JPH05312960A - Ｘ線検出器 - Google Patents
Ｘ線検出器Info
- Publication number
- JPH05312960A JPH05312960A JP14694492A JP14694492A JPH05312960A JP H05312960 A JPH05312960 A JP H05312960A JP 14694492 A JP14694492 A JP 14694492A JP 14694492 A JP14694492 A JP 14694492A JP H05312960 A JPH05312960 A JP H05312960A
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- Japan
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- light shielding
- ray
- scintillator layer
- layer
- light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】各光電変換素子の検出にて特性にばらつきのな
いもの、加工・組立ての容易な構造としたものを得る。 【構成】光電変換素子が並設された半導体層２と、この
半導体層の前記光電変換素子形成面に積層されたシンチ
レータ層１とを備え、前記シンチレータ層には、その表
面から入射されたＸ線が変換されて生じた可視光が隣接
する光電変換素子に入射するのを防止する光遮蔽手段が
設けられているＸ線検出器において、前記光遮蔽手段
は、前記シンチレータ層の表面から半導体層に到る溝６
と、この溝の側壁面に塗布された光遮光材料４とから構
成した。
いもの、加工・組立ての容易な構造としたものを得る。 【構成】光電変換素子が並設された半導体層２と、この
半導体層の前記光電変換素子形成面に積層されたシンチ
レータ層１とを備え、前記シンチレータ層には、その表
面から入射されたＸ線が変換されて生じた可視光が隣接
する光電変換素子に入射するのを防止する光遮蔽手段が
設けられているＸ線検出器において、前記光遮蔽手段
は、前記シンチレータ層の表面から半導体層に到る溝６
と、この溝の側壁面に塗布された光遮光材料４とから構
成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線検出器に係り、た
とえばＸ線ＣＴ装置等に用いられるＸ線検出器に関す
る。
とえばＸ線ＣＴ装置等に用いられるＸ線検出器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】たとえばＸ線ＣＴ装置等に用いられるＸ
線検出器は、光電変換素子が並設された半導体層の前記
光電変換素子形成面にシンチレータ層を積層させ、この
シンチレータ層には、その表面から入射されたＸ線が変
換されて生じた可視光が隣接する光電変換素子に入射す
るのを防止する光遮蔽手段を設けている。この光遮光手
段によって、各光電変換素子はそれぞれに向かって照射
されてくるＸ線の量（正確には変換された可視光の量）
を正確に検出することができるようになる。
線検出器は、光電変換素子が並設された半導体層の前記
光電変換素子形成面にシンチレータ層を積層させ、この
シンチレータ層には、その表面から入射されたＸ線が変
換されて生じた可視光が隣接する光電変換素子に入射す
るのを防止する光遮蔽手段を設けている。この光遮光手
段によって、各光電変換素子はそれぞれに向かって照射
されてくるＸ線の量（正確には変換された可視光の量）
を正確に検出することができるようになる。
【０００３】そして、従来、この光遮光手段としては、
シンチレータ層の表面から半導体層に到る溝を形成し、
この溝内に光遮光材となる金属板を挿入配置させて構成
していた。すなわち、図５に示すように、１０１はフォ
トダイオードが形成された半導体層、１０２はシンチレ
ータ層、１０３は接着材、１０４はシンチレータ層に形
成された溝、１０５は溝内に配置された金属板である。
また、金属板１０５としては、たとえばタングステンあ
るいはモリブデン板等の表面を研磨し、その表面にアル
ミニュウムを蒸着して光反射率を向上させたものが用い
られている。
シンチレータ層の表面から半導体層に到る溝を形成し、
この溝内に光遮光材となる金属板を挿入配置させて構成
していた。すなわち、図５に示すように、１０１はフォ
トダイオードが形成された半導体層、１０２はシンチレ
ータ層、１０３は接着材、１０４はシンチレータ層に形
成された溝、１０５は溝内に配置された金属板である。
また、金属板１０５としては、たとえばタングステンあ
るいはモリブデン板等の表面を研磨し、その表面にアル
ミニュウムを蒸着して光反射率を向上させたものが用い
られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成されたＸ線検出器において、シンチレータ層１
０２の溝１０４内に配置させる金属板１０５は、この金
属板１０５側に入射される光を反射させる機能を持たせ
たものとなっているが、それぞれの各金属板１０５にお
いてそれぞれ均一な反射率を形成することが困難である
という問題点を有していた。また、各金属板１０５の溝
