JP4156709B2 - シンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、医療用のX線撮影等に用いられるシンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
医療、工業用のX線撮影では、従来、X線感光フィルムが用いられてきたが、利便性や撮影結果の保存性の面から放射線検出素子を用いた放射線イメージングシステムが普及してきている。このような放射線イメージングシステムにおいては、放射線検出素子により2次元の放射線による画素データを電気信号として取得し、この信号を処理装置により処理してモニタ上に表示している。
【0003】
従来、放射線検出素子を構成するシンチレータパネルとして、特公平5−39558号公報に開示されているシンチレータパネルが知られている。このシンチレータパネルは、FOP上に典型的なシンチレータ材料であるCsIからなる柱状構造のシンチレータを形成している。この柱状構造を有するシンチレータにおいては、柱状構造を有するシンチレータの1本1本がライトガイドとしての役目をにない、放射線によって発生した光を光出射面まで導いているため解像度の劣化が低く押さえられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述のシンチレータは潮解性を有しているため、柱状構造のシンチレータの隙間に水分不透過性のポリパラキシリレンを充填し、ポリパラキシリレンにより柱状構造のシンチレータを覆うことによりシンチレータを湿気から保護している。
【0005】
しかしながら、柱状構造のシンチレータの隙間にポリパラキシリレンを充填することにより、シンチレータの屈折率とシンチレータの隙間の屈折率差が減少して、柱状構造のシンチレータのライトガイドとしての効果が低下し解像度の低下を招いていた。なお、特許2571771号公報には、シンチレータの隙間をシンチレータの屈折率以下の材料で被覆する技術が開示されており、また、特開平9−61534号公報及び特開平9−61536号公報には、シンチレータの隙間を黒色物質で被覆する技術が開示されている。
【0006】
この発明の課題は、シンチレータの耐湿性を向上させると共に高解像度のシンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載のシンチレータパネルは、基板上に形成された柱状構造のシンチレータと、前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆するポリパラキシリレン膜とを備えるシンチレータパネルにおいて、前記ポリパラキシリレン膜は、発色処理を施したポリパラキシリレン膜であることを特徴とする。
【0008】
この請求項1記載のシンチレータパネルによれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜が発色処理を施したポリパラキシリレン膜であるため、柱状構造の界面を透過した蛍光が発色処理を施したポリパラキシリレン膜により吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少することによりシンチレータパネルの解像度を向上させることができる。
【0009】
また、請求項2記載のシンチレータパネルは、前記発色処理が加熱発色処理であることを特徴とする。
【0010】
また、請求項3記載のシンチレータパネルは、請求項1又は請求項2記載のシンチレータパネルに更に、前記発色処理を施したポリパラキシリレン膜を覆うポリパラキシリレン膜を備えることを特徴とする。
【0011】
この請求項3記載のシンチレータパネルによれば、発色処理を施したポリパラキシリレン膜を更にポリパラキシリレン膜で覆うため、シンチレータの耐湿性を向上させることができる。
【0012】
また、請求項4記載の放射線イメージセンサは、前記請求項1〜請求項3の何れか一項に記載のシンチレータパネルに更に撮像素子を備えることを特徴とする。この請求項4記載の放射線イメージセンサによれば、イメージセンサの解像度を向上させることができる。
【0013】
また、請求項5記載の放射線イメージセンサは、請求項4記載の放射線イメージセンサの前記基板が透光性の基板であり、前記撮像素子を前記基板の前記シンチレータが形成されていない側に配置したことを特徴とする。
【0014】
また、請求項6記載の放射線イメージセンサは、請求項4記載の放射線イメージセンサの前記基板は放射線透過性の基板であり、前記撮像素子を前記基板に形成されている前記シンチレータの先端部側に配置したことを特徴とする。
【0015】
また、請求項7記載の放射線イメージセンサは、撮像素子の受光面上に形成された柱状構造のシンチレータと、前記柱状構造のシンチレータを覆うポリパラキシリレン膜とを備える放射線イメージセンサにおいて、前記ポリパラキシリレン膜は、発色処理を施したポリパラキシリレン膜であることを特徴とする。
【0016】
