが０．００１≦ｚ≦０．０１の範囲内の数値を表
すことが好ましい。
堆積膜における輝尽性蛍光体の柱状結晶の直径が１乃至
１０μｍの範囲にあり、高さが１０乃至１０００μｍの
範囲にあり、そしてアスペクト比が１０乃至１０００の
範囲にあることが好ましい。基本組成式（Ｉ）におい
て、ｚが０．００１≦ｚ≦０．０１の範囲内の数値を表
すことが好ましい。
【００１８】また、気相堆積膜の熱処理を、５０℃乃至
２８０℃の温度、更には１５０℃乃至２５０℃の温度で
行うことが好ましく、そして１乃至４時間かけて行うこ
とが好ましい。
２８０℃の温度、更には１５０℃乃至２５０℃の温度で
行うことが好ましく、そして１乃至４時間かけて行うこ
とが好ましい。
【００１９】さらに、蒸着法により基板上に輝尽性蛍光
体の蒸着膜を形成することが好ましく、その際に、基板
を５０℃乃至３００℃の温度、特には１００℃乃至２９
０℃の温度に加熱しながら蒸着を行うことが好ましい。
蒸発源として、少なくとも輝尽性蛍光体の母体成分であ
る臭化セシウムを含む蒸発源と、付活剤成分であるユー
ロピウム化合物を含む蒸発源とを用いて、多元蒸着を行
うことが好ましい。また、輝尽性蛍光体の母体からなる
蒸着膜を形成した後、該蒸着膜の上に該蛍光体からなる
蒸着膜を積層することが好ましい。
体の蒸着膜を形成することが好ましく、その際に、基板
を５０℃乃至３００℃の温度、特には１００℃乃至２９
０℃の温度に加熱しながら蒸着を行うことが好ましい。
蒸発源として、少なくとも輝尽性蛍光体の母体成分であ
る臭化セシウムを含む蒸発源と、付活剤成分であるユー
ロピウム化合物を含む蒸発源とを用いて、多元蒸着を行
うことが好ましい。また、輝尽性蛍光体の母体からなる
蒸着膜を形成した後、該蒸着膜の上に該蛍光体からなる
蒸着膜を積層することが好ましい。
【００２０】以下に、本発明の放射線像変換パネルの製
造方法について、蛍光体層を気相堆積法の一種である電
子線蒸着法により形成する場合を例にとって詳細に述べ
る。電子線蒸着法は、抵抗加熱法などと比較して、蒸発
源を局所的に加熱して瞬時に蒸発させるので、蒸発速度
を制御しやすく、また蒸発源として仕込んだ蛍光体もし
くはその原料の組成と形成された蛍光体層中の蛍光体の
組成との不一致を小さくできる利点がある。
造方法について、蛍光体層を気相堆積法の一種である電
子線蒸着法により形成する場合を例にとって詳細に述べ
る。電子線蒸着法は、抵抗加熱法などと比較して、蒸発
源を局所的に加熱して瞬時に蒸発させるので、蒸発速度
を制御しやすく、また蒸発源として仕込んだ蛍光体もし
くはその原料の組成と形成された蛍光体層中の蛍光体の
組成との不一致を小さくできる利点がある。
【００２１】本発明に用いられるユーロピウム付活臭化
セシウム系輝尽性蛍光体は、前記の基本組成式（Ｉ）で
示される。基本組成式（Ｉ）において、付活剤Ｅｕの量
を表すｚは０．００１≦ｚ≦０．０１の範囲内の数値で
あることが特に好ましい。ｚをこの範囲内にすることに
より、前述した付活効率および電荷移動効率を最大に高
めて輝尽発光量を増加させることが可能になるととも
に、形成された気相堆積膜（蒸着膜）の強度を高めるこ
とができる。高い膜強度を得ることにより、熱処理時に
クラックなどが発生するのを防ぐことができる。また、
ＭIはＫ及び／又はＲｂであることが好ましく、ＸはＣ
ｌ及び／又はＢｒであることが好ましい。さらに、基本
組成式（Ｉ）には必要に応じて、酸化アルミニウム、二
酸化珪素、酸化ジルコニウムなどの金属酸化物を添加物
として、ＣｓＢｒ、１モルに対して０．５モル以下の量
で加えてもよい。
セシウム系輝尽性蛍光体は、前記の基本組成式（Ｉ）で
示される。基本組成式（Ｉ）において、付活剤Ｅｕの量
を表すｚは０．００１≦ｚ≦０．０１の範囲内の数値で
あることが特に好ましい。ｚをこの範囲内にすることに
より、前述した付活効率および電荷移動効率を最大に高
めて輝尽発光量を増加させることが可能になるととも
に、形成された気相堆積膜（蒸着膜）の強度を高めるこ
とができる。高い膜強度を得ることにより、熱処理時に
クラックなどが発生するのを防ぐことができる。また、
ＭIはＫ及び／又はＲｂであることが好ましく、ＸはＣ
ｌ及び／又はＢｒであることが好ましい。さらに、基本
組成式（Ｉ）には必要に応じて、酸化アルミニウム、二
酸化珪素、酸化ジルコニウムなどの金属酸化物を添加物
として、ＣｓＢｒ、１モルに対して０．５モル以下の量
で加えてもよい。
【００２２】蛍光体層形成のための基板は、通常は放射
線像変換パネルの支持体を兼ねるものであり、従来の放
射線像変換パネルの支持体として公知の材料から任意に
選ぶことができるが、特に好ましい基板は、石英ガラス
シート、サファイアガラスシート；アルミニウム、鉄、
スズ、クロムなどからなる金属シート；アラミドなどか
らなる樹脂シートである。公知の放射線像変換パネルに
おいて、パネルとしての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒
状性）を向上させるために、二酸化チタンなどの光反射
性物質からなる光反射層、もしくはカーボンブラックな
どの光吸収性物質からなる光吸収層などを設けることが
知られている。本発明で用いられる基板についても、こ
れらの各種の層を設けることができ、それらの構成は所
望の放射線像変換パネルの目的、用途に応じて任意に選
択することができる。さらに、気相堆積膜の柱状結晶性
を高める目的で、基板の気相堆積膜が形成される側の表
面（基板の表面に下塗層（接着性付与層）、光反射層あ
るいは光吸収層などの補助層が設けられている場合に
は、それらの補助層の表面であってもよい）には微小な
凹凸が形成されていてもよい。
線像変換パネルの支持体を兼ねるものであり、従来の放
射線像変換パネルの支持体として公知の材料から任意に
選ぶことができるが、特に好ましい基板は、石英ガラス
シート、サファイアガラスシート；アルミニウム、鉄、
スズ、クロムなどからなる金属シート；アラミドなどか
らなる樹脂シートである。公知の放射線像変換パネルに
おいて、パネルとしての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒
状性）を向上させるために、二酸化チタンなどの光反射
性物質からなる光反射層、もしくはカーボンブラックな
どの光吸収性物質からなる光吸収層などを設けることが
知られている。本発明で用いられる基板についても、こ
れらの各種の層を設けることができ、それらの構成は所
望の放射線像変換パネルの目的、用途に応じて任意に選
択することができる。さらに、気相堆積膜の柱状結晶性
を高める目的で、基板の気相堆積膜が形成される側の表
面（基板の表面に下塗層（接着性付与層）、光反射層あ
るいは光吸収層などの補助層が設けられている場合に
は、それらの補助層の表面であってもよい）には微小な
凹凸が形成されていてもよい。
【００２３】多元蒸着（共蒸着）により蛍光体層を形成
する場合には、まず蒸発源として、上記輝尽性蛍光体の
母体（ＣｓＢｒ）成分を含むものと付活剤（Ｅｕ）成分
を含むものとからなる少なくとも二個の蒸発源を用意す
る。多元蒸着は、本発明に係るＣｓＢｒ：Ｅｕ蛍光体の
ように蛍光体の母体成分と付活剤成分の蒸気圧が大きく
異なる場合に、その蒸着速度を各々制御することができ
るので好ましい。各蒸発源は、所望とする輝尽性蛍光体
の組成に応じて、蛍光体の母体成分および付活剤成分そ
れぞれのみから構成されていてもよいし、添加物成分な
どとの混合物であってもよい。また、蒸発源は二個に限
定されるものではなく、例えば別に添加物成分などから
なる蒸発源を加えて三個以上としてもよい。
する場合には、まず蒸発源として、上記輝尽性蛍光体の
母体（ＣｓＢｒ）成分を含むものと付活剤（Ｅｕ）成分
を含むものとからなる少なくとも二個の蒸発源を用意す
る。多元蒸着は、本発明に係るＣｓＢｒ：Ｅｕ蛍光体の
ように蛍光体の母体成分と付活剤成分の蒸気圧が大きく
異なる場合に、その蒸着速度を各々制御することができ
るので好ましい。各蒸発源は、所望とする輝尽性蛍光体
の組成に応じて、蛍光体の母体成分および付活剤成分そ
れぞれのみから構成されていてもよいし、添加物成分な
どとの混合物であってもよい。また、蒸発源は二個に限
定されるものではなく、例えば別に添加物成分などから
なる蒸発源を加えて三個以上としてもよい。
【００２４】蛍光体の母体成分は、ＣｓＢｒそれ自体で
あってもよいし、または反応してＣｓＢｒとなりうる二
以上の原料の混合物であってもよい。また、付活剤成分
は、一般にはＥｕを含む化合物であり、例えばＥｕのハ
ロゲン化物が用いられる。Ｅｕ化合物におけるＥｕ2+化
合物のモル比は７０％以上であることが好ましい。一般
に、Ｅｕ化合物にはＥｕ2+とＥｕ3+が混合して含まれて
いるが、所望とする輝尽発光（あるいは瞬時発光であっ
ても）はＥｕ2+を付活剤とする蛍光体から発せられるか
らである。Ｅｕ化合物はＥｕＢｒxであることが好まし
く、その場合には、ｘは２．０≦ｘ≦２．３の範囲内の
数値であることが好ましい。ｘは、２．０であることが
望ましいが、２．０に近づけようとすると酸素が混入し
やすくなる。よって、実際にはｘは２．２付近でＢｒの
比率が比較的高い状態が安定している。
あってもよいし、または反応してＣｓＢｒとなりうる二
以上の原料の混合物であってもよい。また、付活剤成分
は、一般にはＥｕを含む化合物であり、例えばＥｕのハ
ロゲン化物が用いられる。Ｅｕ化合物におけるＥｕ2+化
合物のモル比は７０％以上であることが好ましい。一般
に、Ｅｕ化合物にはＥｕ2+とＥｕ3+が混合して含まれて
いるが、所望とする輝尽発光（あるいは瞬時発光であっ
ても）はＥｕ2+を付活剤とする蛍光体から発せられるか
らである。Ｅｕ化合物はＥｕＢｒxであることが好まし
