DE69926769T2

DE69926769T2 - Szintillatorpanel, strahlungsbildsensor und verfahren zu deren herstellung

Info

Publication number: DE69926769T2
Application number: DE69926769T
Authority: DE
Inventors: Toshio Hamamatsu-shi Takabayashi; Takuya Hamamatsu-shi Homme; Hiroto Hamamatsu-shi Sato
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 1998-06-18
Filing date: 1999-06-18
Publication date: 2006-06-29
Anticipated expiration: 2019-06-19
Also published as: DE69926769D1; AU4168199A; EP1118878A4; KR20010071511A; US6469307B2; EP1118878A1; EP1118878B1; USRE39806E1; CN1152265C; WO1999066348A1; KR100389980B1; CN1305595A; US20020074502A1; JP4279462B2

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Szintillatorplatte und einen Stahlungsbildsensor, die für die medizinische Röntgenographie und dergleichen verwendet werden, sowie Verfahren zu ihrer Herstellung.
Allgemeiner Stand der Technik
Während röntgenstrahlenempfindliche Filme bei der medizinischen und der industriellen Röntgenographie verwendet worden sind, hat sich die Verwendung von Strahlungsbilderzeugungssystemen, die Strahlungsempfänger benutzen, unter dem Gesichtspunkt der Anwenderfreundlichkeit und der Speicherbarkeit der fotografierten Ergebnisse weiter verbreitet. Bei einem solchen Strahlungsbilderzeugungssystem werden von einem Strahlungsempfänger durch zweidimensionale Strahlung erzeugte Pixeldaten als elektrisches Signal erfasst, das dann von einer Verarbeitungseinheit verarbeitet wird, so dass es auf einem Monitor angezeigt werden kann.
Ein allgemein bekannter und üblicher Strahlungsempfänger wird u.a. in W092/06476 offengelegt. Bei diesem Strahlungsempfänger werden ein direkt auf einem Substrat ausgebildeter Szintillator und eine Bilderzeugungseinrichtung so miteinander verklebt, dass die von der Substratseite einfallende Strahlung von dem Szintillator in sichtbares Licht umgewandelt wird, so dass sie erfasst werden kann.
Andererseits offenbaren die offengelegten japanischen Patentanmeldungen Nr. HEI 5-196742 und Nr. SHO 63-215987 einen Strahlungsempfänger, bei dem zum Schutz eines auf einer Bilderzeugungseinrichtung ausgebildeten Szintillators oder einer faseroptischen Platte (FOP), d.h. eines optischen Teils, das aus mehreren zusammengebündelten Fasern besteht, vor Dampf (Feuchtigkeit) in der Luft auf der oberen Seite der Szintillatorschicht eine wasserundurchlässige, feuchtebeständige Barriere ausgebildet wird.
Wenn der Szintillator wie bei den oben erwähnten Strahlungsempfängern direkt auf dem Substrat ausgebildet ist, beeinflusst jedoch der Zustand der Substratoberfläche (wie Unebenheiten, Rauheit und beim Walzen gebildete Streifen) in großem Maße die Eigenschaften von Szintillatorplatten. Und zwar ist es schwierig, bei Al-Folien, Be-Folien und dergleichen, die als Substrate verwendet werden, optische Spiegelflächen herzustellen. Daher sind in dem Fall, dass Strahlung von der Substratseite einfällt und von dem Szintillator in sichtbares Licht umgewandelt wird, aus dem durch Objektivkopplung und dergleichen danach ein Bild erhalten wird, Bildqualität, Helligkeit, Auflösung und dergleichen stark vom Zustand der Substratoberfläche beeinflusst worden.
JP-A-4174400 beschreibt eine Strahlungsbildumwandlungsplatte, die eine nichtmetallische Grundplatte, eine Metallschicht darauf und eine transparente Dünnschicht auf der Metallschicht umfasst. Die Metallschicht fungiert als Lichtreflexionsschicht. Auf der transparenten Dünnschicht befindet sich eine phosphoreszierende Schicht.
