DE102011083420A1 - Strahlungsdetektor - Google Patents
Strahlungsdetektor Download PDFInfo
- Publication number
- DE102011083420A1 DE102011083420A1 DE102011083420A DE102011083420A DE102011083420A1 DE 102011083420 A1 DE102011083420 A1 DE 102011083420A1 DE 102011083420 A DE102011083420 A DE 102011083420A DE 102011083420 A DE102011083420 A DE 102011083420A DE 102011083420 A1 DE102011083420 A1 DE 102011083420A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- scintillator
- radiation detector
- protective layer
- radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 39
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 22
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 3
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
- C09K11/615—Halogenides
- C09K11/616—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20183—Arrangements for preventing or correcting crosstalk, e.g. optical or electrical arrangements for correcting crosstalk
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20188—Auxiliary details, e.g. casings or cooling
- G01T1/20189—Damping or insulation against damage, e.g. caused by heat or pressure
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/244—Auxiliary details, e.g. casings, cooling, damping or insulation against damage by, e.g. heat, pressure or the like
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft einen Strahlungsdetektor mit einem Fotodiodenarray (1), auf das eine Szintillatorschicht (2) mit nadelförmigen Kristallen (3) aufgebracht ist, wobei die Szintillatorschicht (2) auf zumindest einem der einfallenden Strahlung zugewandten Abschnitt der Oberfläche mit einer Schutzschicht (5) versehen ist, und wobei die Schutzschicht (5) nur auf der Oberfläche der Szintillatorschicht (2) angeordnet ist. Ein derartiger Strahlungsdetektor weist verbesserte optische Eigenschaften auf.
Description
- Die Erfindung betrifft einen Strahlungsdetektor mit einem Fotodiodenarray, auf das eine Szintillatorschicht mit nadelförmigen Kristallen aufgebracht ist.
- Ein derartiger Strahlungsdetektor ist beispielsweise als digitaler Röntgendetektor (Flachbilddetektor, Flat Panel Detector) ausgeführt und wird in Kombination mit einer aktiven Matrix (zweidimensionale, pixelierte Fotosensoren) verwendet, die in eine Vielzahl von Pixel-Ausleseeinheiten mit Fotosensoren unterteilt ist. Die auftreffende Röntgenstrahlung wird zunächst in der Szintillatorschicht in sichtbares Licht umgewandelt, das von den Fotosensoren in elektrische Ladung umgewandelt und ortsaufgelöst gespeichert wird. Diese sogenannte indirekte Konversion ist beispielsweise in dem Aufsatz von M. Spahn et al. "Flachbilddetektoren in der Röntgendiagnostik" in "Der Radiologe 43 (2003)", Seiten 340 bis 350, beschrieben.
- Übliche Szintillatorschichten bestehen beispielsweise aus CsI:Tl (Cäsiumiodid, mit Thallium dotiert), CsI:Na (Cäsiumiodid, mit Natrium dotiert), NaI:Tl (Natriumiodid, mit Thallium dotiert) oder ähnlichen Materialien, die Alkali-Halogenide enthalten, wobei CsI sich besonders gut als Szintillatormaterial eignet, da es nadelförmig aufgebracht werden kann. Durch die nadelförmige Struktur des Cäsiumiodids erhält man trotz hoher Schichtdicke, die eine optimale Absorption der Röntgenstrahlung sicherstellt, eine gute Ortsauflösung des Röntgenbildes. Insbesondere Cäsiumiodid ist stark hygroskopisch und absorbiert deshalb Wasserdampf aus der Luft und löst sich auf. Dies hat eine Verschlechterung der Materialeigenschaften, insbesondere der Auflösung, zur Folge. Cäsiumiodid und auch andere Szintillatormaterialien müssen deshalb durch wenigstens eine Schutzschicht ausreichend vor Feuchtigkeit geschützt werden (Kapselung der Szintillatorschicht).