く、その場合には、ｘは２．０≦ｘ≦２．３の範囲内の
数値であることが好ましい。ｘは、２．０であることが
望ましいが、２．０に近づけようとすると酸素が混入し
やすくなる。よって、実際にはｘは２．２付近でＢｒの
比率が比較的高い状態が安定している。
【００２５】蒸発源は、突沸防止などの点からその含水
量が０．５質量％以下であることが好ましい。蒸発源の
脱水は、上記の各蛍光体成分を減圧下で１００〜３００
℃の温度範囲で加熱処理したり、あるいは窒素雰囲気な
どの水分を含まない雰囲気中で、蛍光体成分の融点以上
の温度で数十分乃至数時間加熱することにより行うこと
ができる。
量が０．５質量％以下であることが好ましい。蒸発源の
脱水は、上記の各蛍光体成分を減圧下で１００〜３００
℃の温度範囲で加熱処理したり、あるいは窒素雰囲気な
どの水分を含まない雰囲気中で、蛍光体成分の融点以上
の温度で数十分乃至数時間加熱することにより行うこと
ができる。
【００２６】蒸発源の相対密度は、８０％以上、９８％
以下であることが好ましく、より好ましくは９０％以
上、９６％以下である。蒸発源が相対密度の低い粉体状
態であると、蒸着の際に粉体が飛散するなどの不都合が
生じたり、蒸発源の表面から均一に蒸発しないで蒸着膜
の膜厚が不均一となったりする。よって、安定した蒸着
を実現するためには蒸発源の密度がある程度高いことが
望ましい。上記相対密度とするには一般に、粉体を２０
ＭＰａ以上の圧力で加圧成形したり、あるいは融点以上
の温度で加熱溶融して、タブレット（錠剤）の形状にす
る。ただし、蒸発源は必ずしもタブレットの形状である
必要はない。
以下であることが好ましく、より好ましくは９０％以
上、９６％以下である。蒸発源が相対密度の低い粉体状
態であると、蒸着の際に粉体が飛散するなどの不都合が
生じたり、蒸発源の表面から均一に蒸発しないで蒸着膜
の膜厚が不均一となったりする。よって、安定した蒸着
を実現するためには蒸発源の密度がある程度高いことが
望ましい。上記相対密度とするには一般に、粉体を２０
ＭＰａ以上の圧力で加圧成形したり、あるいは融点以上
の温度で加熱溶融して、タブレット（錠剤）の形状にす
る。ただし、蒸発源は必ずしもタブレットの形状である
必要はない。
【００２７】また、蒸発源、特に蛍光体母体成分を含む
蒸発源は、アルカリ金属不純物（蛍光体の構成元素以外
のアルカリ金属）の含有量が１０ｐｐｍ以下であり、そ
してアルカリ土類金属不純物（蛍光体の構成元素以外の
アルカリ土類金属）の含有量が１ｐｐｍ以下であること
が望ましい。このような蒸発源は、アルカリ金属やアル
カリ土類金属など不純物の含有量の少ない原料を使用す
ることにより調製することができる。これによって、不
純物の混入が少ない蒸着膜を形成することができるとと
もに、そのような蒸着膜は発光量が増加する。
蒸発源は、アルカリ金属不純物（蛍光体の構成元素以外
のアルカリ金属）の含有量が１０ｐｐｍ以下であり、そ
してアルカリ土類金属不純物（蛍光体の構成元素以外の
アルカリ土類金属）の含有量が１ｐｐｍ以下であること
が望ましい。このような蒸発源は、アルカリ金属やアル
カリ土類金属など不純物の含有量の少ない原料を使用す
ることにより調製することができる。これによって、不
純物の混入が少ない蒸着膜を形成することができるとと
もに、そのような蒸着膜は発光量が増加する。
【００２８】上記の蒸発源および基板を蒸着装置内に設
置し、装置内を排気して１×１０-5〜１×１０-2Ｐａ程
度の真空度とする。このとき、真空度をこの程度に保持
しながら、Ａｒガス、Ｎｅガス、Ｎ2ガスなどの不活性
ガスを導入してもよい。ただし、装置内の雰囲気中の酸
素分圧を、１×１０-6乃至１×１０-2Ｐａの範囲とす
る。また、装置内の雰囲気中の水分圧を、ディフュージ
ョンポンプとコールドトラップとの組合せなどを用いる
ことによって、７．０×１０-3Ｐａ以下にすることが好
ましい。
置し、装置内を排気して１×１０-5〜１×１０-2Ｐａ程
度の真空度とする。このとき、真空度をこの程度に保持
しながら、Ａｒガス、Ｎｅガス、Ｎ2ガスなどの不活性
ガスを導入してもよい。ただし、装置内の雰囲気中の酸
素分圧を、１×１０-6乃至１×１０-2Ｐａの範囲とす
る。また、装置内の雰囲気中の水分圧を、ディフュージ
ョンポンプとコールドトラップとの組合せなどを用いる
ことによって、７．０×１０-3Ｐａ以下にすることが好
ましい。
【００２９】良好な柱状結晶性を得るためには、基板を
裏面からヒータなどを用いて５０℃乃至３００℃の温度
に加熱することが好ましく、特には１００℃乃至２９０
℃の温度に加熱することが好ましい。
裏面からヒータなどを用いて５０℃乃至３００℃の温度
に加熱することが好ましく、特には１００℃乃至２９０
℃の温度に加熱することが好ましい。
【００３０】次に、二つの電子銃から電子線をそれぞれ
発生させて、各蒸発源に照射する。このとき、電子線の
加速電圧を１．５ｋＶ以上で、５．０ｋＶ以下に設定す
ることが望ましい。電子線の照射により、蒸発源である
輝尽性蛍光体の母体成分や付活剤成分等は加熱されて蒸
発、飛散し、そして反応を生じて蛍光体を形成するとと
もに基板表面に堆積する。この際に、各電子線の加速電
圧などを調整することにより、各蒸発源の蒸発速度を制
御することができる。蛍光体の堆積する速度、すなわち
蒸着速度は、一般には０．１〜１０００μｍ／分の範囲
にあり、好ましくは１〜１００μｍ／分の範囲にある。
なお、電子線の照射を複数回に分けて行って二つ以上の
蒸着膜を形成することもできる。
発生させて、各蒸発源に照射する。このとき、電子線の
加速電圧を１．５ｋＶ以上で、５．０ｋＶ以下に設定す
ることが望ましい。電子線の照射により、蒸発源である
輝尽性蛍光体の母体成分や付活剤成分等は加熱されて蒸
発、飛散し、そして反応を生じて蛍光体を形成するとと
もに基板表面に堆積する。この際に、各電子線の加速電
圧などを調整することにより、各蒸発源の蒸発速度を制
御することができる。蛍光体の堆積する速度、すなわち
蒸着速度は、一般には０．１〜１０００μｍ／分の範囲
にあり、好ましくは１〜１００μｍ／分の範囲にある。
なお、電子線の照射を複数回に分けて行って二つ以上の
蒸着膜を形成することもできる。
【００３１】一元蒸着の場合には、蒸発流に垂直な方向
（基板に平行な方向）に上記蛍光体母体成分と付活剤成
分とを分離して含む一個の蒸発源を用意し、蒸発源の母
体成分領域および付活剤成分領域各々に電子線を照射す
る時間（滞在時間）を制御しながら、蒸着を実施するこ
とが好ましい（疑似一元蒸着）。これにより、均一な組
成の輝尽性蛍光体からなる蒸着膜を形成することができ
る。あるいは、蒸発源として輝尽性蛍光体自体を用いる
一元蒸着であってもよい。
（基板に平行な方向）に上記蛍光体母体成分と付活剤成
分とを分離して含む一個の蒸発源を用意し、蒸発源の母
体成分領域および付活剤成分領域各々に電子線を照射す
る時間（滞在時間）を制御しながら、蒸着を実施するこ
とが好ましい（疑似一元蒸着）。これにより、均一な組
成の輝尽性蛍光体からなる蒸着膜を形成することができ
る。あるいは、蒸発源として輝尽性蛍光体自体を用いる
一元蒸着であってもよい。
【００３２】またあるいは、上記輝尽性蛍光体からなる
蒸着膜を形成するに先立って、蛍光体の母体（ＣｓＢ
ｒ）のみからなる蒸着膜を形成してもよい。これによっ
て、より一層柱状結晶性の良好な蒸着膜を得ることがで
きる。なお、蛍光体からなる蒸着膜中の付活剤など添加
物は、特に蒸着時の加熱および／または蒸着後の熱処理
によって、蛍光体母体からなる蒸着膜中に拡散するため
に、両者の境界は必ずしも明確ではない。
蒸着膜を形成するに先立って、蛍光体の母体（ＣｓＢ
ｒ）のみからなる蒸着膜を形成してもよい。これによっ
て、より一層柱状結晶性の良好な蒸着膜を得ることがで
きる。なお、蛍光体からなる蒸着膜中の付活剤など添加
物は、特に蒸着時の加熱および／または蒸着後の熱処理
によって、蛍光体母体からなる蒸着膜中に拡散するため
に、両者の境界は必ずしも明確ではない。
【００３３】本発明において、このようにして得られた
蒸着膜は、柱状結晶構造の輝尽性蛍光体からなる。ここ
で、柱状結晶構造とは、蒸着した多数の輝尽性蛍光体の
粒が互いに蒸発流方向（高さ方向）に融着して連続した
形状をとるものを一本の柱とみなし、このような柱多数
から構成されていることを意味する。蒸着膜は、柱状結
晶性が良好であることが望ましく、特に柱状結晶の各柱
は、その直径が１乃至１０μｍの範囲にあり、高さが１
０乃至１０００μｍの範囲にあり、そしてアスペクト比
（高さ／直径）が１０乃至１０００の範囲にあることが
好ましい。
蒸着膜は、柱状結晶構造の輝尽性蛍光体からなる。ここ
で、柱状結晶構造とは、蒸着した多数の輝尽性蛍光体の
粒が互いに蒸発流方向（高さ方向）に融着して連続した
形状をとるものを一本の柱とみなし、このような柱多数
から構成されていることを意味する。蒸着膜は、柱状結
晶性が良好であることが望ましく、特に柱状結晶の各柱
は、その直径が１乃至１０μｍの範囲にあり、高さが１
０乃至１０００μｍの範囲にあり、そしてアスペクト比
（高さ／直径）が１０乃至１０００の範囲にあることが
好ましい。
【００３４】蒸着終了後、得られた蒸着膜を熱処理す
る。熱処理は、５０℃乃至３００℃の温度で、１乃至８
時間かけて行う。熱処理雰囲気としては、不活性ガス雰
囲気、もしくは少量の酸素ガス又は水素ガスを含む不活
性ガス雰囲気が用いられる。不活性ガスとしては、Ｎ2
ガス、Ａｒガス、Ｎｅガスなどを挙げることができる。
酸素ガスまたは水素ガスは、一般に２０００Ｐａ以下の
分圧で含まれる。好ましくは、５０℃乃至２５０℃の温
度で、特には１５０℃乃至２５０℃の温度で、そして１
乃至４時間かけて熱処理する。また、蒸着装置内で基板
上に蒸着したのち続けて熱処理を行ってもよいし、ある