EP-A-0528676 beschreibt eine Strahlungsbilderzeugungseinrichtung mit einem Szintillator, der mit einem Photodetektorfeld verbunden ist, und einer Feuchtigkeitsbarriere, die zumindest auf dem Abschnitt des Szintillators angeordnet ist, der der einfallenden Strahlung ausgesetzt ist. Die Feuchtigkeitsbarriere ist strahlungsdurchlässig und reflektiert Licht.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Szintillatorplatte, einen Strahlungsbildsensor und Verfahren zu deren Herstellung bereitzustellen, die nicht vom Zustand der Substratoberfläche beeinflusst werden.
Offenlegung der Erfindung
Die Szintillatorplatte der vorliegenden Erfindung umfasst ein strahlendurchlässiges Substrat, einen auf dem Substrat ausgebildeten flachen Harzfilm, einen auf dem flachen Harzfilm ausgebildeten reflektierenden Film und einen auf dem reflektierenden Film ausgebildeten Szintillator. Da der Szintillator auf dem flachen Harzfilm bereitgestellt wird, der auf dem Substrat ausgebildet ist, kann bei der Szintillatorplatte der vorliegenden Erfindung verhindert werden, dass sich ihre Eigenschaften aufgrund des Zustandes der Substratoberfläche ändern. Es kann auch die optische Ausgangsleistung der Szintillatorplatte erhöht werden, da diese einen reflektierenden Film aufweist.
Die Szintillatorplatte der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Teil des Szintillators der Szintillatorplatte mit einem transparenten organischen Film bedeckt ist. Da der Szintillator mit dem organischen Film bedeckt ist, kann die Szintillatorplatte der vorliegenden Erfindung den Szintillator vor Dampf (Feuchtigkeit) schützen.
Der Strahlungsbildsensor der vorliegenden Erfindung umfasst ein strahlendurchlässiges Substrat, einen auf dem Substrat ausgebildeten flachen Harzfilm, einen auf dem flachen Harzfilm ausgebildeten reflektierenden Film, einen auf dem reflektierenden Film ausgebildeten Szintillator und eine Bilderzeugungseinrichtung, die so angeordnet ist, dass sie dem Szintillator gegenüberliegt. Da der Szintillator auf dem flachen Harzfilm bereitgestellt wird, der auf dem Substrat ausgebildet ist, kann bei dem Strahlungsbildsensor der vorliegenden Erfindung verhindert werden, dass sich die Eigenschaften der Szintillatorplatte, die den Strahlungsbildsensor umfasst, aufgrund des Zustandes der Substratoberfläche ändern. Es kann auch die optische Ausgangs leistung der Szintillatorplatte erhöht werden, da diese mit dem reflektierenden Film versehen ist.
Der Strahlungsbildsensor der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Teil des Szintillators des Strahlungsbildsensors mit einem transparenten organischen Film bedeckt ist. Da der Szintillator der vorliegenden Erfindung mit dem organischen Film bedeckt ist, kann er vor Dampf (Feuchtigkeit) geschützt werden.
Das Verfahren für die Herstellung einer Szintillatorplatte gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst folgende Schritte: einen ersten Schritt, bei dem ein flacher Harzfilm auf einem strahlendurchlässigen Substrat ausgebildet wird, einen zweiten Schritt, bei dem auf dem flachen Harzfilm ein reflektierender Film ausgebildet wird, und einen dritten Schritt, bei dem auf dem reflektierenden Film ein Szintillator ausgebildet wird. Bei dem Verfahren für die Herstellung einer Szintillatorplatte gemäß der vorliegenden Erfindung wird durch den ersten Schritt der flache Harzfilm auf dem Substrat und durch den dritten Schritt der Szintillator auf dem flachen Harzfilm ausgebildet, wodurch eine Szintillatorplatte hergestellt werden kann, deren Eigenschaften sich nicht aufgrund des Zustandes der Substratoberfläche ändern. Da durch den zweiten Schritt der reflektierende Film auf dem flachen Harzfilm ausgebildet wird, kann sich auch die optische Ausgangsleistung der Szintillatorplatte erhöhen.
Das Verfahren für die Herstellung einer Szintillatorplatte gemäß der vorliegenden Erfindung kann weiterhin einen vierten Schritt umfassen, bei dem zumindest ein Teil des Szintillators mit einem transparenten organischen Film bedeckt wird. Da der Szintillator durch den vierten Schritt mit dem organischen Film bedeckt wird, kann durch die vorliegende Erfindung eine Szintillatorplatte hergestellt werden, die den Szintillator vor Dampf (Feuchtigkeit) schützen kann.