- Aus der
EP 1 134 596 B1 ist ein Strahlungsdetektor bekannt, bei dem auf einem isolierenden Substrat (z.B. aus Glas) Lichtaufnahmeeinrichtungen angeordnet sind, die von Fotodioden oder Dünnfilmtransistoren gebildet sind. Zwischen dem Substrat und den Lichtaufnahmeeinrichtungen ist eine isolierende Passivierungsschicht angeordnet, auf die eine Szintillatorschicht mit nadelförmigen Kristallen aufgebracht ist. Die Szintillatorschicht ist durch eine Schutzschicht aus Parylen vor Feuchtigkeit geschützt. Die durch chemische Gasphasenabscheidung (CPD) aufgebrachte Schutzschicht gelangt in direkten Kontakt mit der Szintillatorschicht und dichtet diese dadurch vollständig ab, wobei in die Zwischenräume der nadelförmigen Kristalle, zumindest in den oberen Bereichen, Parylen eindringt. - Weiterhin ist der
EP 1 300 692 B1 ein Strahlungsdetektor beschrieben, bei dem eine Szintillatorschicht direkt auf einem Fotosensor, z.B. auf einem CCD-Sensor, aufgebracht ist. Der Fotosensor dient somit als Substrat für die Szintillatorschicht. Die Szintillatorschicht ist durch eine im CVD Verfahren aufgebrachte Schutzschicht aus Parylen vor Feuchtigkeit geschützt. Die Schutzschicht gelangt wiederum in direkten Kontakt mit der Szintillatorschicht und dichtet diese vollständig ab, wobei in die Zwischenräume der nadelförmigen Kristalle ebenfalls zumindest teilweise Parylen eindringt. - Dadurch, dass sowohl bei dem aus der
EP 1 134 596 B1 bekannten Strahlungsdetektor als auch bei dem Strahlungsdetektor gemäß derEP 1 300 692 B1 in die Zwischenräume der nadelförmigen Kristalle das Material der Schutzschicht zumindest teilweise eindringt, koppelt sich das im Szintillator erzeugte Licht zumindest teilweise aus den nadelförmigen Kristallen aus und koppelt anschließend undefiniert in die benachbarten nadelförmigen Kristalle ein (im Folgenden als "optischer Kurzschluss" bezeichnet). Damit wird die Lichtleiterfunktion der einzelnen nadelförmigen Kristalle beeinträchtigt, wodurch sich die Auflösung der Szintillatorschicht und damit die optischen Eigenschaften des Strahlungsdetektors entsprechend verringern. - Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Strahlungsdetektor zu schaffen, der verbesserte optische Eigenschaften aufweist.
- Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Strahlungsdetektor gemäß Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Strahlungsdetektors sind jeweils Gegenstand von weiteren Ansprüchen.
- Der Strahlungsdetektor nach Anspruch 1 umfasst ein Fotodiodenarray, auf das eine Szintillatorschicht mit nadelförmigen Kristallen aufgebracht ist, wobei die Szintillatorschicht auf zumindest einem der einfallenden Strahlung zugewandten Abschnitt der Oberfläche mit einer Schutzschicht versehen ist, und wobei die Schutzschicht nur auf der Oberfläche der Szintillatorschicht angeordnet ist.
- Dadurch, dass die Schutzschicht, die die Szintillatorschicht gegen Feuchtigkeit schützt, erfindungsgemäß nur auf der Oberfläche der Szintillatorschicht angeordnet ist, werden die von den nadelförmigen Kristallen innerhalb der Szintillatorschicht gebildeten Zwischenräume nicht von dem Material der Schutzschicht befüllt.
- "Optische Kurzschlüsse", also das Auskoppeln des in der Szintillatorschicht erzeugten Lichts aus den nadelförmigen Kristallen und ein anschließendes undefiniertes Einkoppeln in die benachbarten nadelförmigen Kristalle, werden dadurch verhindert. Da die Zwischenräume erhalten bleiben, wird die Lichtleiterfunktion der einzelnen nadelförmigen Kristalle durch das Aufbringen der Schutzschicht auf die Szintillatorschicht nicht beeinträchtigt. Der Strahlungsdetektor gemäß Anspruch 1 weist damit im Vergleich zu den bekannten Strahlungsdetektoren verbesserte optische Eigenschaften auf.
- Bei einer Ausgestaltung des Strahlungsdetektors gemäß Anspruch 2 ist die der einfallenden Strahlung zugewandte Oberfläche der Szintillatorschicht vollständig mit einer Schutzschicht versehen. Dadurch wird der Schutz der Szintillatorschicht vor Feuchtigkeit verbessert.
- Eine weitere Verbesserung des Schutzes der Szintillatorschicht vor Feuchtigkeit wird gemäß einer Ausführungsform nach Anspruch 3 dadurch erreicht, dass alle freiliegenden Oberflächen der Szintillatorschicht, also die der einfallenden Strahlung zugewandte Oberfläche sowie alle seitlichen Oberflächen der Szintillatorschicht, vollständig mit einer Schutzschicht versehen sind.
- Bei einem Strahlungsdetektor gemäß Anspruch 4, bei dem die Schutzschicht eine Klebeschicht umfasst, die auf der Oberfläche der Szintillatorschicht aufgebracht ist, wird auf eine besonders einfache und zuverlässige Weise vermieden, dass bei der Herstellung des Strahlungsdetektors in die von den nadelförmigen Kristallen innerhalb der Szintillatorschicht gebildeten Zwischenräume Material der Schutzschicht eindringt.