いは装置から一度基板を取り出したのち熱処理を行って
もよい。
る。熱処理は、５０℃乃至３００℃の温度で、１乃至８
時間かけて行う。熱処理雰囲気としては、不活性ガス雰
囲気、もしくは少量の酸素ガス又は水素ガスを含む不活
性ガス雰囲気が用いられる。不活性ガスとしては、Ｎ2
ガス、Ａｒガス、Ｎｅガスなどを挙げることができる。
酸素ガスまたは水素ガスは、一般に２０００Ｐａ以下の
分圧で含まれる。好ましくは、５０℃乃至２５０℃の温
度で、特には１５０℃乃至２５０℃の温度で、そして１
乃至４時間かけて熱処理する。また、蒸着装置内で基板
上に蒸着したのち続けて熱処理を行ってもよいし、ある
いは装置から一度基板を取り出したのち熱処理を行って
もよい。
【００３５】このようにして、基本組成式（Ｉ）のユー
ロピウム付活臭化セシウム系輝尽性蛍光体の柱状結晶が
ほぼ厚み方向に成長した蛍光体層が得られる。酸素は、
蒸着過程で蒸着雰囲気より結晶中に取り込まれ、付活剤
Ｅｕの電荷補償の役割を担って、Ｅｕ−Ｏ複合体を形成
する。蒸着膜を熱処理することによって、酸素は結晶中
に拡散し、付活剤と分離される。これにより、結晶中の
電荷移動効率および付活剤の付活効率が向上し、その結
果、蛍光体の輝尽発光量が増加する。
ロピウム付活臭化セシウム系輝尽性蛍光体の柱状結晶が
ほぼ厚み方向に成長した蛍光体層が得られる。酸素は、
蒸着過程で蒸着雰囲気より結晶中に取り込まれ、付活剤
Ｅｕの電荷補償の役割を担って、Ｅｕ−Ｏ複合体を形成
する。蒸着膜を熱処理することによって、酸素は結晶中
に拡散し、付活剤と分離される。これにより、結晶中の
電荷移動効率および付活剤の付活効率が向上し、その結
果、蛍光体の輝尽発光量が増加する。
【００３６】蛍光体層は、結合剤を含有せず、上記ユー
ロピウム付活臭化セシウム系輝尽性蛍光体のみからな
り、輝尽性蛍光体の柱状結晶の各柱間には空隙（クラッ
ク）が存在する。蛍光体層の層厚は、目的とする放射線
像変換パネルの特性、気相堆積法の実施手段や条件など
によって異なるが、通常は５０μｍ〜１ｍｍの範囲にあ
り、好ましくは２００μｍ〜７００μｍの範囲にある。
ロピウム付活臭化セシウム系輝尽性蛍光体のみからな
り、輝尽性蛍光体の柱状結晶の各柱間には空隙（クラッ
ク）が存在する。蛍光体層の層厚は、目的とする放射線
像変換パネルの特性、気相堆積法の実施手段や条件など
によって異なるが、通常は５０μｍ〜１ｍｍの範囲にあ
り、好ましくは２００μｍ〜７００μｍの範囲にある。
【００３７】なお、本発明において、気相堆積法は上記
の電子線蒸着法に限られるものではなく、抵抗加熱法、
スパッタ法、化学蒸着（ＣＶＤ）法など公知の他の方法
を利用することもできる。これら他の蒸着法および気相
堆積法の詳細は、各種公報を含む公知の各種の文献に記
載されており、それらを参照することができる。
の電子線蒸着法に限られるものではなく、抵抗加熱法、
スパッタ法、化学蒸着（ＣＶＤ）法など公知の他の方法
を利用することもできる。これら他の蒸着法および気相
堆積法の詳細は、各種公報を含む公知の各種の文献に記
載されており、それらを参照することができる。
【００３８】基板は必ずしも放射線像変換パネルの支持
体を兼ねる必要はなく、蛍光体層形成後、蛍光体層を基
板から引き剥がし、別に用意した支持体上に接着剤を用
いるなどして接合して、支持体上に蛍光体層を設ける方
法を利用してもよい。あるいは、蛍光体層に支持体（基
板）が付設されていなくてもよい。
体を兼ねる必要はなく、蛍光体層形成後、蛍光体層を基
板から引き剥がし、別に用意した支持体上に接着剤を用
いるなどして接合して、支持体上に蛍光体層を設ける方
法を利用してもよい。あるいは、蛍光体層に支持体（基
板）が付設されていなくてもよい。
【００３９】蛍光体層の表面には、放射線像変換パネル
の搬送および取扱い上の便宜や特性変化の回避のため
に、保護層を設けることが望ましい。保護層は、励起光
の入射や発光光の出射に殆ど影響を与えないように、透
明であることが望ましく、また外部から与えられる物理
的衝撃や化学的影響から放射線像変換パネルを充分に保
護することができるように、化学的に安定で防湿性が高
く、かつ高い物理的強度を持つことが望ましい。
の搬送および取扱い上の便宜や特性変化の回避のため
に、保護層を設けることが望ましい。保護層は、励起光
の入射や発光光の出射に殆ど影響を与えないように、透
明であることが望ましく、また外部から与えられる物理
的衝撃や化学的影響から放射線像変換パネルを充分に保
護することができるように、化学的に安定で防湿性が高
く、かつ高い物理的強度を持つことが望ましい。
【００４０】保護層としては、セルロース誘導体、ポリ
メチルメタクリレート、有機溶媒可溶性フッ素系樹脂な
どのような透明な有機高分子物質を適当な溶媒に溶解し
て調製した溶液を蛍光体層の上に塗布することで形成さ
れたもの、あるいはポリエチレンテレフタレートなどの
有機高分子フィルムや透明なガラス板などの保護層形成
用シートを別に形成して蛍光体層の表面に適当な接着剤
を用いて設けたもの、あるいは無機化合物を蒸着などに
よって蛍光体層上に成膜したものなどが用いられる。ま
た、保護層中には酸化マグネシウム、酸化亜鉛、二酸化
チタン、アルミナ等の光散乱性微粒子、パーフルオロオ
レフィン樹脂粉末、シリコーン樹脂粉末等の滑り剤、お
よびポリイソシアネート等の架橋剤など各種の添加剤が
分散含有されていてもよい。保護層の層厚は一般に、高
分子物質からなる場合には約０．１〜２０μｍの範囲に
あり、ガラス等の無機化合物からなる場合には１００〜
１０００μｍの範囲にある。
メチルメタクリレート、有機溶媒可溶性フッ素系樹脂な
どのような透明な有機高分子物質を適当な溶媒に溶解し
て調製した溶液を蛍光体層の上に塗布することで形成さ
れたもの、あるいはポリエチレンテレフタレートなどの
有機高分子フィルムや透明なガラス板などの保護層形成
用シートを別に形成して蛍光体層の表面に適当な接着剤
を用いて設けたもの、あるいは無機化合物を蒸着などに
よって蛍光体層上に成膜したものなどが用いられる。ま
た、保護層中には酸化マグネシウム、酸化亜鉛、二酸化
チタン、アルミナ等の光散乱性微粒子、パーフルオロオ
レフィン樹脂粉末、シリコーン樹脂粉末等の滑り剤、お
よびポリイソシアネート等の架橋剤など各種の添加剤が
分散含有されていてもよい。保護層の層厚は一般に、高
分子物質からなる場合には約０．１〜２０μｍの範囲に
あり、ガラス等の無機化合物からなる場合には１００〜
１０００μｍの範囲にある。
【００４１】保護層の表面にはさらに、保護層の耐汚染
性を高めるためにフッ素樹脂塗布層を設けてもよい。フ
ッ素樹脂塗布層は、フッ素樹脂を有機溶媒に溶解（また
は分散）させて調製したフッ素樹脂溶液を保護層の表面
に塗布し、乾燥することにより形成することができる。
フッ素樹脂は単独で使用してもよいが、通常はフッ素樹
脂と膜形成性の高い樹脂との混合物として使用する。ま
た、ポリシロキサン骨格を持つオリゴマーあるいはパー
フルオロアルキル基を持つオリゴマーを併用することも
できる。フッ素樹脂塗布層には、干渉むらを低減させて
更に放射線画像の画質を向上させるために、微粒子フィ
ラーを充填することもできる。フッ素樹脂塗布層の層厚
は通常は０．５μｍ乃至２０μｍの範囲にある。フッ素
樹脂塗布層の形成に際しては、架橋剤、硬膜剤、黄変防
止剤などのような添加成分を用いることができる。特に
架橋剤の添加は、フッ素樹脂塗布層の耐久性の向上に有
利である。
性を高めるためにフッ素樹脂塗布層を設けてもよい。フ
ッ素樹脂塗布層は、フッ素樹脂を有機溶媒に溶解（また
は分散）させて調製したフッ素樹脂溶液を保護層の表面
に塗布し、乾燥することにより形成することができる。
フッ素樹脂は単独で使用してもよいが、通常はフッ素樹
脂と膜形成性の高い樹脂との混合物として使用する。ま
た、ポリシロキサン骨格を持つオリゴマーあるいはパー
フルオロアルキル基を持つオリゴマーを併用することも
できる。フッ素樹脂塗布層には、干渉むらを低減させて
更に放射線画像の画質を向上させるために、微粒子フィ
ラーを充填することもできる。フッ素樹脂塗布層の層厚
は通常は０．５μｍ乃至２０μｍの範囲にある。フッ素
樹脂塗布層の形成に際しては、架橋剤、硬膜剤、黄変防
止剤などのような添加成分を用いることができる。特に
架橋剤の添加は、フッ素樹脂塗布層の耐久性の向上に有
利である。
【００４２】上述のようにして本発明の放射線像変換パ
ネルが得られるが、本発明のパネルの構成は、公知の各
種のバリエーションを含むものであってもよい。例え
ば、得られる画像の鮮鋭度を向上させることを目的とし
て、上記の少なくともいずれかの層を、励起光を吸収し
輝尽発光光は吸収しないような着色剤によって着色して
もよい。
ネルが得られるが、本発明のパネルの構成は、公知の各
種のバリエーションを含むものであってもよい。例え
ば、得られる画像の鮮鋭度を向上させることを目的とし
て、上記の少なくともいずれかの層を、励起光を吸収し
輝尽発光光は吸収しないような着色剤によって着色して
もよい。
【００４３】
【実施例】［実施例１］ 一元蒸着
（１）ＣｓＢｒ：Ｅｕ蒸発源の作製
ＣｓＢｒ１００ｇ（０．４７モル）およびＥｕＢｒ
x（ｘ＝２．２）０．４６２ｇ（１．４×１０-3モル）
を秤量し、ミキサーで混合した。得られた混合物を石英
容器に入れ、これを電気炉の炉芯に入れて、初期真空引
き後、窒素ガスを大気圧まで導入し、温度５２５℃にて
１時間焼成した。次いで、５分間中間真空引きした後、
酸素を１３３Ｐａまで導入し、更に窒素ガスを導入して
大気圧にした状態で、１時間焼成を行った。焼成後、真
空状態で室温まで冷却し、乳鉢で粉砕して、ＣｓＢｒ：
0.003Ｅｕ蛍光体粉末を得た。この蛍光体粉末をジルコ
ニア製粉末成形用ダイス（内径：３５ｍｍ）に入れ、粉