Das Verfahren für die Herstellung eines Strahlungsbildsensors gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst folgende Schritte: einen ersten Schritt, bei dem ein flacher Harzfilm auf einem strahlendurchlässigen Substrat ausgebildet wird, einen zweiten Schritt, bei dem auf dem flachen Harzfilm ein reflektierender Film ausgebildet wird, einen dritten Schritt, bei dem auf dem reflektierenden Film ein Szintillator ausgebildet wird, und einen vierten Schritt, bei dem dem Szintillator gegenüber eine Bilderzeugungseinrichtung angeordnet wird. Bei dem Verfahren für die Herstellung eines Strahlungsbildsensors gemäß der vorliegenden Erfindung wird durch den ersten Schritt der flache Harzfilm auf dem Substrat und durch den dritten Schritt der Szintillator auf dem flachen Harzfilm ausgebildet, wodurch ein Strahlungsbildsensor hergestellt werden kann, der eine Szintillatorplatte umfasst, deren Eigenschaften sich nicht aufgrund des Zustandes der Substratoberfläche ändern. Da durch den zweiten Schritt der reflektierende Film auf dem flachen Harzfilm ausgebildet wird, lässt sich auch ein Strahlungsbildsensor herstellen, der die optische Ausgangsleistung der Szintillatorplatte erhöhen kann.
Das Verfahren für die Herstellung eines Strahlungsbildsensors gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst folgende Schritte: einen ersten Schritt, bei dem ein flacher Harzfilm auf einem strahlendurchlässigen Substrat ausgebildet wird, einen zweiten Schritt, bei dem auf dem flachen Harzfilm ein reflektierender Film ausgebildet wird, einen dritten Schritt, bei dem auf dem reflektierenden Film ein Szintillator ausgebildet wird, einen vierten Schritt, bei dem der Szintillator mit einem transparenten organischen Film bedeckt wird, und einen fünften Schritt, bei dem dem Szintillator gegenüber eine Bilderzeugungs einrichtung angeordnet wird. Da zumindest ein Teil des Szintillators durch den vierten Schritt mit dem organischen Film bedeckt wird, lässt sich durch die vorliegende Erfindung ein Strahlungsbildsensor herstellen, der eine Szintillatorplatte umfasst, die den Szintillator vor Dampf (Feuchtigkeit) schützen kann.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 ist eine Schnittansicht der Szintillatorplatte gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
2 ist eine Schnittansicht des Strahlungsbildsensors gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
3A ist eine Ansicht, die einen Schritt bei der Herstellung der Szintillatorplatte gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt,
3B ist eine Ansicht, die einen Schritt bei der Herstellung der Szintillatorplatte gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt,
3C ist eine Ansicht, die einen Schritt bei der Herstellung der Szintillatorplatte gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt,
3D ist eine Ansicht, die einen Schritt bei der Herstellung der Szintillatorplatte gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt,
4A ist eine Ansicht, die einen Schritt bei der Herstellung der Szintillatorplatte gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt,
4B ist eine Ansicht, die einen Schritt bei der Herstellung der Szintillatorplatte gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt,
5A ist eine Ansicht, die ein spezielles Beispiel für die Verwendung der Szintillatorplatte gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt,
5B ist eine Ansicht, die ein spezielles Beispiel für die Verwendung der Szintillatorplatte gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, und
5C ist eine Ansicht, die ein spezielles Beispiel für die Verwendung der Szintillatorplatte gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
Beste Arten der Ausführung der Erfindung
Nachfolgend werden unter Bezugnahme auf die 1 bis 5C Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben. 1 ist eine Schnittansicht einer Szintillatorplatte 2 gemäß einer Ausführungsform, während 2 eine Schnittansicht des Strahlungsbildsensors 4 gemäß einer Ausführungsform ist.