この請求項7記載の放射線イメージセンサによれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜が発色処理を施したポリパラキシリレン膜であるため、柱状構造の界面を透過した蛍光が発色処理を施したポリパラキシリレン膜により吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少することにより放射線イメージセンサの解像度を向上させることができる。
【0017】
また、請求項8記載の放射線イメージセンサは、請求項7記載の放射線イメージセンサの前記発色処理が加熱発色処理であることを特徴とする。
【0018】
また、請求項9記載の放射線イメージセンサは、請求項7又は請求項8記載の放射線イメージセンサに更に、前記発色処理を施したポリパラキシリレン膜を覆うポリパラキシリレン膜を備えることを特徴とする。
【0019】
この請求項9記載の放射線イメージセンサによれば、発色処理を施したポリパラキシリレン膜を更にポリパラキシリレン膜で覆うため、シンチレータの耐湿性を向上させることができる。
【0020】
また、請求項10記載のシンチレータパネルの製造方法は、基板上に柱状構造のシンチレータを形成する第1の工程と、前記柱状構造のシンチレータを覆うポリパラキシリレン膜を形成する第2の工程と、前記ポリパラキシリレン膜を発色させる第3の工程とを備えることを特徴とする。
【0021】
この請求項10記載のシンチレータパネルの製造法によれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレンを発色させることにより柱状構造の界面を透過した蛍光が発色処理を施したポリパラキシリレン膜により吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少するため、解像度を向上させたシンチレータパネルを製造することができる。
【0022】
請求項11記載のシンチレータパネルの製造方法は、請求項10記載のシンチレータパネルの製造方法の前記第3の工程が加熱により前記ポリパラキシリレンを発色させる工程であることを特徴とする。
【0023】
また、請求項12記載のシンチレータパネルの製造方法は、請求項10又は請求項11記載のシンチレータパネルの製造方法に、更に、前記第3工程において発色させた前記ポリパラキシリレン膜上にポリパラキシリレン膜を形成する第4工程を備えることを特徴とする。
【0024】
この請求項12記載のシンチレータパネルの製造方法によれば、発色させたポリパラキシリレン膜上に、更にポリパラキシリレン膜を形成するため、シンチレータの耐湿性を向上させたシンチレータパネルを製造することができる。
【0025】
また、請求項13記載の放射線イメージセンサの製造方法は、撮像素子の受光面上に柱状構造のシンチレータを形成する第1の工程と、前記柱状構造のシンチレータを覆うポリパラキシリレンを形成する第2の工程と、前記ポリパラキシリレン膜を発色させる第3の工程とを備えることを特徴とする。
【0026】
この請求項13記載の放射線イメージセンサの製造方法によれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜を発色させることにより柱状構造の界面を透過した蛍光が発色処理を施したポリパラキシリレン膜により吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少するため、解像度を向上させた放射線イメージセンサを製造することができる。
【0027】
また、請求項14記載の放射線イメージセンサの製造方法は、請求項13記載のシンチレータパネルの製造方法の前記第3の工程が加熱により前記ポリパラキシリレンを発色させる工程であることを特徴とする。
【0028】
また、請求項15記載の放射線イメージセンサの製造方法は、請求項13又は請求項14記載の放射線イメージセンサの製造方法に、更に、前記第3工程において加熱し発色させた前記ポリパラキシリレン上にポリパラキシリレン膜を形成する第4工程を備えることを特徴とする。
【0029】
この請求項15記載の放射線イメージセンサの製造方法によれば、加熱し発色させたポリパラキシリレン膜上に、更にポリパラキシリレン膜を形成するため、シンチレータの耐湿性を向上させた放射線イメージセンサを製造することができる。
【0030】
【発明の実施の形態】
以下、図1〜図3を参照して、この発明の第1の実施の形態の説明を行う。図1は実施の形態にかかるシンチレータパネル2の断面図である。図1に示すように、シンチレータパネル2のファイバオプティカルプレート(以下、FOPという。)10の一方の表面には、入射した放射線を可視光に変換する柱状結晶構造のシンチレータ12が形成されている。このシンチレータ12には、TlドープのCsIが用いられている。
【0031】
このFOP10に形成された柱状結晶構造のシンチレータ12の隙間には、シンチレータ12の表面に成膜され加熱発色処理が施されたポリパラキシリレンが充填されている。また、この加熱発色処理を施したポリパラキシリレン膜14の表面には、耐湿性の保護膜としてのポリパラキシリレン膜16が設けられており、更に、このポリパラキシリレン膜16の表面に耐湿性の向上を目的とするAl膜18が形成されている。このシンチレータパネル2は、FOP10を介して図示しない撮像素子(CCD)等と結合することにより放射線イメージセンサとして用いられる。また、Al膜18上にAl膜18の剥がれ防止するためのポリパラキシリレン膜を形成してもよい。