末金型プレス成形機（テーブルプレスＴＢ−５型、エヌ
ピーエーシステム(株)製）にて５０ＭＰａの圧力で加圧
し、タブレット（直径：３５ｍｍ、厚み：２０ｍｍ）に
成形した。このとき、蛍光体粉末に掛かった圧力は約４
０ＭＰａであった。次に、このタブレットに真空乾燥機
にて温度２００℃で２時間の真空乾燥処理を施した。得
られたタブレットの密度は３．９ｇ／ｃｍ3であり、含
水量は０．３質量％であった。
x（ｘ＝２．２）０．４６２ｇ（１．４×１０-3モル）
を秤量し、ミキサーで混合した。得られた混合物を石英
容器に入れ、これを電気炉の炉芯に入れて、初期真空引
き後、窒素ガスを大気圧まで導入し、温度５２５℃にて
１時間焼成した。次いで、５分間中間真空引きした後、
酸素を１３３Ｐａまで導入し、更に窒素ガスを導入して
大気圧にした状態で、１時間焼成を行った。焼成後、真
空状態で室温まで冷却し、乳鉢で粉砕して、ＣｓＢｒ：
0.003Ｅｕ蛍光体粉末を得た。この蛍光体粉末をジルコ
ニア製粉末成形用ダイス（内径：３５ｍｍ）に入れ、粉
末金型プレス成形機（テーブルプレスＴＢ−５型、エヌ
ピーエーシステム(株)製）にて５０ＭＰａの圧力で加圧
し、タブレット（直径：３５ｍｍ、厚み：２０ｍｍ）に
成形した。このとき、蛍光体粉末に掛かった圧力は約４
０ＭＰａであった。次に、このタブレットに真空乾燥機
にて温度２００℃で２時間の真空乾燥処理を施した。得
られたタブレットの密度は３．９ｇ／ｃｍ3であり、含
水量は０．３質量％であった。
【００４４】（２）蛍光体層の形成
支持体として、順にアルカリ洗浄、純水洗浄、およびＩ
ＰＡ洗浄を施した合成石英基板を用意し、蒸着装置内の
基板ホルダに設置した。上記ＣｓＢｒ：Ｅｕ蒸発源を装
置内の所定位置に配置した後、装置内を排気して１×１
０-3Ｐａの真空度とした。このとき、真空排気装置とし
てロータリーポンプ、メカニカルブースタ、ターボ分子
ポンプの組合せを用いた。次いで、基板の蒸着面とは反
対側に位置したシーズヒータで、石英基板を２００℃に
加熱した。蒸発源に電子銃で加速電圧４．０ｋＶの電子
線を照射して、基板上に輝尽性蛍光体を４μｍ／分の速
度で堆積させた。蒸着雰囲気中の水分圧は４×１０-3Ｐ
ａであった。
ＰＡ洗浄を施した合成石英基板を用意し、蒸着装置内の
基板ホルダに設置した。上記ＣｓＢｒ：Ｅｕ蒸発源を装
置内の所定位置に配置した後、装置内を排気して１×１
０-3Ｐａの真空度とした。このとき、真空排気装置とし
てロータリーポンプ、メカニカルブースタ、ターボ分子
ポンプの組合せを用いた。次いで、基板の蒸着面とは反
対側に位置したシーズヒータで、石英基板を２００℃に
加熱した。蒸発源に電子銃で加速電圧４．０ｋＶの電子
線を照射して、基板上に輝尽性蛍光体を４μｍ／分の速
度で堆積させた。蒸着雰囲気中の水分圧は４×１０-3Ｐ
ａであった。
【００４５】蒸着終了後、装置内を大気圧に戻し、装置
から石英基板を取り出した。石英基板上には、蛍光体の
柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蒸着膜
（膜厚：約４００μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）が形
成されていた。蒸着膜を走査型電子顕微鏡（ＪＳＭ−５
４００型、日本電子(株)製）で観察、測定した結果、柱
状結晶の平均直径約５μｍ、平均高さ約４００μｍ、お
よび平均アスペクト比約５０であった。
から石英基板を取り出した。石英基板上には、蛍光体の
柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蒸着膜
（膜厚：約４００μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）が形
成されていた。蒸着膜を走査型電子顕微鏡（ＪＳＭ−５
４００型、日本電子(株)製）で観察、測定した結果、柱
状結晶の平均直径約５μｍ、平均高さ約４００μｍ、お
よび平均アスペクト比約５０であった。
【００４６】次に、この石英基板をガス導入可能な真空
加熱装置に入れ、ロータリーポンプを用いて約１Ｐａま
で真空に引いて蒸着膜に吸着している水分等を除去した
後、窒素ガス雰囲気中、２００℃の温度で２時間蒸着膜
を熱処理した。次いで、真空下で基板を冷却し、十分に
温度が下がった時点で装置から基板を取り出した。この
ようにして、支持体と蛍光体層とからなる本発明に従う
放射線像変換パネルを製造した。
加熱装置に入れ、ロータリーポンプを用いて約１Ｐａま
で真空に引いて蒸着膜に吸着している水分等を除去した
後、窒素ガス雰囲気中、２００℃の温度で２時間蒸着膜
を熱処理した。次いで、真空下で基板を冷却し、十分に
温度が下がった時点で装置から基板を取り出した。この
ようにして、支持体と蛍光体層とからなる本発明に従う
放射線像変換パネルを製造した。
【００４７】［実施例２〜４］ 一元蒸着
実施例１の（２）蛍光体層の形成において、熱処理温度
を１００℃、１５０℃および２５０℃にそれぞれ変更し
たこと以外は実施例１と同様にして、本発明に従う各種
の放射線像変換パネルを製造した。
を１００℃、１５０℃および２５０℃にそれぞれ変更し
たこと以外は実施例１と同様にして、本発明に従う各種
の放射線像変換パネルを製造した。
【００４８】［比較例１］ 一元蒸着
実施例１の（２）蛍光体層の形成において、基板温度を
室温に保ったまま蒸着を行い、かつ蒸着後に熱処理を行
わなかったこと以外は実施例１と同様にして、比較のた
めの放射線像変換パネルを製造した。蒸着後、石英基板
上には十分な柱状結晶構造を持たない蒸着膜が形成され
ていた。
室温に保ったまま蒸着を行い、かつ蒸着後に熱処理を行
わなかったこと以外は実施例１と同様にして、比較のた
めの放射線像変換パネルを製造した。蒸着後、石英基板
上には十分な柱状結晶構造を持たない蒸着膜が形成され
ていた。
【００４９】［比較例２］ 一元蒸着
実施例１の（２）蛍光体層の形成において、基板温度を
室温に保ったまま蒸着を行ったこと以外は実施例１と同
様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造し
た。蒸着後、石英基板上には十分な柱状結晶構造を持た
ない蒸着膜が形成されていた。
室温に保ったまま蒸着を行ったこと以外は実施例１と同
様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造し
た。蒸着後、石英基板上には十分な柱状結晶構造を持た
ない蒸着膜が形成されていた。
【００５０】［比較例３］ 一元蒸着
実施例１の（２）の蛍光体層の形成において、蒸着後に
熱処理を行なわなかったこと以外は実施例１と同様にし
て、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
熱処理を行なわなかったこと以外は実施例１と同様にし
て、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【００５１】［比較例４］ 一元蒸着
実施例１の（２）の蛍光体層の形成において、熱処理温
度を３５０℃に変更したこと以外は実施例１と同様にし
て、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
度を３５０℃に変更したこと以外は実施例１と同様にし
て、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【００５２】［実施例５］ 一元蒸着
実施例１の（１）ＣｓＢｒ：Ｅｕの蒸発源の作製におい
て、ＥｕＢｒxの量を０．１５４０ｇ（４．７×１０-4
モル）に変更してＣｓＢｒ：0.001Ｅｕ蛍光体粉末を得
たこと以外は実施例１と同様にして、本発明に従う放射
線像変換パネルを製造した。
て、ＥｕＢｒxの量を０．１５４０ｇ（４．７×１０-4
モル）に変更してＣｓＢｒ：0.001Ｅｕ蛍光体粉末を得
たこと以外は実施例１と同様にして、本発明に従う放射
線像変換パネルを製造した。
【００５３】［比較例５］ 一元蒸着
実施例５において、蒸着後に熱処理を行わなかったこと
以外は実施例５と同様にして、比較のための放射線像変
換パネルを製造した。
以外は実施例５と同様にして、比較のための放射線像変
換パネルを製造した。
【００５４】［実施例６］ 一元蒸着
実施例１の（１）のＣｓＢｒ：Ｅｕ蒸発源の作製におい
て、ＥｕＢｒxの量を１．２３２１ｇ（３．８×１０-3
モル）に変更してＣｓＢｒ：0.008Ｅｕ蛍光体粉末を得
たこと以外は実施例１と同様にして、本発明に従う放射
線像変換パネルを製造した。
て、ＥｕＢｒxの量を１．２３２１ｇ（３．８×１０-3
モル）に変更してＣｓＢｒ：0.008Ｅｕ蛍光体粉末を得
たこと以外は実施例１と同様にして、本発明に従う放射
線像変換パネルを製造した。
【００５５】［比較例６］ 一元蒸着
実施例６において、蒸着後に熱処理を行わなかったこと
以外は実施例６と同様にして、比較のための放射線像変
換パネルを製造した。
以外は実施例６と同様にして、比較のための放射線像変
換パネルを製造した。
【００５６】［放射線像変換パネルの性能評価１］得ら
れた各放射線像変換パネルの感度、柱状結晶性および支
持体との接着性について評価を行った。また、柱状結晶
の平均アスペクト比を測定した。
れた各放射線像変換パネルの感度、柱状結晶性および支
持体との接着性について評価を行った。また、柱状結晶
の平均アスペクト比を測定した。
【００５７】（１）感度
放射線像変換パネルを室内光を遮蔽可能なカセッテに収
納し、これに管電圧８０ｋＶｐのＸ線を照射した。次い
で、パネルをカセッテから取り出し、パネル表面にレー
ザ光（波長：６３３ｎｍ）を照射してパネルから放出さ
れた輝尽発光光をフォトマルチプライヤで検出し、輝尽