Wie in 1 gezeigt wird auf einer Oberfläche eines Substrates 10 aus Al bei der Szintillatorplatte 2 ein flacher Harzfilm 12 ausgebildet, der aus einem Polyimidharz besteht, während auf der Oberfläche des flachen Harzfilmes 12 ein reflektierender Film 14 aus Al ausgebildet wird. Auf der Oberfläche des reflektierenden Films 14 wird ein Szintillator 16 mit einer säulenförmigen Struktur ausgebildet, mit dem einfallende Strahlung in sichtbares Licht umgewandelt wird. Bei dem Szintillator 16 wird mit Tl dotiertes CsI verwendet.
Der auf dem reflektierenden Film 14 ausgebildete Szintillator 16 wird zusammen mit dem Substrat 10 von einem ersten Polyparaxylylen-Film (erster transparenter organischer Film) 18 bedeckt, während auf der Oberfläche des ersten Polyparaxylylen-Films 18 auf der Seite des Szintillators 16 ein SiO₂-Film (transparenter anorganischer Film) 20 ausgebildet wird. Ferner wird auf der Oberfläche des SiO₂-Films 20 und der Oberfläche des Teils des ersten Polyparaxylylen-Films 18 auf der Seite des Substrates 10, auf der kein SiO₂-Film 20 ausgebildet ist, ein zweiter Polyparaxylylen-Film (zweiter transparenter anorganischer Film) 22 ausgebildet, wodurch alle Oberflächen mit dem zweiten Polyparaxylylen-Film 22 bedeckt sind. Wie in 2 gezeigt weist der Strahlungsbildsensor 4 einen Aufbau auf, bei dem eine Bilderzeugungseinrichtung 24 auf der Seite des Szintillators 16 auf die Szintillatorplatte 2 geklebt ist.
Es werden nunmehr unter Bezugnahme auf die 3A bis 4B Schritte bei der Herstellung der Szintillatorplatte 2 erläutert. Zunächst wird auf eine Oberfläche eines rechteckigen Substrates 10 (mit einer Dicke von 0,5 mm) aus Al in vorgegebener Dicke (10 μm) ein Polyimidharz so aufgebracht, dass ein flacher Harzfilm 12 gebildet wird (siehe 3A). Und zwar wird so der flache Harzfilm 12 ausgebildet, der die Walzstreifen glättet, die beim Walzen der Al-Folie entstanden sind.
Nach dem Aushärten des flachen Harzfilmes 12 wird ein Al-Film 14, bei dem es sich um einen reflektierenden Film handelt, in einer Dicke von 100 nm durch ein Vakuumaufdampfungsverfahren auf der Oberfläche des flachen Harzfilmes 12 ausgebildet (siehe 3B). Danach werden mithilfe des Aufdampfungsverfahrens säulenförmige Kristalle aus mit Tl dotiertem CsI auf die Oberfläche des Al-Films 14 aufgewachsen, so dass ein Szintillator 16 mit einer Dicke von 200 μm entsteht (siehe 3C). Da das den Szintillator 16 bildende CsI ein hohes Feuchtigkeitsaufnahmevermögen aufweist, so dass es durch die Absorption von Dampf in der Luft zerfließt, wenn es dieser ausgesetzt bleibt, wird mithilfe des CVD-Verfahrens ein erster Polyparaxylylen-Film 18 ausgebildet, um zu verhindern, dass dies geschieht. Und zwar wird das mit dem Szintillator 16 versehene Substrat 10 in eine CVD-Vorrichtung gelegt, um den ersten Polyparaxylylen-Film 18 in einer Dicke von 10 μm auszubilden. Infolgedessen wird auf allen Oberflächen des Szintillators 16 und des Substrates 10 der erste Polyparaxylylen-Film 18 ausgebildet (siehe 3D). Da der obere Teil des Szintillators 16 uneben ist, glättet der erste Polyparaxylylen-Film 18 auch diesen Teil des Szintillators 16.
Als nächstes wird durch Aufsputtern auf die Oberfläche des ersten Polyparaxylylen-Films 18 auf der Seite des Szintillators 16 ein SiO₂-Film in einer Dicke von 200 nm ausgebildet (siehe 4A). Der SiO₂-Film 20 wird in einem Bereich ausgebildet, der den Szintillator 16 abdeckt, da er die Feuchtebeständigkeit des Szintillators 16 verbessern soll. Da der obere Teil des Szintillators 16 wie oben erwähnt durch den ersten Polyparaxylylen-Film 18 geglättet wird, kann der SiO₂-Film 20 dünner gehalten werden (bei einer Dicke von 100 nm bis 300 nm), so dass sich die abgegebene Lichtmenge nicht verringert.
