JP2005099780A - 放射線像変換パネルおよび放射線画像情報読取方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 感度および鮮鋭度の向上した放射線像変換パネルおよび放射線画像情報読取方法を提供する。
【解決手段】 放射線像変換パネルに放射線を照射したのち励起半値幅５０μｍの励起光で励起したときに、該変換パネルから発せられる発光光の発光幅ｄが１５０乃至３９５μｍの範囲にある、気相堆積法により形成された蓄積性蛍光体層を有する放射線像変換パネルは、ラインスキャン読取方法において、主走査方向の画素サイズＤ（μｍ）が２５≦Ｄ≦４００かつ０．５≦ｄ／Ｄ≦４を満足する光検出手段を用いる放射線画像情報読取方法により、高い感度で鮮鋭度の高い放射線再生画像を与える。
【選択図】 図１

Description

本発明は、蓄積性蛍光体を利用する放射線画像記録再生方法に用いられる放射線像変換パネル、および該放射線像変換パネルに記録蓄積された放射線画像情報を読み取る方法に関するものである。

Ｘ線などの放射線が照射されると、放射線エネルギーの一部を吸収蓄積し、そののち可視光線や赤外線などの電磁波（励起光）の照射を受けると、蓄積した放射線エネルギーに応じて発光を示す性質を有する蓄積性蛍光体（輝尽発光を示す輝尽性蛍光体等）を利用して、この蓄積性蛍光体を含有するシート状の放射線像変換パネルに、被検体を透過したあるいは被検体から発せられた放射線を照射して被検体の放射線画像情報を一旦蓄積記録した後、この放射線像変換パネルにレーザ光などの励起光を走査して順次発光光として放出させ、そしてこの発光光を光電的に読み取って画像信号を得ることからなる、放射線画像記録再生方法が広く実用に供されている。読み取りを終えた放射線像変換パネルは、残存する放射線エネルギーの消去が行われた後、次の撮影のために備えられて繰り返し使用される。

放射線画像記録再生方法に用いられる放射線像変換パネル（蓄積性蛍光体シートともいう）は、基本構造として、支持体とその上に設けられた蛍光体層とからなる。ただし、蛍光体層が自己支持性である場合には必ずしも支持体を必要としない。また、蛍光体層の上面（支持体に面していない側の面）には通常、保護層が設けられていて、蛍光体層を化学的な変質あるいは物理的な衝撃から保護している。

蛍光体層としては、蓄積性蛍光体とこれを分散状態で含有支持する結合剤とからなるもの、気相堆積法や焼結法によって形成される結合剤を含まないで蓄積性蛍光体の凝集体のみから構成されるもの、および蓄積性蛍光体の凝集体の間隙に高分子物質が含浸されているものなどが知られている。

また、上記放射線画像記録再生方法の別の態様として特許文献１には、従来の蓄積性蛍光体における放射線吸収機能とエネルギー蓄積機能とを分離して、少なくとも蓄積性蛍光体（エネルギー蓄積用蛍光体）を含有する放射線像変換パネルと、放射線を吸収して紫外乃至可視領域に発光を示す蛍光体（放射線吸収用蛍光体）を含有する蛍光スクリーンとの組合せを用いる放射線画像形成方法が提案されている。この方法は、被検体を透過などした放射線をまず、該蛍光スクリーンまたは変換パネルの放射線吸収用蛍光体により紫外乃至可視領域の光に変換した後、その光を変換パネルのエネルギー蓄積用蛍光体にて放射線画像情報として蓄積記録する。次いで、この変換パネルに励起光を走査して発光光を放出させ、この発光光を光電的に読み取って画像信号を得るものである。

放射線画像記録再生方法（および放射線画像形成方法）は上述したように数々の優れた利点を有する方法であるが、この方法に用いられる放射線像変換パネルにあっても、できる限り高感度であってかつ画質（鮮鋭度、粒状性など）の良好な画像を与えるものであることが望まれている。

感度および画質を高めることを目的として、放射線像変換パネルの蛍光体層を気相堆積法により形成する方法が提案されている。気相堆積法には蒸着法やスパッタ法、化学蒸着（ＣＶＤ）法などがあり、例えば蒸着法は、蛍光体またはその原料からなる蒸発源を抵抗加熱器や電子線の照射により加熱して蒸発源を蒸発、飛散させ、金属シートなどの基板表面にその蒸発物を堆積させることにより、蛍光体の柱状結晶からなる蛍光体層を形成するものである。

気相堆積法により形成された蛍光体層は、結合剤を含有せず、蛍光体のみからなり、蛍光体の柱状結晶と柱状結晶の間には空隙が存在する。このため、励起光の進入効率や発光光の取出し効率を上げることができるので高感度であり、また励起光の平面方向への散乱を防ぐことができるので高鮮鋭度の画像を得ることができる。

一方、放射線像変換パネルから放射線画像情報を読み取る方法として、ラインスキャン読取方法が提案されている。この読取方法によれば、発光光の読取時間の短縮、装置の小型化およびコストの低減を図ることができる。特許文献２には、ラインスキャン読取方法に用いられる放射線画像情報読取装置が開示され、読取装置は、変換パネルに線状の励起光を照射するライン光源、放射線像変換パネルの線状に照射された部分から発光された輝尽発光光を受光して光電変換を行う輝尽発光光検出手段、ライン光源および輝尽発光光検出手段と変換パネルの一方を他方に対して相対的に、照射部分の長さ方向（主走査方向）と異なる方向（副走査方向）に移動させる走査手段、および輝尽発光光検出手段の出力を移動に応じて読み取る読取手段を備え、そして輝尽発光光検出手段の受光部の該長さ方向と直交する方向（通常は、副走査方向に等しい）の幅が、輝尽発光光の広がり光の光量の３０％までを受光可能な幅以上で、かつ該光量の９０％までを受光可能な幅以下に規定されている。また、特許文献２の輝尽発光光の広がりと広がり光量の分布率との関係を表すグラフには、この読取装置に掛けられる放射線像変換パネルから発せられる輝尽発光光の発光幅（半値全幅）は約４００μｍであることが示されている。

特開２００１−２５５６１０号公報 特開２００１−３５０２３０号公報

本発明は、感度および鮮鋭度の向上した放射線像変換パネルを提供することにある。また、本発明は、高画質の放射線画像を与える放射線画像情報読取方法を提供することにもある。