発光量を測定した。得られた輝尽発光量（相対値）を感
度とした。
納し、これに管電圧８０ｋＶｐのＸ線を照射した。次い
で、パネルをカセッテから取り出し、パネル表面にレー
ザ光（波長：６３３ｎｍ）を照射してパネルから放出さ
れた輝尽発光光をフォトマルチプライヤで検出し、輝尽
発光量を測定した。得られた輝尽発光量（相対値）を感
度とした。
【００５８】（２）柱状結晶性
放射線像変換パネルの蛍光体層を、支持体ごと厚み方向
に切断し、チャージアップ防止のためにイオンスパッタ
により金（厚み：３００オングストローム）で被覆した
後、走査型電子顕微鏡（ＪＳＭ−５４００型、日本電子
(株)製）を用いて、蛍光体層の表面および切断面を観察
した。なお、十分な柱状結晶構造を有しない場合を不良
とした。
に切断し、チャージアップ防止のためにイオンスパッタ
により金（厚み：３００オングストローム）で被覆した
後、走査型電子顕微鏡（ＪＳＭ−５４００型、日本電子
(株)製）を用いて、蛍光体層の表面および切断面を観察
した。なお、十分な柱状結晶構造を有しない場合を不良
とした。
【００５９】（３）支持体（基板）との接着性：蛍光体
層の支持体からの剥離し易さにより判断した。
層の支持体からの剥離し易さにより判断した。
【００６０】得られた結果をまとめて表１および図１に
示す。
示す。
【００６１】
【表１】
【００６２】図１は、蒸着膜の熱処理温度と得られた放
射線像変換パネルの感度との関係を表すグラフである。
図１において、曲線１は一元蒸着の場合（実施例１〜
４）を示す。
射線像変換パネルの感度との関係を表すグラフである。
図１において、曲線１は一元蒸着の場合（実施例１〜
４）を示す。
【００６３】表１に示した結果から、ＣｓＢｒ：Ｅｕ輝
尽性蛍光体からなる蒸着膜の柱状結晶構造が十分でない
場合には、蒸着膜を熱処理しても感度は１０％程度しか
増加しない（比較例１、２）。それに対して、蒸着膜の
柱状結晶構造が良好である場合には、熱処理することに
よって感度が５０％以上、最大で１５０％も増加するこ
とが明らかである（比較例３と実施例１〜４等）。ま
た、良好な柱状結晶は蒸着の際に基板を加熱することに
より得られる。
尽性蛍光体からなる蒸着膜の柱状結晶構造が十分でない
場合には、蒸着膜を熱処理しても感度は１０％程度しか
増加しない（比較例１、２）。それに対して、蒸着膜の
柱状結晶構造が良好である場合には、熱処理することに
よって感度が５０％以上、最大で１５０％も増加するこ
とが明らかである（比較例３と実施例１〜４等）。ま
た、良好な柱状結晶は蒸着の際に基板を加熱することに
より得られる。
【００６４】図１に示したグラフ（曲線１）から、熱処
理による感度の著しい増加は処理温度５０℃〜３００℃
の範囲においてであり、特に１００℃〜２８０℃、さら
には１００℃〜２５０℃の範囲においてであることが明
らかである。また、処理温度が高過ぎると、基板との接
着性が低下し、更には柱状結晶性自体が低下する。
理による感度の著しい増加は処理温度５０℃〜３００℃
の範囲においてであり、特に１００℃〜２８０℃、さら
には１００℃〜２５０℃の範囲においてであることが明
らかである。また、処理温度が高過ぎると、基板との接
着性が低下し、更には柱状結晶性自体が低下する。
【００６５】［実施例７］ 二元蒸着
（１）ＣｓＢｒ蒸発源の作製
ＣｓＢｒ粉末７５ｇをジルコニア製粉末成形用ダイス
（内径：３５ｍｍ）に入れ、粉末金型プレス成形機にて
５０ＭＰａの圧力で加圧し、タブレット（直径：３５ｍ
ｍ、厚み：２０ｍｍ）に成形した。このとき、ＣｓＢｒ
粉末に掛かった圧力は約４０ＭＰａであった。次に、こ
のタブレットに真空乾燥機にて温度２００℃で２時間の
真空乾燥処理を施した。得られたタブレットの密度は
３．９ｇ／ｃｍ3であり、含水量は０．３質量％であっ
た。
（内径：３５ｍｍ）に入れ、粉末金型プレス成形機にて
５０ＭＰａの圧力で加圧し、タブレット（直径：３５ｍ
ｍ、厚み：２０ｍｍ）に成形した。このとき、ＣｓＢｒ
粉末に掛かった圧力は約４０ＭＰａであった。次に、こ
のタブレットに真空乾燥機にて温度２００℃で２時間の
真空乾燥処理を施した。得られたタブレットの密度は
３．９ｇ／ｃｍ3であり、含水量は０．３質量％であっ
た。
【００６６】（２）ＥｕＢｒx蒸発源の作製
ＥｕＢｒx（ｘ＝２．２）粉末２５ｇをジルコニア製粉
末成形用ダイス（内径：２５ｍｍ）に入れ、粉末金型プ
レス成形機にて５０ＭＰａの圧力で加圧し、タブレット
（直径：２５ｍｍ、厚み：１０ｍｍ）に成形した。この
とき、ＥｕＢｒ x粉末に掛かった圧力は約８０ＭＰａで
あった。次に、このタブレットに真空乾燥機にて温度２
００℃で２時間の真空乾燥処理を施した。得られたタブ
レットの密度は５．１ｇ／ｃｍ3であり、含水量は０．
５質量％であった。
末成形用ダイス（内径：２５ｍｍ）に入れ、粉末金型プ
レス成形機にて５０ＭＰａの圧力で加圧し、タブレット
（直径：２５ｍｍ、厚み：１０ｍｍ）に成形した。この
とき、ＥｕＢｒ x粉末に掛かった圧力は約８０ＭＰａで
あった。次に、このタブレットに真空乾燥機にて温度２
００℃で２時間の真空乾燥処理を施した。得られたタブ
レットの密度は５．１ｇ／ｃｍ3であり、含水量は０．
５質量％であった。
【００６７】（３）蛍光体層の形成
支持体として、順にアルカリ洗浄、純水洗浄、およびＩ
ＰＡ（イソプロピルアルコール）洗浄を施した合成石英
基板を用意し、蒸着装置内の基板ホルダーに設置した。
上記ＣｓＢｒ蒸発源およびＥｕＢｒx蒸発源を装置内の
所定位置に配置した後、装置内を排気して１×１０-3Ｐ
ａの真空度とした。このとき、真空排気装置としてロー
タリーポンプ、メカニカルブースタおよびターボ分子ポ
ンプの組合せを用いた。次いで、基板の蒸着面とは反対
側に位置したシーズヒータで、石英基板を２００℃に加
熱した。蒸発源それぞれに電子銃で加速電圧４．０ｋＶ
の電子線を照射して共蒸着させ、ＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性
蛍光体を堆積させた。このとき、各々の電子銃のエミッ
ション電流を調整して、輝尽性蛍光体におけるＥｕ／Ｃ
ｓモル濃度比が０．００３／１となるようにし、そして
１０μｍ／分の速度で堆積させた。必要に応じて、リボ
ルバーにて蒸発源を逐次供給しながら目標膜厚になるま
で蒸着させた。蒸着雰囲気中の水分圧は４×１０-3Ｐａ
であった。
ＰＡ（イソプロピルアルコール）洗浄を施した合成石英
基板を用意し、蒸着装置内の基板ホルダーに設置した。
上記ＣｓＢｒ蒸発源およびＥｕＢｒx蒸発源を装置内の
所定位置に配置した後、装置内を排気して１×１０-3Ｐ
ａの真空度とした。このとき、真空排気装置としてロー
タリーポンプ、メカニカルブースタおよびターボ分子ポ
ンプの組合せを用いた。次いで、基板の蒸着面とは反対
側に位置したシーズヒータで、石英基板を２００℃に加
熱した。蒸発源それぞれに電子銃で加速電圧４．０ｋＶ
の電子線を照射して共蒸着させ、ＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性
蛍光体を堆積させた。このとき、各々の電子銃のエミッ
ション電流を調整して、輝尽性蛍光体におけるＥｕ／Ｃ
ｓモル濃度比が０．００３／１となるようにし、そして
１０μｍ／分の速度で堆積させた。必要に応じて、リボ
ルバーにて蒸発源を逐次供給しながら目標膜厚になるま
で蒸着させた。蒸着雰囲気中の水分圧は４×１０-3Ｐａ
であった。
【００６８】蒸着終了後、装置内を大気圧に戻し、装置
から石英基板を取り出した。石英基板上には、蛍光体の
柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蒸着膜
（膜厚：約４００μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）が形
成されていた。蒸着膜を走査型電子顕微鏡で観察、測定
した結果、柱状結晶の平均直径約５μｍ、平均高さ約４
００μｍ、および平均アスペクト比約６０であった。
から石英基板を取り出した。石英基板上には、蛍光体の
柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蒸着膜
（膜厚：約４００μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）が形
成されていた。蒸着膜を走査型電子顕微鏡で観察、測定
した結果、柱状結晶の平均直径約５μｍ、平均高さ約４
００μｍ、および平均アスペクト比約６０であった。
【００６９】次に、この基板をガス導入可能な真空加熱
装置に入れ、ロータリーポンプにより約１Ｐａまで真空
に引いて蒸着膜に吸着している水分等を除去した後、窒
素ガス雰囲気中、２００℃の温度で２時間蒸着膜を熱処
理した。真空下で基板を冷却し、十分に温度が下がった
時点で装置から基板を取り出した。このようにして、共
蒸着により支持体と蛍光体層とからなる本発明に従う放
射線像変換パネルを製造した。
装置に入れ、ロータリーポンプにより約１Ｐａまで真空
に引いて蒸着膜に吸着している水分等を除去した後、窒
素ガス雰囲気中、２００℃の温度で２時間蒸着膜を熱処
理した。真空下で基板を冷却し、十分に温度が下がった
時点で装置から基板を取り出した。このようにして、共
蒸着により支持体と蛍光体層とからなる本発明に従う放
射線像変換パネルを製造した。
【００７０】［実施例８〜１２］ 二元蒸着
実施例７の（３）蛍光体層の形成において、熱処理温度
を５０℃、１００℃、１５０℃、２５０℃および３００
℃にそれぞれ変更したこと以外は実施例７と同様にし
て、本発明に従う各種の放射線像変換パネルを製造し
た。
を５０℃、１００℃、１５０℃、２５０℃および３００
℃にそれぞれ変更したこと以外は実施例７と同様にし