Ferner wird mithilfe des CVD-Verfahrens auf der Oberfläche des SiO₂-Films 20 und der Oberfläche des ersten Polyparaxylylen-Films 18 auf der Seite des Substrates 10, auf der kein SiO₂-Film ausgebildet ist, in einer Dicke von 10 μm ein zweiter Polyparaxylylen-Film 22 ausgebildet, der verhindert, dass sich der SiO₂-Film 20 ablöst (siehe 4B). Mit der Beendigung dieses Schritts endet die Herstellung der Szintillatorplatte 2.
Der Strahlungsbildsensor 4 wird dadurch hergestellt, dass eine Bilderzeugungseinrichtung (CCD) 24 mit der so fertiggestellten Szintillatorplatte 2 auf der Seite des Szintillators 16 verklebt wird.
Es werden nun unter Bezugnahme auf die 5A bis 5C spezifische Beispiele für die Verwendung der Szintillatorplatte 2 erläutert. Die Ansicht in 5A zeigt einen Zustand, bei dem die Szintillatorplatte 2 mit einem Flächensensor (Dünnfilmtransistoren aus amorphem Silizium mit Photodioden) gekoppelt ist. Die durch ein Objekt 30 durchgelassenen radioaktiven Strahlen werden von der Szintillatorplatte 2 in sichtbares Licht umgewandelt, das dann von dem Flächensensor erfasst wird. 5B ist eine Ansicht, die den Zustand zeigt, bei dem die Szintillatorplatte 2 direkt mit einer Bilderzeugungseinrichtung (CCD) 34 gekoppelt ist. Die durch das Objekt 30 durchgelassenen radioaktiven Strahlen werden von der Szintillatorplatte 2 in sichtbares Licht umgewandelt, das dann von der Bilderzeugungseinrichtung 34 erfasst wird. 5C ist eine Ansicht, die den Zustand zeigt, bei dem die Szintillatorplatte 2 mit einem Objektiv gekoppelt ist. Die durch das Objekt 30 durchgelassenen radioaktiven Strahlen werden von der Szintillatorplatte 2 in sichtbares Licht umgewandelt, das dann von einer CCD-Kamera 36 erfasst wird.
Bei der Szintillatorplatte 2 gemäß dieser Ausführungsform beeinflusst, wie bereits erläutert, der Zustand der Substratoberfläche die Eigenschaften der Szintillatorplatte 2 nicht, da die Oberfläche des Substrates 10 durch den flachen Harzfilm 12 aus einem Polyimidharz geglättet wird. Da der reflektierende Film 14 auf der Oberfläche des flachen Harzfilms 12 angeordnet ist, lässt sich auch die optische Ausgangsleistung der Szintillatorplatte 2 erhöhen.
Bei dem Strahlungsbildsensor 4 gemäß dieser Ausführungsform beeinflusst der Zustand der Substratoberfläche die Eigenschaften der zu dem Strahlungsbildsensor 4 gehörenden Szintillatorplatte 2 nicht, da die Oberfläche des Substrates 10 durch den flachen Harzfilm 12 aus einem Polyimidharz geglättet wird. Da der reflektierende Film 14 auf der Oberfläche des flachen Harzfilms 12 angeordnet ist, lässt sich auch die optische Ausgangsleistung der zu dem Strahlungsbildsensor 4 gehörenden Szintillatorplatte 2 erhöhen.
Bei der oben erwähnten Ausführungsform wird zwar für den flachen Harzfilm 12 ein Polyimidharz verwendet, dies stellt aber keine Einschränkung dar, so dass auch Epoxidharz, Si-Harz und dergleichen verwendet werden kann. Obwohl die Dicke des flachen Harzfilms 12 bei der oben erwähnten Ausführungsform auf 10 μm festgelegt ist, kann gegebenenfalls auch ohne Einschränkung auf die 10 μm frei eine beliebige Dicke gewählt werden, solange es sich um eine Dicke handelt, durch die die Unebenheiten in der Oberfläche des Substrates 10 beseitigt werden.