- Auf diese Klebeschicht ist gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform nach Anspruch 5 eine Barriereschicht aufgebracht. Die Schutzschicht umfasst somit neben der Klebeschicht eine Barriereschicht, wobei die Barriereschicht nach dem Aufbringen der Klebeschicht auf diese aufgebracht wurde. Die Verwendung einer Klebeschicht erlaubt für die Barriereschicht verschiedene Alternativen. So kann die Barriereschicht gemäß einer bevorzugten Ausführungsform nach Anspruch 6 beispielsweise als Schutzfolie ausgebildet sein. Gemäß vorteilhafter Alternativen nach Anspruch 7 bzw. 8 ist die Barriereschicht mittels einer chemischen Gasphasenabscheidung (Chemical Vapour Deposition, CVD) oder mittels einer physikalischen Gasphasenabscheidung (Physical Vapour Deposition, PVD) aufgebracht.
- Nachfolgend wird der Herstellprozess für ein bevorzugtes, schematisch dargestelltes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Strahlungsdetektors anhand der Zeichnung näher erläutert, ohne jedoch darauf beschränkt zu sein. Es zeigen, jeweils in Schnittdarstellung:
-
1 ein als Substrat dienendes Fotodiodenarray, -
2 das Fotodiodenarray gemäß1 mit einer Szintillatorschicht, -
3 die Szintillatorschicht gemäß2 mit einer Klebeschicht, -
4 der komplette Strahlungsdetektor. - In
1 ist ein Fotodiodenarray1 dargestellt, das beispielsweise als TFT-Panel ausgebildet ist, also als aktive Matrix aus amorphem Silizium, wobei jedes Pixel aus einer Fotodiode und einem TFT-Schaltelement (TFT Thin Film Transistor) zur Ansteuerung des betreffenden Pixels besteht. Ein derartiges Fotodiodenarray1 weist eine Schichtdicke von typisch 0,5 mm bis 1,0 mm auf. - Auf das Fotodiodenarray
1 wird in einem ersten Fertigungsschritt eine Szintillatorschicht2 mit nadelförmigen Kristallen3 aufgebracht. Ein besonders bevorzugtes Material für die Szintillatorschicht2 ist CsI:Tl (Cäsiumiodid, mit Thallium dotiert), da es nadelförmig aufgebracht werden kann. Aufgrund der nadelförmigen Struktur der Szintillatorschicht2 bilden sich zwischen den nadelförmigen Kristallen3 Zwischenräume4 . Die nadelförmigen Kristalle3 sind also, wie in2 dargestellt, zueinander beabstandet, so dass die einzelnen nadelförmigen Kristalle3 eine Lichtleiterfunktion ausüben. Die Szintillatorschicht2 ist typischerweise etwa 100 µm bis 1.000 µm dick. - Die Szintillatorschicht
2 weist erfindungsgemäß auf wenigstens einem Abschnitt der Oberfläche, der der einfallenden Strahlung (z.B. Röntgenstrahlung) zugewandt ist, eine Schutzschicht5 auf. - Bei dem in
3 und4 gezeigten Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Strahlungsdetektors sind in besonders vorteilhafter Weise alle freiliegenden Oberflächen der Szintillatorschicht2 vollständig mit einer Schutzschicht5 versehen. Man erhält dadurch für die Szintillatorschicht2 einen besonders guten Schutz vor Feuchtigkeit. - Die Schutzschicht
5 ist erfindungsgemäß nur auf der Oberfläche der Szintillatorschicht2 angeordnet. "Optische Kurzschlüsse", also das Auskoppeln des in der Szintillatorschicht2 erzeugten Lichts aus den nadelförmigen Kristallen3 und ein anschließendes undefiniertes Einkoppeln in die benachbarten nadelförmigen Kristalle3 , werden dadurch verhindert. Da die Zwischenräume4 erhalten bleiben, wird die Lichtleiterfunktion der einzelnen nadelförmigen Kristalle3 durch das Aufbringen der Schutzschicht5 auf die Szintillatorschicht2 nicht beeinträchtigt. Der in3 und4 dargestellte Strahlungsdetektor weist damit im Vergleich zu den bekannten Strahlungsdetektoren verbesserte optische Eigenschaften auf. - Die Schutzschicht
5 umfasst im dargestellten Ausführungsbeispiel eine Klebeschicht6 , die auf der Oberfläche der Szintillatorschicht2 aufgebracht ist und eine Schichtdicke von typisch 25 µm bis 100 µm aufweist. - Auf die Klebeschicht