て、本発明に従う各種の放射線像変換パネルを製造し
た。
【００７１】［実施例１３、１４］ 二元蒸着
実施例７の（３）蛍光体層の形成において、熱処理時間
を１時間および４時間にそれぞれ変更したこと以外は実
施例７と同様にして、本発明に従う各種の放射線像変換
パネルを製造した。
を１時間および４時間にそれぞれ変更したこと以外は実
施例７と同様にして、本発明に従う各種の放射線像変換
パネルを製造した。
【００７２】［実施例１５〜１７］ 二元蒸着
実施例７の（３）蛍光体層の形成において、熱処理雰囲
気を少量の酸素を含む窒素雰囲気（Ｏ2分圧１３３Ｐ
ａ、４００Ｐａ、１３３０Ｐａ）にそれぞれ変更したこ
と以外は実施例７と同様にして、本発明に従う各種の放
射線像変換パネルを製造した。
気を少量の酸素を含む窒素雰囲気（Ｏ2分圧１３３Ｐ
ａ、４００Ｐａ、１３３０Ｐａ）にそれぞれ変更したこ
と以外は実施例７と同様にして、本発明に従う各種の放
射線像変換パネルを製造した。
【００７３】［実施例１８〜２０］ 二元蒸着
実施例７の（３）蛍光体層の形成において、熱処理雰囲
気を少量の水素を含む窒素雰囲気（Ｈ2分圧１３３Ｐ
ａ、４００Ｐａ、１３３０Ｐａ）にそれぞれ変更したこ
と以外は実施例７と同様にして、本発明に従う各種の放
射線像変換パネルを製造した。
気を少量の水素を含む窒素雰囲気（Ｈ2分圧１３３Ｐ
ａ、４００Ｐａ、１３３０Ｐａ）にそれぞれ変更したこ
と以外は実施例７と同様にして、本発明に従う各種の放
射線像変換パネルを製造した。
【００７４】［比較例７］ 二元蒸着
実施例７の（３）蛍光体層の形成において、基板温度を
室温に保ったまま蒸着を行い、かつ蒸着後に熱処理を行
わなかったこと以外は実施例７と同様にして、比較のた
めの放射線像変換パネルを製造した。蒸着後、石英基板
上には十分な柱状結晶構造を持たない蒸着膜が形成され
ていた。
室温に保ったまま蒸着を行い、かつ蒸着後に熱処理を行
わなかったこと以外は実施例７と同様にして、比較のた
めの放射線像変換パネルを製造した。蒸着後、石英基板
上には十分な柱状結晶構造を持たない蒸着膜が形成され
ていた。
【００７５】［比較例８］ 二元蒸着
実施例７の（３）蛍光体層の形成において、基板温度を
室温に保ったまま蒸着を行ったこと以外は実施例７と同
様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造し
た。蒸着後、石英基板上には十分な柱状結晶構造を持た
ない蒸着膜が形成されていた。
室温に保ったまま蒸着を行ったこと以外は実施例７と同
様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造し
た。蒸着後、石英基板上には十分な柱状結晶構造を持た
ない蒸着膜が形成されていた。
【００７６】［比較例９］ 二元蒸着
実施例７の（３）蛍光体層の形成において、蒸着後に熱
処理を行わなかったこと以外は実施例７と同様にして、
比較のための放射線像変換パネルを製造した。
処理を行わなかったこと以外は実施例７と同様にして、
比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【００７７】［比較例１０］ 二元蒸着
実施例７の（３）の蛍光体層の形成において、熱処理温
度を３５０℃に変更したこと以外は実施例７と同様にし
て、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
度を３５０℃に変更したこと以外は実施例７と同様にし
て、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【００７８】［比較例１１］ 二元蒸着
実施例７の（３）の蛍光体層の形成において、熱処理時
間を１２時間に変更したこと以外は実施例７と同様にし
て、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
間を１２時間に変更したこと以外は実施例７と同様にし
て、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【００７９】［実施例２１］ 二元蒸着
実施例７の（３）蛍光体層の形成において、輝尽性蛍光
体におけるＥｕ／Ｃｓモル濃度比が０．００１／１とな
るように各電子銃のエミッション電流を調整したこと以
外は実施例７と同様にして、本発明に従う放射線像変換
パネルを製造した。
体におけるＥｕ／Ｃｓモル濃度比が０．００１／１とな
るように各電子銃のエミッション電流を調整したこと以
外は実施例７と同様にして、本発明に従う放射線像変換
パネルを製造した。
【００８０】［比較例１２］ 二元蒸着
実施例２１において、蒸着後に熱処理を行わなかったこ
と以外は実施例２１と同様にして、比較のための放射線
像変換パネルを製造した。
と以外は実施例２１と同様にして、比較のための放射線
像変換パネルを製造した。
【００８１】［実施例２２］ 二元蒸着
実施例７の（３）蛍光体層の形成において、輝尽性蛍光
体におけるＥｕ／Ｃｓモル濃度比が０．００８／１とな
るように各電子銃のエミッション電流を調整したこと以
外は実施例７と同様にして、本発明に従う放射線像変換
パネルを製造した。
体におけるＥｕ／Ｃｓモル濃度比が０．００８／１とな
るように各電子銃のエミッション電流を調整したこと以
外は実施例７と同様にして、本発明に従う放射線像変換
パネルを製造した。
【００８２】［比較例１３］ 二元蒸着
実施例２２において、蒸着後に熱処理を行わなかったこ
と以外は実施例２２と同様にして、比較のための放射線
像変換パネルを製造した。
と以外は実施例２２と同様にして、比較のための放射線
像変換パネルを製造した。
【００８３】［放射線像変換パネルの性能評価２］得ら
れた各放射線像変換パネルの感度、柱状結晶性および支
持体との接着性について、前記と同様にして評価を行っ
た。また、柱状結晶の平均アスペクト比を測定した。得
られた結果をまとめて表２、３および図１、２に示す。
れた各放射線像変換パネルの感度、柱状結晶性および支
持体との接着性について、前記と同様にして評価を行っ
た。また、柱状結晶の平均アスペクト比を測定した。得
られた結果をまとめて表２、３および図１、２に示す。
【００８４】
【表２】
【００８５】
【表３】
【００８６】図１は、蒸着膜の熱処理温度と得られた放
射線像変換パネルの感度との関係を表すグラフである。
図１において、曲線２は二元蒸着の場合（実施例７〜１
２）を示す。図２は、蒸着膜の熱処理時間と得られた放
射線像変換パネルの感度との関係を表すグラフである
（比較例９、１１、実施例７、１３、１４）。
射線像変換パネルの感度との関係を表すグラフである。
図１において、曲線２は二元蒸着の場合（実施例７〜１
２）を示す。図２は、蒸着膜の熱処理時間と得られた放
射線像変換パネルの感度との関係を表すグラフである
（比較例９、１１、実施例７、１３、１４）。
【００８７】表２及び表３に示した結果から、二元蒸着
においても、ＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体からなる蒸着
膜の柱状結晶構造が十分でない場合には、蒸着膜を熱処
理しても感度は７％程度しか増加しない（比較例７、
８）。それに対して、蒸着膜の柱状結晶構造が良好であ
る場合には、熱処理することによって感度が最大で約８
倍にまで増加することが明らかである（比較例９と実施
例７〜２０等）。
においても、ＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体からなる蒸着
膜の柱状結晶構造が十分でない場合には、蒸着膜を熱処
理しても感度は７％程度しか増加しない（比較例７、
８）。それに対して、蒸着膜の柱状結晶構造が良好であ
る場合には、熱処理することによって感度が最大で約８
倍にまで増加することが明らかである（比較例９と実施
例７〜２０等）。
【００８８】図１に示したグラフ（曲線２）から、熱処
理による感度の著しい増加は処理温度５０℃〜３００℃
の範囲においてであり、特に１５０℃〜２５０℃の範囲
においてであることが明らかである。また、図２に示し
たグラフから、熱処理による感度の著しい増加は処理時
間１〜８時間の範囲においてであり、特に１〜４時間の
範囲においてであることが明らかである。
理による感度の著しい増加は処理温度５０℃〜３００℃
の範囲においてであり、特に１５０℃〜２５０℃の範囲
においてであることが明らかである。また、図２に示し
たグラフから、熱処理による感度の著しい増加は処理時
間１〜８時間の範囲においてであり、特に１〜４時間の
範囲においてであることが明らかである。
【００８９】［実施例２３］ 二層二元蒸着
支持体として、順にアルカリ洗浄、純水洗浄、およびＩ
ＰＡ（イソプロピルアルコール）洗浄を施した合成石英
基板を用意し、蒸着装置内の基板ホルダに設置した。実
施例７で作製したＣｓＢｒ蒸発源およびＥｕＢｒx蒸発
源を装置内の所定位置に配置した後、装置内を排気して
１×１０-3Ｐａの真空度とした。このとき、真空排気装
置としてロータリーポンプ、メカニカルブースタ、ター
ボ分子ポンプの組合せを用いた。そして、基板の蒸着面
とは反対側に配置したシーズヒータで、石英基板を２０
０℃に加熱した。次いでまず、ＣｓＢｒ蒸発源に電子銃
で加速電圧４．０ｋＶの電子線を照射して、１０μｍ／
分の速度で２分間ＣｓＢｒ蛍光体母体を堆積させた。次
に、蒸発源それぞれに電子銃で加速電圧４．０ｋＶの電
子線を照射して共蒸着させ、ＣｓＢｒ母体蒸着膜の上に
ＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を堆積させた。このとき、
各々の電子銃のエミッション電流を調整して、輝尽性蛍
光体におけるＥｕ／Ｃｓモル濃度比が０．００５／１と