本発明者は、気相堆積法により形成した蛍光体層を有する放射線像変換パネルについて検討を重ねた結果、放射線像変換パネルから発せられる発光光を検出するためのラインスキャン読取用の画素分割された光検出手段に、医療診断に要求される画素サイズを設定したときに、放射線像変換パネルからの発光光には、検出感度と画像鮮鋭度の両方を高めることができる特定の範囲の発光幅が存在することを見い出し、本発明に到達したものである。また、この放射線像変換パネルから放射線画像情報を読み取る場合に、光検出手段の主走査方向の画素サイズを特定の範囲に設定したときに高画質の放射線画像が得られることを見い出し、本発明に至ったものである。

本発明は、気相堆積法により形成された蓄積性蛍光体層を有する放射線像変換パネルであって、該放射線像変換パネルの蓄積性蛍光体層に放射線を照射したのち、励起半値幅５０μｍの励起光で励起したときに、該放射線像変換パネルの蓄積性蛍光体層から発せられる発光光の発光幅ｄが１５０乃至３９５μｍの範囲にあることを特徴とする放射線像変換パネルにある。

本発明において、発光光の発光幅とは、放射線像変換パネルにＸ線を照射したのち励起光を励起幅約５０μｍで、放射線像変換パネル面の法線に対して約１５度の角度で照射したときに、変換パネルから発せられる発光光を、放射線像変換パネル面の法線に対して垂直に位置するセルフォックレンズアレイで結像し、発光光を透過して励起光はカットする光学フィルタを通し、そして画素サイズ約７μｍで画素数約８００×８００の二次元ＣＣＤセンサアレイで検出して、発光プロファイルを求め、その発光プロファイルから決定した発光光の半値全幅を意味する。

また、本発明は、放射線画像（放射線画像情報）が記録蓄積された前記本発明の放射線像変換パネル、該変換パネルに線状の励起光を照射する励起手段、及び該放射線像変換パネルの表面及び／又は裏面の近傍に配置された、正立等倍光学系を備え、パネル照射部分からの発光光を受光して光電変換を行う画素に分割され、該照射部分の直線パターン方向の画素サイズＤ（μｍ）が２５≦Ｄ≦４００かつ０．５≦ｄ／Ｄ≦４を満足する光検出手段を用意し、該励起手段と光検出手段とを、該変換パネルの平面方向に該変換パネルに対して相対的に移動させながら、該変換パネルの表面に励起光を、該移動方向と異なる方向に延びる線状に照射し、該変換パネルの励起光照射部分及び／又は照射部分の裏面から発せられる発光光を、正立等倍光学系を通して該光検出手段で受光して光電変換により電気信号を出力させ、そして該電気信号と、該変換パネルと光検出手段との間の相対的な移動を示す信号とから、放射線画像を電気的画像信号として得ることからなる放射線画像（放射線画像情報）読取方法にもある。

発光幅が特定の範囲にある本発明の放射線像変換パネルは、高感度であって、かつ高鮮鋭度の放射線画像を与え、従って医療診断に適したバランスの良い性能を示す放射線像変換パネルである。また、光検出手段の画素サイズを特定の範囲に設定して行う本発明の放射線画像読取方法は、高感度であってかつ高画質の放射線再生画像を与える。

本発明の放射線像変換パネルにおいて、蓄積性蛍光体は、次に示す基本組成式（Ｉ）を有するアルカリ金属ハロゲン化物系の輝尽性蛍光体であることが好ましい。基本組成式（Ｉ）においてＭ^IはＣｓであって、ＸはＢｒであり、ＡはＥｕであり、そしてｚは１×１０^-4≦ｚ≦０．１の範囲内の数値であることが好ましい。

Ｍ^IＸ・ａＭ^IIＸ’₂・ｂＭ^IIIＸ”₃：ｚＡ ‥‥（Ｉ）

［ただし、Ｍ^IはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し；Ｍ^IIはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し；Ｍ^IIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表し；Ｘ、Ｘ’及びＸ”はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表し；ＡはＹ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｌ及びＢｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は金属を表し；そしてａ、ｂ及びｚはそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ＜１．０の範囲内の数値を表す］

本発明の放射線画像情報読取方法において、光検出手段は、複数の光電変換素子を線状に配列してなるラインセンサであることが好ましい。また、光検出手段の各画素は１個の光電変換素子から構成されることが好ましい。

以下に、本発明の放射線像変換パネルについて、添付図面を参照しながら詳細に述べる。

本発明の放射線像変換パネルは、気相堆積法により形成された蓄積性蛍光体からなる層を有し、そしてこの変換パネルから発せられる発光光の発光幅ｄが１５０乃至３８０μｍの範囲にある。発光幅（半値全幅）ｄは、図１に示すような発光プロファイルから決定することができる。

図１は、発光分布幅と発光強度の関係を表すグラフ、すなわち発光プロファイルの一例である。図１の発光プロファイルは、次の方法を利用して求めたものである。支持体上に蒸着法により形成されたＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体の層からなる放射線像変換パネルに、管電圧８０ｋＶｐのＸ線（線量１００ｍＲ）を照射する。続いて、半導体レーザ光（波長：６６０ｎｍ）をレンズにより５０μｍの励起半値幅に集光した後、図２に示すように、このレーザ光Ｊを変換パネル１０の表面（蛍光体層側）にその法線ａに対して角度ｂ＝約１５度で照射したときに、変換パネル１０から発せられる発光光Ｋを、法線ａに対して垂直（パネル１０に対して平行）に位置したセルフォックレンズアレイ１１で結像し、発光光を透過して励起光のみカットする光学フィルタ（B410、HOYA製）１２を通し、そして画素サイズ約７μｍで画素数約８００×８００の二次元ＣＣＤセンサアレイ１３で検出して、発光プロファイルを求める。

本発明において、上記発光幅（半値全幅）ｄが１５０乃至３９５μｍ（好ましくは、１５０乃至３８０μｍ、更に好ましくは２９０乃至３８０μｍ）の範囲にあるとき、放射線像変換パネルは感度および鮮鋭度が共に高い。