【0032】
次に、図2及び図3を参照して、シンチレータパネル2の製造工程について説明する。まず、FOP10の一方の表面に、TlをドープしたCsIの柱状結晶を蒸着法によって成長させてシンチレータ12を10μmの柱径、300μmの厚さで形成する(図2(a)参照)。
【0033】
次に、シンチレータ12が形成されたFOP10をCVD装置の蒸着室に入れ、CVD法(気相化学成長法)によりシンチレータ12の隙間及び表面にポリパラキシリレン膜14を成膜する。即ち、CVD装置の蒸着室内において、ポリパラキシリレンの原料を昇華した蒸気中に露出させておくことにより、柱状結晶構造のシンチレータ12の隙間にポリパラキシリレン膜14を成膜し、柱状結晶構造のシンチレータ12の隙間にポリパラキシリレン膜14を成膜する(図2(b)参照)。
【0034】
次に、柱状結晶構造のシンチレータ12の表面にポリパラキシリレン膜14を成膜したFOP10をCVD装置の蒸着室から取り出し、真空中において250℃で2時間、加熱することによりポリパラキシリレン膜14を発色させる。即ち、ポリパラキシリレンの構造式は、
【化1】
で示されるが、ポリパラキシリレン膜14を真空中において250℃で2時間、加熱することにより、ポリパラキシリレンのエチレン基(−CH2−CH2−)の一部がエテニレン基(−CH=CH−)又は、エチニレン基(−C≡C−)に変化することにより茶色に発色する。
【0035】
次に、ポリパラキシリレン膜14の加熱発色処理が終了したFOP10を、再度、CVD装置の蒸着室に入れて、ポリパラキシリレン膜16を10μmの厚さで成膜し(図3(a)参照)、その後、Al膜18を300nmの厚さで蒸着する(図3(b)参照)。ここでAl膜18は、シンチレータ12の耐湿性の向上を目的とするものであるためシンチレータ12を覆う範囲で形成される。この工程を終了することによりシンチレータパネル2の製造が終了する。
【0036】
この実施の形態にかかるシンチレータパネル2によれば、柱状結晶構造のシンチレータ12の表面に形成されているポリパラキシリレン膜14に加熱発色処理が施されているため、シンチレータ12の柱状結晶構造の界面を透過した蛍光が加熱発色処理を施したポリパラキシリレン膜14により吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少することによりシンチレータパネル2の解像度を向上させることができる。また、加熱発色処理を施したポリパラキシリレン膜14をポリパラキシリレン膜で更に覆うためシンチレータの耐湿性を向上させることができる。
【0037】
次に、図4〜図6を参照して、この発明の第2の実施の形態の説明を行う。図4は実施の形態にかかる放射線イメージセンサ4の断面図である。図4に示すように、放射線イメージセンサ4は、薄膜トランジスタ+フォトダイオードアレイ(以下フォトダイオードアレイという)30の受光部30bに対応して設けられている大結晶化されたシンチレータ34を加熱発色処理を施したポリパラキシリレン膜36により覆い、更に、耐湿性の向上を目的とするポリパラキシリレン膜38で覆った構造を有するものである。
【0038】
次に、図5及び図6を参照して、この放射線イメージセンサ4の製造工程について説明する。図5(a)に示すように、放射線イメージセンサ4を構成するフォトダイオードアレイ30は、基板30a上に受光部30bが200μmのピッチでアレイ状に形成され、各受光部30bに対応してアモルファスシリコン薄膜トランジスタのスイッチング素子30cが設けられている。
【0039】
まず、このフォトダイオードアレイ30の受光部30b上にポリイミドにより凸パターン32を形成する(図5(b)参照)。次に、TlをドープしたCsIの柱状結晶を蒸着法によって成長させて、受光部30bに対応したシンチレータ34の固まりを形成し(図5(c)参照)、水蒸気を含む大気中に40時間露出させることにより、シンチレータ34に水分を含有させ溶かすことで大結晶化、好ましくは単結晶化させる(図5(d)参照)。
【0040】
次に、シンチレータ34が形成されたフォトダイオードアレイ30をCVD装置の蒸着室に入れ、ポリパラキシリレンの原料を昇華した蒸気中に露出させておくことにより、大結晶化したシンチレータ34の表面にポリパラキシリレン膜36を成膜する(図6(a)参照)。次に、シンチレータ34の表面にポリパラキシリレン膜36を成膜したフォトダイオードアレイ30をCVD装置の蒸着室から取り出し、真空中において250℃で1時間、加熱することによりポリパラキシリレン膜36を発色させる(図6(b)参照)。即ち、第1の実施の形態の場合と同様に、ポリパラキシリレンのエチレン基(−CH2−CH2−)の一部がエテニレン基(−CH=CH−)又は、エチニレン基(−C≡C−)に変化することにより茶色に発色する。
【0041】
次に、ポリパラキシリレン膜36の加熱発色処理が終了したフォトダイオードアレイ30を、再度、CVD装置の蒸着室に入れて、ポリパラキシリレン膜38を10μmの厚さで成膜する(図6(c)参照)。この工程を終了することにより放射線イメージセンサ4の製造が終了する。
【0042】