なるようにし、そして１０μｍ／分の速度で４０分間堆
積させた。蒸着雰囲気中の水分圧は４．０×１０-3Ｐａ
であった。
ＰＡ（イソプロピルアルコール）洗浄を施した合成石英
基板を用意し、蒸着装置内の基板ホルダに設置した。実
施例７で作製したＣｓＢｒ蒸発源およびＥｕＢｒx蒸発
源を装置内の所定位置に配置した後、装置内を排気して
１×１０-3Ｐａの真空度とした。このとき、真空排気装
置としてロータリーポンプ、メカニカルブースタ、ター
ボ分子ポンプの組合せを用いた。そして、基板の蒸着面
とは反対側に配置したシーズヒータで、石英基板を２０
０℃に加熱した。次いでまず、ＣｓＢｒ蒸発源に電子銃
で加速電圧４．０ｋＶの電子線を照射して、１０μｍ／
分の速度で２分間ＣｓＢｒ蛍光体母体を堆積させた。次
に、蒸発源それぞれに電子銃で加速電圧４．０ｋＶの電
子線を照射して共蒸着させ、ＣｓＢｒ母体蒸着膜の上に
ＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を堆積させた。このとき、
各々の電子銃のエミッション電流を調整して、輝尽性蛍
光体におけるＥｕ／Ｃｓモル濃度比が０．００５／１と
なるようにし、そして１０μｍ／分の速度で４０分間堆
積させた。蒸着雰囲気中の水分圧は４．０×１０-3Ｐａ
であった。
【００９０】蒸着終了後、装置内を大気圧に戻し、装置
から石英基板を取り出した。石英基板上には、蛍光体の
柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蒸着膜
（膜厚：約４２０μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）が形
成されていた。蒸着膜を走査型電子顕微鏡で観察、測定
した結果、柱状結晶の平均直径約５μｍ、平均高さ約４
２０μｍ、および平均アスペクト比約６５であった。
から石英基板を取り出した。石英基板上には、蛍光体の
柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蒸着膜
（膜厚：約４２０μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）が形
成されていた。蒸着膜を走査型電子顕微鏡で観察、測定
した結果、柱状結晶の平均直径約５μｍ、平均高さ約４
２０μｍ、および平均アスペクト比約６５であった。
【００９１】次に、この基板をガス導入可能な真空加熱
装置に入れ、ロータリーポンプにより約１Ｐａまで真空
に引いて蒸着膜に吸着している水分等を除去した後、窒
素ガス雰囲気中、２００℃の温度で２時間蒸着膜を熱処
理した。真空下で基板を冷却し、十分に温度が下がった
時点で装置から基板を取り出した。このようにして、支
持体と蛍光体層とからなる本発明に従う放射線像変換パ
ネルを製造した。
装置に入れ、ロータリーポンプにより約１Ｐａまで真空
に引いて蒸着膜に吸着している水分等を除去した後、窒
素ガス雰囲気中、２００℃の温度で２時間蒸着膜を熱処
理した。真空下で基板を冷却し、十分に温度が下がった
時点で装置から基板を取り出した。このようにして、支
持体と蛍光体層とからなる本発明に従う放射線像変換パ
ネルを製造した。
【００９２】［実施例２４〜２８］ 二層二元蒸着
実施例２３において、熱処理温度を５０℃、１００℃、
１５０℃、２５０℃および３００℃にそれぞれ変更した
こと以外は実施例２３と同様にして、本発明に従う各種
の放射線像変換パネルを製造した。
１５０℃、２５０℃および３００℃にそれぞれ変更した
こと以外は実施例２３と同様にして、本発明に従う各種
の放射線像変換パネルを製造した。
【００９３】［比較例１４］ 二層二元蒸着
実施例２３において、蒸着後に熱処理を行わなかったこ
と以外は実施例２３と同様にして、比較のための放射線
像変換パネルを製造した。
と以外は実施例２３と同様にして、比較のための放射線
像変換パネルを製造した。
【００９４】［放射線像変換パネルの性能評価３］得ら
れた各放射線像変換パネルの感度、柱状結晶性および支
持体との接着性について、前記と同様にして評価を行っ
た。また、柱状結晶の平均アスペクト比を測定した。得
られた結果をまとめて表４に示す。
れた各放射線像変換パネルの感度、柱状結晶性および支
持体との接着性について、前記と同様にして評価を行っ
た。また、柱状結晶の平均アスペクト比を測定した。得
られた結果をまとめて表４に示す。
【００９５】
【表４】
【００９６】表４に示した結果から、ＣｓＢｒ：Ｅｕ輝
尽性蛍光体からなる蒸着膜の柱状結晶構造が良好である
ほど、熱処理することによって感度が飛躍的に増加する
ことが明らかである。また、熱処理による感度の著しい
増加は処理温度５０℃〜３００℃の範囲においてであ
り、特に１５０℃〜２５０℃の範囲においてであること
が明らかである
尽性蛍光体からなる蒸着膜の柱状結晶構造が良好である
ほど、熱処理することによって感度が飛躍的に増加する
ことが明らかである。また、熱処理による感度の著しい
増加は処理温度５０℃〜３００℃の範囲においてであ
り、特に１５０℃〜２５０℃の範囲においてであること
が明らかである
【００９７】［実施例２９］ 二元蒸着
実施例７において、支持体としてパターニングした合成
石英基板を用い、そして輝尽性蛍光体におけるＥｕ／Ｃ
ｓモル濃度比が０．００５／１となるように各電子銃の
エミッション電流を調整したこと以外は実施例７と同様
にして、本発明に従う放射線像変換パネルを製造した。
石英基板を用い、そして輝尽性蛍光体におけるＥｕ／Ｃ
ｓモル濃度比が０．００５／１となるように各電子銃の
エミッション電流を調整したこと以外は実施例７と同様
にして、本発明に従う放射線像変換パネルを製造した。
【００９８】図３の（ａ）は、パターニングした合成石
英基板を示す概略上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩ−
Ｉ線に沿った部分拡大断面図である。図３において、各
凸部の直径（φ）＝５μｍ、高さ（ｈ）＝５μｍ、およ
び凸部間の距離（ｄ）＝２μｍである。
英基板を示す概略上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩ−
Ｉ線に沿った部分拡大断面図である。図３において、各
凸部の直径（φ）＝５μｍ、高さ（ｈ）＝５μｍ、およ
び凸部間の距離（ｄ）＝２μｍである。
【００９９】なお、蒸着終了後、石英基板の表面には、
輝尽性蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した
構造の蒸着膜（膜厚：約４００μｍ、面積１０ｃｍ×１
０ｃｍ）が形成され、蒸着膜を走査型電子顕微鏡で観
察、測定した結果、柱状結晶の平均直径約５μｍ、平均
高さ約４００μｍ、および平均アスペクト比約８０であ
った。
輝尽性蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した
構造の蒸着膜（膜厚：約４００μｍ、面積１０ｃｍ×１
０ｃｍ）が形成され、蒸着膜を走査型電子顕微鏡で観
察、測定した結果、柱状結晶の平均直径約５μｍ、平均
高さ約４００μｍ、および平均アスペクト比約８０であ
った。
【０１００】［実施例３０〜３３］ 二元蒸着
実施例２９において、熱処理温度を５０℃、１００℃、
１５０℃および２５０℃にそれぞれ変更したこと以外は
実施例２９と同様にして、本発明に従う各種の放射線像
変換パネルを製造した。
１５０℃および２５０℃にそれぞれ変更したこと以外は
実施例２９と同様にして、本発明に従う各種の放射線像
変換パネルを製造した。
【０１０１】［比較例１５］ 二元蒸着
実施例２９において、蒸着後に熱処理を行わなかったこ
と以外は実施例２９と同様にして、比較のための放射線
像変換パネルを製造した。
と以外は実施例２９と同様にして、比較のための放射線
像変換パネルを製造した。
【０１０２】［比較例１６］ 二元蒸着
実施例２９において、熱処理温度を３５０℃に変更した
こと以外は実施例２９と同様にして、比較のための放射
線像変換パネルを製造した。
こと以外は実施例２９と同様にして、比較のための放射
線像変換パネルを製造した。
【０１０３】［比較例１７］ 二元蒸着
実施例２９において、基板温度を室温に保ったまま蒸着
を行い、かつ熱処理温度を５０℃に変更したこと以外は
実施例２９と同様にして、比較のための放射線像変換パ
ネルを製造した。蒸着後、石英基板上には十分な柱状結
晶構造を持たない蒸着膜が形成されていた。
を行い、かつ熱処理温度を５０℃に変更したこと以外は
実施例２９と同様にして、比較のための放射線像変換パ
ネルを製造した。蒸着後、石英基板上には十分な柱状結
晶構造を持たない蒸着膜が形成されていた。
【０１０４】［実施例３４］ 二元蒸着
実施例２９において、支持体をパターニングした合成石
英基板（φ＝２μｍ、ｈ＝２μｍ、ｄ＝１μｍ）に変更
したこと以外は実施例２９と同様にして、本発明に従う
放射線像変換パネルを製造した。
英基板（φ＝２μｍ、ｈ＝２μｍ、ｄ＝１μｍ）に変更
したこと以外は実施例２９と同様にして、本発明に従う
放射線像変換パネルを製造した。
【０１０５】［比較例１８］ 二元蒸着
実施例３４において、蒸着後に熱処理を行わなかったこ
と以外は実施例３４と同様にして、比較のための放射線
像変換パネルを製造した。
と以外は実施例３４と同様にして、比較のための放射線
像変換パネルを製造した。
【０１０６】［実施例３５］ 二元蒸着
実施例２９において、支持体をパターニングした合成石
英基板（φ＝１０μｍ、ｈ＝１０μｍ、ｄ＝３μｍ）に
変更したこと以外は実施例２９と同様にして、本発明に
従う放射線像変換パネルを製造した。
英基板（φ＝１０μｍ、ｈ＝１０μｍ、ｄ＝３μｍ）に