図３は、蒸着法により形成されたＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体層を有する各種の放射線像変換パネル（後述の実施例）について、輝尽発光光を検出するための光検出手段の画素サイズを医療診断に要求される一般的な画素サイズである２００μｍとしたときの、上記発光幅ｄと得られた輝尽発光量（相対値）との関係を示すグラフである。図３のグラフから、発光幅ｄが１５０〜６００μｍの範囲にあるときに輝尽発光量、すなわち感度が高いことが分かる。

図４は、上記放射線像変換パネル（実施例）について、光検出手段の画素サイズを同じく２００μｍとしたときの、上記発光幅ｄと得られた放射線画像の変調伝達関数（ＭＴＦ）との関係を示すグラフである。図４のグラフから、発光幅ｄが３９５μｍ以下（特に３８０μｍ以下）であるときにＭＴＦ、すなわち鮮鋭度が高いことが分かる。

次に、本発明の放射線像変換パネルを製造する方法について、気相堆積法として抵抗加熱方式による蒸着法を用いる場合を例にとって詳細に述べる。抵抗加熱方式は、中程度の真空度で蒸着を行うことができ、柱状結晶の良好な蒸着膜を容易に得られる利点がある。

蒸着膜形成のための基板は通常、放射線像変換パネルの支持体を兼ねており、従来の放射線像変換パネルの支持体として公知の材料から任意に選ぶことができるが、好ましい基板は、石英ガラスシート、サファイアガラスシート；アルミニウム、鉄、スズ、クロムなどからなる金属シート；アラミドなどからなる樹脂シートである。特に好ましいのはアルミニウム基板である。公知の放射線像変換パネルにおいて、パネルとしての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒状性）を向上させるために、二酸化チタンなどの光反射性物質からなる光反射層、もしくはカーボンブラックなどの光吸収性物質からなる光吸収層などを設けることが知られている。本発明で用いられる基板についても、これらの各種の層を任意に設けることができ、それらの構成は所望の放射線像変換パネルの目的、用途などに応じて任意に選択することができる。さらに、蒸着膜の柱状結晶性を高める目的で、基板の蒸着膜が形成される側の表面（基板の表面に下塗層（接着性付与層）、光反射層あるいは光吸収層などの補助層が設けられている場合には、それらの補助層の表面であってもよい）には微小な凹凸が形成されていてもよい。

蓄積性蛍光体は、波長が４００〜９００ｎｍの範囲の励起光の照射により、３００〜５００ｎｍの波長範囲に輝尽発光を示す輝尽性蛍光体が好ましい。

なかでも、基本組成式（Ｉ）：

Ｍ^IＸ・ａＭ^IIＸ’₂・ｂＭ^IIIＸ”₃：ｚＡ ‥‥（Ｉ）

で代表されるアルカリ金属ハロゲン化物系輝尽性蛍光体は特に好ましい。ただし、Ｍ^IはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し、Ｍ^IIはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し、Ｍ^IIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表し、そしてＡはＹ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｌ及びＢｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は金属を表す。Ｘ、Ｘ’およびＸ”はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表す。ａ、ｂおよびｚはそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ＜１．０の範囲内の数値を表す。

上記基本組成式（Ｉ）において、ｚは１×１０^-4≦ｚ≦０．１の範囲内にあることが好ましい。Ｍ^Iとしては少なくともＣｓを含んでいることが好ましい。Ｘとしては少なくともＢｒを含んでいることが好ましい。ＡとしてはＥｕ又はＢｉであることが好ましく、そして特に好ましくはＥｕである。また、基本組成式（Ｉ）には、必要に応じて、酸化アルミニウム、二酸化珪素、酸化ジルコニウムなどの金属酸化物を添加物として、Ｍ^IＸ１モルに対して、０．５モル以下の量で加えてもよい。

また、基本組成式（II）：

Ｍ^IIＦＸ：ｚＬｎ ‥‥（II）

で代表される希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体も好ましい。ただし、Ｍ^IIはＢａ、Ｓｒ及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属を表し、ＬｎはＣｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表す。Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表す。ｚは、０＜ｚ≦０．２の範囲内の数値を表す。

上記基本組成式（II）中のＭ^IIとしては、Ｂａが半分以上を占めることが好ましい。Ｌｎとしては、特にＥｕ又はＣｅであることが好ましい。また、基本組成式（II）では表記上Ｆ：Ｘ＝１：１のように見えるが、これはＢａＦＸ型の結晶構造を持つことを示すものであり、最終的な組成物の化学量論的組成を示すものではない。一般に、ＢａＦＸ結晶においてＸ^-イオンの空格子点であるＦ⁺（Ｘ^-）中心が多く生成された状態が、６００〜７００ｎｍの光に対する輝尽効率を高める上で好ましい。このとき、ＦはＸよりもやや過剰にあることが多い。

なお、基本組成式（II）では省略されているが、必要に応じて下記のような添加物を一種もしくは二種以上を基本組成式（II）に加えてもよい。

ｂＡ， ｗＮ^I， ｘＮ^II， ｙＮ^III

ただし、ＡはＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂及びＺｒＯ₂などの金属酸化物を表す。Ｍ^IIＦＸ粒子同士の焼結を防止する上では、一次粒子の平均粒径が０．１μｍ以下の超微粒子でＭ^IIＦＸとの反応性が低いものを用いることが好ましい。Ｎ^Iは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属の化合物を表し、Ｎ^IIは、Ｍｇ及び／又はＢｅからなるアルカリ土類金属の化合物を表し、Ｎ^IIIは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ及びＬｕからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属の化合物を表す。これらの金属化合物としてはハロゲン化物を用いることが好ましいが、それらに限定されるものではない。

また、ｂ、ｗ、ｘ及びｙはそれぞれ、Ｍ^IIＦＸのモル数を１としたときの仕込み添加量であり、０≦ｂ≦０．５、０≦ｗ≦２、０≦ｘ≦０．３、０≦ｙ≦０．３の各範囲内の数値を表す。これらの数値は、焼成やその後の洗浄処理によって減量する添加物に関しては最終的な組成物に含まれる元素比を表しているわけではない。また、上記化合物には最終的な組成物において添加されたままの化合物として残留するものもあれば、Ｍ^IIＦＸと反応する、あるいは取り込まれてしまうものもある。