この第2の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ4によれば、大結晶化したシンチレータ34の表面に形成されているポリパラキシリレン膜36に加熱発色処理が施されているため、シンチレータ34の界面を透過した蛍光が加熱発色処理を施したポリパラキシリレン膜36により吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少することにより放射線イメージセンサ4の解像度を向上させることができる。また、加熱発色処理を施したポリパラキシリレン膜36を更にポリパラキシリレン膜38で更に覆うためシンチレータ34の耐湿性を向上させることができる。
【0043】
次に、図7〜図9を参照して、この発明の第3の実施の形態の説明を行う。この第3の実施の形態の説明においては、第2の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ4の構成と同一の構成には、放射線イメージセンサ4の説明の際に用いた符号と同一の符号を付して説明を行う。
【0044】
図7は実施の形態にかかる放射線イメージセンサ6の断面図である。図7に示すように、放射線イメージセンサ6は、薄膜トランジスタ+フォトダイオードアレイ30の受光部30aに対応して設けられている大結晶化されたシンチレータ34の先端部以外の部分を加熱発色処理を施したポリパラキシリレン膜36により覆い、更に、シンチレータ34を耐湿性を目的とするポリパラキシリレン膜38及びAl膜40、Al膜40の剥がれ防止のためのポリパラキシリレン膜42で覆った構造を有するものである。
【0045】
次に、図8及び図9を参照して、この放射線イメージセンサ6の製造工程について説明する。まず、図5及び図6に示す第2の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ4の製造工程と同一の工程により、フォトダイオードアレイ30の受光部30b上に形成した大結晶化したシンチレータ34を加熱発色させたポリパラキシリレン膜36により被覆する(図8(a)参照)。
【0046】
次に、シンチレータ34の上端部に位置するポリパラキシリレン膜36をレーザ照射により除去し(図8(b)参照)、このシンチレータ34の上端部に位置するポリパラキシリレン膜36の除去処理が終了したフォトダイオードアレイ30を、再度、CVD装置の蒸着室に入れて、ポリパラキシリレン膜38を10μmの厚さで成膜する(図8(c)参照)。
【0047】
次に、ポリパラキシリレン膜38上に、真空蒸着法により耐湿膜であるAl膜40を100nmの厚さで形成し、更に、このAl膜40上にポリパラキシリレン膜38の形成の場合と同様な方法で、Al膜40の剥がれを防止するためのポリパラキシリレン膜42を形成する。この工程を終了することにより放射線イメージセンサ6の製造が終了する。
【0048】
この第3の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ6によれば、大結晶化したシンチレータ34の側壁部の表面に形成されているポリパラキシリレン膜36に加熱発色処理が施されているため、シンチレータ34の界面を透過した蛍光が加熱発色処理を施したポリパラキシリレン膜36により吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少することにより放射線イメージセンサ6の解像度を向上させることができる。また、シンチレータ34をポリパラキシリレン膜38及びAl膜40で覆うためシンチレータ34の耐湿性を向上させることができる。
【0049】
次に、図10を参照して、この発明の第4の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ7の説明を行う。この第4の実施の形態の説明においては、第3の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ6の構成と同一の構成には、放射線イメージセンサ6の説明の際に用いた符号と同一の符号を付して説明を行う。
【0050】
この放射線イメージセンサ7は、加熱発色したポリパラキシリレン膜36を除去した後に、シンチレータ34の上部に位置するポリパラキシリレン膜38上に、大結晶化したシンチレータ34毎に対応させて反射膜であるAl膜39を形成し、その上にAl膜39の剥がれを防止するためのポリパラキシリレン膜41、耐湿性を向上させるためのAl膜40及びAl膜40の剥がれを防止するためのポリパラキシリレン膜42を順次形成したものである。
【0051】
この放射線イメージセンサ7においては、シンチレータ34で発生した光の中でAl膜39の方向に進行した光は、このAl膜39で反射されてフォトダイオードアレイ30の受光部30bの方向へ向かうため受光部30bに入射する光を増加させることができる。
【0052】
なお、上述の各実施の形態における、ポリパラキシリレンには、ポリパラキシリレンの他、ポリモノクロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレン、ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエチルパラキシリレン、等を含む。