Bei der oben erwähnten Ausführungsform wird zwar für den reflektierenden Film 14 ein Al-Film verwendet, dies stellt aber keine Einschränkung dar, und so können auch Ag-Filme, Au-Filme, Pt-Filme und dergleichen verwendet werden.
Al transparenter anorganischer Film 20 wird zwar der SiO₂-Film verwendet, dies stellt aber keine Einschränkung dar, und so können auch anorganische Filme aus Al₂O₃, TiO₂, In₂O₃, SnO₂, MgO, MgF₂, LiF, CaF₂, AgCl, SiNO, SiN und dergleichen verwendet werden.
Bei der oben erwähnten Ausführungsform wird zwar CsI(Tl) für den Szintillator 16 verwendet, dies stellt aber keine Einschränkung dar, und so können auch CsI(Na), NaI(Tl), LiI(Eu), KI(Tl) und dergleichen verwendet werden.
Bei der oben erwähnten Ausführungsform wird zwar für das Substrat 10 ein Substrat aus Al verwendet, es kann jedoch ein beliebiges Substrat verwendet werden, solange es einen vorteilhaften Durchlässigkeitsgrad für Röntgenstrahlen aufweist, wodurch auch Substrate wie die aus C (Graphit), die hauptsächlich aus Kohlenstoff bestehen, aus amorphem Kohlenstoff, aus Be, aus SiC und dergleichen verwendet werden können. Es können auch Substrate aus Glas verwendet werden.
Der SiO₂-Film 20 wird zwar bei der oben erwähnten Ausführungsform auf der Oberfläche des ersten Polyparaxylylen-Films 18 auf der Seite des Szintillators 16 ausgebildet, er kann aber auch nicht nur dort, sondern auf allen Oberflächen des ersten Polyparaxylylen-Films 18 ausgebildet werden.
Der zweite Polyparaxylylen-Film 22 wird zwar auf der Oberfläche des SiO₂-Films 20 und der Oberfläche des ersten Polyparaxylylen-Films 18 auf der Seite des Substrates 10, d.h. auf allen Oberflächen bei der oben erwähnten Ausführungsform ausgebildet, verhindert aber, dass sich der SiO₂-Film 20 ablöst, wobei das Material dafür keinen Einschränkungen unterliegt, solange der Film aus einem transparenten Material besteht, und er kann auch in einem Bereich ausgebildet werden, der den SiO₂-Film 20 bedeckt.
Für den Polyparaxylylen-Film bei der oben erwähnten Ausführungsform kann nicht nur Polyparaxylylen verwendet werden, sondern auch Polymonochlorparaxylylen, Polydichlorparaxylylen, Polytetrachlorparaxylylen, Polyfluorparaxylylen, Polydimethylparaxylylen, Polydiethylparaxylylen und dergleichen.
Da der Szintillator auf dem flachen Harzfilm bereitgestellt wird, der auf dem Substrat ausgebildet ist, kann bei der Szintillatorplatte der vorliegenden Erfindung verhindert werden, dass sich ihre Eigenschaften aufgrund des Zustandes der Substratoberfläche ändern. Es kann auch die optische Ausgangsleistung der Szintillatorplatte erhöht werden, da diese einen reflektierenden Film aufweist. Wenn der Szintillator mit einem organischen Film bedeckt wird, kann er vor Dampf (Feuchtigkeit) geschützt werden.
Da der Szintillator auf dem flachen Harzfilm bereitgestellt wird, der auf dem Substrat ausgebildet ist, kann bei dem Strahlungsbildsensor der vorliegenden Erfindung verhindert werden, dass sich die Eigenschaften der Szintillatorplatte, aus der der Strahlungsbildsensor besteht, aufgrund des Zustandes der Substratoberfläche ändern. Es kann auch die optische Ausgangsleistung der zum Strahlungsbildsensor gehörenden Szintillatorplatte erhöht werden, da der reflektierende Film bereitgestellt wird. Wenn der Szintillator, aus dem der Strahlungsbildsensor besteht, mit einem organischen Film bedeckt wird, kann er vor Dampf (Feuchtigkeit) geschützt werden.