その他、上記基本組成式（II）には必要に応じて、Ｚｎ及びＣｄ化合物；ＴｉＯ₂、ＢｅＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｙ₂Ｏ₃、Ｌａ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂、ＳｎＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｈＯ₂等の金属酸化物；Ｚｒ及びＳｃ化合物；Ｂ化合物；Ａｓ及びＳｉ化合物；テトラフルオロホウ酸化合物；ヘキサフルオロケイ酸、ヘキサフルオロチタン酸、及びヘキサフルオロジルコニウム酸の１価又は２価の塩からなるヘキサフルオロ化合物；Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉなどの遷移金属の化合物などを添加してもよい。さらに、本発明においては上述した添加物を含む蛍光体に限らず、基本的に希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体とみなされる組成を有するものであれば如何なるものであってもよい。

基本組成式（III）：

Ｍ^IIＳ：Ａ，Ｓｍ ‥‥（III）

で代表される希土類付活アルカリ土類金属硫化物系輝尽性蛍光体も好ましい。ただし、Ｍ^IIはＭｇ、Ｃａ及びＳｒからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属を表す。Ａは、Ｅｕ及び／又はＣｅを表す。

基本組成式（IV）：

Ｍ^IIIＯＸ：Ｃｅ ‥‥（IV）

で代表されるセリウム付活三価金属酸化ハロゲン化物系の輝尽性蛍光体も好ましい。ただし、Ｍ^IIIはＰｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＢｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表す。Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表す。

多元蒸着（共蒸着）により蒸着膜を形成する場合には、蒸発源として、上記蓄積性蛍光体の母体成分を含むものと付活剤成分を含むものからなる少なくとも二個の蒸発源を用意する。多元蒸着は、蛍光体の母体成分と付活剤成分の融点や蒸気圧が大きく異なる場合に、その蒸発速度を各々制御して蛍光体母体中に付活剤を均一に含有させることができるので好ましい。各蒸発源は、所望とする蓄積性蛍光体の組成に応じて、蛍光体の母体成分および付活剤成分それぞれのみから構成されていてもよいし、添加物成分などとの混合物であってもよい。また、蒸発源は二個に限定されるものではなく、例えば別に添加物成分などからなる蒸発源を加えて三個以上としてもよい。

蛍光体の母体成分は、母体を構成する化合物それ自体であってもよいし、あるいは反応して母体化合物となりうる二以上の原料の混合物であってもよい。また、付活剤成分は、一般には付活剤元素を含む化合物であり、例えば付活剤元素のハロゲン化物や酸化物が用いられる。

付活剤がＥｕである場合に、付活剤成分のＥｕ化合物におけるＥｕ²⁺化合物のモル比が７０％以上であることが好ましい。一般に、Ｅｕ化合物にはＥｕ²⁺とＥｕ³⁺が混合して含まれているが、所望とする輝尽発光（あるいは瞬時発光であっても）はＥｕ²⁺を付活剤とする蛍光体から発せられるからである。Ｅｕ化合物はＥｕＸ_m（Ｘはハロゲン）であることが好ましく、その場合には、ｍは２．０≦ｍ≦２．３の範囲内の数値であることが好ましい。ｍは、２．０であることが望ましいが、２．０に近づけようとすると酸素が混入しやすくなる。よって、実際にはｍは２．２付近でＸの比率が比較的高い状態が安定している。

蒸発源は、その含水量が０．５重量％以下であることが好ましい。蒸発源となる蛍光体母体成分や付活剤成分が、例えばＥｕＢｒ、ＣｓＢｒのように吸湿性である場合には特に、含水量をこのような低い値に抑えることは突沸防止などの点から重要である。蒸発源の脱水は、上記の各蛍光体成分を減圧下で１００〜３００℃の温度範囲で加熱処理することにより行うことが好ましい。あるいは、各蛍光体成分を窒素ガス雰囲気などの水分を含まない雰囲気中で、該成分の融点以上の温度で数十分乃至数時間加熱溶融してもよい。

さらに、本発明において、蒸発源、特に蛍光体母体成分を含む蒸発源は、アルカリ金属不純物（蛍光体の構成元素以外アルカリ金属）の含有量が１０ｐｐｍ以下であって、そしてアルカリ土類金属不純物（蛍光体の構成元素以外のアルカリ土類金属）の含有量が５ｐｐｍ（重量）以下であることが望ましい。とりわけ、蛍光体が前記基本組成式（Ｉ）を有するアルカリ金属ハロゲン化物系輝尽性蛍光体である場合には望ましい。このような蒸発源は、アルカリ金属やアルカリ土類金属など不純物の含有量の少ない原料を使用することにより調製することができる。

上記複数の蒸発源および基板を蒸着装置内に配置し、装置内を排気して０．０５〜１０Ｐａ程度の中真空度とする。前記発光幅ｄを狭くするためには、真空度は低い方が好ましく、よって０．０５〜５Ｐａの真空度にすることが好ましい。更に好ましくは、装置内を排気して１×１０^-5〜１×１０^-2Ｐａ程度の高真空度とした後、Ａｒガス、Ｎｅガス、Ｎ₂ガスなどの不活性ガスを導入して上記中真空度にする。これにより、装置内の水分圧や酸素分圧等を下げることができる。排気装置としては、ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、ディフュージョンポンプ、メカニカルブースタ等を適宜組み合わせて用いることができる。

次に、各抵抗加熱器に電流を流すことにより蒸発源を加熱する。蒸発源である蓄積性蛍光体の母体成分や付活剤成分等は加熱されて蒸発、飛散し、そして反応を生じて蛍光体を形成するとともに基板表面に堆積する。このとき、基板のサイズ等によっても異なるが、各蒸発源と基板との距離は一般に１０乃至１０００ｍｍの範囲にある。前記発光幅ｄを狭くするためには、蒸発源と基板との距離は小さい方が好ましく、よって５０乃至５００ｍｍの範囲にあることが好ましい。また、各蒸発源間の距離は一般に１０乃至１０００ｍｍの範囲にある。また、基板を加熱してもよいし、あるいは冷却してもよい。基板温度は、一般には２０乃至３５０℃の範囲にある。前記発光幅ｄを狭くするためには、基板温度は低い方が好ましく、よって２０乃至２５０℃の範囲にあることが好ましい。各蒸発源の蒸着速度は、加熱器の抵抗電流などを調整することにより制御することができる。蛍光体の堆積する速度、すなわち蒸着速度は、一般には０．１乃至１０００μｍ／分の範囲にあり、好ましくは１乃至１００μｍ／分の範囲にある。