【0053】
また、上述の各実施の形態においては、ポリパラキシリレンを加熱することにより発色させているが、これに限らず電子線、高エネルギの電磁波(紫外線、X線)、中性子線を照射することによっても発色させることがきる。
【0054】
また、上述の各実施の形態においては、ポリパラキシリレンを真空中において加熱しているが、これに限らず空気中において加熱するようにしてもよい。
【0055】
また、上述の第1の実施の形態においては、ポリパラキシリレンを250度で2時間加熱しており、また、第2の実施の形態においては、ポリパラキシリレンを250度で1時間加熱しているが、加熱温度及び加熱時間はこれに限定されるものではなく、ポリパラキシリレンの発色の度合いに対応させて適宜選択可能である。
【0056】
また、上述の各実施の形態においては、シンチレータとしてCsI(Tl)が用いられているが、これに限らずCsI(Na)、NaI(Tl)、LiI(Eu)、KI(Tl)等を用いてもよい。
【0057】
また、上述の第1の実施の形態においては、シンチレータを形成する基板としてFOP10を用いFOP10側に撮像素子(CCD)を配置することにより放射線イメージセンサとして用いるが、シンチレータを形成する基板としてガラス製の基板を用いても良い。この場合には、ガラス製の基板と撮像素子とをレンズを用いて結合させて放射線イメージセンサとして用いる。
【0058】
また、Al製の基板、C(グラファイト)製の基板、Be製の基板等を用いてもよく、この場合にはシンチレータ側に撮像素子(CCD)を配置することにより放射線イメージセンサとして用いる。
【0059】
図11は、Al製の基板50に形成されたシンチレータ34の先端部側に撮像素子52を配置した放射線イメージセンサ8である。この放射線イメージセンサ8においては、大結晶化したシンチレータ34の側壁部の表面に形成されているポリパラキシリレン膜36に加熱発色処理が施されているため、シンチレータ34の界面を透過した蛍光が加熱発色処理を施したポリパラキシリレン膜36により吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少することにより放射線イメージセンサ8の解像度を向上させることができる。
【0060】
また、上述の第2〜第4の実施の形態においては、シンチレータを形成する基板としてフォトダイオードアレイ30を用いているが、これに限らずCCD、MOS型固体イメージセンサ等を用いるようにしてもよい。
【0061】
また、上述の第2の実施の形態において、ポリパラキシリレン膜38の上に更にAl膜を形成するようにしても良い。この場合には、更に耐湿性の向上を図ることができる。
【0062】
【発明の効果】
この発明のシンチレータパネルによれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜が発色処理を施したポリパラキシリレン膜であるため、蛍光のクロストーク成分を減少させることができ、シンチレータパネルの解像度を向上させることができる。また、発色処理を施したポリパラキシリレン膜を更にポリパラキシリレン膜で覆うため、シンチレータの耐湿性を向上させることができる。
【0063】
また、この発明の放射線イメージセンサによれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜が発色処理を施したポリパラキシリレン膜であるため、蛍光のクロストーク成分を減少させることができ、放射線イメージセンサの解像度を向上させることができる。また、発色処理を施したポリパラキシリレン膜を更にポリパラキシリレン膜で覆うため、シンチレータの耐湿性を向上させることができる。
【0064】
また、この発明のシンチレータパネルの製造方法によれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜を発色させることにより蛍光のクロストーク成分を減少させ、解像度を向上させたシンチレータパネルを製造することができる。また、発色させたポリパラキシリレン膜上に、更にポリパラキシリレン膜を形成するため、シンチレータの耐湿性を向上させたシンチレータパネルを製造することができる。
【0065】
また、この発明の放射線イメージセンサの製造方法によれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜を発色させることにより蛍光のクロストーク成分を減少させ、解像度を向上させた放射線イメージセンサを製造することができる。また、発色させたポリパラキシリレン膜上に、更にポリパラキシリレン膜を形成するため、シンチレータの耐湿性を向上させた放射線イメージセンサを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施の形態にかかるシンチレータパネルの断面図である。
【図2】この発明の第1の実施の形態にかかるシンチレータパネルの製造工程を示す図である。
【図3】この発明の第1の実施の形態にかかるシンチレータパネルの製造工程を示す図である。