6 ist vorteilhafterweise eine Barriereschicht7 (z.B. aus Aluminium) mit einer Dicke von ca. 100 µm aufgebracht. - Die Schutzschicht
5 umfasst somit neben der Klebeschicht6 eine Barriereschicht7 , wobei die Barriereschicht7 nach dem Aufbringen der Klebeschicht6 auf diese aufgebracht wurde. - Die Verwendung einer Klebeschicht
6 erlaubt für die Barriereschicht7 verschiedene Alternativen. So kann die Barriereschicht7 beispielsweise als Schutzfolie ausgebildet sein. Alternativ kann die Barriereschicht7 jedoch auch mittels einer chemischen Gasphasenabscheidung (oder mittels einer physikalischen Gasphasenabscheidung aufgebracht werden. Im dargestellten Ausführungsbeispiel ist die Barriereschicht7 als Schutzfolie ausgeführt. - Die Klebeschicht
6 wird vorzugsweise in einem sogenannten "Tape" zur Verfügung gestellt. Das Tape umfasst eine Trägerfolie, mit der die Klebeschicht6 über ihre Oberseite verbunden ist. Die Unterseite der Klebeschicht6 ist mit einer Abdeckfolie geschützt. Die Trägerfolie und die Abdeckfolie besitzen beispielsweise jeweils eine Schichtdicke von mindestens ca. 100 µm. - Vor dem Aufbringen der Klebeschicht
6 auf die Szintillatorschicht2 wird die Abdeckfolie vom Tape entfernt. Anschließend wird das verbleibende Tape (Klebeschicht mit Trägerfolie) auf die Szintillatorschicht2 auflaminiert. Die Klebeschicht6 ist damit auf der Szintillatorschicht2 aufgebracht, ohne dass Material in die von den nadelförmigen Kristallen3 gebildeten Zwischenräume4 eindringt. Nach dem darauffolgenden Abziehen der Trägerfolie vom verbleibenden Tape ist das Aufbringen der Klebeschicht6 auf die Szintillatorschicht2 abgeschlossen. Es kann nunmehr die Barriereschicht7 , die bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel als Schutzfolie ausgeführt ist, auf die Klebeschicht6 auflaminiert werden. - Obwohl die Erfindung im Detail durch das bevorzugte Ausführungsbeispiel näher illustriert und beschrieben ist, so ist die Erfindung nicht durch das in der Zeichnung dargestellte Ausführungsbeispiel eingeschränkt. Vielmehr können vom Fachmann hieraus auch andere Varianten der erfindungsgemäßen Lösung abgeleitet werden, ohne hierbei den zugrunde liegenden Erfindungsgedanken zu verlassen.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- EP 1134596 B1 [0004, 0006]
- EP 1300692 B1 [0005, 0006]
- Zitierte Nicht-Patentliteratur
-
- M. Spahn et al. "Flachbilddetektoren in der Röntgendiagnostik" in "Der Radiologe 43 (2003)", Seiten 340 bis 350 [0002]
Claims (8)
- Strahlungsdetektor mit einem Fotodiodenarray (
1 ), auf das eine Szintillatorschicht (2 ) mit nadelförmigen Kristallen (3 ) aufgebracht ist, wobei die Szintillatorschicht (2 ) auf zumindest einem der einfallenden Strahlung zugewandten Abschnitt der Oberfläche mit einer Schutzschicht (5 ) versehen ist, und wobei die Schutzschicht (5 ) nur auf der Oberfläche der Szintillatorschicht (2 ) angeordnet ist. - Strahlungsdetektor nach Anspruch 1, bei dem die der einfallenden Strahlung zugewandte Oberfläche der Szintillatorschicht (
2 ) vollständig mit einer Schutzschicht (5 ) versehen ist. - Strahlungsdetektor nach Anspruch 1 oder 2, bei dem alle freiliegenden Oberflächen der Szintillatorschicht (
2 ) vollständig mit einer Schutzschicht (5 ) versehen sind. - Strahlungsdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Schutzschicht (
5 ) eine Klebeschicht (6 ) umfasst, die auf der Oberfläche der Szintillatorschicht (2 ) aufgebracht ist. - Strahlungsdetektor nach Anspruch 4, bei dem die Schutzschicht (
5 ) eine Barriereschicht (7 ) umfasst, die auf der Klebeschicht (6 ) aufgebracht ist. - Strahlungsdetektor nach Anspruch 5, bei dem die Barriereschicht als Schutzfolie (
7 ) ausgebildet ist. - Strahlungsdetektor nach Anspruch 5, bei dem die Barriereschicht mittels einer chemischen Gasphasenabscheidung aufgebracht ist.