なお、抵抗加熱器による加熱を複数回に分けて行って二層以上の蛍光体層を形成することもできる。また、蒸着終了後に蒸着膜を熱処理（アニール処理）してもよい。熱処理は、一般には１００℃乃至３００℃の温度で０．５乃至３時間かけて行い、好ましくは１５０℃乃至２５０℃の温度で０．５乃至２時間かけて行う。熱処理雰囲気としては、不活性ガス雰囲気、もしくは少量の酸素ガス又は水素ガスを含む不活性ガス雰囲気が用いられる。

上記蛍光体からなる蒸着膜を形成するに先立って、蛍光体母体化合物のみからなる蒸着膜を形成してもよい。この母体化合物の蒸着膜は、一般に柱状結晶構造または球状結晶の凝集体からなり、この上に形成される蛍光体蒸着膜の柱状結晶性をより一層良好にすることができる。同時に、母体化合物の蒸着膜は光反射層としても機能して蛍光体層表面から取り出される発光量を増加させることができる。さらに、母体化合物の蒸着膜の相対密度が８０乃至９８％の範囲にある場合には、応力緩和層としても機能して支持体と蛍光体層との接着性を高めることができる。なお、蒸着時の基板加熱および／または蒸着後の熱処理によっては、蛍光体蒸着膜中の付活剤など添加物が母体化合物蒸着膜中に拡散するために両者の境界は必ずしも明確ではないこともある。

一元蒸着の場合には、蒸発源として蛍光体自体または蛍光体原料混合物を用いてこれを単一の抵抗加熱器で加熱する。蒸発源は予め、所望の濃度の付活剤を含有するように調製する。もしくは、蛍光体母体成分と付活剤成分との蒸気圧差を考慮して、蒸発源に蛍光体の母体成分を補給しながら蒸着を行うことも可能である。

このようにして、蓄積性蛍光体の柱状結晶がほぼ厚み方向に成長した蛍光体層が得られる。蛍光体層は、結合剤を含有せず、蛍光体のみからなり、蛍光体の柱状結晶と柱状結晶の間には空隙が存在する。

放射線像変換パネルから発せられる発光光の発光幅ｄは一般に、蓄積性蛍光体層の層厚が薄いほど狭く、また密度が低いほど狭い。発光幅の狭い蛍光体層の形成は、例えば蒸着の際に基板温度を低くする、装置内の真空度を低くする（ガス圧を高くする）、蒸発源と基板との距離を小さくすることなどにより実施することができる。蛍光体層の層厚は、目的とする放射線像変換パネルの特性、蒸着法の実施手段や条件などによっても異なるが、好ましくは１３０μｍ〜８００μｍの範囲にある。蓄積性蛍光体層の充填率は８０乃至９０％の範囲にあることが好ましく、また密度は３．６乃至４．０ｇ／ｃｍ³の範囲にあることが好ましい。

本発明に用いられる気相堆積法は、上記の抵抗加熱方式による蒸着法に限定されるものではなく、電子線照射方式による蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法など公知の各種の方法を利用することができる。

なお、基板は必ずしも放射線像変換パネルの支持体を兼ねる必要はなく、蛍光体層形成後、蛍光体層を基板から引き剥がし、別に用意した支持体上に接着剤を用いるなどして接合して、支持体上に蛍光体層を設ける方法を利用してもよい。あるいは、蛍光体層に支持体（基板）が付設されていなくてもよい。

蛍光体層の表面には、放射線像変換パネルの搬送および取扱い上の便宜や特性変化の回避のために、保護層を設けることが望ましい。保護層は、励起光の入射や発光光の出射に殆ど影響を与えないように、透明であることが望ましく、また外部から与えられる物理的衝撃や化学的影響から放射線像変換パネルを充分に保護することができるように、化学的に安定で防湿性が高く、かつ高い物理的強度を持つことが望ましい。

保護層としては、セルロース誘導体、ポリメチルメタクリレート、有機溶媒可溶性フッ素系樹脂などのような透明な有機高分子物質を適当な溶媒に溶解して調製した溶液を蛍光体層の上に塗布することで形成されたもの、あるいはポリエチレンテレフタレートなどの有機高分子フィルムや透明なガラス板などの保護層形成用シートを別に形成して蛍光体層の表面に適当な接着剤を用いて設けたもの、あるいは無機化合物を蒸着などによって蛍光体層上に成膜したものなどが用いられる。また、保護層中には酸化マグネシウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、アルミナ等の光散乱性微粒子、パーフルオロオレフィン樹脂粉末、シリコーン樹脂粉末等の滑り剤、およびポリイソシアネート等の架橋剤など各種の添加剤が分散含有されていてもよい。保護層の層厚は一般に、高分子物質からなる場合には約０．１〜２０μｍの範囲にあり、ガラス等の無機化合物からなる場合には１００〜１０００μｍの範囲にある。

保護層の表面にはさらに、保護層の耐汚染性を高めるためにフッ素樹脂塗布層を設けてもよい。フッ素樹脂塗布層は、フッ素樹脂を有機溶媒に溶解（または分散）させて調製したフッ素樹脂溶液を保護層の表面に塗布し、乾燥することにより形成することができる。フッ素樹脂は単独で使用してもよいが、通常はフッ素樹脂と膜形成性の高い樹脂との混合物として使用する。また、ポリシロキサン骨格を持つオリゴマーあるいはパーフルオロアルキル基を持つオリゴマーを併用することもできる。フッ素樹脂塗布層には、干渉むらを低減させて更に放射線画像の画質を向上させるために、微粒子フィラーを充填することもできる。フッ素樹脂塗布層の層厚は通常は０．５μｍ乃至２０μｍの範囲にある。フッ素樹脂塗布層の形成に際しては、架橋剤、硬膜剤、黄変防止剤などのような添加成分を用いることができる。特に架橋剤の添加は、フッ素樹脂塗布層の耐久性の向上に有利である。