【図4】この発明の第2の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの断面図である。
【図5】この発明の第2の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの製造工程を示す図である。
【図6】この発明の第2の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの製造工程を示す図である
【図7】この発明の第3の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの断面図である。
【図8】この発明の第3の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの製造工程を示す図である。
【図9】この発明の第3の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの製造工程を示す図である。
【図10】この発明の第4の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの断面図である。
【図11】この発明の他の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの断面図である。
【符号の説明】
2…シンチレータパネル、4,6,7,8…放射線イメージセンサ、10…FOP、12…シンチレータ、14…ポリパラキシリレン膜、16…ポリパラキシリレン膜、18…Al膜、30…フォトダイオードアレイ、30b…受光部、34…シンチレータ、36,38…ポリパラキシリレン膜。
Claims (15)
- 基板上に形成された柱状構造のシンチレータと、
前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆するポリパラキシリレン膜とを備えるシンチレータパネルにおいて、
前記ポリパラキシリレン膜は、発色処理を施したポリパラキシリレン膜であることを特徴とするシンチレータパネル。 - 前記発色処理は、加熱発色処理であることを特徴とする請求項1記載のシンチレータパネル。
- 前記発色処理を施したポリパラキシリレン膜を覆うポリパラキシリレン膜を更に備えることを特徴とする請求項1又は請求項2記載のシンチレータパネル。
- 前記請求項1〜請求項3の何れか一項に記載のシンチレータパネルに更に撮像素子を備えることを特徴とする放射線イメージセンサ。
- 前記基板は透光性の基板であり、前記撮像素子を前記基板の前記シンチレータが形成されていない側に配置したことを特徴とする請求項4記載の放射線イメージセンサ。
- 前記基板は放射線透過性の基板であり、前記撮像素子を前記基板に形成されている前記シンチレータの先端部側に配置したことを特徴とする請求項4記載の放射線イメージセンサ。
- 撮像素子の受光面上に形成された柱状構造のシンチレータと、
前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆するポリパラキシリレン膜とを備える放射線イメージセンサにおいて、
前記ポリパラキシリレン膜は、発色処理を施したポリパラキシリレン膜であることを特徴とする放射線イメージセンサ。 - 前記発色処理は、加熱発色処理であることを特徴とする請求項7記載の放射線イメージセンサ。
- 前記発色処理を施したポリパラキシリレン膜を覆うポリパラキシリレン膜を更に備えることを特徴とする請求項7又は請求項8記載の放射線イメージセンサ。
- 基板上に柱状構造のシンチレータを形成する第1の工程と、
前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆するポリパラキシリレン膜を形成する第2の工程と、
前記ポリパラキシリレン膜を発色させる第3の工程と、
を備えることを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。 - 前記第3の工程は、加熱により前記ポリパラキシリレンを発色させる工程であることを特徴とする請求項10記載のシンチレータパネルの製造方法。
- 前記第3工程において発色させた前記ポリパラキシリレン膜上に、更にポリパラキシリレン膜を形成する第4工程を備えることを特徴とする請求項10又は請求項11記載のシンチレータパネルの製造方法。
- 撮像素子の受光面上に柱状構造のシンチレータを形成する第1の工程と、
前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆するポリパラキシリレン膜を形成する第2の工程と、
前記ポリパラキシリレン膜を発色させる第3の工程と、
を備えることを特徴とする放射線イメージセンサの製造方法。 - 前記第3の工程は、加熱により前記ポリパラキシリレンを発色させる工程であることを特徴とする請求項13記載の放射線イメージセンサの製造方法。
- 前記第3工程において発色させた前記ポリパラキシリレン膜上に、更にポリパラキシリレン膜を形成する第4工程を備えることを特徴とする請求項13又は請求項14記載の放射線イメージセンサの製造方法。
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