- Strahlungsdetektor nach Anspruch 5, bei dem die Barriereschicht mittels einer physikalischen Gasphasenabscheidung aufgebracht ist.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102011083420A DE102011083420A1 (de) | 2011-09-26 | 2011-09-26 | Strahlungsdetektor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102011083420A DE102011083420A1 (de) | 2011-09-26 | 2011-09-26 | Strahlungsdetektor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102011083420A1 true DE102011083420A1 (de) | 2013-03-28 |
Family
ID=47827697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102011083420A Ceased DE102011083420A1 (de) | 2011-09-26 | 2011-09-26 | Strahlungsdetektor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE102011083420A1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102014217580A1 (de) * | 2014-09-03 | 2016-03-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Szintillatorplatte und Verfahren zu deren Herstellung |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1134596B1 (de) | 1997-02-14 | 2003-08-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Strahlungsdetektor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| EP1300692B1 (de) | 2000-05-19 | 2007-08-08 | Hamamatsu Photonics K. K. | Strahlungsdetektor und verfahren zu seiner herstellung |
| US7446330B2 (en) * | 2004-09-29 | 2008-11-04 | Fujifilm Corporation | Phosphor panel |
-
2011
- 2011-09-26 DE DE102011083420A patent/DE102011083420A1/de not_active Ceased
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1134596B1 (de) | 1997-02-14 | 2003-08-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Strahlungsdetektor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| EP1300692B1 (de) | 2000-05-19 | 2007-08-08 | Hamamatsu Photonics K. K. | Strahlungsdetektor und verfahren zu seiner herstellung |
| US7446330B2 (en) * | 2004-09-29 | 2008-11-04 | Fujifilm Corporation | Phosphor panel |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| M. Spahn et al. "Flachbilddetektoren in der Röntgendiagnostik" in "Der Radiologe 43 (2003)", Seiten 340 bis 350 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102014217580A1 (de) * | 2014-09-03 | 2016-03-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Szintillatorplatte und Verfahren zu deren Herstellung |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE60024644T2 (de) | Szintillatorpanel und strahlungsbildsensor | |
| DE69926769T2 (de) | Szintillatorpanel, strahlungsbildsensor und verfahren zu deren herstellung | |
| DE69934126T2 (de) | Strahlungsbildsensor | |
| DE69935199T2 (de) | Robuste abdeck-platte für strahlungsabbildung | |
| DE69803344T2 (de) | Vorrichtung zum nachweis von strahlung und verfahren zu ihrer herstellung | |
| DE69218856T2 (de) | Festkörperstrahlungsdetektor mit einer reflektierenden und einer schützenden Beschichtung | |
| DE69817035T2 (de) | Strahlungsdetektor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| WO2007131844A1 (de) | Szintillatorplatte | |
| DE69927522T2 (de) | Strahlungsbildsensor und verfahren zu dessen herstellung | |
| DE10300137A1 (de) | Verbesserte Scintillatordichtung für einen Festkörper-Röntgenstrahldetektor | |
| DE102006038969B4 (de) | Röntgenkonverterelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE112014003002T5 (de) | Röntgenbildwandler mit CMOS-Sensor, eingebettet in einem TFT-Panel | |
| DE102010004890A1 (de) | Photodiodenarray, Strahlendetektor und Verfahren zur Herstellung eines solchen Photodiodenarrays und eines solchen Strahlendetektors | |
| DE19934768A1 (de) | Detektor zur Detektion von elektromagnetischer Strahlung | |
| DE10034575A1 (de) | Röntgendetektor mit verbesserter Lichtausbeute | |
| DE2635870A1 (de) | Detektorkonstruktion fuer eine szintillationskamera | |
| DE102005056048B4 (de) | Flachbilddetektor | |
| DE10132924A1 (de) | Flacher dynamischer Strahlungsdetektor | |
| DE102008051045A1 (de) | Strahlungsdirektkonverter | |
| DE102014217580A1 (de) | Szintillatorplatte und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE102011083420A1 (de) | Strahlungsdetektor | |
| DE102006024893A1 (de) | Szintillatorplatte | |
| DE102006042484A1 (de) | Strahlungsdetektor | |
| DE102008033759B4 (de) | Szintillatorplatte | |
| WO2006136532A1 (de) | Röntgendetektor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R012 | Request for examination validly filed | ||
| R016 | Response to examination communication | ||
| R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: SIEMENS HEALTHCARE GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT, 80333 MUENCHEN, DE |
|
| R016 | Response to examination communication | ||
| R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
| R003 | Refusal decision now final |