上述のようにして本発明の放射線像変換パネルが得られるが、本発明のパネルの構成は、公知の各種のバリエーションを含むものであってもよい。例えば、画像の鮮鋭度を向上させることを目的として、上記の少なくともいずれかの層を励起光を吸収し発光光は吸収しないような着色剤によって着色してもよい。

次に、本発明の放射線画像情報読取方法について、図面を参照しながら説明する。
図５は、本発明の方法に用いられる放射線画像情報読取装置の例を示す構成図であり、図６は、図５のＩ−Ｉ線に沿った断面図であり、そして図７は、ラインセンサ２８の詳細を示す図である。

図５及び図６において、放射線像変換パネル２０は、支持体と気相堆積法によりその上に形成された蓄積性蛍光体層とからなり、変換パネルから発せられる発光光の発光幅ｄが１５０〜３９５μｍの範囲にあり、そして被検体を透過したＸ線等の放射線が照射されるなどして被検体の放射線画像情報が蓄積記録されている。走査ベルト４０上に蓄積性蛍光体層側を上にして載置された放射線像変換パネル２０は、走査ベルト４０が矢印Ｙ方向に移動することにより矢印Ｙ方向に搬送される。従って、変換パネル２０の搬送速度はベルト４０の移動速度に等しく、ベルト４０の移動速度は画像情報読取手段３０に入力される。あるいは、ベルト４０の移動速度は予め決められていて、画像情報読取手段３０に記録されている。

一方、ブロードエリアレーザ（以下、ＢＬＤという）２１から、放射線像変換パネル２０の表面に対して略平行に線状に発せられた励起光Ｌは、その光路上に設けられたシリンドリカルレンズ２２により集光され、変換パネル２０に対して４５度の角度で傾けて配置された、励起光を反射し発光光を透過するように設定されてなるダイクロイックミラー２４により反射されて、変換パネル２０表面に対して垂直に入射する方向に進行し、屈折率分布形レンズアレイ（多数の屈折率分布形レンズが配列されてなるレンズであり、以下、第一のセルフォックレンズアレイという）２５により、変換パネル２０上に矢印Ｘ方向に沿って延びる線状に集光される。励起光Ｌの変換パネル２０上におけるビーム幅は、一般に１０〜２００μｍの範囲にある。また、変換パネル２０上の励起光Ｌにより照射された部分の長さは、変換パネル２０の一辺よりも長いかまたは同等であることが望ましい。

変換パネル２０に垂直に入射した線状の励起光Ｌの励起により、変換パネル２０の集光域およびその近傍から、蓄積記録されている放射線画像情報に応じた強度の発光光Ｍが発せられる。この発光光Ｍは、第一のセルフォックレンズアレイ２５により平行光束とされ、ダイクロイックミラー２４を透過し、第二のセルフォックレンズアレイ２６により、励起光Ｌの集光域の真上に配置されたラインセンサ２８を構成する各光電変換素子２９の受光面に集光される。すなわち、変換パネル２０上の像は１対１の大きさで素子２９の受光面に結像する。

ラインセンサ２８は、図７に示すように、矢印Ｘ方向に沿って多数（例えば１０００個以上）の光電変換素子２９が直線状に配列された構成を有する。光電変換素子２９としては具体的には、アモルファスシリコンセンサ、ＣＣＤセンサ、バックイルミネータ付きのＣＣＤ、ＭＯＳイメージセンサ等を用いることができ、各素子が一画素に対応している。各素子は例えば、２００μｍ×２００μｍ程度の大きさの受光面を有している。

本発明においては、画質の点から、ラインセンサの一画素の矢印Ｘ方向（主走査方向）におけるサイズＤ（μｍ）は、２５≦Ｄ≦４００であって、かつ前記発光幅ｄに対して０．５≦ｄ／Ｄ≦４を満足する。図７に示したラインセンサ２８では、各光電変換素子２９の受光面の矢印Ｘ方向の大きさが画素サイズＤに相当し、上記の関係式を満足する。なお、一画素（すなわち、各素子２９の受光面）の矢印Ｙ方向（副走査方向）におけるサイズ（μｍ）も同様であることが好ましい。

ラインセンサ２８を励起光Ｌの集光域の真上に配置することにより、ほぼ垂直方向に出射する発光光Ｍを効率良く集光することができる。光電変換素子２９は受光面積が小さいので、とりわけ集光効率の向上が著しい。

なおこの際、第二のセルフォックレンズアレイ２６を透過した発光光Ｍに僅かに混在する、変換パネル２０表面で反射した励起光Ｌは、励起光をカットし発光光を透過する励起光カットフィルタ２７によりカットされる。

各光電変換素子２９により受光された発光光Ｍは光電変換され、そして光電変換して得られた各信号Ｓは、画像情報読取手段３０に入力される。画像情報読取手段２０にて各信号Ｓは、走査ベルト４０の移動速度に基づき、変換パネル２０の部位に対応して演算処理され、画像データとして画像処理装置（図示なし）に出力される。

なお、本発明に用いる放射線画像情報読取装置は、図５〜図７に示した態様に限定されるものではなく、光源、光源と放射線像変換パネルとの間の集光光学系、放射線像変換パネルとラインセンサとの間の光学系、およびラインセンサはそれぞれ、公知の種々の構成を採用することができる。

ラインセンサは、矢印Ｙ方向に光電変換素子が一列だけ配列されたもののみならず、複数列で配列されたものであってもよい。そして、各素子の受光面の大きさ、および所望とする画素サイズに応じて、複数個の素子が一画素に対応していてもよい。

ライン光源は、光源自体がライン状であってもよく、蛍光灯、冷陰極蛍光灯、ＬＥＤ（発光ダイオード）アレイなども用いることができる。ライン光源から発せられる励起光は、連続的に出射するものであってもよいし、あるいは出射と停止を繰り返すパルス光であってもよい。ノイズ低減の観点からは、高出力のパルス光であることが好ましい。

放射線像変換パネルを移動させる方向は、ライン光源およびラインセンサの長さ方向に略直交する方向であることが望ましいが、例えば放射線像変換パネルの略全面にわたって均一に励起光を照射することができる範囲内で、長さ方向から外れた斜め方向やジグザグ状に方向を変化させて移動させてもよい。