変更したこと以外は実施例２９と同様にして、本発明に
従う放射線像変換パネルを製造した。
【０１０７】［比較例１９］ 二元蒸着
実施例３５において、蒸着後に熱処理を行わなかったこ
と以外は実施例３５と同様にして、比較のための放射線
像変換パネルを製造した。
と以外は実施例３５と同様にして、比較のための放射線
像変換パネルを製造した。
【０１０８】［放射線像変換パネルの性能評価４］得ら
れた各放射線像変換パネルの感度、柱状結晶性および支
持体との接着性について、前記と同様にして評価を行っ
た。また、柱状結晶の平均アスペクト比を測定した。得
られた結果をまとめて表５に示す。
れた各放射線像変換パネルの感度、柱状結晶性および支
持体との接着性について、前記と同様にして評価を行っ
た。また、柱状結晶の平均アスペクト比を測定した。得
られた結果をまとめて表５に示す。
【０１０９】
【表５】
【０１１０】表５に示した結果から、ＣｓＢｒ：Ｅｕ輝
尽性蛍光体からなる蒸着膜の柱状結晶構造が良好である
ほど、熱処理することによって感度が飛躍的に増加する
ことが明らかである。また、熱処理による感度の著しい
増加は処理温度５０℃〜２５０℃の範囲においてであ
り、特に１００℃〜２５０℃の範囲においてであること
が明らかである
尽性蛍光体からなる蒸着膜の柱状結晶構造が良好である
ほど、熱処理することによって感度が飛躍的に増加する
ことが明らかである。また、熱処理による感度の著しい
増加は処理温度５０℃〜２５０℃の範囲においてであ
り、特に１００℃〜２５０℃の範囲においてであること
が明らかである
【０１１１】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、良好な柱状
結晶構造を有する気相堆積膜を形成した後、この気相堆
積膜を比較的低温の条件下で熱処理することにより、蛍
光体層からの輝尽発光量を顕著に高めて、非常に高感度
の放射線像変換パネルを得ることができる。また、蛍光
体層は柱状結晶性に優れており、この点でも得られたパ
ネルは高画質の放射線画像を与えることができる。よっ
て、医療診断のための放射線画像記録再生方法に適した
高性能の放射線像変換パネルが得られる。
結晶構造を有する気相堆積膜を形成した後、この気相堆
積膜を比較的低温の条件下で熱処理することにより、蛍
光体層からの輝尽発光量を顕著に高めて、非常に高感度
の放射線像変換パネルを得ることができる。また、蛍光
体層は柱状結晶性に優れており、この点でも得られたパ
ネルは高画質の放射線画像を与えることができる。よっ
て、医療診断のための放射線画像記録再生方法に適した
高性能の放射線像変換パネルが得られる。
【図１】蒸着膜の熱処理温度と、得られた放射線像変換
パネルとの感度との関係を表わすグラフである。
パネルとの感度との関係を表わすグラフである。
【図２】蒸着膜の熱処理時間と、得られた放射線像変換
パネルとの感度との関係を表わすグラフである。
パネルとの感度との関係を表わすグラフである。
【図３】（ａ）は、パターニングした合成石英基板を示
す概略上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線に沿っ
た部分拡大断面図である。
す概略上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線に沿っ
た部分拡大断面図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2G083 AA03 BB01 CC03 DD01 DD02
DD11 DD14 DD15 EE02
4H001 CA02 CA08 XA00 XA03 XA04
XA09 XA11 XA12 XA17 XA19
XA20 XA21 XA35 XA37 XA38
XA39 XA53 XA55 XA56 YA63
Claims (10)
- 【請求項１】 基本組成式（Ｉ）を有するユーロピウム
付活臭化セシウム系輝尽性蛍光体からなる層を、気相堆
積法により基板上に形成する工程を含む放射線像変換パ
ネルの製造方法において、基板上に該輝尽性蛍光体の柱
状結晶からなる気相堆積膜を形成した後、該気相堆積膜
を５０℃以上、３００℃未満の温度にて、不活性ガス雰
囲気中もしくは少量の酸素ガス又は水素ガスを含む不活
性ガス雰囲気中で、１乃至８時間熱処理することを特徴
とする放射線像変換パネルの製造方法。 ＣｓＢｒ・ａＭIＸ・ｂＭIIＸ’2・ｃＭIIIＸ”3：ｚＥｕ ‥‥（Ｉ） ［ただし、ＭIはＬｉ、Ｎａ、Ｋ及びＲｂからなる群よ
り選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し；ＭII
はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及
びＣｄからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカ
リ土類金属又は二価金属を表し；ＭIIIはＳｃ、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ
及びＩｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土
類元素又は三価金属を表し；Ｘ、Ｘ’及びＸ”はそれぞ
れ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少な
くとも一種のハロゲンを表し；そしてａ、ｂ、ｃ及びｚ
はそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０≦ｃ
＜０．５、０＜ｚ＜１．０の範囲内の数値を表す］ - 【請求項２】 気相堆積膜における輝尽性蛍光体の柱状
結晶の直径が１乃至１０μｍの範囲にあり、高さが１０
乃至１０００μｍの範囲にあり、そしてアスペクト比が
１０乃至１０００の範囲にある請求項１に記載の放射線
像変換パネルの製造方法。 - 【請求項３】 基本組成式（Ｉ）において、ｚが、０．
００１≦ｚ≦０．０１の範囲内の数値を表す請求項１ま
たは２に記載の放射線像変換パネルの製造方法。 - 【請求項４】 気相堆積膜の熱処理を５０℃乃至２８０
℃の温度で行なう請求項１乃至３のうちのいずれかの項
に記載の放射線像変換パネルの製造方法。 - 【請求項５】 気相堆積膜の熱処理を１５０℃乃至２５
０℃の温度で行なう請求項４に記載の放射線像変換パネ
ルの製造方法。 - 【請求項６】 蒸着法により基板上に輝尽性蛍光体の蒸
着膜を形成する請求項１乃至５のうちのいずれかの項に
記載の放射線像変換パネルの製造方法。 - 【請求項７】 基板を５０℃乃至３００℃の温度に加熱
しながら蒸着を行う請求項６に記載の放射線像変換パネ
ルの製造方法。 - 【請求項８】 基板を１００℃乃至２９０℃の温度に加
熱しながら蒸着を行う請求項７に記載の放射線像変換パ
ネルの製造方法。 - 【請求項９】 蒸発源として、少なくとも輝尽性蛍光体
の母体成分である臭化セシウムを含む蒸発源と、付活剤
成分であるユーロピウム化合物を含む蒸発源とを用いて
多元蒸着を行う請求項６乃至８のうちのいずれかの項に
記載の放射線像変換パネルの製造方法。 - 【請求項１０】 輝尽性蛍光体の母体からなる蒸着膜を
形成した後、該蒸着膜の上に該蛍光体からなる蒸着膜を
積層する請求項６乃至９のうちのいずれかの項に記載の
放射線像変換パネルの製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002086653A JP3827298B2 (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 放射線像変換パネルの製造方法 |
| US10/395,223 US6852357B2 (en) | 2002-03-26 | 2003-03-25 | Process for preparing radiation image storage panel by gas phase deposition |
| EP03006759A EP1355322A3 (en) | 2002-03-26 | 2003-03-25 | Process for preparing radiation image storage panel by gas phase deposition |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP2003279696A true JP2003279696A (ja) | 2003-10-02 |
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| EP (1) | EP1355322A3 (ja) |
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| US7262421B2 (en) | 2004-09-24 | 2007-08-28 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Production method of radiation image conversion panel |
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| JP2017526755A (ja) * | 2014-07-03 | 2017-09-14 | アグフア・ヘルスケア・ナームローゼ・フエンノートシヤツプ | ユウロピウムをドープしたセシウムブロモヨージドシンチレーターおよび改善された変換効率を有する検出器 |
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