１０４への挿入配置にしても、その挿入状態にばらつき
を有するという問題点を残していた。
うに構成されたＸ線検出器において、シンチレータ層１
０２の溝１０４内に配置させる金属板１０５は、この金
属板１０５側に入射される光を反射させる機能を持たせ
たものとなっているが、それぞれの各金属板１０５にお
いてそれぞれ均一な反射率を形成することが困難である
という問題点を有していた。また、各金属板１０５の溝
１０４への挿入配置にしても、その挿入状態にばらつき
を有するという問題点を残していた。
【０００５】このようなことから、シンチレーション層
１０２の光遮光手段によって形成される区分領域（各光
電変換素子毎に対応する領域）のそれぞれの特性にばら
つきを生じさせたものとなっていた。また、シンチレー
ション層１０２に形成される溝１０４の幅は約０．１ｍ
ｍ、深さは約１ｍｍと微細なため、このような溝１０４
に挿入配置させる金属板１０５の加工に非常な工数を要
していた。また、このような微細な溝１０４に金属板１
０５を挿入配置させる組立てにも非常な工数を要してい
た。
１０２の光遮光手段によって形成される区分領域（各光
電変換素子毎に対応する領域）のそれぞれの特性にばら
つきを生じさせたものとなっていた。また、シンチレー
ション層１０２に形成される溝１０４の幅は約０．１ｍ
ｍ、深さは約１ｍｍと微細なため、このような溝１０４
に挿入配置させる金属板１０５の加工に非常な工数を要
していた。また、このような微細な溝１０４に金属板１
０５を挿入配置させる組立てにも非常な工数を要してい
た。
【０００６】それ故、本発明は、このような事情に基づ
いてなされたものであり、その目的とするところのもの
は、各光電変換素子の検出にてその特性にばらつきのな
いＸ線検出器を提供することにある。
いてなされたものであり、その目的とするところのもの
は、各光電変換素子の検出にてその特性にばらつきのな
いＸ線検出器を提供することにある。
【０００７】また、本発明の他の目的は、加工・組立て
の容易な構造としたＸ線検出器を提供することにある。
の容易な構造としたＸ線検出器を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、基本的には、光電変換素子が並設
された半導体層と、この半導体層の前記光電変換素子形
成面に積層されたシンチレータ層とを備え、前記シンチ
レータ層には、その表面から入射されたＸ線が変換され
た可視光が隣接する光電変換素子に入射するのを防止す
る光遮蔽手段が設けられているＸ線検出器において、前
記光遮蔽手段は、前記シンチレータ層の表面から半導体
層に到る溝と、この溝の側壁面に塗布された光遮光材料
とから構成したことを特徴とするものである。
るために、本発明は、基本的には、光電変換素子が並設
された半導体層と、この半導体層の前記光電変換素子形
成面に積層されたシンチレータ層とを備え、前記シンチ
レータ層には、その表面から入射されたＸ線が変換され
た可視光が隣接する光電変換素子に入射するのを防止す
る光遮蔽手段が設けられているＸ線検出器において、前
記光遮蔽手段は、前記シンチレータ層の表面から半導体
層に到る溝と、この溝の側壁面に塗布された光遮光材料
とから構成したことを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】このように構成したＸ線検出器は、その光遮蔽
手段を、従来のように金属板を用いず、シンチレータ層
の表面から半導体層に到って形成した溝の側壁面に光遮
光材料を塗布するように構成したものとなっている。
手段を、従来のように金属板を用いず、シンチレータ層
の表面から半導体層に到って形成した溝の側壁面に光遮
光材料を塗布するように構成したものとなっている。
【００１０】このため、シンチレータ層の表面（溝の形
成によって構成される側壁面を含む表面）は、光遮光材
料によって遮光がなされ、その遮光程度は、該光遮光材
料の膜厚を一定値（ミクロンオーダ）以上とすることに
より均一にさせることができるようになる。
成によって構成される側壁面を含む表面）は、光遮光材
料によって遮光がなされ、その遮光程度は、該光遮光材
料の膜厚を一定値（ミクロンオーダ）以上とすることに
より均一にさせることができるようになる。
【００１１】したがって、各光電変換素子に入射する光
量はシンチレータ層に入射するＸ線量にそのまま対応し
た量となり、各光電変換素子の検出にてその特性にばら
つきのないものを得ることができるようになる。そし
て、溝の形成によって分割される各シンチレータ間にお
ける光遮蔽は、光遮光材料の塗布作業のみでなされるこ
とから加工・組立ての容易な構造とすることができるよ
うになる。
量はシンチレータ層に入射するＸ線量にそのまま対応し
た量となり、各光電変換素子の検出にてその特性にばら
つきのないものを得ることができるようになる。そし
て、溝の形成によって分割される各シンチレータ間にお
ける光遮蔽は、光遮光材料の塗布作業のみでなされるこ
とから加工・組立ての容易な構造とすることができるよ
うになる。
【００１２】
【実施例】図２は、本発明によるＸ線検出器が適用され
るＸ線ＣＴ装置の一実施例を説明する構成図である。同
図において、例えば図示しないベッド等に載置される被
検体２０２がある。この被検体２０２の上方にはＸ線発