また、上記態様では励起光Ｌの光路と発光光Ｍの光路とが一部分重複するような構成として、装置のコンパクト化を図ったが、励起光Ｌの光路と発光光Ｍの光路が全く異なる構成を採用してもよい。

さらに、上記態様では放射線像変換パネルを移動させて読み取りを行なう構成であったが、変換パネルを静置してライン光源とラインセンサを変換パネル表面に沿って移動させる構成を採用してもよい。また、変換パネルの支持体が光透過性である場合には、ラインセンサを変換パネルの表面のみならず変換パネルの裏面にも配置して、変換パネルの表裏両面から発光光を検出することもできる。あるいは、変換パネルの裏面からのみ発光光を検出してもよい。

あるいはまた、画像情報読取手段から出力された画像データ信号に対して種々の信号処理を施す画像処理装置を更に備えた構成や、読み取り終了後の変換パネルになお残存する放射線エネルギーを適切に放出させるための消去手段を更に備えた構成を採用することもできる。

［実施例１］
（１）蒸発源
蒸発源として、純度４Ｎ以上の臭化セシウム（ＣｓＢｒ）粉末、及び純度３Ｎ以上の臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ_m、ｍ≒２．２）粉末を用意した。各粉末中の微量元素をＩＣＰ−ＭＳ法（誘導結合高周波プラズマ分光分析−質量分析法）により分析した結果、ＣｓＢｒ中のＣｓ以外のアルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ）は各々１０ｐｐｍ以下であり、アルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）など他の元素は２ｐｐｍ以下であった。また、ＥｕＢｒ_m中のＥｕ以外の希土類元素は各々２０ｐｐｍ以下であり、他の元素は１０ｐｐｍ以下であった。これらの粉末は、吸湿性が高いので露点−２０℃以下の乾燥雰囲気を保ったデシケータ内で保管し、使用直前に取り出すようにした。

（２）蛍光体層の形成
支持体として、順にアルカリ洗浄、純水洗浄、およびＩＰＡ（イソプロピルアルコール）洗浄を施した合成石英基板を用意し、蒸着装置内の基板ホルダーに設置した。上記ＣｓＢｒ蒸発源およびＥｕＢｒ_m蒸発源を装置内の坩堝容器に充填した後、装置内を排気して１×１０^-3Ｐａの真空度とした。このとき、真空排気装置としてロータリーポンプ、メカニカルブースターおよびターボ分子ポンプの組合せを用いた。その後、装置内にＡｒガス（純度５Ｎ）を導入して、Ａｒガス圧を０．８Ｐａにした。各蒸発源と基板の間の距離は２００ｍｍであった。基板の蒸着とは反対側に位置したシーズヒータで、基板を１００℃に加熱した。蒸発源それぞれを抵抗加熱器で加熱して、基板の表面にＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を１０μｍ／分の速度で１５分間蒸着（堆積）させた。その際、加熱器の抵抗電流を調整して、輝尽性蛍光体におけるＥｕ／Ｃｓモル濃度比が０．００３／１となるように制御した。ＣｓＢｒの蒸着開始とＥｕＢｒの蒸着開始は、坩堝のシャッタの開閉によって制御した。終了後、装置内を大気圧に戻し、装置から基板を取り出した。基板上には、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蓄積性蛍光体層（層厚：２００μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）が形成されていた。このようにして、共蒸着により支持体と蓄積性蛍光体層とからなる本発明の放射線像変換パネルを製造した。

［実施例２〜７］
実施例１の（２）蛍光体層の形成において、表１に示すように蒸着時間を変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例１の放射線像変換パネルとは蓄積性蛍光体層の層厚が異なる各種の放射線像変換パネルを製造した。

［実施例８］
実施例１の（２）蛍光体層の形成において、Ａｒガスの分圧を０．５Ｐａに、基板温度を３０℃に、そして蒸着時間を４５分間に変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例１の放射線像変換パネルとは蓄積性蛍光体層の層厚が異なる放射線像変換パネルを製造した。

［実施例９］
実施例１の（２）蛍光体層の形成において、Ａｒガスの分圧を０．５Ｐａに、基板温度を６０℃に、そして蒸着時間を６０分間に変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例１の放射線像変換パネルとは蓄積性蛍光体層の層厚と密度とが異なる放射線像変換パネルを製造した。

［実施例１０］
実施例１の（２）蛍光体層の形成において、Ａｒガスの分圧を１Ｐａに、基板温度を６０℃に、そして蒸着時間を５０分間に変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例１の放射線像変換パネルとは蓄積性蛍光体層の層厚と密度とが異なる放射線像変換パネルを製造した。

［比較例１、２］
実施例１の（２）蛍光体層の形成において、蒸着時間を表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例１の放射線像変換パネルとは蓄積性蛍光体層の層厚が異なる放射線像変換パネルを製造した。

［比較例３］
実施例１の（２）蛍光体層の形成において、Ａｒガスの分圧を０．５Ｐａにしたこと、および蒸着時間を３０分間に変えたこと以外は実施例１と同様にして、実施例１の放射線像変換パネルとは層厚と密度とが異なる放射線像変換パネルを製造した。

［比較例４］
実施例１の（２）蛍光体層の形成において、Ａｒガスの分圧を１×１０^-3Ｐａにしたこと、そして蒸着時間を５０分間に変えたこと以外は実施例１と同様にして、実施例１の放射線像変換パネルとは蓄積性蛍光体層の層厚と密度とが異なる放射線像変換パネルを製造した。

［比較例５］
実施例１の（２）蛍光体層の形成において、Ａｒガスの分圧を２Ｐａに変更し、基板温度を３０℃に変更し、そして蒸着時間を６０分間に変えたこと以外は実施例１と同様にして、実施例１の放射線像変換パネルとは蓄積性蛍光体層の層厚と密度とが異なる放射線像変換パネルを製造した。

［放射線像変換パネルの性能評価］
得られた各放射線像変換パネルについて、蓄積性蛍光体層の密度と充填率を測定し、また変換パネルの発光幅ｄを前述したようにして求めた。感度および鮮鋭度の評価を以下のようにして行った。