Bei dem Verfahren für die Herstellung einer Szintillatorplatte gemäß der vorliegenden Erfindung wird der flache Harzfilm auf dem Substrat und der Szintillator auf dem flachen Harzfilm ausgebildet, wodurch eine Szintillatorplatte hergestellt werden kann, deren Eigenschaften sich nicht aufgrund des Zustandes der Substratoberfläche ändern. Da der reflektierende Film auf dem flachen Harzfilm ausgebildet wird, lässt sich auch die optische Ausgangsleistung der Szintillatorplatte erhöhen. Wenn der Szintillator mit einem organischen Film bedeckt wird, ist es möglich, eine Szintillatorplatte herzustellen, die den Szintillator vor Dampf (Feuchtigkeit) schützen kann.
Bei dem Verfahren für die Herstellung eines Strahlungsbildsensors gemäß der vorliegenden Erfindung wird der flache Harzfilm auf dem Substrat und der Szintillator auf dem flachen Harzfilm ausgebildet, wodurch ein Strahlungs bildsensor hergestellt werden kann, der eine Szintillatorplatte umfasst, deren Eigenschaften sich nicht aufgrund des Zustandes der Substratoberfläche ändern. Da der reflektierende Film auf dem flachen Harzfilm ausgebildet wird, lässt sich auch ein Strahlungsbildsensor herstellen, der die optische Ausgangsleistung der Szintillatorplatte erhöhen kann. Wenn der Szintillator mit einem organischen Film bedeckt wird, ist es möglich, einen Strahlungsbildsensor herzustellen, der eine Szintillatorplatte umfasst, die den Szintillator vor Dampf (Feuchtigkeit) schützen kann.
Gewerbliche Anwendbarkeit
Die Szintillatorplatte und der Stahlungsbildsensor gemäß der vorliegenden Erfindung eignen sich wie bereits angedeutet für die Verwendung bei der medizinischen und gewerblichen Röntgenographie und dergleichen.

Claims

Szintillatorplatte (2), die ein strahlendurchlässiges Substrat (10), einen auf dem Substrat (10) ausgebildeten flachen Harzfilm (12), einen auf dem flachen Harzfilm (12) ausgebildeten reflektierenden Film (14) und einen auf dem reflektierenden Film (14) ausgebildeten Szintillator (16) umfasst.
Szintillatorplatte (2) nach Anspruch 1, bei der zumindest ein Teil des Szintillators (16) von einem transparenten organischen Film (18) bedeckt ist.
Szintillatorplatte (2) nach Anspruch 2, bei der der transparente organische Film (18) alle Oberflächen der Szintillatorplatte (2) bedeckt.
Strahlungsbildsensor (4), der eine Szintillatorplatte (2) nach Anspruch 1, 2 oder 3 und eine dem Szintillator (16) zugewandt angeordnete Bilderzeugungseinrichtung (24) umfasst.
Verfahren für die Herstellung einer Szintillatorplatte (2), das folgende Schritte umfasst: einen ersten Schritt, bei dem ein flacher Harzfilm (12) auf einem strahlendurchlässigen Substrat (10) ausgebildet wird, einen zweiten Schritt, bei dem auf dem flachen Harzfilm (12) ein reflektierender Film (14) ausgebildet wird, und einen dritten Schritt, bei dem auf dem reflektierenden Film (14) ein Szintillator (16) ausgebildet wird.
Verfahren für die Herstellung einer Szintillatorplatte (2) nach Anspruch 5, das weiterhin einen vierten Schritt umfasst, bei dem zumindest ein Teil des Szintillators (16) mit einem transparenten organischen Film (18) bedeckt wird.
Verfahren für die Herstellung einer Szintillatorplatte (2) nach Anspruch 6, das weiterhin das Bedecken aller Oberflächen der Szintillatorplatte (2) mit einem transparenten organischen Film (18) umfasst.
Verfahren für die Herstellung eines Strahlungsbildsensors (4), das Folgendes umfasst: das Herstellen einer Szintillatorplatte (2) gemäß dem Verfahren nach Anspruch 5, 6 oder 7 und das Anordnen einer Bilderzeugungseinrichtung (24) gegenüber des Szintillators (16).