生装置２０１が配置され、また該被検体２０２の下方に
はＸ線検出装置２０４が配置されている。
るＸ線ＣＴ装置の一実施例を説明する構成図である。同
図において、例えば図示しないベッド等に載置される被
検体２０２がある。この被検体２０２の上方にはＸ線発
生装置２０１が配置され、また該被検体２０２の下方に
はＸ線検出装置２０４が配置されている。
【００１３】Ｘ線発生装置２０１からはＸ線がある広が
り角度で照射され、被検体２０２を透過した後にＸ線検
出装置２０４に入射されるようになっている。したがっ
て、Ｘ線検出装置２０４は、Ｘ線発生装置２０１からあ
る広がり角度で照射されてくるＸ線をそれぞれ検知する
ために円弧形状をなしており、しかも、この円弧に沿っ
て複数のＸ線検出器２０３が並設されて構成されたもの
となっている。なお、Ｘ線発生装置２０１、およびＸ線
検出装置２０４は常時たがいに対向配置され、これらは
被検体２０２を中心として回転されるようになってお
り、この回転時に得られる各Ｘ線検出器２０３からの検
出信号に基づいて、被検体２０２の断面画像を構成する
ようになっている。
り角度で照射され、被検体２０２を透過した後にＸ線検
出装置２０４に入射されるようになっている。したがっ
て、Ｘ線検出装置２０４は、Ｘ線発生装置２０１からあ
る広がり角度で照射されてくるＸ線をそれぞれ検知する
ために円弧形状をなしており、しかも、この円弧に沿っ
て複数のＸ線検出器２０３が並設されて構成されたもの
となっている。なお、Ｘ線発生装置２０１、およびＸ線
検出装置２０４は常時たがいに対向配置され、これらは
被検体２０２を中心として回転されるようになってお
り、この回転時に得られる各Ｘ線検出器２０３からの検
出信号に基づいて、被検体２０２の断面画像を構成する
ようになっている。
【００１４】次に、前記Ｘ線検出器２０３の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１５】実施例１．図３は、Ｘ線検出器２０３の外
観を示した斜視図である。同図において、半導体層２が
あり、この半導体層２の表面には後に詳述するフォトダ
イオードからなる光電変換素子が形成されたものとなっ
ている。そして、半導体層２の表面にはシンチレータ層
１が形成されている。このシンチレータ層１は、たとえ
ばＢＧＯ、ＣｄＷＯ4からなる蛍光体層から構成される
ものであり、その主表面にＸ線が照射されると該Ｘ線は
可視光に変換されるようになっている。
観を示した斜視図である。同図において、半導体層２が
あり、この半導体層２の表面には後に詳述するフォトダ
イオードからなる光電変換素子が形成されたものとなっ
ている。そして、半導体層２の表面にはシンチレータ層
１が形成されている。このシンチレータ層１は、たとえ
ばＢＧＯ、ＣｄＷＯ4からなる蛍光体層から構成される
ものであり、その主表面にＸ線が照射されると該Ｘ線は
可視光に変換されるようになっている。
【００１６】シンチレータ層１は、等間隔にかつ平衡に
溝６が形成され、その溝６はシンチレータ層１の表面か
ら半導体層２に到って形成されたものとなっている。こ
のような溝６によって分割された各シンチレータ層１は
それぞれ独立してＸ線検出部を構成し、このため、それ
ぞれの分割された各シンチレータ層１のそれぞれの下層
に配置された半導体層２にはたとえばＰＩＮ型からなる
一個のフォトダイオードが形成されたものとなってい
る。
溝６が形成され、その溝６はシンチレータ層１の表面か
ら半導体層２に到って形成されたものとなっている。こ
のような溝６によって分割された各シンチレータ層１は
それぞれ独立してＸ線検出部を構成し、このため、それ
ぞれの分割された各シンチレータ層１のそれぞれの下層
に配置された半導体層２にはたとえばＰＩＮ型からなる
一個のフォトダイオードが形成されたものとなってい
る。
【００１７】図１は、図３のI−I線における断面図を示
した構成図である。同図では、シンチレータ層１が透明
な接着材３を介して半導体層２に固着されていることを
示し、また、前記溝６によってそれぞれ分割された各シ
ンチレータ層１の表面（溝６の形成により構成される側
壁面をも含む表面）には光遮光材料４が形成されてい
る。この光遮光材料４は、たとえば、エポキシ樹脂に色
素を添加したものからなり、いわゆる塗布によって被着
されたものとなっている。この場合の色素としては、た
とえば黒色よりも白色のものが効果的となる。けだし、
光反射率の高いものの方がシンチレータ内部での発光を
効率よく利用できるからである。
した構成図である。同図では、シンチレータ層１が透明
な接着材３を介して半導体層２に固着されていることを
示し、また、前記溝６によってそれぞれ分割された各シ
ンチレータ層１の表面（溝６の形成により構成される側
壁面をも含む表面）には光遮光材料４が形成されてい
る。この光遮光材料４は、たとえば、エポキシ樹脂に色
素を添加したものからなり、いわゆる塗布によって被着
されたものとなっている。この場合の色素としては、た
とえば黒色よりも白色のものが効果的となる。けだし、
光反射率の高いものの方がシンチレータ内部での発光を
効率よく利用できるからである。
【００１８】なお、光遮光材料４は上述の材料に限定さ
れず、Ｘ線曝射による材質劣化の少ないものであればよ
いことはもちろんである。