（１）感度
放射線像変換パネルを室内光を遮蔽可能なカセッテに収納し、これに管電圧８０ｋＶｐ、管電流１６ｍＡのＸ線を照射した。次いで、パネルをカセッテから取り出した後、図５〜図７に示した読取装置（励起光：ブロードエリアレーザ光（波長：６６０ｎｍ）、ビーム幅（励起半値幅）：５０μｍ、ＣＣＤの受光面の大きさ＝画素サイズＤ：約２００μｍ）を用いて、変換パネルから放出される輝尽発光光を検出し、その発光量（相対値）により感度を評価した。

（２）鮮鋭度（ＭＴＦ）
放射線像変換パネルにＣＴＦチャートを介して上記Ｘ線を照射した後、上記と同様にして画像データを得、得られた画像データを画像再生装置により画像フィルムとして出力し、この出力フィルムから空間周波数毎の強度を測定し、空間周波数１ｃ／ｍｍにおける変調伝達関数ＭＴＦを算出した。
得られた結果をまとめて表１に示す。

表１の結果から、発光幅ｄが１５０〜３９５μｍ（特に１５０〜３８０μｍ）の範囲にある本発明の放射線像変換パネル（実施例１〜８）は、発光幅が広い放射線像変換パネル（比較例４）に比べて、顕著に高感度であり、そして高鮮鋭度の画像を与えることが明らかである。また、発光幅が１５０μｍ未満の狭い放射線像変換パネル（比較例１、２）や、逆に発光幅が５００μｍと広い放射線像変換パネル（比較例３、５）と比較して、本発明の放射線像変換パネルは高い感度を示すのみならず、鮮鋭度の高い画像を与えることが分る。

本発明の放射線像変換パネルの発光プロファイルの例を示すグラフである。 発光幅ｄを決定するための発光光の検出手段を示す概略断面図である。 放射線像変換パネルの発光幅ｄと輝尽発光量との関係を示すグラフである。 放射線像変換パネルの発光幅ｄとＭＴＦとの関係を示すグラフである。 本発明の方法に用いられる放射線画像情報読取装置の例を示す構成図である。 図５に示した放射線画像情報読取装置のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。 ラインセンサ２８の詳細を示す図である。

符号の説明

ａ 法線
ｂ 角度
ｄ 放射線像変換パネルの発光幅
Ｊ レーザ光
Ｋ 発光光
１０ 放射線像変換パネル
１１ セルフォックレンズアレイ
１２ 励起光のみカットする光学フィルタ
１３ 二次元ＣＣＤセンサアレイ
２０ 放射線像変換パネル
２１ ブロードエリアレーザ（ＢＬＤ）
２２ シリンドリカルレンズ
２４ ダイクロイックミラー
２５、２６ セルフォックレンズアレイ
２７ 励起光カットフィルタ
２８ ラインセンサ
２９ 光電変換素子
３０ 画像情報読取手段
４０ 走査ベルト
Ｌ 励起光
Ｍ 発光光
Ｓ 信号

Claims (9)

1. 気相堆積法により形成された蓄積性蛍光体層を有する放射線像変換パネルであって、該放射線像変換パネルの蓄積性蛍光体層に放射線を照射したのち、励起半値幅５０μｍの励起光で励起したときに、該放射線像変換パネルの蓄積性蛍光体層から発せられる発光光の発光幅ｄが１５０乃至３９５μｍの範囲にあることを特徴とする放射線像変換パネル。
2. 上記発光光の発光幅ｄが２９０〜３８０μｍの範囲にある請求項１に記載の放射線像変換パネル。
3. 上記蓄積性蛍光体層の充填率が８０乃至９０％の範囲にあり、かつ層厚が１３０乃至８００μｍの間にある請求項１もしくは２に記載の放射線像変換パネル。
4. 蓄積性蛍光体が、基本組成式（Ｉ）：
   
   Ｍ^IＸ・ａＭ^IIＸ’₂・ｂＭ^IIIＸ”₃：ｚＡ ‥‥（Ｉ）
   
   ［ただし、Ｍ^IはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し；Ｍ^IIはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し；Ｍ^IIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表し；Ｘ、Ｘ’及びＸ”はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表し；ＡはＹ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｌ及びＢｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は金属を表し；そしてａ、ｂ及びｚはそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ＜１．０の範囲内の数値を表す］
   を有するアルカリ金属ハロゲン化物系輝尽性蛍光体である請求項１に記載の放射線像変換パネル。
5. 基本組成式（Ｉ）においてＭ^IがＣｓであり、ＸがＢｒであり、ＡがＥｕであり、そしてｚが１×１０^-4≦ｚ≦０．１の範囲内の数値である請求項４に記載の放射線像変換パネル。
6. 上記蓄積性蛍光体層の密度が３．６乃至４．０ｇ／ｃｍ³の範囲にあり、かつ層厚が１３０乃至８００μｍの間にある請求項５に記載の放射線像変換パネル。
7. 放射線画像が記録蓄積された請求項１乃至６のいずれかの項に記載の放射線像変換パネル、該変換パネルに線状の励起光を照射する励起手段、及び該放射線像変換パネルの表面及び／又は裏面の近傍に配置された、正立等倍光学系を備え、パネル照射部分からの発光光を受光して光電変換を行う画素に分割され、該照射部分の直線パターン方向の画素サイズＤ（μｍ）が２５≦Ｄ≦４００かつ０．５≦ｄ／Ｄ≦４を満足する光検出手段を用意し、該励起手段と光検出手段とを、該変換パネルの平面方向に該変換パネルに対して相対的に移動させながら、該変換パネルの表面に励起光を、該移動方向と異なる方向に延びる線状に照射し、該変換パネルの励起光照射部分及び／又は照射部分の裏面から発せられる発光光を、正立等倍光学系を通して該光検出手段で受光して光電変換により電気信号を出力させ、そして該電気信号と、該変換パネルと光検出手段との間の相対的な移動を示す信号とから、放射線画像を電気的画像信号として得ることからなる放射線画像読取方法。
8. 光検出手段が、複数の光電変換素子を直線状に配列してなるラインセンサである請求項７に記載の放射線画像情報読取方法。
9. 光検出手段の各画素のそれぞれが一個の光電変換素子から構成される請求項８に記載の放射線画像情報読取方法。
   

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