れず、Ｘ線曝射による材質劣化の少ないものであればよ
いことはもちろんである。
【００１９】このように構成されたＸ線検出器２０３
は、光遮光材料４を透過してシンチレータ層１に照射さ
れたＸ線は、このシンチレータ層１内で可視光に変換さ
れるが、この変換された可視光はシンチレータ層１の表
面に形成された光遮光材料４によって外部に、すなわち
隣接する他のシンチレータ層１側に入射されることはな
く、全て直下に配置されている半導体層２表面のフォト
ダイオードに入射することになる。そして、このような
状態は、他の全てのシンチレータ層１において同じであ
ることから、各フォトダイオードに対する光検知（Ｘ線
検知）における特性にばらつきがなく、該特性を均一に
揃えることができるようになる。
は、光遮光材料４を透過してシンチレータ層１に照射さ
れたＸ線は、このシンチレータ層１内で可視光に変換さ
れるが、この変換された可視光はシンチレータ層１の表
面に形成された光遮光材料４によって外部に、すなわち
隣接する他のシンチレータ層１側に入射されることはな
く、全て直下に配置されている半導体層２表面のフォト
ダイオードに入射することになる。そして、このような
状態は、他の全てのシンチレータ層１において同じであ
ることから、各フォトダイオードに対する光検知（Ｘ線
検知）における特性にばらつきがなく、該特性を均一に
揃えることができるようになる。
【００２０】実施例２．図４は、Ｘ線検出器２０３の他
の実施例を示す構成図で、図１と対応しているものであ
る。同図において、図１と異なる構成は、シンチレータ
層１の表面（溝の形成によって構成される側壁面は除
く）にあり、該表面に形成される光遮光材料４を除去
し、光遮光の機能を有する光反射板５が形成されたもの
となっている。この光反射板５としては、たとえば、ポ
リエステルフィルムの表面にアルミニュウムを蒸着した
もの、あるいは、薄板のアルミニュウムの表面を研磨し
蒸着等により表面光反射率を向上させたものが好適とな
る。このような光反射板５を用いることにより、シンチ
レータ層１の表面において、Ｘ線の吸収が少なくしかも
表面の光反射率を高くする効果を奏することができるよ
うになる。
の実施例を示す構成図で、図１と対応しているものであ
る。同図において、図１と異なる構成は、シンチレータ
層１の表面（溝の形成によって構成される側壁面は除
く）にあり、該表面に形成される光遮光材料４を除去
し、光遮光の機能を有する光反射板５が形成されたもの
となっている。この光反射板５としては、たとえば、ポ
リエステルフィルムの表面にアルミニュウムを蒸着した
もの、あるいは、薄板のアルミニュウムの表面を研磨し
蒸着等により表面光反射率を向上させたものが好適とな
る。このような光反射板５を用いることにより、シンチ
レータ層１の表面において、Ｘ線の吸収が少なくしかも
表面の光反射率を高くする効果を奏することができるよ
うになる。
【００２１】以上の実施例で説明したＸ線検出器２０３
は、その光遮蔽手段を、従来のように金属板を用いず、
シンチレータ層１の表面から半導体層２に到って形成し
た溝６の側壁面に光遮光材料４を塗布するように構成し
たものとなっている。このため、シンチレータ層１の表
面（溝の形成によって構成される側壁面を含む表面）
は、光遮光材料４によって遮光がなされ、その遮光程度
は、該光遮光材料４の膜厚を一定値（ミクロンオーダ）
以上とすることにより均一にさせることができるように
なる。したがって、各光電変換素子に入射する光量はシ
ンチレータ層１に入射するＸ線量にそのまま対応した量
となり、各光電変換素子の検出にてその特性にばらつき
のないものを得ることができるようになる。そして、溝
６の形成によって分割される各シンチレータ１間におけ
る光遮蔽は、光遮光材料４の塗布作業のみでなされるこ
とから加工・組立ての容易な構造とすることができるよ
うになる。
は、その光遮蔽手段を、従来のように金属板を用いず、
シンチレータ層１の表面から半導体層２に到って形成し
た溝６の側壁面に光遮光材料４を塗布するように構成し
たものとなっている。このため、シンチレータ層１の表
面（溝の形成によって構成される側壁面を含む表面）
は、光遮光材料４によって遮光がなされ、その遮光程度
は、該光遮光材料４の膜厚を一定値（ミクロンオーダ）
以上とすることにより均一にさせることができるように
なる。したがって、各光電変換素子に入射する光量はシ
ンチレータ層１に入射するＸ線量にそのまま対応した量
となり、各光電変換素子の検出にてその特性にばらつき
のないものを得ることができるようになる。そして、溝
６の形成によって分割される各シンチレータ１間におけ
る光遮蔽は、光遮光材料４の塗布作業のみでなされるこ
とから加工・組立ての容易な構造とすることができるよ
うになる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明によるＸ線検出器によれば、各光電変換素子の検
出にて特性にばらつきのないものが得られるようにな
る。また、加工・組立ての容易な構造とすることができ
る。
本発明によるＸ線検出器によれば、各光電変換素子の検
出にて特性にばらつきのないものが得られるようにな
る。また、加工・組立ての容易な構造とすることができ
る。
【図１】 本発明によるＸ線検出器の一実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】 本発明によるＸ線検出器が適用されるＸ線Ｃ
Ｔ装置の一実施例を示す概略説明図である。
Ｔ装置の一実施例を示す概略説明図である。
【図３】 本発明によるＸ線検出器の一実施例を示す斜
視図である。
視図である。
【図４】 本発明によるＸ線検出器の他の実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】 従来のＸ線検出器の一例を示す断面図であ
る。
る。
１ シンチレータ層 ２ 半導体層 ３ 接着材 ４ 光遮光材料 ６ 溝
Claims (1)
- 【請求項１】光電変換素子が並設された半導体層と、こ
の半導体層の前記光電変換素子形成面に積層されたシン
チレータ層とを備え、前記シンチレータ層には、その表
面から入射されたＸ線が変換されて生じた可視光が隣接
する光電変換素子に入射するのを防止する光遮蔽手段が
設けられているＸ線検出器において、前記光遮蔽手段
は、前記シンチレータ層の表面から半導体層に到る溝
と、この溝の側壁面に塗布された光遮光材料とから構成
したことを特徴とするＸ線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14694492A JPH05312960A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | Ｘ線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14694492A JPH05312960A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | Ｘ線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05312960A true JPH05312960A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=15419109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14694492A Pending JPH05312960A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | Ｘ線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05312960A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001063321A1 (fr) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Hamamatsu Photonics K.K. | Dispositif d'imagerie a rayons x et son procede de fabrication |
| US7053380B2 (en) | 2002-02-08 | 2006-05-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray detector and method for producing X-ray detector |
| CN111180472A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-05-19 | 德润特医疗科技（武汉）有限公司 | 一种多层复式x射线探测器 |
-
1992
- 1992-05-13 JP JP14694492A patent/JPH05312960A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001063321A1 (fr) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Hamamatsu Photonics K.K. | Dispositif d'imagerie a rayons x et son procede de fabrication |
| US6747277B2 (en) | 2000-02-25 | 2004-06-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray image pickup apparatus and method of making the same |
| US7053380B2 (en) | 2002-02-08 | 2006-05-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray detector and method for producing X-ray detector |
| CN111180472A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-05-19 | 德润特医疗科技（武汉）有限公司 | 一种多层复式x射线探测器 |
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